JPH08316543A - 圧電トランス - Google Patents
圧電トランスInfo
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- JPH08316543A JPH08316543A JP7117277A JP11727795A JPH08316543A JP H08316543 A JPH08316543 A JP H08316543A JP 7117277 A JP7117277 A JP 7117277A JP 11727795 A JP11727795 A JP 11727795A JP H08316543 A JPH08316543 A JP H08316543A
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- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装基板に対して直接的に実装することが可
能で、実装時に必要となる手間の削減を図ることができ
る圧電トランスを提供する。 【構成】 本発明に係る圧電トランスは、圧電セラミッ
ク素子1のノード点10と対応する位置ごとに、実装基
板6側に向かって突出する突起部11を設けたことを特
徴とするものである。なお、この際における突起部11
は、圧電セラミック素子1と一体に形成されたものであ
ってもよい。また、突起部11に実装電極12を形成し
ておいたうえ、この実装電極12を実装基板6上の接続
電極8,9に対して直接的に接続することも可能であ
る。
能で、実装時に必要となる手間の削減を図ることができ
る圧電トランスを提供する。 【構成】 本発明に係る圧電トランスは、圧電セラミッ
ク素子1のノード点10と対応する位置ごとに、実装基
板6側に向かって突出する突起部11を設けたことを特
徴とするものである。なお、この際における突起部11
は、圧電セラミック素子1と一体に形成されたものであ
ってもよい。また、突起部11に実装電極12を形成し
ておいたうえ、この実装電極12を実装基板6上の接続
電極8,9に対して直接的に接続することも可能であ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイのバ
ックライト用インバータを構成する際などに用いられる
圧電トランスに関する。
ックライト用インバータを構成する際などに用いられる
圧電トランスに関する。
【0002】
【従来の技術】圧電トランスは、入力した電気エネルギ
を圧電効果によって機械エネルギに変換し、再び圧電効
果を利用したうえで機械エネルギを電気エネルギに変換
することによって昇圧された高電圧を得るものであり、
圧電体の振動方向と分極方向の関係から、縦効果や横効
果を利用したものが提案されている。このうち、横効果
を利用したものとしては、図6で示すような構成とされ
た圧電トランス(以下、第1従来例という)があり、こ
の圧電トランスは、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)な
どを用いて作製された矩形平板状の圧電セラミック素子
1を備え、かつ、その長手方向に沿う一方側(図では、
左側)の半部の主表面上には厚み方向に沿って対向する
入力用の1次側電極2が形成される一方、他方側(図で
は、右側)の半部の側面上には幅方向に沿って対向する
出力用の2次側電極3が形成されたものとなっている。
なお、圧電セラミック素子1における半部のそれぞれ
は、1次側及び2次側電極2,3を利用したうえで所要
方向に沿って分極処理されている。
を圧電効果によって機械エネルギに変換し、再び圧電効
果を利用したうえで機械エネルギを電気エネルギに変換
することによって昇圧された高電圧を得るものであり、
圧電体の振動方向と分極方向の関係から、縦効果や横効
果を利用したものが提案されている。このうち、横効果
を利用したものとしては、図6で示すような構成とされ
た圧電トランス(以下、第1従来例という)があり、こ
の圧電トランスは、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)な
どを用いて作製された矩形平板状の圧電セラミック素子
1を備え、かつ、その長手方向に沿う一方側(図では、
左側)の半部の主表面上には厚み方向に沿って対向する
入力用の1次側電極2が形成される一方、他方側(図で
は、右側)の半部の側面上には幅方向に沿って対向する
出力用の2次側電極3が形成されたものとなっている。
なお、圧電セラミック素子1における半部のそれぞれ
は、1次側及び2次側電極2,3を利用したうえで所要
方向に沿って分極処理されている。
【0003】そして、この際における圧電トランスは、
図7で示すような状態として実装されるのが一般的であ
り、圧電セラミック素子1の共振周波数と合致する電圧
