JPH08293536A

JPH08293536A - 物品取扱部材

Info

Publication number: JPH08293536A
Application number: JP7098551A
Authority: JP
Inventors: Haruo Amada; 春男天田; Tsutomu Ishikawa; 勉石川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-04-24
Filing date: 1995-04-24
Publication date: 1996-11-05

Abstract

(57)【要約】【目的】ウエハなどの被処理物を保持したり収容した
りするなどのために被処理物に対して直接あるいは静電
気的に接触する際に、被処理物に帯電した静電気の放電
電流を所定値以下に制御し、放電に伴う被処理物の静電
気損傷の発生を防止する。また、被処理物が物品取扱部
材に接触する際に、被処理物を金属成分などにより汚染
させることなく、清浄かつ高純度な状態に保持し得るよ
うにする。【構成】所定の形状の物品取扱部材としてのカセット
１１の母材を、導電性高分子材料、または導電性高分子
材料と硬化性樹脂材料との混合材料により形成する。導
電性高分子材料および硬化性樹脂材料としては、光硬化
性導電性高分子材料および光硬化性樹脂材料、または熱
硬化性導電性高分子材料および熱硬化性樹脂材料、ある
いは放射線硬化性導電性高分子材料および放射線硬化性
樹脂材料を用いることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は静電気を帯びる性質を有
する固体、液体、粉体などの物体を被処理物として、こ
れのハンドリング、保持、収納および供給などの種々の
処理を行う際に用いられる物品取扱部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造業をはじめ、電子部品
製造業、液晶基板製造業、磁気ディスク製造業、フィル
ム製造業等においては、固体、液体、粉体などの種々の
被処理物をハンドリングしたり、保持したり、姿勢を制
御する技術が多用されている。また、固体、液体、粉体
などの種々の被処理物を容器内に収納したり、配管を用
いて液体や粉体などの流動体を供給する技術が多用され
ている。

【０００３】半導体製造業についてみると、株式会社プ
レスジャーナル、1991年11月１日発行、月刊Semiconduc
tor World 増刊号「92最新半導体プロセス技術(Technol
ogyEquipment 」Ｐ４７〜Ｐ５３に記載されているよう
に、随時書き込み読み出しメモリ用半導体集積回路素
子：６４Ｍ−ＤＲＡＭ−ＬＳＩ（６４Ｍ bit Dynamic R
andom Access Memory Large Scale Integrated Circui
t) などの半導体装置は、(1) パターンニングするリソ
グラフィ、エッチング工程、(2) 不純物をドーピングす
るイオン注入、熱処理（酸化、アニール、拡散）工程、
(3) 絶縁膜や配線膜を形成する薄膜形成（ＣＶＤ、スパ
ッタリング、蒸着）工程、(4) 洗浄（レジスト除去、溶
液による洗浄など）工程、(5）検査（外観、寸法、膜
厚、特性など）工程等を複数回処理し、半導体ウエハ
（以下、単にウエハと言う）上に、メモリセル等の半導
体機能素子が形成される。

【０００４】これらのウエハの製造工程は、同誌Ｐ１４
５以降に記載されているように、コータ・デベロッパ、
ステッパ、エッチング装置、イオン注入装置、洗浄装
置、酸化・拡散・ＣＶＤ装置、アニール装置などの種々
なウエハの処理装置が用いられている。

【０００５】これらのウエハの処理装置では、ウエハを
２５枚収納できるウエハキャリアカセットを用いて種々
の処理装置にウエハをセットする方式が主流であり、こ
のカセットはパーフロロアルコキシビニルエーテル共重
合体などの樹脂材料で成型されている。カセットにセッ
トされたウエハは、セラミック等の材料で構成されたウ
エハハンドラにより保持され、姿勢制御されてウエハを
処理すべきウエハステージ等にセッティングされること
になる。

【０００６】前記文献に記載されているように、半導体
素子パターンは微細化され、静電気による静電誘導現象
に起因して発生する半導体素子の静電破壊や、静電気に
よる力学的現象に起因してウエハに微小異物が付着する
ことから半導体素子パターン欠陥による半導体素子特性
不良の間題が発生している。

【０００７】これらの静電気による問題解決手段とし
て、特開平5-211227号公報に記載されているように、所
要の静電気放電特性を備えたウエハ用真空ピンセットが
製品化されている。この真空ピンセットは、所要の静電
気放電特性を有し、静電気が帯電したウエハを吸着した
際に、徐放電させて静電放電電流値を所要値以下に制御
し、静電放電による半導体素子の破壊を防止するように
している。さらに、キャリアカセットとして、表面抵抗
値を所要値に制御したFluoroware Inc. 社（米国）製の
ＳＴＡＴ−ＰＲＯ１００（商標）が製品化されている。

