JPH0831725B2 - 導波管とマイクロストリップと間の変換装置 - Google Patents
導波管とマイクロストリップと間の変換装置Info
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- JPH0831725B2 JPH0831725B2 JP2081489A JP8148990A JPH0831725B2 JP H0831725 B2 JPH0831725 B2 JP H0831725B2 JP 2081489 A JP2081489 A JP 2081489A JP 8148990 A JP8148990 A JP 8148990A JP H0831725 B2 JPH0831725 B2 JP H0831725B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
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- Waveguide Aerials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、マイクロストリップが導波路と容量的に結
合しているの導波管−マイクロストリップ変換部に関
し、特に基板の一方の側に形成されたＴ型導電パターン
によって、所定の幅と高さの比を有するリデュースト・
ハイト（reduced−height,低減された高さを有する）型
導波路−マイクロストリップ変換部に係る。
合しているの導波管−マイクロストリップ変換部に関
し、特に基板の一方の側に形成されたＴ型導電パターン
によって、所定の幅と高さの比を有するリデュースト・
ハイト（reduced−height,低減された高さを有する）型
導波路−マイクロストリップ変換部に係る。
［従来の技術］ 従来、標準的な導波路−マイクロストリップ変換部と
しては、例えば1970年６月30日発行のM.Hoffmanによる
米国特許3,518,579号、1977年10月４日発行のJ.H.C.van
Heuven他による米国特許4,052,683号、1984年６月５日
発行のE.R.Murphyによる米国特許4,453,14号、及び1979
年７月発行の「Cmmunications International」第６
巻、第７巻22,25及び26頁のE.Smith他の論文に示される
ものが開発されている。しかし、これら変換部の全て
は、フルサイズの高さの導波路を同軸線路端子のマイク
ロストリップへ接続するために用いられるものである。
多くの導波路ホーンが一緒に束ねられたフエーズドアレ
ーシステムのような用途では、寸法縮小、重量軽減のた
めに、一般に低減された高さの導波路が選択される。ア
レーの中の低減高さ導波路の使用例は、例えば1987年８
月27日発行M.J.Gans他の米国特許4,689,631号に開示さ
れているが、そこでは、空間増幅器がアンテナの開口部
に配置されている。その空間増幅器の構成は、フルサイ
ズの導波路の入力及び出力の導波路セクションから、マ
イクロストリップ増幅器の分離部分が伸びている低減高
さ導波路セクションへ向かって、インピーダンス整合構
成を経て、縮小されてゆく導波路アレーを含んいる。
しては、例えば1970年６月30日発行のM.Hoffmanによる
米国特許3,518,579号、1977年10月４日発行のJ.H.C.van
Heuven他による米国特許4,052,683号、1984年６月５日
発行のE.R.Murphyによる米国特許4,453,14号、及び1979
年７月発行の「Cmmunications International」第６
巻、第７巻22,25及び26頁のE.Smith他の論文に示される
ものが開発されている。しかし、これら変換部の全て
は、フルサイズの高さの導波路を同軸線路端子のマイク
ロストリップへ接続するために用いられるものである。
多くの導波路ホーンが一緒に束ねられたフエーズドアレ
