JPH0830760B2 - 放射光透過薄膜の製造方法及びその方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光透過窓 - Google Patents
放射光透過薄膜の製造方法及びその方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光透過窓Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シンクロトロン放射光を用いて、超LSI等
の回路パターンをSiウェハ等の被露光板状体に転写せし
める露光装置における放射光透過薄膜の製造方法及びそ
の方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光
透過窓に関するものである。
の回路パターンをSiウェハ等の被露光板状体に転写せし
める露光装置における放射光透過薄膜の製造方法及びそ
の方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光
透過窓に関するものである。
半導体（LSI）の高集積化技術の進歩に伴い、マスク
上のパターンをレジストを付着したSiウェハの上に転写
する半導体リソグラフィ装置において、軟Ｘ線を含むシ
ンクロトロンの放射光の利用が注目されるようになっ
た。
上のパターンをレジストを付着したSiウェハの上に転写
する半導体リソグラフィ装置において、軟Ｘ線を含むシ
ンクロトロンの放射光の利用が注目されるようになっ
た。
この放射光は、第６図に示されるように、高真空の電
子線蓄積リング（100）内で光速に近い速さの電子を偏
向磁石（101）の磁界により曲げた時に電子軌道の接線
方向に放射される電磁波であるが、平行性がよく、且つ
強い軟Ｘ線が得られるため、線幅がサブミクロンクラス
になる超LSIリソグラフィのＸ線源として期待されてい
る。
子線蓄積リング（100）内で光速に近い速さの電子を偏
向磁石（101）の磁界により曲げた時に電子軌道の接線
方向に放射される電磁波であるが、平行性がよく、且つ
強い軟Ｘ線が得られるため、線幅がサブミクロンクラス
になる超LSIリソグラフィのＸ線源として期待されてい
る。
シンクロトロン放射光を用いる実際の露光装置では、
電子蓄積リング（100）から発生せられた放射光がビー
ムライン（102）を通って転写装置（110）内に導かれ、
その内部でＸ線マスク（図示なし）のパターンをウェハ
駆動ステージ（図示なし）等を用いてウェハ上のレジス
トに転写する構成となっている。
電子蓄積リング（100）から発生せられた放射光がビー
ムライン（102）を通って転写装置（110）内に導かれ、
その内部でＸ線マスク（図示なし）のパターンをウェハ
駆動ステージ（図示なし）等を用いてウェハ上のレジス
トに転写する構成となっている。
ビームライン（102）の内部は、電子蓄積リング（10
0）に悪影響を及ぼさないように高真空に保たれてお
り、一方、転写装置（110）は、マスクの温度上昇を抑
えるため、その周りをチャンバ（111）で囲んで内部が
大気や他のガス（Ｘ線吸収の少ないヘリウムガス等）で
満たされている。シンクロトロン放射光の光源側（図で
は電子蓄積リング（100）とビームライン（102））と転
写装置（110）との間には、前者の高真空と後者の雰囲
気とを隔て、且つ放射光の一部を透過可能なベリリウム
薄膜等で構成される放射光透過薄膜Ｘのある放射光透過
窓（200）が設けられている。
0）に悪影響を及ぼさないように高真空に保たれてお
り、一方、転写装置（110）は、マスクの温度上昇を抑
えるため、その周りをチャンバ（111）で囲んで内部が
大気や他のガス（Ｘ線吸収の少ないヘリウムガス等）で
満たされている。シンクロトロン放射光の光源側（図で
は電子蓄積リング（100）とビームライン（102））と転
写装置（110）との間には、前者の高真空と後者の雰囲
気とを隔て、且つ放射光の一部を透過可能なベリリウム
薄膜等で構成される放射光透過薄膜Ｘのある放射光透過
窓（200）が設けられている。
第７図は、このような放射光透過薄膜Ｘの取付けられ
た放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図に示
すように、ビームライン（102）の真空フランジ（103）
にＯリング（40）を介して放射光透過薄膜Ｘの周辺部が
取付けられ、更にその上から止めフランジ（104）をク
ランプ（105）によって圧着せしめている。
た放射光透過窓の従来例を示す断面図である。同図に示
すように、ビームライン（102）の真空フランジ（103）
にＯリング（40）を介して放射光透過薄膜Ｘの周辺部が
取付けられ、更にその上から止めフランジ（104）をク
ランプ（105）によって圧着せしめている。
