JPH0831803A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0831803A JPH0831803A JP6165635A JP16563594A JPH0831803A JP H0831803 A JPH0831803 A JP H0831803A JP 6165635 A JP6165635 A JP 6165635A JP 16563594 A JP16563594 A JP 16563594A JP H0831803 A JPH0831803 A JP H0831803A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板表面のプラズマ処理プロセスにおいて、
プラズマ発生部で生じた気体活性種の通過を妨げること
なく、プラズマで発生した紫外線のみを効果的に遮蔽し
得るプラズマ処理装置を提供する。 【構成】 反応室１１内のプラズマ発生部７と半導体基
板Ｗを保持する基板ホルダー９との間に、その幅方向が
気体活性種の流れ方向に対して斜めに向いた複数枚の板
体２３、２３、…を有する複数枚の紫外線遮蔽バッフル
板１０、１０が設けられている。
プラズマ発生部で生じた気体活性種の通過を妨げること
なく、プラズマで発生した紫外線のみを効果的に遮蔽し
得るプラズマ処理装置を提供する。 【構成】 反応室１１内のプラズマ発生部７と半導体基
板Ｗを保持する基板ホルダー９との間に、その幅方向が
気体活性種の流れ方向に対して斜めに向いた複数枚の板
体２３、２３、…を有する複数枚の紫外線遮蔽バッフル
板１０、１０が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板のエッチン
グ、アッシング、デポジション、表面改質等に使用され
るプラズマ処理装置に関わり、特に、プラズマ発生部と
基板処理部とが分離されたプラズマ処理装置に関するも
のである。
グ、アッシング、デポジション、表面改質等に使用され
るプラズマ処理装置に関わり、特に、プラズマ発生部と
基板処理部とが分離されたプラズマ処理装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＳＩの製造工程における半導体
基板のエッチング、アッシング、デポジション、表面改
質等において減圧下でプラズマを発生し基板を処理する
各種のプラズマ処理装置が広く用いられている。エッチ
ングやイオン注入工程の後の使用済レジストを剥離する
アッシングは、ＬＳＩの製造工程における極めて重要な
プラズマ処理装置の応用分野であり、例えば文献（１）
月刊Semiconductor World 1993年7月号 第164〜175ペー
ジ、文献（２）Solid State Technology／日本版1992年
10月号 第26〜29ページ、（３）Solid State Technolog
y／日本版1992年11月号 第34〜40ページ、および（４）
Solid State Technology／日本版1992年12月号 第21〜2
6ページに詳細な解説がなされている。
基板のエッチング、アッシング、デポジション、表面改
質等において減圧下でプラズマを発生し基板を処理する
各種のプラズマ処理装置が広く用いられている。エッチ
ングやイオン注入工程の後の使用済レジストを剥離する
アッシングは、ＬＳＩの製造工程における極めて重要な
プラズマ処理装置の応用分野であり、例えば文献（１）
月刊Semiconductor World 1993年7月号 第164〜175ペー
ジ、文献（２）Solid State Technology／日本版1992年
10月号 第26〜29ページ、（３）Solid State Technolog
y／日本版1992年11月号 第34〜40ページ、および（４）
Solid State Technology／日本版1992年12月号 第21〜2
6ページに詳細な解説がなされている。
【０００３】これらの文献（１）および（２）に説明さ
れているように、半導体基板をプラズマに直接曝すとプ
ラズマにより半導体基板がダメージを受けることがあ
る。そこで、このような心配がある場合、図３に示すよ
うに、プラズマを発生させる領域（以下、プラズマ発生
部１と称する）と基板を処理する領域（以下、基板処理
部２と称する）とを分離した、いわゆるダウンフロー型
プラズマ処理装置３が用いられる。ダウンフロー型プラ
ズマ処理装置３では、寿命の短いイオン種はプラズマか
ら離れた領域に保持された半導体基板Ｗに到達せず、活
性ラジカルのみが半導体基板Ｗに到達して作用を及ぼ
す。そして、プラズマ発生部１と基板処理部２の間に障
害物が無い場合には、プラズマで発生した紫外線も同時
に半導体基板Ｗに照射されることになる。
れているように、半導体基板をプラズマに直接曝すとプ
ラズマにより半導体基板がダメージを受けることがあ
る。そこで、このような心配がある場合、図３に示すよ
うに、プラズマを発生させる領域（以下、プラズマ発生
