JPH08293265A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
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- JPH08293265A JPH08293265A JP7261705A JP26170595A JPH08293265A JP H08293265 A JPH08293265 A JP H08293265A JP 7261705 A JP7261705 A JP 7261705A JP 26170595 A JP26170595 A JP 26170595A JP H08293265 A JPH08293265 A JP H08293265A
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- Japan
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- filament
- magnetron
- cathode
- anode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】下エンドシールドへのロー材流し込み作業を容
易にして陰極リード間の短絡不良を防止した陰極構体を
備えたマグネトロンを提供する。 【解決手段】熱電子を放出する直熱型螺旋状フィラメン
トと、このフィラメントをその上端および下端で挟持す
るごとく配置した上エンドシールドおよび下エンドシー
ルド22と、上および下エンドシールドをそれぞれ保持
するセンターリードおよびサイドリードとからなる陰極
構体を備えたマグネトロンにおいて、下エンドシールド
22はその上面に直熱型螺旋状フィラメントの下端部を
収納する凹部22aを形成してなり、凹部22aの開口
内周縁を面取りした漏斗形状部22bを有し、かつ凹部
22aの底部周縁にV字溝22cを形成した。
易にして陰極リード間の短絡不良を防止した陰極構体を
備えたマグネトロンを提供する。 【解決手段】熱電子を放出する直熱型螺旋状フィラメン
トと、このフィラメントをその上端および下端で挟持す
るごとく配置した上エンドシールドおよび下エンドシー
ルド22と、上および下エンドシールドをそれぞれ保持
するセンターリードおよびサイドリードとからなる陰極
構体を備えたマグネトロンにおいて、下エンドシールド
22はその上面に直熱型螺旋状フィラメントの下端部を
収納する凹部22aを形成してなり、凹部22aの開口
内周縁を面取りした漏斗形状部22bを有し、かつ凹部
22aの底部周縁にV字溝22cを形成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はマグネトロンに係
り、特にその陰極構体を構成するフィラメントとこのフ
ィラメントを保持する下エンドシールドとの接合のため
の新規な構造を備えたマグネトロンに関する。
り、特にその陰極構体を構成するフィラメントとこのフ
ィラメントを保持する下エンドシールドとの接合のため
の新規な構造を備えたマグネトロンに関する。
【0002】
【従来の技術】マグネトロンは高周波出力を効率よく発
生できることから、レーダ装置、医療機器、電子レンジ
等の調理器、その他のマグネトロン波応用機器の分野で
広く用いられている。
生できることから、レーダ装置、医療機器、電子レンジ
等の調理器、その他のマグネトロン波応用機器の分野で
広く用いられている。
【0003】図9は従来のマグネトロンの構造例を説明
する断面図であって、1はフィラメント、2は陽極ベイ
ン、3は陽極シリンダー、4,4’は永久磁石、5,
5’は磁極、6,6’はヨーク、7はアンテナリード、
8はアンテナ、9は排気管、10はアンテナカバー、2
1は上側エンドシールド、22は下側エンドシールド、
23,24は陰極リード(23はセンターリード、24
はサイドリード)、25は入力側セラミック、26は陰
極端子、27は外部導出リード、31はチョークコイ
ル、32は貫通コンデンサ、33はフィルタケース、3
4は蓋体、45は冷却フィンである。
する断面図であって、1はフィラメント、2は陽極ベイ
ン、3は陽極シリンダー、4,4’は永久磁石、5,
5’は磁極、6,6’はヨーク、7はアンテナリード、
8はアンテナ、9は排気管、10はアンテナカバー、2
1は上側エンドシールド、22は下側エンドシールド、
23,24は陰極リード(23はセンターリード、24
はサイドリード)、25は入力側セラミック、26は陰
極端子、27は外部導出リード、31はチョークコイ
ル、32は貫通コンデンサ、33はフィルタケース、3
4は蓋体、45は冷却フィンである。
【0004】同図において、螺旋状の陰極フィラメント
1の回りには10枚の陽極ベイン2が陽極シリンダー3
とロー付け等で固着されるか、もしくは陽極シリンダー
と共に押出し成形により一体形成されている。
1の回りには10枚の陽極ベイン2が陽極シリンダー3
とロー付け等で固着されるか、もしくは陽極シリンダー
と共に押出し成形により一体形成されている。
【0005】陽極シリンダー3の上下には軟鉄などの強
磁性体からなる磁極5,5’および円筒状の永久磁石
4,4’が配置されている。
磁性体からなる磁極5,5’および円筒状の永久磁石
4,4’が配置されている。
【0006】永久磁石4,4’から発生した磁束は磁極
5,5’を通って陰極フィラメント1と陽極ベイン2と
の間に形成される作用空間に入り、軸芯方向に必要な直
流磁界を与える。
5,5’を通って陰極フィラメント1と陽極ベイン2と
の間に形成される作用空間に入り、軸芯方向に必要な直
流磁界を与える。
【0007】ヨーク6,6’は永久磁石4,4’の磁束
が通る磁気回路を構成するものであり、この磁気回路は
ヨーク6,6’、永久磁石4,4’、および磁極5,
5’により構成される。
が通る磁気回路を構成するものであり、この磁気回路は
ヨーク6,6’、永久磁石4,4’、および磁極5,
5’により構成される。
【0008】負の高電圧となっている陰極フィラメント
1から放出された電子は電界および磁界の作用を受けて
円運動しながら各陽極ベイン2に高周波電界を形成す
る。
1から放出された電子は電界および磁界の作用を受けて
円運動しながら各陽極ベイン2に高周波電界を形成す
る。
【0009】形成された高周波電界はアンテナリード7
を通してアンテナ8に到り、アンテナカバー10から外
部機器に出力される。
を通してアンテナ8に到り、アンテナカバー10から外
部機器に出力される。