を入力側のリード線4を通じて1次側電極2に対して印
加すると、圧電効果によって機械的な振動が発生し、か
つ、この機械的な振動に伴う圧電効果によって高電圧が
発生するので、発生した高電圧は2次側電極3から出力
側のリード線5を通じて取り出されることになる。な
お、図7中の符号6は実装基板、7は支持部材、8及び
9は実装基板6の表面上に形成された入力側及び出力側
のランドを示し、入力側のランド8に対しては入力側の
リード線4が半田付け接続される一方、出力側のランド
9に対しては出力側のリード線5が半田付け接続されて
いる。すなわち、この圧電トランスは、図7中の下側位
置に記載した破線でもって示す変位が最小となる振動の
節、いわゆるノード点10を2つ有しているので、その
支持にあたっては、圧電セラミック素子1の振動を妨げ
る恐れのないノード点10と対応した位置ごとをエポキ
シ樹脂などからなる所要断面形状の支持部材7でもって
支持することが行われている。
図7で示すような状態として実装されるのが一般的であ
り、圧電セラミック素子1の共振周波数と合致する電圧
を入力側のリード線4を通じて1次側電極2に対して印
加すると、圧電効果によって機械的な振動が発生し、か
つ、この機械的な振動に伴う圧電効果によって高電圧が
発生するので、発生した高電圧は2次側電極3から出力
側のリード線5を通じて取り出されることになる。な
お、図7中の符号6は実装基板、7は支持部材、8及び
9は実装基板6の表面上に形成された入力側及び出力側
のランドを示し、入力側のランド8に対しては入力側の
リード線4が半田付け接続される一方、出力側のランド
9に対しては出力側のリード線5が半田付け接続されて
いる。すなわち、この圧電トランスは、図7中の下側位
置に記載した破線でもって示す変位が最小となる振動の
節、いわゆるノード点10を2つ有しているので、その
支持にあたっては、圧電セラミック素子1の振動を妨げ
る恐れのないノード点10と対応した位置ごとをエポキ
シ樹脂などからなる所要断面形状の支持部材7でもって
支持することが行われている。
【0004】また、他の圧電トランス(以下、第2従来
例という)としては、図8で上面側の外観斜視図を示
し、かつ、図9で実装構造を示すようなものがあり、こ
の圧電トランスを構成する圧電セラミック素子1の長手
方向に沿う一方側及び他方側半部それぞれの主表面上に
は厚み方向に沿って対向する入力用の1次側電極2が形
成される一方、圧電セラミック素子1の一方側(図で
は、上側)の主表面上において1次側電極2同士間に挟
まれた位置には出力用の2次側電極3が形成されてい
る。そして、この圧電トランスにおいては、図9中の破
線で示すように、ノード点10が3つ存在しているの
で、これらのノード点10と対応した位置ごとをエポキ
シ樹脂などからなる支持部材7でもって支持することが
行われている。なお、図8及び図9において、図6及び
図7と互いに共通する部品、部分には同一符号を付して
いる。
例という)としては、図8で上面側の外観斜視図を示
し、かつ、図9で実装構造を示すようなものがあり、こ
の圧電トランスを構成する圧電セラミック素子1の長手
方向に沿う一方側及び他方側半部それぞれの主表面上に
は厚み方向に沿って対向する入力用の1次側電極2が形
成される一方、圧電セラミック素子1の一方側(図で
は、上側)の主表面上において1次側電極2同士間に挟
まれた位置には出力用の2次側電極3が形成されてい
る。そして、この圧電トランスにおいては、図9中の破
線で示すように、ノード点10が3つ存在しているの
で、これらのノード点10と対応した位置ごとをエポキ
シ樹脂などからなる支持部材7でもって支持することが
行われている。なお、図8及び図9において、図6及び
図7と互いに共通する部品、部分には同一符号を付して
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、圧電トラン
スは機械的な振動を利用することによって電圧の変換を
行うものであり、圧電セラミック素子1は機械的な振動
を繰り返すことになるため、圧電トランスの支持に際し
ては、ノード点10と対応した位置ごとを支持部材7で
もって支持することによって圧電セラミック素子1を実
装基板6の表面から離間させておくことが行われる。し
かしながら、このような構成を採用したのでは、圧電ト
ランスを実装基板6の表面上に対して直接的に実装する
ことができず、わざわざ支持部材7を用意したうえで取
り付けなければならないため、実装時に煩わしい手間を
要するというような不都合が生じてしまう。
スは機械的な振動を利用することによって電圧の変換を
行うものであり、圧電セラミック素子1は機械的な振動
を繰り返すことになるため、圧電トランスの支持に際し
ては、ノード点10と対応した位置ごとを支持部材7で
もって支持することによって圧電セラミック素子1を実
