JPH08297268A - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

液晶表示装置の駆動方法

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JPH08297268A
JPH08297268A JP10394995A JP10394995A JPH08297268A JP H08297268 A JPH08297268 A JP H08297268A JP 10394995 A JP10394995 A JP 10394995A JP 10394995 A JP10394995 A JP 10394995A JP H08297268 A JPH08297268 A JP H08297268A
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liquid crystal
selection
crystal display
voltage
display device
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JP10394995A
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Hidemasa Ko
英昌 高
Hiroshi Gushiken
浩 具志堅
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AGC Inc
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Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ポジ型の液晶表示装置において、高速でかつコ
ントラスト比の高い階調表示、カラー表示を行う。 【構成】同時選択業本数Lは1本の行電極の選択時間
(パルス幅)をT(秒)、液晶表示素子の平均応答時間
をτ(秒)とすると、L=k・M・T/τで、k=30
〜300となる値として決定される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高速で応答する液晶に
適した液晶表示装置を駆動する方法に関する。特に、本
発明は、MLS法(複数ライン同時選択法、特開平6−
27904号等参照)でマルチプレックス駆動を行う、
単純マトリクス型液晶表示装置の駆動法においていわゆ
るポジ型の液晶表示装置を駆動するための方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】以下、本明細書では、走査電極を行電極
ともいい、データ電極を列電極ともいうことにする。
【0003】高度情報化時代の進展にともなって情報表
示媒体へのニーズはますます高まっている。液晶ディス
プレイは薄型、軽量、低消費電力などのメリットを有し
ており、半導体技術との整合性もよく、ますます普及す
るものと考えられる。一方で普及にともなって画面大型
化、高精細化が求められるようになって大容量表示をす
る方法の模索が始まっている。そのなかでSTN(超ね
じれネマティック)方式はTFT(薄膜トランジスタ)
方式に比べ製造工程が簡素であり、低コストで生産でき
るので将来の液晶ディスプレイの主流になると考えられ
る。
【0004】STN方式で大容量表示をするためには従
来から線順次マルチプレクス駆動が行われている。この
方法は各行電極を一本ずつ順次選択するとともに、列電
極を表示したいパターンと対応させて選択するもので、
全行電極が選択されることによって一画面の表示を終え
る。
【0005】しかし、線順次駆動法では、表示容量が大
きくなるにつれて、フレーム応答と呼ばれる問題が起こ
ることが知られている。線順次駆動法では、選択時には
比較的大きく、非選択時には比較的小さい電圧が画素に
印加される。この電圧比は一般に行ライン数が大きくな
るほど(高デューティ駆動となるほど)大きくなる。こ
のため、電圧比が小さいときには電圧実効値に応答して
いた液晶が印加波形に応答するようになる。すなわち、
フレーム応答とは選択パルスの振幅が大きいためオフ時
の透過率が上昇し、選択パルスの周期が長いためオン時
