JPH08307056A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH08307056A JPH08307056A JP10635795A JP10635795A JPH08307056A JP H08307056 A JPH08307056 A JP H08307056A JP 10635795 A JP10635795 A JP 10635795A JP 10635795 A JP10635795 A JP 10635795A JP H08307056 A JPH08307056 A JP H08307056A
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- wiring film
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れたインピーダンス整合を有すると共に基
板の厚さが小さい構造の多層配線基板を提供する。 【構成】 複数のスルーホール１が密集しているスルー
ホール密集領域２、信号配線膜４，５および電源配線膜
６〜８が配置されている配線領域３およびスルーホール
密集領域２における各スルーホール１と配線領域３にお
ける信号配線膜４，５または電源配線膜６〜８が電気接
続されている接続用配線膜領域２ａとを有し、配線領域
３における信号配線膜４，５のインピーダンスは電源配
線膜７，８によりコントロールされているものとする。
板の厚さが小さい構造の多層配線基板を提供する。 【構成】 複数のスルーホール１が密集しているスルー
ホール密集領域２、信号配線膜４，５および電源配線膜
６〜８が配置されている配線領域３およびスルーホール
密集領域２における各スルーホール１と配線領域３にお
ける信号配線膜４，５または電源配線膜６〜８が電気接
続されている接続用配線膜領域２ａとを有し、配線領域
３における信号配線膜４，５のインピーダンスは電源配
線膜７，８によりコントロールされているものとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線基板に関し、
特に、優れたインピーダンス整合の配線構造を有する多
層配線基板に適用して有効な技術に関する。
特に、優れたインピーダンス整合の配線構造を有する多
層配線基板に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層配線基板は、半導体集積回路装置を
含む種々の電気機器に使用されており、半導体集積回路
装置の高集積化と高特性化に伴い多層配線基板における
配線構造も微細となり、信頼度の高い配線構造が要求さ
れてきている。
含む種々の電気機器に使用されており、半導体集積回路
装置の高集積化と高特性化に伴い多層配線基板における
配線構造も微細となり、信頼度の高い配線構造が要求さ
れてきている。
【０００３】近年、多層配線基板の配線構造としては、
信頼度の高い配線構造とするために信号配線層のインピ
ーダンスをコントロールすることが行われており、その
ために信号配線膜と電源配線膜との組み合わせによりマ
イクロストップラインを構成し、インピーダンスのマッ
チングをとっているものがある。
信頼度の高い配線構造とするために信号配線層のインピ
ーダンスをコントロールすることが行われており、その
ために信号配線膜と電源配線膜との組み合わせによりマ
イクロストップラインを構成し、インピーダンスのマッ
チングをとっているものがある。
【０００４】この場合、多層配線基板におけるインピー
ダンスをコントロールするには、信号配線膜の幅と信号
配線膜の膜厚との比および電源配線膜と信号配線膜との
間の層間絶縁膜における膜厚と誘電率との比を調整して
行なわれている。
ダンスをコントロールするには、信号配線膜の幅と信号
配線膜の膜厚との比および電源配線膜と信号配線膜との
間の層間絶縁膜における膜厚と誘電率との比を調整して
行なわれている。
【０００５】なお、半導体集積回路装置を搭載する配線
基板について記載されている文献としては、例えば特開
昭５９−２０２６５４号公報に記載されているものがあ
る。
基板について記載されている文献としては、例えば特開
昭５９−２０２６５４号公報に記載されているものがあ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した多
層配線基板には、以下に述べるような種々の問題点があ
ることを本発明者は見い出した。
層配線基板には、以下に述べるような種々の問題点があ
ることを本発明者は見い出した。
【０００７】すなわち、多層配線基板における配線構造
は、信号配線膜と電源配線膜とが対になっていることに
より、例えば多層配線基板に半導体集積回路装置などの
部品を搭載する際のスルーホールが高密度になってしま
うと共に各スルホール間に通せる配線本数の制限条件か
らも信号配線膜が増加してしまうので、多層配線基板の
基板の厚さが厚くなってしまうという問題点が発生す
