JPH08313421A

JPH08313421A - 材料試験機

Info

Publication number: JPH08313421A
Application number: JP11726695A
Authority: JP
Inventors: Koichi Kanaji; 浩一金地
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 1995-05-16
Filing date: 1995-05-16
Publication date: 1996-11-29
Anticipated expiration: 2018-04-14
Also published as: JP3395448B2

Abstract

(57)【要約】【目的】材料試験結果のサンプリングを効率よく行
う。【構成】材料試験機において、データ処理装置２０
は、サンプリング周期、ＲＡＭカード１８の容量、およ
びサンプリングデータ長に基づいて、短いサンプリング
周期Ｔｓでサンプリングするデータ数Ｎｄを演算する。
計測装置１０は、データ数Ｎｄに達するまで短いサンプ
リング周期Ｔｓで試験結果をサンプリングし、その結果
をＲＡＭカード１８に格納する。また、サンプリング周
期Ｔｓよりも長いサンプリング周期でサンプリングした
結果をデータ処理装置２０に伝送する。試料が破断した
時点で試験を終了し、計測装置１０はＲＡＭカード１８
に格納されているサンプリングデータをデータ処理装置
２０に伝送し、データ処理装置２０はＲＡＭカード１８
およびＲＡＭ２３に格納されている各サンプリングデー
タとを重複データを含まないように合成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、材料の各種試験を行っ
た結果を所定のサンプリング周期でサンプリングした後
にデータ解析する材料試験機に関する。

【０００２】

【従来の技術】材料試験機（以下、計測装置と呼ぶ）で
荷重−変位特性の試験等を行い、その試験結果をデータ
処理装置に伝送してデータ解析を行う材料試験機システ
ムが知られている（例えば、特公平5-20690号公報参
照）。

【０００３】上記公報に記載された材料試験機システム
では、図１０の実線で示す試験結果データを所定のサン
プリング周期（図示の黒丸）でサンプリングして計測装
置内部のＲＡＭに逐次格納するとともに、ｎ個に１個の
割合（図示の白丸）でサンプリングデータを抽出してデ
ータ処理装置に伝送し、試験終了後にＲＡＭに格納され
ているすべてのデータをデータ処理装置に伝送してい
る。このようにすることで、計測装置で試験を行いなが
らデータ処理装置でリアルタイムに大雑把なデータ解析
を行うことができ、また、必要な部分については試験終
了後に細かいデータ解析を行うことができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】例えば引張試験を行う
場合には、同一荷重をかけたときの試料の伸びは試料の
材質により異なるため、試料の材質を考慮に入れて伸び
をサンプリングするのが望ましい。すなわち、セラミッ
クスのように剛性の高い試料を試験する場合には、より
短い時間間隔でサンプリングした方が精度が向上する。
しかしながら、従来はサンプリング速度を常に一定にし
ていたため、試料の材質等によって精度がばらつく可能
性があった。

【０００５】また、同一の試料を試験する場合でも、荷
重をかけ始めた直後とか、試料が破断する直前など、重
要な期間については短い時間間隔でサンプリングし、そ
れほど重要でない期間については大雑把にサンプリング
した方がメモリ容量を削減できる。しかしながら、従来
は試験中にサンプリング周期を変更できなかったため、
場合によっては試験終了前にＲＡＭの記憶容量が満杯に
なるおそれがあった。また、仮に、サンプリング周期を
変更できるとしても、データ長およびＲＡＭの記憶容量
がともに固定（例えば、データ長が２０バイトでＲＡＭ
の記憶容量が５１２キロバイト）の場合、サンプリング
周期によってＲＡＭが満杯になるまでの時間が異なるた
め、ＲＡＭが満杯になる時期を予測するのが難しかっ
た。

