JPH082964A - ハイブリッド集積回路用セラミック基板 - Google Patents
ハイブリッド集積回路用セラミック基板Info
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- JPH082964A JPH082964A JP7135525A JP13552595A JPH082964A JP H082964 A JPH082964 A JP H082964A JP 7135525 A JP7135525 A JP 7135525A JP 13552595 A JP13552595 A JP 13552595A JP H082964 A JPH082964 A JP H082964A
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ハイブリッド集積回路用セラミッ
ク基板を提供する。 【構成】 薄膜メタライゼーションを有するラジオ周波
モジュールで使用するのに適した薄いBa2Ti9O20 セラミ
ック基板の作製プロセスが、明らかにされている。９
８．５％密度（４．５６ｇ／cm3 ）、高損失特性、平滑
な表面を有するほぼ単一相セラミックの形成が、１０２
０℃ないし１０９０℃、好ましくは１０３０℃ないし１
０７５℃、最も好ましくは１０４５℃ないし１０７５℃
の範囲内の温度で、プリカーサ粉末を前処理し、前処理
した粉末を所望の型に形成し、前処理した粉末の形状
を、１３３０℃ないし１３５０℃、好ましくは１３４０
℃ないし１３５０℃の範囲の温度でシンタすることによ
り、確実になる。わずかにTiO2過剰のBa2Ti9O20 組成
は、化学量論的組成又はBa過剰の組成より、平滑である
ことがわかる。そのような粉末から作られた基板は、１
０７５℃以上の温度で前処理された粉末より、表面欠陥
は少い。シンタ温度を下ることにより、基板／固定具反
応の可能性も減少する。
ク基板を提供する。 【構成】 薄膜メタライゼーションを有するラジオ周波
モジュールで使用するのに適した薄いBa2Ti9O20 セラミ
ック基板の作製プロセスが、明らかにされている。９
８．５％密度（４．５６ｇ／cm3 ）、高損失特性、平滑
な表面を有するほぼ単一相セラミックの形成が、１０２
０℃ないし１０９０℃、好ましくは１０３０℃ないし１
０７５℃、最も好ましくは１０４５℃ないし１０７５℃
の範囲内の温度で、プリカーサ粉末を前処理し、前処理
した粉末を所望の型に形成し、前処理した粉末の形状
を、１３３０℃ないし１３５０℃、好ましくは１３４０
℃ないし１３５０℃の範囲の温度でシンタすることによ
り、確実になる。わずかにTiO2過剰のBa2Ti9O20 組成
は、化学量論的組成又はBa過剰の組成より、平滑である
ことがわかる。そのような粉末から作られた基板は、１
０７５℃以上の温度で前処理された粉末より、表面欠陥
は少い。シンタ温度を下ることにより、基板／固定具反
応の可能性も減少する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はハイブリッド集積回路用
セラミック基板に係る。
セラミック基板に係る。
【０００２】
【従来技術】ラジオ周波モジュールで用いるために、大
きな薄いセラミック基板が必要とされている。これらの
モジュール（ストリップ線）の技術は、回路の寸法を小
さくし、価格を下げ、設計を簡単にするために、高誘電
率基板上に印刷された回路を用いる。薄膜の受動的な支
持として用いられる時、たとえば表面荒さ、電気抵抗、
熱伝導率及び密度といったセラミック基板の物理的特性
は、重要である。表面荒さは、薄膜導電体の均一性に影
響を与え、一方高い電気抵抗は漏れ電流又は短絡を防止
するために、必要である。適切な熱伝導率はデバイスを
破壊しうる温度上昇を防止し、一方高密度はたわみ強さ
を増進する。
きな薄いセラミック基板が必要とされている。これらの
モジュール（ストリップ線）の技術は、回路の寸法を小
さくし、価格を下げ、設計を簡単にするために、高誘電
率基板上に印刷された回路を用いる。薄膜の受動的な支
持として用いられる時、たとえば表面荒さ、電気抵抗、
熱伝導率及び密度といったセラミック基板の物理的特性
は、重要である。表面荒さは、薄膜導電体の均一性に影
響を与え、一方高い電気抵抗は漏れ電流又は短絡を防止
するために、必要である。適切な熱伝導率はデバイスを
