JPH08315435A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】再生層に、室温で面内磁化膜となる磁性層を用
いて高い解像度を保ちながら、特に記録の感度を高めた
光磁気記録媒体を提供する。 【構成】基体上に、組成がＧｄ_x Ｍｅ_y （Ｆｅ_1-z Ｃｏ
_z ）_1-x-y （０．２５≦ｘ≦０．３１、０．０１≦ｙ≦
０．０３、０．３≦ｚ≦０．５、ＭｅがＮｂ，Ｍｏ等）
である再生層と記録層を持ち、再生光の照射により記録
層から再生層に記録を転写して再生を行う光磁気記録媒
体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光を用い情報の記録、再
生、消去を行う光磁気記録媒体に関する。とくに超解像
再生を行う光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録のさらなる高密度化を目的と
し、再生用の光の光学的回折限界以下の大きさに記録さ
れた情報を再生する方法として磁気超解像再生方式が提
案されている（例えば、特開平１−１４３０４１号公
報、特開平１−１４３０４２号公報参照）。この再生方
法は、少なくとも再生層と記録層とを用い、再生光が照
射されているビームスポットの一定の領域をマスクとし
て用いることにより、実質的にビームスポットを小さく
したと同様の効果を持たせたもので、ビームスポット中
での光の強度分布と、ビームの進行方向に対して後方の
温度上昇が大きいことを利用している。

【０００３】この再生方法には大きく分けて２通りの方
法がある。一つは、温度が一定以上の領域で再生層が特
定の状態となるようにしてマスクとする消滅型の方法、
他方は、再生層が再生前には特定の状態であり、温度が
一定以上となった領域で記録層に記録された情報が再生
層に転写される浮き出し型の方法である。後者の方法で
は隣接トラックにおいても再生層が特定の状態にあるた
めに、隣接トラックとのクロストークは非常に小さい。

【０００４】この再生方法において、再生層に垂直磁化
膜を用いた場合には、再生前に再生層を特定の状態にす
るために初期化磁石が必要になり、またこの状態を安定
にするための制御層などが必要になる。この問題を解決
するために、再生層に、室温で面内磁化膜であり、温度
が一定以上となった領域で垂直磁化膜となる磁性層を用
いる方法が提案されている（例えば、特開平５−８１７
１７号公報参照）。

【０００５】この方法は、室温において面内磁化膜であ
る再生層と垂直磁化膜である記録層とを交換結合させた
膜を用いる方法であるが、再生前の再生層の磁化が膜面
内方向を向いているので、初期化磁石が必要なく、原理
的には再生層と記録層の２層のみで構成することが可能
であり製造の面でも有利である。

【０００６】また、再生層と記録層の間に中間層を設け
ることによって解像度を向上させる方法も提案されてい
る（例えば、特開平５−２０５３３６参照）。

【０００７】しかしながら、このような面内磁化膜を再
生層として用いた光磁気超解像媒体は、高い解像度を得
るためには再生層および記録層の厚みが厚くなり、記録
に高いレ−ザ−パワ−を要するために高速でディスクを
回転させることが困難であった。とくに記録保持性に優
れるＴｂＦｅＣｏを記録層に使用した場合、再生層のＧ
ｄＦｅＣｏの厚みは８０nm以上あることが解像度を高め
る上で好ましいことが報告されている（Magneto-Optica
l Recording International Symposium '94 の29-Q-05
）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、再生
層に、室温で面内磁化膜となる磁性層を用いて高い解像
度を保ったまま、とくに記録の感度を高めた光磁気記録
媒体を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究を重
ねた結果、室温で面内磁化膜となるＧｄＦｅＣｏを主体
とした再生層と、垂直磁化膜の記録層とを磁気的に結合
した膜であって、再生層に特定の元素を特定の組成の範
囲内で添加したものを用いることにより、再生層が従来
のものより薄く、しかも従来と同等以上の解像度を持っ
た磁気超解像媒体が得られることを見出し本発明の光磁
気記録媒体を得た。

