JPH083149A - オキサジアゾール化合物およびその製造方法 - Google Patents

オキサジアゾール化合物およびその製造方法

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JPH083149A
JPH083149A JP6158077A JP15807794A JPH083149A JP H083149 A JPH083149 A JP H083149A JP 6158077 A JP6158077 A JP 6158077A JP 15807794 A JP15807794 A JP 15807794A JP H083149 A JPH083149 A JP H083149A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 経時安定性に優れ、高信頼性有機電界発光用
材料、特に電子輸送材料として有用であり、しかも良好
な薄膜形成が可能な、新規オキサジアゾール化合物、及
びその製造方法を提供する。 【構成】 一般式(I)で表されるオキサジアゾール化
合物および、酸ハライド化合物とテトラゾール化合物と
を反応させることより成る、当該オキサジアゾール化合
物を製造する方法。 〔式中、Aは芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基
を表し;Rは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ヒドロキシル基を表す〕

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光増白剤として、あ
るいは有機電界発光素子用材料、特に電子輸送材料とし
て有用な、新規オキサジアゾール化合物、及びその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】有機電界発光素子用の材料として種々の
オキサジアゾール化合物が知られている。例えば、日本
化学会誌,1991,(11),p.1540−154
8には発光材料及び電子輸送材料としてオキサジアゾー
ル化合物を使用した例が記載されている。また、特開平
3−205479号公報、特開平4−212286号公
報、特開平4−363891号公報、特開平4−363
894号公報にもオキサジアゾール化合物を使用した例
が記載されている。しかしながら、未だに薄膜の安定性
に問題があり、高輝度、高信頼性の有機電界発光素子は
得られていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、有機電界発
光素子用の材料として、安定した製膜性を有し、特に発
光材料、電子輸送材料等として有用であり、しかも長期
保存によっても変質しにくい新規オキサジアゾール化合
物およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するため鋭意検討した結果、ある特定な構造を有
するオキサジアゾール化合物が有効であることを見い出
し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明によ
れば、下記一般式(I)(化1)で表わされるオキサジ
アゾール化合物が提供される。
【化1】 (式中、Aは、各々置換もしくは無置換の芳香族炭化水
素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基を表し、そ
れぞれ同じでも異なっていても良い。又、Rは、水素原
子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、
置換もしくは無置換のアルコキシ基、ヒドロキシル基を
表わす。) また、下記一般式(II)(化2)
【化2】 (式中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ
基、ヒドロキシル基を表わす。Xはハロゲン原子を表
す。)で表される酸ハライド化合物を、下記一般式(II
I)(化3)あるいは一般式(IV)(化4)
【化3】
【化4】 (式中、Aは、各々置換もしくは無置換の芳香族炭化水
素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基を表す。)
で表されるテトラゾール化合物とを反応させて前記一般
式(I)(化1)で表されるオキサジアゾール化合物を
製造することを特徴とするオキサジアゾール化合物の製
造方法が提供される。
【0005】前記一般式(I)において、Aにおける芳
香族炭化水素基あるいは芳香族複素環基の具体例として
は、スチリル、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、
ナフチル、アントリル、アセナフテニル、フルオレニ
ル、フェナントリル、インデニル、ピレニル、ピリジ
ル、ピリミジル、フラニル、ピロニル、チオフェニル、
キノリル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、イン
ドリル、カルバゾリル、ベンゾオキサゾリル、キノキサ
