JPH08316366A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH08316366A JPH08316366A JP7121734A JP12173495A JPH08316366A JP H08316366 A JPH08316366 A JP H08316366A JP 7121734 A JP7121734 A JP 7121734A JP 12173495 A JP12173495 A JP 12173495A JP H08316366 A JPH08316366 A JP H08316366A
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- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半田からなるボール状端子を接続パッドに強固
に取着させ、内部に収容する半導体集積回路素子の各電
極を長期間にわたり所定の外部電気回路に確実に電気的
接続することができる半導体素子収納用パッケージを提
供することにある。 【構成】セラミックス焼結体から成り、上面に半導体素
子が載置される載置部１ａを有する絶縁基体１と、該絶
縁基体１の半導体素子３が載置される載置部１ａ周辺か
ら下面にかけて導出されるタングステンもしくはモリブ
デンから成る複数個のメタライズ配線層５と、前記絶縁
基体１の下面に形成され、前記メタライズ配線層５が電
気的に接続される複数個の接続パッド６と、半田から成
り、前記接続パッド６に取着されるボール状端子７とか
ら成る半導体素子収納用パッケージであって、前記ボー
ル状端子７の取着される接続パッド６表面にタングステ
ンーニッケルもしくはモリブデンーニッケルの合金層９
を被着させた。
に取着させ、内部に収容する半導体集積回路素子の各電
極を長期間にわたり所定の外部電気回路に確実に電気的
接続することができる半導体素子収納用パッケージを提
供することにある。 【構成】セラミックス焼結体から成り、上面に半導体素
子が載置される載置部１ａを有する絶縁基体１と、該絶
縁基体１の半導体素子３が載置される載置部１ａ周辺か
ら下面にかけて導出されるタングステンもしくはモリブ
デンから成る複数個のメタライズ配線層５と、前記絶縁
基体１の下面に形成され、前記メタライズ配線層５が電
気的に接続される複数個の接続パッド６と、半田から成
り、前記接続パッド６に取着されるボール状端子７とか
ら成る半導体素子収納用パッケージであって、前記ボー
ル状端子７の取着される接続パッド６表面にタングステ
ンーニッケルもしくはモリブデンーニッケルの合金層９
を被着させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージに関するものである。
めの半導体素子収納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子、特にＬＳＩ（大規模
集積回路素子）等の半導体集積回路素子を収容するため
の半導体素子収納用パッケージは、一般にアルミナセラ
ミックス等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央
部に半導体集積回路素子を収容するための凹部を有する
絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて
導出されるタングステン、モリブデン等の高融点金属粉
末から成る複数個のメタライズ配線層と、前記絶縁基体
の下面に形成され、メタライズ配線層が電気的に接続さ
れる複数個の接続パッドと、前記接続パッドに取着され
る半田から成るボール状端子と、蓋体とから構成されて
おり、絶縁基体の凹部底面に半導体集積回路素子をガラ
ス、樹脂等から成る接着剤を介して接着固定させ、半導
体集積回路素子の各電極とメタライズ配線層とをボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続させるとともに絶縁
基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封止材を介して接合
させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体集積
回路素子を気密に収容することによって製品としての半
導体装置となる。
集積回路素子）等の半導体集積回路素子を収容するため
の半導体素子収納用パッケージは、一般にアルミナセラ
ミックス等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央
部に半導体集積回路素子を収容するための凹部を有する
絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて
導出されるタングステン、モリブデン等の高融点金属粉
末から成る複数個のメタライズ配線層と、前記絶縁基体
の下面に形成され、メタライズ配線層が電気的に接続さ
れる複数個の接続パッドと、前記接続パッドに取着され
る半田から成るボール状端子と、蓋体とから構成されて
おり、絶縁基体の凹部底面に半導体集積回路素子をガラ
ス、樹脂等から成る接着剤を介して接着固定させ、半導
体集積回路素子の各電極とメタライズ配線層とをボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続させるとともに絶縁
基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封止材を介して接合
させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体集積
回路素子を気密に収容することによって製品としての半
導体装置となる。
【０００３】かかる半導体装置は絶縁基体下面の接続パ
ッドに取着されている半田から成るボール状端子を外部
電気回路基板の配線導体上に載置当接させ、しかる後、
前記ボール状端子を約２００〜２５０℃の温度で加熱溶