破壊しうる温度上昇を防止し、一方高密度はたわみ強さ
を増進する。
【０００３】上に薄膜回路（ＦＩＣプロセス）やハイブ
リッド集積回路（ＨＩＰプロセス）をマウントする従来
用いられているAl2O3 基板は、高い熱伝導率と高い電気
抵抗をもつ不活性な強い土台となる。しかし、かなり低
い誘電率（ｋ〜９．６）のため、回路特性に与える影響
は限られている。ストリップ線で用いようとすると、セ
ラミックは導電体間の相互作用が強いように、高い誘電
率をもつ必要がある。Ba2Ti9O2 0 セラミックは、高い誘
電率、ｋ＝４０、低いマイクロ破損、４ＧＨzでＱ＝１
００００及び温度に対し安定な誘電率が組合さって、共
振器用に用いられてきた。このセラミックから有用な基
板を作るために必要なことは、欠陥や大きな結晶粒がな
い滑らかな表面である。
リッド集積回路（ＨＩＰプロセス）をマウントする従来
用いられているAl2O3 基板は、高い熱伝導率と高い電気
抵抗をもつ不活性な強い土台となる。しかし、かなり低
い誘電率（ｋ〜９．６）のため、回路特性に与える影響
は限られている。ストリップ線で用いようとすると、セ
ラミックは導電体間の相互作用が強いように、高い誘電
率をもつ必要がある。Ba2Ti9O2 0 セラミックは、高い誘
電率、ｋ＝４０、低いマイクロ破損、４ＧＨzでＱ＝１
００００及び温度に対し安定な誘電率が組合さって、共
振器用に用いられてきた。このセラミックから有用な基
板を作るために必要なことは、欠陥や大きな結晶粒がな
い滑らかな表面である。
【０００４】本発明の要約 本発明は薄膜メタライゼーションを有するラジオ周波モ
ジュール用の薄いBa2Ti9O2 0 セラミック基板を、実現す
る。９８．５％密度（４．５６ｇ／cm3 ）、高損失特性
及び平滑な表面を有するほぼ単一相のセラミックが、以
下のプロセスにより、確実に形成される。すなわち、１
０２０℃ないし１０９０℃の範囲、好ましくは１０３０
℃ないし１０７５℃、最も好ましくは１０４５℃ないし
１０７５℃の範囲の温度で、プリカーサ粉末を準備し、
準備した粉末を所望の形に形成し、あらかじめ形にした
粉末を、１３３０℃ないし１３５０℃、好ましくは１３
４０℃ないし１３５０℃の範囲の温度で、シンタする。
わずかに過剰のTiO2を有するBa2Ti9O2 0 組成は、化学量
論的組成又はBa過剰の組成より、滑らかであることが、
わかっている。そのような粉末から作製した基板は、１
０７５℃以上の温度であらかじめ反応させた粉末より、
表面欠陥が少い。シンタ温度がより低いことによって、
基板／固定具の反応の可能性も、減少する。
ジュール用の薄いBa2Ti9O2 0 セラミック基板を、実現す
る。９８．５％密度（４．５６ｇ／cm3 ）、高損失特性
及び平滑な表面を有するほぼ単一相のセラミックが、以
下のプロセスにより、確実に形成される。すなわち、１
０２０℃ないし１０９０℃の範囲、好ましくは１０３０
℃ないし１０７５℃、最も好ましくは１０４５℃ないし
１０７５℃の範囲の温度で、プリカーサ粉末を準備し、
準備した粉末を所望の形に形成し、あらかじめ形にした
粉末を、１３３０℃ないし１３５０℃、好ましくは１３
４０℃ないし１３５０℃の範囲の温度で、シンタする。
わずかに過剰のTiO2を有するBa2Ti9O2 0 組成は、化学量
論的組成又はBa過剰の組成より、滑らかであることが、
わかっている。そのような粉末から作製した基板は、１
０７５℃以上の温度であらかじめ反応させた粉末より、
表面欠陥が少い。シンタ温度がより低いことによって、
基板／固定具の反応の可能性も、減少する。
【０００５】本発明の詳細な記述 大きなBa2Ti9O2 0 セラミック基板は、ラジオ周波モジュ
ールに使用するためと、考えられている。０．０１０な
いし０．０８０インチ、好ましくは０．０２５ないし
０．０３０インチの範囲の厚さが、考えられている。基
板は一定の誘電率、強度、厚さ及び平滑さの指定にあう
必要がある。誘電率の条件にあうためには、Ba2Ti9O2 0
セラミックの密度は、一定でなければならず、一方少く
とも４．５６ｇ／cm3 の密度の時、適切な強度が得られ
る。この密度を得るためには、従来の粉末プロセスで
は、１１３５ないし１１４５℃の高い前処理温度と、約
１３９０℃の高いシンタ温度を、必要とする。従来、Ba
TiO3及びTiO2粉末は、共振器に適したセラミック基板を
得るために、１１００℃ないし１１５０℃において６時