【００１０】即ち本発明は、基体上に、少なくとも、室
温において面内磁化膜である再生層と、垂直磁化膜であ
る記録層とを備え、再生光の照射により記録層から再生
層に情報を転写して再生を行う光磁気記録媒体であっ
て、再生層の組成が Ｇｄ_x Ｍｅ_y （Ｆｅ_1-z Ｃｏ_z ）_1-x-y （０．２５≦ｘ≦０．３１、０．０１≦ｙ≦０．０３、
０．３≦ｚ≦０．５、Ｍｅは希土類、Ｉａ族、ＩＩａ
族、Ｖｂ族、ＶＩｂ族、ＶＩＩｂ族に属する以外の元素
から選ばれる１種以上の元素）で表される光磁気記録媒
体に関するものである。

【００１１】以下に本発明を詳細に説明する。

【００１２】面内磁化膜を再生層に用いた本発明での、
浮き出し型の磁気超解像再生方式は、再生ビームスポッ
ト中で所定の温度以上になった領域のみで再生層が垂直
磁化膜となり、記録層に記録された情報が交換結合力に
よって再生層に転写され、これを再生信号として検出す
ることを特徴としている。この方式によってビームスポ
ットの大きさより小さい記録ピットも再生可能となる。

【００１３】即ち、所定の温度以下では再生層はその磁
化の膜面に垂直な成分をほとんど持たない状態とするこ
とが重要で、これを実現するためには再生層の組成を希
土類優勢とすることである。また再生の際に再生光の強
度は記録層に記録が行われるほど大きくないことが必要
である。

【００１４】本発明者の研究の結果、これらの条件を満
足するために、光磁気記録媒体の再生層をＧｄＦｅＣｏ
とした場合、Ｇｄ濃度、Ｃｏ濃度の調整が必要である
が、ＧｄＦｅＣｏの垂直磁気異方性は主にＣｏ濃度によ
り決まり、Ｇｄ濃度は面内から垂直磁気になる温度の調
整の際影響することが判った。ＧｄＦｅＣｏの垂直磁気
異方性はＣｏ濃度に比例して単調に減少し、キュリ−温
度は単調に増加する。本発明者の検討結果ではＣｏとＦ
ｅＣｏの比で約４０〜５０ａｔ％程度で最も再生特性の
よいＧｄＦｅＣｏ再生層が得られたが、このとき記録保
持性に優れるＴｂＦｅＣｏを記録層に使用すると再生層
の厚みは８００Ａ以上が好ましいという結果になり記録
に大きなレーザーパワーを要した。

【００１５】記録感度を高めるには再生層の厚みを可能
な限り薄くすることであるが、本発明では、再生層に、
希土類、Ｉａ族、ＩＩａ族、Ｖｂ族、ＶＩｂ族、ＶＩＩ
ｂ族に属する以外の元素からから選ばれた１種以上の元
素（Ｍｅ）を添加したものを用いることにより、キュリ
−温度と垂直磁気異方性を適度に低下させこれを実現し
た。ここで、希土類元素他を除いた理由は、希土類元素
の添加は垂直磁気異方性を上昇させるためであり、Ｉａ
族、ＩＩａ族、Ｖｂ族、ＶＩｂ族、ＶＩＩｂ族元素の添
加は耐蝕性の低下を招くからである。

【００１６】本発明のＭｅの濃度（ｙ）が０．０１未満
では、キュリ−温度と垂直磁気異方性の充分な低下効果
が得られず、高い解像度を得るために必要な再生層膜厚
が厚くなり、０．０３を越えるとカー回転角が小さくな
り再生出力が下がる。再生層のＣｏ濃度（ｚ）が０．３
未満では、垂直磁気異方性が大きく再生層の磁化が面内
から垂直に立つ時にスムーズに変化せず従ってノイズが
生じやすくなり、０．５を越えるとＭｅ添加により垂直
磁気異方性が小さくなりすぎて磁化が垂直に立たなかっ
たり、キュリー温度が高いために高い解像度を得るため
に必要な再生層膜厚が厚くなるなど問題がある。また、
Ｇｄ濃度（ｘ）に関しては０．２５≦ｘ≦０．３１の範
囲で調整することにより、面内から垂直に変化する温度
を好ましい範囲である１００〜２００℃に設定すること
ができる。