部１と称する）と基板を処理する領域（以下、基板処理
部２と称する）とを分離した、いわゆるダウンフロー型
プラズマ処理装置３が用いられる。ダウンフロー型プラ
ズマ処理装置３では、寿命の短いイオン種はプラズマか
ら離れた領域に保持された半導体基板Ｗに到達せず、活
性ラジカルのみが半導体基板Ｗに到達して作用を及ぼ
す。そして、プラズマ発生部１と基板処理部２の間に障
害物が無い場合には、プラズマで発生した紫外線も同時
に半導体基板Ｗに照射されることになる。
【０００４】ところが、プラズマで発生した紫外線が半
導体基板に照射されると、文献（３）および文献（５）
第３回半導体プロセスシンポジウム（1993年11月、主催
プレスジャーナル）講演予稿集第7-1〜7-13ページに記
載されているように、例えば次のような不都合が生じ
る。 １）ＳｉＯ2 に波長１４０ｎｍ以下の真空紫外線が照射
されるとＳｉＯ2 内に電子−正孔対が発生し、正孔は界
面近くにトラップされ、これを除去するには高温のアニ
ーリングが必要となる。 ２）２層構造ＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 が波長３００ｎｍ以
下の近紫外線で界面状態が発生する。 その他、本質的な解明はされていないが、半導体基板へ
の紫外線照射は可能な限り避ける必要があるとの見解が
一般的である。
導体基板に照射されると、文献（３）および文献（５）
第３回半導体プロセスシンポジウム（1993年11月、主催
プレスジャーナル）講演予稿集第7-1〜7-13ページに記
載されているように、例えば次のような不都合が生じ
る。 １）ＳｉＯ2 に波長１４０ｎｍ以下の真空紫外線が照射
されるとＳｉＯ2 内に電子−正孔対が発生し、正孔は界
面近くにトラップされ、これを除去するには高温のアニ
ーリングが必要となる。 ２）２層構造ＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 が波長３００ｎｍ以
下の近紫外線で界面状態が発生する。 その他、本質的な解明はされていないが、半導体基板へ
の紫外線照射は可能な限り避ける必要があるとの見解が
一般的である。
【０００５】このような紫外線照射の問題を避けるた
め、上記のような従来のプラズマ処理装置３では、図３
に示すように、多数の孔４、４、…が形成された複数枚
の紫外線遮蔽板５、５をプラズマ源からの紫外線が直
接、半導体基板Ｗに照射されないような孔４の位置関係
を取るようにして平行に配置する構造が採られていた。
め、上記のような従来のプラズマ処理装置３では、図３
に示すように、多数の孔４、４、…が形成された複数枚
の紫外線遮蔽板５、５をプラズマ源からの紫外線が直
接、半導体基板Ｗに照射されないような孔４の位置関係
を取るようにして平行に配置する構造が採られていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近、低圧
力で高密度のプラズマを発生する高密度プラズマ源の応
用が積極的に検討されているが（文献（６）「高密度プ
ラズマプロセシングの基礎と実際」応用物理学会、プラ
ズマエレクトロニクス分科会講演会資料、大阪大学、19
93年11月18〜19日）、プラズマが高密度になるほど有害
な紫外線の発生が強力となる。このため、プラズマ発生
部で生じた気体活性種の通過をほとんど妨げることな
く、紫外線のみを効果的に遮蔽する手法が、特にダウン
フロー型のプラズマ処理装置において重要となる。
力で高密度のプラズマを発生する高密度プラズマ源の応
用が積極的に検討されているが（文献（６）「高密度プ
ラズマプロセシングの基礎と実際」応用物理学会、プラ
ズマエレクトロニクス分科会講演会資料、大阪大学、19
93年11月18〜19日）、プラズマが高密度になるほど有害
な紫外線の発生が強力となる。このため、プラズマ発生
部で生じた気体活性種の通過をほとんど妨げることな
く、紫外線のみを効果的に遮蔽する手法が、特にダウン
フロー型のプラズマ処理装置において重要となる。
【０００７】しかしながら、前記従来のプラズマ処理装
置における紫外線遮蔽構造においては、紫外線の遮蔽効
果は充分であるとしても、紫外線遮蔽板全体としての孔
の開口率が小さいためプラズマ源で発生した活性種が有
効に半導体基板に到達しないという欠点があった。例え
ば、図４で例示したような多数の孔４、４、…を有する
２枚の紫外線遮蔽板５、５の場合では２枚の紫外線遮蔽
板５、５全体としての開口率は５０％以下となる。すな
わち、紫外線遮蔽板５、５に対して斜め方向から入射す
る紫外線をも充分に遮蔽するために紫外線遮蔽板５、５
の開口率を５０％以下と小さくするのであるが、そのよ
うにすると、基板の処理に寄与すべき気体活性種も開口
率が小さいことにより紫外線遮蔽板５、５へ衝突する割
合が高まってしまい、半導体基板に到達しにくくなって
しまうのである。
置における紫外線遮蔽構造においては、紫外線の遮蔽効
果は充分であるとしても、紫外線遮蔽板全体としての孔