間前処理し、酸素中で１３８０℃ないし１３９０℃にお
いて、６時間シンタしていた。
ールに使用するためと、考えられている。０．０１０な
いし０．０８０インチ、好ましくは０．０２５ないし
０．０３０インチの範囲の厚さが、考えられている。基
板は一定の誘電率、強度、厚さ及び平滑さの指定にあう
必要がある。誘電率の条件にあうためには、Ba2Ti9O2 0
セラミックの密度は、一定でなければならず、一方少く
とも４．５６ｇ／cm3 の密度の時、適切な強度が得られ
る。この密度を得るためには、従来の粉末プロセスで
は、１１３５ないし１１４５℃の高い前処理温度と、約
１３９０℃の高いシンタ温度を、必要とする。従来、Ba
TiO3及びTiO2粉末は、共振器に適したセラミック基板を
得るために、１１００℃ないし１１５０℃において６時
間前処理し、酸素中で１３８０℃ないし１３９０℃にお
いて、６時間シンタしていた。
【０００６】比較的薄い（０．０２５−０．０３０イン
チ）Ba2Ti9O20 基板を作製する従来のプロセスにあった
１つの問題は、Ba2Ti9O20 セラミックと、シンタ中基板
を保持する固定具（セラミック支持具）との間の反応で
ある。そのような反応により、セラミック固定具又はカ
バー重しと接触している位置で、基板表面上に、欠陥が
生じる。第２の型の欠陥、すなわち≧０．００２インチ
の直径又は深さを有する大きな表面結晶粒も、≧０．０
０４インチの線幅と〜０．０００３インチの厚さを有す
る誘電体をもつ薄膜メタライゼーションと、相互干渉す
る。後者の欠陥は、Ba2Ti9O20 結晶粒が、前処理が不適
切か、陽イオンの化学量論的組成が不適切であるため
に、急速に成長した時に起る。
チ）Ba2Ti9O20 基板を作製する従来のプロセスにあった
１つの問題は、Ba2Ti9O20 セラミックと、シンタ中基板
を保持する固定具（セラミック支持具）との間の反応で
ある。そのような反応により、セラミック固定具又はカ
バー重しと接触している位置で、基板表面上に、欠陥が
生じる。第２の型の欠陥、すなわち≧０．００２インチ
の直径又は深さを有する大きな表面結晶粒も、≧０．０
０４インチの線幅と〜０．０００３インチの厚さを有す
る誘電体をもつ薄膜メタライゼーションと、相互干渉す
る。後者の欠陥は、Ba2Ti9O20 結晶粒が、前処理が不適
切か、陽イオンの化学量論的組成が不適切であるため
に、急速に成長した時に起る。
【０００７】Ba2Ti9O20 はBaCO3 及びTiO2又はBaTiO3及
びTiO2が高温で反応した時形成されるいくつかのBa−Ti
−Ｏ化合物の１つである。もし出発材料の粉末が、よく
混合され、適切な比率をもつなら、前処理された粉末中
の化合物の分布は、加熱の温度と時間に依存する。Ba2T
i9O2 0 以外に他の相が前処理中に形成され、それらには
Ba4Ti1 3O30、BaTi4O9 及びBaTi5O11が含まれる。少くと
も１５％のBa2Ti9O2 0相が前処理中形成されなければ、
シンタリングによって高損失特性をもつ高密度の、ほぼ
単一相のBa2Ti9O2 0 セラミックは生じない。この状況
は、BaTi4O9 に比べBa2Ti9O2 0 の形成が遅れ、前処理及
びシンタの両工程中、BaTi4O9 結晶粒が急速に成長する
ことから生じる。一度大きな結晶粒として形成される
と、BaTi4O9は比較的安定で、焼結される表面において
凝集する傾向があり、そこで表面の荒さを増す。
びTiO2が高温で反応した時形成されるいくつかのBa−Ti
−Ｏ化合物の１つである。もし出発材料の粉末が、よく
混合され、適切な比率をもつなら、前処理された粉末中
の化合物の分布は、加熱の温度と時間に依存する。Ba2T
i9O2 0 以外に他の相が前処理中に形成され、それらには
Ba4Ti1 3O30、BaTi4O9 及びBaTi5O11が含まれる。少くと
も１５％のBa2Ti9O2 0相が前処理中形成されなければ、
シンタリングによって高損失特性をもつ高密度の、ほぼ
単一相のBa2Ti9O2 0 セラミックは生じない。この状況
は、BaTi4O9 に比べBa2Ti9O2 0 の形成が遅れ、前処理及
びシンタの両工程中、BaTi4O9 結晶粒が急速に成長する
ことから生じる。一度大きな結晶粒として形成される
と、BaTi4O9は比較的安定で、焼結される表面において
凝集する傾向があり、そこで表面の荒さを増す。
【０００８】たとえば低損失、高誘電率共振セラミック