【００１７】本発明において、前記した条件を満す全て
の元素においてキュリ−温度と垂直磁気異方性を低下さ
せる効果はみられるが、キュリ−温度と垂直磁気異方性
を下げ、かつカ−回転角の低下を抑制するには、可能な
限り少量の添加でキュリ−温度と垂直磁気異方性の低下
をもたらす添加物の選択によりさらに高い解像度が得ら
れる。本発明では、再生層の組成でＭｅがＮｂ，Ｍｏ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，Ａｕから選ばれた１種以上の元
素を添加したもので用いると上記した効果を得る上で特
に好ましい。

【００１８】本発明で、記録層がＴｂＦｅＣｏを主体と
した垂直磁化膜である場合、再生層の厚みが５０〜７０
nmで、かつ記録層の厚みが４０〜７０nmであるとより高
感度で特に良好な記録再生が得られる。

【００１９】さらに本発明で、記録層の組成がＴｂ_x Ｍ
ｅ_y （Ｆｅ_1-z Ｃｏ_z ）_1-x-y （０．１４≦ｘ≦０．２
２、０．０４≦ｙ≦０．１２、０．１≦ｚ≦０．２５）
の範囲にあり、かつＭｅがＩａ族、ＩＩａ族、Ｖｂ族、
ＶＩｂ族、ＶＩＩｂ族に属する以外の元素から選ばれた
１種以上の元素である場合、再生層の厚みが４０〜６０
nmで、かつ記録層の厚みが４０〜７０nmであることによ
りさらに高感度で良好な記録再生が得られる。

【００２０】ここで、記録層のＴｂ濃度（ｘ）に関して
は、適当な記録磁界特性を得るためにＴｂ濃度を０．１
４≦ｘ≦０．２２とすることが必要である。Ｍｅは記録
層の垂直磁気異方向性を減少させて記録層と再生層の交
換結合を低下させて再生層の膜厚が薄くても面内になり
やすくする効果があるので濃度（ｙ）が大きい程効果は
大きい。記録の保持性との兼ね合いからＭｅ濃度は０．
０４≦ｙ≦０．１２が好ましい。記録感度を適当に保つ
ために記録層のキュリ−温度は２００〜３００℃が好ま
しいがＭｅ濃度によりＣｏ濃度を０．１≦ｚ≦０．２５
の範囲で調整することで容易に達成できる。

【００２１】本発明の記録層がＤｙＦｅＣｏを主体とし
た垂直磁化膜である場合、記録層の垂直磁気異方性がＴ
ｂＦｅＣｏを用いた場合より小さいために、再生層の厚
みが３０〜５０nmで、かつ記録層の厚みが４０〜７０nm
であることにより高感度で良好な記録再生が得られる。

【００２２】ここで記録層のＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣ
ｏの厚みを４０nm以上とするのは、これ以上の膜厚であ
れば記録時に再生層からの交換結合の影響を受けること
なく記録層に書き込まれるためである。また記録層は薄
いほど記録感度の点で好ましく、７０nmを越えるとディ
スクの外周部などで記録が難しくなる。

【００２３】また、記録層が記録保存性に優れるＴｂＦ
ｅＣｏを主体とした垂直磁化膜の場合、再生層と記録層
の間にキュリ−温度が記録層より低いＤｙＦｅＣｏを主
体とした垂直磁化膜の中間層を設けることにより、再生
層の厚みを３０〜５０nmとすることが可能であり、かつ
記録層の厚みを１０〜５０nmとかなり薄くして高感度と
することが可能である。ここで中間層の厚みは１０〜３
０nmが好ましい。