の開口率が小さいためプラズマ源で発生した活性種が有
効に半導体基板に到達しないという欠点があった。例え
ば、図４で例示したような多数の孔４、４、…を有する
２枚の紫外線遮蔽板５、５の場合では２枚の紫外線遮蔽
板５、５全体としての開口率は５０％以下となる。すな
わち、紫外線遮蔽板５、５に対して斜め方向から入射す
る紫外線をも充分に遮蔽するために紫外線遮蔽板５、５
の開口率を５０％以下と小さくするのであるが、そのよ
うにすると、基板の処理に寄与すべき気体活性種も開口
率が小さいことにより紫外線遮蔽板５、５へ衝突する割
合が高まってしまい、半導体基板に到達しにくくなって
しまうのである。
【０００８】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、基板表面のプラズマ処理プロセスにおい
て、プラズマ発生部で生じた気体活性種の通過を妨げる
ことなく、プラズマにより発生した紫外線のみを効果的
に遮蔽し得るプラズマ処理装置を提供することを目的と
する。
のであって、基板表面のプラズマ処理プロセスにおい
て、プラズマ発生部で生じた気体活性種の通過を妨げる
ことなく、プラズマにより発生した紫外線のみを効果的
に遮蔽し得るプラズマ処理装置を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ発生部と
基板処理部とが分離され、前記プラズマ発生部で発生さ
せた気体活性種を前記基板処理部に導入し、その気体活
性種の作用により前記基板処理部内の基板ホルダー上に
保持された基板の処理を行なうプラズマ処理装置におい
て、前記プラズマ発生部と前記基板ホルダーとの間に、
複数の紫外線遮蔽バッフル板が前記気体活性種の流れ方
向に対して垂直となるようにそれぞれ設置され、前記各
紫外線遮蔽バッフル板には、長尺の板体がその長さ方向
を前記流れ方向に対して垂直に向けるとともに、その幅
方向を前記流れ方向に対して斜めに向けるように複数
枚、所定寸法離間して設けられるとともに、前記紫外線
遮蔽バッフル板のうち少なくともいずれか１枚は、その
紫外線遮蔽バッフル板における前記板体の幅方向が、残
りの紫外線遮蔽バッフル板における前記板体の幅方向に
対して逆向きの斜め方向となるように設置されているこ
とを特徴とするものである。
めに、本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ発生部と
基板処理部とが分離され、前記プラズマ発生部で発生さ
せた気体活性種を前記基板処理部に導入し、その気体活
性種の作用により前記基板処理部内の基板ホルダー上に
保持された基板の処理を行なうプラズマ処理装置におい
て、前記プラズマ発生部と前記基板ホルダーとの間に、
複数の紫外線遮蔽バッフル板が前記気体活性種の流れ方
向に対して垂直となるようにそれぞれ設置され、前記各
紫外線遮蔽バッフル板には、長尺の板体がその長さ方向
を前記流れ方向に対して垂直に向けるとともに、その幅
方向を前記流れ方向に対して斜めに向けるように複数
枚、所定寸法離間して設けられるとともに、前記紫外線
遮蔽バッフル板のうち少なくともいずれか１枚は、その
紫外線遮蔽バッフル板における前記板体の幅方向が、残
りの紫外線遮蔽バッフル板における前記板体の幅方向に
対して逆向きの斜め方向となるように設置されているこ
とを特徴とするものである。
【００１０】そして、前記板体を、高純度石英ガラスで
形成するか、もしくは高純度石英ガラスで被覆された紫
外線非透過性の板材で形成することが望ましい。また、
前記板体を、高純度セラミクスで形成するか、もしくは
高純度セラミクスで被覆された板材で形成してもよい。
形成するか、もしくは高純度石英ガラスで被覆された紫
外線非透過性の板材で形成することが望ましい。また、
前記板体を、高純度セラミクスで形成するか、もしくは
高純度セラミクスで被覆された板材で形成してもよい。
【００１１】
【作用】本発明のプラズマ処理装置においては、まず、
処理すべき半導体基板を基板処理部内部の基板ホルダー
上に配置する。そして、プラズマ発生部においてプラズ
マを発生させると、半導体基板の処理に有効な気体活性
種が生成されると同時に、半導体基板に対して有害な紫
外線も発生する。そこで、気体活性種の流れ方向に対し
て垂直となるように設けられた複数の紫外線遮蔽バッフ
ル板が、プラズマ発生部から基板処理部の基板ホルダー
に向けて入射してきた紫外線のみを遮蔽する。
処理すべき半導体基板を基板処理部内部の基板ホルダー
上に配置する。そして、プラズマ発生部においてプラズ
マを発生させると、半導体基板の処理に有効な気体活性
種が生成されると同時に、半導体基板に対して有害な紫
外線も発生する。そこで、気体活性種の流れ方向に対し
て垂直となるように設けられた複数の紫外線遮蔽バッフ
ル板が、プラズマ発生部から基板処理部の基板ホルダー
に向けて入射してきた紫外線のみを遮蔽する。
【００１２】すなわち、紫外線は紫外線遮蔽バッフル板
に対して垂直方向、または斜め方向から入射するが、紫