ーシステムのような用途では、寸法縮小、重量軽減のた
めに、一般に低減された高さの導波路が選択される。ア
レーの中の低減高さ導波路の使用例は、例えば1987年８
月27日発行M.J.Gans他の米国特許4,689,631号に開示さ
れているが、そこでは、空間増幅器がアンテナの開口部
に配置されている。その空間増幅器の構成は、フルサイ
ズの導波路の入力及び出力の導波路セクションから、マ
イクロストリップ増幅器の分離部分が伸びている低減高
さ導波路セクションへ向かって、インピーダンス整合構
成を経て、縮小されてゆく導波路アレーを含んいる。
マイクロストリップ−低減高さ導波路変換部が有する
問題は、その変換部が、それによって遮られ又は伝送さ
れるべき信号の約1/4の波長に等しい距離だけ低減高さ
導波路セクション内に広がっていなければならない点で
ある。1/4の波長の距離は、標準のフルサイズの導波路
については可能であるが、低減高さ導波路では、導波路
の相対する広幅の壁の間の非常に狭いスペースにその様
な距離を確保することは困難である。その結果、もし、
フルサイズの導波管に通常用いられる既知の変換部を、
低減高さ導波路のそのような間隔の狭い対抗壁の１つを
通って延設した場合、そのような変換部はその低減高さ
導波路の対抗壁によってショート（be shorted out）し
てしまう。
問題は、その変換部が、それによって遮られ又は伝送さ
れるべき信号の約1/4の波長に等しい距離だけ低減高さ
導波路セクション内に広がっていなければならない点で
ある。1/4の波長の距離は、標準のフルサイズの導波路
については可能であるが、低減高さ導波路では、導波路
の相対する広幅の壁の間の非常に狭いスペースにその様
な距離を確保することは困難である。その結果、もし、
フルサイズの導波管に通常用いられる既知の変換部を、
低減高さ導波路のそのような間隔の狭い対抗壁の１つを
通って延設した場合、そのような変換部はその低減高さ
導波路の対抗壁によってショート（be shorted out）し
てしまう。
従って、従来技術に残された問題は、ショートするこ
となく、必要な1/4波長の距離を有し、低減高さ導波路
セクションの壁の１つを通って、狭いスペースに挿入可
能であり、それによってマイクロストリップと低減高さ
導波路セクション間の信号の効果的な転送を可能にする
マイクロストリップ−低減高さ導波変換部を提供するこ
とである。
となく、必要な1/4波長の距離を有し、低減高さ導波路
セクションの壁の１つを通って、狭いスペースに挿入可
能であり、それによってマイクロストリップと低減高さ
導波路セクション間の信号の効果的な転送を可能にする
マイクロストリップ−低減高さ導波変換部を提供するこ
とである。
［発明の概要］ 前述した従来技術の問題は、マイクロストリップの主
要面上にＴ型導電パターンを配置したマイクロストリッ
プ−低減高さ導波路変換部に関する本発明に従うことに
よって解決される。Ｔ型パターンは、“T"の縦部と腕部
の両方に沿って測れば、そのパターンが低減高さ導波路
の壁の開口部を通って伸ばされても、低減高さ導波路セ
クションの壁によって短縮されることなく、約1/4波長
の距離を確保できる。更に、そのような変換部は、マイ
クロストリップ基板上に２個のＴ型変換部をカスケード
の形にした低減高さ導波路−マイクロストリップ−導波
路変換部として用いることもできる。
要面上にＴ型導電パターンを配置したマイクロストリッ
プ−低減高さ導波路変換部に関する本発明に従うことに
よって解決される。Ｔ型パターンは、“T"の縦部と腕部
の両方に沿って測れば、そのパターンが低減高さ導波路
の壁の開口部を通って伸ばされても、低減高さ導波路セ
クションの壁によって短縮されることなく、約1/4波長
の距離を確保できる。更に、そのような変換部は、マイ
クロストリップ基板上に２個のＴ型変換部をカスケード
の形にした低減高さ導波路−マイクロストリップ−導波
路変換部として用いることもできる。
本発明のその他の特徴は以下の説明と添付図面を参照