装基板6の表面から離間させておくことが行われる。し
かしながら、このような構成を採用したのでは、圧電ト
ランスを実装基板6の表面上に対して直接的に実装する
ことができず、わざわざ支持部材7を用意したうえで取
り付けなければならないため、実装時に煩わしい手間を
要するというような不都合が生じてしまう。
【0006】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、実装基板に対して直接的に実装す
ることが可能で、実装時に必要となる手間の削減を図る
ことができる圧電トランスの提供を目的としている。
されたものであって、実装基板に対して直接的に実装す
ることが可能で、実装時に必要となる手間の削減を図る
ことができる圧電トランスの提供を目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係る圧電トラン
スは、上記目的を達成すべく、圧電セラミック素子のノ
ード点と対応する位置ごとには実装基板側に向かって突
出する突起部を設けていることを特徴とするものであ
る。なお、この際における突起部は、圧電セラミック素
子と一体に形成されたものであってよい。また、突起部
のそれぞれに実装電極を形成しておいたうえ、各実装電
極を実装基板上の接続電極に対して半田付けすることも
可能である。
スは、上記目的を達成すべく、圧電セラミック素子のノ
ード点と対応する位置ごとには実装基板側に向かって突
出する突起部を設けていることを特徴とするものであ
る。なお、この際における突起部は、圧電セラミック素
子と一体に形成されたものであってよい。また、突起部
のそれぞれに実装電極を形成しておいたうえ、各実装電
極を実装基板上の接続電極に対して半田付けすることも
可能である。
【0008】
【作用】上記構成によれば、実装基板の表面に対しては
突起部が当接することになり、この突起部でもって圧電
トランスの支持が行われる結果、別部材である支持部材
を用いたうえでの支持を行う必要はなくなり、実装時に
要する手間を削減しうることになる。
突起部が当接することになり、この突起部でもって圧電
トランスの支持が行われる結果、別部材である支持部材
を用いたうえでの支持を行う必要はなくなり、実装時に
要する手間を削減しうることになる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【0010】第1実施例 図1は本発明の第1実施例に係る圧電トランスの構成を
示す外観斜視図、図2はその実装状態を簡略化して示す
実装構造図、図3は図2中の矢視A−Aで示す要部を拡
大して示す実装構造図であり、図1(a)は圧電トラン
スを上側から見た状態を示す上面側の外観斜視図である
一方、図1(b)は圧電トランスを下側から見た状態を
示す底面側の外観斜視図である。なお、これらの図1な
いし図3において、従来例を示す図6ないし図9と互い
に同一もしくは相当する部品、部分には同一符号を付
し、ここでの詳しい説明は省略する。
示す外観斜視図、図2はその実装状態を簡略化して示す
実装構造図、図3は図2中の矢視A−Aで示す要部を拡
大して示す実装構造図であり、図1(a)は圧電トラン
スを上側から見た状態を示す上面側の外観斜視図である
一方、図1(b)は圧電トランスを下側から見た状態を
示す底面側の外観斜視図である。なお、これらの図1な
いし図3において、従来例を示す図6ないし図9と互い
に同一もしくは相当する部品、部分には同一符号を付
し、ここでの詳しい説明は省略する。
【0011】この実施例に係る圧電トランスは第1従来
例と同様の単板横効果型といわれるものであり、PZT
などを用いて作製された矩形平板状の圧電セラミック素
子1を備え、かつ、この圧電セラミック素子1が2つの
ノード点10(図8参照)でもって支持される構成を有
するものとなっている。そして、圧電セラミック素子1
の一方側主表面、つまり、実装基板6側に位置する底面
上においてノード点10と対応する位置ごとには、実装
基板6側に向かって突出する矩形断面形状の突起部11
が一体として形成されており、これらの突起部11は圧
電セラミック素子1の幅方向に沿う状態として設けられ
ている。
例と同様の単板横効果型といわれるものであり、PZT
などを用いて作製された矩形平板状の圧電セラミック素
子1を備え、かつ、この圧電セラミック素子1が2つの
ノード点10(図8参照)でもって支持される構成を有
するものとなっている。そして、圧電セラミック素子1
の一方側主表面、つまり、実装基板6側に位置する底面
上においてノード点10と対応する位置ごとには、実装
基板6側に向かって突出する矩形断面形状の突起部11
が一体として形成されており、これらの突起部11は圧
電セラミック素子1の幅方向に沿う状態として設けられ
ている。
【0012】そこで、後述するように、これらの突起部