【０００８】このキャリアカセットも、前述したウエハ
用真空ピンセットと同様に、静電気が帯電したウエハを
収納した際に、徐放電させて静電放電電流値を所要値以
下に制御し、静電気放電による半導体素子の破壊を防止
する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術にお
いては、以下のような種々の問題が本発明者により明ら
かにされた。

【００１０】特開平5-211227号公報に記載されているウ
エハ用の真空ピンセットでは、ウエハ吸着チップがカー
ボンまたは、シリコンカーバイトからなる電気伝導性繊
維を含有したポリエーテル・エーテルケトン、ポリエー
テルケトンあるいは同種の特性を有する熱可塑性材料で
構成されている。例えば、カーボンファイバー入りポリ
エーテル・エーテルケトン材を用いたウエハ用真空ピン
セット成型品では、型による成型過程で、ウエハハンド
ラ成型品の表面に薄い絶縁膜であるポリエーテル・エー
テルケトン被膜が形成される。

【００１１】このウエハ用真空ピンセットを用いて、静
電気が帯電したウエハの静電気を放電する原理としての
基本電気回路モデル図を示すと、図７のとおりである。
図７に示すように、静電気が帯電したウエハＷをウエハ
吸着部１で吸着すると、真空ピンセット成型品の内部に
形成されたカーボンファイバー層を通してアース接地端
子２に電気的に接続される。

【００１２】この基本電気回路モデルにおいては、静電
気が帯電したウエハＷをウエハ吸着部１で吸着したか否
かにより閉閉する吸着有無スイッチ３が構成されてお
り、静電気が帯電したウエハＷをウエハ吸着部１で吸着
すると、吸着有無スイッチ３が閉じ、ウエハＷとウエハ
吸着部１との間に接触抵抗４が構成される。真空ピンセ
ット成型品の内部に形成されたカーボンファイバー層
を、電気的にアース接地し、ウエハＷを接触支持してハ
ンドリングすると、ウエハ吸着部１の表面にポリエーテ
ル・エーテルケトン絶縁被膜が形成されているため、ポ
リエーテル・エーテルケトン絶縁被膜を介してウエハＷ
とカーボンファイバー層との問に接触コンデンサ５が形
成される。

【００１３】真空ピンセット成型品の表面に形成された
ポリエーテル・エーテルケトン絶縁被膜の膜厚は、型に
よる成型条件により左右され、膜厚を精度よく制御する
ことができない。

【００１４】この結果、静電気が帯電したウエハＷを真
空ピンセット成型品に吸着する際に、ウエハＷとこれに
接触したウエハ吸着部１との間で生じる接触抵抗４の抵
抗値と接触コンデンサ５のコンデンサ容量が変動する。
さらに、真空ピンセット成型品の成型条件により、ウエ
ハ吸着部１の表面にカーボンファイバーが露出し、ウエ
ハＷを吸着した際に、擦れてカーボンファイバーがウエ
ハＷ上に付着することになる。

【００１５】カーボンファイバー自体には、カーボンフ
ァイバー製造工程で、Mg、Ca、Al、Feなどの金属成分
が、ｐｐｍオーダ単位で含まれている。この種のカーボ
ンファイバーがウエハＷに付着すると、拡散炉などで熱
処理を行なう際に、可動金属イオンなどが発生し、半導
体素子特性を劣化させることが明らかになった。

【００１６】その上、ウエハＷと露出したカーボンファ
イバーとが直接接触するため、カーボンファイバーを通
して、直接、アース接地端子２に電気的に短絡されるた
め、按触抵抗４の電気的抵抗値が１０³〜１０⁴(Ω／s
q.)と小さくなり、かつ、接触コンデンサ５のコンデン
サ容量も小さくなる。この結果、数ｋＶに帯電したウエ
ハＷをウエハ吸着部１で吸着すると瞬時に放電し、放電
電流が大きくなり半導体素子破壊が生じる。

【００１７】そこで、本発明の目的は、ウエハなどの被
処理物を保持したり収容したりするなどのために被処理
物に対して直接あるいは静電気的に接触する際に、これ
に接触する物品取扱部材の表面抵抗値を所定範囲に設定
することにより、被処理物に帯電した静電気の放電電流
を所定値以下に制御し、放電に伴う被処理物の静電気損
傷の発生を防止することにある。

【００１８】本発明の他の目的は、ウエハなどの被処理
物が物品取扱部材に接触する際に、被処理物を金属成分
などにより汚染させることなく、清浄かつ高純度な状態
に保持し得ることにある。