としてBa2Ti9O20 を使用するための、従来のBa−Ti−Ｏ
セラミックプロセスにおいて、目的は機械的に安定で、
非常に高い損失特性と、共振周波数の低い温度係数をも
つセラミックを形成することであった。これらの目的
は、陽イオンの化学量論的組成を注意深く制御し、高純
度の原料を用い、高密度で完全な酸化プロセスを行い、
TiO2第２相を抑えることにより、達成された。１３９０
℃程度の高いシンタ温度が、そのようなセラミックを生
成するために、必要であった。ある程度のBa2Ti9O2 0 を
含まない粉末を生じた低温前処理によって、適切な共振
セラミックは生成しなかった。これらのセラミックはし
ばしば著しい量のBaTi4O9 第２層を含み、それは誘電率
を下げ、温度係数を上昇させた。BaTi4O9 を形成するた
め、シンタリング温度を下げた時、密度及び損失特性は
減少した。
としてBa2Ti9O20 を使用するための、従来のBa−Ti−Ｏ
セラミックプロセスにおいて、目的は機械的に安定で、
非常に高い損失特性と、共振周波数の低い温度係数をも
つセラミックを形成することであった。これらの目的
は、陽イオンの化学量論的組成を注意深く制御し、高純
度の原料を用い、高密度で完全な酸化プロセスを行い、
TiO2第２相を抑えることにより、達成された。１３９０
℃程度の高いシンタ温度が、そのようなセラミックを生
成するために、必要であった。ある程度のBa2Ti9O2 0 を
含まない粉末を生じた低温前処理によって、適切な共振
セラミックは生成しなかった。これらのセラミックはし
ばしば著しい量のBaTi4O9 第２層を含み、それは誘電率
を下げ、温度係数を上昇させた。BaTi4O9 を形成するた
め、シンタリング温度を下げた時、密度及び損失特性は
減少した。
【０００９】ラジオ周波モジュール中でBa2Ti9O20 基板
を用いるためには、固有の損失特性は重要ではない。な
ぜなら、基板はメタライゼーションされない表面より、
メタライゼーションされた表面を有するからである。ま
た、共振器セラミックでは、薄膜基板中の微細クラック
を避けるため、Baが過剰な組成を必要とされるが、ラジ
オ周波モジュール基板中では、化学量論的組成への依存
性がないことを、見い出した。すなわち、基板の薄い断
面（０．０１０ないし０．０８０インチ）は、再酸化の
必要性と、微細クラックの傾向の両方を減す。また、も
し前処理温度を、十分な反応性が保たれる範囲に低下さ
せるなら、より低い前処理温度によって、シンタリング
温度は低くなり、セラミック基板は改善されることも、
見い出した。また、シンタリング温度を下ることによ
り、基板／固定具反応の程度も、減少する。温度が下る
ことによって、そりのような歪やクラックが減少し、表
面結晶粒がより小さくなるため、二次的な効果として、
平坦さと平滑な表面が改善されるはずである。発明者は
１０２０ないし１０９０℃、好ましくは１０３０ないし
１０７５℃の範囲の温度での前処理と、それに続く１３
３０ないし１３５０℃の範囲の温度におけるシンタリン
グにより、高密度（≧４．５５ｇ／cm3 ）及び平滑な表
面を有する薄い基板の生成が可能になることを、発見し
た。TiO2がわずかに過剰な組成により、化学量論的又は
Ba過剰の組成より、平滑な表面が得られた。
を用いるためには、固有の損失特性は重要ではない。な
ぜなら、基板はメタライゼーションされない表面より、
メタライゼーションされた表面を有するからである。ま
た、共振器セラミックでは、薄膜基板中の微細クラック
を避けるため、Baが過剰な組成を必要とされるが、ラジ
オ周波モジュール基板中では、化学量論的組成への依存
性がないことを、見い出した。すなわち、基板の薄い断
面（０．０１０ないし０．０８０インチ）は、再酸化の
必要性と、微細クラックの傾向の両方を減す。また、も
し前処理温度を、十分な反応性が保たれる範囲に低下さ
せるなら、より低い前処理温度によって、シンタリング
温度は低くなり、セラミック基板は改善されることも、
見い出した。また、シンタリング温度を下ることによ
り、基板／固定具反応の程度も、減少する。温度が下る
ことによって、そりのような歪やクラックが減少し、表
面結晶粒がより小さくなるため、二次的な効果として、
平坦さと平滑な表面が改善されるはずである。発明者は
１０２０ないし１０９０℃、好ましくは１０３０ないし
１０７５℃の範囲の温度での前処理と、それに続く１３
