JPH08288206A

JPH08288206A - 露光装置及び露光方法

Info

Publication number: JPH08288206A
Application number: JP7112521A
Authority: JP
Inventors: Kosuke Suzuki; 広介鈴木
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1995-04-13
Filing date: 1995-04-13
Publication date: 1996-11-01
Anticipated expiration: 2020-02-23
Also published as: JP3622867B2

Abstract

(57)【要約】【目的】倍率補正手段のみで、マスクの熱変形に起因
する光学特性の変化に対して良好な補正を行なう。【構成】主ブラインド５２により露光光によって照射
されるレチクルＲ上の照射領域が設定され、この設定さ
れた照射領域に関する情報と既知のレチクルＲ上のパタ
ーンの分布情報とに基づいて、露光光の照射時にレチク
ルＲの伸縮に関する物理量が、照射領域においてほぼ均
一となるように、赤外線照射コントローラ６６では、副
ブラインド６０調整した状態で赤外線を照射する。この
ようにしてレチクルＲの伸縮が調整された状態で、倍率
調整機構１８では、レチクルＲの伸縮に関する物理量に
基づいて、ウエハ上に形成されるレチクルＲのパターン
の像の倍率を調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、露光装置及び露光方法
に係り、更に詳しくは、マスクに形成されたパターンの
像を感光基板上に形成する露光装置及び露光方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体集積回路や液晶基板の
製造用に供される投影露光装置では、投影光学系が露光
光を吸収することによって生じる結像特性（例えば、倍
率、焦点位置）の変化を補正するため、例えば、投影光
学系を構成する各レンズエレメントを光軸方向に移動さ
せたり、光軸に直交する面に対して傾けたり、あるいは
レンズエレメント間の気密空間の圧力を調整したりす
る、結像特性の補正手段が設けられている。例えば、結
像特性の変動特性に基づいて投影光学系が露光光を吸収
することによって生じる結像特性を良好に維持すること
は可能である（特開昭６３−５８３４９号公報等参
照）。

【０００３】しかしながら、露光光線はマスクをも通過
するため、マスクが露光光の吸収によって熱変形し、こ
れによって結像特性の変化が生じるという問題がある。
かかる問題点を改善すべく、例えば、特開平４−１９２
３１７号公報には、照明光（露光光）の吸収によるマス
クの熱変形量を求め、これに基づいて結像状態の変化を
予測し、この予測結果を用いて上記結像状態の補正手段
を用いて結像状態の変動による影響を最小に抑えようと
する技術が開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たマスクの平均的な伸縮量を計算し、倍率補正手段によ
り倍率を補正する手法にあっては、ブラインドを用いて
露光光の照射領域を設定してマスクの一部を照射する場
合や、マスクのパターンの不均一により露光光吸収に場
所依存性がある場合、即ちマスクの伸縮量が不均一にな
る場合には、倍率補正が困難であるという不都合があっ
た。さらに、マスクのパターンが均一な場合であっても
マスクの中心から同心円に近い形で温度分布が発生して
マスクの伸縮量が線形にならないという不都合もあっ
た。

【０００５】一方、上記特開平４−１９２３１７号公報
に記載の技術にあっては、マスクの熱変形量を求め、さ
らにこの熱変形量から光学計算あるいは実測に基づく定
式化によって結像状態の変化を求める（予測する）こと
が必要であることから、この結像状態の変化を求めるた
めに、複雑な演算を行なわなければならなかった。ま
た、上記公報に記載の技術では、結像状態の変化を正確
に求めることができたとしても、倍率のみでなく、投影
光学系の光軸に対して対称でない変形（ディストーショ
ン等）をも補正可能な複雑な構成の結像特性の補正手段
を具備していなければ、マスクの熱変形に起因する光学
特性の変化に対し十分な補正を行なうことができないと
いう不都合もあった。

【０００６】本発明は、かかる従来技術の有する不都合
に鑑みてなされたもので、その目的は、結像状態の変化
を求めるための複雑な演算を行なうことなく、倍率変動
を補正するのみで、マスクの熱変形に起因する光学特性
の変化に対して良好な補正を行なうことができる露光装
置及び露光方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】従来のように、マスクの
熱変形による結像特性の変化を正確に演算により求める
のではなく、マスクの熱変形量を全体的に均一化する場
合には、マスクの熱変形に起因する光学特性の変化を倍
率補正手段のみで良好に補正することが可能である。即
ち、マスクの熱変形を自由にさせるのではなく、マスク
に意図的にマスクパターンの結像状態の変化を補正しや
すい熱変形を与えることにより、マスクの熱変形に起因
するマスクパターンの結像状態の変化を容易に補正でき
る。本発明は、かかる解決原理の下、以下の構成を有す
る。

【０００８】請求項１記載の発明は、露光用の光源から
射出される第１の波長特性の光によりマスクを照射し、
当該マスク上のパターンの像を感光剤が塗布された基板
上に形成する露光装置であって、前記第１の波長特性の
光によって照射される前記マスク上の照射領域を設定す
る照射領域設定手段と；前記設定された照射領域に関す
る情報と既知の前記マスク上のパターンの分布情報とに
基づいて、前記第１の波長特性の光の照射時に前記マス
クの伸縮に関する物理量が、前記マスク全体においてほ
ぼ均一となるように、前記マスクの伸縮を調整する伸縮
調整手段と；前記マスクの伸縮に関する物理量に基づい
て、前記マスクのパターンの像の倍率を調整する倍率調
整系とを有する。

【０００９】この場合において、前記伸縮調整手段は、
前記感光剤を感光しない第２の波長特性の光を射出する
光源と、前記設定された照射領域に関する情報と既知の
前記マスク上のパターンの分布情報とに基づいて前記第
２の波長特性の光によって照射される前記マスク上の照
射領域を設定する第２の照射領域設定手段とを含んで構
成することができる。

【００１０】あるいは、前記伸縮調整手段は、前記マス
クの周辺部に配置されたヒータと、前記設定された照射
領域に関する情報と前記マスク上のパターンの分布情報
とに基づいて前記ヒータの温度を調整する温度制御系と
を含んで構成しても良い。

【００１１】また、前記倍率調整系は、前記第１の波長
特性の光のエネルギを入力する入力手段と、前記マスク
のパターンの像の倍率を変化させる倍率調整機構と、前
記入力された第１の波長特性の光のエネルギと前記マス
クの伸縮に関する物理量とに基づいて前記倍率調整機構
を制御する制御系とを含んで構成することができる。