【００２４】本発明において記録層のキュリー温度は２
００〜３００℃であることが好ましく、中間層を設ける
場合の中間層のキュリー温度は、記録層のキュリー温度
より２０℃以上低くかつ１５０℃以上であることが安定
に再生するために好ましい。また記録層と中間層のキュ
リー温度の差を６０℃以上とすることにより特開平５−
２０５３３６号公報に開示された第２のマスクによる超
解像が可能となる。

【００２５】本発明で用いる基体としては、ポリカーボ
ネイト等の樹脂またはガラス等の透明基板が好ましく、
再生層よりもレーザー光の入射側に極カー効果を増大さ
せることを目的としてＳｉＮ、ＳｉＯ₂ 、ＺｎＳ、Ａｌ
Ｎ等からなる厚さ８０nm程度の誘電体層を設けることも
有効である。この層は、媒体の反射率や再生信号強度を
調整するために適宜厚さを変えることもできる。更に記
録レーザーパワー等の調整のためにレーザー光の入射側
と反対側に、例えば厚さ２０nm程度のＡｌ合金膜等の熱
拡散層を設けたり、薄膜の保護のためにアクリル系の樹
脂などの保護膜を設けることも可能である。

【００２６】また、本発明の耐蝕性向上等のために記録
層にＣｒ、Ｔｉ等の元素を添加することも考えられるが
特に限定されない。

【００２７】本発明の光磁気記録媒体の薄膜は、夫々の
層に対応したタ−ゲットを用いてスパッタリング法で作
製することが生産性の点から好ましいが、その他に真空
蒸着法、イオンビ−ムスパッタ法などによっても作製可
能である。

【００２８】

【実施例】以下に実施例を用いて更に詳述する。

【００２９】実施例１ 図１に示すように、マグネトロンスパッタ法によりトラ
ックピッチ１．２μm のポリカーボネイト（ＰＣ）基板
(11)上にＳｉＮからなる誘電体層(12)を８０nm成膜し、
その後、Ｇｄ_0.29Ｍｅ_0.02（Ｆｅ_0.6 Ｃｏ_0.4 ）_0.69の
組成の再生層(13)を６０nm、Ｔｂ_0.19Ｆｅ_0.7 Ｃｏ_0.11
の組成の記録層(14)を５０nm、ＳｉＮからなる誘電体層
(15)を８０nm、Ａｌからなる熱拡散層(16)を２０nmの順
で成膜しディスクを作製した。ここでＭｅはＣｒ、Ｔ
ａ、Ｐｔを夫々用いた。さらに比較例１として再生層(1
3)としてＧｄ_0.29（Ｆｅ_0.6 Ｃｏ_0.4 ）_0.71を６０nm、
８０nmの厚みとした他は実施例１と同じ構造のディスク
を作製した。また、比較例２として再生層(13)をＧｄ
_0.29Ｎｄ_0.02（Ｆｅ_0.6 Ｃｏ_0.4 ）_0.69を６０nm、８０
nmの厚みとした他は実施例１と同じ構造のディスクを作
製した。

【００３０】作製したディスクの半径３０mmの位置でマ
ーク長が０．５μm （マークピッチの半分とみなす）と
なるように回転数２４００rpm として記録周波数９．４
MHz、ｄｕｔｙ３３% で７８０nmのレーザー光（対物レ
ンズのＮＡ= ０．５５）を用いて記録を行った。記録時
には３００Oeの磁界を印加した。同じ光を用いてキャリ
ア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）を測定した。Ｃ／Ｎ測定の時の
再生レーザーパワーは２〜４mWの範囲においてそれぞれ
の試料でＣ／Ｎが最大となる値とした。