【0010】陰極フィラメント1は電子放出特性および
加工性等を考慮して、一般には酸化トリウム(Th
O2 )を約1%含むタングステン線が用いられ、上エン
ドシールド21と下エンドシールド21、および陰極リ
ード23,24で支持されている。
加工性等を考慮して、一般には酸化トリウム(Th
O2 )を約1%含むタングステン線が用いられ、上エン
ドシールド21と下エンドシールド21、および陰極リ
ード23,24で支持されている。
【0011】陰極リード23,24は耐熱性、加工性の
観点から、一般的にはモリブデン(Mo)が採用され、
入力セラミック25の上面に銀ロー等でロー付けされた
端子板26でチョークコイル31に接続する外部導出リ
ード27,27に接続される。
観点から、一般的にはモリブデン(Mo)が採用され、
入力セラミック25の上面に銀ロー等でロー付けされた
端子板26でチョークコイル31に接続する外部導出リ
ード27,27に接続される。
【0012】また、マグネトロンの下部にはチョークコ
イル31と貫通コンデンサ32を支持するフィルタケー
ス33とこのフィルタケースを閉じる蓋体34とからな
るフィルタ構体が取付けられている。
イル31と貫通コンデンサ32を支持するフィルタケー
ス33とこのフィルタケースを閉じる蓋体34とからな
るフィルタ構体が取付けられている。
【0013】外部導出リード27,27に接続されたチ
ョークコイル31は貫通コンデンサ32とでL−Cフィ
ルタを構成し、陰極リードから伝播されてくる低周波成
分を抑制する。なお、高周波成分はフィルタケース33
とその蓋体34でシールドされる。
ョークコイル31は貫通コンデンサ32とでL−Cフィ
ルタを構成し、陰極リードから伝播されてくる低周波成
分を抑制する。なお、高周波成分はフィルタケース33
とその蓋体34でシールドされる。
【0014】そして、陽極シリンダー3の外周に設置さ
れた冷却フィン45はマグネトロンの作動に伴う熱を放
散させる。
れた冷却フィン45はマグネトロンの作動に伴う熱を放
散させる。
【0015】図10は図9に示した従来のマグネトロン
の陽極構造を説明する平面図であって、図9と同一部分
には同符号は付す。
の陽極構造を説明する平面図であって、図9と同一部分
には同符号は付す。
【0016】同図において、陽極ベインは一枚おきに配
置された2組の陽極ベイン2,2’からなり、これら陽
極ベイン2、2’は陽極シリンダー3の内壁から中心方
向に放射状に設置されている。
置された2組の陽極ベイン2,2’からなり、これら陽
極ベイン2、2’は陽極シリンダー3の内壁から中心方
向に放射状に設置されている。
【0017】そして、陽極ベイン2、2’は、その上方
端面すなわちアンテナリード7設置側および陰極リード
23、24引出し側のそれぞれの端面で径の異なる2つ
の環状体である第1のストラップリング61と第2のス
トラップリング62によって、交互に1つおきに結合さ
れている。
端面すなわちアンテナリード7設置側および陰極リード
23、24引出し側のそれぞれの端面で径の異なる2つ
の環状体である第1のストラップリング61と第2のス
トラップリング62によって、交互に1つおきに結合さ
れている。
【0018】図11は図10に示したストラップリング
の説明図であって、(a)は径の小さい第1のストラッ
プリング61、(b)は径の大きい第2のストラップリ
ング62の平面図と断面図を示したものである。これら
のストラップリングはそれぞれの内周または外周に形成
された突状部61a、または62aで陽極ベインに接続
される。
の説明図であって、(a)は径の小さい第1のストラッ
プリング61、(b)は径の大きい第2のストラップリ
ング62の平面図と断面図を示したものである。これら
のストラップリングはそれぞれの内周または外周に形成
された突状部61a、または62aで陽極ベインに接続
される。
【0019】図12は図10のA−A線に沿って切断し
た断面図であって、陽極ベイン2,2’はその上方をス
トラップリング61,62で、また下方を上記ストラッ
プリング61,62と同一のストラップリング61’,
62’とにより、接続されている。
た断面図であって、陽極ベイン2,2’はその上方をス
トラップリング61,62で、また下方を上記ストラッ
プリング61,62と同一のストラップリング61’,
62’とにより、接続されている。
【0020】なお、この種のマグネトロンの構造を開示
した従来文献としては、例えば実公昭57−56504
号公報、実公昭63−25656号公報を挙げることが
できる。
した従来文献としては、例えば実公昭57−56504
号公報、実公昭63−25656号公報を挙げることが
できる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のマグネ
トロンにおいては、無酸素銅の使用量を減らして省資源
化を行うために陽極ベインの数を12枚から10枚にす
ると共に、陽極シリンダーも小径かつ短くして陽極構造
を小型化している。
トロンにおいては、無酸素銅の使用量を減らして省資源
化を行うために陽極ベインの数を12枚から10枚にす
ると共に、陽極シリンダーも小径かつ短くして陽極構造
を小型化している。
【0022】この陽極構造の小型化に伴い、フィラメン
ト巻き径と上下のエンドシールドの外径も小さくして陰
極構体も小型化されている。
ト巻き径と上下のエンドシールドの外径も小さくして陰
極構体も小型化されている。
【0023】そして、最近は陽極ベインの数をさらに少
なくして8枚としたものも提案されており、これに伴っ
てフィラメント巻き径と上下のエンドシールドの外径も
さらに小さくされてきた。
なくして8枚としたものも提案されており、これに伴っ
てフィラメント巻き径と上下のエンドシールドの外径も
さらに小さくされてきた。
【0024】このような陰極構造の小型化する際に、上
下のエンドシールドとフィラメントの接続固定の作業工
程はかなり困難になっている。
下のエンドシールドとフィラメントの接続固定の作業工
程はかなり困難になっている。
【0025】図13は従来の下エンドシールドとフィラ
メントとの接合作業の説明図であって、図9と同一符号
は同一部分に対応し、101はシリンジ、102はディ
スペンサー(吐出器)、103はノズル、104はペー
スト状のMo(モリブデン)ロー材である。
メントとの接合作業の説明図であって、図9と同一符号
は同一部分に対応し、101はシリンジ、102はディ
スペンサー(吐出器)、103はノズル、104はペー
スト状のMo(モリブデン)ロー材である。
【0026】同図において、シリンジ101内に入れた
