JPH09190771A - マグネトロン及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ストラップリングの部品精度をそれ程高くせず
に、ベインとのロー付けを確実にし、安定した特性のマ
グネトロンを得る。 【解決手段】アノード円筒１０３の内部に放射状に複数
のベイン１０２が設けられ、前記ベインを一枚おきに電
気的に接続して同電位とする一対のストラップリング１
６１、１６２と、前記ベインの一枚に接続してマイクロ
波出力の導出部となるアンテナリード１０７とを少なく
とも有するマグネトロンにおいて、前記ストラップリン
グの少なくとも前記ベインと接続する部分の最表面に銅
メッキの第１層１２と、前記第１層の下層に銀メッキの
第２層１３を形成してロー付けする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マグネトロンに係
り、特にマグネトロンのアノードを構成するアノードベ
インとストラップリングを確実に接続したマグネトロン
と、特別の治具を使用することなくアノードベインとス
トラップリングをロー付けするようにしたマグネトロン
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】マグネトロンは高周波出力すなわちマイ
クロ波出力を効率よく発生することから、レーダー装
置、医療機器、電子レンジ等の高周波調理器、その他の
マクロ波応用機器の分野で広く使用されている。

【０００３】このマグネトロンは、通常、真空容器の中
心部に陰極が配置され、管軸方向磁界が形成されている
作用空間を隔てて上記陰極の周囲に空洞共振器が配置さ
れている。

【０００４】上記空洞共振器は、管軸にそって中心に配
置された陰極と、この陰極を囲んで上記作用空間にと同
軸に設置されたアノード円筒と、上記陰極に近接した位
置から上記アノード円筒方向に放射状に設置された複数
の板状体すなわちアノードベイン（以下、単にベインと
もいう）と、上記ベインとアノード円筒とで構成される
空間に形成される複数の空洞共振器の発振位相を合わせ
るために前記ベインを一つおきに電気的に同電位に接続
するための上下一対または上下の一方に配置した一対の
ストラップリングとで構成される。

【０００５】マグネトロンの上記空洞共振器を形成する
ために、アノード円筒の内表面にベインの外側縁を等間
隔で固着し、ベインの内方部に上記ストラップリングを
固着している。なお、アノード円筒とベインとを同一素
材から一体成形したものも知られている。

【０００６】アノード円筒、ベイン、ストラップリング
は一般に銅製であり、これらの間の接合固着には銀ロー
を用いたロー付けが採用されている。なお、ベインとア
ンテナリードも同様のロー付けで接続されている。言う
までもなく、アノード円筒とベインを一体化した形式の
マグネトロンでは、アノード円筒とベインとのロー付け
は考慮する必要はない。

【０００７】図１６は従来技術によるベインへのストラ
ップリングのロー付け作業を説明する要部模式図であっ
て、１０２はベイン、１０３はアノード円筒、１６１は
第１のストラップリング（上内側）、１６１’は第１の
ストラップリング（下内側）、１６２は第２のストラッ
プリング（上外側）、１６２’は第２のストラップリン
グ（下外側）、２０はカシメ刃、２１はカシメピンであ
る。なお、１０はアノード円筒とベインとを接続した銅
−銀ロー材である。

【０００８】同図において、アノード円筒１０３にロー
付けされたベイン１０２に例えばストラップリング１６
２をロー付けする際は、ベイン１０２に形成された段部
にストラップリング１６２を位置させ、当該ベイン１０
２にカシメ刃２０を当てると共に、陰極が挿入される中
心部にカシメピン２１を嵌入させることでベイン１０２
の段部側壁とストラップリング１６２とを押接させて加
熱する。

【０００９】これにより、ストラップリング１６２の銀
メッキがストラップリング本体の銅との間で溶融してベ
イン１０２の段部側壁との間の隙間に流れることでベイ
ン１０２とストラップリング１６２とがロー付けされ
る。