【０００６】さらに、従来は、計測装置のＲＡＭに格納
されているサンプリングデータを試験終了後にデータ処
理装置に伝送していたが、データ処理装置では、試験中
に計測装置から伝送されたデータと、試験終了後に計測
装置から伝送されたデータとを別々に管理していたた
め、一部のデータについては重複して持つことになり、
メモリ容量が増えるとともに、データの管理が複雑にな
るおそれがあった。

【０００７】本発明の目的は、材料試験結果のサンプリ
ングおよびサンプリングデータの格納を効率よく行うこ
とができる材料試験機を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】実施例を示す図１に対応
づけて本発明を説明すると、本発明は、計測装置１０と
データ処理装置２０とを備え、計測装置１０側で所定の
サンプリング周期で各種データの採取を行うと同時に、
採取したデータを所定の時間間隔ごとにデータ処理装置
２０に伝送する材料試験機に適用され、計測装置１０側
に設けられ所定のサンプリング周期で採取した各種デー
タを記憶する記憶手段１８と、サンプリング１回当たり
のデータ長、記憶装置の記憶容量、およびサンプリング
周期の長さに基づいて、記憶手段１８に記憶するデータ
数を演算するデータ総数演算手段２１とを備え、記憶手
段１８に記憶されたデータ数が演算されたデータ数に達
するまで、所定のサンプリング周期で各種データの採取
を行うように計測装置１０を構成することにより、上記
目的は達成される。請求項２に記載の発明は、計測装置
１０とデータ処理装置２０とを備え、計測装置１０側で
所定のサンプリング周期で各種データの採取を行うと同
時に、採取したデータを所定の時間間隔ごとにデータ処
理装置２０に伝送する材料試験機において、計測装置１
０側に設けられ第１のサンプリング周期で採取した各種
データを記憶する第１の記憶手段１８と、データ処理装
置２０側に設けられ第１のサンプリング周期よりも長い
第２のサンプリング周期で採取した各種データを記憶す
る第２の記憶手段２３とを備え、第１および第２の記憶
手段２３に記憶されているサンプリングデータを重複デ
ータを含まないように合成するデータ処理処理装置を設
けることにより、上記目的は達成される。

【０００９】

【作用】請求項１に記載の発明では、サンプリング１回
当たりのデータ長、記憶装置の記憶容量、およびサンプ
リング周期の長さに基づいて、記憶手段１８に記憶する
データ数を演算し、実際に記憶手段１８に記憶されたデ
ータ数が演算されたデータ数に達するまで、所定のサン
プリング周期で各種データを採取して記憶手段１８に記
憶する。請求項２に記載の発明では、計測装置１０側に
第１の記憶手段１８（例えば、ＲＡＭカード）を設け、
データ処理装置２０側に第２の記憶手段２３（例えば、
ＲＡＭ）を設ける。第１の記憶手段１８は第１のサンプ
リング周期で採取した各種データを記憶し、第２の記憶
手段２３は第１のサンプリング周期よりも長い周期で採
取した各種データを記憶する。データ処理装置２０は、
試験終了後に第１の記憶手段１８に記憶されているサン
プリングデータを読み出して第２の記憶手段２３に記憶
されているサンプリングデータと合成し、その際、重複
データを含まないようにする。

【００１０】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。

【００１１】

【実施例】以下、図１〜９を参照して本発明の一実施例
を説明する。図１は、本実施例の材料試験機の概略構成
を示すブロック図である。同図に示す材料試験機は引張
・圧縮特性の試験などを行なうものであり、計測装置１
０およびデータ処理装置２０で構成される。計測装置１
０およびデータ処理装置２０はともにＣＰＵ１１，２１
ならびに読出し専用の固定メモリ（ＲＯＭ）１２，２２
および書換え可能な可変メモリ（ＲＡＭ）１３，２３を
備えている。また、計測装置１０およびデータ処理装置
２０は伝送インターフェース回路１４，２４を備えてお
り、伝送路Ｌを介して相互にデータの授受を行う。