る。
は、信号配線膜と電源配線膜とが対になっていることに
より、例えば多層配線基板に半導体集積回路装置などの
部品を搭載する際のスルーホールが高密度になってしま
うと共に各スルホール間に通せる配線本数の制限条件か
らも信号配線膜が増加してしまうので、多層配線基板の
基板の厚さが厚くなってしまうという問題点が発生す
る。
【０００８】この場合、多層配線基板に搭載する例えば
半導体集積回路装置などの部品の電極の長さが短いと、
その電極の長さよりも多層配線基板の厚さが大きくなっ
てしまうことにより、部品の電極を多層配線基板にはん
だにより電気接続する場合に十分なはんだ接続ができな
くなるという問題点が発生する。
半導体集積回路装置などの部品の電極の長さが短いと、
その電極の長さよりも多層配線基板の厚さが大きくなっ
てしまうことにより、部品の電極を多層配線基板にはん
だにより電気接続する場合に十分なはんだ接続ができな
くなるという問題点が発生する。
【０００９】また、多層配線基板に例えば半導体集積回
路装置などの部品を高密度に実装する場合および電極の
ピッチが小さくて狭い部品を実装する場合に、それに使
用される多層配線基板におけるインピーダンスのコント
ロールを行なおうとすると信号配線膜の膜数が増加して
しまうので、多層配線基板の基板の厚さが厚くなってし
まうという問題点が発生する。
路装置などの部品を高密度に実装する場合および電極の
ピッチが小さくて狭い部品を実装する場合に、それに使
用される多層配線基板におけるインピーダンスのコント
ロールを行なおうとすると信号配線膜の膜数が増加して
しまうので、多層配線基板の基板の厚さが厚くなってし
まうという問題点が発生する。
【００１０】本発明の目的は、優れたインピーダンス整
合を有すると共に基板の厚さが小さい構造の多層配線基
板を提供することにある。
合を有すると共に基板の厚さが小さい構造の多層配線基
板を提供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下
の通りである。
る発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下
の通りである。
【００１３】本発明の多層配線基板は、複数のスルーホ
ールが密集しているスルーホール密集領域、信号配線膜
および電源配線膜が配置されている配線領域およびスル
ーホール密集領域における各スルーホールと配線領域に
おける信号配線膜または電源配線膜が電気接続されてい
る接続用配線膜領域とを有し、配線領域における信号配
線膜のインピーダンスは電源配線膜によりコントロール
されているものとする。
ールが密集しているスルーホール密集領域、信号配線膜
および電源配線膜が配置されている配線領域およびスル
ーホール密集領域における各スルーホールと配線領域に
おける信号配線膜または電源配線膜が電気接続されてい
る接続用配線膜領域とを有し、配線領域における信号配
線膜のインピーダンスは電源配線膜によりコントロール
されているものとする。
【００１４】
【作用】 （１）前記した本発明の多層配線基板によれば、配線領
域における信号配線膜のインピーダンスは信号配線膜と
同一の配線領域にある電源配線膜によりコントロールさ
れていることにより、配線領域における信号配線膜はイ
ンピーダンス整合できるので、優れたインピーダンス整
合を有する多層配線基板となる。
域における信号配線膜のインピーダンスは信号配線膜と
同一の配線領域にある電源配線膜によりコントロールさ
れていることにより、配線領域における信号配線膜はイ
ンピーダンス整合できるので、優れたインピーダンス整
合を有する多層配線基板となる。
【００１５】（２）前記した本発明の多層配線基板によ
れば、複数のスルーホールが密集しているスルーホール
密集領域およびスルーホール密集領域における各スルー
ホールと配線領域における信号配線膜または電源配線膜
が電気接続されている接続用配線膜領域は、インピーダ
ンスのコントロールを行う必要がないことにより、イン
ピーダンスのコントロールのための配線膜およびそれら
の配線膜の間の絶縁膜を不要とすることができることに
より、多層配線基板の厚さを最小限の値にすることがで
きるので、基板の厚さが小さい構造の多層配線基板とな
る。
れば、複数のスルーホールが密集しているスルーホール
密集領域およびスルーホール密集領域における各スルー
ホールと配線領域における信号配線膜または電源配線膜
が電気接続されている接続用配線膜領域は、インピーダ
ンスのコントロールを行う必要がないことにより、イン
ピーダンスのコントロールのための配線膜およびそれら
の配線膜の間の絶縁膜を不要とすることができることに
より、多層配線基板の厚さを最小限の値にすることがで
きるので、基板の厚さが小さい構造の多層配線基板とな
る。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て同一機能を有するものは同一の符号を付し、重複説明