の透過率が減少し、結果としてコントラストの低下を引
き起こす現象である。
【0006】フレーム応答に伴うコントラスト比の低下
は、数百以上の高デューティのダイナミック駆動を行う
際にはいわゆる液晶表示素子の平均応答時間が150m
sec程度以下になると大きな問題となり、特にダイナ
ミック駆動における平均応答時間100msec程度以
下の液晶表示素子において顕著である。また、同じ平均
応答時間でも選択電圧を印加した時の光透過度Ts と非
選択電圧を印加した時の光透過度Tusとの関係がTs
usとなるマトリクス型液晶表示装置においては特に顕
著に認められる。
【0007】フレーム応答を図9を用いて説明する。フ
レーム周期をTF とすると、通常の線順次駆動法では、
図9(a)の線Aに示すように、1フレームに1回TF
/N(Nは全ライン数)の幅の選択パルスが印加され
る。この時、応答速度が200msec以上程度であっ
て比較的応答が遅い液晶表示装置の光学応答が、図9
(b)の点線Cであり、応答速度が100msec以下
であって比較的応答が速い液晶表示装置の光学応答が、
図9(b)の実線Bである。図のように、応答速度の速
い液晶では電圧パルスに応答するため、平均的なコント
ラスト比が低下する。
【0008】また、選択電圧を印加した時の光透過度T
s と非選択電圧を印加した時の光透過度Tusとの関係が
s <Tusとなる場合と、Ts >Tusとなる場合とを比
較したのが図9の(c)である。図から理解されるよう
に、Ts <Tusとなる場合は、Ts >Tusとなる場合に
比べると、光透過率が小さい場合にフレーム応答の影響
が強く出ることがわかる。これは、Ts <Tusとなる場
合は選択時に光透過率が小さくなるためである。
【0009】コントラスト比には光の遮蔽の程度が強く
影響するため、Ts <Tusとなる場合はTs >Tusとな
る場合に比べるとフレーム応答の影響が強く出る。
【0010】なお、液晶表示素子の平均応答時間とは以
下のように本明細書では定義する。すなわち、充分時間
が経過した時点での非選択電圧での光透過度をTus、選
択電圧での光透過度をTs とし、非選択電圧から選択電
圧に切り替えた時刻をt1 、その後、光透過度Tが(T
us−Ts )×0.1+Ts となる時刻をt2 、また、選
択電圧から非選択電圧に切り変えた時刻をt3 、その
後、光透過度Tが(Tus−Ts )×0.9+Ts とな
る時刻をt4 とすると、平均応答時間τは、 τ=((t4 −t3 )+(t2 −t1 ))/2 で表される。
【0011】フレーム応答の発生を抑制するためにフレ
ーム周波数を高くし、これにより選択パルスの周期を短
くする方法が知られているが、これには重大な欠点があ
る。つまり、フレーム周波数を増やすと、印加波形の周
波数スペクトルが高くなるので、表示の不均一を引き起
こし、消費電力が上昇する。このように、選択パルス幅
が狭くなりすぎるのを防ぐため、フレーム周波数の上限
には制限がある。
【0012】周波数スペクトルを高くせずにこの問題を
解決するために、最近、新駆動法が提案された。たとえ
ば、特開平6−27904号には、複数の行電極(選択
電極)を同時に選択する複数ライン同時選択(MLS)
法が記載されている。この方法は複数の行電極を同時に
選択し、かつ、列方向の表示パターンを独立に制御でき
る方法であり、選択幅を一定に保ったままフレーム周期
を短くできる。すなわちフレーム応答を抑制した高コン
トラスト表示ができる。
【0013】また、フレーム応答を抑制する別の技術と
して、特開平5−100642号に開示されたものがあ
る。この方法は行電極すべてを同時に選択し、フレーム
応答を抑制するものである。
【0014】特開平6−27904号に開示された複数
行同時選択法においては、列表示パターンを独立に制御
するために、同時に印加される各行電極には所定の電圧
パルス列が印加される。複数のラインを同時に選択する
駆動法では、複数の行電極に同時に電圧パルスが印加さ
れるため、列方向の表示パターンを同時にかつ独立に制
御するために、行電極には各々極性の違うパルス電圧を
印加する必要がある。行電極には極性を持つパルスが何
回か印加され、トータルで各画素にはオン、オフに応じ
