JPH08293662A - 導体パターン形成方法 - Google Patents
導体パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH08293662A JPH08293662A JP11898095A JP11898095A JPH08293662A JP H08293662 A JPH08293662 A JP H08293662A JP 11898095 A JP11898095 A JP 11898095A JP 11898095 A JP11898095 A JP 11898095A JP H08293662 A JPH08293662 A JP H08293662A
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- JP
- Japan
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- plating
- conductor pattern
- film
- layer
- adhesive layer
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の基板上にＡｕメッキを施し導体パター
ンを形成する導体パターン形成方法は、何れの方法でも
Ａｕの使用効率が悪い等の何れかの問題を持っている。
これを解決する。 【構成】 Ａｕの電気メッキ膜が付着しない材質の導体
からなる接着層と、Ａｕの電気メッキ膜が付着する材質
の導体からなる析出層とで基板上に二層を形成し、析出
層のみを必要とする導体パターン形状に成形し、電解Ａ
ｕメッキ液に浸漬させ導体パターン形状にのみＡｕメッ
キ膜を付着させ、メッキ膜で覆われていない部位を除去
する。
ンを形成する導体パターン形成方法は、何れの方法でも
Ａｕの使用効率が悪い等の何れかの問題を持っている。
これを解決する。 【構成】 Ａｕの電気メッキ膜が付着しない材質の導体
からなる接着層と、Ａｕの電気メッキ膜が付着する材質
の導体からなる析出層とで基板上に二層を形成し、析出
層のみを必要とする導体パターン形状に成形し、電解Ａ
ｕメッキ液に浸漬させ導体パターン形状にのみＡｕメッ
キ膜を付着させ、メッキ膜で覆われていない部位を除去
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上にＡｕ（金）メ
ッキを施した導体パターンからなる平面回路を形成する
場合の導体パターン形成方法に関する。
ッキを施した導体パターンからなる平面回路を形成する
場合の導体パターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路基板上などに導体パターンから
なる平面回路を形成する場合、数μｍ厚のＡｕメッキを
施した導体パターンが多く用いられる。これは導体パタ
ーンの電流容量を向上させ、また回路の実装に用いるボ
ンディングワイヤとの付着力を増加させることを目的と
しているからである。
なる平面回路を形成する場合、数μｍ厚のＡｕメッキを
施した導体パターンが多く用いられる。これは導体パタ
ーンの電流容量を向上させ、また回路の実装に用いるボ
ンディングワイヤとの付着力を増加させることを目的と
しているからである。
【０００３】また、導体パターンには、接着層−析出層
−Ａｕメッキ層という三層膜構造が多く採用されてい
る。すなわち、シリコンやアルミナからなる基板、また
はこの基板に回路が形成された集積回路基板の上に、次
の析出層との接着性を向上させるための接着層を形成
し、この接着層の上に次のＡｕメッキ層を析出させるた
めの析出層を形成し、この析出層の上に析出したＡｕメ
ッキ膜を形成した導体パターンからなる平面回路が多く
採用されている。また、接着層の材質としてはＣｒ（ク
ロム），ＮｉＣｒ（ニクロム），Ｔａ（タンタル），Ｔ
ｉ（チタン）などの薄膜が用いられ、析出層の材質とし
てはＡｕ（金），Ｐｔ（白金），Ｐｄ（パラジウム），
Ｎｉ（ニッケル）等の薄膜がよく用いられる。本発明
は、このような導体パターンからなる平面回路を形成す
る場合の導体パターン形成方法に関するものである。
−Ａｕメッキ層という三層膜構造が多く採用されてい
る。すなわち、シリコンやアルミナからなる基板、また