ロー材104はディスペンサー102によって所定の量
がノズル103に供給される。ノズル103の先端はフ
ィラメント1の下端を収容する下エンドシールド22の
凹部の内側壁に当接または接近した位置に置かれ、陰極
構体を回転させつつロー材104を注入して塗布する。
ロー材104はディスペンサー102によって所定の量
がノズル103に供給される。ノズル103の先端はフ
ィラメント1の下端を収容する下エンドシールド22の
凹部の内側壁に当接または接近した位置に置かれ、陰極
構体を回転させつつロー材104を注入して塗布する。
【0027】ロー材104の塗布後、フィラメント1の
下端を挿入し、高周波加熱で下エンドシールド22の領
域を加熱することでロー材を溶融し、フィラメント1と
下エンドシールド22を接合する。
下端を挿入し、高周波加熱で下エンドシールド22の領
域を加熱することでロー材を溶融し、フィラメント1と
下エンドシールド22を接合する。
【0028】下エンドシールド22はフィラメントの下
端を受容する凹部と上エンドシールド21への陰極リー
ド24を貫通させる中心開口を有し、この中心開口に陰
極リード24を貫通させた状態でフィラメント1の下端
をセットする前に下エンドシールドの凹部にペースト状
Ru−Moロー材を流し込み、その後フィラメント1の
下端を挿着し加熱融着することにより、フィラメント1
を下エンドシールド22に接続して固定している。
端を受容する凹部と上エンドシールド21への陰極リー
ド24を貫通させる中心開口を有し、この中心開口に陰
極リード24を貫通させた状態でフィラメント1の下端
をセットする前に下エンドシールドの凹部にペースト状
Ru−Moロー材を流し込み、その後フィラメント1の
下端を挿着し加熱融着することにより、フィラメント1
を下エンドシールド22に接続して固定している。
【0029】上記下エンドシールドの凹部に流し込むペ
ースト状Ru−Moロー材の量が少ないと接続不良が発
生し、逆に多いと貫通している陰極リード24に接触し
たり接合して陰極リード23と陰極リード24が短絡す
るという問題があるため、このロー材流し込み作業は極
めて困難であった。
ースト状Ru−Moロー材の量が少ないと接続不良が発
生し、逆に多いと貫通している陰極リード24に接触し
たり接合して陰極リード23と陰極リード24が短絡す
るという問題があるため、このロー材流し込み作業は極
めて困難であった。
【0030】なお、下エンドシールドとフィラメントと
の接続方法に溶接を用いたもの(特開平2−61937
号公報)や、タングステン(W)あるいはモリブデン
(Mo)の粉末をペレット化し、これを下エンドシール
ドの凹部に挿着し、高周波加熱で溶融して両者を接合す
る方法(特開平2−10624号公報)などが知られて
いる。しかし、材料コストの面からは前記したペースト
状としたロー材を下エンドシールドの凹部に塗布し、こ
れを高周波加熱する方法が最も有利である。
の接続方法に溶接を用いたもの(特開平2−61937
号公報)や、タングステン(W)あるいはモリブデン
(Mo)の粉末をペレット化し、これを下エンドシール
ドの凹部に挿着し、高周波加熱で溶融して両者を接合す
る方法(特開平2−10624号公報)などが知られて
いる。しかし、材料コストの面からは前記したペースト
状としたロー材を下エンドシールドの凹部に塗布し、こ
れを高周波加熱する方法が最も有利である。
【0031】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解消し、陽極ベイン数を10枚としたものはもとより、
陽極数をさらに少なくして8枚としたことによる小型化
においても、上記下エンドシールドへのフィラメント固
定のためのロー材流し込み作業を容易にして陰極リード
間の短絡不良を防止した陰極構体を備えたマグネトロン
を提供することにある。
解消し、陽極ベイン数を10枚としたものはもとより、
陽極数をさらに少なくして8枚としたことによる小型化
においても、上記下エンドシールドへのフィラメント固
定のためのロー材流し込み作業を容易にして陰極リード
間の短絡不良を防止した陰極構体を備えたマグネトロン
を提供することにある。
【0032】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の第1の発明は、熱電子を放出する
直熱型螺旋状フィラメントと、このフィラメントをその
上端および下端で挟持するごとく配置した上エンドシー
ルドおよび下エンドシールドと、前記上および下エンド
シールドをそれぞれ保持するセンターリードおよびサイ
ドリードとからなる陰極構体を備えたマグネトロンにお
いて、前記下エンドシールドは その上面に前記直熱型
螺旋状フィラメントの下端部を収納する凹部を形成して
なり、前記凹部の開口内周縁を面取りした漏斗形状部を
有し、かつ前記凹部の底部周縁にV字溝を有することを
特徴とする。
に、請求項1に記載の第1の発明は、熱電子を放出する
直熱型螺旋状フィラメントと、このフィラメントをその
上端および下端で挟持するごとく配置した上エンドシー
ルドおよび下エンドシールドと、前記上および下エンド
シールドをそれぞれ保持するセンターリードおよびサイ
ドリードとからなる陰極構体を備えたマグネトロンにお
いて、前記下エンドシールドは その上面に前記直熱型
螺旋状フィラメントの下端部を収納する凹部を形成して
なり、前記凹部の開口内周縁を面取りした漏斗形状部を
有し、かつ前記凹部の底部周縁にV字溝を有することを
特徴とする。
【0033】また、請求項2に記載の第2の発明は、前
記下エンドシールドの凹部に収納した前記直熱型螺旋状
フィラメントが前記漏斗形状部と前記V字溝を埋設する
ごとく充填したRu−Moロー材で接合してなることを
特徴とする。
記下エンドシールドの凹部に収納した前記直熱型螺旋状
フィラメントが前記漏斗形状部と前記V字溝を埋設する
ごとく充填したRu−Moロー材で接合してなることを
特徴とする。
【0034】なお、上記漏斗形状部の斜面は平面に限る
ものではなく、凸面あるいは凹面もしくは階段状とする
こともできる。さらに、上記V字溝に替えて、適宜の断
面形状をもつ凹陥部としてもよい。
ものではなく、凸面あるいは凹面もしくは階段状とする
こともできる。さらに、上記V字溝に替えて、適宜の断
面形状をもつ凹陥部としてもよい。
【0035】
【発明の実施の形態】上記請求項1、2に記載した本発
明の構成により、上記下エンドシールド22に形成した
凹部にフィラメント1の下端を収容し、当該凹部の開口