た実効電圧が印加される。
【0015】1アドレス期間内に同時に選択される各行
電極に印加される選択パルス電圧群は、L行K列の行列
(これを以後、選択行列(A)という)として表すこと
ができる。各行電極に対応する選択パルス電圧系列は1
アドレス期間内で互いに直交なベクトル群として表せる
ため、これらを列要素として含む行列は直交行列とな
る。つまり、行列内の各行ベクトルは互いに直交であ
る。このとき、行の数Lは同時選択数に対応し、各行は
それぞれのラインに対応する。たとえば、L本の同時選
択ラインの中の第1ラインには、選択行列(A)の1行
目の要素が対応する。そして、1列目の要素、2列目の
要素の順に選択パルスが印加される。
【0016】列電極には、この行列の各列要素および列
表示パターンに対応した電圧レベルが印加される。すな
わち、列電極電圧系列はこの行電極電圧系列を決める行
列と表示パターンによって決まる。
【0017】列電極に印加される電圧波形のシーケンス
は以下のように決定される。図4はその概念を示した説
明図である。4行4列のアダマール行列を選択行列とし
て使用する場合を例にとって説明する。なお、本明細書
では、選択行列(A)の表記において、1は正の選択パ
ルスを、−1は負の選択パルスを意味する。列電極iお
よび列電極jにおける表示データが図10(a)に示し
たようになっているとする。列表示パターンは図10
(b)に示すようにベクトル(d)として表される。こ
こで列要素が−1のときはオン表示を表し、1はオフ表
示を表す。行電極に、行列の列の順に順次行電極電圧が
印加されていくとすると、列電極電圧レベルは図10
(b)に示すベクトル(v)のようになり、その波形は
図10(c)のようになる。図10(c)において、縦
軸、横軸はそれぞれ任意単位である。
【0018】部分ライン選択の場合、液晶表示素子のフ
レーム応答を抑制するために、1表示サイクル内で選択
パルスを分散して電圧印加することが好ましい。具体的
には、たとえば、同時選択される行電極群(これを以
下、サブグループという)の1番目に対するベクトル
(v)の第1番目の要素を印加した次には、同時選択さ
れる2番目の行電極群に対するベクトル(v)の第1番
目の要素を印加し、以下同様のシーケンスをとる。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】特開平6−27904
号では高速応答性液晶表示素子の駆動方法を提案してい
るが、この駆動法を、選択電圧を印加した時の光透過度
s と非選択電圧を印加した時の光透過度Tusとの関係
がTs <Tusとなるマトリクス型液晶表示装置に適用す
ること、また、適用条件等については特に述べていな
い。
【0020】前述のように、上記のTs <Tusとなるマ
トリクス型液晶表示装置は、フレーム応答の影響が大き
いため、従来とは異なる条件が必要となる。本発明の目
的は、かかる液晶表示装置をMLS法で駆動するために
適した条件を提案することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題を解
決すべくなされたものであり、以下のような液晶表示素
子およびその駆動法を提供するものである。
【0022】すなわち、複数(N本)の行電極と複数の
列電極とを有する液晶表示装置の行電極を複数本(L
本)一括して選択し、N行M列(Mは1表示サイクル内
に印加されるパルス数)の直交行列(要素は1、−1、
または0)の列ベクトルを時系列で展開した信号に基づ
く電圧を行電極に印加する液晶表示装置の駆動法であっ
て、選択電圧を印加した時の光透過度Ts と非選択電圧
を印加した時の光透過度Tusとの関係がTs <Tusとな
り、同時選択業本数Lは1本の行電極の選択時間(パル
ス幅)をT(秒)、液晶表示素子の平均応答時間をτ
(秒)とすると、数1でk=30〜300となる値とし
て、決定されることを特徴とする液晶表示装置の駆動方
法である。
【0023】本発明に用いる液晶表示素子としては、高
速応答性のものが好ましい。高速応答性の液晶表示素子
は、液晶層の厚みdを小さくするとともに、低粘性で、
屈折率異方性の大きい液晶を用いることによって得られ
る。このような、屈折率異方性の大きい液晶としては、
例えば、トラン系のものが有用である。トラン系の液晶