はこの基板に回路が形成された集積回路基板の上に、次
の析出層との接着性を向上させるための接着層を形成
し、この接着層の上に次のＡｕメッキ層を析出させるた
めの析出層を形成し、この析出層の上に析出したＡｕメ
ッキ膜を形成した導体パターンからなる平面回路が多く
採用されている。また、接着層の材質としてはＣｒ（ク
ロム），ＮｉＣｒ（ニクロム），Ｔａ（タンタル），Ｔ
ｉ（チタン）などの薄膜が用いられ、析出層の材質とし
てはＡｕ（金），Ｐｔ（白金），Ｐｄ（パラジウム），
Ｎｉ（ニッケル）等の薄膜がよく用いられる。本発明
は、このような導体パターンからなる平面回路を形成す
る場合の導体パターン形成方法に関するものである。
【０００４】従来、析出層上にＡｕメッキパターンを形
成する導体パターン形成方法としては、図２〜図４に示
す以下の３つの方法が用いられている。図２は、従来の
第１の方法を説明するための図であり、この第１の方法
は、図２（ａ）に示すように、始めに基板１上に接着層
２，析出層３をスパッタ等で薄膜形成し、次に（ｂ）に
示すように、析出層３に電流を流す電解メッキ法により
析出層３全面にＡｕをメッキしてＡｕメッキ膜５を形成
する。次に（ｃ）に示すように、Ａｕメッキ膜５上に所
望のポジレジストパターン４をポジマスクのフォトリソ
グラフで形成し、（ｄ）に示すようにＡｕメッキ膜５を
エッチングして所望のＡｕメッキパターンを得、次に
（ｅ）に示すように析出層２と接着層３のレジスト４以
外のところをエッチングし、最後に（ｆ）に示すように
レジストを除去して完成させる。
成する導体パターン形成方法としては、図２〜図４に示
す以下の３つの方法が用いられている。図２は、従来の
第１の方法を説明するための図であり、この第１の方法
は、図２（ａ）に示すように、始めに基板１上に接着層
２，析出層３をスパッタ等で薄膜形成し、次に（ｂ）に
示すように、析出層３に電流を流す電解メッキ法により
析出層３全面にＡｕをメッキしてＡｕメッキ膜５を形成
する。次に（ｃ）に示すように、Ａｕメッキ膜５上に所
望のポジレジストパターン４をポジマスクのフォトリソ
グラフで形成し、（ｄ）に示すようにＡｕメッキ膜５を
エッチングして所望のＡｕメッキパターンを得、次に
（ｅ）に示すように析出層２と接着層３のレジスト４以
外のところをエッチングし、最後に（ｆ）に示すように
レジストを除去して完成させる。
【０００５】然しながらこの第１の方法では、図２の
（ｄ）に示すＡｕメッキ膜をエッチングする工程におい
て、Ａｕの大部分が除去されてしまうため、高価なＡｕ
の使用効率が悪く、経済的な無駄が生じる。また、この
時に数μｍと厚いメッキ層をエッチングするため、サイ
ドエッチング(side etching)現象が生じ、メッキ層の加
工精度が悪くなる。さらに、メッキ層５をマスクとして
エッチングされる析出層３、メッキ層５と析出層３とを
マスクとしてエッチングされる接着層２の加工精度もメ
ッキ層５の加工精度に左右されて悪くなる。
（ｄ）に示すＡｕメッキ膜をエッチングする工程におい
て、Ａｕの大部分が除去されてしまうため、高価なＡｕ
の使用効率が悪く、経済的な無駄が生じる。また、この
時に数μｍと厚いメッキ層をエッチングするため、サイ
ドエッチング(side etching)現象が生じ、メッキ層の加
工精度が悪くなる。さらに、メッキ層５をマスクとして
エッチングされる析出層３、メッキ層５と析出層３とを
マスクとしてエッチングされる接着層２の加工精度もメ
ッキ層５の加工精度に左右されて悪くなる。
【０００６】従って、この問題を解決すべく図３に示す
第２の方法が考案されている。この第２の方法は先ず図
３（ａ）に示すように、基板１上に接着層２，析出層３
をスパッタ等で薄膜形成し、次に（ｂ）に示すようにネ
ガマスクのフォトリソグラフで所望のネガレジストパタ
ーン４を形成する。次に（ｃ）に示すように析出層３に
電流を流す電解メッキ法でネガ部（ネガレジストパター
ン４から露出した部分）の析出層３上にＡｕを成長さ
せ、所望のＡｕメッキパターン５を得てから（ｄ）に示
すようにレジストを除去し、最後に、（ｅ）に示すよう
に析出層３と接着層２とをエッチングして除去し、完成
させる。
第２の方法が考案されている。この第２の方法は先ず図
３（ａ）に示すように、基板１上に接着層２，析出層３