は省略する。
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て同一機能を有するものは同一の符号を付し、重複説明
は省略する。
【００１７】図１は本発明の一実施例である多層配線基
板を示す概略平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ矢視断
面を示す概略断面図、図３は図１におけるＢ−Ｂ矢視断
面を示す概略拡大断面図、図４は図１におけるＣ−Ｃ矢
視断面を示す概略拡大断面図である。
板を示す概略平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ矢視断
面を示す概略断面図、図３は図１におけるＢ−Ｂ矢視断
面を示す概略拡大断面図、図４は図１におけるＣ−Ｃ矢
視断面を示す概略拡大断面図である。
【００１８】図１〜図４を用いて、本発明の多層配線基
板およびその製造方法を具体的に説明する。
板およびその製造方法を具体的に説明する。
【００１９】図１から図４に示すように、本実施例の多
層配線基板は、多数のスルーホール１が密集されている
スルーホール密集領域２、信号配線膜および電源配線膜
が配置されている配線領域３およびスルーホール密集領
域２におけるスルーホール１と配線領域３における信号
配線膜または電源配線膜とが配線膜により電気接続され
ている接続用配線膜領域２ａから構成されている。
層配線基板は、多数のスルーホール１が密集されている
スルーホール密集領域２、信号配線膜および電源配線膜
が配置されている配線領域３およびスルーホール密集領
域２におけるスルーホール１と配線領域３における信号
配線膜または電源配線膜とが配線膜により電気接続され
ている接続用配線膜領域２ａから構成されている。
【００２０】配線領域３は、多層構造の信号配線膜４，
５と多層構造の電源配線膜６〜８とが層間絶縁膜の機能
を備えている絶縁層９〜１８を介して配置されている。
５と多層構造の電源配線膜６〜８とが層間絶縁膜の機能
を備えている絶縁層９〜１８を介して配置されている。
【００２１】また、配線領域３における信号配線膜４，
５と電源配線膜７，８は対になったマイクロストリップ
ラン構造が採用されていることにより、信号配線膜４，
５のインピーダンスのコントロールが行なわれているの
で、信号配線膜４，５のインピーダンス整合ができてい
る。
５と電源配線膜７，８は対になったマイクロストリップ
ラン構造が採用されていることにより、信号配線膜４，
５のインピーダンスのコントロールが行なわれているの
で、信号配線膜４，５のインピーダンス整合ができてい
る。
【００２２】配線領域３における１層目の配線膜に配置
されている１層目の電源配線膜６は、多層配線基板にお
ける１層目の絶縁層９の表面に形成されている。また、
１層目の電源配線膜６は、スルーホール密集領域２にお
けるスルーホール１ａに接続用配線膜領域２ａにおける
配線膜１９により電気接続されている。スルーホール１
ａを含むすべてのスルーホール１の内壁には、図示を簡
略化するために図示を省略しているが導電体が設けられ
ている。
されている１層目の電源配線膜６は、多層配線基板にお
ける１層目の絶縁層９の表面に形成されている。また、
１層目の電源配線膜６は、スルーホール密集領域２にお
けるスルーホール１ａに接続用配線膜領域２ａにおける
配線膜１９により電気接続されている。スルーホール１
ａを含むすべてのスルーホール１の内壁には、図示を簡
略化するために図示を省略しているが導電体が設けられ
ている。
【００２３】配線領域３における２層目の配線膜に配置
されている１層目の信号配線膜４は、多層配線基板にお
ける２層目の絶縁層１０の表面に形成されている。ま
た、１層目の信号配線膜４は、スルーホール密集領域２
におけるスルーホール１ｉに接続用配線膜領域２ａにお
ける配線膜２０により電気接続されている。
されている１層目の信号配線膜４は、多層配線基板にお
ける２層目の絶縁層１０の表面に形成されている。ま
た、１層目の信号配線膜４は、スルーホール密集領域２
におけるスルーホール１ｉに接続用配線膜領域２ａにお
ける配線膜２０により電気接続されている。
【００２４】配線膜２０は、多層配線基板における２層
目の絶縁層１０の表面に形成されている。
目の絶縁層１０の表面に形成されている。
【００２５】配線領域３における２層目の配線膜に配置
されている１層目の信号配線膜４ａは、多層配線基板に
おける２層目の絶縁層１０の表面に形成されている。ま
た、１層目の信号配線膜４ａは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｈに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２１およびピラー（pillar）２８により電
気接続されている。
されている１層目の信号配線膜４ａは、多層配線基板に
おける２層目の絶縁層１０の表面に形成されている。ま