外線遮蔽バッフル板の板体がその幅方向を前記流れ方向
に対して斜めに向けるように複数枚、所定寸法離間して
固定され、かつ、紫外線遮蔽バッフル板のいずれか１枚
の前記板体の幅方向は残りのものに対して逆向きとなる
ように設置されているので、垂直方向から紫外線遮蔽バ
ッフル板に入射した紫外線のみならず、斜め方向から入
射した紫外線も複数の紫外線遮蔽バッフル板のいずれか
により遮蔽されることになる。一方、気体活性種は紫外
線とは異なり、プラズマ発生部から基板処理部の基板ホ
ルダーへの流れの中で紫外線遮蔽バッフル板の板体の間
隙を自由に通り抜けてしまうため、開口率が充分大きい
紫外線遮蔽バッフル板により遮蔽されることはない。
に対して垂直方向、または斜め方向から入射するが、紫
外線遮蔽バッフル板の板体がその幅方向を前記流れ方向
に対して斜めに向けるように複数枚、所定寸法離間して
固定され、かつ、紫外線遮蔽バッフル板のいずれか１枚
の前記板体の幅方向は残りのものに対して逆向きとなる
ように設置されているので、垂直方向から紫外線遮蔽バ
ッフル板に入射した紫外線のみならず、斜め方向から入
射した紫外線も複数の紫外線遮蔽バッフル板のいずれか
により遮蔽されることになる。一方、気体活性種は紫外
線とは異なり、プラズマ発生部から基板処理部の基板ホ
ルダーへの流れの中で紫外線遮蔽バッフル板の板体の間
隙を自由に通り抜けてしまうため、開口率が充分大きい
紫外線遮蔽バッフル板により遮蔽されることはない。
【００１３】また、材料の特性から、特に前記板体の材
料を高純度石英ガラスとした場合には１５０ｎｍ以下の
紫外線を遮蔽し、高純度石英ガラスで被覆された紫外線
非透過性の板材とした場合には全領域の紫外線を遮蔽す
ることができる。
料を高純度石英ガラスとした場合には１５０ｎｍ以下の
紫外線を遮蔽し、高純度石英ガラスで被覆された紫外線
非透過性の板材とした場合には全領域の紫外線を遮蔽す
ることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２を
参照して説明する。図１は、本発明に係わるプラズマ処
理装置の一例であるアッシング装置６を示す図であっ
て、図中符号７はプラズマ発生部、８は基板処理部、９
は基板ホルダー、１０は紫外線遮蔽バッフル板、Ｗは半
導体基板である。
参照して説明する。図１は、本発明に係わるプラズマ処
理装置の一例であるアッシング装置６を示す図であっ
て、図中符号７はプラズマ発生部、８は基板処理部、９
は基板ホルダー、１０は紫外線遮蔽バッフル板、Ｗは半
導体基板である。
【００１５】反応室１１が透明石英により半球状に形成
されている。そして、反応室１１の下部には排気口１２
が設けられ、排気口１２にはターボ分子ポンプ１３、メ
カニカルブースターポンプ１４からなる真空排気手段１
５が接続されている。したがって、真空排気手段１５の
作動により排気口１２を通じて反応室１１内が高真空に
排気されるようになっている。そして、反応室１１内の
下部には、処理すべき半導体基板Ｗを保持するための基
板ホルダー９が設けられている。
されている。そして、反応室１１の下部には排気口１２
が設けられ、排気口１２にはターボ分子ポンプ１３、メ
カニカルブースターポンプ１４からなる真空排気手段１
５が接続されている。したがって、真空排気手段１５の
作動により排気口１２を通じて反応室１１内が高真空に
排気されるようになっている。そして、反応室１１内の
下部には、処理すべき半導体基板Ｗを保持するための基
板ホルダー９が設けられている。
【００１６】また、反応室１１の上部にはガス導入系１
６に導入管１７を介して接続されたシャワーヘッド１８
が設置され、このシャワーヘッド１８から反応室１１内
へ反応気体が導入されるようになっている。
６に導入管１７を介して接続されたシャワーヘッド１８
が設置され、このシャワーヘッド１８から反応室１１内
へ反応気体が導入されるようになっている。
【００１７】ヘリカルアンテナコイル１９が、反応室１
１の外周に沿い上部から下部に向かって巻線状に設置さ
れている。このヘリカルアンテナコイル１９の上端には
マッチングボックス２０、高周波電源２１が順次接続さ
れており、下端は基板ホルダー９から所定寸法上方に位
置するとともに、接地されている。そして、反応室１１
内に反応気体が導入されるとともに高周波電力が印加さ
れることにより反応室１１内のヘリカルアンテナコイル
１９の設置位置にプラズマが発生するようになってい
る。すなわち、本装置６においては、反応室１１内上部
側のヘリカルアンテナコイル１９が巻かれた領域がプラ
ズマ発生部７、ヘリカルアンテナコイル１９が巻かれた
領域の下部側、基板ホルダー９の設置された側が基板処
理部８となる。
１の外周に沿い上部から下部に向かって巻線状に設置さ
れている。このヘリカルアンテナコイル１９の上端には
マッチングボックス２０、高周波電源２１が順次接続さ
れており、下端は基板ホルダー９から所定寸法上方に位
置するとともに、接地されている。そして、反応室１１
内に反応気体が導入されるとともに高周波電力が印加さ