としては、例えば、特開昭61−5631号公報に記載
されているものがあり、また、化1に示すような構造の
ものがある。
【0024】
【化1】
【0025】ここで、−X−は−COO−、−OCO
−、−CH2 CH2 −、または−C≡C−を示す。ま
た、R1 、R2 は相互に独立して炭素数1〜10のアル
キル基、ハロゲン原子、シアノ基、−SCN基を示し、
炭素−炭素結合を持つ場合にはその結合間あるいはこの
基と環との間の炭素−炭素結合間に酸素が挿入された
り、炭素−炭素結合の一部が−COO−、−OCO−、
−CH=CH−で置換されていてもよい。なお、これら
の化合物は、単なる例示にすぎなく、水素原子のハロゲ
ン原子、シアノ基、メチル基等への置換等、種々の材料
が選択使用される。
【0026】さらに、屈折率異方性が大きくて同時に低
粘性の材料としてはジフルオロスチルベン系の液晶が有
用である。ジフルオロスチルベン系の液晶としては、例
えば、特開平1−96475号公報に記載されているも
のがあり、また、化2に示すような構造のものがある。
【0027】
【化2】
【0028】ここで、−X−は−COO−、−OCO
−、−CH2 CH2 −、または−C≡C−を示す。ま
た、R1 、R2 は相互に独立して炭素数1〜10のアル
キル基、ハロゲン原子、シアノ基、−SCN基を示し、
炭素−炭素結合を持つ場合にはその結合間あるいはこの
基と環との間の炭素−炭素結合間に酸素が挿入された
り、炭素−炭素結合の一部が−COO−、−OCO−、
−CH=CH−、−C≡C−で置換されていてもよい。
なお、これらの化合物は、単なる例示にすぎなく、水素
原子のハロゲン原子、シアノ基、メチル基等への置換
等、種々の材料が選択使用される。
【0029】ジフルオロスチルベン系の液晶とトラン系
の液晶とは、それぞれ別々に使用してもよく、また、両
者を同時に使用してもよい。特にジフルオロスチルベン
系のものを1〜80%、好ましくは5〜70%、さらに
好ましくは10〜60%含有する液晶組成物は粘度が著
しく低下し、高速応答を実現できる。但し、本発明は例
示した化合物に適用を限定されるものではなく、ジフル
オロスチルベン系の液晶とトラン系の液晶を全く含まな
い組成物であってもよい。
【0030】本発明では、同時選択する行電極の本数L
は、液晶表示素子の全行電極の本数をN(本)、1本の
行電極の選択時間をT(秒)、液晶表示素子の平均応答
時間をτ(秒)とすると、前記の数1で、kが30〜3
00となるように決定される。
【0031】駆動回路を構成する観点からは、同時に選
択する行電極数は極めて重要である。信号線の電圧の決
定による必要な回路の演算回路、あるいはメモリー回路
の規模等を考慮すると、同時選択数は少ないほど好まし
い。一方、液晶緩和の抑制効果は、同時選択数が多いほ
ど大きいともいえる。こうしたことから液晶緩和の抑制
に必要な最低限の同時選択ライン数にとどめて複数ライ
ン同時選択による駆動を行うことが最も好ましいことに
なる。
【0032】本出願人は、これらの事情から、同時に選
択する行電極数は数1にしたがって選ばれることがもっ
とも好ましいことを見いだすに至った。以下は、この条
件について実施例をまじえながら、より詳しく説明す
る。
【0033】
【実施例】本発明における駆動法は、以下のような回路
を基本として用いて実現することが可能である。
【0034】ブロック図を図4に示した。これは、RG
Bそれぞれ16階調表示を行うための回路である。デー
タ信号を、16階調の信号をMSBからLSBまで4ビ
ットの信号としてデータ前処理回路1に入力する。デー
タ前処理回路1は後段の列信号形成に適したフォーマッ
トとタイミングで列信号発生回路2に入力されるデータ
信号を出力するための回路である。列信号発生回路2に
は、データ前処理回路2から出力されるデータ信号と直
交関数発生回路5から出力される直交関数信号とが入力
される。
【0035】列信号発生回路2は両信号を用いて所定の
演算を行い列信号を形成した後、列ドライバ3に出力す
る。列ドライバ3は所定の基準電圧を用いて、入力され
る列信号から液晶パネル6の列電極に印加する列電極電
圧を形成して液晶パネル6に出力する。一方、液晶パネ
ル6の行電極には、直交関数発生回路5から出力される
