JPH0830789B2 - 偏光分離合成プリズム - Google Patents
偏光分離合成プリズムInfo
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- JPH0830789B2 JPH0830789B2 JP20545687A JP20545687A JPH0830789B2 JP H0830789 B2 JPH0830789 B2 JP H0830789B2 JP 20545687 A JP20545687 A JP 20545687A JP 20545687 A JP20545687 A JP 20545687A JP H0830789 B2 JPH0830789 B2 JP H0830789B2
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Description
【発明の詳細な説明】 概要 光スイッチ等の光デバイスに用いる偏光分離合成プリ
ズムに関し、 偏光分離膜の厚みにより生じる光軸のずれをなくすこ
と目的とし、 偏光分離膜及び反射膜を有する第１、第２プリズムか
ら構成され、偏光分離膜で分離された互いに直交する偏
光面を有する２つの偏光成分のうち一方の偏光成分を分
離膜で反射させて両偏光成分を平行に第１プリズムから
出射し、該出射光のうち一方の偏光成分を反射膜及び偏
光分離膜で反射させると共に他方の偏光成分を偏光分離
膜に透過させて、両偏光成分を第２プリズムで合成する
ようにした偏光分離合成プリズムにおいて、第２プリズ
ムの当該合成光軸上に新たな偏光分離膜を設け、この偏
光分離膜の内部を透過してその表面で反射した偏光成分
の光軸とこの偏光分離膜の内部を透過しないでその表面
で反射した偏光成分の光軸とが一致するように、偏光分
離膜の厚み及び前記合成光軸に対する角度を設定して構
成される。
ズムに関し、 偏光分離膜の厚みにより生じる光軸のずれをなくすこ
と目的とし、 偏光分離膜及び反射膜を有する第１、第２プリズムか
ら構成され、偏光分離膜で分離された互いに直交する偏
光面を有する２つの偏光成分のうち一方の偏光成分を分
離膜で反射させて両偏光成分を平行に第１プリズムから
出射し、該出射光のうち一方の偏光成分を反射膜及び偏
光分離膜で反射させると共に他方の偏光成分を偏光分離
膜に透過させて、両偏光成分を第２プリズムで合成する
ようにした偏光分離合成プリズムにおいて、第２プリズ
ムの当該合成光軸上に新たな偏光分離膜を設け、この偏
光分離膜の内部を透過してその表面で反射した偏光成分
の光軸とこの偏光分離膜の内部を透過しないでその表面
で反射した偏光成分の光軸とが一致するように、偏光分
離膜の厚み及び前記合成光軸に対する角度を設定して構
成される。
産業上の利用分野 本発明は、光スイッチ等の光デバイスに用いる偏光分
離合成プリズムに関する。
離合成プリズムに関する。
例えば適当な制御信号により光路を変更して切換える
光スイッチの一例として、一対のプリズムからなる偏光
分離合成プリズムを用い、両プリズム間で信号光の偏光
状態を制御するようにした構成のものを挙げることがで
きる。偏光分離合成プリズムは、一方のプリズムで入射
光を互いに直交する２つの偏光成分に分離し、他方のプ
リズムで分離された両偏光成分を合成するように構成さ
れ、光スイッチのほかに光アイソレータ及び各種センサ
等に利用されている。このように種々の光デバイスに多
用されている偏光分離合成プリズムに要求される特性
は、 （イ） 偏光分離に際しての消光比が高いこと、 （ロ） 構成された光デバイスの損失特性が良好となる
ことである。
光スイッチの一例として、一対のプリズムからなる偏光
分離合成プリズムを用い、両プリズム間で信号光の偏光
状態を制御するようにした構成のものを挙げることがで
きる。偏光分離合成プリズムは、一方のプリズムで入射
光を互いに直交する２つの偏光成分に分離し、他方のプ
リズムで分離された両偏光成分を合成するように構成さ
れ、光スイッチのほかに光アイソレータ及び各種センサ
等に利用されている。このように種々の光デバイスに多
用されている偏光分離合成プリズムに要求される特性
は、 （イ） 偏光分離に際しての消光比が高いこと、 （ロ） 構成された光デバイスの損失特性が良好となる
ことである。
従来の技術 第３図は、従来の偏光分離プリズムの構成及び動作を