【００１０】以下同様に、カシメ刃２０とカシメピン２
１を用いてベインとストラップリングとを押接させてロ
ー付けする。

【００１１】なお、この種の従来技術を開示したものと
しては、例えば特開昭６３−２３８２０号公報、特開昭
６３−９１９３４号公報等を挙げることができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、ベイ
ンとストラップリングとのロー付けは、ベインに形成し
た段部の側壁にストラップリングの側壁を接合するもの
であるため、仕上がりにバラツキが生じ易く、安定した
特性のマグネトロンの量産を行うためには両者の隙間を
無くして均一なロー付けを得る必要がある。

【００１３】図１７は上記従来技術によるベインへのス
トラップリングのロー付け作業をさらに詳細に説明する
要部模式図であって、１３はストラップリング１６１、
１６２に施された銀メッキ、１０２’はベインに形成し
た段差の側壁である。

【００１４】同図において、メイン１０２、ストラップ
リング１６１、１６２は共には銅製であり、ストラップ
リング１６１、１６２の表面には銀メッキ１３が施され
ている。

【００１５】ベイン１０２にストラップリング１６２を
固定する場合、ベイン１０２に形成した段差の側壁１０
２’にストラップリング１６２を組み合わせ、カシメ刃
１２でベイン１０２の上部を押圧することで段差の側壁
１０２’をストラップリング１６２の側壁に押し当て
る。この状態で加熱することでストラップリング１６２
に銀メッキと当該ストラップリングの銅の界面で銀メッ
キの溶融が起こってベイン１０２の段差の側壁との間に
銀層が形成されてロー付けがなされる。

【００１６】しかし、図示したように、カシメ刃２０の
押圧で段差の側壁１０２’の下部とストラップリング１
６２の側壁の間の隙間は依然として残り、またこの下部
の隙間はカシメ刃２０の押圧で寧ろ拡大するようにな
る。

【００１７】そのため、溶融した銀は段差の下方に流れ
てしまい、有効なロー付けがなされなくなるという問題
があった。

【００１８】そのため、各部品は高精度であることが要
求されると共に、上記したような治具を用いて溶融した
銀ローが両者の隙間に留まるようにしている。

【００１９】したがって、従来のマグネトロンでは安定
した特性のマグネトロンを量産するためには、ベインや
ストラップリングの製造精度を上げる必要があると共
に、組み立て作業工程数が多くなり、コスト高となる問
題があった。

【００２０】本発明の目的は、上記従来技術の諸問題を
解消し、ストラップリングの部品精度をそれ程高くせず
に、ベインとのロー付けを確実にし、安定した特性のマ
グネトロンとその製造方法を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の第１の発明は、アノード円筒の内
部に放射状に複数のベインが設けられ、前記ベインを一
枚おきに電気的に接続して同電位とする一対のストラッ
プリングと、前記ベインの一枚に接続してマイクロ波出
力の導出部となるアンテナリードとを少なくとも有する
マグネトロンにおいて、前記ストラップリングの少なく
とも前記ベインと接続する部分の最表面に銅メッキの第
１層と、前記第１層の下層に銀メッキの第２層を形成し
てなることを特徴とする。

【００２２】また、請求項２に記載の第２の発明は、第
１の発明における前記第２層の下層に銅メッキの第３層
を形成してなることを特徴とする。

【００２３】さらに、請求項３に記載の第３の発明は、
アノード円筒の内部に放射状に複数のベインが設けら
れ、前記ベインを一枚おきに電気的に接続して同電位と
する一対のストラップリングと、前記ベインの一枚に接
続してマイクロ波出力の導出部となるアンテナリードと
を少なくとも有するマグネトロンの製造方法において、
前記ストラップリングの少なくとも前記ベインと接続す
る部分の最表面に銅メッキの第１層と、前記第１層の下
層に銀メッキの第２層を形成し、前記ベインと前記スト
ラップリングの接続部分を押接することなく前記接続部
分を加熱してロー付けすることを特徴とする。

【００２４】さらに、請求項４に記載の第４の発明は、
第３の発明における前記第２層の下層に銅メッキの第３
を形成し、前記接続部分を加熱してロー付けすることを
特徴とする。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、図面を参照して詳細に説明する。