３０ないし１３５０℃の範囲の温度におけるシンタリン
グにより、高密度（≧４．５５ｇ／cm3 ）及び平滑な表
面を有する薄い基板の生成が可能になることを、発見し
た。TiO2がわずかに過剰な組成により、化学量論的又は
Ba過剰の組成より、平滑な表面が得られた。
【００１０】基板作製に適した粉末は、よく混合された
BaTiO3＋TiO2から作成される。全体的な化学式はBaTiO3
＋３．５ｘTiO2で、ｘは１．００１ないし１．０１であ
る。ｘの値は、シンタリングしたとき、少量のTiO2第２
相を有するセラミックを生じるよう、経験的に決めた。
容量の温度係数が大きくなるため、大きなｘの値は望ま
しくない。混合した粉末は、１０３０ないし１０７５℃
の範囲の温度において、６時間、前処理した。
BaTiO3＋TiO2から作成される。全体的な化学式はBaTiO3
＋３．５ｘTiO2で、ｘは１．００１ないし１．０１であ
る。ｘの値は、シンタリングしたとき、少量のTiO2第２
相を有するセラミックを生じるよう、経験的に決めた。
容量の温度係数が大きくなるため、大きなｘの値は望ま
しくない。混合した粉末は、１０３０ないし１０７５℃
の範囲の温度において、６時間、前処理した。
【００１１】水中の前処理した粉末を、１／２インチZr
O2媒体で５時間ひいた後、粉末を乾燥させ、粒状にし
た。空気中９００℃において、あらゆる可塑性含有物を
除去するのに十分な時間、加熱するのに続き、前処理し
た粉末を、各種の形及び寸法に形成した。薄い形を形成
する各種の方法が、これらの粉末とともに、使用でき
る。たとえば、加圧、テープ鋳造又はロール圧密成形が
使用できる。シタンリングは１３３０℃ないし１３９０
℃において、６時間、酸素中で行った。
O2媒体で５時間ひいた後、粉末を乾燥させ、粒状にし
た。空気中９００℃において、あらゆる可塑性含有物を
除去するのに十分な時間、加熱するのに続き、前処理し
た粉末を、各種の形及び寸法に形成した。薄い形を形成
する各種の方法が、これらの粉末とともに、使用でき
る。たとえば、加圧、テープ鋳造又はロール圧密成形が
使用できる。シタンリングは１３３０℃ないし１３９０
℃において、６時間、酸素中で行った。
【００１２】粒径は研磨された円盤又はクーポン上で測
定し、１１５０℃で熱的にエッチングし、液浸法によ
り、密度を得た。研磨された円盤の微細構造を、第２相
を明らかにするための熱的エッチングの前及び後に、光
学的に調べた。表面荒さは、２mmトレース上の分布測定
器（デクタクＩＩ、ベッコ社）で、１２μｍ径の探針で
測定した。不安定な誘電体特性を生じる微細クラックの
存在（又はなし）を、色素ステイニングにより、決め
た。
定し、１１５０℃で熱的にエッチングし、液浸法によ
り、密度を得た。研磨された円盤の微細構造を、第２相
を明らかにするための熱的エッチングの前及び後に、光
学的に調べた。表面荒さは、２mmトレース上の分布測定
器（デクタクＩＩ、ベッコ社）で、１２μｍ径の探針で
測定した。不安定な誘電体特性を生じる微細クラックの
存在（又はなし）を、色素ステイニングにより、決め
た。
【００１３】シンタされた密度に対する前処理及びシン
タリング温度の効果が、図１に示されている。＞４．５
５ｇ／cm3 の密度の場合、≦１０４５℃で前処理した粉
末は、１３７０℃以下でシンタしなければならず、一方
１１３５℃で前処理した粉末は、１３５０℃以上でシン
タしなければならない。１０３０℃ないし１０７５℃で
前処理した粉末は、１３５０℃のシンタで最も高い密度
を得る粉末を生じる。第２相を生じる条件は、特別な記
号（大きな円）により、示されている。
タリング温度の効果が、図１に示されている。＞４．５
５ｇ／cm3 の密度の場合、≦１０４５℃で前処理した粉
末は、１３７０℃以下でシンタしなければならず、一方
１１３５℃で前処理した粉末は、１３５０℃以上でシン
タしなければならない。１０３０℃ないし１０７５℃で
前処理した粉末は、１３５０℃のシンタで最も高い密度
を得る粉末を生じる。第２相を生じる条件は、特別な記
号（大きな円）により、示されている。
【００１４】表Ｉは１１３５℃、１１００℃及び１０７
５℃において前処理し、１３３０℃ないし１４００℃の
範囲内の温度でシンタした粉末から作った基板クーポン
（１×１×．０２７インチ）の密度及び表面荒さを比較
したものである。同様の密度の場合、より低い温度で前
処理した粉末で作製した高密度セラミックで、表面荒さ