リル、ベンゾイミダゾリル、ピラゾリル、ジベンゾフラ
ニル、ジベンゾチオフェニル、オキサゾリル、オキサジ
アゾリル基等が挙げられる。
【0006】これらの芳香族炭化水素基あるいは芳香族
複素環基は更に一つ以上のハロゲン原子、水酸基、シア
ノ基、ニトロ基、アミノ基、トリフルオロメチル基、炭
素数1から12、好ましくは1から6のアルキル基、炭
素数1から12、好ましくは1から6のアルコキシ基、
アリールオキシ基、フェニル基、スチリル基、ナフチル
基、チオフェニル基、アラルキル基、ビフェニル基、ビ
チオフェニル基、フラニル基、ビフラニル基、ピロニル
基、ビピロニル基、等の置換基を有していてもよい。
【0007】また、前記一般式(I)において、Rにお
ける置換もしくは無置換のアルキル基としては、炭素数
1〜12、好ましくは1〜6のアルキル基が挙げられ、
その置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、フェニル
基、アルコキシ基又はアミノ基等が挙げられる。置換も
しくは無置換のアルコキシ基としては、炭素数1〜1
2、好ましくは1〜6のアルコキシ基が挙げられ、その
置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基等が
挙げられる。
【0008】一般式(I)で表される本発明のオキサジ
アゾール化合物は、前記した如く、下記一般式(II)
(化2)
【化2】 (式中、R及びXは前記に同じ。)で表される酸ハライ
ド化合物を、下記一般式(III)(化3)あるいは一般
式(IV)(化4)
【化3】
【化4】 (式中、Aは、前記に同じ。)で表されるテトラゾール
化合物とを反応させることにより得られる。
【0009】一般式(II)(化2)で表される酸ハライ
ド化合物は、下記一般式(V)(化5)
【化5】 (式中、Rは前記に同じ。)で表されるカルボン酸化合
物を塩化チオニル、五塩化リン、ホスゲン、塩化アルミ
ニウム等のハロゲン化剤で処理することにより合成され
る。
【0010】一般式(III)(化3)及び一般式(IV)
(化4)のテトラゾール化合物は互変異性の関係にあっ
て互いに変化しやすく、別々に取り出すことが困難なも
のであり、両者が混在したものであるのが一般的であ
り、本発明でも混在したものを使用できる。ここで使用
される一般式(III)(化3)及び一般式(IV)(化
4)で表されるテトラゾール化合物は従来公知の方法で
製造される。例えば、Synthesis 71(1973)に記
載の方法で合成できる。
【0011】また、一般式(II)(化2)で表される酸
ハライドと一般式(III)(化3)及び一般式(IV)
(化4)で表されるテトラゾール化合物との反応は、R.
D.Huisgenらのオキサジアゾール合成法に準じて行われ
る。例えば、Angew.Chem.,72,366(1960),
Chem.Ber.,93,2106(1960),Tetrahedro
n,11,241(1960),Chem.Ber.,98,29
66(1965)に記載の方法を適用することができ
る。
【0012】反応はテトラゾール基とハロゲン化カルボ
ニル基との反応であり、一般式(II)(化2)で表され
る化合物と一般式(III)(化3)及び一般式(IV)
(化4)で表される化合物の前記官能基が交換された原
料からも一般式(I)(化1)で表されるオキサジアゾ
ール化合物を合成することができる。すなわち下記一般
式(VI)(化6)で表されるテトラゾール化合物と一般
式(VII)(化7)との反応によっても一般式(I)
(化1)で表されるオキサジアゾール化合物を合成する
ことができる。
【化6】 (式中、Rは前記に同じ。)
【化7】 A−COX ・・・ (VII) (式中、Aは前記に同じ。Xはハロゲン原子を表す。)
【0013】また、一般式(I)(化1)で表されるオ
キサジアゾール化合物は次の反応によっても合成するこ
とができる。すなわち、下記一般式(II)(化2)
【化2】 (式中、R、Xは前記に同じ。)で表される酸ハライド
化合物と、下記一般式(VIII)(化8)の化合物
【化8】 A−CONHNH2 ・・・ (VIII) (式中、Aは前記に同じ。)で表される化合物とを反応
させて、下記一般式(IX)(化9)
【化9】 (式中、A、Rは上記に同じ。)で表される化合物を製
造し、さらに脱水反応を行うことにより、前記一般式
(I)(化1)で表されるオキサジアゾール化合物を製
造することができる。
【0014】更にまた、一般式(I)(化1)で表され
るオキサジアゾール化合物は、下記一般式(VII)(化
7)
【化7】 A−COX ・・・ (VII) (式中、A、Xは前記に同じ。)で表される化合物と、
下記一般式(X)(化10)
【化10】 (式中、Rは前記に同じ。)で表される化合物とを反応
させて、前記一般式(IX)(化9)で表される化合物を
製造し、さらに脱水反応を行うことにより、前記一般式
(I)(化1)で表されるオキサジアゾール化合物を製
造することができる。
【0015】出発原料として使用される一般式(X)
(化10)で表される化合物は下記一般式(XI)(化1
1)