説明するためのものである。この偏光分離プリズムは、
第１プリズム１と第２プリズム２とを組合せて構成され
る。第１プリズム１は、三角プリズム11,12間にガラス
ブロック13を介在させ、三角プリズム11とガラスブロッ
ク13間には偏光分離膜14を、三角プリズム12とガラスブ
ロック13間には反射膜15をそれぞれ介在させてなる。第
２プリズム２は、第１プリズムと同様に三角プリズム2
1,22、ガラスブロック23、偏光分離膜24及び反射膜25か
ら構成され、紙面上で第１プリズム１に対して回転対称
となるように配置されている。
説明するためのものである。この偏光分離プリズムは、
第１プリズム１と第２プリズム２とを組合せて構成され
る。第１プリズム１は、三角プリズム11,12間にガラス
ブロック13を介在させ、三角プリズム11とガラスブロッ
ク13間には偏光分離膜14を、三角プリズム12とガラスブ
ロック13間には反射膜15をそれぞれ介在させてなる。第
２プリズム２は、第１プリズムと同様に三角プリズム2
1,22、ガラスブロック23、偏光分離膜24及び反射膜25か
ら構成され、紙面上で第１プリズム１に対して回転対称
となるように配置されている。
第３図（ａ）において、第１プリズム１に所定の入射
角で光を入射させると、この光は、紙面に平行な偏光面
を有する偏光成分（Ｐ波）と紙面に垂直な偏光面を有す
る偏光成分（Ｓ波）とに分離され、これらのうちＰ波
は、反射膜15で全反射されて、Ｐ波及びＳ波は、第１プ
リズム１から平行に出射される。この出射光の偏光面を
変換することなしに第２プリズム２に所定の入射角で入
射させると、Ｐ波は偏光分離膜24を透過して入射光と平
行に出射される。また、Ｓ波は、反射膜25及び偏光分離
膜24でこの順に反射されて、Ｐ波と平行に合成されて出
射される。
角で光を入射させると、この光は、紙面に平行な偏光面
を有する偏光成分（Ｐ波）と紙面に垂直な偏光面を有す
る偏光成分（Ｓ波）とに分離され、これらのうちＰ波
は、反射膜15で全反射されて、Ｐ波及びＳ波は、第１プ
リズム１から平行に出射される。この出射光の偏光面を
変換することなしに第２プリズム２に所定の入射角で入
射させると、Ｐ波は偏光分離膜24を透過して入射光と平
行に出射される。また、Ｓ波は、反射膜25及び偏光分離
膜24でこの順に反射されて、Ｐ波と平行に合成されて出
射される。
例えば光スイッチにおいて、第１プリズム１及び第２
プリズム２間に適当な偏光制御手段３を設け、第３図
（ｂ）に示されるように、Ｐ波がＳ波に、Ｓ波がＰ波に
変換されるようにすると、変換されたＳ波は、第２プリ
ズム２の偏光分離膜24で反射して出射され、変換された
Ｐ波は、反射膜25で反射して、変換されたＳと合成され
て出射される。このように、偏光制御手段３がその透過
光の偏光面を変換するか否かにより、第２プリズム２の
出射光の方向を切換えることができるものである。
プリズム２間に適当な偏光制御手段３を設け、第３図
（ｂ）に示されるように、Ｐ波がＳ波に、Ｓ波がＰ波に
変換されるようにすると、変換されたＳ波は、第２プリ
ズム２の偏光分離膜24で反射して出射され、変換された
Ｐ波は、反射膜25で反射して、変換されたＳと合成され
て出射される。このように、偏光制御手段３がその透過
光の偏光面を変換するか否かにより、第２プリズム２の
出射光の方向を切換えることができるものである。
発明が解決しようとする問題点 第３図（ｂ）に示される動作時にあっては、ガラスブ
ロック13,23の材質及び厚みを同一のものとし、且つ、
これらを平行に配置している限りは、分離された各偏光
成分は、偏光分離膜24で合成される際に、同一の光軸を
共有する。これは、偏光分離膜24で反射されるＳ波成分
は、そのほとんどのパワーが偏光分離膜24の表面近傍で
反射していることに基づく。一方、第３図（ａ）に示さ
れる動作時にあっては、同図上下方向の光路長に注目す
ると、Ｐ波成分については偏光分離膜14及びガラスブロ
ック13を透過しているのに対し、Ｓ波成分については反
射膜25及び偏光分離膜24間でガラスブロック23だけを透
過しているので、偏光分離膜14の厚みに応じた光路長の
差が生じ、その結果、合成された各偏光成分の光軸が完
全に一致しない。合成光の光軸が完全に一致しないと、
第２プリズム２の出射光を例えばレンズを用いて光ファ
イバに結合する場合に、合成光を１点に集光することが
