JPH08297264A - 導波路型光デバイス装置 - Google Patents
導波路型光デバイス装置Info
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度変化に起因する表面電荷の変動を除去
し、動作が安定な光デバイスを提供することを目的とす
る。 【構成】 導波路型光デバイス装置は、導波路を有する
導波路型光デバイスと、導波路型光デバイスを支持する
導電性マウントと、導波路型光デバイスと導電性マウン
トを電気的に接続する導電性接続部と、を有する。
し、動作が安定な光デバイスを提供することを目的とす
る。 【構成】 導波路型光デバイス装置は、導波路を有する
導波路型光デバイスと、導波路型光デバイスを支持する
導電性マウントと、導波路型光デバイスと導電性マウン
トを電気的に接続する導電性接続部と、を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光位相変調器、光強度
変調器、光スイッチ等の光デバイスに関わり、より詳細
には光導波路を有する導波路型光デバイスを含む導波路
型光デバイス装置に関する。
変調器、光スイッチ等の光デバイスに関わり、より詳細
には光導波路を有する導波路型光デバイスを含む導波路
型光デバイス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光導波路を有する導波路型光デバ
イスとして、光位相変調器、光強度変調器、光スイッチ
等が知られている。斯かる光デバイスは光導波路に電界
等を印加してそこを伝播する光を制御するように構成さ
れている。
イスとして、光位相変調器、光強度変調器、光スイッチ
等が知られている。斯かる光デバイスは光導波路に電界
等を印加してそこを伝播する光を制御するように構成さ
れている。
【０００３】図３に従来の導波路型光デバイスの例とし
て光位相変調器を示す。光位相変調器は基板１１と該基
板１１の上面１１Ａに沿って形成された導波路１３と斯
かる導波路１３の両側に形成された位相変調用電極１５
Ａ、１５Ｂとを有する。
て光位相変調器を示す。光位相変調器は基板１１と該基
板１１の上面１１Ａに沿って形成された導波路１３と斯
かる導波路１３の両側に形成された位相変調用電極１５
Ａ、１５Ｂとを有する。
【０００４】基板１１はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ
3 ）、タンタル酸リチウム（ＴａＮｂＯ3 ）等の強誘電
体結晶板よりなる。図中のＸＹＺ軸は強誘電体結晶軸を
表す。この例では、Ｘカット基板のＸ面に導波路１３が
形成されており、Ｙ軸方向に光が伝播するように導波路
１３が形成されている。
3 ）、タンタル酸リチウム（ＴａＮｂＯ3 ）等の強誘電
体結晶板よりなる。図中のＸＹＺ軸は強誘電体結晶軸を
表す。この例では、Ｘカット基板のＸ面に導波路１３が
形成されており、Ｙ軸方向に光が伝播するように導波路
１３が形成されている。
【０００５】導波路１３は金属拡散法又はプロトン交換
法によって形成される。金属拡散法では、チタン（Ｔ
ｉ）等の金属を拡散することによって導波路１３が形成
され、プロトン交換法では、基板１１のリチウムとプロ
トン交換することによって高屈折領域（Ｌｉ1-X ＨX Ｎ
ｂＯ3 ）が形成される。
法によって形成される。金属拡散法では、チタン（Ｔ
ｉ）等の金属を拡散することによって導波路１３が形成
され、プロトン交換法では、基板１１のリチウムとプロ
トン交換することによって高屈折領域（Ｌｉ1-X ＨX Ｎ
ｂＯ3 ）が形成される。
【０００６】位相変調用電極１５Ａ、１５Ｂに交流電圧
源が接続され、導波路１３に電界が印加される。ポッケ
ルス効果によって、導波路１３の屈折率が変化するか
ら、導波路１３を伝播する光の位相が変化する。
源が接続され、導波路１３に電界が印加される。ポッケ
ルス効果によって、導波路１３の屈折率が変化するか
ら、導波路１３を伝播する光の位相が変化する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ3 ）、タンタル酸リチウム（ＴａＮｂＯ3 ）等
の強誘電体結晶は自発分極する。図示の矢印１７は分極
方向（Ｚ軸方向）を表し、それに垂直な側面１１Ｂ、１
１Ｂ、即ち、Ｚ面が分極面である。従って、結晶表面に
は常に電荷が帯電しているが、斯かる電荷は通常、空気
中のイオン等によって中和されている。
ｉＮｂＯ3 ）、タンタル酸リチウム（ＴａＮｂＯ3 ）等
の強誘電体結晶は自発分極する。図示の矢印１７は分極
方向（Ｚ軸方向）を表し、それに垂直な側面１１Ｂ、１
１Ｂ、即ち、Ｚ面が分極面である。従って、結晶表面に
は常に電荷が帯電しているが、斯かる電荷は通常、空気
中のイオン等によって中和されている。
【０００８】しかしながら、温度が変化すると焦電効果
によって自発分極が変化し表面電荷が非平衡となる。そ
れによって、両側の分極面１１Ｂ、１１Ｂにそれぞれ正
負の電荷が現れる。斯かる電荷によって生成された電界
が導波路１３に付加的に印加され、光デバイスの動作が
不安定となる。