た、１層目の信号配線膜４ａは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｈに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２１およびピラー（pillar）２８により電
気接続されている。
【００２６】配線膜２１は、多層配線基板における３層
目の絶縁層１１の表面に形成されている。また、ピラー
２８は、絶縁層１１にスルーホールが形成されており、
そのスルーホールに柱形状の導電体が埋め込まれている
構造のものである。柱形状のピラー２８の平面形状は、
例えば円形状または四角形状などの種々の形状とするこ
とができる。
目の絶縁層１１の表面に形成されている。また、ピラー
２８は、絶縁層１１にスルーホールが形成されており、
そのスルーホールに柱形状の導電体が埋め込まれている
構造のものである。柱形状のピラー２８の平面形状は、
例えば円形状または四角形状などの種々の形状とするこ
とができる。
【００２７】配線領域３における２層目の配線膜に配置
されている１層目の信号配線膜４ｂは、多層配線基板に
おける２層目の絶縁層１０の表面に形成されている。ま
た、１層目の信号配線膜４ｂは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｇに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２２およびピラー２８ａにより電気接続さ
れている。
されている１層目の信号配線膜４ｂは、多層配線基板に
おける２層目の絶縁層１０の表面に形成されている。ま
た、１層目の信号配線膜４ｂは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｇに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２２およびピラー２８ａにより電気接続さ
れている。
【００２８】配線膜２２は、多層配線基板における４層
目の絶縁層１２の表面に形成されている。
目の絶縁層１２の表面に形成されている。
【００２９】配線領域３における２層目の配線膜に配置
されている１層目の信号配線膜４ｃは、多層配線基板に
おける２層目の絶縁層１０の表面に形成されている。ま
た、１層目の信号配線膜４ｃは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｆに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２３およびピラー２８ｂにより電気接続さ
れている。
されている１層目の信号配線膜４ｃは、多層配線基板に
おける２層目の絶縁層１０の表面に形成されている。ま
た、１層目の信号配線膜４ｃは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｆに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２３およびピラー２８ｂにより電気接続さ
れている。
【００３０】配線膜２３は、多層配線基板における５層
目の絶縁層１３の表面に形成されている。
目の絶縁層１３の表面に形成されている。
【００３１】配線領域３における３層目の配線膜に配置
されている２層目の電源配線膜７は、多層配線基板にお
ける４層目の絶縁層１２の表面に形成されている。ま
た、２層目の電源配線膜７は、図外の領域においてピラ
ーにより１層目の電源配線膜６に電気接続されている。
されている２層目の電源配線膜７は、多層配線基板にお
ける４層目の絶縁層１２の表面に形成されている。ま
た、２層目の電源配線膜７は、図外の領域においてピラ
ーにより１層目の電源配線膜６に電気接続されている。
【００３２】電源配線膜７は、多層配線基板における４
層目の絶縁層１２の表面に接続用配線膜領域２ａにおけ
る配線膜２２と同一の製造工程により形成されている。
層目の絶縁層１２の表面に接続用配線膜領域２ａにおけ
る配線膜２２と同一の製造工程により形成されている。
【００３３】また、配線領域３における４層目の配線膜
に配置されている２層目の信号配線膜５は、多層配線基
板における６層目の絶縁層１４の表面に形成されてい
る。また、２層目の信号配線膜５は、スルーホール密集
領域２におけるスルーホール１ｅに接続用配線膜領域２
ａにおける配線膜２４により電気接続されている。
に配置されている２層目の信号配線膜５は、多層配線基
板における６層目の絶縁層１４の表面に形成されてい
る。また、２層目の信号配線膜５は、スルーホール密集
領域２におけるスルーホール１ｅに接続用配線膜領域２
ａにおける配線膜２４により電気接続されている。
【００３４】配線膜２４は、多層配線基板における６層
目の絶縁層１４の表面に信号配線膜５と同一の製造工程
により形成されている。
目の絶縁層１４の表面に信号配線膜５と同一の製造工程
により形成されている。