11が底面上に設けられた圧電セラミック素子1を備え
て構成された圧電トランスを実装基板6上に実装した場
合、実装基板6の表面に対しては突起部11が当接する
ことになり、圧電トランスは突起部11を介したうえで
実装基板6に対して直接的に実装されることになる。す
なわち、この実施例に係る圧電トランスでは、従来例の
ように、別部材としての支持部材7を設けたうえでの実
装を行う必要がなくなり、支持部材7を用意する必要も
ないことになる。なお、これら突起部11のそれぞれが
必ずしも圧電セラミック素子1と一体である必然性はな
く、例えば、別体として作製されたうえでの接着などに
よって取り付けられたものであってもよい。
11が底面上に設けられた圧電セラミック素子1を備え
て構成された圧電トランスを実装基板6上に実装した場
合、実装基板6の表面に対しては突起部11が当接する
ことになり、圧電トランスは突起部11を介したうえで
実装基板6に対して直接的に実装されることになる。す
なわち、この実施例に係る圧電トランスでは、従来例の
ように、別部材としての支持部材7を設けたうえでの実
装を行う必要がなくなり、支持部材7を用意する必要も
ないことになる。なお、これら突起部11のそれぞれが
必ずしも圧電セラミック素子1と一体である必然性はな
く、例えば、別体として作製されたうえでの接着などに
よって取り付けられたものであってもよい。
【0013】また、この圧電トランスを構成する圧電セ
ラミック素子1の長手方向に沿う一方側(図では、左
側)の半部の主表面上には厚み方向に沿って対向する入
力用の1次側電極2が形成される一方、他方側(図で
は、右側)の半部の側面上には幅方向に沿って対向する
出力用の2次側電極3が形成されており、さらに、突起
部11それぞれの端面上には実装電極12が導電ペース
トの焼き付けや蒸着などの手法によって形成されてい
る。そして、この際、圧電セラミック素子1の底面上に
おける1次側電極2は、図1(b)でも示しているよう
に、圧電セラミック素子1の手前側に位置する端面から
離間する状態として形成されたものとなっており、1次
側電極2及び2次側電極3の各々と実装電極12のそれ
ぞれとは互いに対応付けられたうえで接続されている。
ラミック素子1の長手方向に沿う一方側(図では、左
側)の半部の主表面上には厚み方向に沿って対向する入
力用の1次側電極2が形成される一方、他方側(図で
は、右側)の半部の側面上には幅方向に沿って対向する
出力用の2次側電極3が形成されており、さらに、突起
部11それぞれの端面上には実装電極12が導電ペース
トの焼き付けや蒸着などの手法によって形成されてい
る。そして、この際、圧電セラミック素子1の底面上に
おける1次側電極2は、図1(b)でも示しているよう
に、圧電セラミック素子1の手前側に位置する端面から
離間する状態として形成されたものとなっており、1次
側電極2及び2次側電極3の各々と実装電極12のそれ
ぞれとは互いに対応付けられたうえで接続されている。
【0014】すなわち、圧電セラミック素子1の上面上
に形成された1次側電極2は、図1(b)中の手前側に
形成された実装電極12、つまり、突起部11の端面の
みならず圧電セラミック素子1の側面にまでわたって形
成された長尺形状を有する実装電極12と対応付けられ
たうえで接続される一方、突起部11の側面をも含む圧
電セラミック素子1の底面上に形成された1次側電極2
は、図1(a)中の手前側に位置する突起部11の端面
上にのみ形成された実装電極13と対応付けられたうえ
で接続されている。また、圧電セラミック素子1の側面
上に形成された2次側電極3のそれぞれは、突起部11
の端面上に形成された実装電極12の各々に対して接続
されている。そこで、これらの1次側及び2次側電極
2,3と、実装電極12の各々とは、接続されることに
よって互いに導通していることになる。なお、この際に
おける圧電セラミック素子1は、従来例同様、1次側電
極2及び2次側電極3を利用することによって分極処理
済みとなっている。
に形成された1次側電極2は、図1(b)中の手前側に
形成された実装電極12、つまり、突起部11の端面の
みならず圧電セラミック素子1の側面にまでわたって形
成された長尺形状を有する実装電極12と対応付けられ
たうえで接続される一方、突起部11の側面をも含む圧
電セラミック素子1の底面上に形成された1次側電極2
は、図1(a)中の手前側に位置する突起部11の端面
上にのみ形成された実装電極13と対応付けられたうえ
で接続されている。また、圧電セラミック素子1の側面
上に形成された2次側電極3のそれぞれは、突起部11
の端面上に形成された実装電極12の各々に対して接続
されている。そこで、これらの1次側及び2次側電極
2,3と、実装電極12の各々とは、接続されることに
よって互いに導通していることになる。なお、この際に