をスパッタ等で薄膜形成し、次に（ｂ）に示すようにネ
ガマスクのフォトリソグラフで所望のネガレジストパタ
ーン４を形成する。次に（ｃ）に示すように析出層３に
電流を流す電解メッキ法でネガ部（ネガレジストパター
ン４から露出した部分）の析出層３上にＡｕを成長さ
せ、所望のＡｕメッキパターン５を得てから（ｄ）に示
すようにレジストを除去し、最後に、（ｅ）に示すよう
に析出層３と接着層２とをエッチングして除去し、完成
させる。
【０００７】この第２の方法は、第１の方法に比べ、Ａ
ｕの使用効率が良く、またメッキ層の加工精度も良く、
さらに析出層３，接着層２は僅かにサイドエッチングさ
れるが、電流容量はメッキ層のサイズでほぼ決定するた
め導体パターンとしての特性には問題は生じない。然し
ながらこの第２の方法は、メッキ膜がレジストを乗り越
えると、膜形状が歪になるため、メッキ厚をレジスト厚
以上にできないという問題がある。この場合にメッキを
厚くするため、レジストをスピンナー(spinner) で低回
転させて厚く塗布する方法も考えられるが、この方法を
とるとレジスト厚が不均一になり易く、ひいてはメッキ
厚が不均一になるためこの方法も行えない。
ｕの使用効率が良く、またメッキ層の加工精度も良く、
さらに析出層３，接着層２は僅かにサイドエッチングさ
れるが、電流容量はメッキ層のサイズでほぼ決定するた
め導体パターンとしての特性には問題は生じない。然し
ながらこの第２の方法は、メッキ膜がレジストを乗り越
えると、膜形状が歪になるため、メッキ厚をレジスト厚
以上にできないという問題がある。この場合にメッキを
厚くするため、レジストをスピンナー(spinner) で低回
転させて厚く塗布する方法も考えられるが、この方法を
とるとレジスト厚が不均一になり易く、ひいてはメッキ
厚が不均一になるためこの方法も行えない。
【０００８】従ってこの問題を解決すべく図４に示す第
３の方法が考案されている。この第３の方法は、先ず図
４（ａ）に示すように基板１上にネガマスクのフォトリ
ソグラフで所望のネガレジストパターン４を形成し、そ
の上に（ｂ）に示すように接着層２，析出層３をスパッ
タ等で薄膜形成する。次に（ｃ）に示すように、レジス
ト４を除去し、このリフトオフ(lift-off)効果によりレ
ジスト４上に形成された不要な接着層２，析出層３を同
時に除去する。そして最後に（ｄ）に示すように、無電
解メッキ法で析出層３上にＡｕを成長させ、所望のＡｕ
メッキパターンを得て完成する。
３の方法が考案されている。この第３の方法は、先ず図
４（ａ）に示すように基板１上にネガマスクのフォトリ
ソグラフで所望のネガレジストパターン４を形成し、そ
の上に（ｂ）に示すように接着層２，析出層３をスパッ
タ等で薄膜形成する。次に（ｃ）に示すように、レジス
ト４を除去し、このリフトオフ(lift-off)効果によりレ
ジスト４上に形成された不要な接着層２，析出層３を同
時に除去する。そして最後に（ｄ）に示すように、無電
解メッキ法で析出層３上にＡｕを成長させ、所望のＡｕ
メッキパターンを得て完成する。
【０００９】この第３の方法は、メッキ厚の制限がなく
メッキ厚を厚くすることができ、またエッチングを行わ
ないため、メッキ層５，析出層３，接着層２の全てで加
工精度の問題は生じてこない。然しながら無電解Ａｕメ
ッキ膜は、集積回路の実装時に必要となるワイヤボンド
工程でＡｕやＡｌからなるワイヤとの付着力が弱く、ワ
イヤは接着できても後で剥がれる恐れがあり、信頼性が
低いという問題が生じる。
メッキ厚を厚くすることができ、またエッチングを行わ
ないため、メッキ層５，析出層３，接着層２の全てで加
工精度の問題は生じてこない。然しながら無電解Ａｕメ
ッキ膜は、集積回路の実装時に必要となるワイヤボンド
工程でＡｕやＡｌからなるワイヤとの付着力が弱く、ワ
イヤは接着できても後で剥がれる恐れがあり、信頼性が
低いという問題が生じる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のこの種の導体パ
ターン形成方法は、上記のように何れの方法を用いても
Ａｕの使用効率やメッキ層の加工精度が悪かったり、メ
ッキ厚が制限されてしまったり、形成されたメッキの膜
質に問題があるなど何れかの問題点があった。
ターン形成方法は、上記のように何れの方法を用いても