【００３５】配線領域３における４層目の配線膜に配置
されている２層目の信号配線膜５ａは、多層配線基板に
おける６層目の絶縁層１４の表面に形成されている。ま
た、２層目の信号配線膜５ａは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｄに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２５およびピラー２８ｃにより電気接続さ
れている。
されている２層目の信号配線膜５ａは、多層配線基板に
おける６層目の絶縁層１４の表面に形成されている。ま
た、２層目の信号配線膜５ａは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｄに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２５およびピラー２８ｃにより電気接続さ
れている。
【００３６】配線膜２５は、多層配線基板における７層
目の絶縁層１５の表面に形成されている。
目の絶縁層１５の表面に形成されている。
【００３７】配線領域３における４層目の配線膜に配置
されている２層目の信号配線膜５ｂは、多層配線基板に
おける６層目の絶縁層１４の表面に形成されている。ま
た、２層目の信号配線膜５ｂは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｃに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２６およびピラー２８ｄにより電気接続さ
れている。
されている２層目の信号配線膜５ｂは、多層配線基板に
おける６層目の絶縁層１４の表面に形成されている。ま
た、２層目の信号配線膜５ｂは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｃに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２６およびピラー２８ｄにより電気接続さ
れている。
【００３８】配線膜２６は、多層配線基板における８層
目の絶縁層１６の表面に形成されている。
目の絶縁層１６の表面に形成されている。
【００３９】配線領域３における４層目の配線膜に配置
されている２層目の信号配線膜５ｃは、多層配線基板に
おける６層目の絶縁層１４の表面に形成されている。ま
た、２層目の信号配線膜５ｃは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｂに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２７およびピラー２８ｅにより電気接続さ
れている。
されている２層目の信号配線膜５ｃは、多層配線基板に
おける６層目の絶縁層１４の表面に形成されている。ま
た、２層目の信号配線膜５ｃは、スルーホール密集領域
２におけるスルーホール１ｂに接続用配線膜領域２ａに
おける配線膜２７およびピラー２８ｅにより電気接続さ
れている。
【００４０】配線膜２７は、多層配線基板における９層
目の絶縁層１７の表面に形成されている。
目の絶縁層１７の表面に形成されている。
【００４１】また、配線膜２７を含む多層配線基板の表
面には１０層目の絶縁層１８が形成されており、多層配
線基板の表面を保護している。
面には１０層目の絶縁層１８が形成されており、多層配
線基板の表面を保護している。
【００４２】配線領域３における５層目の配線膜に配置
されている３層目の電源配線膜８は、多層配線基板にお
ける８層目の絶縁層１６の表面に形成されている。ま
た、３層目の電源配線膜８は、図外の領域においてピラ
ーにより１層目の電源配線膜６に電気接続されている。
されている３層目の電源配線膜８は、多層配線基板にお
ける８層目の絶縁層１６の表面に形成されている。ま
た、３層目の電源配線膜８は、図外の領域においてピラ
ーにより１層目の電源配線膜６に電気接続されている。
【００４３】電源配線膜８は、多層配線基板における８
層目の絶縁層１６の表面に接続用配線膜領域２ａにおけ
る配線膜２６と同一の製造工程により形成されている。
層目の絶縁層１６の表面に接続用配線膜領域２ａにおけ
る配線膜２６と同一の製造工程により形成されている。
【００４４】本実施例の多層配線基板の製造方法は、基
板材料および絶縁層材料としてアルミナを使用し、導電
材料として銀または金などの導電体を使用してその導電
体をプリント印刷技術を用いて基板または絶縁層に形成
するセラミック基板方式をもって行うことができる。な
お、本実施例の多層配線基板の製造方法の他の態様とし
ては、例えばアルミまたは鉄などの基板材料を使用した
金属基板方式または例えばエポキシまたはフェノールな
どの樹脂を基板材料を使用した樹脂基板方式などを採用
して行うことができる。
板材料および絶縁層材料としてアルミナを使用し、導電
材料として銀または金などの導電体を使用してその導電