内周縁を面取りした漏斗形状部の斜面に前記図13で説
明したノズルの先端を接近あるいは接触させてロー材を
注入すると、当該ロー材は上記凹部の開口内周縁の斜面
を流れてフィラメント下端部を濡らしながら塗布され
る。
明の構成により、上記下エンドシールド22に形成した
凹部にフィラメント1の下端を収容し、当該凹部の開口
内周縁を面取りした漏斗形状部の斜面に前記図13で説
明したノズルの先端を接近あるいは接触させてロー材を
注入すると、当該ロー材は上記凹部の開口内周縁の斜面
を流れてフィラメント下端部を濡らしながら塗布され
る。
【0036】そして、余剰のロー材は上記凹部の底部周
縁に形成したV字溝にプールされ、陰極リード(センタ
ーリード)の貫通開口にはみ出ることがなくなり、この
貫通開口を通るセンターリードとの短絡が回避される。
縁に形成したV字溝にプールされ、陰極リード(センタ
ーリード)の貫通開口にはみ出ることがなくなり、この
貫通開口を通るセンターリードとの短絡が回避される。
【0037】これにより、上記凹部にはフィラメントの
接合に十分なロー材が確保されると共に、フィラメント
は下エンドシールド22に強固に固定される。
接合に十分なロー材が確保されると共に、フィラメント
は下エンドシールド22に強固に固定される。
【0038】なお、下エンドシールド22の凹部にロー
材を注入した後にフィラメント1の下端を挿着してもよ
い。
材を注入した後にフィラメント1の下端を挿着してもよ
い。
【0039】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【0040】図1は本発明のマグネトロンの1実施例の
陰極構体に用いられる下エンドシールドの説明図であっ
て、(a)は断面図、(b)は上面図である。
陰極構体に用いられる下エンドシールドの説明図であっ
て、(a)は断面図、(b)は上面図である。
【0041】同図において、22は下エンドシールド、
22aは凹部、22bは漏斗形状部、22cはV字溝、
22dは陰極リードを貫通させる中心開口である。
22aは凹部、22bは漏斗形状部、22cはV字溝、
22dは陰極リードを貫通させる中心開口である。
【0042】下エンドシールド22は外径が5.5〜
6.5mm程度で、2.6〜3.2mm程度のコイル径
を有するフィラメントの下端の0.5〜1.5ターンを
収容する凹部22aと上エンドシールドに給電するため
の直径が1.45程度の陰極リード(センターリード)
を貫通させるための直径2.0mm程度の中心開口22
dを有し、上記凹部22aの開口内周縁を0.5〜1.
0mm程度の斜面となるように面取りして漏斗形状部2
2aを形成する。また、凹部22aの底部周縁に深さ
0.5mm程度のV字溝22cを形成してある。
6.5mm程度で、2.6〜3.2mm程度のコイル径
を有するフィラメントの下端の0.5〜1.5ターンを
収容する凹部22aと上エンドシールドに給電するため
の直径が1.45程度の陰極リード(センターリード)
を貫通させるための直径2.0mm程度の中心開口22
dを有し、上記凹部22aの開口内周縁を0.5〜1.
0mm程度の斜面となるように面取りして漏斗形状部2
2aを形成する。また、凹部22aの底部周縁に深さ
0.5mm程度のV字溝22cを形成してある。
【0043】上記センターリードと下エンドシールド2
2との間隔は0.3mm程度となり、この下エンドシー
ルド22にフィラメントの下端部を挿着した状態で漏斗
形状部22aからロー材を流し込む。
2との間隔は0.3mm程度となり、この下エンドシー
ルド22にフィラメントの下端部を挿着した状態で漏斗
形状部22aからロー材を流し込む。
【0044】この構成とした下エンドシールドによれ
ば、中心開口22dからはみ出ることがなく、貫通して
いる陰極リード(センターリード)との短絡が防止され
る。
ば、中心開口22dからはみ出ることがなく、貫通して
いる陰極リード(センターリード)との短絡が防止され
る。
【0045】なお、上記した数値はあくまで一例であ
り、マグネトロンの出力容量に応じて適宜変更されるも
のである。
り、マグネトロンの出力容量に応じて適宜変更されるも
のである。
【0046】図2は本発明のマグネトロンの1実施例の
陰極構体の組み立ての説明図であって、1はフィラメン
ト、23は下エンドシールドに接続した陰極リード、2
4は上エンドシールドに接続する陰極リード、101は
シリンジ、102はディスペンサー(吐出器)、103
はノズル、104はペースト状のMoロー材、図1と同
一符号は同一部分に対応する。
陰極構体の組み立ての説明図であって、1はフィラメン
ト、23は下エンドシールドに接続した陰極リード、2
4は上エンドシールドに接続する陰極リード、101は
シリンジ、102はディスペンサー(吐出器)、103
はノズル、104はペースト状のMoロー材、図1と同
一符号は同一部分に対応する。
【0047】同図において、下エンドシールド22はフ
ィラメントの下端を受容する凹部22aと上エンドシー
ルド21への陰極リード24を貫通させる中心開口22
dを有する。この中心開口22dに陰極リード24を貫
通させた状態でフィラメント1の下端をセットする。
ィラメントの下端を受容する凹部22aと上エンドシー
ルド21への陰極リード24を貫通させる中心開口22
dを有する。この中心開口22dに陰極リード24を貫
通させた状態でフィラメント1の下端をセットする。
【0048】そして、下エンドシールド22の凹部22
aにペースト状Ru−Moロー材を流し込み、加熱融着
してフィラメント1を下エンドシールド22に接続して
固定している。
aにペースト状Ru−Moロー材を流し込み、加熱融着
してフィラメント1を下エンドシールド22に接続して
固定している。
【0049】ロー材は前記図9と同様に注入塗布され
る。すなわち、シリンジ101内に入れたロー材104
はディスペンサー102によって所定の量がノズル10
3に供給される。ノズル103の先端はフィラメント1
の下端を収容した下エンドシールド22の凹部22aの
漏斗形状部22bの斜面に当接または接近した位置に置
かれ、陰極構体を回転させつつロー材104を注入して
塗布する。
る。すなわち、シリンジ101内に入れたロー材104
はディスペンサー102によって所定の量がノズル10
3に供給される。ノズル103の先端はフィラメント1
の下端を収容した下エンドシールド22の凹部22aの
漏斗形状部22bの斜面に当接または接近した位置に置
かれ、陰極構体を回転させつつロー材104を注入して
塗布する。
【0050】ロー材104の塗布後、高周波加熱で下エ