Ａｕの使用効率やメッキ層の加工精度が悪かったり、メ
ッキ厚が制限されてしまったり、形成されたメッキの膜
質に問題があるなど何れかの問題点があった。
【００１１】本発明はかかる問題点を解決するためにな
されたものであり、Ａｕの使用効率やメッキ層の加工精
度が良く、メッキ厚も制限されずワイヤボンド用ワイヤ
が付着し易い膜質を形成できる平面回路形成方法を得る
ことを目的としている。
されたものであり、Ａｕの使用効率やメッキ層の加工精
度が良く、メッキ厚も制限されずワイヤボンド用ワイヤ
が付着し易い膜質を形成できる平面回路形成方法を得る
ことを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の導体パターン形
成方法は、基板上にＡｕメッキを施した導体パターンか
らなる平面回路を形成する場合の導体パターン形成方法
において、上記基板上に、Ａｕの電気メッキ膜が付着し
ない材質の導体からなる接着層と、Ａｕの電気メッキ膜
が付着する材質の導体からなる析出層とで二層を形成す
る第１の段階、上記二層のうち析出層のみを、必要とす
る導体パターン形状に成形する第２の段階、上記基板全
体を電解Ａｕメッキ液に浸漬させる電解メッキを行い、
上記導体パターン形状にのみＡｕメッキ膜を付着させる
第３の段階、上記接着層のうちの上記Ａｕメッキ膜で覆
われていない部位を除去する第４の段階を備えたことを
特徴とする。
成方法は、基板上にＡｕメッキを施した導体パターンか
らなる平面回路を形成する場合の導体パターン形成方法
において、上記基板上に、Ａｕの電気メッキ膜が付着し
ない材質の導体からなる接着層と、Ａｕの電気メッキ膜
が付着する材質の導体からなる析出層とで二層を形成す
る第１の段階、上記二層のうち析出層のみを、必要とす
る導体パターン形状に成形する第２の段階、上記基板全
体を電解Ａｕメッキ液に浸漬させる電解メッキを行い、
上記導体パターン形状にのみＡｕメッキ膜を付着させる
第３の段階、上記接着層のうちの上記Ａｕメッキ膜で覆
われていない部位を除去する第４の段階を備えたことを
特徴とする。
【００１３】また、接着層の材質にＣｒ（クロム）を用
いたことを特徴とし、さらに析出層の材質にＮｉ（ニッ
ケル）を用いたことを特徴とする。
いたことを特徴とし、さらに析出層の材質にＮｉ（ニッ
ケル）を用いたことを特徴とする。
【００１４】
【作用】この発明の導体パターン形成方法においては、
Ａｕの電解メッキ膜が付着しない材質の導体（例えばＣ
ｒなど）からなる接着層と、Ａｕの電気メッキ膜が付着
する材質の導体（例えばＮｉなど）からなる析出層と
を、基板上に二層形成しておき、二層のうち析出層のみ
を、必要とする導体パターン形状に成形し、パターン成
形されていない接着層とともに電解Ａｕメッキ液に浸漬
し、接着層に通電することにより、Ａｕメッキ膜は接着
層上には付着せず、接着層を通じて通電される析出層上
にのみ付着するので、Ａｕの使用効率を高めながら所望
のパターンのＡｕメッキ膜が得られる。その後、パター
ンをマスクとして接着層をエッチングなどで除去すれ
ば、Ａｕメッキ膜のエッチングを行わずに所望の導体パ
ターンが得られ、メッキ厚が制限されることもなく、ワ
イヤが付着し易い膜質とできる。
Ａｕの電解メッキ膜が付着しない材質の導体（例えばＣ
ｒなど）からなる接着層と、Ａｕの電気メッキ膜が付着
する材質の導体（例えばＮｉなど）からなる析出層と
を、基板上に二層形成しておき、二層のうち析出層のみ
を、必要とする導体パターン形状に成形し、パターン成
形されていない接着層とともに電解Ａｕメッキ液に浸漬
し、接着層に通電することにより、Ａｕメッキ膜は接着
層上には付着せず、接着層を通じて通電される析出層上
にのみ付着するので、Ａｕの使用効率を高めながら所望
のパターンのＡｕメッキ膜が得られる。その後、パター
ンをマスクとして接着層をエッチングなどで除去すれ
ば、Ａｕメッキ膜のエッチングを行わずに所望の導体パ
ターンが得られ、メッキ厚が制限されることもなく、ワ
イヤが付着し易い膜質とできる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す構成図であり、図１
（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ各工程を示し、図において、