【００１２】計測装置１０は、試料に働く荷重を測定す
るロードセル１５と、荷重による試料の変形を測定する
伸び計１６と、これら各計測器１５，１６のアナログ出
力をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器１７と、ＲＡ
Ｍカード１８の読出・書込を制御するカードリーダ１９
とを備えている。このＲＡＭカード１８には、試験結果
を所定のサンプリング周期でサンプリングしたデータが
格納される。

【００１３】一方、データ処理装置２０はキーボード２
５と、ＣＲＴ２６と、Ｘ−Ｙプロッタ２７とを備えてお
り、操作者は、このデータ処理装置２０から計測装置１
０に対して各種の指令を出すとともに、ＣＲＴ２６によ
り解析結果を確認する。このデータ処理装置２０は通
常、パーソナルコンピュータおよびその周辺装置で構成
される。

【００１４】図２はデータ処理装置２０のＣＰＵ２１が
行う試験条件作成モード処理、図３，４はデータ処理装
置２０のＣＰＵ２１が行う試験モード処理、図５，６は
計測装置１０のＣＰＵ１１が行う試験制御処理を示すフ
ローチャートであり、以下これらのフローチャートに基
づいて本実施例の動作を説明する。

【００１５】操作者がデータ処理装置２０のキーボード
２５を操作して試験条件作成モードを選択すると、ＣＰ
Ｕ２１は図２の処理を開始する。図２のステップＳ１で
は、操作者のキーボード操作に基づいて通常の試験条
件、例えば試験内容や試料の種類等を設定する。ステッ
プＳ２では、操作者によるキーボード操作に基づいて、
試験結果データを採取する際のサンプリング周期、
計測装置１０に接続されているＲＡＭカード１８の容
量、サンプリング１回当たりのサンプリングデータ長
を設定する。ステップＳ３では、ステップＳ１，Ｓ２で
設定した各種試験条件を、試験条件ファイルとしてＲＡ
Ｍ２３に格納してリターンする。

【００１６】一方、操作者がキーボートにより試験モー
ドを選択すると、ＣＰＵ２１は図３の処理を開始する。
図３のステップＳ１１では、ＲＡＭ２３に格納されてい
る試験条件ファイルを読み込む。ステップＳ１２では、
計測装置１０での試料取付けを制御する。ステップＳ１
３では、操作者がキーボード２５により入力した試験に
関する一般情報やバッチ情報を取り込む。

【００１７】ステップＳ１４では、図２のステップＳ２
で設定した３項目の試験条件をＣＲＴ２６に表示し、こ
れら試験条件を変更するか否かを確認する処理を行う。
例えば、操作者がキーボード２５を介して新たな試験条
件を入力した場合には、試験条件を変更すべくＲＡＭ２
３の内容を書き換える。

【００１８】ステップＳ１５では、前述した３項目の試
験条件に基づいて、サンプリング周期Ｔｓでサンプリン
グを行う期間Ｔｒと、ＲＡＭカード１８に格納するサン
プリングデータ総数Ｎｄとを演算する。

【００１９】ステップＳ１６では、以下の〜に示す
データを伝送インターフェース回路１４，２４を介して
計測装置１０に伝送する。通常の試験条件データ図２のステップＳ２で設定した３項目データ、すなわ
ちサンプリング周期、ＲＡＭカード１８の容量、および
サンプリングデータ長ＲＡＭカード１８に格納するサンプリングデータ総数
Ｎｄ

【００２０】図４のステップＳ１７では、試験開始を指
示する信号を伝送インターフェース回路１４，２４を介
して計測装置１０に伝送する。この信号に応じて、計測
装置１０は不図示のアクチュエータを駆動して試料に荷
重を加え、試験を開始する。ステップＳ１８では、計測
装置１０から伝送されたサンプリングデータを受信す
る。ステップＳ１９では、受信したサンプリングデータ
をＲＡＭ２３に格納する。ステップＳ２０では、計測装
置１０のアクチュエータを制御して試料に加える荷重を
変更する。