することによって明らかになろう。
することによって明らかになろう。
［実施例の説明］ 第１図及び第２図は、基板11の第１の主表面上に形成
された2Wの幅を持つ導電性Ｔ型アンテナ変換部パターン
12で終端する導電性マイクロストリップ線路10の構造を
示す正面図及び側面図である。基板11は適当な材料、例
えばアルミナで作ることができる。そのＴ型変換部12
は、負荷14で終端するマイクロストリップ伝送線路10
を、幅“a"と高さ“b"からなる低減高さ導波路セクショ
ン15へ接続させるために用いられる。典型的な目的のみ
に対しては、マイクロストリップ線路10は0.062インチ
（1.57mm）の幅を持つが、他の適当な線路幅が用いられ
ることもありうる。また、導電性接地面13が基板11の第
１主要面の反対側の第２主要面に形成されているが、こ
の接地面13はＴ型変換部12の背面に相当する領域には広
がっていない。第１図、第２図に示されるように、基板
11は、Ｔ型変換部12の脚を形成する中央導体が導波路15
の中に所定距離“h"だけ入るように、低減高さ導波路セ
クション15の壁の開口部16を通って挿入されている。
された2Wの幅を持つ導電性Ｔ型アンテナ変換部パターン
12で終端する導電性マイクロストリップ線路10の構造を
示す正面図及び側面図である。基板11は適当な材料、例
えばアルミナで作ることができる。そのＴ型変換部12
は、負荷14で終端するマイクロストリップ伝送線路10
を、幅“a"と高さ“b"からなる低減高さ導波路セクショ
ン15へ接続させるために用いられる。典型的な目的のみ
に対しては、マイクロストリップ線路10は0.062インチ
（1.57mm）の幅を持つが、他の適当な線路幅が用いられ
ることもありうる。また、導電性接地面13が基板11の第
１主要面の反対側の第２主要面に形成されているが、こ
の接地面13はＴ型変換部12の背面に相当する領域には広
がっていない。第１図、第２図に示されるように、基板
11は、Ｔ型変換部12の脚を形成する中央導体が導波路15
の中に所定距離“h"だけ入るように、低減高さ導波路セ
クション15の壁の開口部16を通って挿入されている。
第２図の側面図に示すように、基板11は低減高さ導波
路セクション15の開口部16を通って配置され、接地面13
は何等かの適当な方法、例えば接触により導波路セクシ
ョン15の壁に接続される。一方、Ｔ型変換部12を構成す
るマイクロストリップ線路10は導波路セクション15の壁
と接触することなく導波路セクション15の開口部16を通
って延設されている。接地面13は導波路セクション15内
に配置されたＴ型変換部12の背面領域とはオーバーラッ
プしていない。その結果、Ｔ型変換部12に向かって伝搬
する電磁信号又はＴ型変換部12から放射する電磁信号18
は基板11を通過することができる。更に、本発明のよう
に、導波管の高さが低減されていても、接地された導電
層は導波管内に入り込んでいない為、電磁信号が伝搬す
るに十分な空間領域を確保できる。可動短絡器17は、こ
の分野で周知のように、アンテナ12のリアクタンスを調
整し且つ反射を避けるためＴ型アンテナ変換部の後方
“l"の距離に配置される。
路セクション15の開口部16を通って配置され、接地面13
は何等かの適当な方法、例えば接触により導波路セクシ
ョン15の壁に接続される。一方、Ｔ型変換部12を構成す
るマイクロストリップ線路10は導波路セクション15の壁
と接触することなく導波路セクション15の開口部16を通
って延設されている。接地面13は導波路セクション15内
に配置されたＴ型変換部12の背面領域とはオーバーラッ
プしていない。その結果、Ｔ型変換部12に向かって伝搬
する電磁信号又はＴ型変換部12から放射する電磁信号18
は基板11を通過することができる。更に、本発明のよう
に、導波管の高さが低減されていても、接地された導電
層は導波管内に入り込んでいない為、電磁信号が伝搬す
るに十分な空間領域を確保できる。可動短絡器17は、こ