できないので、結合効率が低下するという問題があっ
た。
ロック13,23の材質及び厚みを同一のものとし、且つ、
これらを平行に配置している限りは、分離された各偏光
成分は、偏光分離膜24で合成される際に、同一の光軸を
共有する。これは、偏光分離膜24で反射されるＳ波成分
は、そのほとんどのパワーが偏光分離膜24の表面近傍で
反射していることに基づく。一方、第３図（ａ）に示さ
れる動作時にあっては、同図上下方向の光路長に注目す
ると、Ｐ波成分については偏光分離膜14及びガラスブロ
ック13を透過しているのに対し、Ｓ波成分については反
射膜25及び偏光分離膜24間でガラスブロック23だけを透
過しているので、偏光分離膜14の厚みに応じた光路長の
差が生じ、その結果、合成された各偏光成分の光軸が完
全に一致しない。合成光の光軸が完全に一致しないと、
第２プリズム２の出射光を例えばレンズを用いて光ファ
イバに結合する場合に、合成光を１点に集光することが
できないので、結合効率が低下するという問題があっ
た。
この問題は、偏光分離膜14の厚みを薄くすることによ
りある程度緩和することが可能であるが、こうすると偏
光分離膜の偏光分離作用が劣るので、消光比の高い光デ
バイスを提供することが困難となる。例えば誘電体多層
膜から形成される偏光分離膜は、通常、数μｍの厚みを
有しており、光ビームの径は数10μｍに設定されている
ため、上記光軸のずれは実用上無視することのできない
ものである。
りある程度緩和することが可能であるが、こうすると偏
光分離膜の偏光分離作用が劣るので、消光比の高い光デ
バイスを提供することが困難となる。例えば誘電体多層
膜から形成される偏光分離膜は、通常、数μｍの厚みを
有しており、光ビームの径は数10μｍに設定されている
ため、上記光軸のずれは実用上無視することのできない
ものである。
本発明はこのような問題点に鑑みて創作されたもの
で、偏光分離膜の厚みにより生じる光軸のずれをなくす
こと目的としている。
で、偏光分離膜の厚みにより生じる光軸のずれをなくす
こと目的としている。
問題点を解決するための手段 上述した従来技術の問題点は、その原理構成が第１図
に示されるような偏光分離合成プリズムにより解決され
る。
に示されるような偏光分離合成プリズムにより解決され
る。
この偏光分離合成プリズムは、偏光分離膜31及び反射
膜32を有する第１プリズム33と、偏光分離膜31及び反射
膜32の位置関係と同一の位置関係で配置される偏光分離
膜34及び反射膜35を有する第２プリズム36とから構成さ
れる。
膜32を有する第１プリズム33と、偏光分離膜31及び反射
膜32の位置関係と同一の位置関係で配置される偏光分離
膜34及び反射膜35を有する第２プリズム36とから構成さ
れる。
そして、偏光分離膜31で反射された互いに直交する偏
光面を有する２つの偏光成分のうち一方の偏光成分を反
射膜32で反射させて両偏光成分を平行に出射し、該出射
光のうち一方の偏光成分を反射膜35及び偏光分離膜34で
反射すると共に他方の偏光成分を偏光分離膜34に透過さ
せて、両偏光成分を合成するようにされている。
光面を有する２つの偏光成分のうち一方の偏光成分を反
射膜32で反射させて両偏光成分を平行に出射し、該出射
光のうち一方の偏光成分を反射膜35及び偏光分離膜34で
反射すると共に他方の偏光成分を偏光分離膜34に透過さ
せて、両偏光成分を合成するようにされている。
37は第２プリズム36の当該合成光軸上に設けられる偏
光分離膜である。
光分離膜である。
この偏光分離膜37の厚み及び前記合成光軸に対する角
度は偏光分離膜37の内部を透過してその表面で反射した
偏光成分の光軸と偏光分離膜37の内部を透過しないでそ
の表面で反射した偏光成分の光軸とが一致するように設
定されている。
度は偏光分離膜37の内部を透過してその表面で反射した
偏光成分の光軸と偏光分離膜37の内部を透過しないでそ
の表面で反射した偏光成分の光軸とが一致するように設
定されている。
作用 上記構成においては、偏光分離膜31、反射膜35及び偏
光分離膜34をこの順で反射した偏光成分の光軸OASと、
偏光分離膜31を透過して反射膜32で反射し、さらに偏光
分離膜34を透過した偏光成分の光軸OAPとは平行になっ
ているが、偏光分離膜31の厚み及び入射光線に対する角
度に応じてずれを生じている。光軸OASを有する偏光成
分は、偏光分離膜31及び偏光分離膜34で反射しているの