直交関数信号を行ドライバ4で変換した行電極電圧が印
加される。これらの回路は、必要に応じてタイミング回
路等を備え、所定のタイミングにコントロールされて動
作する。
【0036】本発明で用いられている直交関数は、直交
関数発生回路5が発生する。直交関数発生回路5は、直
交関数信号発生のたびに演算を行い信号形成することも
できる。しかし、あらかじめ、使用する直交関数信号を
ROMに保存しておき、それを適当なタイミングで読み
出すほうが簡便性の点で好ましい。すなわち、液晶パネ
ル6への電圧印加タイミングを規定するパルスを計数
し、計数値をアドレス信号としてROM内の直交関数信
号を順次読み出すようにする。
【0037】データ前処理回路1は、具体的には、図5
のような構成である。信号処理は、階調情報を持った4
ビットの画像データをR、G、B3ビットずつ4組に分
けて行う。すなわち、MSB(23 )、2ndMSB
(22 )、3rdMSB(21)、LSB(20 )の4
組に信号を分けて、並列処理を行う。
【0038】入力された3ビットのデータは5段直並列
変換器11で15ビットのデータに変換してメモリ12
に送られる。具体的には、5段シフトレジスタの入力端
子にシリアルなデータを入力しその5個の各タップ出力
をメモリ12に入力する。
【0039】メモリ12としてはデータ幅16ビットの
VRAMを用いた。メモリ12への書き込みは直接アク
セスモードを用いて以下のように行う。すなわち、同じ
列電極に対応した行電極上のデータは、同時選択される
7本の行電極について隣り合う7個のアドレスに格納す
る。このようにすることにより、後段のメモリからの読
み出しが高速に行えるとともに、演算が容易になる。
【0040】メモリ12からの読み出しは高速な順次ア
クセスモードでLCDの駆動タイミングに応じて行い、
4組の15ビットデータをデータフォーマット変換回路
16へ送る。仮想データを近傍の行電極上のデータと一
致させる場合には、この際の読み出しを、仮想行に対応
する位置で複数回重複して読み出せばよい。
【0041】データフォーマット変換回路16は、各階
調ごとに15ビット幅で並列に送られたデータをRGB
ごとの20ビット幅の並列信号に整理し直す回路であ
り、通常は、回路基板上で適宜の配線を行うことにより
足りる。
【0042】データフォーマット変換回路16でRGB
3組の20ビットデータに変換されたのち、データは階
調決定回路15へ送られる。階調決定回路15では1ド
ット当り4ビットの階調データをオン/オフ1ビットの
データに変換してサブ画面の映像信号とし、サブ画面を
たとえば15サイクルかけて階調表示を実現するフレー
ム変調用回路である。
【0043】具体的には、20ビット幅のデータを所定
のタイミングで5ビット幅データに分配するデマルチプ
レクサを用いた。どのビットがどのサブ画面に対応する
かは、フレームカウンタによる計数によって決められ
る。このようにして5ドット分の階調データに相当する
20ビットのデータを5ビットの階調のないシリアルデ
ータに変換して縦横変換回路13に出力する。
【0044】縦横変換回路13は5ピクセルの表示デー
タを7回転送して蓄えておき、これを7ピクセルのデー
タとして5回に分けて読み出す回路である。2組の5×
7ビットレジスタで構成されている。縦横変換回路13
からデータ信号は列信号発生回路2に送られる。
【0045】列信号発生回路2は、図6に示した構成で
ある。7ビットのデータ信号を排他的論理和ゲート2
3、23、・・・に入力する。排他的論理和ゲート23
にはそれぞれ直交関数発生回路5からの信号も入力され
る。排他的論理和ゲート23の出力は加算器21で同時
選択される行電極について加算される。
【0046】また、列ドライバ3は、図7のような構成
になっている。シフトレジスタ31、ラッチ32、デコ
ーダー33、および電圧分割器34からなっている。電
圧レベル選別器33としてはデマルチプレクサを用い、
1行分のデータをシフトレジスタ31に送り込んだ段階
で表示データの列電圧への変換を行う。
【0047】さらに、行ドライバ4は、図8のような構
成になっている。駆動パターンレジスタ41、選択信号
レジスタ42、およびデコーダー43からなる。選択信