【００３１】表１に実施例１と比較例１のＣ／Ｎと記録
に要したレーザーパワーを示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】再生層の膜厚が６０nmのとき記録パワーは
約８mWで、比較例１の再生層の膜厚が８０nmのときに比
べて約１．５mW記録パワーを下げることが可能となっ
た。また、Ｃ／Ｎについては比較例１の再生層の膜厚が
６０nmのときに４０dBしか得られなかったが、実施例１
ではこれよりも２から４dB高い値が得られ、特にＭｅが
ＴａまたはＰｔでは比較例１の再生層の膜厚が８０nmの
ときと同等のＣ／Ｎが得られた。さらに、比較例２のＭ
ｅ＝Ｎｄで再生層の膜厚が６０nmのときは比較例１と同
等以下のＣ／Ｎしか得られなかった。

【００３４】次に実施例１と比較例１の試料の室温での
カー回転角および再生層のキュリー温度を表２に示す。

【００３５】

【表２】

【００３６】Ｍｅの添加によりカー回転角はいずれも約
１０% 下がるが、キュリー温度も下がっている。特にＴ
ａやＰｔはキュリー温度の下がり方が大きく、Ｃ／Ｎと
逆の傾向になっている。キュリー温度が下がると交換ス
チッフネス定数や垂直磁気異方性が下がるので再生層の
中の磁壁の厚みが減少し、薄い再生層でも室温で記録層
の情報をマスクできたと考えられる。カー回転角の下が
り方はＭｅがＣｒ、Ｔａ、Ｐｔでほとんど差がないにも
関わらずＴａやＰｔはキュリー温度を特に下げることが
できたために特に良好な解像度が得られたものと考えら
れる。また、比較例２のＭｅ＝Ｎｄのときはキュリ−温
度やカ−回転角がＣｒのときとほとんど同等であるが、
垂直磁気異方性が高まることが確認されており、そのた
めに磁壁の厚みが減少せず解像度が低いものとなったと
考えられる。

【００３７】一方、Ｍｅの濃度（ｙ）については、０．
０２付近でＣ／Ｎは最大となり０．０１未満ではキュリ
ー温度の下がり方が顕著でなく、０．０３を越えるとカ
ー回転角が下がるためにＣ／Ｎが低くなることが判っ
た。

【００３８】本発明者らがさらに再生層の添加物Ｍｅに
ついて検討した結果、Ｍｅが希土類、Ｉａ族、ＩＩａ
族、Ｖｂ族、ＶＩｂ族、ＶＩＩｂ族に属する以外の元素
から選ばれた１種以上の元素であるときに再生層の厚み
が６０nm程度であっても超解像により解像度を高めるこ
とが可能であることが判った。また、ＴａやＰｔのよう
にカー回転角に比べてキュリー温度を特に下げる物質と
してＭｅがＮｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ、Ａｕか
ら選ばれた１種以上の元素が特に好ましいことが判っ
た。

【００３９】実施例２ 実施例１と同様にマグネトロンスパッタ法によりトラッ
クピッチ１．２μm のポリカーボネイト（ＰＣ）基板上
にＳｉＮからなる誘電体層を８０nm成膜し、その後、Ｇ
ｄ_0.29Ｔａ_0.02（Ｆｅ_0.6 Ｃｏ_0.4 ）_0.69の組成の再生
層を６０nm、Ｔｂ_0.19Ｆｅ_0.7 Ｃｏ_0.11の組成の記録層
を５０nm、ＳｉＮからなる誘電体層を８０nm、Ａｌから
なる熱拡散層を２０nmの順で成膜しディスクを作製し
た。この条件を標準条件として再生層の膜厚を５０から
７０nmまで、記録層の膜厚を４０から７０nmまで変化さ
せたものを作製した。次に比較例３として再生層の膜厚
を４０から８０nm、記録層の膜厚を３０から８０nmまで
変化させたディスクを作製した。これらのディスクを実
施例１と同様の条件で記録再生し、Ｃ／Ｎを測定した。
表３に実施例２と比較例３のＣ／Ｎと記録に要したレー
ザーパワーを示す。