【００１２】さらに、前記マスクのパターンの像は投影
光学系を介して前記感光基板上に形成されても良く、か
かる場合は、前記倍率調整系は、前記投影光学系のエネ
ルギ吸収によって変化する前記投影光学系の結像特性の
変化を調整する手段であることが望ましい。

【００１３】請求項６記載の発明は、薄膜と枠部材とを
有するマスク保護部材が装着されたマスクを露光光によ
り照射し、該マスク上のパターンの像を感光基板上に形
成する露光装置であって、前記マスク保護部材と前記マ
スクとで形成される空間若しくは前記マスク保護部材の
温度を検出する温度センサと；前記温度センサの出力に
基づいて、前記空間若しくは前記マスク保護部材の温度
を調整する温度調整機構とを有する。

【００１４】請求項７記載の発明は、マスクを露光光に
よって照射し、前記マスク上のパターンの像を感光基板
上に形成する露光方法において、前記マスクの伸縮に関
する物理量が少なくとも前記マスク上の前記露光光の照
射領域内においてほぼ均一となるように前記マスクの伸
縮を調整した状態で、前記パターンの像を前記感光基板
上に形成すること特徴とする。

【００１５】

【作用】請求項１記載の発明によれば、照射領域設定手
段では、第１の波長特性の光（露光光）によって照射さ
れるマスク上の照射領域を設定する。伸縮調整手段で
は、設定された照射領域に関する情報と既知のマスク上
のパターンの分布情報とに基づいて、第１の波長特性の
光の照射時にマスクの伸縮に関する物理量（例えば、マ
スクの温度、伸縮量、あるいは温度の伸縮量への変換値
等）が、少なくともマスク上の照射領域においてほぼ均
一となるようにすることにより、マスクの伸縮を調整す
る。このようにしてマスクの伸縮が調整された状態で、
倍率調整系では、マスクの伸縮に関する物理量に基づい
て、マスクのパターンの像の倍率を調整する。

【００１６】この状態で露光用の光源から射出される第
１の波長特性の光によりマスクが照射されると、当該マ
スク上のパターンの像の倍率が調整されて感光剤が塗布
された基板（以下、「感光基板」という）上に形成され
る。

【００１７】これによれば、マスクの伸縮が調整（一様
な伸縮量となるように調整）された段階で倍率調整系に
よりパターンの像の倍率が調整されるので、結像状態の
変化を求めるための複雑な演算を行なうことなく、且つ
倍率変動を補正するのみで、マスクの熱変形に起因する
マスクパターンの結像状態の変化に対して良好な補正が
可能となる。

【００１８】請求項６記載の発明によれば、温度センサ
では、マスク保護部材とマスクとで形成される空間若し
くはマスク保護部材の温度を検出する。温度調整機構で
は、温度センサの出力に基づいて、前記空間若しくはマ
スク保護部材の温度を調整する。

【００１９】このため、露光光の照射によりマスク保護
部材とマスクとで形成される空間若しくはマスク保護部
材の温度がマスクの他の部分より温度が上昇した場合
に、当該空間若しくはマスク保護部材の温度が他の部分
とほぼ等しくなるように、温度調整機構により調整され
る。

【００２０】請求項７記載の発明によれば、マスクの伸
縮に関する物理量が少なくともマスク上の露光光の照射
領域内においてほぼ均一となるようにマスクの伸縮を調
整した状態で、パターンの像が感光基板上に形成され
る。従って、形成されるパターンの像の倍率補正のみを
行なうだけで、マスクの熱変形に起因する光学特性の変
化に対して良好な補正が可能となり、マスクのパターン
を感光基板上のパターンに正確に重ね合わせることがで
きる。

【００２１】

【実施例】

《第１実施例》以下、本発明の第１実施例を図１ないし
図３に基づいて説明する。図１には、第１実施例に係る
露光装置としての投影露光装置１０の概略構成が示され
ている。

【００２２】この投影露光装置１０は、図１における紙
面直交面内（ＸＹ平面内）を２次元移動するウエハステ
ージ１２と、このウエハステージ１２の移動面に直交し
て光軸ＡＸが配置された投影光学系としての投影レンズ
ＰＬと、投影レンズＰＬの上方に配置されたマスクとし
てのレチクルＲと、第１の波長特性の光（露光光）を射
出する露光用の光源としての主光源１４と、第２の波長
特性の光を射出する光源としての副光源１６と、露光光
ＩＬの照射光学系と、第２の波長特性の光の照射光学系
と、倍率調整機構１８と、これらの制御系等を備えてい
る。

【００２３】ウエハステージ１２には図示しないモータ
を含んで構成されるステージ駆動部２０が併設されてい
る。このウエハステージ１２の移動位置は図示しない光
波干渉計により検出されるようになっており、この光波
干渉計の出力に基づいてステージ駆動部２０が主制御部
２２に駆動制御されることにより、ウエハステージ１２
がＸ、Ｙ座標軸上を２次元移動する構成となっている。
このウエハステージ１２上にはウエハホルダ２４が設け
られており、このウエハホルダ２４上に感光基板として
のウエハＷが真空吸着により保持されている。

【００２４】また、ウエハステージ１２には照射量セン
サ２６が設置されている。この照射量センサ２６の受光
面（計測面）とウエハＷの表面とはほぼ同じ高さであ
る。照射量センサ２６により投影レンズＰＬを介してウ
エハＷに照射される露光光ＩＬのパワー（エネルギ）を
測定できるようになっている。

【００２５】投影レンズＰＬとしては、本実施例では両
側テレセントリックな投影レンズが使用されており、こ
の投影レンズＰＬは、実際には光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）
に沿って配置された複数のレンズエレメント（いずれも
図示省略）を含んで構成されている。

【００２６】レチクルＲは、投影レンズＰＬの光軸ＡＸ
と直交する面内でＸ、Ｙ、θ方向に微動するレチクルス
テージ２８上に保持されている。このレチクルＲのパタ
ーン面は、投影レンズＰＬに関しウエハＷの表面と共役
となっている。

【００２７】主光源１４は、例えば、超高圧水銀ラン
プ、エキシマレーザ（ＫｒＦ、ＡｒＦ）、ＹＡＧレーザ
等を含み、ｇ線、ｉ線、エキシマ光（波長２４８ｎｍ：
ＫｒＦ、１９３ｎｍ：ＡｒＦ）、ＹＡＧレーザの高調波
（波長２００ｎｍ以下）等のウエハＷ上に塗布された感
光剤としてのレジストを感光する第１の波長特性の光
（露光光）ＩＬを発生する。