のより小さいものが、得られた。
５℃において前処理し、１３３０℃ないし１４００℃の
範囲内の温度でシンタした粉末から作った基板クーポン
（１×１×．０２７インチ）の密度及び表面荒さを比較
したものである。同様の密度の場合、より低い温度で前
処理した粉末で作製した高密度セラミックで、表面荒さ
のより小さいものが、得られた。
【００１５】
【表１】 前処理した粉末から得られたセラミックの微細構造は、
通常＞９５％Ba2Ti9O2 0 相である。≦１０４５℃で前処
理し、≧１３７０℃でシンタした粉末からは、例外が生
じた。これらの温度はBaTi4O9 結晶粒の成長に適し、非
常に大きなBaTi4O9 結晶粒（〜５００μｍ×１００μ
ｍ）が、小さなBa2Ti9O2 0 及びTiO2結晶粒の母体中に、
見い出された。Ba2Ti9O2 0 の粒径は、シンタ温度ととも
に増加し、１３３０℃で３−５μｍになり、≧１０９０
℃で前処理した粉末の場合、１３９０℃で１０−１５μ
ｍに増加した。
通常＞９５％Ba2Ti9O2 0 相である。≦１０４５℃で前処
理し、≧１３７０℃でシンタした粉末からは、例外が生
じた。これらの温度はBaTi4O9 結晶粒の成長に適し、非
常に大きなBaTi4O9 結晶粒（〜５００μｍ×１００μ
ｍ）が、小さなBa2Ti9O2 0 及びTiO2結晶粒の母体中に、
見い出された。Ba2Ti9O2 0 の粒径は、シンタ温度ととも
に増加し、１３３０℃で３−５μｍになり、≧１０９０
℃で前処理した粉末の場合、１３９０℃で１０−１５μ
ｍに増加した。
【００１６】つけ加えられる利点及び修正点は、当業者
には容易に明らかであろう。従って、本発明は広義に
は、ここで示し述べた具体的な詳細、デバイス例及び各
種の例には、限定されない。添付された特許請求の範囲
及びそれらと等価なものにより規定される本発明の一般
的な概念の精神又は視野を離れることなく、各種の修正
ができる可能性がある。
には容易に明らかであろう。従って、本発明は広義に
は、ここで示し述べた具体的な詳細、デバイス例及び各
種の例には、限定されない。添付された特許請求の範囲
及びそれらと等価なものにより規定される本発明の一般
的な概念の精神又は視野を離れることなく、各種の修正
ができる可能性がある。
【図１】１３３０℃ないし１３９０℃においてシンタし
た粉末について、前処理温度対シンタ密度をプロット
し、円の点は主な相として、BaTi4O9 の大きな結晶粒を
もつことを示す図。
た粉末について、前処理温度対シンタ密度をプロット
し、円の点は主な相として、BaTi4O9 の大きな結晶粒を
もつことを示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｄ 7511−4Ｅ (72)発明者 ウォーレン ウィリアム ローデス アメリカ合衆国 08869 ニュージャーシ ィ，ラリタン，バーウィック ストリート 15
Claims (9)
- 【請求項１】 TiO2とBaCO3 及びBaTiO3の少くとも１つ
を含むプリカーサ材料を前処理し、前処理した材料を、
所望の薄い形状に形成し、かつ形成された前処理の済ん
だ材料をシンタすることを含むBa2Ti9O2 0 セラミック基
板の作製プロセスにおいて、 平滑な表面を有する高密度基板の形成を確実にするため
に、前記前処理は１０２０℃ないし１０９０℃の範囲の
温度で行われ、前記シンタは１３３０ないし１３５０℃
の範囲の温度で行われることを特徴とするプロセス。 - 【請求項２】 前記プリカーサ材料はBaTiO3及びTiO2で
ある請求項１記載のプロセス。 - 【請求項３】 プリカーサ材料は、ｘが１．００１ない
し１．０１パーセントである時、全体を表わす化学式Ba
TiO3＋３．５ｘTiO2に従うよう組合される請求項２記載
のプロセス。 - 【請求項４】 前記前処理温度は、１０４５ないし１０
７５℃の範囲である請求項１記載のプロセス。 - 【請求項５】 前記シンタ温度は１３４０℃ないし１３
５０℃の範囲である請求項１記載のプロセス。 - 【請求項６】 前記薄い形状は０．０１０ないし０．０
８０インチの範囲の厚さを有する請求項１記載のプロセ
ス。 - 【請求項７】 前記厚い形状は０．０２５ないし０．０
３０インチの範囲の厚さを有する請求項１記載のプロセ
ス。 - 【請求項８】 シンタされた形状の表面の荒さは、３０