【００４０】

【表３】

【００４１】この表から再生層の厚みが５０nm以上であ
りかつ記録層の厚みが４０nm以上で良好なＣ／Ｎが得ら
れることが判った。記録層が薄い場合、記録磁界を１０
００OeとすることでＣ／Ｎ＝４２dBまで向上したので、
記録時の再生層から記録層への交換結合による磁界が記
録を妨げていると推定される。また、再生層や記録層の
厚みの厚みが７０nmを越えると記録感度がかなり悪くな
ることが判った。

【００４２】実施例３ 実施例１と同様にマグネトロンスパッタ法によりトラッ
クピッチ１．２μm のポリカーボネイト（ＰＣ）基板上
にＳｉＮからなる誘電体層を８０nm成膜し、その後、Ｇ
ｄ_0.28Ｗ_0.02（Ｆｅ_0.6 Ｃｏ_0.4 ）_0.70の組成の再生層
を５０nm、Ｔｂ_0.18Ｔａ_0.05Ｆｅ_0.64Ｃｏ_0.13の組成の
記録層を５０nm、ＳｉＮからなる誘電体層を８０nm、Ａ
ｌからなる熱拡散層を２０nmの順で成膜しディスクを作
製した。この条件を標準条件として再生層の膜厚を４０
から６０nmまで変化させたものを作製した。次に比較例
４として再生層の膜厚が３０nmのディスクを作製した。

【００４３】これらのディスクを実施例１と同様の条件
で記録再生し、Ｃ／Ｎを測定した。表４に実施例３と比
較例４のＣ／Ｎと記録に要したレーザーパワーを示す。

【００４４】

【表４】

【００４５】この表から再生層の厚みが４０nm以上のと
き良好なＣ／Ｎが得られることが判った。記録層の組成
にＴａを添加することにより実施例１よりさらに再生層
を薄くして記録感度を高めることができた。この原因と
してはＴａの記録層への添加により垂直磁気異方性が約
半分になったためと考えられる。

【００４６】実施例４ 実施例１と同様にマグネトロンスパッタ法によりトラッ
クピッチ１．２μm のポリカーボネイト（ＰＣ）基板上
にＳｉＮからなる誘電体層を８０nm成膜し、その後、Ｇ
ｄ_0.29Ｎｂ_0.02（Ｆｅ_0.6 Ｃｏ_0.4 ）_0.69の組成の再生
層を４０nm、Ｄｙ_0.23Ｆｅ_0.63Ｃｏ_0.14の組成の記録層
を５０nm、ＳｉＮからなる誘電体層を８０nm、Ａｌから
なる熱拡散層を２０nmの順で成膜しディスクを作製し
た。この条件を標準条件として再生層の膜厚を３０から
５０nmまで変化させたディスクを作製した。次に比較例
５として再生層の膜厚が２０nmのディスクを作製した。

【００４７】これらのディスクを実施例１と同様の条件
で記録再生し、Ｃ／Ｎを測定した。表５に実施例４と比
較例５のＣ／Ｎと記録に要したレーザーパワーを示す。

【００４８】

【表５】

【００４９】この表から再生層の厚みが３０nm以上のと
き良好なＣ／Ｎが得られることが判った。記録層をＴｂ
ＦｅＣｏから垂直磁気異方性が約１／３以下のＤｙＦｅ
Ｃｏとすることにより実施例１よりさらに再生層を薄く
して記録感度を高めることができた。

【００５０】実施例５ 図２に示すように、マグネトロンスパッタ法によりトラ
ックピッチ１．２μm のポリカーボネイト（ＰＣ）基板
(21)上にＳｉＮからなる誘電体層(22)を８０nm成膜し、
その後、Ｇｄ_0.28Ｍｏ_0.02（Ｆｅ_0.6 Ｃｏ_0.4 ）_0.70の
組成の再生層(23)を４０nm、Ｄｙ_0.23Ｆｅ_0.65Ｃｏ_0.12
の組成の中間層(24)を１５nm、Ｔｂ_0.19Ｆｅ_0.7 Ｃｏ
_0.11の組成の記録層(25)を２０nm、ＳｉＮからなる誘電
体層(26)を８０nm、Ａｌからなる熱拡散層(27)を２０nm
の順で成膜しディスクを作製した。