１はアルミナ基板、２はＡｕの電気メッキ膜が付着しな
い材質（例えばＣｒ）の膜からなる接着層、３はＡｕの
電気メッキ膜が付着する材質（例えばＮｉ）の膜からな
る析出層、４はレジスト、５はＡｕメッキ膜である。
る。図１は本発明の一実施例を示す構成図であり、図１
（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ各工程を示し、図において、
１はアルミナ基板、２はＡｕの電気メッキ膜が付着しな
い材質（例えばＣｒ）の膜からなる接着層、３はＡｕの
電気メッキ膜が付着する材質（例えばＮｉ）の膜からな
る析出層、４はレジスト、５はＡｕメッキ膜である。
【００１６】本発明の方法は、図１（ａ）に示すよう
に、始めにアルミナ基板１の上に、約０．０５μｍ厚の
Ｃｒ膜からなる接着層２と、約０．１５μｍ厚のＮｉ膜
からなる析出層３をスパッタ装置などで二層に成膜す
る。次に（ｂ）に示すように、析出層３の上にレジスト
４を約２μｍ厚に塗布し、マスクで露光，現像し、所望
のポジ型のレジストパターンを形成する。次に（ｃ）に
示すように、析出層３をエッチングして所望のパターン
に成形したのち、レジストパターン４を除去する。次に
（ｄ）に示すように、基板１全体を電解Ａｕメッキ液に
浸漬し、接着層２のＣｒ膜に直流で通電して、析出層３
上に数μｍ厚のＡｕメッキ膜を析出させ、Ａｕメッキ層
５を形成する。上述のように接着層２には、Ａｕの電気
メッキ膜が付着しない導体を用いているので、Ａｕメッ
キ膜は接着層２には付着せず、この接着層２を通じて通
電される析出層３上にのみ付着するため、Ａｕの使用効
率を低下させることはない。最後に（ｅ）に示すよう
に、接着層２のＣｒ膜をエッチングして完成する。従っ
てＡｕメッキ層５のエッチングは行わずに済み、メッキ
層の加工精度も精度良く維持できることになる。
に、始めにアルミナ基板１の上に、約０．０５μｍ厚の
Ｃｒ膜からなる接着層２と、約０．１５μｍ厚のＮｉ膜
からなる析出層３をスパッタ装置などで二層に成膜す
る。次に（ｂ）に示すように、析出層３の上にレジスト
４を約２μｍ厚に塗布し、マスクで露光，現像し、所望
のポジ型のレジストパターンを形成する。次に（ｃ）に
示すように、析出層３をエッチングして所望のパターン
に成形したのち、レジストパターン４を除去する。次に
（ｄ）に示すように、基板１全体を電解Ａｕメッキ液に
浸漬し、接着層２のＣｒ膜に直流で通電して、析出層３
上に数μｍ厚のＡｕメッキ膜を析出させ、Ａｕメッキ層
５を形成する。上述のように接着層２には、Ａｕの電気
メッキ膜が付着しない導体を用いているので、Ａｕメッ
キ膜は接着層２には付着せず、この接着層２を通じて通
電される析出層３上にのみ付着するため、Ａｕの使用効
率を低下させることはない。最後に（ｅ）に示すよう
に、接着層２のＣｒ膜をエッチングして完成する。従っ
てＡｕメッキ層５のエッチングは行わずに済み、メッキ
層の加工精度も精度良く維持できることになる。
【００１７】以上のように本発明の工程では、結局Ａｕ
が部分メッキされることになりＡｕの使用効率は良く、
また、メッキ層のエッチングを行わないのでメッキ層の
加工を精度を維持でき、メッキ中にレジストの壁などが
存在しないのでメッキ厚が制限されることもなく、電解
メッキを行うのでワイヤボンド用ワイヤが付着し易い膜
質とできることになる。
が部分メッキされることになりＡｕの使用効率は良く、
また、メッキ層のエッチングを行わないのでメッキ層の
加工を精度を維持でき、メッキ中にレジストの壁などが
存在しないのでメッキ厚が制限されることもなく、電解
メッキを行うのでワイヤボンド用ワイヤが付着し易い膜
質とできることになる。
【００１８】なお上記実施例では、接着層２にＣｒ膜を
使用し、析出層３にＮｉ膜を使用する例を示したが、上
述のように接着層２はＡｕの電気メッキ膜が付着しない
材質の導体、析出層３はＡｕの電気メッキ膜が付着する
材質の導体であれば良いことは言うまでもない。
使用し、析出層３にＮｉ膜を使用する例を示したが、上
述のように接着層２はＡｕの電気メッキ膜が付着しない
材質の導体、析出層３はＡｕの電気メッキ膜が付着する
材質の導体であれば良いことは言うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の導体パター