【００２８】露光光ＩＬをレチクルＲ上に照射する照射
光学系は、主光源１４から出射された露光光ＩＬを反射
して水平に折曲げるミラー３０と、このミラー３０によ
り反射された露光光ＩＬの進行方向先に順次配置された
オプチカルインテグレータ（フライアイレンズ）等を含
むフライアイ光学系３２、リレー光学系３４と、レチク
ルＲの上方にほぼ４５度で斜設されたダイクロイックミ
ラー３６と、このダイクロイックミラー３６とレチクル
Ｒとの間に配置されたメインコンデンサレンズ３８と、
を含んで構成されている。主光源１４とミラー３０との
間には、露光光ＩＬの光路を開閉するシャッター４０が
設けられており、このシャッター４０は駆動部４２を介
してシャッター制御回路４４によって駆動されるように
なっている。また、フライアイ光学系３２の出口には、
照明系絞り４６が配置されている。更に、この照明系絞
り４６と前述したリレー光学系３４との間には、ハーフ
ミラー（ビームスプリッタ）４８が配置されており、こ
のハーフミラー４８で反射された露光光ＩＬの一部がＰ
ＩＮフォトダイオード等のインテグレータセンサ（パワ
ーモニタ）５０で測定され、露光光ＩＬのパワー（エネ
ルギー）がモニタされるようになっている。

【００２９】また、リレー光学系３４の中には、レチク
ルＲ上の露光光ＩＬの入射領域を設定するための主ブラ
インド５２が設けられており、この主ブラインド５２は
レチクルＲのパターン面と共役に配置されている。この
主ブラインド５２は主ブラインド駆動部５４により駆動
される。本第１実施例では、主ブラインド５２と主ブラ
インド駆動部５４とによって、照射領域設定手段が構成
されている。

【００３０】副光源１６としては、レジストを感光しな
い第２の波長特性の光、本実施例では赤外線ＩＲを射出
する光源が使用されている。

【００３１】この赤外線ＩＲをレチクルＲに照射する照
射光学系は、光学系５６と、リレー光学系５８と、前述
したメインコンデンサレンズ３８とを含んで構成されて
いる。リレー光学系５８の中には、レチクルＲのパター
ン面と共役となる位置に副ブラインド６０が設けられて
いる。この副ブラインド６０は、例えば図２に示される
ような１６行１６列のマトリクス状に配置された液晶素
子やフォトクロミック素子等の光電素子（以下、「液晶
素子」という）６０Ａから成る。各液晶素子６０Ａは、
副ブラインド駆動部６２からの電気信号により独立にオ
ン・オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）されるようになっている。従
って、副ブラインド駆動部６２では、副光源１６から出
た赤外線ＩＲを副ブラインド６０の任意の位置で透過さ
せたり、不透過にしたりすることが可能である。

【００３２】倍率調整機構１８は、投影レンズＰＬの露
光光（具体的にはレチクルＲを透過した光）ＩＬの入射
による光学特性（倍率）の変動を補正するためのもので
ある。この倍率調整機構１８としては、本実施例では投
影レンズＰＬを構成する特定のレンズエレメント間の気
密空間の圧力を増減するものが使用されている。なお、
この倍率調整機構として例えば、投影レンズＰＬを構成
する一部のレンズエレメントを圧電素子、磁歪素子等の
駆動素子により光軸ＡＸ方向に駆動させたり、傾けた
り、回転させたりするものを使用してもよい。

【００３３】この投影露光装置１０の制御系は、前述し
たシャッター制御回路４４、倍率補正コントローラ６
４、赤外線照射コントローラ６６及び装置全体を制御す
る主制御部２２等から構成されている。

【００３４】この内、赤外線照射コントローラ６６は、
マイクロコンピュータ等から構成されている。この赤外
線照射コントローラ６６には、シャッタ制御回路４４か
らのシャッタ開閉制御信号と、インテグレータセンサ５
０で検出されたエネルギ値と、主ブラインド駆動部５４
で設定されたレチクルＲ上の露光光ＩＬの照射領域の情
報とが入力されるようになっている。また、この赤外線
照射コントローラ６６の内部メモリにはレチクルＲ上の
パターンの分布情報が予め格納されている。

【００３５】このレチクルＲ上のパターンの分布情報と
しては、例えば、照射量センサ２６をフォトダイオード
アレー等から構成し、この照射量センサ２６を用いてレ
チクルＲのパターン領域を多数ブロックに分割した各ブ
ロックの露光光ＩＬのレチクル透過率を、レチクルＲが
ある状態での照射量センサ２６の値とない状態での照射
量センサ２６の値との比をとることによって予め測定
し、各ブロック毎のパターンの存在率を求め、これをパ
ターンの分布情報とすることができる。あるいは、照射
量センサ２６の受光面を各分割されたブロックに対応す
る面積に設定してこの照射量センサ２６が投影レンズＰ
Ｌの下方で２次元走査されるようにウエハステージ１２
を移動制御して、レチクルＲがある状態での照射量セン
サ２６の値とない状態での照射量センサ２６の値との比
をとることによって各ブロック毎のパターンの存在率を
求めてもよい。

【００３６】赤外線照射コントローラ６６では、主ブラ
インド駆動部５４で設定されたレチクルＲ上の露光光Ｉ
Ｌの照射領域の情報と、内部メモリ内に格納されたパタ
ーン分布情報とに基づいて、露光光ＩＬの照射によりレ
チクルＲに生じる伸縮量（熱変形量）の分布を露光前に
予測し、この予測した伸縮量の分布に基づいて後述する
ようにして副ブラインド駆動部６２を制御する。

【００３７】倍率補正コントローラ６４には、シャッタ
制御回路４４からシャッタ開閉制御信号が入力されてい
る。この倍率コントローラ６４の具体的な制御動作につ
いては後述する。また、主制御部２２には、レチクルＲ
のパターンを形成するクロム等の遮光部材の種類、熱吸
収率、熱膨張係数等がキーボード等から予め入力され、
そのメモリ内に格納されている。