【００１９】本発明の他の目的は、被処理物の製造工程
においてこれに接触する物品取扱部材自体が帯電するこ
とを防止することにある。

【００２０】本発明の他の目的は、静電気が帯電された
ウエハが物品取扱部材に接触する際に、半導体ウエハか
ら徐々に静電気を放電させることにより、ウエハに形成
された半導体素子が破壊されるのを防止することにあ
る。

【００２１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なる。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００２３】すなわち、本発明の物品取扱部材は、所定
の形状の物品取扱部材の母材を、導電性高分子材料、ま
たは導電性高分子材料と硬化性樹脂材料との混合材料に
より形成することを特徴とする。

【００２４】導電性高分子材料および硬化性樹脂材料と
しては、光硬化性導電性高分子材料および光硬化性樹脂
材料、または熱硬化性導電性高分子材料および熱硬化性
樹脂材料、あるいは放射線硬化性導電性高分子材料およ
び放射線硬化性樹脂材料を用いることができる。

【００２５】物品取扱部材は、ウエハを収納するウエハ
用カセット、レチクルを収納するレチクル用カセット、
または液晶ディスプレイを収納する液晶ディスプレイ用
カセット、あるいは薬液または粉体などの流動体からな
る被収納物を収納する容器とすることができる。

【００２６】

【作用】前記本発明の物品取扱部材によれば、その母材
は導電性高分子材料を含む材料により形成されており、
これは金属成分を含まないので、金属成分を含まない材
料を用いて物品取扱部材を成形、加工することから、ウ
エハなどの被処理物にMg、Alなどの金属成分が付着する
ことはない。この結果、拡散炉などで被処理物を熱処理
しても、被処理物に金属イオンが付着することなく、金
属イオンに起因する被処理物の劣化を防止することがで
きる。

【００２７】さらに、金属成分をそれぞれ含んでいない
硬化性樹脂材料と導電性高分子材料との混合材料を用い
て物品取扱部材を形成するようにしたことから、混合材
料を均等に分散配合させた成形用素材を製造し、その素
材を用いて物品取扱部材を成形、加工することから、導
電性高分子材料を混合材料の中に均等に分散させること
ができる。この結果、物品取扱部材であるウエハ用カセ
ット、レチクル用カセット、液晶ディスプレイ用カセッ
ト、流動体を収容する容器、そして、被処理物を収容し
たり、保持したり、供給したりする際に被処理物に直接
あるいは静電気的に接触することになる部材の全面に渡
り導電性を均一に保つことができる。

【００２８】その上、本発明にあっては、ウエハなどの
被処理物に接触する部材の表面抵抗値を所定値に設定す
ることができる。例えば、ウエハと直接接触する部材の
表面抵抗値を１０⁶〜１０¹¹（Ω／sq.)に設定して、数
ｋＶに静電気が帯電したウエハから静電気を徐々に放電
つまり徐放電させ、静電気の放電に伴う放電電流による
半導体素子の破壊を防止することができる。

【００２９】物品取扱部材を製造するには、それぞれ金
属成分を含まない導電性高分子材料と光硬化材料とが均
等に分散された成形素材を作り、この成形素材を用いて
所定の形状の物品取扱部材を成形する。その物品取扱部
材の成形に用いた光硬化材料を硬化させる波長帯の光を
照射して物品取扱部材を硬化させる。

【００３０】また、物品取扱部材を製造するには、それ
ぞれ金属成分を含まない導電性高分子材料と熱硬化性樹
脂材料とを均等に分散させた成形素材を作り、この成形
素材を用いて所定の形状の物品取扱部材を成形する。そ
の物品取扱部材をその成形に用いた熱硬化性樹脂材料を
硬化させる温度に加熱して硬化させる。

【００３１】さらに、物品取扱部材を製造するには、そ
れぞれ金属成分を含まない導電性高分子材料と放射線硬
化性樹脂材料とを均等に分散させた成形素材を作り、そ
の成形素材を用いて所定の形状に成形する。その物品取
扱部材の成形に用いた放射線硬化性樹脂材料を硬化させ
る放射線を、物品取扱部材に照射してこれを硬化させ
る。

【００３２】

【実施例】物品取扱部材は、被処理物がウエハであれ
ば、これを収納するウエハカセットやウエハを支持して
搬送するハンドリング装置として具体化される。このよ
うな物品取扱部材は、導電性高分子材料を成形用高分子
材料などからなる硬化性樹脂材料に混合させることによ
って、母材に所定の範囲内の表面抵抗値の導電性を付与
させた後に、ペレット、丸棒、ブロックなどの形成用の
タブレットつまり素材を形成し、これを射出成形などの
手法により所定の形状の物品取扱部材を成形する。