れることにより反応室１１内のヘリカルアンテナコイル
１９の設置位置にプラズマが発生するようになってい
る。すなわち、本装置６においては、反応室１１内上部
側のヘリカルアンテナコイル１９が巻かれた領域がプラ
ズマ発生部７、ヘリカルアンテナコイル１９が巻かれた
領域の下部側、基板ホルダー９の設置された側が基板処
理部８となる。
【００１８】基板処理部８内の基板ホルダー９の若干寸
法上方には、２枚の紫外線遮蔽バッフル板１０、１０が
気体活性種の流れ方向に対して垂直に固定されている。
図２に示すように、紫外線遮蔽バッフル板１０は、枠体
２２、２２に対して長尺の板体２３、２３、…がその長
さ方向（図中矢印Ｌ）を気体活性種の流れ方向（図中矢
印Ｆ）に対して垂直に向けるとともに、その幅方向（図
中矢印Ｗ1およびＷ2）を前記流れ方向に対して斜めに向
けるように複数枚、所定寸法離間して固定されている。
そして、２枚の紫外線遮蔽バッフル板１０、１０は、そ
の板体２３の幅方向Ｗ1、Ｗ2が互いに逆向きの斜め方向
となるように反応室１１内に固定されている。
法上方には、２枚の紫外線遮蔽バッフル板１０、１０が
気体活性種の流れ方向に対して垂直に固定されている。
図２に示すように、紫外線遮蔽バッフル板１０は、枠体
２２、２２に対して長尺の板体２３、２３、…がその長
さ方向（図中矢印Ｌ）を気体活性種の流れ方向（図中矢
印Ｆ）に対して垂直に向けるとともに、その幅方向（図
中矢印Ｗ1およびＷ2）を前記流れ方向に対して斜めに向
けるように複数枚、所定寸法離間して固定されている。
そして、２枚の紫外線遮蔽バッフル板１０、１０は、そ
の板体２３の幅方向Ｗ1、Ｗ2が互いに逆向きの斜め方向
となるように反応室１１内に固定されている。
【００１９】また、紫外線遮蔽バッフル板１０の板体２
３は、要求される遮蔽性能によって材料を使い分けるこ
とが望ましい。すなわち、１５０ｎｍ以下の紫外線（真
空紫外線）のみを遮蔽する目的であれば高純度石英ガラ
ス板、全領域紫外線を遮蔽する目的であれば高純度石英
ガラスで被覆された紫外線非透過性の板材、また、高純
度石英ガラスを使用したもの程高い遮蔽性能を必要とし
ない場合であれば高純度セラミクス板または高純度セラ
ミクスで被覆された板材をそれぞれ使用すればよい。
３は、要求される遮蔽性能によって材料を使い分けるこ
とが望ましい。すなわち、１５０ｎｍ以下の紫外線（真
空紫外線）のみを遮蔽する目的であれば高純度石英ガラ
ス板、全領域紫外線を遮蔽する目的であれば高純度石英
ガラスで被覆された紫外線非透過性の板材、また、高純
度石英ガラスを使用したもの程高い遮蔽性能を必要とし
ない場合であれば高純度セラミクス板または高純度セラ
ミクスで被覆された板材をそれぞれ使用すればよい。
【００２０】上記構成のアッシング装置６を使用する際
には、まず、処理すべき半導体基板Ｗを基板処理部８内
の基板ホルダー９上に配置する。そして、反応室１１内
を真空排気した後、反応気体を導入するとともに高周波
電力を印加すると、プラズマ発生部７においてプラズマ
が発生し半導体基板Ｗの処理に寄与する気体活性種が生
成され、その気体活性種が、開口率が充分大きい紫外線
遮蔽バッフル板１０、１０の板体２３、２３、…の間隙
を通り抜けて基板ホルダー９上の半導体基板Ｗに到達す
ることによりアッシング処理が行なわれる（図１に実線
で示す）。
には、まず、処理すべき半導体基板Ｗを基板処理部８内
の基板ホルダー９上に配置する。そして、反応室１１内
を真空排気した後、反応気体を導入するとともに高周波
電力を印加すると、プラズマ発生部７においてプラズマ
が発生し半導体基板Ｗの処理に寄与する気体活性種が生
成され、その気体活性種が、開口率が充分大きい紫外線
遮蔽バッフル板１０、１０の板体２３、２３、…の間隙
を通り抜けて基板ホルダー９上の半導体基板Ｗに到達す
ることによりアッシング処理が行なわれる（図１に実線
で示す）。
【００２１】一方、プラズマの発生に伴って半導体基板
Ｗに対して有害な紫外線も発生する。そこで、気体活性
種の流れ方向に対して垂直となるように設けられた２枚
の紫外線遮蔽バッフル板１０、１０が、プラズマ発生部
７から基板処理部８の基板ホルダー９に向けて入射する
紫外線のみを遮蔽する。すなわち、紫外線は紫外線遮蔽
バッフル板１０に対して垂直方向、または斜め方向から
入射するが、紫外線遮蔽バッフル板１０の板体２３が垂
直方向から紫外線遮蔽バッフル板１０に入射した紫外線
のみならず、斜め方向から入射した紫外線もいずれか一
方の紫外線遮蔽バッフル板１０で遮蔽されることになる
（図１に破線で示す）。
Ｗに対して有害な紫外線も発生する。そこで、気体活性
種の流れ方向に対して垂直となるように設けられた２枚
の紫外線遮蔽バッフル板１０、１０が、プラズマ発生部
７から基板処理部８の基板ホルダー９に向けて入射する
紫外線のみを遮蔽する。すなわち、紫外線は紫外線遮蔽
バッフル板１０に対して垂直方向、または斜め方向から
入射するが、紫外線遮蔽バッフル板１０の板体２３が垂