ンドシールド22の領域を加熱することで塗布されたロ
ー材を溶融し、フィラメント1と下エンドシールド22
を接合する。
ンドシールド22の領域を加熱することで塗布されたロ
ー材を溶融し、フィラメント1と下エンドシールド22
を接合する。
【0051】図3は本発明のマグネトロンの1実施例の
陰極構体の下エンドシールドとフィラメントとの接合部
分を拡大して示す部分断面図であって、22eは固化し
たロー材、図1と同一符号は同一部分に対応する。
陰極構体の下エンドシールドとフィラメントとの接合部
分を拡大して示す部分断面図であって、22eは固化し
たロー材、図1と同一符号は同一部分に対応する。
【0052】同図において、前記図2で説明したように
注入され、加熱して固化されたロー材22eは漏斗形状
部22bの斜面とV字溝22cとの間でフィラメント1
の下端の0.5〜1.5ターンを固定している。
注入され、加熱して固化されたロー材22eは漏斗形状
部22bの斜面とV字溝22cとの間でフィラメント1
の下端の0.5〜1.5ターンを固定している。
【0053】これにより、ロー材はフィラメント1を確
実に接合すると共に、下エンドシールド22の中心開口
22dからはみ出ることがなく、貫通している陰極リー
ドとの短絡が防止される。
実に接合すると共に、下エンドシールド22の中心開口
22dからはみ出ることがなく、貫通している陰極リー
ドとの短絡が防止される。
【0054】図4は本発明によるマグネトロンの他の実
施例を説明する陽極及び陰極付近の要部構成図、図5は
図4のA−A線に沿って切断した陽極及び陰極付近の要
部構成図であって、1は陰極フィラメント、2,2’は
陽極ベイン、3は陽極シリンダー、21は上側エンドシ
ールド、22は下側エンドシールド、23,24は陰極
リード(23はセンターリード、24はサイドリー
ド)、61,61’は第1のストラップリング、62,
62’は第2のストラップリングである。
施例を説明する陽極及び陰極付近の要部構成図、図5は
図4のA−A線に沿って切断した陽極及び陰極付近の要
部構成図であって、1は陰極フィラメント、2,2’は
陽極ベイン、3は陽極シリンダー、21は上側エンドシ
ールド、22は下側エンドシールド、23,24は陰極
リード(23はセンターリード、24はサイドリー
ド)、61,61’は第1のストラップリング、62,
62’は第2のストラップリングである。
【0055】同各図において、厚さtが2.0mmの銅
からなる陽極シリンダー3の内側には、厚2.0mm,
高さh=8.0mmの銅から成る8個の陽極ベイン2,
2’が放射状に配設され、直径が大小2種のストラップ
61,61’(第1のストラップリング),62,6
2’(第2のストラップリング)により当該ベイン2,
2’の両端縁において1つおきに連結されている。
からなる陽極シリンダー3の内側には、厚2.0mm,
高さh=8.0mmの銅から成る8個の陽極ベイン2,
2’が放射状に配設され、直径が大小2種のストラップ
61,61’(第1のストラップリング),62,6
2’(第2のストラップリング)により当該ベイン2,
2’の両端縁において1つおきに連結されている。
【0056】更に、陽極円筒3の中心部には、陰極フィ
ラメント(直熱形螺旋状陰極)1が配設され、この陰極
の両端は、それぞれ出力側エンドシールド(上側エンド
シールド)21と入力側エンドシールド(下側エンドシ
ールド)22に固着されている。そして、出力部/入力
部側エンドシールドは、棒状陰極支持体23,24に支
持されている。
ラメント(直熱形螺旋状陰極)1が配設され、この陰極
の両端は、それぞれ出力側エンドシールド(上側エンド
シールド)21と入力側エンドシールド(下側エンドシ
ールド)22に固着されている。そして、出力部/入力
部側エンドシールドは、棒状陰極支持体23,24に支
持されている。
【0057】ここで、8枚ベイン陽極を有したマグネト
ロンの各部寸法は、良好なマイクロ波安定性を得るた
め、例えば下記のようになっている。
ロンの各部寸法は、良好なマイクロ波安定性を得るた
め、例えば下記のようになっている。
【0058】 F(陰極フィラメント外径)φ =2.8mm G(ベイン端内径)φ =7.2mm H(陽極円筒部内径)φ =32mm I(陽極円筒部外径)φ =36mm 上記の値は1例であるが種々の検討をした結果、電子レ
ンジ用マグネトロンとして満足される実用的な各部寸法
範囲は次の範囲である。
ンジ用マグネトロンとして満足される実用的な各部寸法
範囲は次の範囲である。
【0059】すなわち、陰極外径Fとベイン端内径Gと
の比は、 F/G=0.342〜0.40 の範囲である。
の比は、 F/G=0.342〜0.40 の範囲である。
【0060】一方、安定な発振動作を維持するととも
に、陽極円筒の径小化を図る場合の陽極円筒部内径Hと
ベイン端内径Gとの比(H/G)は、約4.4倍が適切
である。
に、陽極円筒の径小化を図る場合の陽極円筒部内径Hと
ベイン端内径Gとの比(H/G)は、約4.4倍が適切
である。
【0061】8枚ベインで且つ上記比(F/G)を満足
させる実用的な範囲を求める場合、検討結果から、フィ
ラメント外径Fを加工上どこまで小径化できるかで決ま
る。つまり、電子レンジ用マグネトロンでは、良好な電
子放射を得るため、トリウム・タングステンを採用した
螺旋状陰極が採用される。
させる実用的な範囲を求める場合、検討結果から、フィ
ラメント外径Fを加工上どこまで小径化できるかで決ま
る。つまり、電子レンジ用マグネトロンでは、良好な電
子放射を得るため、トリウム・タングステンを採用した
螺旋状陰極が採用される。
【0062】この螺旋状陰極の製造方法は、フィラメン
トの巻き内径に相当する芯金棒に所定の巻きピッチでト
リウム・タングステンワイヤにテンションを加えながら
巻き付ける方式である。したがって、巻き径,つまりフ
ィラメント外径Fが小さくなる程、芯金が変形したり、
フィラメントワイヤにキレツを生じたりし、量産性を損
うこととなる。
トの巻き内径に相当する芯金棒に所定の巻きピッチでト
リウム・タングステンワイヤにテンションを加えながら
巻き付ける方式である。したがって、巻き径,つまりフ
ィラメント外径Fが小さくなる程、芯金が変形したり、
フィラメントワイヤにキレツを生じたりし、量産性を損
うこととなる。
【0063】上述の不具合は、線径が太い程顕著となる
が、500〜900W程度の電子レンジ用のフィラメン
トの線径はφ0.5mm程度が採用されており、この線
径においては、検討結果ではフィラメント外径F=2.