【００５１】このディスクを実施例１と同様の条件で記
録再生し、Ｃ／Ｎ４５dB、記録パワー５．２mWを得た。
Ｃ／Ｎ、記録感度ともにかなり良好な値が得られた。ま
た、中間層の組成をＤｙ_0.23Ｆｅ_0.69Ｃｏ_0.08として、
記録層のキュリー温度に比べて８０度程度低く設定し、
膜厚を１０mnとしたところ第２のマスクによる超解像が
起こり、Ｃ／Ｎ５０dBが得られた。この場合も記録パワ
ー５．０mWと高い感度が得られた。

【００５２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、室温で
面内磁化膜となる再生層を用いた光磁気超解像媒体にお
いて、本発明により高い解像度を保ったまま、特に記録
感度を高めることができる。従って、ディスクの高速回
転下での記録が可能となり高記録密度と高転送速度を両
立させた媒体が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】面内磁化膜を再生層として用いた光磁気記録媒
体の実施様態の一例を示す概念図。

【図２】面内磁化膜を再生層として用いた光磁気記録媒
体の実施様態の別の一例を示す概念図。

【符号の説明】

１１：ポリカーボネイト（ＰＣ）基板 １２：誘電体層 １３：再生層 １４：記録層 １５：誘電体層 １６：熱拡散層 ２１：ポリカーボネイト（ＰＣ）基板 ２２：誘電体層 ２３：再生層 ２４：中間層 ２５：記録層 ２６：誘電体層 ２７：熱拡散層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基体上に、少なくとも、室温において面内
   磁化膜である再生層と、垂直磁化膜である記録層とを備
   え、再生光の照射により記録層から再生層に情報を転写
   して再生を行う光磁気記録媒体であって、再生層の組成
   が下記で表される光磁気記録媒体。 Ｇｄ_x Ｍｅ_y （Ｆｅ_1-z Ｃｏ_z ）_1-x-y （０．２５≦ｘ≦０．３１、０．０１≦ｙ≦０．０３、
   ０．３≦ｚ≦０．５、Ｍｅは希土類、Ｉａ族、ＩＩａ
   族、Ｖｂ族、ＶＩｂ族、ＶＩＩｂ族に属する以外の元素
   から選ばれる１種以上の元素）
2. 【請求項２】ＭｅがＮｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐ
   ｔ、Ａｕから選ばれる元素である請求項１記載の光磁気
   媒体。
3. 【請求項３】再生層の厚みが５０〜７０nmで、記録層が
   ＴｂＦｅＣｏを主体とした垂直磁化膜でありその厚みが
   ４０〜７０nmである請求項１記載の光磁気媒体。
4. 【請求項４】再生層の厚みが４０〜６０nmで、記録層の
   組成が下記で表されその厚みが４０〜７０nmである請求
   項１記載の光磁気媒体。 Ｔｂ_x Ｍｅ_y （Ｆｅ_1-z Ｃｏ_z ）_1-x-y （０．１４≦ｘ≦０．２２、０．０４≦ｙ≦０．１２、
   ０．１≦ｚ≦０．２５、ＭｅはＩａ族、ＩＩａ族、Ｖｂ
   族、ＶＩｂ族、ＶＩＩｂ族に属する以外の元素から選ば
   れる１種以上の元素）
5. 【請求項５】再生層の厚みが３０〜５０nmで、記録層が
   ＤｙＦｅＣｏを主体とした垂直磁化膜でありその厚みが
   ４０〜７０nmである請求項１記載の光磁気媒体。
6. 【請求項６】再生層の厚みが３０〜５０nmで、記録層が
   ＴｂＦｅＣｏを主体とした垂直磁化膜でありその厚みが
   １０〜５０nmで、再生層と記録層の間にキュリ−温度が
   記録層より低いＤｙＦｅＣｏを主体とした垂直磁化膜の
   中間層を設けた請求項１記載の光磁気媒体。