【００３８】次に、上述のようにして構成された本第１
実施例の作用を説明する。

【００３９】レチクルＲのパターンをウエハＷに転写す
る工程において、実際のウエハＷの露光ショットの露光
に先立ち、主制御部２２からの命令に基づいて主ブライ
ンド駆動部５４により所定の開口となるように主ブライ
ンド５２が駆動され、露光光ＩＬの照射領域が設定され
ると、この設定された照射領域の情報（主ブラインド５
２の開口情報）が赤外線照射コントローラ６６に送られ
る。また、赤外線照射コントローラ６６には、インテグ
レータセンサ５０の出力も常時入力されるようになって
いる。また、インテグレータセンサ５０の出力は主制御
部２２にも出力される。主制御部２２は、インテグレー
タセンサ５０の出力に基づいて露光量（ブラインドの開
時間）を制御する。

【００４０】赤外線照射コントローラ６６では、照射領
域の情報と既知のパターンの分布情報とに基づいて露光
光ＩＬの吸収によりレチクルＲに生じる伸縮量（熱変形
量）の分布を演算する。

【００４１】例えば、レチクルＲ上のパターンが一様分
布である場合には、露光光ＩＬの照射される領域内では
レチクルＲは大きく膨張し、露光光ＩＬが照射されない
領域ではレチクルＲはあまり膨張しないと予測される。
そこで、赤外線照射コントローラ６６では、この予測結
果に基づいて副ブラインド駆動部６２を制御して主ブラ
インド５２の開口と反転するように副ブラインド６０の
透過部を設定する。例えば、主ブラインド５２の開口を
介してレチクルＲの中心部（図２の黒ぬりで示された領
域）に露光光ＩＬが照射される場合には、図２に示され
るように、中心部（図２に黒ぬりで示された領域）６０
Ｂが不透過、外周部（図２のマトリクスで示された領
域）６０Ｃが透過となるように副ブラインド６０の透過
部を設定する。これにより、実際の露光時には、露光光
ＩＬが照射されない領域部分に赤外線が照射されること
となり、レチクルＲの伸縮量（膨張量）が全体的に等方
かつ均一に近い状態となる。

【００４２】また、例えば、レチクルＲの中心部（図３
の黒ぬりで示された領域６０Ｂ₁ と斜線で示された領域
６０Ｄ₁）に露光光が照射され、図３のレチクルＲのパ
ターン領域内の右上部分６０Ｄ₁のパターンの存在率が
小さいようなパターン分布である場合には、該部分の膨
張量も非常に小さいと予測されるので、赤外線照射コン
トローラ６６では、この部分６０Ｄ₁に露光光ＩＬと共
に赤外線ＩＲを照射し、及び前述の外周部６０Ｃ₁に赤
外線ＩＲが照射されるように、副ブラインド駆動部６２
を制御する。すなわち、外周部６０Ｃ₁と右上部分６０
Ｄ₁が透過となるように副ブラインド６０の透過部を図
３に示されるように設定する。この場合にも、実際の露
光時に露光光ＩＬとともに赤外線ＩＲがレチクルＲに照
射された場合には、レチクルＲの伸縮量（膨張量）が全
体的に等方かつ均一に近い状態となる。このように、本
第１実施例では、副ブラインド６０、副ブラインド駆動
部６２及び赤外線照射コントローラ６６によって、第２
の照射領域設定手段が構成され、更に、この第２の照射
領域設定手段と副光源１６とによって伸縮調整手段が構
成されている。

【００４３】以上のように赤外線ＩＲをレチクルＲに照
射することにより、レチクルＲの伸縮量（あるいは熱分
布）がレチクルの全体においてほぼ均一となる。

【００４４】レチクルＲの伸縮量（あるいは熱分布）が
レチクルの全体でほぼ均一となるので、レチクルの熱膨
張によるレチクルのパターンの投影像はほぼ等方的に倍
率変化（レチクルの中心を基準として点対称となるよう
に変化）する。従って、レチクルＲの伸縮量（あるいは
熱分布）がレチクルの全体でほぼ均一となった後は、レ
チクルのパターンの投影像の倍率変化のみを補正すれば
よい。

【００４５】レチクルＲがほぼ均一に伸縮しているとみ
なせるので、倍率補正コントローラ６４は、主制御部２
２のメモリ内に格納されたレチクルＲのパターンの熱膨
張係数と露光光のエネルギによって、レチクルＲの露光
時の伸縮量を算出する。

【００４６】レチクルＲのパターンの露光時の伸縮量と
レチクルパターンの投影像の倍率変化との関係を実験あ
るいは計算により予め求めておき、次にこのレチクルＲ
の実際の伸縮量に基づいて、レチクルパターンの投影像
の倍率変化を求める。

【００４７】倍率調整機構１８の制御量とレチクルのパ
ターンの投影像の変化との関係を実験あるいは計算等に
より予め求めておき、倍率補正コントローラ６４はレチ
クルパターンの投影像の倍率変化がほぼ零となるよう
に、倍率調整機構１８を制御する。具体的には、倍率調
整機構１８は、例えば投影光学系ＰＬの特定部分の各レ
ンズエレメント間の気体の屈折率を変えたり（気体の圧
力を変えたり）、レンズエレメントを投影光学系ＰＬの
光軸に沿って、あるいは光軸と垂直な平面内で移動、回
転するものである。

【００４８】また、露光光がレチクルＲに入射した時の
レチクルＲの伸縮量を、フラインド２２によって設定さ
れた照射領域とパターンの分布情報とパターンの熱膨張
係数とに基づいてレチクルＲの実際の伸縮量を求めて、
この実際の伸縮量に基づいて主制御部２２は伸縮調整手
段と倍率調整機構１８との両方を制御する。

【００４９】なお、本第１実施例の場合は、赤外線照射
コントローラ６６には、インテグレータセンサ５０の出
力も常時入力されていることから、露光光ＩＬの強度が
わかる。この露光光の強度を使って赤外線照射コントロ
ーラ６６では、例えば、特開平４−１９２３１７号に開
示されているような手法により、レチクルＲのパターン
を形成するクロム等の遮光部材の種類、熱吸収率をも考
慮し、数値計算によってレチクルＲ内の代表的な数点の
熱変形量を求めるようにして、レチクルＲの実際の伸縮
量を求めるようにしても良い。このようにする場合に
は、赤外線照射コントローラ６６がレチクルＲの伸縮量
の分布をより一層厳密に予測することができるので、副
ブラインド６０を１６行１６列以上に細分化し、伸縮量
の分布に応じて当該副ブラインド６０を構成する各液晶
素子６０Ａのオン・オフ制御をより緻密に行なうように
することが望ましい。