で、偏光成分はＳ波となり、このため、偏光分離膜37を
透過することなくその表面で主に反射される。光軸OAP
を有する偏光成分は、偏光分離膜31及び偏光分離膜34を
透過しているので、この偏光成分はＰ波となっており、
このため、偏光分離膜37内に侵入しその外部表面で反射
して出射される。偏光分離膜37の表面で反射した光軸OA
Sに対応する反射光軸は常に一定であるが、偏光分離膜3
7内を透過して外部表面で反射した光軸OAPに対応する反
射光軸は、偏光分離膜37の厚み及び光軸OAP（光軸OAS）
となす角度に応じて第１図左右方向に移動する。このた
め、これらのファクタを適当に設定することにより、光
軸OAS及び光軸OAPの反射光軸を完全に一致させることが
できる。
光分離膜34をこの順で反射した偏光成分の光軸OASと、
偏光分離膜31を透過して反射膜32で反射し、さらに偏光
分離膜34を透過した偏光成分の光軸OAPとは平行になっ
ているが、偏光分離膜31の厚み及び入射光線に対する角
度に応じてずれを生じている。光軸OASを有する偏光成
分は、偏光分離膜31及び偏光分離膜34で反射しているの
で、偏光成分はＳ波となり、このため、偏光分離膜37を
透過することなくその表面で主に反射される。光軸OAP
を有する偏光成分は、偏光分離膜31及び偏光分離膜34を
透過しているので、この偏光成分はＰ波となっており、
このため、偏光分離膜37内に侵入しその外部表面で反射
して出射される。偏光分離膜37の表面で反射した光軸OA
Sに対応する反射光軸は常に一定であるが、偏光分離膜3
7内を透過して外部表面で反射した光軸OAPに対応する反
射光軸は、偏光分離膜37の厚み及び光軸OAP（光軸OAS）
となす角度に応じて第１図左右方向に移動する。このた
め、これらのファクタを適当に設定することにより、光
軸OAS及び光軸OAPの反射光軸を完全に一致させることが
できる。
実 施 例 以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第２図は、本発明の偏光分離合成プリズムを用いて構
成される光スイッチの構成及び動作を説明するためのも
のであって、第２図（ａ）にはスイッチオフの状態が、
第２図（ｂ）にはスイッチオンの状態が示されている。
41は本実施例では入射光を入射させる第１プリズムであ
り、この第１プリズム41は、ガラスブロック44の両面に
三角プリズム42,44の斜面を貼着し、三角プリズム42と
ガラスブロック44間に偏光分離膜45を概略中央部まで介
在させると共に、三角プリズム43とガラスブロック44間
の偏光分離膜45と反対側に反射膜46を概略中央部まで介
在させて構成される。
成される光スイッチの構成及び動作を説明するためのも
のであって、第２図（ａ）にはスイッチオフの状態が、
第２図（ｂ）にはスイッチオンの状態が示されている。
41は本実施例では入射光を入射させる第１プリズムであ
り、この第１プリズム41は、ガラスブロック44の両面に
三角プリズム42,44の斜面を貼着し、三角プリズム42と
ガラスブロック44間に偏光分離膜45を概略中央部まで介
在させると共に、三角プリズム43とガラスブロック44間
の偏光分離膜45と反対側に反射膜46を概略中央部まで介
在させて構成される。
51は本実施例では出射光が出射する第２プリズムであ
り、この第２プリズム51は、ガラスブロック54の一方の
面に三角プリズム52の１つの面を貼着し、ガラスブロッ
ク54の他方の面に三角プリズム53の斜面を貼着して構成
される。三角プリズム53とガラスブロック54間及び三角
プリズム52とガラスブロック54間には、第１プリズム41
と同様に、それぞれ偏光分離膜55及び反射膜56が介在し
ている。57は三角プリズム52のガラスブロック54に貼着
された面と異なる面上に形成された偏光分離膜である。
り、この第２プリズム51は、ガラスブロック54の一方の
面に三角プリズム52の１つの面を貼着し、ガラスブロッ
ク54の他方の面に三角プリズム53の斜面を貼着して構成
される。三角プリズム53とガラスブロック54間及び三角
プリズム52とガラスブロック54間には、第１プリズム41
と同様に、それぞれ偏光分離膜55及び反射膜56が介在し
ている。57は三角プリズム52のガラスブロック54に貼着
された面と異なる面上に形成された偏光分離膜である。