おける圧電セラミック素子1は、従来例同様、1次側電
極2及び2次側電極3を利用することによって分極処理
済みとなっている。
【0015】さらに、この第1実施例に係る圧電トラン
スは図2及び図3で示すような状態として実装基板6上
に実装されることになり、圧電セラミック素子1の突起
部11に形成された実装電極12の各々は実装基板6の
表面上に形成された接続電極であるところの入力側及び
出力側のランド8,9に対して半田付けされたうえで各
別に接続されている。なお、図3中の符号13は、ラン
ド8,9及び実装電極12間を接続した半田を示してい
る。
スは図2及び図3で示すような状態として実装基板6上
に実装されることになり、圧電セラミック素子1の突起
部11に形成された実装電極12の各々は実装基板6の
表面上に形成された接続電極であるところの入力側及び
出力側のランド8,9に対して半田付けされたうえで各
別に接続されている。なお、図3中の符号13は、ラン
ド8,9及び実装電極12間を接続した半田を示してい
る。
【0016】そこで、このような実装構造とされた圧電
トランスにおいて、その圧電セラミック素子1の共振周
波数と合致する電圧を入力側のランド8及び実装電極1
2を通じて1次側電極2に対して印加すると、圧電効果
によって機械的な振動が発生し、かつ、この機械的な振
動に伴う圧電効果によって高電圧が発生することになる
結果、2次側電極3からは実装電極12及び出力側のラ
ンド9を通じたうえで高電圧が取り出されることにな
る。そして、この際の圧電セラミック素子1は機械的な
振動を繰り返しているが、圧電トランスはノード点10
と対応した位置ごとに設けられた圧電セラミック素子1
の突起部11を介したうえで実装基板6上に実装されて
おり、ノード点10以外の部分は実装基板6の表面から
離間した状態となっているから、圧電セラミック素子1
の振動が妨げられることは起こらないことになる。
トランスにおいて、その圧電セラミック素子1の共振周
波数と合致する電圧を入力側のランド8及び実装電極1
2を通じて1次側電極2に対して印加すると、圧電効果
によって機械的な振動が発生し、かつ、この機械的な振
動に伴う圧電効果によって高電圧が発生することになる
結果、2次側電極3からは実装電極12及び出力側のラ
ンド9を通じたうえで高電圧が取り出されることにな
る。そして、この際の圧電セラミック素子1は機械的な
振動を繰り返しているが、圧電トランスはノード点10
と対応した位置ごとに設けられた圧電セラミック素子1
の突起部11を介したうえで実装基板6上に実装されて
おり、ノード点10以外の部分は実装基板6の表面から
離間した状態となっているから、圧電セラミック素子1
の振動が妨げられることは起こらないことになる。
【0017】ところで、本実施例では、圧電セラミック
素子1の底面上においてノード点10と対応する位置ご
とに設けられた突起部11を介しての支持を行うととも
に、突起部11それぞれの端面上に実装電極12を形成
し、かつ、これら実装電極12を介したうえで1次側及
び2次側電極2,3とランド8,9との接続を行う実装
構造を採用しているが、このような実装構造に限定され
ることはない。すなわち、実装電極12を形成すること
なく、突起部11でもって支持された圧電セラミック素
子1の1次側及び2次側電極2,3と実装基板6上のラ
ンド8,9とを従来例同様のリード線4,5でもって接
続することも可能であり、このような構成とした場合に
も、別部材としての支持部材7を用いる必要がないよう
にするという本発明の本来的な目的は達成されたことに
なる。
素子1の底面上においてノード点10と対応する位置ご
とに設けられた突起部11を介しての支持を行うととも
に、突起部11それぞれの端面上に実装電極12を形成
し、かつ、これら実装電極12を介したうえで1次側及
び2次側電極2,3とランド8,9との接続を行う実装
構造を採用しているが、このような実装構造に限定され
ることはない。すなわち、実装電極12を形成すること
なく、突起部11でもって支持された圧電セラミック素
子1の1次側及び2次側電極2,3と実装基板6上のラ
ンド8,9とを従来例同様のリード線4,5でもって接
続することも可能であり、このような構成とした場合に
も、別部材としての支持部材7を用いる必要がないよう
にするという本発明の本来的な目的は達成されたことに
なる。
【0018】第2実施例 図4は本発明の第2実施例に係る圧電トランスの構成を
示す外観斜視図、図5はその実装状態を簡略化して示す
実装構造図であり、図4(a)は圧電トランスを上側か
ら見た状態を示す上面側の外観斜視図、また、図4
(b)は圧電トランスを下側から見た状態を示す底面側
の外観斜視図である。なお、図4及び図5において、第
1実施例を示す図1ないし図3と互いに同一もしくは相
当する部品、部分には同一符号を付し、ここでの詳しい