【００２６】図１は本発明によるマグネトロンの製造方
法の一実施の形態の説明図であって、（ａ）はアノード
部分の断面図、（ｂ）は（ａ）の要部部分断面図であ
る。

【００２７】同図において、１０２はベイン、１０３は
アノード円筒、１６１、１６２、１６１’，１６２’は
ストラップリング、１０７はアンテナリードである。ま
た、１０はアノード円筒１０３とベイン１０２を溶接し
た銀ロー、１１はアンテナリードとベインを溶接した銀
ロー、１５はベインの段部側壁とストラップリングの側
壁の間の隙間を示す。

【００２８】ストラップリング１６１、１６２と１６
１’，１６２’は複数のベインを一つおきに電気的に接
続して同電位とするためのものであり、本体部は銅で、
その上に銀メッキ１３を、さらにその上に銅メッキ１２
を施してある。これらのメッキはベインとの溶接部分に
のみでも、ストラップリング全体に施しておいてもよ
い。

【００２９】このようなストラップリング構造とする
と、加熱の際に銀メッキ１３がストラップリング本体の
銅と銀メッキ１３を覆う銅メッキ１２の層の各界面で溶
融し、さらにベイン１０２と銀メッキ１３の界面でも溶
融が起きて、ベイン１０２とストラップリングとの間が
連結されて両者の固定が良好となる。

【００３０】また、同図（ｂ）に点線で示したようにベ
イン１０２の段部側壁との間に隙間１５を均等に埋める
ことになり、従来のように、溶けた銀が段部の下方に流
れ落ちることがない。

【００３１】このため、ベイン１０２とストラップリン
グ１６２とは強固にロー付けされて特性のバラツキが低
減される。

【００３２】また、この構成とすることで、ベインやス
トラップリングの部品精度はそれ程高くする必要がな
く、例えば上記隙間が０．２ｍｍ程度であっても良好な
ロー付けが得られる。

【００３３】図２は本発明によるマグネトロンの製造方
法の他の実施の形態を説明する前記図１の（ｂ）に相当
する要部部分断面図である。

【００３４】ここでは、ストラップリングの表面に銅メ
ッキ１４を施した上に前記図１と同様の銀メッキ１３と
銅メッキ１４を施したものである。

【００３５】これによれば、加熱の際の銀と銅の各界面
での当該銀の溶融による隙間１５の埋め込みがさらに均
等となる。

【００３６】上記したように、本発明のストラップリン
グの構造によれば、ベインおよびストラップリングの製
造精度を高くする必要がなく、また前記従来例のごとき
カシメ刃やカシメピンを必要としないため、製造工程数
を低減でき、特性の安定したマグネトロンを低コストで
量産することができる。

【００３７】次に、本発明によるマグネトロンの構造例
について、さらに詳細に説明する。図３は本発明による
マグネトロンの全体構成例を説明する断面図であって、
２は下部マグネット、３は下部ヨーク、４は下部シール
部品、４１は下部シール部品４の鍔状シール材、６はフ
ィルタケース、８は入力側セラミック、１０１は陰極フ
ィラメント、１０２はベイン（以下、陽極ベインとも言
う）、１０３はアノード円筒（以下、陽極シリンダーと
も言う）、１０４は上部マグネット、１０５は磁極片、
１０７はアンテナリード、１０８はアンテナ、１０９は
排気管、１１０はアンテナカバー、１１１は円筒状絶縁
体、１１２は排気管サポート、１２１は上側エンドシー
ルド、１２２は下側エンドシールド、１２３，１２４は
陰極リード、１２６は陰極端子、１２７はスペーサ、１
２８はスリーブ、１３１はチョークコイル、１３２は貫
通コンデンサ、１３４は蓋体、１４１は上部シール部
品、１４３は金属ガスケット、１４４は上部ヨーク、１
４５は冷却フィンである。同図において、陰極フィラメ
ント１０１の回りには複数の陽極ベイン１０２が放射状
に形成されている。この複数の陽極ベイン１０２は陽極
シリンダー１０３にロー付け等で固着されている。な
お、陽極シリンダー１０３と共に押出し成型等により一
体成形してもよい。