号レジスタ42の内容によって同時選択行が決められ、
駆動パターンレジスタ41の内容によって選択された各
行にどちらの極性の選択信号をを出力するかが決められ
る。非選択行は0Vが出力される。
【0048】図4〜図8は回路の一例として示したもの
であり、本発明の本質を損しない限り、さまざまな回路
の採用が可能である。
【0049】(例1)上述と同様の回路構成を用いて平
均応答時間が90msec(25℃)のポジ型STN液
晶表示素子を、行電極本数N245本に対して、同時選
択ライン数L=7とし、表1に示した行列を選択行列と
して用い、1つの選択パターンに対応する選択パルス幅
を変化させて本発明の駆動法で駆動をしたところ、25
℃で最大コントラスト比が図2の三角印に示したように
なった。
【0050】
【表1】
【0051】この液晶は、屈折率異方性Δnが0.20
9、粘性ηが16.5cSt、透明点Tc が79.8℃
であった。また、液晶層厚みdは4μmで用いた。
【0052】また、選択パルス1つを行電極に印加する
ごとに次の行電極サブグループを印加することにし、電
圧の絶対値および行と列の電圧パルスの高さの比は最大
のコントラスト比が得られるように調整した。以下の実
施例においては、選択パターン1つを行電極に印加する
ごとに次の行電極サブグループに対して選択信号を印加
するようにしている。
【0053】(例2)従来の電圧平均化法で1/245
デューティ、1/16バイアス、選択パルス幅を変化さ
せながら、例1の素子を駆動したところ、最大コントラ
スト比は図2の丸印のようになった。図2から、1/2
45デューティの電圧平均化法で通常用いられるパルス
幅40μsec(フレーム周波数100Hz程度)付近
で、本発明と従来法とではコントラスト比に大きな違い
があり、本発明では、液晶の緩和現象が抑制され、コン
トラスト比が極めて高くなることが理解される。
【0054】(例3)上述の回路構成を用いて平均応答
時間が250msec(25℃)のポジ型STN液晶表
示素子を行電極本数N245本に対して、同時選択ライ
ン数は7として、やはり、表1の行列を用い、1つの選
択パターンに対応する選択パルス幅を変化させて本発明
の駆動法で駆動をしたところ、25℃で最大コントラス
ト比が図3の三角印に示したようになった。
【0055】この液晶は、屈折率異方性Δnが0.14
3、粘性ηが19.1cSt、透明点Tc が106.4
℃であった。また、液晶層厚みdは6μmで用いた。
【0056】また、この際、選択行列は例1と同じもの
を用いた。また、選択パルス1つを行電極に印加するご
とに次の行電極サブグループを印加することにし、電圧
の絶対値は最大のコントラスト比が得られるように調整
した。
【0057】(例4)従来の電圧平均化法で1/245
デューティ、1/16バイアス、選択パルス幅を変化さ
せながら、例3と同じ素子を駆動したところ、最大コン
トラスト比は図3の丸印のようになった。図3から、1
/245デューティの電圧平均化法で通常用いられるパ
ルス幅40μsec(フレーム周波数100Hz程度)
付近で、従来法で駆動した場合には、すでに液晶の緩和
現象の影響が出ており、本発明に比べてコントラスト比
が下がってきていることが理解される。
【0058】例1、3、図2、図3から明らかに理解さ
れるように、選択パルス幅を短くしていくと、液晶の緩
和現象は抑制され、しだいにコントラスト比が大きくな
っていくが、ある程度のパルス幅でコントラスト比の増
加は飽和する。飽和する点は、飽和コントラスト比の値
をCR100 、その1/2のコントラスト比の値をCR50
とし、CR50を示すときのパルス幅をT50とすると、お
およそT50/8〜T50/12の間にある。
【0059】一方、同時選択する行電極の本数をL
(本)、液晶表示素子の全行電極の本数をN(本)、1
本の行電極の選択時間(パルス幅)をT(秒)、液晶表
示素子の平均応答時間をτ(秒)とすると、これらの間
に一定の規則性があることが見いだされた。
【0060】図1は、例1、3と同様の液晶表示素子を
用いた場合の、横軸に1本の行電極の選択時間をT
(秒)、縦軸にCR50を示すときの同時選択行電極数L
50(本)をとったグラフである。実線は、τ=0.09
(秒)、破線は、τ=0.23(秒)を示す。τ=0.