によって自発分極が変化し表面電荷が非平衡となる。そ
れによって、両側の分極面１１Ｂ、１１Ｂにそれぞれ正
負の電荷が現れる。斯かる電荷によって生成された電界
が導波路１３に付加的に印加され、光デバイスの動作が
不安定となる。
【０００９】本発明は斯かる点に鑑み、温度変化に起因
する表面電荷の変動を除去し、動作が安定な光デバイス
を提供することを目的とする。
する表面電荷の変動を除去し、動作が安定な光デバイス
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によると、導波路
型光デバイス装置は、導波路を有する導波路型光デバイ
スと、該導波路型光デバイスを支持する導電性マウント
と、上記導波路型光デバイスと導電性マウントを電気的
に接続する導電性接続部と、を有する。
型光デバイス装置は、導波路を有する導波路型光デバイ
スと、該導波路型光デバイスを支持する導電性マウント
と、上記導波路型光デバイスと導電性マウントを電気的
に接続する導電性接続部と、を有する。
【００１１】本発明によると、導波路型光デバイス装置
において、上記導波路型光デバイスは上記導電性マウン
トの凹部内に配置され、上記導電性接続部は上記上記導
波路型光デバイスの分極面と上記導電性マウントの凹部
を接続するように配置されていることを特徴とする。
において、上記導波路型光デバイスは上記導電性マウン
トの凹部内に配置され、上記導電性接続部は上記上記導
波路型光デバイスの分極面と上記導電性マウントの凹部
を接続するように配置されていることを特徴とする。
【００１２】本発明によると、導波路型光デバイス装置
において、上記導電性接続部は波状に湾曲した弾性部材
よりなることを特徴とする。
において、上記導電性接続部は波状に湾曲した弾性部材
よりなることを特徴とする。
【００１３】本発明によると、導波路型光デバイス装置
において、上記導電性接続部は導電性ゴムよりなること
を特徴とする。
において、上記導電性接続部は導電性ゴムよりなること
を特徴とする。
【００１４】本発明によると、導波路型光デバイス装置
において、上記導波路型光デバイスは基板と該基板の上
面に形成された導波路とを有し、該導波路は上記基板の
分極方向と垂直に延在していることを特徴とする。
において、上記導波路型光デバイスは基板と該基板の上
面に形成された導波路とを有し、該導波路は上記基板の
分極方向と垂直に延在していることを特徴とする。
【００１５】
【作用】導波路型光デバイスの表面に帯電した電荷は導
電性接続部を経由して導電性マウントに放電される。従
って、導波路型光デバイスの基板の分極面が正負に帯電
することはない。
電性接続部を経由して導電性マウントに放電される。従
って、導波路型光デバイスの基板の分極面が正負に帯電
することはない。
【００１６】導電性接続部は波状に湾曲した弾性部材又
は導電性ゴムよりなるから、導波路型光デバイスと導電
性マウントの間の振動の伝播は防止される。
は導電性ゴムよりなるから、導波路型光デバイスと導電
性マウントの間の振動の伝播は防止される。
【００１７】
【実施例】図１を参照して本発明による導波路型光デバ
イス装置の第１の例を説明する。本例の導波路型光デバ
イス装置は導波路型光デバイス１０と該導波路型光デバ
イス１０を収納する導電性マウント２１と両者の間に挟
まれた導電性接続部材３１とを有する。
イス装置の第１の例を説明する。本例の導波路型光デバ
イス装置は導波路型光デバイス１０と該導波路型光デバ
イス１０を収納する導電性マウント２１と両者の間に挟
まれた導電性接続部材３１とを有する。
【００１８】導波路型光デバイス１０は、例えば図３に
示した光位相変調器と同様な構成であってよい。従っ
て、導波路型光デバイス１０は、例えば、基板１１とそ
の上面１１Ａに形成された導波路１３と該導波路１３の
両側に形成された位相変調用電極１５Ａ、１５Ｂとを有
する。
示した光位相変調器と同様な構成であってよい。従っ
て、導波路型光デバイス１０は、例えば、基板１１とそ
の上面１１Ａに形成された導波路１３と該導波路１３の
両側に形成された位相変調用電極１５Ａ、１５Ｂとを有
する。
【００１９】基板１１はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ
3 ）、タンタル酸リチウム（ＴａＮｂＯ3 ）等の強誘電
体結晶板が使用される。図中のＸＹＺ軸は強誘電体結晶
軸である。Ｘカット基板のＸ面に導波路１３が形成され
ており、Ｙ軸方向に光が伝播するように導波路１３が形
成されている。矢印１７が分極方向（Ｚ軸方向）であ
り、それに垂直な両側の側面１１Ｂ、１１Ｂが分極面で
ある。
3 ）、タンタル酸リチウム（ＴａＮｂＯ3 ）等の強誘電
体結晶板が使用される。図中のＸＹＺ軸は強誘電体結晶
軸である。Ｘカット基板のＸ面に導波路１３が形成され
ており、Ｙ軸方向に光が伝播するように導波路１３が形
成されている。矢印１７が分極方向（Ｚ軸方向）であ
り、それに垂直な両側の側面１１Ｂ、１１Ｂが分極面で
ある。
【００２０】導電性マウント２１には溝部又は凹部２２
が形成され、斯かる凹部２２に基板１１が配置されてい