融し、ボール状端子を配線導体に接合させることによっ
て外部電気回路基板上に実装され、同時に半導体素子収
納用パッケージの内部に収容されている半導体集積回路
素子はその各電極がメタライズ配線層及びボール状端子
を介して外部電気回路に接続されることとなる。
ッドに取着されている半田から成るボール状端子を外部
電気回路基板の配線導体上に載置当接させ、しかる後、
前記ボール状端子を約２００〜２５０℃の温度で加熱溶
融し、ボール状端子を配線導体に接合させることによっ
て外部電気回路基板上に実装され、同時に半導体素子収
納用パッケージの内部に収容されている半導体集積回路
素子はその各電極がメタライズ配線層及びボール状端子
を介して外部電気回路に接続されることとなる。
【０００４】尚、前記半導体素子収納用パッケージは接
続パッドに半田から成るボール状端子を強固に取着する
ための接続パッド表面には通常、厚さ２μｍ乃至８μｍ
程度のニッケルがメッキ法により層着されている。
続パッドに半田から成るボール状端子を強固に取着する
ための接続パッド表面には通常、厚さ２μｍ乃至８μｍ
程度のニッケルがメッキ法により層着されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、接続パッ
ドの表面へのニッケルメッキ層の層着が平面的であるこ
と及びアルミナセラミックス等から成る絶縁基体の熱膨
張係数が約６．５×１０-6／℃であるのに対し、外部電
気回路基板は一般にガラスエポキシ樹脂から成り、その
熱膨張係数が２×１０-5／℃〜４×１０-5／℃で両者大
きく相違することから半導体素子収納用パッケージの内
部に半導体集積回路素子を収容し、しかる後、外部電気
回路基板に実装した場合、半導体集積回路素子の作動時
に発する熱が絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り
返し印加されると前記半導体素子収納用パッケージの絶
縁基体と外部電気回路基板との間に両者の熱膨張係数の
相違に起因する大きな熱応力が発生するとともにこれが
絶縁基体下面の接続パッドとボール状端子との間に作用
してボール状端子を接続パッド表面に層着されているニ
ッケルメッキ層とともに剥離させてしまい、その結果、
半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体集
積回路素子の各電極を長期間にわたり所定の外部電気回
路に電気的に接続させることができないという欠点を有
していた。
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、接続パッ
ドの表面へのニッケルメッキ層の層着が平面的であるこ
と及びアルミナセラミックス等から成る絶縁基体の熱膨
張係数が約６．５×１０-6／℃であるのに対し、外部電
気回路基板は一般にガラスエポキシ樹脂から成り、その
熱膨張係数が２×１０-5／℃〜４×１０-5／℃で両者大
きく相違することから半導体素子収納用パッケージの内
部に半導体集積回路素子を収容し、しかる後、外部電気
回路基板に実装した場合、半導体集積回路素子の作動時
に発する熱が絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り
返し印加されると前記半導体素子収納用パッケージの絶
縁基体と外部電気回路基板との間に両者の熱膨張係数の
相違に起因する大きな熱応力が発生するとともにこれが
絶縁基体下面の接続パッドとボール状端子との間に作用
してボール状端子を接続パッド表面に層着されているニ
ッケルメッキ層とともに剥離させてしまい、その結果、
半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体集
積回路素子の各電極を長期間にわたり所定の外部電気回
路に電気的に接続させることができないという欠点を有
していた。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は半田からなるボール状端子を接続パッド
に強固に取着させ、内部に収容する半導体集積回路素子
の各電極を長期間にわたり所定の外部電気回路に確実に
電気的接続することができる半導体素子収納用パッケー
ジを提供することにある。
で、その目的は半田からなるボール状端子を接続パッド
に強固に取着させ、内部に収容する半導体集積回路素子
の各電極を長期間にわたり所定の外部電気回路に確実に
電気的接続することができる半導体素子収納用パッケー
ジを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はセラミックス焼
結体から成り、上面に半導体素子が載置される載置部を
有する絶縁基体と、該絶縁基体の半導体素子が載置され
る載置部周辺から下面にかけて導出されるタングステン
もしくはモリブデンから成る複数個のメタライズ配線層
と、前記絶縁基体の下面に形成され、前記メタライズ配
線層が電気的に接続される複数個の接続パッドと、半田
から成り、前記接続パッドに取着されるボール状端子と
から成る半導体素子収納用パッケージであって、前記ボ
ール状端子の取着される接続パッド表面にタングステン
ーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層
を被着させたことを特徴とするのである。
結体から成り、上面に半導体素子が載置される載置部を
有する絶縁基体と、該絶縁基体の半導体素子が載置され
る載置部周辺から下面にかけて導出されるタングステン
もしくはモリブデンから成る複数個のメタライズ配線層
と、前記絶縁基体の下面に形成され、前記メタライズ配
線層が電気的に接続される複数個の接続パッドと、半田
から成り、前記接続パッドに取着されるボール状端子と
から成る半導体素子収納用パッケージであって、前記ボ
ール状端子の取着される接続パッド表面にタングステン
ーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層
を被着させたことを特徴とするのである。
【０００８】また本発明は前記接続パッド表面のタング
ステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル
合金層の厚みを０．５μｍ乃至３μｍとすることを特徴
とするものである。
ステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル
合金層の厚みを０．５μｍ乃至３μｍとすることを特徴
とするものである。
【０００９】
【作用】本発明の半導体素子収納用パッケージによれ
ば、ボール状端子が取着される接続パッド表面にタング
ステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル
合金層を被着させたことから接続パッドとタングステン
ーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金
層、及びタングステンーニッケル合金層もしくはモリブ
デンーニッケル合金層とボール状端子の接合強度が強固
となり、接続パッド及びボール状端子に半導体素子収納
用パッケージの絶縁基体と外部電気回路基板の熱膨張係
数の相違に起因する大きな熱応力が作用してボール状端
子が接続パッドより剥離することはなく、その結果、半
導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体集積
回路素子の各電極を長期間にわたり所定の外部電気回路
に正確に電気的接続させることが可能となる。
ば、ボール状端子が取着される接続パッド表面にタング
ステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル
合金層を被着させたことから接続パッドとタングステン
ーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金
層、及びタングステンーニッケル合金層もしくはモリブ
デンーニッケル合金層とボール状端子の接合強度が強固
となり、接続パッド及びボール状端子に半導体素子収納
用パッケージの絶縁基体と外部電気回路基板の熱膨張係
数の相違に起因する大きな熱応力が作用してボール状端
子が接続パッドより剥離することはなく、その結果、半
導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体集積
回路素子の各電極を長期間にわたり所定の外部電気回路
に正確に電気的接続させることが可能となる。
【００１０】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば接続パッド表面のタングステンーニッケル合金
層もしくはモリブデンーニッケル合金層の厚みを０．５
μｍ乃至３μｍとすると接続パッドとタングステンーニ
ッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層、及
びタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンー
ニッケル合金層とボール状端子の接合がより強固とな
り、半導体集積回路素子の外部電気回路への接続がより
高信頼性のものとなる。
によれば接続パッド表面のタングステンーニッケル合金
層もしくはモリブデンーニッケル合金層の厚みを０．５
μｍ乃至３μｍとすると接続パッドとタングステンーニ
ッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層、及
びタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンー
ニッケル合金層とボール状端子の接合がより強固とな
り、半導体集積回路素子の外部電気回路への接続がより
高信頼性のものとなる。
【００１１】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１及び図２は本発明にかかる半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体で
ある。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体集積回路素子
３を収容する容器４が構成される。
る。図１及び図２は本発明にかかる半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体で
ある。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体集積回路素子
３を収容する容器４が構成される。
【００１２】前記絶縁基体１はその上面中央部に半導体
集積回路素子３が載置収容される凹状の載置部１ａが設
けてあり、該凹状の載置部１ａには半導体集積回路素子
３がガラス、樹脂等の接着剤を介して接着固定される。
集積回路素子３が載置収容される凹状の載置部１ａが設
けてあり、該凹状の載置部１ａには半導体集積回路素子
３がガラス、樹脂等の接着剤を介して接着固定される。
【００１３】前記絶縁基体１は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶
縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体か
ら成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バイ
ンダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこ
れを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール
法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシー
ト（セラミック生シート）を得、しかる後、前記セラミ
ックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すととも
にこれを複数枚積層し、高温（約１６００℃）で焼成す
ることによって製作される。