の分野で周知のように、アンテナ12のリアクタンスを調
整し且つ反射を避けるためＴ型アンテナ変換部の後方
“l"の距離に配置される。
放射抵抗は、もし、それがアンテナの代わり挿入され
たならば、アンテナにより放射されるパワーと同量を消
費するであろう電気抵抗として通信用語辞典に定義され
ている。すなわちアンテナよって放射されるパワーの、
特定点でのアンテナ電流の実効値の２乗に対する比とし
て定義されている。所定の波長に対する導波路内の開放
端プローブ（probe）・アンテナの放射抵抗は、自由空
間インピーダンス、個々のTEモード（例えばTE10モー
ド）の伝搬定数、自由空間の伝搬定数、バックショート
距離“l"、及び導波路の幅“a"及び高さ“b"によって変
わる。第６図は標準のWR−229低減高さ導波路セクショ
ン15内に配置された第１の第２のＴ型アンテナ変換部12
の放射抵抗の周波数に対する典型的な値のグラフを示し
ている。
たならば、アンテナにより放射されるパワーと同量を消
費するであろう電気抵抗として通信用語辞典に定義され
ている。すなわちアンテナよって放射されるパワーの、
特定点でのアンテナ電流の実効値の２乗に対する比とし
て定義されている。所定の波長に対する導波路内の開放
端プローブ（probe）・アンテナの放射抵抗は、自由空
間インピーダンス、個々のTEモード（例えばTE10モー
ド）の伝搬定数、自由空間の伝搬定数、バックショート
距離“l"、及び導波路の幅“a"及び高さ“b"によって変
わる。第６図は標準のWR−229低減高さ導波路セクショ
ン15内に配置された第１の第２のＴ型アンテナ変換部12
の放射抵抗の周波数に対する典型的な値のグラフを示し
ている。
幅ａ＝2.29インチ（58.2mm）、高さｂ＝0.200インチ
（5.1mm）のWR−229低減高さ導波路セクション15内に配
置された半幅Ｗ＝0.500インチ（12.7mm）、高さｈ＝0.1
50インチ（3.8mm）の典型的な第１のＴ型アンテナ変換
部に対して、各周波数に対する放射抵抗の典型的な値は
第６図の”丸”印で示されている。第１のＴ型アンテナ
変換部の放射抵抗は、4.0GHzに於いて43.5オームであ
る。第６図は又、WR−229低減高さ導波路セクション15
内に配置された半幅Ｗ＝0.700インチ（17.8mm）、高さ
ｈ＝0.150インチ（3.8mm）の第２のＴ型アンテナ変換部
12に対する放射抵抗の典型的な値を示しているが、それ
は各周波数について“X"印で示されている。第２のＴ型
アンテナ変換部の放射抵抗は、4.0GHzに於いて50オーム
である。即ち、Ｔ型アンテナ変換部の半幅（Ｗ）が、第
１のＴ型変換部における0.500インチ（12.7mm）から、
第２のＴ型変換部における0.700インチ（17.8mm）に増
すことによって、放射抵抗は43.5オームから50オームに
増加したことがわかる。放射抵抗のそのような変化は、
Ｔ型変換部の幅（2W）対高さ（ｈ）の関係に交換条件
（トレードオフ）があり、短いＴ型変換部は、その幅が
増したように働き得ることを示している。加えて、Ｔ型
変換部12の幅と高さを調整することにより、マイクロス
トリップ線路10と、低減高さ導波路15の間の優れた変換
部の設計が可能であることが理解できる。比較のため
に、WR229低減高さ導波路の導波路インピーダンスは4GH
zにおいて69オームに等しいことが確認されており、こ
れは上記第２のＴ型変換部の放射抵抗とほぼ同等の値で
ある。
（5.1mm）のWR−229低減高さ導波路セクション15内に配
置された半幅Ｗ＝0.500インチ（12.7mm）、高さｈ＝0.1
50インチ（3.8mm）の典型的な第１のＴ型アンテナ変換
部に対して、各周波数に対する放射抵抗の典型的な値は
第６図の”丸”印で示されている。第１のＴ型アンテナ
変換部の放射抵抗は、4.0GHzに於いて43.5オームであ
る。第６図は又、WR−229低減高さ導波路セクション15
内に配置された半幅Ｗ＝0.700インチ（17.8mm）、高さ