る。導電性マウント２１の凹部２２と基板１１の間には
導電性接続部材３１が配置されている。好ましくは、導
電性接続部材３１は基板１１の分極面１１Ｂ、１１Ｂと
それに対応する導電性マウント２１の凹部２２の内面の
間に配置される。こうして、基板１１と導電性マウント
２１は導電性接続部材３１によって電気的に接続されて
いる。導電性マウント２１は金属等の適当な導電性材よ
りなる。
が形成され、斯かる凹部２２に基板１１が配置されてい
る。導電性マウント２１の凹部２２と基板１１の間には
導電性接続部材３１が配置されている。好ましくは、導
電性接続部材３１は基板１１の分極面１１Ｂ、１１Ｂと
それに対応する導電性マウント２１の凹部２２の内面の
間に配置される。こうして、基板１１と導電性マウント
２１は導電性接続部材３１によって電気的に接続されて
いる。導電性マウント２１は金属等の適当な導電性材よ
りなる。
【００２１】導電性接続部材３１は、好ましくは弾性変
形可能な導電性部材よりなり、例えば図示のように波形
の薄い板状導電性部材であってよく又は導電性ゴムであ
ってよい。
形可能な導電性部材よりなり、例えば図示のように波形
の薄い板状導電性部材であってよく又は導電性ゴムであ
ってよい。
【００２２】温度変化に起因する焦電効果によって、基
板１１の分極面１１Ｂ、１１Ｂが正負に帯電しても、電
荷は導電性接続部材３１経由して導電性マウント２１に
放電される。
板１１の分極面１１Ｂ、１１Ｂが正負に帯電しても、電
荷は導電性接続部材３１経由して導電性マウント２１に
放電される。
【００２３】図２を参照して本発明による導波路型光デ
バイス装置の第２の例を説明する。本例の導波路型光デ
バイス装置は導波路型光デバイス１０と該導波路型光デ
バイス１０を支持する導電性マウント２１と両者を接続
する導電性接続材３３とを有する。
バイス装置の第２の例を説明する。本例の導波路型光デ
バイス装置は導波路型光デバイス１０と該導波路型光デ
バイス１０を支持する導電性マウント２１と両者を接続
する導電性接続材３３とを有する。
【００２４】導波路型光デバイス１０は例えば図１に示
した第１の例の導波路型光デバイス１０と同様な構成で
あってよく、基板１１とその上面１１Ａに形成された導
波路１３及び位相変調用電極１５Ａ、１５Ｂとを有す
る。
した第１の例の導波路型光デバイス１０と同様な構成で
あってよく、基板１１とその上面１１Ａに形成された導
波路１３及び位相変調用電極１５Ａ、１５Ｂとを有す
る。
【００２５】この例では、導波路型光デバイス１０は導
電性マウント２１の平坦な上面２１Ａ上に配置されてお
り、導電性マウント２１には第１の例の如き溝部又は凹
部が形成されていない。基板１１の両側の側面、即ち、
分極面１１Ｂ、１１Ｂと導電性マウント２１の上面２１
Ａを接続するように導電性接続材３３が装着されてい
る。導電性接続材３３は導電性ゴムであってよい。斯か
る導電性接続材３３によって基板１１と導電性マウント
２１は電気的に接続され且つ基板１１は導電性マウント
２１に支持される。
電性マウント２１の平坦な上面２１Ａ上に配置されてお
り、導電性マウント２１には第１の例の如き溝部又は凹
部が形成されていない。基板１１の両側の側面、即ち、
分極面１１Ｂ、１１Ｂと導電性マウント２１の上面２１
Ａを接続するように導電性接続材３３が装着されてい
る。導電性接続材３３は導電性ゴムであってよい。斯か
る導電性接続材３３によって基板１１と導電性マウント
２１は電気的に接続され且つ基板１１は導電性マウント
２１に支持される。
【００２６】以上本発明の実施例について詳細に説明し
たが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明の要
旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得ることは
当業者にとって容易に理解されよう。
たが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明の要
旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得ることは
当業者にとって容易に理解されよう。
【００２７】
【発明の効果】本発明の導波路型光デバイスによると、
基板１１の表面電荷は導電性マウントに放電されるか
ら、基板１１の分極面が正負に帯電することがない利点
を有する。
基板１１の表面電荷は導電性マウントに放電されるか
ら、基板１１の分極面が正負に帯電することがない利点
を有する。
【００２８】本発明の導波路型光デバイスによると、基
板１１の分極面が正負に帯電することがないから、光デ
バイスの動作が不安定になることがない利点を有する。
板１１の分極面が正負に帯電することがないから、光デ
バイスの動作が不安定になることがない利点を有する。
【００２９】本発明の導波路型光デバイスによると、基
板１１の分極面が正負に帯電することがないから、焦電
効果に起因する温度特性を改善することができる利点を
有する。
板１１の分極面が正負に帯電することがないから、焦電
効果に起因する温度特性を改善することができる利点を