【００２１】ステップＳ２１では、試験が終了したか否
かを判定する。例えば、引張試験の場合、試料が破断し
たことを示す情報が計測装置１０から伝送されてくれ
ば、試験終了と判断する。判定が否定されるとステップ
Ｓ１８に戻り、判定が肯定されるとステップＳ２２に進
む。

【００２２】ステップＳ２２では、試験終了を指示する
信号を計測装置１０に伝送する。ステップＳ２３では、
ＲＡＭカード１８に格納されているサンプリングデータ
を伝送するように計測装置１０に指示する。ステップＳ
２４では、計測装置１０から伝送されたＲＡＭカード１
８からのサンプリングデータを受信する。

【００２３】ステップＳ２５では、ＲＡＭ２３に格納さ
れているサンプリングデータと、ステップＳ２４で受信
したサンプリングデータとを用いて、後述するデータ整
理処理を行う。ステップＳ２６では、各種データ解析や
データ処理、例えば試験結果をＣＲＴ２６に表示した
り、ＸＹプロッタ２７に試験結果を示すグラフを表示し
た後、リターンする。

【００２４】一方、操作者が計測装置１０の電源を投入
すると、計測装置１０内部のＣＰＵ１１は図５，６の試
験制御処理を行う。図５のステップＳ５１では、データ
処理装置２０から伝送された試験条件が受信されたか否
かを判定する。判定が否定されるとステップＳ５１に留
まり、判定が肯定されるとステップＳ５２に進む。ステ
ップＳ５２では、データ処理装置２０から伝送された試
験開始を指示する信号が受信されたか否かを判定する。
判定が否定されるとステップＳ５２に留まり、判定が肯
定されるとステップＳ５３に進む。

【００２５】ステップＳ５３では、不図示のアクチュエ
ータを駆動して試料に荷重を加え、試験を開始する。ス
テップＳ５４では、ＲＡＭカード１８へのデータ格納数
を示す変数Ｎを「０」に初期設定する。ステップＳ５５
では、変数Ｎが予め設定された最大数Ｎｄと等しいか否
かを判定する。なお、最大数Ｎｄは、図３のステップＳ
１５の処理で設定される。

【００２６】ステップＳ５５の判定が否定されるとステ
ップＳ５６に進み、直前にサンプリングしてから時間Ｔ
ｓが経過したか否かを判定する。判定が否定されるとス
テップＳ５６に留まり、判定が肯定されるとステップＳ
５７に進む。ステップＳ５７では、試験結果をサンプリ
ングし、そのサンプリングデータを次のステップＳ５８
でＲＡＭカード１８に格納する。ステップＳ５９では、
変数Ｎを「１」加算する。

【００２７】このように、ステップＳ５５〜Ｓ５９で
は、サンプリング時間Ｔｓごとに試験結果をサンプリン
グしてその結果をＲＡＭカード１８に格納する。なお、
サンプリング時間Ｔｓは例えば５ｍｓである。

【００２８】図６のステップＳ６０では、前回データ処
理装置２０にサンプリングデータを伝送してから所定時
間Ｔｄ、例えば５０ｍｓが経過したか否かを判定する。
また、ステップＳ５５の判定が肯定された場合、すなわ
ち、ＲＡＭカード１８に格納したデータ数が予め設定し
たデータ総数Ｎｄになった場合も、ステップＳ６０の処
理を行う。このように、ＲＡＭカード１８に格納されて
いるデータ数がＮｄ個になった後は、短いサンプリング
周期（例えば５ｍｓ）でのサンプリングを行わずに、長
いサンプリング周期（例えば、５０ｍｓ）でのサンプリ
ングのみを行う。

【００２９】ステップＳ６０の判定が否定されるとステ
ップＳ５５に戻り、判定が肯定されるとステップＳ６１
に進む。ステップＳ６１では、試験結果をサンプリング
し、そのサンプリングデータを次のステップＳ６２でデ
ータ処理装置２０に伝送する。