【００３３】物品取扱部材の母材となる硬化性樹脂材料
としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレ
ンなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ（ト
リフロロエチレン）、ポリ（テトラフロロエチレン）、
ポリ（クロロトリフロロエチレン）などのポリハロゲン
化オレフィン類、ポリエチレンテレフタレート、ポリブ
チレンテレフタレート、ポリカーボネートなどのポリエ
ステル類、ポリエチレンサルファイド、ポリフェニレン
サルファイドなどのポリチオエーテル類、ポリエーテル
ケトン、ポリエーテル・エーテル・エーテルケトンなど
のポリケトン類ポリアセタール、フェノール樹脂、メラ
ミン樹脂、尿素樹脂などがある。

【００３４】一方、導電性高分子材料としては、ポリア
ニリン、ポリピロール、テトラシアノキノジメタン、ポ
リパラフェニレン、ポリアセチレン、ポリフェニレンビ
ニレン、ポリペリナフタレン、ポリ（３−メチルフェニ
レン）、ポリアクリロニトリル、ポリオキサジアゾー
ル、ポリチオフエンなどがある。

【００３５】この導電性高分子材料に対して、導電性を
向上させるために種々のドーパン（例えば、ヨウ素、五
フッ化砒素など）を添加しても良い。さらに、ベースと
なる硬化性高分子材料と導電性高分子材料とを秤量し、
所要の配合比に混合攪拌し、成形プレスなどで素材を形
成し、これを熱成炉によって所定の温度で焼成し、成形
用素材を作る。

【００３６】この場合、ベースとなる樹脂に対して添加
する導電性高分子材料の配合割合は、５〜５０％の範
囲、好ましくは、１０〜３０％の範囲で添加される。導
電性高分子材料の配合割合が５％未満では充分な導電性
特性が得られない。また、導電性高分子材料の配合割合
が５０％を越えた場合には、導電性特性は充分に得られ
るが、成形品である物品取扱部材の機械的強度を著しく
低下させる場合があり、物品取扱部材として好ましくな
い場合がある。

【００３７】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。

【００３８】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る物品取扱部材としてのウエハキャリアカセットを示す
斜視図であり、図２はこのカセットの成形方法を示すフ
ローチャートである。

【００３９】このカセット１１は射出成形機により図示
する形状に成形される。まず、このカセット１１の製造
方法について、図２を参照して説明する。

【００４０】射出成形後カセット１１の表面抵抗値を、
所定値（たとえば、１０⁸〜１０¹⁰（Ω／sq.)）に設定
するために、ベース樹脂材料としてポリプロピレンを使
用し、導電性高分子材料としてポリアニリンを使用し
た。ポリプロピレン樹脂粉末とポリアニリン樹脂粉末と
を秤量し、たとえば、ポリアニリン樹脂を６ｗｔ％とし
て、攪拌機などを用いて均等に分散させて配合する。

【００４１】配合されたポリプロピレン樹脂粉末とポリ
アニリン樹脂粉末をプレス機などを用いて成形し、射出
成形機に投入するための成形素材（タブレット）を成形
する。次いで、成形した成形素材を焼成機により所定温
度で焼成し、焼成した射出成形素材を射出成形機を用い
て図１に示すような所定の形状のカセット１１を成形す
る。この結果、カセット１１はその細部にまで導電性高
分子材料が均一に分散して成形され、カセット１１の全
面に精度良く表面抵抗値が所定値となる。

【００４２】図１に示すように、カセット１１は、相互
に対向する側壁１２，１３を有しており、これらは連結
部１４により一体となっている。それぞれの側壁１２，
１３の内面には複数のガイド突起１５が設けられてお
り、ガイド突起１５の間に形成されるウエハ保持溝１６
の部分にウエハＷが収容される。

【００４３】このカセット１１を金属製などの導電性を
有する材料からなる基台などの上に載置すると、これに
よりアース接地端子１７が形成されることになり、カセ
ット１１の回りに気流などが形成されることによってカ
セット１１に静電気が帯電されても、これはアース接地
端子１７を介して放電される。

【００４４】ガイド突起１５とウエハ保持溝１６の数
は、１つのカセット１１に収容されるウエハＷの枚数に
よって決定される。

【００４５】このような材料によって形成されたカセッ
ト１１を使用すると、カセット１１は常にアース接地端
子１７によりアースされているので、カセット１１の回
りに可動部材が作動したり、作業者が動くことにより気
流が形成され、その気流によってカセット１１に静電気
が生成されたとしても、その静電気は放電されることに
なり、カセット１１は帯電されることが防止される。