直方向から紫外線遮蔽バッフル板１０に入射した紫外線
のみならず、斜め方向から入射した紫外線もいずれか一
方の紫外線遮蔽バッフル板１０で遮蔽されることになる
（図１に破線で示す）。
【００２２】このように本実施例のアッシング装置６に
おいては、アッシングに有効な気体活性種は紫外線遮蔽
バッフル板１０により通過を妨げられることなく半導体
基板Ｗに到達し、半導体基板Ｗにとって有害な紫外線は
紫外線遮蔽バッフル板１０により充分に遮蔽されるの
で、所定のアッシング速度が確保されアッシング処理は
確実に進行するとともに、チャージアップが発生する
等、紫外線照射に起因して半導体基板Ｗに生じる種々の
不具合を避けることができる。また、チャージアップが
発生しないため、これを除去するためのアニーリング工
程を導入することもなく、プロセスの簡略化を図ること
もできる。
おいては、アッシングに有効な気体活性種は紫外線遮蔽
バッフル板１０により通過を妨げられることなく半導体
基板Ｗに到達し、半導体基板Ｗにとって有害な紫外線は
紫外線遮蔽バッフル板１０により充分に遮蔽されるの
で、所定のアッシング速度が確保されアッシング処理は
確実に進行するとともに、チャージアップが発生する
等、紫外線照射に起因して半導体基板Ｗに生じる種々の
不具合を避けることができる。また、チャージアップが
発生しないため、これを除去するためのアニーリング工
程を導入することもなく、プロセスの簡略化を図ること
もできる。
【００２３】また、反応室１１内に２枚の紫外線遮蔽バ
ッフル板１０、１０を設けるのみの簡単な構造で紫外線
を確実に遮蔽することができるので、装置構造が複雑化
することもなく、装置コストが極端に上がるようなこと
もない。さらに、紫外線遮蔽バッフル板１０の板体２３
を高純度石英ガラスとした場合には１５０ｎｍ以下の紫
外線が遮蔽され、高純度石英ガラスで被覆された紫外線
非透過性の板材とした場合には全領域の紫外線が遮蔽さ
れるといったように、板体２３の材料を代えるのみで紫
外線の遮蔽性能を適宜設定することができるので、種々
の遮蔽性能を有する装置を同一の装置構造で実現するこ
とができる。
ッフル板１０、１０を設けるのみの簡単な構造で紫外線
を確実に遮蔽することができるので、装置構造が複雑化
することもなく、装置コストが極端に上がるようなこと
もない。さらに、紫外線遮蔽バッフル板１０の板体２３
を高純度石英ガラスとした場合には１５０ｎｍ以下の紫
外線が遮蔽され、高純度石英ガラスで被覆された紫外線
非透過性の板材とした場合には全領域の紫外線が遮蔽さ
れるといったように、板体２３の材料を代えるのみで紫
外線の遮蔽性能を適宜設定することができるので、種々
の遮蔽性能を有する装置を同一の装置構造で実現するこ
とができる。
【００２４】なお、本実施例のアッシング装置６におい
ては、２枚の紫外線遮蔽バッフル板１０、１０を設けた
が、紫外線遮蔽バッフル板の枚数は適宜変更することが
できる。そして、本発明をヘリカルアンテナ式のアッシ
ング装置６に適用した例を示したが、ヘリカルアンテナ
コイルを持たない一般的なダウンフロー式アッシング装
置等に適用してもよい。また、アッシング装置に限ら
ず、ドライエッチング装置、デポジション装置等、他の
プラズマ処理装置に適用することも勿論可能である。
ては、２枚の紫外線遮蔽バッフル板１０、１０を設けた
が、紫外線遮蔽バッフル板の枚数は適宜変更することが
できる。そして、本発明をヘリカルアンテナ式のアッシ
ング装置６に適用した例を示したが、ヘリカルアンテナ
コイルを持たない一般的なダウンフロー式アッシング装
置等に適用してもよい。また、アッシング装置に限ら
ず、ドライエッチング装置、デポジション装置等、他の
プラズマ処理装置に適用することも勿論可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
プラズマ処理装置には、その幅方向が気体活性種の流れ
方向に対して斜めに向いた複数枚の板体を有する複数の
紫外線遮蔽バッフル板がプラズマ発生部と基板ホルダー
との間に設けられているため、プラズマが発生したとき
に生じる気体活性種と紫外線のうち、気体活性種は、開
口率が充分大きい紫外線遮蔽バッフル板の板体の間隙を
通り抜けて基板ホルダー上の半導体基板に到達すること
によりプラズマ処理が支障なく行なわれる。一方、紫外
線は、紫外線遮蔽バッフル板に対して垂直方向から入射
するもの、斜め方向から入射するもののいずれも紫外線
遮蔽バッフル板の板体で遮蔽される。したがって、チャ
ージアップが発生する等、紫外線照射に起因して半導体
基板に生じる種々の不具合を避けることができる。ま
た、チャージアップが発生しないため、これを除去する
ためのアニーリング工程を導入することもなく、プロセ
スの簡略化を図ることもできる。また、反応室内に紫外
線遮蔽バッフル板を設けるのみの簡単な構造で紫外線を
確実に遮蔽することができるので、装置構造が複雑化す
ることもなく、装置コストが極端に上がるようなことも
ない。
プラズマ処理装置には、その幅方向が気体活性種の流れ