ｈ＝0.150インチ（3.8mm）の第２のＴ型アンテナ変換部
12に対する放射抵抗の典型的な値を示しているが、それ
は各周波数について“X"印で示されている。第２のＴ型
アンテナ変換部の放射抵抗は、4.0GHzに於いて50オーム
である。即ち、Ｔ型アンテナ変換部の半幅（Ｗ）が、第
１のＴ型変換部における0.500インチ（12.7mm）から、
第２のＴ型変換部における0.700インチ（17.8mm）に増
すことによって、放射抵抗は43.5オームから50オームに
増加したことがわかる。放射抵抗のそのような変化は、
Ｔ型変換部の幅（2W）対高さ（ｈ）の関係に交換条件
（トレードオフ）があり、短いＴ型変換部は、その幅が
増したように働き得ることを示している。加えて、Ｔ型
変換部12の幅と高さを調整することにより、マイクロス
トリップ線路10と、低減高さ導波路15の間の優れた変換
部の設計が可能であることが理解できる。比較のため
に、WR229低減高さ導波路の導波路インピーダンスは4GH
zにおいて69オームに等しいことが確認されており、こ
れは上記第２のＴ型変換部の放射抵抗とほぼ同等の値で
ある。
本発明のＴ型アンテナ変換部は又、第１図のＴ型変換
部２個を、第３図に示す方法でカスケードにし、導波路
−マイクロストリップ−導波路変換部を提供するのに用
いることができる。更に詳細には、第３図の正面図で、
第１のＴ型アンテナ変換部12aは、基板11の上でマイク
ロストリップ線路10を介して第２のＴ型アンテナ変換部
12bへ直接接続される。この型の変換部は、例えば低減
高さ導波路の入力ポートと出力ポートにハイブリッド及
びモノシリック高速集積回路を接続するために用いるこ
とができる。そのような使用において、第１のＴ型変換
部12aは第１の導波路セクションへの、又は第１の導波
路セクションからのマイクロウェーブのエネルギーを結
合し、第２のＴ型変換部12bは第２の導波路セクション
からの、又は第２の導波路セクションへのマイクロウェ
ーブのエネルギーとを結合する。その様な導波路−マイ
クロストリップ−導波路変換部の背面は第４図に示さ
れ、基板11上に典型的な金属化された背面13が配置され
ている。前述のごとく、基板11のいずれかの側から変換
部に衝突する電磁波を通過させるために、背面の金属化
部分はＴ型アンテナ変換部12a及び12bのに対する区域を
除いて設けられている。
部２個を、第３図に示す方法でカスケードにし、導波路
−マイクロストリップ−導波路変換部を提供するのに用
いることができる。更に詳細には、第３図の正面図で、
第１のＴ型アンテナ変換部12aは、基板11の上でマイク
ロストリップ線路10を介して第２のＴ型アンテナ変換部
12bへ直接接続される。この型の変換部は、例えば低減
高さ導波路の入力ポートと出力ポートにハイブリッド及
びモノシリック高速集積回路を接続するために用いるこ
とができる。そのような使用において、第１のＴ型変換
部12aは第１の導波路セクションへの、又は第１の導波
路セクションからのマイクロウェーブのエネルギーを結
合し、第２のＴ型変換部12bは第２の導波路セクション
からの、又は第２の導波路セクションへのマイクロウェ
ーブのエネルギーとを結合する。その様な導波路−マイ
クロストリップ−導波路変換部の背面は第４図に示さ
れ、基板11上に典型的な金属化された背面13が配置され
ている。前述のごとく、基板11のいずれかの側から変換
部に衝突する電磁波を通過させるために、背面の金属化
部分はＴ型アンテナ変換部12a及び12bのに対する区域を
除いて設けられている。
第５図は、２つの導波路セクション21と22の間に配置
された第３図の型の広帯域導波路−マイクロストリップ
−導波路変換部20の断面図を示している。各導波路セク
ション21と22は、例えば適切なインピーダンス整合を与
えるため、夫々の入力ポートから変換部20まで所定の段
階状に高さが減少している。第５図で、導波路21は、変
換部20の領域にある例えばWR−229低減高さ導波路セク