【００５０】ウエハＷの露光ショットの露光開始前に、
主ブラインド５２と副ブラインド６０とが前述した手順
で設定された後、主制御部２２は、照射量センサ２６が
投影レンズＰＬの下方に位置するようにウエハステージ
１２をステージ駆動部２０を介して駆動する。次いで、
主制御部２２は、シャッタ制御回路４４を介してシャッ
タ４０を開くと、このシャッタ４０の開閉制御信号に基
づいて赤外線照射コントローラ６６により副光源１６が
オンされて露光光ＩＬと共に赤外線ＩＲがレチクルＲ及
び投影レンズＰＬを介して照射量センサ２６に照射され
る。照射量センサ２６ではレチクルＲ及び投影レンズＰ
Ｌを透過する光量を測定する。この照射量センサ２６の
出力は、主制御部２２に入力される。主制御部２２で
は、この照射量センサ２６の測定値をメモリに記憶する
と共に、主制御部２２から赤外線照射コントローラ６６
にも送られるようになっている。主制御部２２は常時、
インテグレータセンサ５０の出力をモニタしているの
で、インテグレータセンサ５０の出力値と照射量センサ
２６の出力値との比を一定とするように、赤外線照射コ
ントローラ６６は赤外線ＩＲのエネルギ（光量）を補正
する。この結果、主光源１４の劣化などによる像面パワ
ーの経時変化をキャンセルできる。

【００５１】このようにして事前準備が完了すると、主
制御部２２により、ウエハステージ１２が、ウエハＷの
ショット配列座標に基づいてウエハＷ上のファーストシ
ョットが投影レンズＰＬの投影視野内に位置決めされる
ように駆動され、シャッタ制御回路４４が制御されてフ
ァーストショット上にレチクルのパターンが転写（露
光）される。この転写工程の露光が始まると、赤外線照
射コントローラ６６では、シャッター４０の開閉に同期
して副光源１６からの赤外線ＩＲがレチクルＲに照射さ
れるように、副光源１６のオンオフをも管理する。

【００５２】露光中、主光源１４を出た露光光ＩＬは、
シャッター１４が開状態にあるとき、ミラー３０で反射
され、フライアイ光学系３２、リレー光学系５４を通っ
てダイクロイックミラー３６で反射され、コンデンサレ
ンズ３８で集光されてレチクルＲに入射する。このと
き、レチクルＲのパターン領域にほぼ一致するように露
光光ＩＬの照射領域が主ブラインド５２によって設定さ
れているものとすれば、レチクルＲ上に形成されたパタ
ーンが投影レンズＰＬを介して共役位置にあるウエハＷ
に転写される。そして、ウエハステージ１２の移動と露
光とを繰り返すことにより、ウエハＷ上にレチクルのパ
ターンが逐次転写される。

【００５３】このようにして、主制御部２２によってい
わゆるステップ・アンド・リピート方式でレチクルＲの
パターンがウエハ上に転写されるが、この露光中、上記
のようにして赤外線照射コントローラによりレチクルＲ
の伸縮量が均一となるように調整される。これと共に倍
率コントローラ６４により、公知の方法、例えば、特開
昭６０−７８４５４号公報や、特開昭６２−１３６８２
１号公報等に開示されているような以下の方法で露光光
ＩＬ及び赤外線ＩＲの吸収による投影レンズＰＬの熱変
形による結像特性，例えば投影レンズの光学特性（倍
率）の変動補正がなされる。

【００５４】即ち、この倍率補正コントローラ６４の内
部メモリには、投影レンズＰＬの倍率変動特性上の時定
数（減衰特性）、先に測定された投影レンズＰＬを透過
した主として露光光ＩＬの全体的な光量（エネルギ）、
及び圧力調整量に対する倍率変化（係数）等のデータが
予め記憶されている。即ち、本実施例では、露光光のエ
ネルギ（値）を予め記憶する内部メモリが入力手段の役
目を果たしている。露光光のエネルギを予め測定した
後、入力手段としてキーボード等を設けてキー入力して
もよい。

【００５５】倍率補正コントローラ６４では、シャッタ
ー制御回路４４からシャッター４０の開状態と閉状態と
の単位時間（サンプリング時間）内におけるデューティ
比を表わす信号を入力して結像特性の変動の現時点にお
ける予測情報を作り出し、これと圧力調整量に対する倍
率変化との関係とに基づいて倍率調整機構１８を制御す
る。

【００５６】これを更に詳述すると、この倍率補正コン
トローラ６４では、露光光のエネルギと、デューティ比
と、予め実験等で求めておいた比例定数を用いて単位時
間内において入射した露光光ＩＬの積算的なエネルギー
量に対応した変動量を算出し、前回の単位時間の終了時
における変動量の単位時間の経過後の減衰値をメモリか
ら読み出し、これらの合計値として変動量を算出する。
なお、上記の減衰値の算出に際しては、前述の倍率変動
特性上の時定数（減衰特性）が用いられる。

【００５７】そして、倍率補正コントローラ６４では、
上で求められた変動量に基づいて投影レンズＰＬへの露
光光ＩＬ及び赤外線ＩＲの入射により生じた変動分のみ
を補正するように倍率調整機構１８を制御して、投影レ
ンズＰＬを構成する特定のレンズエレメント間の気密空
間の圧力を制御する。

【００５８】倍率補正コントローラ６４では、このよう
な倍率補正制御を露光が終了するまで単位時間間隔毎に
繰り返す。これにより、倍率調整機構１８により、時事
刻々に倍率変動が補正される。このように、本第１実施
例では、倍率調整機構１８と倍率補正コントローラ６４
とによって、投影レンズＰＬのエネルギ吸収によって変
化する投影レンズＰＬの結像特性の変化までも補正す
る。

【００５９】以上説明したように、本第１実施例による
と、前述したようにして赤外線照射コントローラ６６に
より、シャッタ１４の開閉に同期してレチクルＲへの赤
外線ＩＲの照射制御がなされ、露光光ＩＬの吸収による
レチクルＲの伸縮量が全体的に等方かつ均一となるよう
に副光源１６から赤外線ＩＲがレチクルＲに照射される
ので、レチクルＲに不均一な熱変形が生ずることがな
い。このため、上述したような手法により倍率補正コン
トローラが投影倍率の補正を行なうだけで、レチクルＲ
の熱変形に起因する光学特性を良好に補正することがで
きる。

【００６０】なお、実施に当たっては、照射した赤外線
ＩＲが投影レンズＰＬに吸収されることによる投影レン
ズＰＬの結像特性に影響が極力発生しないように、照射
した赤外線ＩＲが投影レンズＰＬに入射しないような光
学系の構成、例えば赤外線を斜めの方からマスクに照射
するような構成にすることが一層望ましい。