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶
縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体か
ら成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バイ
ンダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこ
れを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール
法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシー
ト（セラミック生シート）を得、しかる後、前記セラミ
ックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すととも
にこれを複数枚積層し、高温（約１６００℃）で焼成す
ることによって製作される。
【００１４】また前記絶縁基体１は半導体集積回路素子
３が載置収容される凹状の載置部１ａ周辺から下面にか
けて複数個のメタライズ配線層５が、更に絶縁基体１の
下面には前記メタライズ配線層５が電気的に接続される
複数個の接続パッド６が各々被着形成されている。
３が載置収容される凹状の載置部１ａ周辺から下面にか
けて複数個のメタライズ配線層５が、更に絶縁基体１の
下面には前記メタライズ配線層５が電気的に接続される
複数個の接続パッド６が各々被着形成されている。
【００１５】前記メタライズ配線層５及び接続パッド６
はタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成
り、タングステン等の高融点金属粉末に適当な有機バイ
ンダー、可塑剤、溶剤を添加混合して得た金属ペースト
を絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め従
来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗
布しておくことによって絶縁基体１の所定位置に所定パ
ターンに被着形成される。
はタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成
り、タングステン等の高融点金属粉末に適当な有機バイ
ンダー、可塑剤、溶剤を添加混合して得た金属ペースト
を絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め従
来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗
布しておくことによって絶縁基体１の所定位置に所定パ
ターンに被着形成される。
【００１６】前記メタライズ配線層５は半導体集積回路
素子３の各電極を後述する接続パッド６に取着されるボ
ール状端子７に電気的に接続させる作用を為し、絶縁基
体１の凹状の載置部１ａ周辺に位置する領域には半導体
集積回路素子３の各電極がボンディングワイヤ８を介し
て電気的に接続される。
素子３の各電極を後述する接続パッド６に取着されるボ
ール状端子７に電気的に接続させる作用を為し、絶縁基
体１の凹状の載置部１ａ周辺に位置する領域には半導体
集積回路素子３の各電極がボンディングワイヤ８を介し
て電気的に接続される。
【００１７】また前記メタライズ配線層５と電気的に接
続されている接続パッド６は絶縁基体１にボール状端子
７を取着する際の下地金属層として作用し、接続パッド
６の表面には半田から成るボール状端子７が取着され
る。
続されている接続パッド６は絶縁基体１にボール状端子
７を取着する際の下地金属層として作用し、接続パッド
６の表面には半田から成るボール状端子７が取着され
る。
【００１８】前記ボール状端子７が取着される接続パッ
ド６はまたその表面に図２に示す如くタングステンーニ
ッケルもしくはモリブデンーニッケルから成る合金層９
が被着されており、該合金層９は接続パッド６の表面に
ニッケルをメッキ法より層着させ、しかる後、これを８
５０〜１０００℃の温度に加熱することによって接続パ
ッド６の表面に所定厚みに被着形成される。この場合、
タングステンーニッケルもしくはモリブデンーニッケル
から成る合金層９は接続パッド６とニッケル層とを加熱
により合金化させることによって形成されることから接
続パッド６に極めて強固に被着し、例えば絶縁基体１と
外部電気回路基板１０との熱膨張係数の相違に起因する
熱応力等が作用しても接続パッド６より剥離することは
ない。またこのタングステンーニッケルもしくはモリブ
デンーニッケルから成る合金層９は半田に対する濡れ性
（反応性）が極めて良く、これによって半田から成るボ
ール状端子７は合金層９を介して接続パッド６に強固に
取着される。
ド６はまたその表面に図２に示す如くタングステンーニ
ッケルもしくはモリブデンーニッケルから成る合金層９
が被着されており、該合金層９は接続パッド６の表面に
ニッケルをメッキ法より層着させ、しかる後、これを８
５０〜１０００℃の温度に加熱することによって接続パ
ッド６の表面に所定厚みに被着形成される。この場合、
タングステンーニッケルもしくはモリブデンーニッケル
から成る合金層９は接続パッド６とニッケル層とを加熱
により合金化させることによって形成されることから接
続パッド６に極めて強固に被着し、例えば絶縁基体１と
外部電気回路基板１０との熱膨張係数の相違に起因する
熱応力等が作用しても接続パッド６より剥離することは
ない。またこのタングステンーニッケルもしくはモリブ
デンーニッケルから成る合金層９は半田に対する濡れ性
（反応性）が極めて良く、これによって半田から成るボ
ール状端子７は合金層９を介して接続パッド６に強固に
取着される。
【００１９】尚、前記接続パッド６表面に被着されるタ
ングステンーニッケルもしくはモリブデンーニッケルか
ら成る合金層９はその厚みが０．５μｍ未満であると接
続ッド６との被着強度が弱くなって熱応力等により剥離
し易くなり、また３μｍを越えるとタングステンーニッ