ションへ向かって減少し、その結果、変換部20に向かっ
て伝搬する電磁信号はＴ型アンテナ変換部12aによって
遮られる。Ｔ型変換部12aの領域を経て基板11の裏側に
通過した信号は、リアクタンスを調整し、変換部12aへ
の信号反射を避けるため、バックショート17aによって
遮られる。同じ構成が導波路22とＴ型アンテナ変換部12
bについて設けられている。従って、導波路21の入力ポ
ートからの伝搬信号は、Ｔ型アンテナ変換部12aによっ
て遮られ、マイクロストリップ線路10を経てＴ型アンテ
ナ変換部12bに送られ、導波路22へ発射され、その入力
ポートへ向かって伝搬される。導波路22の入力ポートに
入る信号も、同じように、導波路−マイクロストリップ
−導波路変換部20を経て導波路21の入力ポートに伝搬さ
れる。
された第３図の型の広帯域導波路−マイクロストリップ
−導波路変換部20の断面図を示している。各導波路セク
ション21と22は、例えば適切なインピーダンス整合を与
えるため、夫々の入力ポートから変換部20まで所定の段
階状に高さが減少している。第５図で、導波路21は、変
換部20の領域にある例えばWR−229低減高さ導波路セク
ションへ向かって減少し、その結果、変換部20に向かっ
て伝搬する電磁信号はＴ型アンテナ変換部12aによって
遮られる。Ｔ型変換部12aの領域を経て基板11の裏側に
通過した信号は、リアクタンスを調整し、変換部12aへ
の信号反射を避けるため、バックショート17aによって
遮られる。同じ構成が導波路22とＴ型アンテナ変換部12
bについて設けられている。従って、導波路21の入力ポ
ートからの伝搬信号は、Ｔ型アンテナ変換部12aによっ
て遮られ、マイクロストリップ線路10を経てＴ型アンテ
ナ変換部12bに送られ、導波路22へ発射され、その入力
ポートへ向かって伝搬される。導波路22の入力ポートに
入る信号も、同じように、導波路−マイクロストリップ
−導波路変換部20を経て導波路21の入力ポートに伝搬さ
れる。
第５図の構成につき注目すべき点は、導波路−マイク
ロストリップ−導波路変換部が基板11の導波路21の入力
ポートに面した片面上に配置されていることである。第
３図の構成で注目すべき点は、上部変換部12aは2Waの幅
を持ち、下部変換部12bは2Wbの幅を持つことである。
ロストリップ−導波路変換部が基板11の導波路21の入力
ポートに面した片面上に配置されていることである。第
３図の構成で注目すべき点は、上部変換部12aは2Waの幅
を持ち、下部変換部12bは2Wbの幅を持つことである。
第３図の変換部が第５図の構成に用いられるときは、
可動短絡器17a、17bの位置の差を補償するため、変換部
12aの幅は変換部12bの幅より広くされる。更に詳細に
は、Ｔ型変換部12aは関連する可動短絡器17aに対して基
板11の反対側に配置され、一方、Ｔ型変換部12bはそれ
に関連する可動短絡器17bに面して配置されている。
可動短絡器17a、17bの位置の差を補償するため、変換部
12aの幅は変換部12bの幅より広くされる。更に詳細に
は、Ｔ型変換部12aは関連する可動短絡器17aに対して基
板11の反対側に配置され、一方、Ｔ型変換部12bはそれ
に関連する可動短絡器17bに面して配置されている。
第１図は、方形の低減高さ導波路の内部に配置された本
発明に従うマイクロストリップの主要面に配置されたＴ
型変換部の典型的構造の正面図； 第２図は、第１図の典型的構造の側面図； 第３図は、本発明に従う導波路−マイクロストリップ−
導波路変換部のための典型的マイクロストリップ金属化
基板の正面図； 第４図は、第３図の典型的変換部のための典型的マイク
ロストリップ接地面金属化基板の背面図； 第５図は、２つの低減高さ導波路セクションの間に配置
された第３の導波路−マイクロストリップ−導波路変換
部の側面図； 第６図は、変換部が特定寸法の低減高さ導波路の内部に
配置されたときの、第１図の特定寸法のＴ型変換部につ