【００３８】陽極シリンダー１０３の上部には円筒状の
上部マグネット１０４が、下部には円筒状の下部マグネ
ット２が設置されており、この上部マグネット１０４と
下部マグネット２からの磁束は磁極片１０５を通って陰
極１０１と陽極ベイン１０２との間に形成される作用空
間に対して上下方向（管軸方向）に必要な直流磁界を発
生させる。なお、下部ヨーク３，上部ヨーク１４４はマ
グネットからの磁束を通すものである。

【００３９】陰極フィラメント１０１は負の高電位（４
ｋＶ_P-P ）になっている。すなわち、陰極フィラメント
１０１は２本の陰極リード１２３，１２４を介してチョ
ークコイル１３１に接続され、さらにチョークコイルの
他端は貫通コンデンサ１３２に接続されており、コンデ
ンサ１３２の端子は負の高電位となっているフィラメン
トトランス（後述）に接続されている。

【００４０】この貫通コンデンサ１３２の素体として
は、誘電体磁器が用いられ、この誘電体磁器の材料を従
来のＢａＴｉＯ₃ 系（√ξ_S ≒７０、静電容量Ｃ＝５０
０ｐＦ）に代えて前記本発明のものとしたことにより、
Ｌ−Ｃフィルタの特性を損なうことなく、電歪音を抑制
できる。

【００４１】このような構造において、陰極フィラメン
ト１０１から放出された電子は、直流磁界の影響を受け
て円運動しながら各陽極ベイン１０２に高周波の電位を
形成して高周波（マイクロ波）を発振する。発振された
マイクロ波はアンテナリード１０７を通してアンテナ１
０８から出力される。

【００４２】図４は図３に示したマグネトロンのアノー
ド（陽極）部分のみの詳細を説明する平面図であって、
陽極ベイン１０２，１０２’は陽極シリンダー１０３の
内壁から中心Ｏ方向に設けられており、中心Ｏを通る軸
線からみて放射状に配置されている。

【００４３】この陽極ベイン１０２，１０２’は、径の
異なる２つの環状体からなる第１のストラップリング１
６１と第２のストラップリング１６２によって、１つお
きに結ばれている。

【００４４】図５は図４におけるストラップリングを説
明する斜視図であって、第１のストラップリング１６１
は径の小さなストラプリング、第２のストラップリング
１６２は径の大きなストラプリングである。

【００４５】図６は図３に示したマグネトロンの陽極ベ
イン部分の要部説明図であり、陽極ベイン１０２には上
記径の小さな第１のストラップリング１６１が接触し、
径の大きな第２のストラップリング１６２は接触せず、
また隣接する陽極ベイン１０２には上記径の大きな第２
のストラップリング１６２が接触し、径の小さな第１の
ストラップリング１６１は接触せずに配置され、第１の
ストラップリング１６１と第２のストラップリング１６
２は１つ置きの陽極ベイン１０２に対して交互に接合さ
れている。

【００４６】また、陽極ベイン１０２の１つには、図４
に示したように、高周波を導出するためのアンテナリー
ド１０７がロー付けで植立されている。

【００４７】陽極ベイン１０２に植立されたアンテナリ
ード１０７は、陽極シリンダー１０３の一方の開口側に
内封された磁極片１０５を挿通し、金属封止体であるシ
ール部品１４１の端部には気密封着する円筒状絶縁体１
１１があり、円筒状絶縁体１１１の一方の端部には排気
管１０９の外周とロー付けされたカップ状の排気管サポ
ート１１２がロー付けされている。

【００４８】排気管１０９は、マグネトロンの管内を真
空排気した後、アンテナリード１０７と共に封止切り、
アンテナカバー１１０を排気サポート１１２に圧入固定
して、その先端を保護する。ここで、排気管１０９とア
ンテナリード１０７を封止切ることによって形成された
凹部１０９ａは、不要の電波輻射を阻止するためのチョ
ーク部となっている。

【００４９】電子を発生させる陰極フィラメント１０１
は、一般には酸化トリウム（ＴｈＯ₂ ）を微量含むタン
グステンが用いられる。電子放射特性を向上させるため
に、陰極の表面には炭化層（Ｗ₂ Ｃ）が形成されてい
る。