ケルもしくはモリブデンーニッケルから成る合金層９は
脆弱であることから外力印加よって破損し接続パッド６
より剥離し易くなる傾向にある。従って、前記接続パッ
ド６表面に被着されるタングステンーニッケルもしくは
モリブデンーニッケルから成る合金層９はその厚みを
０．５μｍ乃至３μｍの範囲としておくことが好まし
い。
ングステンーニッケルもしくはモリブデンーニッケルか
ら成る合金層９はその厚みが０．５μｍ未満であると接
続ッド６との被着強度が弱くなって熱応力等により剥離
し易くなり、また３μｍを越えるとタングステンーニッ
ケルもしくはモリブデンーニッケルから成る合金層９は
脆弱であることから外力印加よって破損し接続パッド６
より剥離し易くなる傾向にある。従って、前記接続パッ
ド６表面に被着されるタングステンーニッケルもしくは
モリブデンーニッケルから成る合金層９はその厚みを
０．５μｍ乃至３μｍの範囲としておくことが好まし
い。
【００２０】更に前記接続パッド６に取着されている半
田から成るボール状端子７は接続パッド６を外部電気回
路基板１０の配線導体１１に容易、且つ確実に接続させ
る作用を為し、接続パッド６の表面にボール状の半田を
載置させ、しかる後、その一部を加熱溶融させることに
よって接続パッド６の表面に取着される。
田から成るボール状端子７は接続パッド６を外部電気回
路基板１０の配線導体１１に容易、且つ確実に接続させ
る作用を為し、接続パッド６の表面にボール状の半田を
載置させ、しかる後、その一部を加熱溶融させることに
よって接続パッド６の表面に取着される。
【００２１】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、絶縁基体１の凹状の載置部１ａ底面に半
導体集積回路素子３を接着剤を介して接着固定するとと
もに半導体集積回路素子３の各電極をメタライズ配線層
５にボンディングワイヤ８を介して電気的に接続し、し
かる後、絶縁基体１の上面に蓋体２をガラス、樹脂等か
ら成る封止材により接合させ、絶縁基体１と蓋体２とか
ら成る容器４内部に半導体集積回路素子３を気密に収容
することによって製品としての半導体装置となる。
ージによれば、絶縁基体１の凹状の載置部１ａ底面に半
導体集積回路素子３を接着剤を介して接着固定するとと
もに半導体集積回路素子３の各電極をメタライズ配線層
５にボンディングワイヤ８を介して電気的に接続し、し
かる後、絶縁基体１の上面に蓋体２をガラス、樹脂等か
ら成る封止材により接合させ、絶縁基体１と蓋体２とか
ら成る容器４内部に半導体集積回路素子３を気密に収容
することによって製品としての半導体装置となる。
【００２２】また前記半導体素子収納用パッケージに半
導体集積回路素子３を収容して形成される半導体装置は
絶縁基体１下面のボール状端子７を外部電気回路基板１
０の配線導体１１に接合させることよって外部電気回路
基板１０上に実装され、同時に容器４の内部に収容され
ている半導体集積回路素子３はその電極がボンディング
ワイヤ８、メタライズ配線層５、接続パッド６及びボー
ル状端子７を介して外部電気回路基板１０の配線導体１
１に電気的に接続される。
導体集積回路素子３を収容して形成される半導体装置は
絶縁基体１下面のボール状端子７を外部電気回路基板１
０の配線導体１１に接合させることよって外部電気回路
基板１０上に実装され、同時に容器４の内部に収容され
ている半導体集積回路素子３はその電極がボンディング
ワイヤ８、メタライズ配線層５、接続パッド６及びボー
ル状端子７を介して外部電気回路基板１０の配線導体１
１に電気的に接続される。
【００２３】更に本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
【００２４】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、ボール状端子が取着される接続パッド表面にタ
ングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッ
ケル合金層を被着させたことから接続パッドとタングス
テンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合
金層、及びタングステンーニッケル合金層もしくはモリ
ブデンーニッケル合金層とボール状端子の接合強度が強
固となり、接続パッド及びボール状端子に半導体素子収
納用パッケージの絶縁基体と外部電気回路基板の熱膨張
係数の相違に起因する大きな熱応力が作用してボール状
端子が接続パッドより剥離することはなく、その結果、
半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体集
積回路素子の各電極を長期間にわたり所定の外部電気回
路に正確に電気的接続させることが可能となる。
よれば、ボール状端子が取着される接続パッド表面にタ
ングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッ
ケル合金層を被着させたことから接続パッドとタングス
テンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合
金層、及びタングステンーニッケル合金層もしくはモリ
ブデンーニッケル合金層とボール状端子の接合強度が強
固となり、接続パッド及びボール状端子に半導体素子収
納用パッケージの絶縁基体と外部電気回路基板の熱膨張
係数の相違に起因する大きな熱応力が作用してボール状
端子が接続パッドより剥離することはなく、その結果、
半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体集
積回路素子の各電極を長期間にわたり所定の外部電気回
路に正確に電気的接続させることが可能となる。
【００２５】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば接続パッド表面のタングステンーニッケル合金
層もしくはモリブデンーニッケル合金層の厚みを０．５