説明は省略する。
示す外観斜視図、図5はその実装状態を簡略化して示す
実装構造図であり、図4(a)は圧電トランスを上側か
ら見た状態を示す上面側の外観斜視図、また、図4
(b)は圧電トランスを下側から見た状態を示す底面側
の外観斜視図である。なお、図4及び図5において、第
1実施例を示す図1ないし図3と互いに同一もしくは相
当する部品、部分には同一符号を付し、ここでの詳しい
説明は省略する。
【0019】この第2実施例に係る圧電トランスは第2
従来例と同様の単板3次ローゼン型といわれるものであ
り、これを構成する圧電セラミック素子1の一方側主表
面、つまり、実装基板6側に位置する底面上においてノ
ード点10(図10参照)と対応する位置ごとには、実
装基板6側に向かって突出する矩形断面形状の突起部1
1が一体として形成されており、これらの突起部11は
圧電セラミック素子1の幅方向に沿う状態として設けら
れている。なお、この際における突起部11の各々は、
圧電セラミック素子1とは別体として作製されたうえで
取り付けられたものであってもよい。
従来例と同様の単板3次ローゼン型といわれるものであ
り、これを構成する圧電セラミック素子1の一方側主表
面、つまり、実装基板6側に位置する底面上においてノ
ード点10(図10参照)と対応する位置ごとには、実
装基板6側に向かって突出する矩形断面形状の突起部1
1が一体として形成されており、これらの突起部11は
圧電セラミック素子1の幅方向に沿う状態として設けら
れている。なお、この際における突起部11の各々は、
圧電セラミック素子1とは別体として作製されたうえで
取り付けられたものであってもよい。
【0020】そこで、後述するように、これらの突起部
11が底面上に設けられた圧電セラミック素子1を備え
て構成された圧電トランスを実装基板6上に実装した場
合、実装基板6の表面に対しては突起部11が当接し、
圧電トランスは突起部11を介したうえで実装基板6に
対して直接的に実装されることになる。すなわち、この
実施例においても、別部材としての支持部材7を設けた
うえでの実装を行う必要はなくなる。さらに、この圧電
トランスを構成する圧電セラミック素子1の長手方向に
沿う一方側及び他方側半部それぞれの主表面上には厚み
方向に沿って対向する入力用の1次側電極2が形成され
る一方、圧電セラミック素子1の底面中央に位置する突
起部11の実装基板6側表面上には出力用の2次側電極
3が形成されており、また、突起部11それぞれの端面
上には実装電極12が形成されている。
11が底面上に設けられた圧電セラミック素子1を備え
て構成された圧電トランスを実装基板6上に実装した場
合、実装基板6の表面に対しては突起部11が当接し、
圧電トランスは突起部11を介したうえで実装基板6に
対して直接的に実装されることになる。すなわち、この
実施例においても、別部材としての支持部材7を設けた
うえでの実装を行う必要はなくなる。さらに、この圧電
トランスを構成する圧電セラミック素子1の長手方向に
沿う一方側及び他方側半部それぞれの主表面上には厚み
方向に沿って対向する入力用の1次側電極2が形成され
る一方、圧電セラミック素子1の底面中央に位置する突
起部11の実装基板6側表面上には出力用の2次側電極
3が形成されており、また、突起部11それぞれの端面
上には実装電極12が形成されている。
【0021】そして、この際、圧電セラミック素子1の
底面上における1次側電極2のそれぞれは、第1実施例
同様、図4(b)でも示しているように、圧電セラミッ
ク素子1の手前側に位置する端面から離間する状態とし
て形成されたうえ、図4(a)中の手前側に位置する突
起部11の端面上にのみ形成された実装電極12の各々
に対して接続されている。また、圧電セラミック素子1
の上面上に形成された1次側電極2のそれぞれは、図4
(b)中の手前側に形成された実装電極12、つまり、
突起部11の端面のみならず圧電セラミック素子1の側
面にまでわたって形成された長尺形状を有する実装電極
12の各々と対応付けられたうえで接続される一方、2
次側電極3はこれが形成された突起部11の端面上に形
成された実装電極12と接続されている。
底面上における1次側電極2のそれぞれは、第1実施例
同様、図4(b)でも示しているように、圧電セラミッ
ク素子1の手前側に位置する端面から離間する状態とし
て形成されたうえ、図4(a)中の手前側に位置する突
起部11の端面上にのみ形成された実装電極12の各々
に対して接続されている。また、圧電セラミック素子1
の上面上に形成された1次側電極2のそれぞれは、図4
(b)中の手前側に形成された実装電極12、つまり、
突起部11の端面のみならず圧電セラミック素子1の側
面にまでわたって形成された長尺形状を有する実装電極
12の各々と対応付けられたうえで接続される一方、2