体をプリント印刷技術を用いて基板または絶縁層に形成
するセラミック基板方式をもって行うことができる。な
お、本実施例の多層配線基板の製造方法の他の態様とし
ては、例えばアルミまたは鉄などの基板材料を使用した
金属基板方式または例えばエポキシまたはフェノールな
どの樹脂を基板材料を使用した樹脂基板方式などを採用
して行うことができる。
【００４５】本実施例の多層配線基板は、配線領域３に
おける信号配線膜４，５と電源配線膜７，８とを対にし
た配置を採用しての組み合わせによりマイクロストップ
ラインを構成し、信号配線膜４，５のインピーダンスの
コントロールを行っており、信号配線膜４，５のインピ
ーダンス整合を簡単な構造により行っている。
おける信号配線膜４，５と電源配線膜７，８とを対にし
た配置を採用しての組み合わせによりマイクロストップ
ラインを構成し、信号配線膜４，５のインピーダンスの
コントロールを行っており、信号配線膜４，５のインピ
ーダンス整合を簡単な構造により行っている。
【００４６】この場合、多層配線基板における信号配線
膜４，５のインピーダンスをコントロールするには、信
号配線膜４，５の幅と信号配線膜４，５の膜厚との比お
よび電源配線膜７，８と信号配線膜４，５との間の絶縁
層１０〜１６における膜厚と誘電率との比をも調整して
行なわれている。
膜４，５のインピーダンスをコントロールするには、信
号配線膜４，５の幅と信号配線膜４，５の膜厚との比お
よび電源配線膜７，８と信号配線膜４，５との間の絶縁
層１０〜１６における膜厚と誘電率との比をも調整して
行なわれている。
【００４７】したがって、本実施例の多層配線基板は、
配線領域３における信号配線膜４，５のインピーダンス
がコントロールされており信号配線膜４，５の優れたイ
ンピーダンス整合が行われていることにより、信頼度の
高い配線構造を有する多層配線基板とすることができ
る。
配線領域３における信号配線膜４，５のインピーダンス
がコントロールされており信号配線膜４，５の優れたイ
ンピーダンス整合が行われていることにより、信頼度の
高い配線構造を有する多層配線基板とすることができ
る。
【００４８】また、本実施例の多層配線基板は、複数の
スルーホール１が密集しているスルーホール密集領域２
およびスルーホール密集領域２における各スルーホール
１ａ〜１ｉと配線領域３における信号配線膜４，５また
は電源配線膜６〜８が電気接続されている接続用配線膜
領域２ａは、インピーダンスのコントロールを行う必要
がないことにより、インピーダンスのコントロールのた
めの配線膜およびそれらの配線膜の間の絶縁膜を不要と
することができることにより、多層配線基板の厚さを最
小限の値にすることができるので、基板の厚さが小さい
構造の多層配線基板とすることができる。
スルーホール１が密集しているスルーホール密集領域２
およびスルーホール密集領域２における各スルーホール
１ａ〜１ｉと配線領域３における信号配線膜４，５また
は電源配線膜６〜８が電気接続されている接続用配線膜
領域２ａは、インピーダンスのコントロールを行う必要
がないことにより、インピーダンスのコントロールのた
めの配線膜およびそれらの配線膜の間の絶縁膜を不要と
することができることにより、多層配線基板の厚さを最
小限の値にすることができるので、基板の厚さが小さい
構造の多層配線基板とすることができる。
【００４９】また、本実施例の多層配線基板は、例えば
多層配線基板に半導体集積回路装置などの部品を搭載す
る際のスルーホール１が高密度になっても、スルホール
密集領域２および接続用配線膜領域２ａにはインピーダ
ンスのコントロールを行う必要がないことにより、多層
配線基板の基板の厚さを小さい構造の多層配線基板とす
ることができる。
多層配線基板に半導体集積回路装置などの部品を搭載す
る際のスルーホール１が高密度になっても、スルホール
密集領域２および接続用配線膜領域２ａにはインピーダ
ンスのコントロールを行う必要がないことにより、多層
配線基板の基板の厚さを小さい構造の多層配線基板とす
ることができる。
【００５０】したがって、本実施例の多層配線基板は、
スルーホール１が高密度になっても、多層配線基板の厚
さが小さいことにより、多層配線基板に搭載する例えば
半導体集積回路装置などの部品の電極の長さが短い場合
においても部品の電極を多層配線基板にはんだにより電
気接続する場合に十分なはんだ接続ができる。
スルーホール１が高密度になっても、多層配線基板の厚
さが小さいことにより、多層配線基板に搭載する例えば
半導体集積回路装置などの部品の電極の長さが短い場合
においても部品の電極を多層配線基板にはんだにより電
気接続する場合に十分なはんだ接続ができる。
【００５１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。具体的に
は、本発明の多層配線基板の製造方法は、スルーホール
法により簡単に行うことができるが、クリアランス法ま