【００５０】そして、陰極１０１は、上側エンドシール
ド１２１および下側エンドシールド１２２に高融点ロー
材、例えばルテニウム・モリブデン共晶合金等によって
係合し、支持されている。

【００５１】上側エンドシールド１２１および下側エン
ドシールド１２２は、各々陰極リード１２３および１２
４によって支持されている。これらのエンドシールド１
２１，１２２および陰極リード１２３，１２４は、耐熱
性，加工性の観点から、一般にはモリブデン（Ｍｏ）が
用いられている。

【００５２】また、上側エンドシールドの上面にはゲッ
タが被着されて、陰極フィラメント１０１の加熱時にゲ
ッタ材が蒸発し、発振空間の真空度を維持して、安定し
た動作特性を長期間にわたって保持する。

【００５３】２本の陰極リード１２３，１２４は、入力
側セラミック８によって支持されており、これら陰極リ
ード１２３，１２４は、陰極端子１２６と共に入力側セ
ラミック８に真空気密を保つようロー付けされている。

【００５４】マグネトロンに振動や衝撃が加わると、陰
極リード１２３，１２４が振動し、しかもその振動の仕
方が陰極リード１２３，１２４で異なるために、陰極１
０１に機械的なストレスを生じさせて陰極１０１の断線
を引き起こすことがある。これを防止するために、スペ
ーサ１２７が用いられる。このスペーサ１２７の作用に
より、陰極リード１２３，１２４が振動しても、その振
動による陰極リード１２３，１２４の動きは略々同一と
なるため、陰極１０１に加わるストレスを小さくするこ
とができる。なお、スリーブ１２８はスペーサ１２７を
所定の位置に支持するためのものである。

【００５５】陰極端子１２６はチョークコイル１３１と
接続し、チョークコイル１３１は入力部のフィルタケー
ス６を取り付ける貫通コンデンサ１３２と接続され、貫
通コンデンサ１３２は電源と接続する。陰極端子１２６
とチョークコイル１３１とは、一般には溶接によって接
続される。また、チョークコイル１３１と貫通コンデン
サ１３２も一般には溶接によって接続される。

【００５６】ここで、チョークコイル１３１と貫通コン
デンサ１３２とは、マグネトロンの内部から電源側を見
た場合のローパスフィルタを形成する。これは、陰極１
０１と陽極シリンダー１０３との間の作用空間に発生し
たマイクロ波が陰極１０１および陰極リード１２３，１
２４を通して外部に放射されるのを防止するためであ
る。

【００５７】図７は図３に示したマグネトロンの入力部
を下面より見たフィルタケース部分の平面図であって、
陰極端子１２６にチョークコイル１３１が接続し、チョ
ークコイル１３１に入力部のフィルタケース６を取り付
けた貫通コンデンサ１３２と接続され、貫通コンデンサ
１３２は図示しない電源と接続される。

【００５８】図８は貫通コンデンサの構造を説明する要
部破断図であって、１５１は絶縁カバー、１５２は誘電
体で、１５３，１５６は電極である。

【００５９】同図において、誘電体１５２は電極１５
３，１５６と共にコンデンサを形成する。電極１５６
は、貫通コンデンサ１３２をフィルタケース６に取り付
ける役割りを持つ。電極１５３は同図左下部では分離し
ているように示されているが、他の断面では一体となっ
て端子１５４と接続している。

【００６０】なお、１５５はシリコンチューブで、端子
１５４を覆って、電極１５６との絶縁の役割りを果た
し、樹脂１５７と誘電体１５２との密着性を損なわない
ようにする緩衝材（ダンパー）となる。また、１５１ａ
は樹脂１５７内に生じるストレスを分断する機能を有
し、樹脂の移動を防止するストッパーである。そして、
端子１５４はチョークコイル１３１と接続され、チョー
クコイル１３１の他端はコンデンサを介してアースと対
向する。

【００６１】本実施例では、誘電体１５２を構成する誘
電体磁器素体として、√ξｓ≒４２のＳｒＴｉＯ₃ 系の
高誘電率材料を用いる。なお、誘電体磁器素体の寸法は
従来と同じ（√ξｓ≒７０のＢａＴｉＯ₃ 系材料）であ
るため、耐電圧特性、貫通コンデンサの大型化を招くこ
とはないが、静電容量ＣはＢａＴｉＯ₃ 系材料の場合、
５００ｐＦであるのに対し、ＳｒＴｉＯ₃ 系材料の場合
は１８０〜３００ｐＦとなる。