【００６１】また、副光源１６側にもシャッタやインテ
グレータセンサを設置することによりきめ細かな制御が
可能である。

【００６２】《第２実施例》次に、本発明の第２実施例
を図４ないし図６に基づいて説明する。ここで、前述し
た第１実施例と同一若しくは同等の構成部分については
同一の符号を付すと共に、その説明を簡略にし若しくは
省略するものとする。

【００６３】図４には、第２実施例に係る露光装置とし
ての投影露光装置７０の構成が概略的に示されている。
この実施例は、第１実施例における副光源１６及びその
周辺の構成部分が省略され、赤外線照射コントローラ６
６に代えて温度制御手段としてのレチクル温調コントロ
ーラ７２及び複数（ここでは、８つ）のヒータ７４ａ、
７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ、７４ｅ、７４ｆ、７４ｇ、７
４ｈ（図５参照）が設けられている点に特徴を有する。

【００６４】前記ヒータ７４ａ〜７４ｈは、図５に示さ
れるように、レチクルステージ２８のプラテン部２８Ａ
の４角と各辺の中央部にそれぞれ各一つ配置され、これ
らのヒータ７４ａ〜７４ｈによってレチクルＲが加熱
（加温）される構成になっている。これらのヒータ７４
ａ〜７４ｈは、レチクル温調コントローラ７２によって
独立に制御されるようになっている。なお、本実施例で
は８ヵ所で温調しているが精度との兼合いで温調箇所は
任意に選択すればよい。

【００６５】次に、レチクル温調コントローラ７２によ
るレチクルＲの温調制御について説明する。

【００６６】まず、露光前に、レチクル温調コントロー
ラ７２では、主ブラインド駆動部５４からの照射領域情
報と既知のレチクルＲ上のパターン分布情報とからレチ
クルＲの伸縮量の分布を推定する。この伸縮量の分布
は、調整時に数種のレチクルＲと焼付け結果からモデル
を数パターン求めて、実露光時は数パターンの中から最
も近いものを選択するようにしてもよい。

【００６７】この伸縮量の分布は、レチクルＲの温度分
布と比例すると考えられるので、レチクル温調コントロ
ーラ７２では、レチクルＲ上の温度が全体的に均一とな
るように、即ち伸縮量がレチクルＲ全面で等方かつ均一
となるようにヒータ７４ａ〜７４ｈの制御を行なう。

【００６８】図６には、図５のＯ−Ａ断面における実際
の温度分布曲線（温度分布モデル）と温度調節のための
補正温度曲線との関係が示されている。この図６を用い
て本実施例の温調制御について更に詳述する。

【００６９】まず、レチクル温調コントローラ７２で
は、Ｏ−Ａ断面付近のパターン分布情報とレチクルＲの
照射領域情報とに基づいて露光光ＩＬの吸収によるレチ
クルＲの温度分布曲線ＲＴ1 を演算によって予め求める
（推定する）。

【００７０】次に、この推定した温度分布曲線ＲＴ1 に
基づいて、補正後に温度分布曲線ＲＴ2 のようにＯ−Ａ
断面で温度が一定となるような補正温度分布曲線ＨＴを
演算して求め、この補正温度分布曲線ＨＴと同様な温度
補正がなれるようにヒータ７４ｄを制御する。以上のよ
うなモデル計算、及びヒータの制御を全てのヒータ７４
ａ〜７４ｈに対して実行することにより、レチクルＲの
温度分布が全面で均一に近い状態となり、伸縮量が第１
実施例と同様に等方かつ均一に近い状態となる。

【００７１】例えば、図３の場合のように、レチクルＲ
の右上部分をより高温にする必要がある場合には、ヒー
タ７４ｂ、７４ｃ、７４ｄの温度を他よりも高く設定す
ることにより、所望の温調効果が得られる。

【００７２】その他の部分の構成及び作用は第１実施例
と同一である。これまでの説明から明らかなように、本
第２実施例ではヒータ７４ａ〜７４ｈとレチクル温調コ
ントローラ７２とによって伸縮調整手段が構成されてい
る。

【００７３】以上説明したように、本第２実施例による
と、第１実施例と同等の効果を得られる他、第１実施例
のように赤外線がレチクルＲを透過して投影レンズＰＬ
に照射されることがないので、投影レンズＰＬ等は通常
温度からの変化が小さくなり、投影レンズＰＬの赤外線
吸収による結像性能（アスや湾曲など他の収差）が悪化
せず、しかも温調後の温度分布曲線ＲＴ2 からレチクル
Ｒの膨脹量が計算できるので、第１実施例と同様の手法
によって一層正確な倍率補正が可能となる。

【００７４】なお、上記第１、第２実施例では、投影レ
ンズＰＬ（投影光学系）を介してレチクルＲ（マスク）
上のパターンをウエハ（感光基板）上に転写する投影露
光装置に本発明が適用される場合を例示したが、本発明
の適用範囲はこれに限定されるものではなく、投影光学
系を用いない、プロキシミティ方式の露光装置にも適用
できる。これらの場合であっても、露光光がマスク上の
一部に照射される場合には、マスクの熱変形量が均一と
ならず、従ってマスクの伸縮量を均一にする必要はある
からである。かかる場合には、マスク上の露光光の照射
領域の情報とマスク上のパターンの分布情報とがわかれ
ば、これらに基づいて、上記実施例で説明したような赤
外線の照射や、ヒータによる温調によりマスクの伸縮を
均一にすることができる。そして、マスクの熱変形（均
一な熱変形）によって生じる倍率変化分をマスクとウエ
ハの間隔を変えることにより補正すればよい。

【００７５】また、上記第１実施例では、倍率調整機構
１８と倍率補正コントローラ６４にとによって、投影レ
ンズＰＬのエネルギ吸収によって変化する投影レンズＰ
Ｌの結像特性の変化までも補正する倍率補正系が構成さ
れる場合を例示したが、本発明はこれに限定されるもの
ではない。感光基板上に形成されるマスク上のパターン
の像の倍率を変化させる倍率調整機構と、この倍率調整
機構を、露光光のエネルギとマスクの伸縮に関する物理
量、例えばマスクの温度とに基づいて制御する制御系と
によって、倍率補正系を構成した場合であっても、感光
基板上に形成されるマスク上のパターンの像の倍率の調
整は十分正確に行なうことができる。従って、マスクの
伸縮が均一化された後の状態では、このような倍率調整
系の構成もも有効である。