たはビルドアップ法などを採用して行うことができる。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。具体的に
は、本発明の多層配線基板の製造方法は、スルーホール
法により簡単に行うことができるが、クリアランス法ま
たはビルドアップ法などを採用して行うことができる。
【００５２】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００５３】（１）本発明の多層配線基板によれば、配
線領域における信号配線膜と電源配線膜とを対にした配
置を採用しての組み合わせによりマイクロストップライ
ンを構成し、信号配線膜のインピーダンスのコントロー
ルを行っており、信号配線膜のインピーダンス整合を簡
単な構造により行うことができる。
線領域における信号配線膜と電源配線膜とを対にした配
置を採用しての組み合わせによりマイクロストップライ
ンを構成し、信号配線膜のインピーダンスのコントロー
ルを行っており、信号配線膜のインピーダンス整合を簡
単な構造により行うことができる。
【００５４】したがって、本発明の多層配線基板は、配
線領域における信号配線膜のインピーダンスがコントロ
ールされており信号配線膜の優れたインピーダンス整合
が行われていることにより、信頼度の高い配線構造を有
する多層配線基板とすることができる。
線領域における信号配線膜のインピーダンスがコントロ
ールされており信号配線膜の優れたインピーダンス整合
が行われていることにより、信頼度の高い配線構造を有
する多層配線基板とすることができる。
【００５５】（２）本発明の多層配線基板によれば、複
数のスルーホールが密集しているスルーホール密集領域
およびスルーホール密集領域における各スルーホールと
配線領域における信号配線膜または電源配線膜が電気接
続されている接続用配線膜領域は、インピーダンスのコ
ントロールを行う必要がないことにより、インピーダン
スのコントロールのための配線膜およびそれらの配線膜
の間の絶縁膜を不要とすることができることにより、多
層配線基板の厚さを最小限の値にすることができるの
で、基板の厚さが小さい構造の多層配線基板とすること
ができる。
数のスルーホールが密集しているスルーホール密集領域
およびスルーホール密集領域における各スルーホールと
配線領域における信号配線膜または電源配線膜が電気接
続されている接続用配線膜領域は、インピーダンスのコ
ントロールを行う必要がないことにより、インピーダン
スのコントロールのための配線膜およびそれらの配線膜
の間の絶縁膜を不要とすることができることにより、多
層配線基板の厚さを最小限の値にすることができるの
で、基板の厚さが小さい構造の多層配線基板とすること
ができる。
【００５６】（３）本発明の多層配線基板によれば、例
えば多層配線基板に半導体集積回路装置などの部品を搭
載する際のスルーホールが高密度になっても、スルホー
ルの密集領域および接続用配線膜領域にはインピーダン
スのコントロールを行う必要がないことにより、多層配
線基板の基板の厚さを小さい構造の多層配線基板とする
ことができる。
えば多層配線基板に半導体集積回路装置などの部品を搭
載する際のスルーホールが高密度になっても、スルホー
ルの密集領域および接続用配線膜領域にはインピーダン
スのコントロールを行う必要がないことにより、多層配
線基板の基板の厚さを小さい構造の多層配線基板とする
ことができる。
【００５７】したがって、本発明の多層配線基板は、ス
ルーホールが高密度になっても、多層配線基板の厚さが
小さいことにより、多層配線基板に搭載する例えば半導
体集積回路装置などの部品の電極の長さが短い場合にお
いても部品の電極を多層配線基板にはんだにより電気接
続する場合に十分なはんだ接続ができる。
ルーホールが高密度になっても、多層配線基板の厚さが
小さいことにより、多層配線基板に搭載する例えば半導
体集積回路装置などの部品の電極の長さが短い場合にお
いても部品の電極を多層配線基板にはんだにより電気接
続する場合に十分なはんだ接続ができる。
【図１】本発明の一実施例である多層配線基板を示す概
略平面図である。
略平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ矢視断面を示す概略断面図
である。
である。
【図３】図１におけるＢ−Ｂ矢視断面を示す概略拡大断
面図である。
面図である。
【図４】図１におけるＣ−Ｃ矢視断面を示す概略拡大断
面図である。
面図である。
１，１ａ〜１ｉ スルーホール ２ スルーホール密集領域 ２ａ 接続用配線膜領域 ３ 配線領域 ４，４ａ〜４ｃ 信号配線膜 ５，５ａ〜５ｃ 信号配線膜 ６〜８ 電源配線膜 ９〜１８ 絶縁層 １９〜２７ 配線膜 ２８，２８ａ〜２８ｃ ピラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森脇 肇彦 神奈川県秦野市堀山下１番地 日立コンピ ュータエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 磯部 輝雄 神奈川県秦野市堀山下１番地 日立コンピ ュータエンジニアリング株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 複数のスルーホールが密集しているスル