6〜3.2mmが限界である。
が、500〜900W程度の電子レンジ用のフィラメン
トの線径はφ0.5mm程度が採用されており、この線
径においては、検討結果ではフィラメント外径F=2.
6〜3.2mmが限界である。
【0064】したがって、F=φ2.8mmとした場
合、G=2.8/0.39≒φ7.2mmが検討結果よ
り良好なマイクロ波発振特性が得られることがわかっ
た。つまり、発振動作安定性及びマグネトロン発振効率
は、マイクロ波出力が数百W以上1kW未満クラスの電
子レンジに十分実用化できるレベルに達すると云うこと
である。
合、G=2.8/0.39≒φ7.2mmが検討結果よ
り良好なマイクロ波発振特性が得られることがわかっ
た。つまり、発振動作安定性及びマグネトロン発振効率
は、マイクロ波出力が数百W以上1kW未満クラスの電
子レンジに十分実用化できるレベルに達すると云うこと
である。
【0065】このようなベイン内径に対して、内径が
2.6〜3.2mmのフィラメントを支持する下側エン
ドシールド22の外径は5.5〜6.5mmに抑えなけ
ればならない。
2.6〜3.2mmのフィラメントを支持する下側エン
ドシールド22の外径は5.5〜6.5mmに抑えなけ
ればならない。
【0066】ここで、陽極ベインの厚さについても考察
すると、隣合う陽極ベイン先端間隔は、狭くした方がこ
れら陽極ベイン先端間の高周波電界が相対的に強くする
ことができ、負荷安定度は改善されることになるが、製
造面からは、隣合う陽極ベイン先端間隔は0.5mmが
限界である。
すると、隣合う陽極ベイン先端間隔は、狭くした方がこ
れら陽極ベイン先端間の高周波電界が相対的に強くする
ことができ、負荷安定度は改善されることになるが、製
造面からは、隣合う陽極ベイン先端間隔は0.5mmが
限界である。
【0067】この場合、陽極ベイン厚さは、G=φ7.
2mmとすると(π×7.2−0.5×8)/8≒2.
3mmとなる。10枚ベインの場合、陽極ベイン厚さは
1.8mmであり、陽極ベイン10個分の厚さは18m
mとなるが、8枚ベインのそれは、2.3×8=18.
4mmとなり、陽極ベインの熱的余裕度設計は10枚ベ
インと同等である。
2mmとすると(π×7.2−0.5×8)/8≒2.
3mmとなる。10枚ベインの場合、陽極ベイン厚さは
1.8mmであり、陽極ベイン10個分の厚さは18m
mとなるが、8枚ベインのそれは、2.3×8=18.