【化11】 (式中、Rは前記に同じ、R’はアルキル基を表す。)
で表されるエステル誘導体と、ヒドラジンとの反応によ
り容易に製造することができる。
【0016】前記一般式(IX)(化9)で表される化合
物の前記2種の合成工程は通常塩基性触媒の存在下で行
なわれる。塩基性触媒としては、ピリジン、及びその誘
導体、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリエタ
ノールアミン、キノリン、ピペラジン、モルホリンなど
の有機塩基あるいは水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウムなどの無機塩基が挙げられるが、特
に有機の塩基性触媒が好ましい。該工程の反応溶媒とし
ては前記一般式(IX)(化9)で表される化合物を少し
でも溶解するものであればすべてのものが使用できる
が、エタノール、ブタノール等のアルコール系溶媒、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベ
ンゼン、トルエン、クロルベンゼン、ニトロベンゼン等
の芳香族系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド等が好ましい。又、前記したピリジン
等の有機の塩基性触媒を過剰に用い、溶媒としても良
い。
【0017】また、前記一般式(IX)(化9)で表され
る化合物を脱水反応させ、閉環させる工程は、オキシ塩
化リン、塩化チオニル、ポリリン酸、ホウ酸、トルエン
スルホン酸等の脱水剤の存在下に行なう。この時の反応
溶媒としては前記工程で示した溶媒が使用できるが、ク
ロルベンゼン、ジクロルベンゼン、キシレン、ニトロベ
ンゼン等の芳香族系溶媒、トリクロルエタン、トリクロ
ルメタン等のハロゲン系溶媒等が特に好ましい。脱水剤
の使用量は出発原料化合物1モルに対して1モルから1
0モル程度が適切であるが、例えば、オキシ塩化リンを
大過剰に用い、溶媒としても良い。通常、反応は、50
℃から300℃で数分から10時間で完了する。
【0018】本発明に係わる一般式(I)(化1)で表
されるオキサジアゾール化合物の具体例を表1に示す。
【0019】
【表1−(1)】
【0020】
【表1−(2)】
【0021】
【表1−(3)】
【0022】本発明の一般式(I)で示されるオキサジ
アゾール化合物は、有機電界発光素子の構成成分として
特に優れており、例えば、真空蒸着法、溶液塗布法等に
より薄膜化し、陽極及び陰極で直接または間接的に挟持
することにより素子を得ることができる。
【0023】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に
説明する。尚、本発明はこれら実施例により限定される
ものではない。
【0024】合成例1 下記構造式(化12)で表され
る化合物の合成〔一般式(II),R=H〕
【化12】 無水ピロメリット酸11gと五塩化リン23gとオキシ
塩化リン9mlとを反応容器中で約16時間加熱還流さ
せ反応を終了させた。反応液から蒸留によって約27g
のオキシ塩化リンを除去し、さらに減圧蒸留により目的
生成物15.34gを得た(収率93.5%)。この化
合物の融点は66.5〜68.5℃であった。KBr錠
剤法により赤外線吸収スペクトルを測定したところ17
90cm-1と1740cm-1に塩化カルボニル基に由来
するCO伸縮振動の吸収が見られた。
【0025】合成例2 下記構造式(化13)で表わさ
れる化合物の合成〔一般式(III),A=ビフェニル−
4−イル〕
【化13】 p−シアノビフェニル20.0gとアジ化ソーダ7.9
8gと塩化アンモニウム6.57gを反応容器に入れ、
溶媒としてN,N−ジメチルホルムアミドを55ml加
え、100℃〜110℃にて15時間加熱還流した。放
冷後、水500mlに反応物を注ぎ、濾過し、水500
mlで水洗を行い、粗生成物24.0g(収率96.8
%)を得た。これをジオキサン650mlにて再結晶を
行い、9.94g(収率40.1%)の白色粉末物を得
た。この化合物の分解点は239.5℃〜240.3℃
であった。赤外線吸収スペクトルは、3200cm-1
2500cm-1にかけてテトラゾールのN−H伸縮振動
に帰属されるブロードなピークが観察され、目的化合物
物であることを確認した。
【0026】合成例3 化合物No.26の合成〔一般
式(I),A=ビフェニル−4−イル, R=
H〕 合成例1で得られた酸クロリド化合物1.0gと合成例
2で得られたテトラゾール化合物3.48gを反応容器
に入れ、溶媒としてモレキュラシーブで脱水したピリジ
ンを36ml加え、30時間加熱還流した。放冷後メタ
ノール70mlを加え析出物をろ過し、メタノール25
0mlで洗浄して粗生成物2.01g(収率68.8
%)を得た。これを、N,N−ジメチルホルムアミド7
60mlにて再結晶を行い、1.37g(収率46.9
%)の淡黄色針状晶を得た。この化合物の融点は37
2.8℃(DTAピーク)であった。赤外線吸収スペク
トル(KBr錠剤法)を図1に示す。
【0027】
【表1】
【0028】
【応用例】ガラス基板上に大きさ2mm×2mm、厚さ