放射光の照射によってマスクパターンの転写を行なう
場合に、実用的なスループットを得るためには、放射光
透過薄膜Ｘの膜厚を薄くして、強い放射光を大きな面積
にわたって照射することが重要である。
場合に、実用的なスループットを得るためには、放射光
透過薄膜Ｘの膜厚を薄くして、強い放射光を大きな面積
にわたって照射することが重要である。
しかし、ビームライン（102）内と転写装置のチャン
バ（111）内雰囲気との間にはかなりの圧力差があるた
め、放射光透過薄膜Ｘは撓み、図示したようにビームラ
イン（102）側に膨出することになる。その撓み量は、
膜厚が薄い程、また、膜面積が大きい程大きくなり、上
記放射光透過窓の構成では、膜周辺部はその半径方向に
引っ張られ、ずれることになる。その時Ｏリング（40）
による弱い締め付けでは放射光透過薄膜Ｘに皺を生じる
ため、この皺を作る力によってＯリング（40）が持ち上
げられ、隙間を生じることになる。このためガス漏れが
発生し、電子蓄積リング（100）内を高真空状態に保っ
ておくことができなくなり、稼動不可能になることがあ
る。
バ（111）内雰囲気との間にはかなりの圧力差があるた
め、放射光透過薄膜Ｘは撓み、図示したようにビームラ
イン（102）側に膨出することになる。その撓み量は、
膜厚が薄い程、また、膜面積が大きい程大きくなり、上
記放射光透過窓の構成では、膜周辺部はその半径方向に
引っ張られ、ずれることになる。その時Ｏリング（40）
による弱い締め付けでは放射光透過薄膜Ｘに皺を生じる
ため、この皺を作る力によってＯリング（40）が持ち上
げられ、隙間を生じることになる。このためガス漏れが
発生し、電子蓄積リング（100）内を高真空状態に保っ
ておくことができなくなり、稼動不可能になることがあ
る。
また、締め付けの力が不均一な場合、当然のことなが
ら、皺の発生はより顕著となり、安全に動作する放射光
透過窓を、薄膜Ｘを用いて歩留りよく作成することは極
めて困難となる。
ら、皺の発生はより顕著となり、安全に動作する放射光
透過窓を、薄膜Ｘを用いて歩留りよく作成することは極
めて困難となる。
本発明は従来技術の以上のような問題に鑑み創案され
たもので、特定の構造を有す放射光透過薄膜の製造方法
を提供すると共に、その方法によって製造された放射光
透過薄膜を用い、取付け部での膜のずれの発生がなく、
従って、隙間の生じないような放射光透過窓を実現する
ものである。
たもので、特定の構造を有す放射光透過薄膜の製造方法
を提供すると共に、その方法によって製造された放射光
透過薄膜を用い、取付け部での膜のずれの発生がなく、
従って、隙間の生じないような放射光透過窓を実現する
ものである。
従来技術での上記の問題点は、放射光透過薄膜ＸがＯ
リング（40）を介して真空フランジ（103）と止めフラ
ンジ（104）によって機械的に圧着されているにすぎ
ず、取付け部は完全に不動構造ではなく、このために強
い応力が作用すると、ずれが発生することに起因する。
従って、薄膜Ｘを真空フランジ（103）もしくは止めフ
ランジ（104）のいずれか一方に完全な不動状態で取付
けることによって上記の問題点を解決することが可能と
なる。
リング（40）を介して真空フランジ（103）と止めフラ
ンジ（104）によって機械的に圧着されているにすぎ
ず、取付け部は完全に不動構造ではなく、このために強
い応力が作用すると、ずれが発生することに起因する。
従って、薄膜Ｘを真空フランジ（103）もしくは止めフ
ランジ（104）のいずれか一方に完全な不動状態で取付
けることによって上記の問題点を解決することが可能と
なる。
本発明は、第１図（ａ）に示すように、ベリリウム金
属の薄膜（１）を平滑な金属よりなる基板（２）上に、
真空蒸着法等の物理的手法やめっき法等の化学的手法
で、広い面積にわたり、強固に、均一に付着せしめつ
つ、成長させ、成長後に該基板（２）をその周辺部を残
してエッチング等の手法で除去し、第１図（ｂ）に示す
ような、放射光透過及び雰囲気隔離作用を有する薄膜
（１）と該薄膜（１）の取付けられた基板（２）の残存
枠部（2a）の一体構造体を作成して、該残存枠部（2a）
をベリリウム薄膜取付け部材とすることにより、薄膜
（１）を不動状態としたことを特徴とし、これにより、
薄膜（１）と枠部（2a）間のずれに伴う隙間の発生が防
止できる。
属の薄膜（１）を平滑な金属よりなる基板（２）上に、
真空蒸着法等の物理的手法やめっき法等の化学的手法
で、広い面積にわたり、強固に、均一に付着せしめつ
つ、成長させ、成長後に該基板（２）をその周辺部を残
してエッチング等の手法で除去し、第１図（ｂ）に示す
ような、放射光透過及び雰囲気隔離作用を有する薄膜
（１）と該薄膜（１）の取付けられた基板（２）の残存
枠部（2a）の一体構造体を作成して、該残存枠部（2a）