【００７６】更に、上記第１、第２実施例で説明したよ
うなレチクルＲの伸縮量の均一化のための調整は、レチ
クルＲ上の露光光ＩＬの照射領域内で行なわれていれば
足り、必ずしもレチクルＲ全面で行なう必要はない。

【００７７】また、上記第１、第２実施例の装置におい
て、図１、図４にそれぞれ仮想線で示されるように、ミ
ラー（ダイクロイックミラー）３６の上方にレチクルＲ
の熱分布を計測するセンサ（温度分布センサ）２００を
設け、このセンサ２００により計測されるレチクルＲの
熱分布に応じて副ブラインド６０を構成する各液晶素子
６０Ａのオン・オフ制御を行なうようにしてもよい。こ
の場合において、熱分布を計測するセンサ２００が、例
えば１６行１６列以上の分解能を有する場合は、副ブラ
インド６０を１６行１６列以上に細分化して各液晶素子
６０Ａのオン・オフを制御すればよい。

【００７８】《第３実施例》次に、本発明の第３実施例
について図７ないし図９に基づいて説明する。この第３
実施例は、第１実施例において副光源１６及びその周辺
の構成部分が省略されるとともに、レチクルＲに後述す
るマスク保護部材としてのペリクル８０が装着され、更
にこのペリクル８０内の温度を検出する温度センサ８２
（図９参照）と、この温度センサ８２の出力に基づいて
ペリクル８０内が所定の温度となるように調整する温度
調節手段とが、設けられている点に特徴を有し、その他
の構成部分は第１実施例と同一である。従って、ここで
は上記の特徴部分についてのみ説明する。

【００７９】図７には、レチクルＲにペリクル８０が装
着された状態が示されている。ここで、ペリクル８０
は、ウエハ上に異物の像が形成されるのを避けるための
もので、透明の保護膜（薄膜）と所定の高さを有し保護
膜をレチクルから投影光学系の光軸方向に所定距離だけ
離して装備するための枠部材とをもつ構成体である。こ
の保護膜としては、露光光に対して透過性を持つ薄膜
（ｇ線用又はｉ線用のもの）が使用されている。このペ
リクル８０によってレチクルＲに異物が付着することを
防止するとともに、保護膜上がレチクルから光軸方向に
所定距離だけデフォーカスしているので、保護膜上に付
着した異物の像はウエハ上に形成されない。

【００８０】図７に示されるようにレチクルＲにペリク
ル８０を装着した状態で露光を行なうと、ペリクル８０
内に熱がこもりレチクルＲの温度が上昇し（実験ではペ
リクルの無い場合に比較して１．５倍の温度上昇を示し
た）、レチクルＲの温度分布のむらが大きくなってしま
う。

【００８１】本実施例では、図７に示されるように、ペ
リクル８０の枠部材としてのフレームの相互に対向する
位置に吸気用の孔８４Ａ、排気用の孔８４Ｂがそれぞれ
設けられている。また、レチクルステージ２８上には、
孔８４Ａ、８４Ｂの外側に、吸気ノズル８８、排気ノズ
ル９０がそれぞれ設けられている。これらの吸気ノズル
８８、排気ノズル９０は、矢印Ａ、Ｂ方向又はこれと反
対方向に駆動部８６（図９参照）により駆動され、孔８
４Ａ、８４Ｂの内部に挿入・離脱可能となっている。

【００８２】図９には、これの吸気ノズル８８、排気ノ
ズル９０を含んで構成される温度調整手段１００の構成
が示されている。

【００８３】この温度調整手段１００は、マイクロコン
ピュータから成るペリクル温調コントローラ９２を中心
として構成されている。このペリクル温調コントローラ
９２の入力側には、圧力センサ９４及び前述した温度セ
ンサ８２が接続されている。これらのセンサ９４、８２
は、排気ノズル９０の先端に設けられている。

【００８４】ペリクル温調コントローラ９２の出力側に
は、駆動部８６が接続され、さらにこの駆動部８６には
吸気ノズル８８、排気ノズル９０が接続されている。従
って、吸気ノズル８８、排気ノズル９０は駆動部８６を
介して図示しないペリクル温調コントローラにより前記
の如く駆動制御されるようになっている。さらに、この
ペリクル温調コントローラ９２の出力側には、図示しな
いコンプレッサ、排気系、吸気系等を含んで構成される
吸排気装置９６が接続されている。排気系、吸気系に
は、吸気弁、排気弁がそれぞれ設けられている。

【００８５】このようにして構成された本第３実施例の
作用を説明する。図示しないレチクルローダによりペリ
クル８０が装着されたレチクルＲが搬送され、図７に示
されるように、レチクルステージ２８上に移載される。
この場合、レチクルＲは、レチクルステージ２８の４角
の部分にそれぞれ設けられた図示しないレチクル保持部
材によって４点支持されている。レチクルステージ２８
上にレチクルＲが移載されると、図示しないレチクルア
ライメント系からの信号に基づいてレチクルステージが
Ｘ，Ｙ、θ方向に微動され、レチクルアライメントが行
なわれる。

【００８６】このレチクルアライメントが終了すると、
ペリクル温調コントローラ９２では、駆動部８６を介し
て吸気ノズル８８、排気ノズル９０を矢印Ａ、Ｂ方向に
それぞれ駆動する。これにより、孔８４Ａ、８４Ｂをそ
れぞれ介して吸気ノズル８８、排気ノズル９０の先端が
ペリクル８０の内部に挿される（図８参照）。

【００８７】この状態で、露光が始まると次第にペリク
ル８０内の温度が上昇するので、ペリクル温調コントロ
ーラ９２では温度センサ８２の出力に基づいて吸排気装
置９６を起動する。このとき、吸気弁、排気弁が開放さ
れる。これにより、排気ノズル９０から冷却空気がペリ
クル８０内に排出されると共に吸気ノズル８８によりペ
リクル８０内の空気が吸入され外部へ排出される。この
結果、ペリクル８０内が冷却されてレチクルＲの他の部
分との温度差が緩和されて、レチクルＲの温度分布が一
様分布に近い状態となる。

【００８８】従って、前述した第１、第２実施例と同様
にして倍率調整機構１８によりレチクルＲの熱変形によ
り生じる光学特性（倍率）の補正が可能となる。

【００８９】なお、本第３実施例では温度センサ８２の
出力に基づいてペリクル８０内を冷却する場合について
例示したが、前述した第１、第２実施例で説明したよう
なレチクル伸縮モデル（あるいは温度上昇モデル）を作
成し、これに基づいて冷却空気の温度を計算で求めるよ
うにしてもよい。