【００３０】このように、ステップＳ６０〜Ｓ６２で
は、サンプリング周期Ｔｓよりも長い周期で試験結果を
サンプリングしてその結果をデータ処理装置２０に伝送
する。以上により、計測装置１０のＲＡＭカード１８に
は、短いサンプリング周期Ｔｓでサンプリングしたデー
タが格納され、一方、データ処理装置２０には、長いサ
ンプリング周期Ｔｄでサンプリングしたデータが格納さ
れる。なお、データ処理装置２０に伝送するサンプリン
グ周期Ｔｄは、ＲＡＭカード１８に格納するサンプリン
グ周期Ｔｓの整数倍であることが望ましい。整数倍にす
ることにより、データ処理装置２０に伝送したサンプリ
ングデータを、試験終了後にＲＡＭカード１８に格納し
たサンプリングデータと容易に置き換えることができ
る。

【００３１】ステップＳ６３では、試験が終了したか否
かを判定する。例えば、引張・圧縮試験の場合、試料が
破断すると試験終了と判断する。判定が否定されるとス
テップＳ５５に戻り、判定が肯定されるとステップＳ６
４に進む。ステップＳ６４では、試験終了を知らせる信
号をデータ処理装置２０に伝送してリターンする。

【００３２】図７は図４のステップＳ２５のデータ整理
処理の詳細フローチャートである。図７のステップＳ１
０１では、ＲＡＭカード１８から伝送されたサンプリン
グデータの中から変位量が最大のデータを抽出する。ス
テップＳ１０２では、ＲＡＭ２３に格納されているサン
プリングデータを読み出す。ステップＳ１０３では、ス
テップＳ１０２で読み出したサンプリングデータのう
ち、変位量がステップＳ１０１で抽出したデータよりも
小さいデータを削除する。ステップＳ１０４では、ＲＡ
Ｍ２３とＲＡＭカード１８に格納されている各サンプリ
ングデータを合成する。

【００３３】このように、図７の処理では、ＲＡＭ２３
に格納されているサンプリングデータのうち変位量が最
大のデータを検索し、このデータ以前に採取されたデー
タをＲＡＭカード１８に格納されている詳細なデータに
置換することにより、サンプリング精度の向上を図って
いる。

【００３４】なお、図７のデータ整理処理は、ＣＰＵ２
１がＲＡＭ２３を用いて行う内部処理であり、図７の処
理を行う以前に、ＣＰＵ２１はＲＡＭカード１８からサ
ンプリングデータを読み出してＲＡＭ２３に格納してお
き、ＲＡＭ２３のみを用いて（ＲＡＭカード１８にアク
セスすることなく）図７の処理を行う。以下に示す図
８、図９も同様である。

【００３５】図８はデータ整理処理の変形例を示す詳細
フローチャートである。図８のステップＳ１１１では、
ＲＡＭ２３に格納されているサンプリングデータ（試験
中に計測装置１０から伝送されたデータ）を読み出す。
ステップＳ１１２では、ステップＳ１１１で読み出した
サンプリングデータと、ＲＡＭカード１８から伝送され
たサンプリングデータとを比較し、値の小さい順あるい
は大きい順に各サンプリングデータを整列させる。ステ
ップＳ１１３では、ステップＳ１１２で整列させたサン
プリングデータの中に重複したデータがあるか否かを検
出し、重複したデータを削除する。ステップＳ１１４で
は、ステップＳ１１３の処理結果をＲＡＭ２３に格納し
てリターンする。これにより、ＲＡＭ２３内の重複デー
タがすべて削除され、メモリ容量を削減できる。