ン形成方法は、Ａｕの使用効率が良く、メッキ層の加工
精度を維持でき、メッキ厚が制限されることなく、ワイ
ヤボンド工程でのＡｕやＡｌからなるワイヤとの付着力
も良い膜質が形成できるという効果がある。
ン形成方法は、Ａｕの使用効率が良く、メッキ層の加工
精度を維持でき、メッキ厚が制限されることなく、ワイ
ヤボンド工程でのＡｕやＡｌからなるワイヤとの付着力
も良い膜質が形成できるという効果がある。
【図１】本発明の方法を示す工程図である。
【図２】従来の第１の方法を示す工程図である。
【図３】従来の第２の方法を示す工程図である。
【図４】従来の第３の方法を示す工程図である。
１ 基板 ２ 接着層 ３ 析出層 ４ レジスト ５ Ａｕメッキ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にＡｕ（金）メッキを施した導体
パターンからなる平面回路を形成する場合の導体パター
ン形成方法において、 上記基板上に、Ａｕの電気メッキ膜が付着しない材質の
導体からなる接着層と、Ａｕの電気メッキ膜が付着する
材質の導体からなる析出層とで二層を形成する第１の段
階、 上記二層のうち析出層のみを、必要とする導体パターン
形状に成形する第２の段階、 上記基板全体を電解Ａｕメッキ液に浸漬させる電解メッ
キ法を行い、上記導体パターン形状にのみＡｕメッキ膜
を付着させる第３の段階、 上記接着層のうちの上記Ａｕメッキ膜で覆われていない
部位を除去する第４の段階、 を備えたことを特徴とする導体パターン形成方法。 - 【請求項２】 上記接着層の材質にＣｒ（クロム）を用
いたことを特徴とする請求項第１項記載の導体パターン
形成方法。 - 【請求項３】 上記析出層の材質にＮｉ（ニッケル）を
用いたことを特徴とする請求項第１項，第２項記載の導
体パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11898095A JPH08293662A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 導体パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11898095A JPH08293662A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 導体パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293662A true JPH08293662A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=14750042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11898095A Pending JPH08293662A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 導体パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08293662A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688823B1 (ko) * | 2004-07-21 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | 고밀도 기판의 제조방법 |
-
1995
- 1995-04-21 JP JP11898095A patent/JPH08293662A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688823B1 (ko) * | 2004-07-21 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | 고밀도 기판의 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040302 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |