JPH08298222A - 直流用コンデンサ - Google Patents
直流用コンデンサInfo
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- JPH08298222A JPH08298222A JP13981795A JP13981795A JPH08298222A JP H08298222 A JPH08298222 A JP H08298222A JP 13981795 A JP13981795 A JP 13981795A JP 13981795 A JP13981795 A JP 13981795A JP H08298222 A JPH08298222 A JP H08298222A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セルフヒーリング処理が容易かつ有効に実施
できる薄膜電極を備えた直流用コンデンサを提供するこ
と 【構成】 ポリエチレン・テレフタレートやポリプロピ
レン等の高分子誘電体フイルム１１，１２の各一方の面
に酸化亜鉛と導電性金属との混合体による２０Ω〜１０
００Ω程度の抵抗値を有する薄膜電極１３，１４をそれ
ぞれ真空蒸着などにより形成し、２枚の高分子誘電体フ
イルム１１，１２を重ねて巻き込んで直流用コンデンサ
を形成し、セルフヒーリング処理時に薄膜電極１３，１
４の所定値に選定された抵抗値により突入エネルギを抑
制し、高分子誘電体フイルム１１，１２の損傷を防止す
る。
できる薄膜電極を備えた直流用コンデンサを提供するこ
と 【構成】 ポリエチレン・テレフタレートやポリプロピ
レン等の高分子誘電体フイルム１１，１２の各一方の面
に酸化亜鉛と導電性金属との混合体による２０Ω〜１０
００Ω程度の抵抗値を有する薄膜電極１３，１４をそれ
ぞれ真空蒸着などにより形成し、２枚の高分子誘電体フ
イルム１１，１２を重ねて巻き込んで直流用コンデンサ
を形成し、セルフヒーリング処理時に薄膜電極１３，１
４の所定値に選定された抵抗値により突入エネルギを抑
制し、高分子誘電体フイルム１１，１２の損傷を防止す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、整流回路等に用いられ
るリップル吸収用コンデンサに関し、詳しくはコンデン
サのセルフヒーリングを効果的に実施できる薄膜電極に
関するものである。
るリップル吸収用コンデンサに関し、詳しくはコンデン
サのセルフヒーリングを効果的に実施できる薄膜電極に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電力回路に用いられるコンデンサの誘電
体としては、高電界に対する絶縁材料が要求されことか
ら、例えば、フイルム状のポリエチレン・テレフタレー
ト（ＰＥＴ）やポリプロピレン（Ｐ・Ｐ）などの高分子
誘電体フイルムが使用されている。そして、このポリエ
チレン・テレフタレートあるいはポリプロピレンなどの
高分子誘電体フイルムを誘電体とするコンデンサは、図
５の断面図に示すように、高分子誘電体フイルム１，２
の各一方の面に真空蒸着などの手段で金属を蒸着させて
それぞれ金属電極３，４を付着させた状態で複数枚（図
では２枚）の高分子誘電体フイルム１，２を積層させる
か、あるいは巻き込むことにより、コンデンサを形成し
ている。
体としては、高電界に対する絶縁材料が要求されことか
ら、例えば、フイルム状のポリエチレン・テレフタレー
ト（ＰＥＴ）やポリプロピレン（Ｐ・Ｐ）などの高分子
誘電体フイルムが使用されている。そして、このポリエ
チレン・テレフタレートあるいはポリプロピレンなどの
高分子誘電体フイルムを誘電体とするコンデンサは、図
５の断面図に示すように、高分子誘電体フイルム１，２
の各一方の面に真空蒸着などの手段で金属を蒸着させて
それぞれ金属電極３，４を付着させた状態で複数枚（図
では２枚）の高分子誘電体フイルム１，２を積層させる
か、あるいは巻き込むことにより、コンデンサを形成し
ている。
【０００３】このように形成したコンデンサの特徴の一
つは、自己回復作用（セルフヒーリング）を有すること
である。すなわち、何らかの原因で一方の高分子誘電体
フイルム１が絶縁破壊されて破壊点１ａが生じた場合
に、この破壊点１ａを通して高分子誘電体フイルム１の
電極３が高分子誘電体フイルム２の電極４と接触して、
コンデンサとしての機能が喪失される場合でも、高分子
誘電体フイルム１上の電極３において図５と図６（図５
の平面図）で示すように、破壊点１ａに隣接する電極３
の微小面積が絶縁破壊時のジュール発熱により、破壊点
１ａの周縁の電極３の膜を蒸発して飛散することにより
消失して高分子誘電体フイルム１上に電極飛散面１ｂが
形成され、電極３，４との間に絶縁性が回復することで
ある。
つは、自己回復作用（セルフヒーリング）を有すること
である。すなわち、何らかの原因で一方の高分子誘電体
フイルム１が絶縁破壊されて破壊点１ａが生じた場合
に、この破壊点１ａを通して高分子誘電体フイルム１の
電極３が高分子誘電体フイルム２の電極４と接触して、
コンデンサとしての機能が喪失される場合でも、高分子
誘電体フイルム１上の電極３において図５と図６（図５
の平面図）で示すように、破壊点１ａに隣接する電極３
の微小面積が絶縁破壊時のジュール発熱により、破壊点
１ａの周縁の電極３の膜を蒸発して飛散することにより
消失して高分子誘電体フイルム１上に電極飛散面１ｂが
形成され、電極３，４との間に絶縁性が回復することで
ある。
【０００４】ところで、電力回路に用いられるコンデン
サは、一般に大きい静電容量が必要とされるために、前
記高分子誘電体フイルムが例えば、１０ｍ２〜１００ｍ
２もの大面積で構成される。このようなコンデンサを構
成する場合に、例えば、８μ程度の厚さの高分子誘電体
フイルムを使用し、この高分子誘電体フイルムの一方の
面に前述のように蒸着により電極を形成する場合に、静
電容量が１ｍ２当たり約３μＦであるとすると、全体の
静電容量は数１０μＦ〜数１００μＦとなるように、大
面積の高分子誘電体フイルムを巻き込む。この巻き込ん
だ高分子誘電体フイルムの巻き耳の電極端をメタリコン
処理等により、共通電極化として、メタライズ電極の導
電性の悪さを補う工夫がなされている。
サは、一般に大きい静電容量が必要とされるために、前
記高分子誘電体フイルムが例えば、１０ｍ２〜１００ｍ
２もの大面積で構成される。このようなコンデンサを構
成する場合に、例えば、８μ程度の厚さの高分子誘電体
フイルムを使用し、この高分子誘電体フイルムの一方の
面に前述のように蒸着により電極を形成する場合に、静
電容量が１ｍ２当たり約３μＦであるとすると、全体の
静電容量は数１０μＦ〜数１００μＦとなるように、大
面積の高分子誘電体フイルムを巻き込む。この巻き込ん
だ高分子誘電体フイルムの巻き耳の電極端をメタリコン
処理等により、共通電極化として、メタライズ電極の導
電性の悪さを補う工夫がなされている。
【０００５】このようなコンデンサにおける高分子誘電
体フイルムは、何らかの原因で部分的に電気的な欠陥が
存在するものであり、したがって予めこの欠陥部を課電
により強制的に絶縁破壊を行う。すなわち、コンデンサ
に電圧を印加し、欠陥部に突入するエネルギにより欠陥
部周縁の蒸着電極を溶解させて、飛散させ欠陥部周縁に
電極をなくするようにして欠陥部周縁が電気的に悪影響
を及ぼさないようにするセルフヒーリング処理が必須で
ある。
体フイルムは、何らかの原因で部分的に電気的な欠陥が
存在するものであり、したがって予めこの欠陥部を課電
により強制的に絶縁破壊を行う。すなわち、コンデンサ
に電圧を印加し、欠陥部に突入するエネルギにより欠陥
部周縁の蒸着電極を溶解させて、飛散させ欠陥部周縁に
電極をなくするようにして欠陥部周縁が電気的に悪影響
を及ぼさないようにするセルフヒーリング処理が必須で
ある。
【０００６】ところで、交流用のコンデンサでは、フイ
ルムサイズにもよるが、電極の導電性による損失が誘電
体の損失に加算されるので、電極の抵抗値は比較的小さ
い値が求められる。したがって、アルミニウムなどの蒸
着電極の表面抵抗が数Ω程度であることが必要であるた
め、大面積のコンデンサでは、上記のセルフヒーリング
処理（自己回復処理）の実施時には、欠陥部の周縁から
突入してくるエネルギが過大となり、このため、安定し
た処理ができず、自己回復を施す部位にかえって損傷を
与える結果を招くという問題を生じる。
ルムサイズにもよるが、電極の導電性による損失が誘電
体の損失に加算されるので、電極の抵抗値は比較的小さ
い値が求められる。したがって、アルミニウムなどの蒸
着電極の表面抵抗が数Ω程度であることが必要であるた
め、大面積のコンデンサでは、上記のセルフヒーリング
処理（自己回復処理）の実施時には、欠陥部の周縁から
突入してくるエネルギが過大となり、このため、安定し
た処理ができず、自己回復を施す部位にかえって損傷を
与える結果を招くという問題を生じる。
【０００７】これに対処するために、小容量に区分した
単位コンデンサ素子を直列にした上で並列にするなど突
入するエネルギーの抑制をする工夫もあるが、低電圧用
のコンデンサではフイルムの厚さの制約から直列にはで
きず全てを並列とするとき、単位コンデンサは小容量素
子であっても並列コンデンサからのエネルギー突入は避
けることができない。
単位コンデンサ素子を直列にした上で並列にするなど突
入するエネルギーの抑制をする工夫もあるが、低電圧用
のコンデンサではフイルムの厚さの制約から直列にはで
きず全てを並列とするとき、単位コンデンサは小容量素
子であっても並列コンデンサからのエネルギー突入は避
けることができない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の事情
に鑑みなされたもので、セルフヒーリング処理が容易か
つ有効に実施できる薄膜電極を備えた直流用コンデンサ
を提供することを目的とする。
に鑑みなされたもので、セルフヒーリング処理が容易か
つ有効に実施できる薄膜電極を備えた直流用コンデンサ
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、高
分子誘電体フイルムの表面に２０Ωないし１０００Ω程
度の抵抗値を有する薄膜電極を形成したことを特徴とす
る直流用コンデンサとすることにより達成される。
分子誘電体フイルムの表面に２０Ωないし１０００Ω程
度の抵抗値を有する薄膜電極を形成したことを特徴とす
る直流用コンデンサとすることにより達成される。
【００１０】また、本発明の上記目的は、高分子誘電体
フイルムの表面に酸化亜鉛と導電性金属の混合体からな
る薄膜電極を形成したことを特徴とする直流用コンデン
サとすることにより達成される。
フイルムの表面に酸化亜鉛と導電性金属の混合体からな
る薄膜電極を形成したことを特徴とする直流用コンデン
サとすることにより達成される。
【００１１】
【作用】本発明の上記構成によれば、高分子誘電体フイ
ルムの表面に形成されている薄膜電極の抵抗値が２０Ω
ないし１０００Ωあるいは薄膜電極が酸化亜鉛と導電性
金属の混合体により形成されていて抵抗値が高く、この
薄膜電極の抵抗値によりセルフヒーリング処理時に欠陥
部への突入エネルギが抑制され、セルフヒーリング処理
に基づく高分子誘電体フイルムの損傷は防止される。し
たがって、信頼性の高い大面積のコンデンサを簡単に得
ることができる。
ルムの表面に形成されている薄膜電極の抵抗値が２０Ω
ないし１０００Ωあるいは薄膜電極が酸化亜鉛と導電性
金属の混合体により形成されていて抵抗値が高く、この
薄膜電極の抵抗値によりセルフヒーリング処理時に欠陥
部への突入エネルギが抑制され、セルフヒーリング処理
に基づく高分子誘電体フイルムの損傷は防止される。し
たがって、信頼性の高い大面積のコンデンサを簡単に得
ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例の直流用コンデンサに
ついて図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実
施例による高分子誘電体フイルムを２枚重ねて巻き込ん
で直流用コンデンサを形成する状態を示す斜視図で、１
１，１２はそれぞれポリエチレン・テレクフレートやポ
リプロピレンなどの高分子誘電体フイルムであり、これ
らの高分子誘電体フイルム１１．１２はそれぞれ例え
ば、厚さｔ（具体的には、例えば、８μ程度の厚さ）か
らなっている。
ついて図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実
施例による高分子誘電体フイルムを２枚重ねて巻き込ん
で直流用コンデンサを形成する状態を示す斜視図で、１
１，１２はそれぞれポリエチレン・テレクフレートやポ
リプロピレンなどの高分子誘電体フイルムであり、これ
らの高分子誘電体フイルム１１．１２はそれぞれ例え
ば、厚さｔ（具体的には、例えば、８μ程度の厚さ）か
らなっている。
【００１３】各高分子誘電体フイルム１１，１２の一方
の面には、薄膜電極１３，１４が真空蒸着などの方法に
より蒸着して形成されている。この薄膜電極１３，１４
の形成に際し、薄膜電極１３は高分子誘電体フイルム１
１の一方の端縁１１ａ側に沿って所定の寸法幅の非蒸着
部（以下、マージンという。）１５を残すように形成さ
れている。また、薄膜電極１４も、高分子誘導体フイル
ム１２の他方の端縁１２ａ側に沿って所定の寸法幅のマ
ージン１６を残すように形成されている。
の面には、薄膜電極１３，１４が真空蒸着などの方法に
より蒸着して形成されている。この薄膜電極１３，１４
の形成に際し、薄膜電極１３は高分子誘電体フイルム１
１の一方の端縁１１ａ側に沿って所定の寸法幅の非蒸着
部（以下、マージンという。）１５を残すように形成さ
れている。また、薄膜電極１４も、高分子誘導体フイル
ム１２の他方の端縁１２ａ側に沿って所定の寸法幅のマ
ージン１６を残すように形成されている。
【００１４】すなわち、このマージン１５，１６は各高
分子誘電体フイルム１１，１２の各反対側の端縁側に形
成し、後述する電極引出し用のリードの接続時に薄膜電
極１３，１４がショートしないようになっている。
分子誘電体フイルム１１，１２の各反対側の端縁側に形
成し、後述する電極引出し用のリードの接続時に薄膜電
極１３，１４がショートしないようになっている。
【００１５】図３は、前記各高分子誘電体フイルム１
１，１２のうちの一方の高分子誘電体フイルム１１側を
代表して取り出して、拡大して示す斜視図であり、図３
からも明らかなように、高分子誘電体フイルム１１の厚
さはｔであり、その表面に形成されている薄膜電極１３
（薄膜電極１４も同じ）の幅は、Ｄとして、銅またはア
ルミなどの金属の導電性金属と半導体である酸化亜鉛と
の混合体で所定の抵抗値を有するように形成されてい
る。
１，１２のうちの一方の高分子誘電体フイルム１１側を
代表して取り出して、拡大して示す斜視図であり、図３
からも明らかなように、高分子誘電体フイルム１１の厚
さはｔであり、その表面に形成されている薄膜電極１３
（薄膜電極１４も同じ）の幅は、Ｄとして、銅またはア
ルミなどの金属の導電性金属と半導体である酸化亜鉛と
の混合体で所定の抵抗値を有するように形成されてい
る。
【００１６】このように、一方の表面に薄膜電極１４を
形成した高分子誘電体フイルム１２の上に薄膜電極１３
を形成した高分子誘電体フイルム１１を重ねて、図１に
示すように巻き込み、さらに図２に示すように、巻き込
んだ高分子誘電体フイルム１１，１２の側面にメタリコ
ン１７，１８を施す。メタリコン１７は、巻き込まれた
薄膜電極１３のマージン１５のない方の端縁側を共通に
電気的に接続している。同様にして、メタリコン１８
は、巻き込まれた薄膜電極１４のマージン１６のない方
の端縁側を共通に電気的に接続している。各メタリコン
１７，１８はそれぞれリード１９，２０を接続して図示
しない電極端子に接続するようになっており、かくし
て、直流コンデンサ２１が構成されている。
形成した高分子誘電体フイルム１２の上に薄膜電極１３
を形成した高分子誘電体フイルム１１を重ねて、図１に
示すように巻き込み、さらに図２に示すように、巻き込
んだ高分子誘電体フイルム１１，１２の側面にメタリコ
ン１７，１８を施す。メタリコン１７は、巻き込まれた
薄膜電極１３のマージン１５のない方の端縁側を共通に
電気的に接続している。同様にして、メタリコン１８
は、巻き込まれた薄膜電極１４のマージン１６のない方
の端縁側を共通に電気的に接続している。各メタリコン
１７，１８はそれぞれリード１９，２０を接続して図示
しない電極端子に接続するようになっており、かくし
て、直流コンデンサ２１が構成されている。
【００１７】次に、図３、図４により本発明の直流コン
デンサ２１の薄膜電極１３，１４の抵抗値、電力損失、
皮相電力、抵抗損失などについて図３、図４（図３の正
面図）を参照して解析する。
デンサ２１の薄膜電極１３，１４の抵抗値、電力損失、
皮相電力、抵抗損失などについて図３、図４（図３の正
面図）を参照して解析する。
【００１８】薄膜電極１３の長さを無限長とし、Ｄは電
極幅、ｒ（Ω）は薄膜電極１３の単位幅と単位長当たり
の表面抵抗、ｉは薄膜電極１３の単位面積当たりの電流
密度、Ｉｘは薄膜電極１３の端縁１３ａから間隔ｘを隔
てた点（図４参照）の電流、とすると、前記電流Ｉｘ
は、次の（１）式のようになる。
極幅、ｒ（Ω）は薄膜電極１３の単位幅と単位長当たり
の表面抵抗、ｉは薄膜電極１３の単位面積当たりの電流
密度、Ｉｘは薄膜電極１３の端縁１３ａから間隔ｘを隔
てた点（図４参照）の電流、とすると、前記電流Ｉｘ
は、次の（１）式のようになる。
【００１９】
【数１】
【００２０】また、薄膜電極１３の端縁１３ａから間隔
ｘを隔てた点での幅ｄｘの抵抗Ｒｘは、次の（２）式の
ようになる。
ｘを隔てた点での幅ｄｘの抵抗Ｒｘは、次の（２）式の
ようになる。
【００２１】
【数２】
【００２２】この幅ｄｘ区間での電力損失ｄＷは、次の
（３）式のようになる。
（３）式のようになる。
【００２３】
【数３】
【００２４】さらに、薄膜電極１３の端縁１３ｂから端
縁１３ａまでの間（すなわち、０から１３ａまでの間）
電極幅Ｄの電力損失Ｗは、次の（４）式のようになる。
縁１３ａまでの間（すなわち、０から１３ａまでの間）
電極幅Ｄの電力損失Ｗは、次の（４）式のようになる。
【００２５】
【数４】
【００２６】一方、直流コンデンサ２１の単位長の静電
容量をＣとすると、リップル交流成分の皮相電力Ｖ・Ａ
値は、次の（５）式のようになる。
容量をＣとすると、リップル交流成分の皮相電力Ｖ・Ａ
値は、次の（５）式のようになる。
【００２７】
【数５】 この（５）式において、ωはリップルの角周波数であ
る。
る。
【００２８】また、損失率は、次の（６）式のように求
められる。
められる。
【００２８】
【数６】
【００２９】いま、前記角周波数ω≒７００、静電容量
Ｃ＝３×１０−６（Ｆ／ｍ２）、電極幅Ｄ＝０．３
（ｍ）とすると、前記損失率は、次の（７）式のごとく
になる。
Ｃ＝３×１０−６（Ｆ／ｍ２）、電極幅Ｄ＝０．３
（ｍ）とすると、前記損失率は、次の（７）式のごとく
になる。
【００３０】
【数７】
【００３１】いま、（７）式で求めた損失率を１／１０
とすると、前記抵抗は、次の（８）式のようになる。
とすると、前記抵抗は、次の（８）式のようになる。
【００３２】
【数８】
【００３３】すなわち、現在、交流用として、一般に用
いられている数Ωの薄膜電極に対して、１ＫΩの電極抵
抗値にまで高めることができる。また、この条件におい
て、１０００ｍｌ当たりリップル成分の皮相電力Ｖ・Ａ
は、２９０Ｖ・Ａであるので、抵抗損失は２９Ｗ（１・
１７Ｋｊ）であり、温度上昇時にも許容される範囲であ
る。
いられている数Ωの薄膜電極に対して、１ＫΩの電極抵
抗値にまで高めることができる。また、この条件におい
て、１０００ｍｌ当たりリップル成分の皮相電力Ｖ・Ａ
は、２９０Ｖ・Ａであるので、抵抗損失は２９Ｗ（１・
１７Ｋｊ）であり、温度上昇時にも許容される範囲であ
る。
【００３４】以上の考察により、この種の直流コンデン
サに適する薄膜電極の抵抗の好適な範囲は、１０００Ω
前後の範囲であることがわかる。
サに適する薄膜電極の抵抗の好適な範囲は、１０００Ω
前後の範囲であることがわかる。
【００３５】次に、上記の考察に基づき、本発明におけ
るる高抵抗の前記薄膜電極１３，１４を形成する場合に
ついて述べる。現在、アルミニウムの真空蒸着などによ
るメタライズド膜の抵抗値は、数Ωのレベルであるか
ら、前述の考察に基づきこのアルミニウムのメタライズ
ド膜による薄膜電極の形成を試みても、２桁の高抵抗化
をしなければならないことになり、薄膜電極の厚さの均
一性の点からはこのアルミニウムのメタライズド膜によ
る薄膜電極の形成は困難となる。
るる高抵抗の前記薄膜電極１３，１４を形成する場合に
ついて述べる。現在、アルミニウムの真空蒸着などによ
るメタライズド膜の抵抗値は、数Ωのレベルであるか
ら、前述の考察に基づきこのアルミニウムのメタライズ
ド膜による薄膜電極の形成を試みても、２桁の高抵抗化
をしなければならないことになり、薄膜電極の厚さの均
一性の点からはこのアルミニウムのメタライズド膜によ
る薄膜電極の形成は困難となる。
【００３６】また、酸化亜鉛は半導体であるが、金属亜
鉛に比較して数桁もの高抵抗を示し、適当でない。そこ
で、本発明では、銅または、アルミニウムなどの金属に
よる導電性金属と酸化亜鉛とを混合した薄膜電極をすで
に述べたように、高分子誘導体フイルム上に形成するこ
とにより、２０Ω〜１０００Ωの抵抗値を有する薄膜電
極１３，１４とすることができる。
鉛に比較して数桁もの高抵抗を示し、適当でない。そこ
で、本発明では、銅または、アルミニウムなどの金属に
よる導電性金属と酸化亜鉛とを混合した薄膜電極をすで
に述べたように、高分子誘導体フイルム上に形成するこ
とにより、２０Ω〜１０００Ωの抵抗値を有する薄膜電
極１３，１４とすることができる。
【００３７】なお、前記の実施例では、薄膜電極１３，
１４をそれぞれ一方の表面に形成した高分子誘導体フイ
ルム１１，１２の２枚を重ねて、巻き込むようにした場
合を例示したが、これらを複数枚積層するか、または複
数枚積層して巻き込むようにしてもよい。この複数枚積
層するか、または複数枚積層して巻き込むようにする場
合には、複数枚の高分子誘導体フイルム１１に相当する
方の薄膜電極１３同士を共通に接続し、同様にして、複
数枚の高分子誘導体フイルム１２に相当する方の薄膜電
極１４同士を共通に接続するようにすれば、大容量のコ
ンデンサを形成することができる。
１４をそれぞれ一方の表面に形成した高分子誘導体フイ
ルム１１，１２の２枚を重ねて、巻き込むようにした場
合を例示したが、これらを複数枚積層するか、または複
数枚積層して巻き込むようにしてもよい。この複数枚積
層するか、または複数枚積層して巻き込むようにする場
合には、複数枚の高分子誘導体フイルム１１に相当する
方の薄膜電極１３同士を共通に接続し、同様にして、複
数枚の高分子誘導体フイルム１２に相当する方の薄膜電
極１４同士を共通に接続するようにすれば、大容量のコ
ンデンサを形成することができる。
【００３８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
高分子誘電体フイルムの表面に形成されている薄膜電極
の抵抗値が２０Ωないし１０００Ωあるいは薄膜電極が
酸化亜鉛と導電性金属の混合体により形成されていて抵
抗値が高く、この薄膜電極の抵抗値によりセルフヒーリ
ング処理時に欠陥部への突入エネルギが抑制され、セル
フヒーリング処理に基づく高分子誘電体フイルムの損傷
は防止される。また、これにより、信頼性の高い大面積
のコンデンサを簡単に得ることができる。
高分子誘電体フイルムの表面に形成されている薄膜電極
の抵抗値が２０Ωないし１０００Ωあるいは薄膜電極が
酸化亜鉛と導電性金属の混合体により形成されていて抵
抗値が高く、この薄膜電極の抵抗値によりセルフヒーリ
ング処理時に欠陥部への突入エネルギが抑制され、セル
フヒーリング処理に基づく高分子誘電体フイルムの損傷
は防止される。また、これにより、信頼性の高い大面積
のコンデンサを簡単に得ることができる。
【図１】本発明の一実施例の高分子誘電体フイルムを巻
き込んで直流用コンデンサを形成する状態を示すコンデ
ンサの斜視図である。
き込んで直流用コンデンサを形成する状態を示すコンデ
ンサの斜視図である。
【図２】図１の高誘電体フイルムを巻き込んで形成した
直流用コンデンサの外観斜視図である。
直流用コンデンサの外観斜視図である。
【図３】本発明の直流用コンデンサの高誘電体フイルム
を示す拡大斜視図である。
を示す拡大斜視図である。
【図４】図３に示す高誘電体フイルムの正面図である。
【図５】従来の直流用コンデンサのセルフヒーリング処
理を説明するための拡大断面図である。
理を説明するための拡大断面図である。
【図６】図５の平面図である。
１１，１２ 高誘電体フイルム １１ａ，１２ａ 端縁 １３，１４ 薄膜電極 １３ａ，１３ｂ 薄膜電極１３の端縁 １５，１６ マージン １７，１８ メタリコン １９，２０ リード ２１ 直流コンデンサ
Claims (2)
- 【請求項１】 高分子誘電体フイルムの表面に２０Ωな
いし１０００Ω程度の抵抗値を有する薄膜電極を形成し
たことを特徴とする直流用コンデンサ。 - 【請求項２】 高分子誘電体フイルムの表面に酸化亜鉛
と導電性金属の混合体からなる薄膜電極を形成したこと
を特徴とする直流用コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13981795A JPH08298222A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 直流用コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13981795A JPH08298222A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 直流用コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08298222A true JPH08298222A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=15254156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13981795A Pending JPH08298222A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 直流用コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08298222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013503502A (ja) * | 2010-05-02 | 2013-01-31 | メリト・インコーポレーテッド | 超伝導スーパーキャパシタ |
| CN105869889A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-08-17 | 太仓凯丰电子科技有限公司 | 金属化聚合物薄膜电容器 |
-
1995
- 1995-04-26 JP JP13981795A patent/JPH08298222A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013503502A (ja) * | 2010-05-02 | 2013-01-31 | メリト・インコーポレーテッド | 超伝導スーパーキャパシタ |
| CN105869889A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-08-17 | 太仓凯丰电子科技有限公司 | 金属化聚合物薄膜电容器 |
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