方向に対して斜めに向いた複数枚の板体を有する複数の
紫外線遮蔽バッフル板がプラズマ発生部と基板ホルダー
との間に設けられているため、プラズマが発生したとき
に生じる気体活性種と紫外線のうち、気体活性種は、開
口率が充分大きい紫外線遮蔽バッフル板の板体の間隙を
通り抜けて基板ホルダー上の半導体基板に到達すること
によりプラズマ処理が支障なく行なわれる。一方、紫外
線は、紫外線遮蔽バッフル板に対して垂直方向から入射
するもの、斜め方向から入射するもののいずれも紫外線
遮蔽バッフル板の板体で遮蔽される。したがって、チャ
ージアップが発生する等、紫外線照射に起因して半導体
基板に生じる種々の不具合を避けることができる。ま
た、チャージアップが発生しないため、これを除去する
ためのアニーリング工程を導入することもなく、プロセ
スの簡略化を図ることもできる。また、反応室内に紫外
線遮蔽バッフル板を設けるのみの簡単な構造で紫外線を
確実に遮蔽することができるので、装置構造が複雑化す
ることもなく、装置コストが極端に上がるようなことも
ない。
【００２６】さらに、紫外線遮蔽バッフル板の板体を高
純度石英ガラスとした場合には１５０ｎｍ以下の紫外線
が遮蔽され、高純度石英ガラスで被覆された紫外線非透
過性の板材とした場合には全領域紫外線が遮蔽されると
いったように、板体の材料を代えるのみで紫外線の遮蔽
性能を適宜設定することができるので、種々の遮蔽性能
を有する装置を同一の装置構造で実現することができ
る。
純度石英ガラスとした場合には１５０ｎｍ以下の紫外線
が遮蔽され、高純度石英ガラスで被覆された紫外線非透
過性の板材とした場合には全領域紫外線が遮蔽されると
いったように、板体の材料を代えるのみで紫外線の遮蔽
性能を適宜設定することができるので、種々の遮蔽性能
を有する装置を同一の装置構造で実現することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるアッシング装置の構成
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
【図２】同、装置の紫外線遮蔽バッフル板を示す斜視図
である。
である。
【図３】従来のプラズマ処理装置の一例を示す縦断面図
である。
である。
【図４】同、装置の紫外線遮蔽板を示す斜視図である。
６ アッシング装置（プラズマ処理装置） ７ プラズマ発生部 ８ 基板処理部 ９ 基板ホルダー １０ 紫外線遮蔽バッフル板 ２３ 板体
Claims (4)
- 【請求項１】 プラズマ発生部と基板処理部とが分離さ
れ、前記プラズマ発生部で発生させた気体活性種を前記
基板処理部に導入し、その気体活性種の作用により前記
基板処理部内の基板ホルダー上に保持された基板の処理
を行なうプラズマ処理装置において、 前記プラズマ発生部と前記基板ホルダーとの間に、複数
の紫外線遮蔽バッフル板が前記気体活性種の流れ方向に
対して垂直となるようにそれぞれ設置され、 前記各紫外線遮蔽バッフル板には、長尺の板体がその長
さ方向を前記流れ方向に対して垂直に向けるとともに、
その幅方向を前記流れ方向に対して斜めに向けるように
複数枚、所定寸法離間して設けられるとともに、 前記紫外線遮蔽バッフル板のうち少なくともいずれか１
枚は、その紫外線遮蔽バッフル板における前記板体の幅
方向が、残りの紫外線遮蔽バッフル板における前記板体
の幅方向に対して、逆向きの斜め方向となるように設置
されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のプラズマ処理装置にお
いて、 前記板体の材料が、高純度石英ガラスとされたことを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のプラズマ処理装置にお
いて、 前記板体の材料が、高純度石英ガラスで被覆された紫外
線非透過性の板材とされたことを特徴とするプラズマ処
理装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載のプラズマ処理装置にお
いて、 前記板体の材料が、高純度セラミクス、もしくは高純度
セラミクスで被覆された板材とされたことを特徴とする
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6165635A JPH0831803A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6165635A JPH0831803A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831803A true JPH0831803A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15816114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6165635A Pending JPH0831803A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831803A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897155A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sony Corp | プラズマ加工方法およびプラズマ発生装置 |