有する。
【図１】本発明による導波路型光デバイスの第１の例を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明による導波路型光デバイスの第２の例を
示す図である。
示す図である。
【図３】従来の導波路型光デバイスの例を示す図であ
る。
る。
１１ 基板 １１Ａ 上面 １１Ｂ 側面（分極面） １３ 導波路 １５Ａ１５Ｂ 電極 １７ 分極方向 ２１ 導電性マウント ２１Ａ 上面 ２２ 溝部又は凹部 ３１ 導電性接続部材 ３３ 導電性接続材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年５月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】基板１１はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ
3 ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）等の強誘電
体結晶板よりなる。図中のＸＹＺ軸は強誘電体結晶軸を
表す。この例では、Ｘカット基板のＸ面に導波路１３が
形成されており、Ｙ軸方向に光が伝播するように導波路
１３が形成されている。
3 ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）等の強誘電
体結晶板よりなる。図中のＸＹＺ軸は強誘電体結晶軸を
表す。この例では、Ｘカット基板のＸ面に導波路１３が
形成されており、Ｙ軸方向に光が伝播するように導波路
１３が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ3 ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）等
の強誘電体結晶は自発分極する。図示の矢印１７は分極
方向（Ｚ軸方向）を表し、それに垂直な側面１１Ｂ、１
１Ｂ、即ち、Ｚ面が分極面である。従って、結晶表面に
は常に電荷が帯電しているが、斯かる電荷は通常、空気
中のイオン等によって中和されている。
ｉＮｂＯ3 ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）等
の強誘電体結晶は自発分極する。図示の矢印１７は分極
方向（Ｚ軸方向）を表し、それに垂直な側面１１Ｂ、１
１Ｂ、即ち、Ｚ面が分極面である。従って、結晶表面に
は常に電荷が帯電しているが、斯かる電荷は通常、空気
中のイオン等によって中和されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】本発明によると、導波路型光デバイス装置
において、上記導波路型光デバイスは上記導電性マウン
トの凹部内に配置され、上記導電性接続部は上記導波路
型光デバイスの分極面と上記導電性マウントの凹部を接
続するように配置されていることを特徴とする。 ─────────────────────────────────────────────────────
において、上記導波路型光デバイスは上記導電性マウン
トの凹部内に配置され、上記導電性接続部は上記導波路
型光デバイスの分極面と上記導電性マウントの凹部を接
続するように配置されていることを特徴とする。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年５月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】基板１１はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ
3 ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）等の強誘電
体結晶板が使用される。図中のＸＹＺ軸は強誘電体結晶
軸である。Ｘカット基板のＸ面に導波路１３が形成され
ており、Ｙ軸方向に光が伝播するように導波路１３が形
成されている。矢印１７が分極方向（Ｚ軸方向）であ
り、それに垂直な両側の側面１１Ｂ、１１Ｂが分極面で
ある。
3 ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）等の強誘電
体結晶板が使用される。図中のＸＹＺ軸は強誘電体結晶
軸である。Ｘカット基板のＸ面に導波路１３が形成され
ており、Ｙ軸方向に光が伝播するように導波路１３が形
成されている。矢印１７が分極方向（Ｚ軸方向）であ
り、それに垂直な両側の側面１１Ｂ、１１Ｂが分極面で
ある。
Claims (5)
- 【請求項１】 導波路を有する導波路型光デバイスと、
該導波路型光デバイスを支持する導電性マウントと、上
記導波路型光デバイスと導電性マウントを電気的に接続
する導電性接続部と、を有する導波路型光デバイス装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の導波路型光デバイス装置
において、 上記導波路型光デバイスは上記導電性マウントの凹部内
に配置され、上記導電性接続部は上記導波路型光デバイ