【００６２】一方、このＬ−Ｃフィルタを構成させるチ
ョークコイルは、１μＨのインダクタンスＬを有する。

【００６３】前記図３に示したように、各々の陰極リー
ド１２３，１２４はチョークコイル１３１の一端と直列
に接続され、チョークコイル１３１の他端はコンデンサ
１３２を介してアースと対向する。

【００６４】入力部のフィルタケース６は蓋体１３４に
よって密閉され、高周波（マイクロ波）が外部に放射さ
れるのを防止する。

【００６５】入力側セラミック８は、鍔状のシール部４
１をもつ下部シール部品４を介して陽極シリンダー１０
３と真空気密を保って係合し、出力側セラミック１１１
は上部シール部品１４１を介して陽極シリンダー１０３
と真空気密を保って係合している。

【００６６】また、上部ヨーク１４４は金属ガスケット
１４３を介して上部シール部品１４１と電気的に接続さ
れている。このシール部品１４１は陽極シリンダー１０
３と同電位になっている。したがって、上部ヨーク１４
４は陽極シリンダー１０３と同電位になっている。

【００６７】図９はマグネトロンの上面図であって、上
部ヨーク１４４と下部ヨーク３（図３）とは、一般にか
しめによって接続されている。

【００６８】図１０はマグネトロンの外観を示すヨーク
側から見た側面図であって、アンテナ１０８は円筒状絶
縁体１１１を介して上部シール部品１４１で上部ヨーク
１４４を通して前記図１で説明したアンテナリードに接
続している。下部ヨーク３の下方にはフィルタケース６
が前記各実施例で説明した構造で接合固定されている。
なお、１３２は貫通コンデンサである。

【００６９】図１１はマグネトロンの外観を説明する冷
却フィン側からみた正面図である。マグネトロンの陽極
は前記図３で説明した陰極フィラメント１０１からの熱
輻射や電子が陰極ベイン１０２に衝突することによる発
熱で高温になる。陽極が高温になると、磁石の磁気特性
を変化させたり、マグネトロンの周辺機器に悪影響を及
ぼす等の弊害を生ずる。冷却フィン１４５は、この発熱
を消散させるためのものである。

【００７０】図１２は冷却フィン形状の説明図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の矢印Ａ方向から見た
側面図、（ｃ）は（ａ）の矢印Ｂ方向から見た側面図で
ある。

【００７１】同図において、円筒部１４５ａは図８にお
ける陽極シリンダー１０３と嵌合する。図１１では図１
２に示した冷却フィンが５個用いられている。

【００７２】一般には、マグネトロンの動作時は、電子
レンジ等の応用機器に設置された冷却ファンによって、
この冷却フィンに冷却風が送風される。

【００７３】図１３はマグネトロンの駆動回路例を説明
する回路図で、同図においては２３１がマグネトロンで
ある。

【００７４】本例は、マグネトロン電源として商用交流
電源を高速スイッチッグして所要の電圧を得るスイッチ
ング電源装置，所謂インバータ電源を用いたものであ
り、スイッチング電源装置２０９に直流電力を供給する
直流電源２０１は、商用交流電源２０３と全波整流器２
０５から構成されている。

【００７５】全波整流器２０５の直流出力端子には、リ
アクタとキャパシタで構成されたフィルタ２０７が接続
されているが、このフィルタ２０７は整流電流を平滑す
るためでなく、発振電流に含まれる高周波雑音が交流電
源側を通して洩れるのを防ぎ、これによって妨害波の伝
播をさけるようにしている。

【００７６】スイッチング電源装置２０９はトランジス
タ２１１を備え、同期パルス発生器２３５で生成される
同期パルスにより制御されるオン信号発生回路２３７の
オン信号で駆動される駆動回路２４１によりオン−オフ
動作される。