【００９０】厳密に言えば、ペリクル内の空気とレチク
ルＲとの間には熱伝達により温度差が生じているので、
意識的に温度差をキャンセルするようにペリクル８０内
温度を下げてレチクルＲの部分的熱膨脹を抑さえるよう
にすれば、レチクルＲの温度分布がより一層一様分布に
近い状態となる。

【００９１】なお、上記第３実施例では、温度センサ８
２によりペリクル８０の内部空間（レチクルＲとペリク
ル８０とで形成される空間）の温度を検出する場合を例
示したが、温度センサ８２によりペリクル８０そのもの
の温度（例えば、ペリクル８０の枠部材の温度）を検出
するようにしても良い。

【００９２】なお、実施に当たっては、ペリクル８０の
フレームに設けられた孔８４Ａ、８４Ｂの内側に開閉可
能な蓋を設け、この蓋を常時ばねにより外側に付勢する
ような構造にすることが、ペリクル本来の目的であるレ
チクルＲへの異物付着の防止、ウエハ上に異物の像が形
成されることを防止という点からは望ましい。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
結像状態の変化を求めるための複雑な演算を行なうこと
なく、且つ簡単な構成の倍率補正手段を具備するのみ
で、マスクの熱変形に起因する光学特性の変化に対して
良好な補正を行なうことができるという従来にない優れ
た効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る投影露光装置の概略構成を示
す図である。

【図２】図１の副ブラインドの一構成例を示す平面図で
あって、一様パターン分布の場合にレチクル中心部に露
光光が照射される場合の設定状態を示す図である。

【図３】一様でないパターン分布の場合の図２の副ブラ
インドの設定状態の一例を説明するための図である。

【図４】第２実施例に係る投影露光装置の概略構成を示
す図である。

【図５】図４のレチクルステージ上のヒータの配置を示
す平面図である。

【図６】第２実施例に係るレチクルの温調原理を説明す
るための線図である。

【図７】第３実施例の主要部の構成を示す概略斜視図で
ある。

【図８】ペリクル内に吸気ノズルと排気ノズルの先端が
挿入された状態のペリクル近傍の平面図である。

【図９】第３実施例に係る温度調節手段の概略構成を示
すブロック図である。

【符号の説明】

１０投影露光装置（露光装置）１４主光源（露光用の光源）１６副光源（第２の波長特性の光を射出する光源、伸
縮調整手段の一部）１８倍率調整機構（倍率調整系の一部）５２主ブラインド（照射領域設定手段の一部）５４照射領域設定手段６０副ブラインド（第２の照射領域設定手段の一部、
伸縮調整手段の一部）６２副ブラインド駆動部（第２の照射領域設定手段の
一部、伸縮調整手段の一部）６４倍率補正コントローラ（倍率調整系の一部）６６赤外線照射コントローラ（第２の照射領域設定手
段の一部、伸縮調整手段の一部）７０投影露光装置（露光装置）７２レチクル温調コントローラ（温度制御系、伸縮調
整手段の一部）７４ａ〜７４ｈヒータ（伸縮調整手段の一部）８０ペリクル（マスク保護部材）８２温度センサ１００温度調整手段ＩＬ露光光（第１の波長特性の光）ＩＲ赤外線（第２の波長特性の光）Ｒレチクル（マスク）ＰＬ投影レンズ（投影光学系）Ｗウエハ（基板）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光用の光源から射出される第１の波長
特性の光によりマスクを照射し、当該マスク上のパター
ンの像を感光剤が塗布された基板上に形成する露光装置
であって、前記第１の波長特性の光によって照射される前記マスク
上の照射領域を設定する照射領域設定手段と；前記設定
された照射領域に関する情報と既知の前記マスク上のパ
ターンの分布情報とに基づいて、前記第１の波長特性の
光の照射時に前記マスクの伸縮に関する物理量が、前記
マスクの全体においてほぼ均一となるように調整するこ
とにより、前記マスクの伸縮を調整する伸縮調整手段
と；前記マスクの伸縮に関する物理量に基づいて、前記
マスクのパターンの像の倍率を調整する倍率調整系とを
有する露光装置。
【請求項２】前記伸縮調整手段は、前記感光剤を感光
しない第２の波長特性の光を射出する光源と、前記設定
された照射領域に関する情報と既知の前記マスク上のパ
ターンの分布情報とに基づいて前記第２の波長特性の光
によって照射される前記マスク上の照射領域を設定する
第２の照射領域設定手段とを含むことを特徴とする請求
項１記載の露光装置。
【請求項３】前記伸縮調整手段は、前記マスクの周辺
部に配置されたヒータと、前記設定された照射領域に関
する情報と前記マスク上のパターンの分布情報とに基づ
いて前記ヒータの温度を調整する温度制御手段とを含む
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】前記倍率調整系は、前記第１の波長特性
の光のエネルギを入力する入力手段と、前記マスクのパ
ターンの像の倍率を変化させる倍率調整機構と、前記入
力された第１の波長特性の光のエネルギと前記マスクの
伸縮に関する物理量とに基づいて前記倍率調整機構を制
御する制御手段とを含むことを特徴とする請求項１記載
の露光装置。
【請求項５】前記マスクのパターンの像は投影光学系
を介して前記感光基板上に形成され、前記倍率調整系
は、前記投影光学系のエネルギ吸収によって変化する前
記投影光学系の結像特性の変化を調整することを特徴と
する請求項１記載の露光装置。
【請求項６】薄膜と枠部材とを有するマスク保護部材
が装着されたマスクを露光光により照射し、該マスク上
のパターンの像を感光基板上に形成する露光装置であっ
て、前記マスク保護部材と前記マスクとで形成される空間若
しくは前記マスク保護部材の温度を検出する温度センサ
と；前記温度センサの出力に基づいて、前記空間若しく
は前記マスク保護部材の温度を調整する温度調整手段と
を有する露光装置。
【請求項７】マスクを露光光によって照射し、前記マ
スク上のパターンの像を感光基板上に形成する露光方法
において、前記マスクの伸縮に関する物理量が少なくとも前記マス
ク上の前記露光光の照射領域内においてほぼ均一となる
ように前記マスクの伸縮を調整した状態で、前記パター
ンの像を前記感光基板上に形成すること特徴とする露光
方法。