をベリリウム薄膜取付け部材とすることにより、薄膜
（１）を不動状態としたことを特徴とし、これにより、
薄膜（１）と枠部（2a）間のずれに伴う隙間の発生が防
止できる。
前記一体構造体の枠部（2a）は、第２図に示すように
Ｏリング（４）等を介してビームラインの真空フランジ
（３）に、通常の真空シールを行なう手法によりボルト
等で締め付けられ、放射光透過窓として完成される。
Ｏリング（４）等を介してビームラインの真空フランジ
（３）に、通常の真空シールを行なう手法によりボルト
等で締め付けられ、放射光透過窓として完成される。
添付図面に従い、本発明の具体的実施例を以下に説明
する。
する。
第３図（ａ）に示すように、直径50mmで厚さが3mmあ
り、その中央に径30mm、深さ2.7mmの凹みを持った無酸
素銅製（純度99.99％）の基板（20）を準備し、その一
部に、第３図（ｂ）に示すように金ペースト（21）を塗
布し、乾燥後、銅板の平坦な面上に真空蒸着により、ベ
リリウム（10）を約20μｍの厚みで製膜した。真空蒸着
装置より取出し、銅に関しては可溶であり且つベリリウ
ムと金は不溶な濃硝酸によって、露出した銅部分をエッ
チングし、第３図（ｃ）に示すような、窓作用をするベ
リリウム薄膜（10）と無酸素銅の残存枠部（20a）の一
体構造体を作成した。
り、その中央に径30mm、深さ2.7mmの凹みを持った無酸
素銅製（純度99.99％）の基板（20）を準備し、その一
部に、第３図（ｂ）に示すように金ペースト（21）を塗
布し、乾燥後、銅板の平坦な面上に真空蒸着により、ベ
リリウム（10）を約20μｍの厚みで製膜した。真空蒸着
装置より取出し、銅に関しては可溶であり且つベリリウ
ムと金は不溶な濃硝酸によって、露出した銅部分をエッ
チングし、第３図（ｃ）に示すような、窓作用をするベ
リリウム薄膜（10）と無酸素銅の残存枠部（20a）の一
体構造体を作成した。
この一体構造体を、第４図（ａ）に示すように、口径
30mmのビームライン（102a）の真空フランジ（30）に、
フッ素ゴム製のＯリング（40）を介して前記残存枠部
（20a）を取付け、放射光透過窓とした。同図で、（104
a）は転写装置側のチャンバ、（50）はクリップであ
る。該クリップ本体の８箇所に穿設されたボルト孔（5
1）にボルト（52）を貫通せしめ、第４図（ｂ）に示す
ように、８本のボルト（52）を真空フランジ（30）のボ
ルト螺入孔（31）に螺着せしめている。
30mmのビームライン（102a）の真空フランジ（30）に、
フッ素ゴム製のＯリング（40）を介して前記残存枠部
（20a）を取付け、放射光透過窓とした。同図で、（104
a）は転写装置側のチャンバ、（50）はクリップであ
る。該クリップ本体の８箇所に穿設されたボルト孔（5
1）にボルト（52）を貫通せしめ、第４図（ｂ）に示す
ように、８本のボルト（52）を真空フランジ（30）のボ
ルト螺入孔（31）に螺着せしめている。
上記の実施例では、Ｏリング（40）とベリリウム薄膜
（10）は接触状態にあるが、残存枠部（20a）の一部が
ベリリウム（10）に覆われずに露出した状態になるよう
にこれらを形成せしめれば、第５図（ａ）に示すよう
に、Ｏリング（40）とベリリウム薄膜（10）を接触させ
ないようにすることも可能であり、これにより、窓を組
立てる際にベリリウム薄膜（10）を破損する危険性が除
去されるため、さらに安定した放射光透過窓の作成が可
能となる。さらに、５図（ｂ）に示すように、ナイフエ
ッジ（32）を有するフランジ（30a）（50a）で枠部（20
a）を締め付け、Ｏリングを用いないで作成することも
可能である。これらの図では、金ペースト（21）は示さ
れていないが、ナイフエッジ（32）で締め付ける構造を
とる場合には、締め付ける前にラッピング等で除去する
ほうが望ましい。これらの構造は、ベリリウム薄膜（1
0）と枠部（20a）が一体構造になることによってのみ実
現されるものである。
（10）は接触状態にあるが、残存枠部（20a）の一部が
ベリリウム（10）に覆われずに露出した状態になるよう
にこれらを形成せしめれば、第５図（ａ）に示すよう
に、Ｏリング（40）とベリリウム薄膜（10）を接触させ
ないようにすることも可能であり、これにより、窓を組
立てる際にベリリウム薄膜（10）を破損する危険性が除
去されるため、さらに安定した放射光透過窓の作成が可
能となる。さらに、５図（ｂ）に示すように、ナイフエ
ッジ（32）を有するフランジ（30a）（50a）で枠部（20
a）を締め付け、Ｏリングを用いないで作成することも
可能である。これらの図では、金ペースト（21）は示さ
れていないが、ナイフエッジ（32）で締め付ける構造を
とる場合には、締め付ける前にラッピング等で除去する
ほうが望ましい。これらの構造は、ベリリウム薄膜（1