【００７７】スイッチング電源装置２０９は、トランジ
スタ２１１に逆並列に接続されたダンパダイオード２１
５および並列に接続された共振用キャパシタ２１３を備
えている。

【００７８】このスイッチング電源装置２０９は、一次
巻線２１９と二次巻線２２１，２２３と２２４，２２５
を持つ昇圧トランス２１７に接続し、一次巻線２１９は
スイッチング電源装置２０９を介してフィルタ２０７に
接続し、キャパシタ２１３と一次巻線２１９により直列
共振回路が構成される。

【００７９】二次巻線２２１は、キャパシタ２２７と高
圧ダイオード２２９よりなる倍電圧整流器を通してマグ
ネトロン２３１に接続される。電流検出器２３３はマグ
ネトロンに流れる負荷電流を検出し、平均回路２４９で
平均値として出力設定器２５１の設定値との差分を増幅
器２５７を介して同期パルス発生器２３５からの同期パ
ルスと加算されてオン信号発生器２３７に制御信号とし
て与えられる。

【００８０】二次巻線２２５は、マグネトロン２３１の
フィラメントを加熱するために設けられ、さらに他の二
次巻線２２３は出力フィードバック用の電圧を作るため
のものであり、波形成形回路２４３で波形成形された後
に遅延回路２４５で所定の時間遅延を受け、オン信号発
生回路２３７の制御信号として与えられる。

【００８１】また二次巻線２２４は補助電源２４７に与
えられ、整流されて制御回路等の電源として用いられ
る。

【００８２】ここで、フィラメントと陽極には、通常数
ＫＶの高圧が印加されている。

【００８３】なお、図中、２３２は導波管、２３４は電
子レンジの調理室であり、マグネトロン２３１で発振さ
れたマイクロ波は導波管２３２を通して調理室２３４に
供給されるようになっている。

【００８４】図１４はマグネトロン電源として一般商用
電源をそのまま用いた回路例であって、２０３は商用交
流電源、２１７’は高圧トランス、２１９’は一次巻
線、２２１’，２２５’は二次巻線、２２７’はキャパ
シタ、２２９’は高圧ダイオード、２３１はマグネトロ
ンである。

【００８５】同図において、高圧トランス２１７’の一
次巻線２１９’は商用交流電源２０３に接続され、二次
巻線２２１’はキャパシタ２２７’と高圧ダイオード２
２９’とからなる半波倍電圧整流回路に接続される。

【００８６】また、二次巻線２２５’はマグネトロン２
３１のヒータ端子に接続されてヒータに所要の電圧を印
加することで流れる電流によってヒータを加熱する。

【００８７】上記半波倍電圧整流回路のキャパシタ２２
７’と高圧ダイオード２２９’の接続点は上記ヒータ端
子の一方に接続されて負の陽極電圧が印加される。そし
て、二次巻線２２５’の一方はマグネトロン２３１の陽
極と接地に接続される。

【００８８】なお、一般商用電源をそのまま用いたマグ
ネトロン電源は上記した半波倍電圧整流回路に限らず、
既知の全波整流回路を用いることもできる。

【００８９】図１５は本発明によるマグネトロンを電子
レンジに適用した具体例を説明する概念図であって、３
０１は電子レンジ調理室で、ドア３０２から被加熱物３
０３がセットされる。３０４はマグネトロン、３０５は
アンテナ、３０６はマグネトロン電源、３０７は冷却フ
ァン、３０８は冷却風、３０９は導波管、３１０はスタ
ーラーである。

【００９０】同図において、マグネトロン３０４で発生
されたマイクロ波はアンテナ３０５から導波管３０９を
通して被加熱物３０３がセットされた調理室３０１に供
給される。スターラー３１０は調理室３０１内で回転し
て被加熱物３０３が均一に加熱されるようマイクロ波を
拡散するためのものである。

【００９１】冷却ファン３０７はマグネトロン３０４に
冷却風３０８を送風してマグネトロン２３１を冷却する
ためのものである。

【００９２】上記したマグネトロンに前記で説明したア
ノード構造を採用することにより、特性の均一なマグネ
トロンを少ない工程で製造することができる。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ベインとストラップリングの間のロー付けが良好とな
り、従来のカシメ作業を必要としないために、製造工程
数が大幅に節減され、高品質で均一な特性のマグネトロ
ンを低コストで量産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるマグネトロンの製造方法の一実施
の形態の説明図である。