次側電極3はこれが形成された突起部11の端面上に形
成された実装電極12と接続されている。
【0022】さらに、この第2実施例に係る圧電トラン
スは図5で示すような状態として実装基板6上に実装さ
れることになり、圧電セラミック素子1の突起部11に
形成された実装電極12の各々は実装基板6の表面上に
形成された接続電極であるところの入力側及び出力側の
ランド8,9に対して半田付けされる。その結果、本実
施例に係る圧電トランスはノード点10と対応した位置
ごとに設けられた圧電セラミック素子1の突起部11を
介したうえで実装基板6上に実装されており、この際に
おいては、ノード点10以外の部分が実装基板6の表面
から離間した状態となっているから、圧電セラミック素
子1の振動が妨げられる恐れは生じないことになる。そ
して、第1実施例の場合と同じく、この第2実施例に係
る圧電トランスにおいても、突起部11それぞれの端面
上に実装電極12を形成することなく、突起部11を介
したうえで実装基板6上に実装された圧電セラミック素
子1の1次側及び2次側電極2,3とランド8,9との
間をリード線4,5でもって接続することが可能であ
る。
スは図5で示すような状態として実装基板6上に実装さ
れることになり、圧電セラミック素子1の突起部11に
形成された実装電極12の各々は実装基板6の表面上に
形成された接続電極であるところの入力側及び出力側の
ランド8,9に対して半田付けされる。その結果、本実
施例に係る圧電トランスはノード点10と対応した位置
ごとに設けられた圧電セラミック素子1の突起部11を
介したうえで実装基板6上に実装されており、この際に
おいては、ノード点10以外の部分が実装基板6の表面
から離間した状態となっているから、圧電セラミック素
子1の振動が妨げられる恐れは生じないことになる。そ
して、第1実施例の場合と同じく、この第2実施例に係
る圧電トランスにおいても、突起部11それぞれの端面
上に実装電極12を形成することなく、突起部11を介
したうえで実装基板6上に実装された圧電セラミック素
子1の1次側及び2次側電極2,3とランド8,9との
間をリード線4,5でもって接続することが可能であ
る。
【0023】ところで、本発明の適用範囲が第1実施例
や第2実施例に係る圧電トランスのみに限定されること
はなく、例えば、周知のローゼン型や、これを積層した
ものなどに対しても適用可能であることは勿論である。
また、図示省略しているが、必要に応じて外周囲が絶縁
層でもって覆われた圧電トランスを構成することも行わ
れており、この圧電トランスの絶縁層に対して突起部を
接着などの手立てによって設けることも可能であるか
ら、このような圧電トランスも本発明の適用範囲内に含
まれることになる。
や第2実施例に係る圧電トランスのみに限定されること
はなく、例えば、周知のローゼン型や、これを積層した
ものなどに対しても適用可能であることは勿論である。
また、図示省略しているが、必要に応じて外周囲が絶縁
層でもって覆われた圧電トランスを構成することも行わ
れており、この圧電トランスの絶縁層に対して突起部を
接着などの手立てによって設けることも可能であるか
ら、このような圧電トランスも本発明の適用範囲内に含
まれることになる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る圧電
トランスにおいては、圧電セラミック素子のノード点と
対応する位置ごとに突起部を設けており、これらの突起
部を介したうえでの直接的な実装が行える結果、従来例
のような別部材である支持部材を用いたうえでの実装を
行う必要がなくなり、実装時に要する手間の削減を図る
ことができる。また、突起部に実装電極を形成しておい
た場合には、従来例のようなリード線による接続を行う
必要がなくなるという効果も得られる。
トランスにおいては、圧電セラミック素子のノード点と
対応する位置ごとに突起部を設けており、これらの突起
部を介したうえでの直接的な実装が行える結果、従来例
のような別部材である支持部材を用いたうえでの実装を
行う必要がなくなり、実装時に要する手間の削減を図る
ことができる。また、突起部に実装電極を形成しておい
た場合には、従来例のようなリード線による接続を行う
必要がなくなるという効果も得られる。
【図1】第1実施例に係る圧電トランスの構成を示す外
観斜視図である。
観斜視図である。
【図2】その実装状態を簡略化して示す実装構造図であ
る。
る。
【図3】図2中の矢視A−Aで示す要部を拡大して示す
実装構造図である。
実装構造図である。
【図4】第2実施例に係る圧電トランスの構成を示す外
観斜視図である。
観斜視図である。
【図5】その実装状態を簡略化して示す実装構造図であ
る。
る。
【図6】第1従来例に係る圧電トランスの構成を示す外
観斜視図である。
観斜視図である。
【図7】その実装状態を簡略化して示す実装構造図であ