ーホール密集領域、信号配線膜および電源配線膜が配置
されている配線領域および前記スルーホール密集領域に
おける各スルーホールと前記配線領域における信号配線
膜または電源配線膜が電気接続されている接続用配線膜
領域とを有し、前記配線領域における前記信号配線膜の
インピーダンスは前記電源配線膜によりコントロールさ
れていることを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の多層配線基板において、
前記信号配線膜のインピーダンスのコントロールは、前
記信号配線膜と前記電源配線膜とを対に配置して行われ
ていることを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の多層配線基板に
おいて、前記スルーホール密集領域における各スルーホ
ールと前記配線領域における信号配線膜または電源配線
膜が電気接続されている接続用配線膜領域は、前記スル
ーホールに電気接続されている配線膜またはその配線膜
と前記配線領域における信号配線膜が電気接続されてい
るピラーを備えていることを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載の多層配線基
板において、前記スルーホール密集領域における各スル
ーホールと前記配線領域における信号配線膜または電源
配線膜が電気接続されている接続用配線膜領域は、同一
層に複数の信号配線膜が配置されている複数の信号配線
膜の少なくとも１個以上の前記信号配線膜とは異なる層
の配線膜およびその配線膜と前記信号配線膜が電気接続
されているピラーを備えていることを特徴とする多層配
線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10635795A JPH08307056A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10635795A JPH08307056A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307056A true JPH08307056A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14431513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10635795A Pending JPH08307056A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08307056A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734547B2 (en) | 2001-09-19 | 2004-05-11 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor wiring structure having divided power lines and ground lines on the same layer |
| CN108573955A (zh) * | 2017-03-08 | 2018-09-25 | 格芯公司 | 包含通孔互连结构的集成电路结构及其形成方法 |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP10635795A patent/JPH08307056A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734547B2 (en) | 2001-09-19 | 2004-05-11 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor wiring structure having divided power lines and ground lines on the same layer |
| CN108573955A (zh) * | 2017-03-08 | 2018-09-25 | 格芯公司 | 包含通孔互连结构的集成电路结构及其形成方法 |
| CN108573955B (zh) * | 2017-03-08 | 2021-10-26 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 | 包含通孔互连结构的集成电路结构及其形成方法 |
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