4mmとなり、陽極ベインの熱的余裕度設計は10枚ベ
インと同等である。
【0068】他方、電子レンジ用マグネトロンとして、
認可されているISM帯周波数当ては2450±50M
Hzであり、この範囲内に発振スペクトラムが入ってい
なければならない。
認可されているISM帯周波数当ては2450±50M
Hzであり、この範囲内に発振スペクトラムが入ってい
なければならない。
【0069】マグネトロンの発振スペクトラムは多空胴
共振方式のため、個々の空胴共振特性バラツキのために
生じるバンド幅をもっている。基本的には、空胴数の少
ない8枚ベイン陽極マグネトロンの方が有利となること
が言えるが、実験的にも実証できている。
共振方式のため、個々の空胴共振特性バラツキのために
生じるバンド幅をもっている。基本的には、空胴数の少
ない8枚ベイン陽極マグネトロンの方が有利となること
が言えるが、実験的にも実証できている。
【0070】図6は本発明によるマグネトロンのさらに
他の実施例を説明する断面図であって、前記図9と同一
符号は同一部分に対応する。
他の実施例を説明する断面図であって、前記図9と同一
符号は同一部分に対応する。
【0071】本実施例のマグネトロンは、陽極シリンダ
ー3に設置するベイン2,2’の数を8枚とすると共
に、当該ベインに取り付ける第1と第2のストラップリ
ングをアンテナリード7側の端面側にのみとした点に特
徴を有する。なお、この点を除いた他の構成は図9と基
本的に同一であるので、説明は省略する。
ー3に設置するベイン2,2’の数を8枚とすると共
に、当該ベインに取り付ける第1と第2のストラップリ
ングをアンテナリード7側の端面側にのみとした点に特
徴を有する。なお、この点を除いた他の構成は図9と基
本的に同一であるので、説明は省略する。
【0072】図7は図6に示した実施例における陽極シ
リンダー部分の構成の説明図であって、(a)はアンテ
ナリード側から見た上面図、(b)は(a)のA−A線
に沿った断面図、(c)は第1のストラップリングの上
面図、(d)は第2のストラップリングの上面図であ
る。
リンダー部分の構成の説明図であって、(a)はアンテ
ナリード側から見た上面図、(b)は(a)のA−A線
に沿った断面図、(c)は第1のストラップリングの上
面図、(d)は第2のストラップリングの上面図であ
る。
【0073】同図に示したように、陽極ベイン2,2’
には、その上面側にのみ第1のストラップリング61と
第2のストラップリング62が取付けられている。
には、その上面側にのみ第1のストラップリング61と
第2のストラップリング62が取付けられている。
【0074】したがって、ベイン2,2’のh寸法を小
さくする場合に好適である。
さくする場合に好適である。
【0075】図8は本発明によるマグネトロンを用いた
電子レンジの回路構成例の説明図である。
電子レンジの回路構成例の説明図である。
【0076】同図において、231がマグネトロンであ
り、スイッチング電源209に直流電力を供給する直流
電源201は商用交流電源203と全波整流器から構成
される。
り、スイッチング電源209に直流電力を供給する直流
電源201は商用交流電源203と全波整流器から構成
される。
【0077】全波整流器205の直流出力端子には、マ
グネトロン231の発振電流に含まれる高周波雑音が交
流電源側を通して漏れるのを防止するリアクタとキャパ
シタで構成されたフィルタ207が接続されている。
グネトロン231の発振電流に含まれる高周波雑音が交
流電源側を通して漏れるのを防止するリアクタとキャパ
シタで構成されたフィルタ207が接続されている。
【0078】スイッチング電源装置209はトランジス
タ211を備え、同期パルス発生器235で生成される
同期パルスにより制御されるオン信号発生回路237の
オン信号で駆動される駆動回路241によりオン/オフ
動作される。
タ211を備え、同期パルス発生器235で生成される
同期パルスにより制御されるオン信号発生回路237の
オン信号で駆動される駆動回路241によりオン/オフ
動作される。
【0079】スイッチング電源装置209は、トランジ
スタ211に逆並列に接続されたダンパダイオード21
5および並列に接続された共振用キャパシタ213を備
えている。このスイッチング電源209は、一次巻線2
19と二次巻線221,223,224,225を持つ
昇圧トランス217に接続し、一次巻線219はスイッ
チング電源装置209を介してフィルタ207に接続
し、キャパシタ213と一次巻線219により直列共振
回路が構成される。
スタ211に逆並列に接続されたダンパダイオード21
5および並列に接続された共振用キャパシタ213を備
えている。このスイッチング電源209は、一次巻線2
19と二次巻線221,223,224,225を持つ
昇圧トランス217に接続し、一次巻線219はスイッ
チング電源装置209を介してフィルタ207に接続
し、キャパシタ213と一次巻線219により直列共振
回路が構成される。
【0080】二次巻線221はキャパシタ227と高圧
ダイオード229よりなる倍電圧整流器を通してマグネ
トロン231に接続される。電流検出器233はマグネ
トロン231に流れる負荷電流を検出し、平均回路24
9で平均値として出力設定器251の設定値との差分を
増幅器257を介して同期パルス発生器235からの同
期パルスと加算されてオン信号発生器237に制御信号
として与えられる。
ダイオード229よりなる倍電圧整流器を通してマグネ
トロン231に接続される。電流検出器233はマグネ
トロン231に流れる負荷電流を検出し、平均回路24
9で平均値として出力設定器251の設定値との差分を
増幅器257を介して同期パルス発生器235からの同
期パルスと加算されてオン信号発生器237に制御信号
として与えられる。
【0081】二次巻線225はマグネトロン231のフ
ィラメントを加熱するために設けられ、さらに他の二次
巻線223は出力フィードバック用の電圧を作るための
ものであり、波形成形回路243で波形成形された後に
遅延回路245で所定の時間遅延を受け、オン信号発生
回路237の制御信号として与えられる。
ィラメントを加熱するために設けられ、さらに他の二次
巻線223は出力フィードバック用の電圧を作るための
ものであり、波形成形回路243で波形成形された後に
遅延回路245で所定の時間遅延を受け、オン信号発生
回路237の制御信号として与えられる。
【0082】また、二次巻線224の電流は補助電源2
47に接続され、整流されて制御回路等の電源として用
いられる。
47に接続され、整流されて制御回路等の電源として用
いられる。
【0083】マグネトロン213のフィラメントと陽極
間には通常数KVの高圧が印加される。
間には通常数KVの高圧が印加される。
【0084】なお、図中、232は導波管、234は電
子レンジの調理室であり、マグネトロン231で発振さ
れたマイクロ波は導波管232を通して調理室234に
供給され、調理室内に置かれた被加熱物を加熱する。
子レンジの調理室であり、マグネトロン231で発振さ
れたマイクロ波は導波管232を通して調理室234に
供給され、調理室内に置かれた被加熱物を加熱する。
【0085】以上のように、本実施例のマグネトロンは
下エンドシールドとフィラメントを貫通する他方の陰極
リードとの短絡を防止しつつ確実に接合されており、陽
極ベインの数を少なくして小型化したことによる組み立
て作業の困難性を克服して高性能のマグネトロン応用機
器を構成できる。
下エンドシールドとフィラメントを貫通する他方の陰極
リードとの短絡を防止しつつ確実に接合されており、陽
極ベインの数を少なくして小型化したことによる組み立
て作業の困難性を克服して高性能のマグネトロン応用機
器を構成できる。
【0086】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マグネトロンの小型化に伴う陰極構体の組み立て精度を
低下させることなく下エンドシールドとフィラメントの
接合が達成でき、他の陰極リードとの短絡を防止して確
実な固定が可能となる。
マグネトロンの小型化に伴う陰極構体の組み立て精度を