【００４６】また、静電気が帯電されたウエハＷがカセ
ット１１に収納された場合には、静電気は徐々に放電、
つまり徐放電されることになり、ウエハＷに形成された
半導体素子が静電気放電電流によって破壊されることが
回避される。

【００４７】さらに、カセット１１を構成する素材は金
属成分を含んでいないので、ウエハＷがカセット１１に
直接接触しても、ウエハＷは金属成分で汚染されること
がなくなり、清浄かつ高純度な状態でウエハＷはカセッ
ト１１に収納される。

【００４８】図はウエハＷを収容するためのカセットを
示すが、類似した形状のカセットを用いて、レチクルを
収納するレチクルキャリアカセットとすることもでき、
液晶ディスプレイを収納する液晶ディスプレイ用キャリ
アカセットとすることもできる。

【００４９】（実施例２）図３は本発明の他の実施例で
ある物品取扱部材としてのウエハハンドリング装置を示
す。

【００５０】このハンドリング装置はウエハＷをある位
置から他の位置まで搬送するために使用される。モータ
２１のシャフトには駆動リンク２２が取り付けられ、こ
の駆動リンク２２にはボルト２３によりハンドラ部２４
が取り付けられている。ハンドラ部２４にはウエハＷを
その下面から支持する複数の支持突起２５とウエハＷを
囲むようにして形成されたガイド部２６とが設けられて
いる。

【００５１】ハンドラ部２４はポリエーテル・エーテル
ケトン樹脂粉末にポリアニリン導電性樹脂粉末を５〜８
（ｗｔ％）均等に分散配合した混合材料を使用して、前
記実施例１と同様に射出成形機により図示する形状に形
成されており、その表面抵抗値は、１０⁸〜１０¹⁰（Ω
／sq.)に設定されている。このハンドラ部２４は、それ
ぞれ導電性を有するボルト２３、駆動リンク２２および
モータ２１のハウジングを介してアース接地端子２７に
電気的に接続されている。

【００５２】このようなハンドリング装置を用いてウエ
ハＷを搬送するには、モータ２１を駆動させて駆動リン
ク２２を介してハンドラ部２４をウエハ投入位置にまで
移動させる。この状態のもとで、ウエハＷをガイド部２
６によりガイドしながら支持突起２５の上に落とし込
む。ウエハＷがこれに静電気が帯電している状態でハン
ドラ部２４の上に支持されると、静電気はハンドラ部２
４、ボルト２３、駆動リンク２２、モータ２１およびア
ース接地端子２７を介して徐々に放電される。

【００５３】特に、ハンドラ部２４の表面抵抗が前記し
たように１０⁸〜１０¹⁰（Ω／sq.)に設定されているの
で、ウエハＷが数ｋＶに帯電されていても、放電電流が
百数十ｍＡ以下に制御されて徐々に放電、つまり徐放電
されることになる。この結果、既にウエハに形成された
半導体素子が静電気放電電流によって破壊されるのを回
避することができる。

【００５４】さらに、ウエハＷと接触することになるガ
イド部２６と支持突起２５は、常に帯電しないようにな
っており、かつこれらの部分の平坦度は表面粗さＲａが
0.２μｍ以下に設定されているので、これらには異物の
付着がなく、ウエハＷをハンドリングする際には転写異
物が付着することがなくなる。

【００５５】また、物品取扱部材としてのハンドラ部２
４はその母材が金属成分を含まない材料により形成され
ているので、ハンドラ部２４にウエハＷが直接接触して
も、ウエハＷには金属成分による汚染が防止され、ウエ
ハＷを清浄かつ高純度な状態に保持することができる。

【００５６】（実施例３）図４は図３に示したウエハハ
ンドリング装置の変形例を示す図であり、この図にあっ
ては、図３に示された部材と共通する部材には同一の符
号が付されている。

【００５７】このハンドラ部２４はステンレスなどの金
属からなるハンドラ本体２４ａを有し、このハンドラ本
体２４ａには支持ピン２５ａとガイドピン２６ａとが取
り付けられている。これらの支持ピン２５ａとガイドピ
ン２６ａは、それぞれ射出成形寸法の特性に優れたポリ
エーテルサルホン樹脂に導電性高分子材料を配合して、
射出成形により形成されており、それぞれが物品取扱部
材を構成している。