偏光制御手段58は、YIG等の磁気光学結晶とこの磁気
光学結晶に飽和磁界を印加するための電磁石を有して構
成され、この磁界の印加はスイッチ59により反転するこ
とができるようになっている。なお、磁気光学結晶の光
軸方向の長さは、飽和磁界を反転させたときに、透過光
の偏光面を90゜回転するように設定されている。反射膜
46,56としては、金属膜及び誘電体膜等の全反射に適し
たものを用いることができる。偏光分離膜45,55,57とし
ては、例えばSiO2及びTiO2を積層してなる誘電体多層膜
を用いることができる。偏光分離膜45,57として同一の
ものを用い、これらに入射する光線の入射角を同一角度
に設定している場合には、偏光分離膜45,57の厚みを同
一のものとすることができる。
光学結晶に飽和磁界を印加するための電磁石を有して構
成され、この磁界の印加はスイッチ59により反転するこ
とができるようになっている。なお、磁気光学結晶の光
軸方向の長さは、飽和磁界を反転させたときに、透過光
の偏光面を90゜回転するように設定されている。反射膜
46,56としては、金属膜及び誘電体膜等の全反射に適し
たものを用いることができる。偏光分離膜45,55,57とし
ては、例えばSiO2及びTiO2を積層してなる誘電体多層膜
を用いることができる。偏光分離膜45,57として同一の
ものを用い、これらに入射する光線の入射角を同一角度
に設定している場合には、偏光分離膜45,57の厚みを同
一のものとすることができる。
第１プリズム41の図中下方向から光を入射させると、
この光は、偏光分離膜45により紙面と平行な偏光面を有
するＰ波と紙面に垂直な偏光面を有するＳ波とに分離さ
れ、これらのうちＰ波は偏光分離膜45を透過し、Ｓ波は
偏光分離膜45の表面で主に反射する。偏光分離膜44を透
過したＰ波は反射膜46で反射するので、Ｐ波及びＳ波
は、第１プリズム41から平行に出射される。第２図
（ａ）に示されるように、スイッチ59により磁界方向が
矢印Ｃの場合には、偏光制御手段58を透過する際に、こ
れらの偏光面は保存され、この状態で第２プリズム51に
入射される。第２プリズム51に入射されたＰ波は、偏光
分離膜45に対してと同様の位置関係で偏光分離膜55に入
射され、これを透過して偏光分離膜57に導かれる（光軸
OAP）。一方、第２プリズム51に入射されたＳ波は、反
射膜56及び偏光分離膜55で反射されて、偏光分離膜57に
導かれる（光軸OAS）。光軸OAP及び光軸OASが一致して
いないのは前述した通りであるが、光軸OASについて
は、偏光分離膜57内に導かれることなくその表面で反射
され、光軸OAPについては、偏光分離膜57内に導かれそ
の外部表面で反射するので、これ両反射光軸は一致す
る。このため、例えばレンズを用いてこの光を光ファイ
バに結合する場合に、結合効率の低下が防止される。
この光は、偏光分離膜45により紙面と平行な偏光面を有
するＰ波と紙面に垂直な偏光面を有するＳ波とに分離さ
れ、これらのうちＰ波は偏光分離膜45を透過し、Ｓ波は
偏光分離膜45の表面で主に反射する。偏光分離膜44を透
過したＰ波は反射膜46で反射するので、Ｐ波及びＳ波
は、第１プリズム41から平行に出射される。第２図
（ａ）に示されるように、スイッチ59により磁界方向が
矢印Ｃの場合には、偏光制御手段58を透過する際に、こ
れらの偏光面は保存され、この状態で第２プリズム51に
入射される。第２プリズム51に入射されたＰ波は、偏光
分離膜45に対してと同様の位置関係で偏光分離膜55に入
射され、これを透過して偏光分離膜57に導かれる（光軸
OAP）。一方、第２プリズム51に入射されたＳ波は、反
射膜56及び偏光分離膜55で反射されて、偏光分離膜57に
導かれる（光軸OAS）。光軸OAP及び光軸OASが一致して
いないのは前述した通りであるが、光軸OASについて
は、偏光分離膜57内に導かれることなくその表面で反射
され、光軸OAPについては、偏光分離膜57内に導かれそ
の外部表面で反射するので、これ両反射光軸は一致す
る。このため、例えばレンズを用いてこの光を光ファイ
バに結合する場合に、結合効率の低下が防止される。
次に第２図（ｂ）に示されるように、スイッチ59によ
り磁界方向が矢印Ｄの場合には、偏光制御手段58によ
り、Ｐ波はＳ波に、Ｓ波はＰ波に偏光状態を変換される
ので、第２プリズム51の偏光分離膜55に直接入射させる