【図２】本発明によるマグネトロンの製造方法の他の実
施の形態を説明する前記図１の（ｂ）に相当する要部部
分断面図である。

【図３】本発明によるマグネトロンの全体構成例を説明
する断面図である。

【図４】図３に示したマグネトロンのアノード（陽極）
部分のみの詳細を説明する平面図である。

【図５】図４におけるストラップリングを説明する斜視
図である。

【図６】図３に示したマグネトロンの陽極ベイン部分の
要部説明図である。

【図７】図３に示したマグネトロンの入力部を下面より
見たフィルタケース部分の平面図である。

【図８】貫通コンデンサの構造を説明する要部破断図で
ある。

【図９】マグネトロンの上面図である。

【図１０】マグネトロンの外観を示すヨーク側から見た
側面図である。

【図１１】マグネトロンの外観を説明する冷却フィン側
からみた正面図である。

【図１２】冷却フィン形状の説明図である。

【図１３】マグネトロンの駆動回路例を説明する回路図
である。

【図１４】マグネトロン電源として一般商用電源をその
まま用いた回路例である。

【図１５】本発明によるマグネトロンを電子レンジに適
用した具体例を説明する概念図である。

【図１６】従来技術によるベインへのストラップリング
のロー付け作業を説明する要部模式図である。

【図１７】従来技術によるベインへのストラップリング
のロー付け作業をさらに詳細に説明する要部模式図であ
る。

【符号の説明】

２ 下部マグネット ３ 下部ヨーク ４ 下部シール部品 ４１ 下部シール部品４の鍔状シール材 ６ フィルタケース ８ 入力側セラミック １０１ 陰極フィラメント １０２ 陽極ベイン １０３ アノード円筒（陽極シリンダー） １０４ 上部マグネット １０５ 磁極片 １０７ アンテナリード １０８ アンテナ １０９ 排気管 １１０ アンテナカバー １１１ 円筒状絶縁体 １１２ 排気管サポート １２１ 上側エンドシールド １２２ 下側エンドシールド １２３，１２４ 陰極リード １２６ 陰極端子 １２７ スペーサ １２８ スリーブ １３１ チョークコイル １３２ 貫通コンデンサ １３４ 蓋体 １４１ 上部シール部品 １４３ 金属ガスケット １４４ 上部ヨーク １４５ 冷却フィン。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アノード円筒の内部に放射状に複数のアノ
   ードベインが設けられ、前記ベインを一枚おきに電気的
   に接続して同電位とする一対のストラップリングと、前
   記ベインの一枚に接続してマイクロ波出力の導出部とな
   るアンテナリードとを少なくとも有するマグネトロンに
   おいて、 前記ストラップリングの少なくとも前記ベインと接続す
   る部分の最表面に銅メッキの第１層と、前記第１層の下
   層に銀メッキの第２層を形成してなることを特徴とする
   マグネトロン。
2. 【請求項２】請求項１において、前記第２層の下層に銅
   メッキの第３層を形成してなることを特徴とするマグネ
   トロン。
3. 【請求項３】アノード円筒の内部に放射状に複数のアノ
   ードベインが設けられ、前記ベインを一枚おきに電気的
   に接続して同電位とする一対のストラップリングと、前
   記アノードベインの一枚に接続してマイクロ波出力の導
   出部となるアンテナリードとを少なくとも有するマグネ
   トロンの製造方法において、 前記ストラップリングの少なくとも前記アノードベイン
   と接続する部分の最表面に銅メッキの第１層と、前記第
   １層の下層に銀メッキの第２層を形成し、前記アノード
   ベインと前記ストラップリングの接続部分を押接するこ
   となく前記接続部分を加熱してロー付けすることを特徴
   とするマグネトロンの製造方法。
4. 【請求項４】請求項３において、前記第２層の下層に銅
   メッキの第３を形成し、前記接続部分を加熱してロー付
   けすることを特徴とするマグネトロンの製造方法。