【００５８】この場合には、ハンドラ部本体２４ａをス
テンレス製としたことから、この機械的強度を向上させ
ることが可能となり、しかも、支持ピン２５ａとガイド
ピン２６ａは、常に帯電が防止されるとともに、帯電さ
れたウエハＷが支持ピン２５ａとガイドピン２６ａに接
触しても、図３に示す場合と同様に、ハンドラ本体２４
ａ、駆動リンク２２などを介して静電気を徐放電するこ
とができる。

【００５９】このように、物品取扱部材は図３に示すハ
ンドラ部２４自体としても具体化することができるとと
もに、図４に示すようにハンドラ本体２４ａに取り付け
られる支持ピン２５ａやガイドピン２６ａのように、ウ
エハＷと接触することになる部分のみにも具体化するこ
とができる。

【００６０】（実施例４）図５は本発明を具体化したホ
トレジスト塗布装置を示す図であり、それぞれ物品取扱
部材を構成する真空吸着式のスピンヘッド３１とウエハ
Ｗの表面にレジスト液を吐出するレジスト塗布部３２と
を有している。

【００６１】スピンヘッド３１は中空のモータシャフト
３３の先端に取り付けられており、表面には吸着面３４
が形成されている。モータシャフト３３に形成された排
気孔３５に連通する吸引孔３６がスピンヘッド３１に形
成され、ウエハＷはスピンヘッド３１の表面に真空吸着
される。モータシャフト３３はアース接地端子３７に電
気的に接続されている。

【００６２】スピンヘッド３１は、前記それぞれの実施
例と同様に、射出成形機により成形されている。その母
材は、ポリエーテル・エーテルケトン樹脂粉末にポリア
ニリン導電性樹脂粉末を５〜８（Ｗｔ％）を均等に分散
配合したものが使用されており、この結果、スピンヘッ
ド３１の表面抵抗値は１０⁸〜１０¹⁰（Ω／sq.)に設定
されている。

【００６３】したがって、この場合にも、静電気が帯電
されたウエハＷがスピンヘッド３１の表面に吸着された
としても、静電気はスピンヘッド３１、モータシャフト
３３、アース接地端子３７を介して徐放電される。しか
も、スピンヘッド３１は常にアース接地端子３７に電気
的に接続されているので、スピンヘッド３１に静電気が
帯電することが防止される。

【００６４】一方、レジスト塗布部３２はレジスト液４
０を収容する収納容器４１を有しており、この収納容器
４１はインナー容器４２とアウター容器４３とから構成
されている。インナー容器４２はパーフロロアルコキシ
ビニルエーテル樹脂を用いて射出成形により形成されて
おり、この樹脂はレジスト液４０に対する耐蝕性を有し
ている。

【００６５】アウター容器４３は熱収縮特性を有するパ
ーフロロアルコキシビニルエーテル樹脂粉末に対して、
導電性ポリアニリン粉末を８〜１０（ｗｔ％）配合した
材料を用いて射出成形され、その後所定温度で押し拡げ
て成形される。押し広げられたアウター容器４３内にイ
ンナー容器４２が挿入され、アウター容器４３を所定温
度に加熱することにより、アウター容器４３がインナー
容器４２を収容してこれに電気的に接続された状態とな
って図示するような形状の収納容器４１が形成される。

【００６６】収納容器４１にはアース接地端子４４が設
けられ、レジスト液４０が静電気を帯びるようになった
場合には、インナー容器４２の素材の特性や厚み、アウ
ター容器４３の素材や厚みなどによって設定される接触
抵抗成分および接触コンデンサー成分とを有する電気回
路モデルが形成される。この場合には、被処理物である
レジスト液４０は導電性を有するアウター容器４３には
直接的には接触していないが、静電気的にアウター容器
４３に接触することになる。

【００６７】したがって、レジスト液４０の流れなどに
よってこれに静電気が発生したとしても、放電された状
態となるのみならず、収納容器４１を構成する母材には
金属成分が含まれていないことから、レジスト液４０の
金属成分による汚染が防止される。

【００６８】図５に示すように、収納容器４１の上端部
はキャップ４５により閉塞されるようになっており、こ
のキャップ４５にはレジスト液４０の液面を加圧するた
めのＮ₂ガスなどの不活性ガスを供給する加圧パイプ４
６と、レジスト液４０を塗布ノズル４７に案内するため
のレジスト液供給パイプ４８とが設けられている。

【００６９】これらのパイプ４６，４８は、インナー容
器４２と同様の材料からなるインナーチューブとアウタ
ー容器４３と同様の材料からなるアウターチューブとの
二重構造となっており、いずれも表面抵抗値を１０⁶〜
１０⁸(Ω／sq.)に設定することができ、金属製のキャッ
プ４５を介してアース接地端子４４に電気的に接続され
ている。