1700nmの酸化錫インジウム(ITO)による陽極
を形成し、その上に下記式(XIV)(化14)で示され
るジアミン誘導体からなるホール輸送層40nm、下記
式(XV)(化15)で示されるジアミン誘導体からなる
発光層15nm、前記化合物No.26からなる電子輸
送層20nm、下記式(XVI)(化16)で示される電
子輸送層30nm、10:1原子比のMgAg電極を2
00nm、各々真空蒸着により形成し、電界発光素子を
作製した。蒸着時の真空度は0.7×10-6Torrで
あり、基板温度は室温である。このようにして作製した
素子の陽極及び陰極にリード線を介して直流電源を接続
したところ、電流密度425mA/cm2において印加
電圧が17.2Vであり、緑色の明瞭な発光が長時間に
わたって、確認された。なお、この素子は3カ月保存後
においても明瞭に発光が確認された。
【化14】
【化15】
【化16】
【0029】比較例 前記化合物No.26の代わりに下記化合物(XVII)
(化17)を用いた以外は応用例1と同様にEL素子を
作製した。この素子に直流電圧を印加したところ、明瞭
な青緑色の発光が認められた。しかし、1ケ月保存後に
おいては、EL発光は認められなかった。
【化17】
【0030】
【発明の効果】本発明のオキサジアゾール化合物は新規
化合物であって、蒸着等によって容易に均質な透明膜を
形成することができ、有機電界発光素子用の電子輸送材
料としての優れた機能も備えており、且つ経時での変質
が少ないので高信頼性有機電界発光用材料として有用で
ある。また、本発明により、該オキサジアゾール化合物
の有利な製造法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のオキサジアゾール化合物〔一般式
(I)においてA=4−ビフェニル−4−イル,R=
H〕の赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 413/14 333 H05B 33/14 33/26 // C09K 11/06 Z 9280−4H (C07D 413/14 271:10 333:10) (C07D 413/14 213:16 271:10) (C07D 413/14 209:32 271:10) (C07D 413/14 215:04 271:10) (C07D 413/14 271:10 307:79)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I)(化1)で表されるオ
    キサジアゾール化合物。 【化1】 (式中、Aは、各々置換もしくは無置換の芳香族炭化水
    素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基を表し、そ
    れぞれ同じでも異なっていても良い。又、Rは、水素原
    子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、
    置換もしくは無置換のアルコキシ基、ヒドロキシル基を
    表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。)
  2. 【請求項2】 下記一般式(II)(化2) 【化2】 (式中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは
    無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ
    基、ヒドロキシル基を表す。Xはハロゲン原子を表
    す。)で表される酸ハライド化合物を、下記一般式(II
    I)(化3)あるいは一般式(IV)(化4) 【化3】 【化4】 (式中、Aは、各々置換もしくは無置換の芳香族炭化水
    素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基を表す。)
    で表されるテトラゾール化合物とを反応させて下記一般
    式(I)(化1) 【化1】 (式中、Aは、各々置換もしくは無置換の芳香族炭化水
    素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基を表し、そ
    れぞれ同じでも異なっていても良い。又、Rは、水素原
    子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、
    置換もしくは無置換のアルコキシ基、ヒドロキシル基を
    表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。)で表さ
    れるオキサジアゾール化合物を製造することを特徴とす
    るオキサジアゾール化合物の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291590A (ja) * 2000-04-05 2001-10-19 Toray Ind Inc 発光素子

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