μインチより小さい請求項１記載のプロセス。 - 【請求項９】 前記基板は４．５５ｇ／cm3 以上の密度
と、３０μインチ以下の基板主表面の荒さを有する請求
項１記載の方法により作製されたBa2Ti9O2 0基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US25279694A | 1994-06-02 | 1994-06-02 | |
| US08/252796 | 1994-06-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH082964A true JPH082964A (ja) | 1996-01-09 |
Family
ID=22957589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7135525A Withdrawn JPH082964A (ja) | 1994-06-02 | 1995-06-02 | ハイブリッド集積回路用セラミック基板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0685436A1 (ja) |
| JP (1) | JPH082964A (ja) |
| KR (1) | KR960000825A (ja) |
| CN (1) | CN1117478A (ja) |
| TW (1) | TW277053B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1304334C (zh) * | 2004-05-24 | 2007-03-14 | Tdk株式会社 | 氧化锆装载板、陶瓷基片的制造方法 |
| CN101805179B (zh) * | 2010-03-04 | 2012-11-21 | 西北工业大学 | 钛酸锶钡厚膜材料的制备方法 |
| CN111099892A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-05-05 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种钛酸钡基两相复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3938064A (en) * | 1973-09-04 | 1976-02-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Devices using low loss dielectric material |
| JPS55102292A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Nippon Electric Co | High frequency high output transistor amplifier |
| JPH0570222A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ＢａＯ−ｘＴｉＯ２ 系誘電体磁器 |
-
1995
- 1995-04-27 TW TW084104196A patent/TW277053B/zh active
- 1995-05-24 EP EP95303502A patent/EP0685436A1/en not_active Withdrawn
- 1995-05-29 CN CN95105587A patent/CN1117478A/zh active Pending
- 1995-06-01 KR KR1019950014505A patent/KR960000825A/ko not_active Withdrawn
- 1995-06-02 JP JP7135525A patent/JPH082964A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960000825A (ko) | 1996-01-25 |
| CN1117478A (zh) | 1996-02-28 |
| TW277053B (ja) | 1996-06-01 |
| EP0685436A1 (en) | 1995-12-06 |
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