【００７０】この場合には、絶縁物である被処理物とし
てのレジスト液４０を収納容器４１内に供給する際およ
びレジスト液４０をウエハＷに塗布する際にレジスト液
４０に静電気が生じても、収納容器４１などに蓄積され
ることなく、直ちにアース接地端子４４を介して放電さ
れる。

【００７１】なお、収納容器４１内に収納される薬液の
種類によっては、耐薬品性を持たせるためにインナー容
器４２とアウター容器４３とにより収納容器４１を形成
することなく、導電性高分子材料を有するアウター容器
４３の部分のみの容器とすることができる。また、薬液
以外に粉体を収容する容器に対しても、その粉体が静電
気を帯びる性質を有し、その静電気を除去する必要があ
る場合には、本発明を適用することが可能である。

【００７２】（実施例５）図６は本発明の他の実施例で
ある物品取扱部材を示す図であり、この物品取扱部材は
ウエハＷに塗布されたホトレジスト膜に回路素子パター
ンを露光した後にこのレジストパターンを現像するため
の現像装置である。

【００７３】現像装置としては、スピン方式、スプレー
方式およびディップ方式などがあるが、図６はディップ
方式であって、有機溶剤系現像液が使用される現像装置
を示す。

【００７４】高純度の有機溶剤系現像液としては、メチ
レンクロライド（メタクレン）、トリクロロエレチン、
フロン−１１３、アセトン、イソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）などが代表的であり、その他には、メチルア
ルコール、エチルアルコール、エチレングライコール、
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、エチルアセテート、ブ
チルアセテート、エチルセロソルブ、エチルセイソルブ
アセテート、ベンゼン、トルエン、キシレン四塩化炭
素、1,1,1 トリクロロエタンおよびパークロロエチレン
などの有機溶剤がＩＣ、ＬＳＩの製造工程に使用されて
いる。

【００７５】このような現像液を取り扱う場合には、現
像液を静電気に対して防爆性を持たせる必要があり、こ
れまでに防爆のための種々の方策が採られている。本発
明の物品取扱部材としての現像装置は、図６に示すよう
に有機溶剤系の現像液５０を収容する収納容器５１を有
しており、この収納容器５１は図５に示した収納容器４
１と同様に、インナー容器５２とアウター容器５３とか
ら構成され、アウター容器５３には接地端子５４が接続
されている。

【００７６】インナー容器５２はパーフロロアルコキシ
ビニルエーテル樹脂を用いて射出成形により形成されて
おり、この樹脂は現像液５０に対する耐蝕性を有し、ア
ウター容器５３は熱収縮特性を有するパーフロロアルコ
キシビニルエーテル樹脂粉末に対して、導電性ポリアニ
リン粉末を８〜１０（ｗｔ％）配合した材料を用いて射
出成形される。これらは、前記実施例における収納容器
４１と同様の手法により組み立てられて、収納容器５１
が形成される。この収納容器５１内の現像液５０にウエ
ハＷをどぶ漬けすることにより、レジストパターンが現
像される。

【００７７】（実施例６）ベースとなる樹脂材料と導電
性高分子材料として、光硬化性樹脂材料を選択し、所定
の配合比で配合し、所定形状に成形した後、光硬化させ
る所定波長の光エネルギーを所定量照射することによ
り、所望形状の物品取扱部材、つまりウエハやレチクル
などの固体状の物体を収容するカセット、あるいはそれ
らを操作するハンドリング装置、被処理物としての薬液
を収容する容器などを形成することができる。

【００７８】（実施例７）べースとなる樹脂材料と導電
性高分子材料として、熟硬化性樹脂材料を選択し、所定
の配合比で配合し、所定形状に成形した後、熱硬化させ
る所定温度で所定時間加熱処理することにより、所定形
状の上述のような物品取扱部材を形成することができ
る。

【００７９】（実施例８）べースとなる樹脂材料と導電
性高分子材料として、放射線硬化性樹脂材料を選択し、
所定の配合比で配合し、所定形状に成形した後、放射線
硬化させる所定波長の放射線を所定エネルギー量照射
し、所定形状の上述のような物品取扱部材を形成するこ
とができる。

【００８０】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づいて説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れることなく、その要旨を脱しない範囲で、種々な応用
が可能である。例えば、被処理物である物品としては、
ウエハに限定されることなく、ＴＦＴガラス基板や光デ
ィスク、磁気ディスク、レチクル、レジスト塗布装置な
ど、静電気により損傷される恐れや、金属による汚染が
ある固体、液体、粉体などであって、これらに対して直
接あるいは静電気的に接触するものであれば、どのよう
なものを対象とするものであっても有効である。