光はＳ波となる。このため、Ｓ波は偏光分離膜55により
反射されて図中Ｂ方向に出射される（光軸OAS′）。ま
た、Ｐ波は反射膜56で反射されて偏光分離膜55を透過し
てＢ方向に出射される（光軸OAP′）。この場合には、
光路長差が生じないので、光軸OAS′及び光軸OAP′は完
全に一致する。
り磁界方向が矢印Ｄの場合には、偏光制御手段58によ
り、Ｐ波はＳ波に、Ｓ波はＰ波に偏光状態を変換される
ので、第２プリズム51の偏光分離膜55に直接入射させる
光はＳ波となる。このため、Ｓ波は偏光分離膜55により
反射されて図中Ｂ方向に出射される（光軸OAS′）。ま
た、Ｐ波は反射膜56で反射されて偏光分離膜55を透過し
てＢ方向に出射される（光軸OAP′）。この場合には、
光路長差が生じないので、光軸OAS′及び光軸OAP′は完
全に一致する。
この実施例では、偏光分離膜57内に導かれた光が偏光
分離膜57の外側表面（空気との境界面）で全反射するよ
うに、入射角を設定する必要があるので、偏光分離膜4
5,57が同一のものである場合には、当該全反射条件を満
たすように各部材を配置することが望ましい。なお、こ
のような全反射をさせるためには、偏光分離膜57の最外
側層の屈折率と空気の屈折率との差に応じて入射角を設
定することにより行なうことができる。また、偏光分離
膜57の外側表面に反射膜を形成するようにしても良い。
こうすることにより、第２図（ａ）に矢印Ａで示される
出射光の方向を自由に変化させることができ便利であ
る。なお、この場合には、各偏光成分の反射光軸が完全
に一致するように偏光分離膜57の厚みを最設定する必要
がある。
分離膜57の外側表面（空気との境界面）で全反射するよ
うに、入射角を設定する必要があるので、偏光分離膜4
5,57が同一のものである場合には、当該全反射条件を満
たすように各部材を配置することが望ましい。なお、こ
のような全反射をさせるためには、偏光分離膜57の最外
側層の屈折率と空気の屈折率との差に応じて入射角を設
定することにより行なうことができる。また、偏光分離
膜57の外側表面に反射膜を形成するようにしても良い。
こうすることにより、第２図（ａ）に矢印Ａで示される
出射光の方向を自由に変化させることができ便利であ
る。なお、この場合には、各偏光成分の反射光軸が完全
に一致するように偏光分離膜57の厚みを最設定する必要
がある。
以上のように光スイッチを構成すると、偏光分離膜の
厚みによらず出射光軸を完全に一致させることができる
ので、例えば５〜10μｍ程度の偏光分離膜を用いて高い
消光比の光スイッチを提供することが可能となる。また
このような光デバイスにおいては、偏光制御手段の消費
電力を低減させるために、透過光ビームをできるだけ細
く（例えば50μｍ以下）としているので、従来のように
数μｍの光軸ずれを生じていた場合と比較して、光軸ず
れに伴う光パワーの損失を最小とすることが可能とな
る。
厚みによらず出射光軸を完全に一致させることができる
ので、例えば５〜10μｍ程度の偏光分離膜を用いて高い
消光比の光スイッチを提供することが可能となる。また
このような光デバイスにおいては、偏光制御手段の消費
電力を低減させるために、透過光ビームをできるだけ細
く（例えば50μｍ以下）としているので、従来のように
数μｍの光軸ずれを生じていた場合と比較して、光軸ず
れに伴う光パワーの損失を最小とすることが可能とな
る。
発明の効果 以上詳述したように、本発明によれば、偏光分離膜の
厚みにより生じる光軸のずれを補正するための新たな偏
光分離膜を第２プリズムに設けているので、消光比の高
い（厚みの大きい）偏光分離膜を用いて損失の小さな光
デバイスを提供することが可能になるという効果を奏す
る。
厚みにより生じる光軸のずれを補正するための新たな偏
光分離膜を第２プリズムに設けているので、消光比の高
い（厚みの大きい）偏光分離膜を用いて損失の小さな光
デバイスを提供することが可能になるという効果を奏す
る。
第１図は本発明の原理構成図、 第２図は本発明の実施例を示す偏光分離合成プリズムの
構成図、 第３図は従来の偏光分離合成プリズムの構成図である。 1,33,41……第１プリズム、 2,36,51……第２プリズム、 3,58……偏光制御手段、 14,24,31,34,37,45,55,57……偏光分離膜、 15,25,32,35,46,56……反射膜。