| WO1998059367A1 (en) * | 1997-06-25 | 1998-12-30 | Lam Research Corporation | Plasma reactor for passivating a substrate |
| JP2011096616A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | E Square:Kk | プラズマ表面処理装置 |
| US9177788B2 (en) | 2012-03-12 | 2015-11-03 | Veeco Ald Inc. | Plasma reactor with conductive member in reaction chamber for shielding substrate from undesirable irradiation |
| EP3719833A1 (en) * | 2019-04-02 | 2020-10-07 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited | Surface processing apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5449073A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma processing unit |
| JPH01211920A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Toshiba Corp | 光化学反応装置 |
| JPH0272620A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
-
1994
- 1994-07-18 JP JP6165635A patent/JPH0831803A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5449073A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma processing unit |
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| US5968275A (en) * | 1997-06-25 | 1999-10-19 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for passivating a substrate in a plasma reactor |
| JP2011096616A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | E Square:Kk | プラズマ表面処理装置 |
| US9177788B2 (en) | 2012-03-12 | 2015-11-03 | Veeco Ald Inc. | Plasma reactor with conductive member in reaction chamber for shielding substrate from undesirable irradiation |
| US9558963B2 (en) | 2012-03-12 | 2017-01-31 | Veeco Ald Inc. | Plasma reactor with conductive member in reaction chamber for shielding substrate from undesirable irradiation |
| EP3719833A1 (en) * | 2019-04-02 | 2020-10-07 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited | Surface processing apparatus |
| US11387075B2 (en) | 2019-04-02 | 2022-07-12 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools, Ltd. | Surface processing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030304 |