μｍ乃至３μｍとすると接続パッドとタングステンーニ
ッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層、及
びタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンー
ニッケル合金層とボール状端子の接合がより強固とな
り、半導体集積回路素子の外部電気回路への接続がより
高信頼性のものとなる。
によれば接続パッド表面のタングステンーニッケル合金
層もしくはモリブデンーニッケル合金層の厚みを０．５
μｍ乃至３μｍとすると接続パッドとタングステンーニ
ッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層、及
びタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンー
ニッケル合金層とボール状端子の接合がより強固とな
り、半導体集積回路素子の外部電気回路への接続がより
高信頼性のものとなる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
１・・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・・半導体集積回路素子が載置される凹状の
載置部 ２・・・・・・蓋体 ３・・・・・・半導体集積回路素子 ４・・・・・・容器 ５・・・・・・メタライズ配線層 ６・・・・・・接続パッド ７・・・・・・ボール状端子 ９・・・・・・タングステンーニッケルもしくはモリブ
デンーニッケル合金層
載置部 ２・・・・・・蓋体 ３・・・・・・半導体集積回路素子 ４・・・・・・容器 ５・・・・・・メタライズ配線層 ６・・・・・・接続パッド ７・・・・・・ボール状端子 ９・・・・・・タングステンーニッケルもしくはモリブ
デンーニッケル合金層
Claims (2)
- 【請求項１】セラミックス焼結体から成り、上面に半導
体素子が載置される載置部を有する絶縁基体と、該絶縁
基体の半導体素子が載置される載置部周辺から下面にか
けて導出されるタングステンもしくはモリブデンから成
る複数個のメタライズ配線層と、前記絶縁基体の下面に
形成され、前記メタライズ配線層が電気的に接続される
複数個の接続パッドと、半田から成り、前記接続パッド
に取着されるボール状端子とから成る半導体素子収納用
パッケージであって、前記ボール状端子の取着される接
続パッド表面にタングステンーニッケル合金層もしくは
モリブデンーニッケル合金層を被着させたことを特徴と
する半導体素子収納用パッケージ。 - 【請求項２】前記接続パッド表面のタングステンーニッ
ケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層の厚み
が０．５μｍ乃至３μｍであることを特徴とする請求項
１に記載の半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12173495A JP3176251B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12173495A JP3176251B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316366A true JPH08316366A (ja) | 1996-11-29 |
| JP3176251B2 JP3176251B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=14818568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12173495A Expired - Fee Related JP3176251B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3176251B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1148440A4 (en) * | 1998-12-17 | 2004-12-29 | Hitachi Ltd | SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING SAID DEVICE |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2631523B (en) | 2023-07-05 | 2025-11-12 | Seaway 7 Eng B V | Upending elongate structures offshore |
-
1995
- 1995-05-19 JP JP12173495A patent/JP3176251B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1148440A4 (en) * | 1998-12-17 | 2004-12-29 | Hitachi Ltd | SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING SAID DEVICE |
| US7061083B1 (en) | 1998-12-17 | 2006-06-13 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor devices |
| US7298029B2 (en) | 1998-12-17 | 2007-11-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor devices and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3176251B2 (ja) | 2001-06-11 |
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