低下させることなく下エンドシールドとフィラメントの
接合が達成でき、他の陰極リードとの短絡を防止して確
実な固定が可能となる。
【0087】この陰極構体を用いることによって小型高
性能のマグネトロンが得られ、これを応用した高性能の
各種高周波機器を提供できる。
性能のマグネトロンが得られ、これを応用した高性能の
各種高周波機器を提供できる。
【図1】本発明のマグネトロンの1実施例の陰極構体に
用いられる下エンドシールドの説明図である。
用いられる下エンドシールドの説明図である。
【図2】本発明のマグネトロンの1実施例の陰極構体の
組み立ての説明図である。
組み立ての説明図である。
【図3】本発明のマグネトロンの1実施例の陰極構体の
下エンドシールドとフィラメントとの接合部分を拡大し
て示す部分断面図である。
下エンドシールドとフィラメントとの接合部分を拡大し
て示す部分断面図である。
【図4】本発明によるマグネトロンの他の実施例を説明
する陽極及び陰極付近の要部構成図である。
する陽極及び陰極付近の要部構成図である。
【図5】図4のA−A線に沿って切断した陽極及び陰極
付近の要部構成図である。
付近の要部構成図である。
【図6】本発明によるマグネトロンのさらに他の実施例
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図7】図6に示した実施例における陽極シリンダー部
分の構成の説明図である。
分の構成の説明図である。
【図8】本発明によるマグネトロンを用いた電子レンジ
の回路構成例の説明図である。
の回路構成例の説明図である。
【図9】従来のマグネトロンの構造例を説明する断面図
である。
である。
【図10】従来のマグネトロンの陽極構造を説明する平
面図である。
面図である。
【図11】従来のマグネトロンの陽極構造におけるスト
ラップリングの説明図である。
ラップリングの説明図である。
【図12】図6のA−A線に沿って切断した断面図であ
る。
る。
【図13】従来の下エンドシールドとフィラメントとの
接合作業の説明図である。
接合作業の説明図である。
1 フィラメント 2 陽極ベイン 3 陽極シリンダー 4,4’ 永久磁石 5,5’ 磁極 6,6’ ヨーク 7 アンテナリード 8 アンテナ 9 排気管 10 アンテナカバー 21 上側エンドシールド 22 下側エンドシールド 23,24 陰極リード(23はセンターリード、24
はサイドリード) 25 入力側セラミック 26 陰極端子 27 外部導出リード 31 チョークコイル 32 貫通コンデンサ 33 フィルタケース 34 蓋体 45 冷却フィン 22 下エンドシールド 22a 凹部 22b 漏斗形状部 22c V字溝 22d 陰極リードを貫通させる中心開口 22e 固化したロー材 23 下エンドシールドに接続した陰極リード 24 上エンドシールドに接続する陰極リード 101 シリンジ 102 ディスペンサー(吐出器) 103 ノズル 104 ペースト状のMoロー材。
はサイドリード) 25 入力側セラミック 26 陰極端子 27 外部導出リード 31 チョークコイル 32 貫通コンデンサ 33 フィルタケース 34 蓋体 45 冷却フィン 22 下エンドシールド 22a 凹部 22b 漏斗形状部 22c V字溝 22d 陰極リードを貫通させる中心開口 22e 固化したロー材 23 下エンドシールドに接続した陰極リード 24 上エンドシールドに接続する陰極リード 101 シリンジ 102 ディスペンサー(吐出器) 103 ノズル 104 ペースト状のMoロー材。
Claims (2)
- 【請求項1】熱電子を放出する直熱型螺旋状フィラメン
トと、このフィラメントをその上端および下端で挟持す
るごとく配置した上エンドシールドおよび下エンドシー
ルドと、前記上および下エンドシールドをそれぞれ保持
するセンターリードおよびサイドリードとからなる陰極
構体を備えたマグネトロンにおいて、 前記下エンドシールドは その上面に前記直熱型螺旋状
フィラメントの下端部を収納する凹部を形成してなり、
前記凹部の開口内周縁を面取りした漏斗形状部を有し、
かつ前記凹部の底部周縁にV字溝を有することを特徴と
するマグネトロン。 - 【請求項2】請求項1において、前記下エンドシールド
の凹部に収納した前記直熱型螺旋状フィラメントが前記
漏斗形状部と前記V字溝を埋設するごとく充填したRu
−Moロー材で接合してなることを特徴とするマグネト
ロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7261705A JPH08293265A (ja) | 1995-02-20 | 1995-10-09 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-30752 | 1995-02-20 | ||
| JP3075295 | 1995-02-20 | ||
| JP7261705A JPH08293265A (ja) | 1995-02-20 | 1995-10-09 | マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293265A true JPH08293265A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=26369158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7261705A Pending JPH08293265A (ja) | 1995-02-20 | 1995-10-09 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08293265A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100249966B1 (ko) * | 1995-02-20 | 2000-03-15 | 야스나가 히데아키 | 개선된 음극구성체를 구비한 마그네트론 장치 |
| WO2009013919A1 (ja) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | コイル部材の製造方法およびコイル部材 |
| WO2009057239A1 (ja) | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | ろう材、管球、マグネトロンおよびろう付け方法 |
| JP2010244712A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | マグネトロン |
-
1995
- 1995-10-09 JP JP7261705A patent/JPH08293265A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100249966B1 (ko) * | 1995-02-20 | 2000-03-15 | 야스나가 히데아키 | 개선된 음극구성체를 구비한 마그네트론 장치 |
| WO2009013919A1 (ja) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | コイル部材の製造方法およびコイル部材 |
| JP5611589B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2014-10-22 | 株式会社東芝 | マグネトロン用フィラメントカソード部材の製造方法およびマグネトロン用フィラメントカソード部材 |
| WO2009057239A1 (ja) | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | ろう材、管球、マグネトロンおよびろう付け方法 |
| JP2010244712A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | マグネトロン |
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