09(秒)の場合は、N=490(本)と245(本)
の場合の2通りを示し、τ=0.23(秒)の場合は、
N=245(本)の場合を示す。
【0061】図1から容易に理解されるように、おおよ
そ、L50はTに比例し、τおよびNに反比例する。ま
た、L50=k・N・T/τとした場合の比例定数kは3
0前後となる。このことから、液晶緩和を抑制する効果
を有し、かつハードウエア上の要請から、充分に小さい
Lの範囲は、おおよそ前記の数2でkを30〜300程
度にとった場合である。kをこれより大きくとると、ハ
ードウエアの構成が困難になり、これより小さいと、液
晶緩和抑制の効果が小さい。特に、飽和コントラスト比
の70%および80%の高いコントラスト比を示す時の
同時選択数をL70、L80とすると、比例定数kの範囲
は、好ましくはL70での40〜300程度であり、更に
好ましくはL80での50〜300程度である。
【0062】以下に選択パルス幅が12μsecの場合
にkに応じて計算したLの値と、同様に25μsecの
場合に計算した値を表2に示す。
【0063】
【表2】
【0064】
【発明の効果】本発明によれば、選択電圧を印加した時
の光透過度Ts と非選択電圧を印加した時の光透過度T
usとの関係がTs <Tusとなるマトリクス型液晶表示素
子において、高速でかつコントラスト比の高い階調表
示、カラー表示を行うことが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】同時選択する行電極の本数L(本)、液晶表示
素子の全行電極の本数N(本)、1本の行電極の選択時
間T(秒)、液晶表示素子の平均応答時間をτ(秒)の
間の関係を示すグラフ。
【図2】本発明の実施例と比較例とを比較するグラフ。
【図3】本発明の他の実施例と他の比較例とを比較する
グラフ。
【図4】本発明を実施するための回路の構成の一例を示
すブロック図。
【図5】データ前処理回路1を示すブロック図。
【図6】列信号発生回路2を示すブロック図。
【図7】列ドライバ3を示すブロック図。
【図8】行ドライバ4を示すブロック図。
【図9】(a)〜(c)はフレーム応答を説明する説明
図。
【図10】(a)〜(c)はMLS法での電圧印加方法
を説明する概念図および波形図。
【符号の説明】
1:データ前処理回路 2:列信号発生回路 3:列ドライバ 4:行ドライバ 5:直交関数発生回路 6:液晶パネル

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数(N本)の行電極と複数の列電極とを
    有する液晶表示装置の行電極を複数本(L本)一括して
    選択し、直交行列(要素は1、−1、または0)の列ベ
    クトルを時系列で展開した信号に基づく電圧を行電極に
    印加する液晶表示装置の駆動法であって、 選択電圧を印加した時の光透過度Ts と非選択電圧を印
    加した時の光透過度Tusとの関係がTs <Tusとなり、 同時選択業本数L(本)は1本の行電極の選択時間(パ
    ルス幅)をT(秒)、液晶表示素子の平均応答時間をτ
    (秒)とすると、以下の数1でk=30〜300となる
    値として、決定されることを特徴とする液晶表示装置の
    駆動方法。 【数1】L=k・N・T/τ
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7978190B2 (en) 1997-08-20 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7978190B2 (en) 1997-08-20 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device

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