る。
る。
【図8】第2従来例に係る圧電トランスの構成を示す外
観斜視図である。
観斜視図である。
【図9】その実装状態を簡略化して示す実装構造図であ
る。
る。
1 圧電セラミック素子 6 実装基板 8 ランド(接続電極) 9 ランド(接続電極) 10 ノード点 11 突起部 12 実装電極
Claims (3)
- 【請求項1】 圧電セラミック素子のノード点と対応す
る位置ごとに実装基板側に向かって突出する突起部を設
けていることを特徴とする圧電トランス。 - 【請求項2】 突起部は圧電セラミック素子と一体に形
成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の
圧電トランス。 - 【請求項3】 突起部のそれぞれには実装電極を形成し
ており、実装電極は実装基板上に配設された接続電極に
対して接続されるものであることを特徴とする請求項1
または請求項2に記載の圧電トランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7117277A JPH08316543A (ja) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | 圧電トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7117277A JPH08316543A (ja) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | 圧電トランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316543A true JPH08316543A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14707776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7117277A Pending JPH08316543A (ja) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | 圧電トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316543A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999065089A1 (fr) * | 1998-06-05 | 1999-12-16 | Tokin Corporation | Structure et procede de montage d'un transformateur piezo-electrique |
| WO2007112736A3 (de) * | 2006-04-05 | 2007-11-22 | Epcos Ag | Elektrisches bauelement |
| JP2010148768A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 超音波プローブの圧電振動子、超音波プローブ、超音波診断装置及び超音波プローブにおける圧電振動子の製造方法 |
-
1995
- 1995-05-16 JP JP7117277A patent/JPH08316543A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999065089A1 (fr) * | 1998-06-05 | 1999-12-16 | Tokin Corporation | Structure et procede de montage d'un transformateur piezo-electrique |
| US6515405B1 (en) | 1998-06-05 | 2003-02-04 | Tokin Corporation | Mounting structure of piezoelectric transformer and method of mounting piezoelectric transformer |
| WO2007112736A3 (de) * | 2006-04-05 | 2007-11-22 | Epcos Ag | Elektrisches bauelement |
| JP2010148768A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 超音波プローブの圧電振動子、超音波プローブ、超音波診断装置及び超音波プローブにおける圧電振動子の製造方法 |
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