【００３６】図９はデータ整理処理の別の変形例を示す
詳細フローチャートである。図９のステップＳ１２１で
は、ＲＡＭ２３に格納されているサンプリングデータ
（試験中に計測装置１０から伝送されたデータ）を読み
出す。ステップＳ１２２では、ステップＳ１２１で読み
出したサンプリングデータのうち、同一サンプリング時
間のデータがＲＡＭカード１８に存在するか否かを検出
し、同一データがある場合には、そのデータをＲＡＭ２
３から削除する。ステップＳ１２３では、ＲＡＭ２３に
格納されているデータとＲＡＭカード１８から伝送され
たデータとを合成する。ステップＳ１２４では、ステッ
プＳ１２３の処理結果をＲＡＭ２３に格納してリターン
する。

【００３７】以上に説明した図２〜９の処理をまとめる
と、データ処理装置２０は、計測装置１０による試験を
開始する前に、３つの試験条件項目（サンプリング周
期、ＲＡＭカード１８の容量、およびサンプリングデー
タ長）を予め設定し、これら試験条件に基づいて、短い
サンプリング周期Ｔｓでサンプリングするデータ総数Ｎ
ｄを演算する。

【００３８】計測装置１０は、演算されたデータ総数Ｎ
ｄに達するまで、短いサンプリング周期Ｔｓで試験結果
をサンプリングし、その結果をＲＡＭカード１８に格納
する。一方、試験の最中は、サンプリング周期Ｔｓより
も長いサンプリング周期でサンプリングした結果をデー
タ処理装置２０に伝送する。ＲＡＭカード１８に格納さ
れたデータ数が試験終了前にデータ総数Ｎｄに達する
と、その後はＲＡＭカード１８へのデータ格納を行わ
ず、サンプリング周期Ｔｓよりも長い周期Ｔｄでサンプ
リングしてデータ処理装置２０にサンプリングデータを
伝送する。そして、試料が破断した時点で試験を終了す
る。

【００３９】試験が終了すると、計測装置１０はＲＡＭ
カード１８に格納されているサンプリングデータをデー
タ処理装置２０に伝送し、データ処理装置２０はＲＡＭ
カード１８からのサンプリングデータとＲＡＭ２３に格
納されているサンプリングデータとを重複データを含ま
ないように合成し、合成結果をＲＡＭ２３に格納する。
そして、データ処理装置２０は、ＲＡＭ２３に格納され
ている合成データを用いて、データ解析を行う。

【００４０】このように、本実施例によれば、ＲＡＭカ
ード１８に格納可能なデータ数を試験開始前に予め演算
するため、試験終了前にＲＡＭカード１８が満杯になる
おそれが少なくなる。すなわち、演算したデータ数に基
づいてサンプリング周期を変更でき、試験終了前にＲＡ
Ｍカードが満杯になるのを未然に防止できる。あるい
は、演算したデータ数をＣＲＴ２６等に表示すること
で、操作者に注意を促してもよい。また、本実施例によ
れば、予め演算した数だけＲＡＭカード１８にデータを
格納した場合には、短いサンプリング周期Ｔｓでのサン
プリングを中止して、長いサンプリング周期ＴｄでＲＡ
Ｍ２３にサンプリングデータを格納するようにしたた
め、比較的長期間、試験を継続できる。一方、試験が終
了すると、ＲＡＭカード１８に格納されているデータと
ＲＡＭ２３に格納されているデータとを合成して重複デ
ータを排除するため、メモリ容量を削減できる。

【００４１】上記実施例では、データ処理装置２０で予
め演算したデータ数だけＲＡＭカード１８にサンプリン
グデータを格納すると、ＲＡＭカード１８へのデータ格
納を中止しているが、ＲＡＭカード１８にある程度の空
き容量が残るようにデータ数を演算し、演算したデータ
数だけＲＡＭカード１８にサンプリングデータを格納す
ると、サンプリング周期を長くしてサンプリングしたデ
ータを、ＲＡＭカード１８の空き容量に格納してもよ
い。このようにすれば、ＲＡＭカード１８に全試験デー
タを格納でき、試験終了後にＲＡＭ２３のデータと合成
する必要がなくなる。