スの分極面と上記導電性マウントの凹部を接続するよう
に配置されていることを特徴とする導波路型光デバイス
装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の導波路型光デバイス装置
において、 上記導電性接続部は波状に湾曲した弾性部材よりなるこ
とを特徴とする導波路型光デバイス装置。 - 【請求項４】 請求項２記載の導波路型光デバイス装置
において、 上記導電性接続部は導電性ゴムよりなることを特徴とす
る導波路型光デバイス装置。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載の導波路型
光デバイス装置において、 上記導波路型光デバイスは基板と該基板の上面に形成さ
れた導波路とを有し、該導波路は上記基板の分極方向と
垂直に延在していることを特徴とする導波路型光デバイ
ス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7101342A JPH08297264A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 導波路型光デバイス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7101342A JPH08297264A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 導波路型光デバイス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08297264A true JPH08297264A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=14298176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7101342A Pending JPH08297264A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 導波路型光デバイス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08297264A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010139992A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Ntt Electornics Corp | 波長変換素子及びその製造方法 |
| WO2013086047A1 (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-13 | Cornell University | Integrated multi-chip module optical interconnect platform |
| JPWO2020255341A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 |
-
1995
- 1995-04-25 JP JP7101342A patent/JPH08297264A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010139992A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Ntt Electornics Corp | 波長変換素子及びその製造方法 |
| WO2013086047A1 (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-13 | Cornell University | Integrated multi-chip module optical interconnect platform |
| US9620489B2 (en) | 2011-12-06 | 2017-04-11 | Cornell University | Integrated multi-chip module optical interconnect platform |
| JPWO2020255341A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | ||
| WO2020255341A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換装置 |
| US11733584B2 (en) | 2019-06-20 | 2023-08-22 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Wavelength conversion apparatus |
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