0）と枠部（20a）が一体構造になることによってのみ実
現されるものである。
このようにして作成された放射光透過窓では、ビーム
ライン（102a）側と転写装置のチャンバ（104a）側に大
きな圧力差が存在し、これに伴う応力がベリリウム薄膜
（10）に働いても、不動状態が実現されているため、薄
膜（10）の取付けられた残存枠部（20a）面上でのずれ
は、該薄膜（10）が破壊される程の大きな応力が作用し
ない限り発生せず、ビームライン（102a）の高真空状態
は保持される。
ライン（102a）側と転写装置のチャンバ（104a）側に大
きな圧力差が存在し、これに伴う応力がベリリウム薄膜
（10）に働いても、不動状態が実現されているため、薄
膜（10）の取付けられた残存枠部（20a）面上でのずれ
は、該薄膜（10）が破壊される程の大きな応力が作用し
ない限り発生せず、ビームライン（102a）の高真空状態
は保持される。
本実施例では、基板材料として無酸素銅、エッチング
溶液として濃硝酸を使用して説明したが、本発明の主旨
は、薄膜とこれを取付けた残存枠部の一体構造体を基本
構成要件として用いることにあり、それに使用される材
料がこれらに限定されるというものではない。また、ベ
リリウム薄膜の製膜法も、真空蒸着法に限定されるもの
ではなく、基板との付着力を向上させるため、イオンプ
レーティング等の方法を用いることも可能である。
溶液として濃硝酸を使用して説明したが、本発明の主旨
は、薄膜とこれを取付けた残存枠部の一体構造体を基本
構成要件として用いることにあり、それに使用される材
料がこれらに限定されるというものではない。また、ベ
リリウム薄膜の製膜法も、真空蒸着法に限定されるもの
ではなく、基板との付着力を向上させるため、イオンプ
レーティング等の方法を用いることも可能である。
以上詳述したように、本発明の放射光透過薄膜の製造
方法によれば、放射光源側の高真空と転写装置側の雰囲
気との間を隔て、且つ放射光を透過せしめる機能を持っ
た放射光透過薄膜の周辺取付け部を不動構造とすること
ができる。又、第２発明は周辺取付け部が不動構造とな
った放射光透過薄膜をビームラインに取付けているた
め、該取付け部での隙間の発生がなく、従って、窓破損
に伴うガス漏れが著しく低減され、強い軟Ｘ線を用いつ
つ、安定したＸ線リソグラフィを可能ならしめるという
効果を示す。
方法によれば、放射光源側の高真空と転写装置側の雰囲
気との間を隔て、且つ放射光を透過せしめる機能を持っ
た放射光透過薄膜の周辺取付け部を不動構造とすること
ができる。又、第２発明は周辺取付け部が不動構造とな
った放射光透過薄膜をビームラインに取付けているた
め、該取付け部での隙間の発生がなく、従って、窓破損
に伴うガス漏れが著しく低減され、強い軟Ｘ線を用いつ
つ、安定したＸ線リソグラフィを可能ならしめるという
効果を示す。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の構成を示す説明図、第２
図はそれを取付けた第２発明に係る放射光透過窓の一例
を示す断面図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の一
実施例に係るベリリウム薄膜と残存枠部の形成方法を示
す説明図、第４図（ａ）は第２発明の実施例の構成を示
す断面図、同図（ｂ）は該実施例の窓右側面図、第５図
（ａ）（ｂ）は第２発明の他の実施例を示す断面図、第
６図はシンクロトロン放射光を利用したＸ線露光装置の
構成の概略図、第７図は放射光透過窓の従来構造を示す
断面図である。 図中、（１）（10）はベリリウム薄膜、（２）（20）は
基板、（2a）（20a）は残存枠部、（３）（30）（30a）
はフランジ、（４）（40）はＯリング、（５）（50）
（50a）はクリップ、（102）（102a）はビームライン、
（103）は真空フランジ、（104）は止めフランジ、（11
0）は転写装置、（111）はチャンバをそれぞれ示す。
図はそれを取付けた第２発明に係る放射光透過窓の一例
を示す断面図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の一
実施例に係るベリリウム薄膜と残存枠部の形成方法を示
す説明図、第４図（ａ）は第２発明の実施例の構成を示
す断面図、同図（ｂ）は該実施例の窓右側面図、第５図
（ａ）（ｂ）は第２発明の他の実施例を示す断面図、第
６図はシンクロトロン放射光を利用したＸ線露光装置の
構成の概略図、第７図は放射光透過窓の従来構造を示す
断面図である。 図中、（１）（10）はベリリウム薄膜、（２）（20）は
基板、（2a）（20a）は残存枠部、（３）（30）（30a）
はフランジ、（４）（40）はＯリング、（５）（50）
（50a）はクリップ、（102）（102a）はビームライン、