【００８１】

【発明の効果】本願において閉示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。

【００８２】(1).本発明の物品取扱部材には金属成分が
含まれておらず、この物品取扱部材と接触することにな
る半導体ウエハなどの被処理物に対して金属成分を汚染
させることなく、清浄かつ高純度な状態で保持すること
ができる。

【００８３】(2).本発明の物品取扱部材の表面抵抗値は
所定の範囲に設定され、静電気が帯電された半導体ウエ
ハなどの被処理物に対して物品取扱部材を直接あるいは
静電気的に接触させる際に生じる静電気の放電電流値を
所定の範囲に制御することができ、これにより、放電電
流による半導体素子破壊などのように静電気に起因した
損傷を防止することができる。

【００８４】(3).本発明の物品取扱部材によれば、それ
自体に静電気が帯電することが防止されることになり、
この物品取扱部材に接触することになる被処理物に対し
て静電気の影響を与えることがなくなる。

【００８５】(4).本発明の物品取扱部材には、これに被
処理物が直接接触することになる接触面を硬化させるこ
とができ、かつその接触面の面粗度を滑らかに仕上げる
ことができることから、物品取扱部材に接触する半導体
ウエハなどの被処理物に損傷や汚染を与えることがな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である物品取扱部材としての
ウエハキャリアカセットを示す斜視図である。

【図２】図１に示すウエハキャリアカセットを製造する
手順を示すフローチャートである。

【図３】本発明の他の実施例である物品取扱部材として
のウエハハンドリング装置を示す一部切り欠き側面図で
ある。

【図４】図３に示すウエハハンドリング装置の変形例を
示す一部切り欠き側面図である。

【図５】本発明のさらに他の実施例である物品取扱部材
としてのホトレジスト塗布装置を示す断面図である。

【図６】本発明の物品取扱部材として具体化され、ウエ
ハに形成されたレジストパターンを現像するための現像
処理装置を示す断面図である。

【図７】ウエハにおける静電気の放電過程を示す回路モ
デル図である。

【符号の説明】

１１カセット１２，１３側壁１４連結部１５ガイド突起１６ウエハ保持溝１７アース接地端子２１モータ２２駆動リンク２３ボルト２４ハンドラ部２４ａハンドラ本体２５支持突起２５ａ支持ピン２６ガイド部２６ａガイドピン２７アース接地端子３１スピンヘッド３２レジスト塗布部３３モータシャフト３４吸着面３５排気孔３６吸引孔３７アース接地端子４０レジスト液４１収納容器４２インナー容器４３アウター容器４４アース接地端子４５キャップ４６加圧パイプ４７塗布ノズル４８レジスト液供給パイプ５０現像液５１収納容器５２インナー容器５３アウター容器５４アース接地端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の形状の物品取扱部材の母材を、導
電性高分子材料、または導電性高分子材料と硬化性樹脂
材料との混合材料により形成することを特徴とする物品
取扱部材。
【請求項２】請求項１記載の物品取扱部材であって、
前記導電性高分子材料および硬化性樹脂材料として光硬
化性導電性高分子材料および光硬化性樹脂材料を用いた
ことを特徴とする物品取扱部材。
【請求項３】請求項１記載の物品取扱部材であって、
前記導電性高分子材料および前記硬化性樹脂材料として
熱硬化性導電性高分子材料および熱硬化性樹脂材料を用
いたことを特徴とする物品取扱部材。
【請求項４】請求項１記載の物品取扱部材であって、
前記導電性高分子材料および前記硬化性樹脂材料として
放射線硬化性導電性高分子材料および放射線硬化性樹脂
材料を用いたことを特徴とする物品取扱部材。
【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載の物
品取扱部材であって、前記物品取扱部材は半導体ウエハ
を収納するウエハ用カセットであることを特徴とする物
品取扱部材。
【請求項６】請求項１〜４のいずれか１項に記載の物
品取扱部材であって、前記物品取扱部材はレチクルを収
納するレチクル用カセットであることを特徴とする物品
取扱部材。
【請求項７】請求項１〜４のいずれか１項に記載の物
品取扱部材であって、前記物品取扱部材は液晶ディスプ
レイを収納する液晶ディスプレイ用カセットであること
を特徴とする物品取扱部材。
【請求項８】請求項１〜４のいずれか１項に記載の物
品取扱部材であって、前記物品取扱部材は薬液または粉
体などの流動体からなる被収納物を収納する容器である
ことを特徴とする物品取扱部材。