【００４２】上記実施例では、計測装置１９側では、Ｒ
ＡＭカード１８内部にサンプリングデータを格納する例
を説明したが、ＲＡＭ１３に格納してもよい。また、Ｒ
ＡＭカード１８にサンプリングデータを格納する際、バ
ンク切換え等のメモリ管理手法を用いれば、より大容量
のＲＡＭカードを使用できる。

【００４３】このように構成した実施例にあっては、Ｒ
ＡＭカード１８が記憶手段および第１の記憶手段に、Ｃ
ＰＵ２１がデータ総数演算手段に、ＲＡＭ２３が第２の
記憶手段に、それぞれ対応する。

【００４４】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、記憶手段に記憶するデータ数を試験開始前に予め
演算し、そのデータ数だけ、所定のサンプリング周期で
採取して記憶手段に記憶するため、試験終了前に記憶手
段が満杯になるおそれが少なくなる。すなわち、演算さ
れたデータ数に基づいて試験途中にサンプリング周期を
変更することで、記憶手段が満杯になるのを未然に防止
できる。請求項２に記載の発明によれば、第１の記憶手
段に短いサンプリング周期で採取した各種データを記憶
し、第２の記憶手段に長いサンプリング周期で採取した
各種データを記憶し、これら記憶手段の記憶内容を重複
データを含まないように合成するようにしたため、少な
いメモリ容量で試験結果データを格納できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例の材料試験機の概略構成を示すブロッ
ク図。

【図２】データ処理装置のＣＰＵが行う試験条件作成モ
ード処理を示すフローチャート。

【図３】データ処理装置のＣＰＵが行う試験モード処理
を示すフローチャート。

【図４】図３に続くフローチャート。

【図５】計測装置のＣＰＵが行う試験制御処理を示すフ
ローチャート。

【図６】図５に続くフローチャート。

【図７】図４のステップＳ２５のデータ整理処理の詳細
フローチャート。

【図８】データ整理処理の変形例を示す詳細フローチャ
ート。

【図９】データ整理処理の変形例を示す詳細フローチャ
ート。

【図１０】従来の材料機試験機システムにおけるサンプ
リング方法を説明する図。

【符号の説明】

１０計測装置１１，２１ＣＰＵ１８ＲＡＭカード２０データ処理装置２３ＲＡＭ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】計測装置とデータ処理装置とを備え、前
記計測装置側で所定のサンプリング周期で各種データの
採取を行うと同時に、採取したデータを所定の時間間隔
ごとにデータ処理装置に伝送する材料試験機において、
前記計測装置側に設けられ前記所定のサンプリング周期
で採取した各種データを記憶する記憶手段と、サンプリ
ング１回当たりのデータ長、前記記憶装置の記憶容量、
および前記サンプリング周期の長さに基づいて、前記記
憶手段に記憶するデータ数を演算するデータ総数演算手
段とを備え、前記計測装置は、前記記憶手段に記憶され
たデータ数が前記演算されたデータ数に達するまで、前
記所定のサンプリング周期で各種データの採取を行うこ
とを特徴とする材料試験機。
【請求項２】計測装置とデータ処理装置とを備え、前
記計測装置側で所定のサンプリング周期で各種データの
採取を行うと同時に、採取したデータを所定の時間間隔
ごとにデータ処理装置に伝送する材料試験機において、
前記計測装置側に設けられ第１のサンプリング周期で採
取した各種データを記憶する第１の記憶手段と、前記デ
ータ処理装置側に設けられ前記第１のサンプリング周期
よりも長い第２のサンプリング周期で採取した各種デー
タを記憶する第２の記憶手段とを備え、前記データ処理
装置は、前記第１および第２の記憶手段に記憶されてい
るサンプリングデータを重複データを含まないように合
成することを特徴とする材料試験機。