（103）は真空フランジ、（104）は止めフランジ、（11
0）は転写装置、（111）はチャンバをそれぞれ示す。
Claims (4)
- 【請求項１】金属よりなる基板上にベリリウムの薄膜を
成長せしめた後に、その反対側から、周辺の枠部を残し
つつそれ以外の基板部分を除去し、ベリリウム薄膜露出
部及び残存枠部よりなる一体構造体とし、前記残存枠部
をベリリウム薄膜取付け部材とすることを特徴とする放
射光透過薄膜の製造方法。 - 【請求項２】基板が無酸素銅であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の放射光透過薄膜の製造方法。 - 【請求項３】ベリリウム薄膜を真空蒸着法によって成長
せしめたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
２項記載の放射光透過薄膜の製造方法。 - 【請求項４】シンクロトロン放射光を高真空のビームラ
インから外部の雰囲気中に取り出す放射光透過窓におい
て、特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の製造方法に
より一体構造体として製造された放射光透過薄膜を、そ
の残存枠部をビームラインの真空フランジに圧着せしめ
てそこに取付けたことを特徴とする放射光透過窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265079A JPH0830760B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 放射光透過薄膜の製造方法及びその方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光透過窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265079A JPH0830760B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 放射光透過薄膜の製造方法及びその方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光透過窓 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03128499A JPH03128499A (ja) | 1991-05-31 |
| JPH0830760B2 true JPH0830760B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17412308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1265079A Expired - Lifetime JPH0830760B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 放射光透過薄膜の製造方法及びその方法により製造された放射光透過薄膜を有する放射光透過窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830760B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3022014B2 (ja) * | 1992-01-17 | 2000-03-15 | 三菱電機株式会社 | 光透過型真空分離窓及び軟ｘ線透過窓 |
| JP2001307669A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Shimadzu Corp | 軟ｘ線発生装置及びｘ線検査装置 |
| JP2007253083A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Ebara Corp | 攪拌曝気装置、汚水処理場 |
| JP2011033396A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 窓構造体、電子線出射装置及びｘ線出射装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353200A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP1265079A patent/JPH0830760B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03128499A (ja) | 1991-05-31 |
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