構成図、 第３図は従来の偏光分離合成プリズムの構成図である。 1,33,41……第１プリズム、 2,36,51……第２プリズム、 3,58……偏光制御手段、 14,24,31,34,37,45,55,57……偏光分離膜、 15,25,32,35,46,56……反射膜。
Claims (1)
- 【請求項１】偏光分離膜（31）及び反射膜（32）を有す
る第１プリズム（33）と、偏光分離膜（31）及び反射膜
（32）の位置関係と同一の位置関係で配置される偏光分
離膜（34）及び反射膜（35）を有する第２プリズム（3
6）とから構成され、偏光分離膜（31）で分離された互
いに直交する偏光面を有する２つの偏光成分のうち一方
の偏光成分を反射膜（32）で反射させて両偏光成分を平
行に出射し、該出射光のうち一方の偏光成分を反射膜
（35）及び偏光分離膜（34）で反射させると共に他方の
偏光成分を偏光分離膜（34）に透過させて、両偏光成分
を合成するようにした偏光分離合成プリズムにおいて、 第２プリズム（36）の当該合成光軸上に偏光分離膜（3
7）を設け、 偏光分離膜（37）の内部を透過してその表面で反射した
偏光成分の光軸と偏光分離膜（37）の内部を透過しない
でその表面で反射した偏光成分の光軸とが一致するよう
に、偏光分離膜（37）の厚み及び前記合成光軸に対する
角度を設定したことを特徴とする偏光分離合成プリズ
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20545687A JPH0830789B2 (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | 偏光分離合成プリズム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20545687A JPH0830789B2 (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | 偏光分離合成プリズム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6448019A JPS6448019A (en) | 1989-02-22 |
| JPH0830789B2 true JPH0830789B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=16507180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20545687A Expired - Fee Related JPH0830789B2 (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | 偏光分離合成プリズム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830789B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989008278A1 (fr) * | 1988-02-26 | 1989-09-08 | Fujitsu Limited | Dispositif isolant polarisant et isolateur optique l'utilisant |
| JP2893599B2 (ja) * | 1989-10-05 | 1999-05-24 | セイコーエプソン株式会社 | 偏光光源及び投写型表示装置 |
| JPH09269641A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Fujitsu Ltd | 現像装置およびこの装置を有する画像形成装置 |
| CN100437215C (zh) * | 2007-06-18 | 2008-11-26 | 厦门大学 | 反射型磁光开关 |
-
1987
- 1987-08-19 JP JP20545687A patent/JPH0830789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6448019A (en) | 1989-02-22 |
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