いての放射抵抗対周波数のグラフである。
発明に従うマイクロストリップの主要面に配置されたＴ
型変換部の典型的構造の正面図； 第２図は、第１図の典型的構造の側面図； 第３図は、本発明に従う導波路−マイクロストリップ−
導波路変換部のための典型的マイクロストリップ金属化
基板の正面図； 第４図は、第３図の典型的変換部のための典型的マイク
ロストリップ接地面金属化基板の背面図； 第５図は、２つの低減高さ導波路セクションの間に配置
された第３の導波路−マイクロストリップ−導波路変換
部の側面図； 第６図は、変換部が特定寸法の低減高さ導波路の内部に
配置されたときの、第１図の特定寸法のＴ型変換部につ
いての放射抵抗対周波数のグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユースン ウ アメリカ合衆国，08850ニュージャージィ プリンストン ジャンクション，ウェル ズリー コート 11 (56)参考文献 特開 昭57−75002（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−85907（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−15351（ＪＰ，Ａ) 米国特許4689631（ＵＳ，Ａ) 米国特許2829348（ＵＳ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】所定の周波数帯域で、電磁信号を伝搬する
低減高さの導波路セクション（15,21）と、 前記導波路セクション（15）内を伝搬する電磁信号（1
8）を送受信するために、導波路セクション（15）内に
開口部（16）を介して導波路セクション（15）を横断す
るよう挿入されるマイクロストリップ変換部（10、11、
12、13）と を有する導波管とマイクロストリップと間の変換装置に
おいて、 前記マイクロストリップ変換部は、 非導電性基板（11）と、 前記基板（11）の表面に形成される導電性Ｔ型形状部
（10、12）と、 前記基板（11）の裏面に、前記導波路セクション（15）
内に入り込まない部分に形成され、接地電位に維持され
た導電層（13）とからなり、 Ｔ型形状部（10、12）の腕部（2w）は、前記導波路セク
ション（15）の壁との間で所定のキャパシタンスを提供
するよう、前記導波路セクション（15）内に挿入された
前記基板（11）の端部に平行に近接して形成され、 Ｔ型形状部（10、12）の縦部は、所定のインダクタンス
を提供するよう、前記導波路セクション（15）内で、前
記腕部から所定距離（ｈ）だけ延び、 前記Ｔ型形状部（10、12）の腕部の半分の長さ（ｗ）と
縦部の長さ（ｈ）の合計（ｗ＋ｈ）は、前記所定の周波
数の波長のほぼ４分の１である ことを特徴とする導波管とマイクロストリップと間の変
換装置。 - 【請求項２】低減高さの第２の導波路セクション（22）
を前記導波路セクション（15,21）に近接して有し、 前記基板（11）の表面に、前記導電性Ｔ型形状部（10、
12a）と電気的に接続される第２の導電性Ｔ型形状部（1
0、12b）が形成され、 前記第２のＴ型形状部（10、12b）の腕部（2w）は、前
記第２の導波路セクション（22）の壁との間で所定のキ
ャパシタンスを提供するよう、前記第２の導波路セクシ
ョン（22）内に挿入された前記基板（11）の端部に平行
に近接して形成され、 前記第２のＴ型形状部（10、12b）の縦部は、所定のイ
ンダクタンスを提供するよう、前記第２の導波路セクシ
ョン（22）内で、前記腕部から所定距離（ｈ）だけ延
び、 前記第２のＴ型形状部（10、12b）の腕部の半分の長さ
（ｗ）と縦部の長さ（ｈ）の合計（ｗ＋ｈ）は、前記所
定の周波数の波長のほぼ４分の１である ことを特徴とする請求項１の導波管とマイクロストリッ
プと間の変換装置。
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