JPH0832017A - 補強プレート付リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の組立て方法 - Google Patents
補強プレート付リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の組立て方法Info
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- JPH0832017A JPH0832017A JP6164048A JP16404894A JPH0832017A JP H0832017 A JPH0832017 A JP H0832017A JP 6164048 A JP6164048 A JP 6164048A JP 16404894 A JP16404894 A JP 16404894A JP H0832017 A JPH0832017 A JP H0832017A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置の組立て工程のうち樹
脂封止工程前の段階におけるリードフレームの変形及び
これに起因するボンディング不良等を防止する。 【構成】 樹脂封止工程前においてはリードフレーム本
体部１に補強プレート２を取り付けた状態にリードフレ
ームを維持し、樹脂封止工程以後においてはリードフレ
ーム本体部１から補強プレート２を取り外した状態にリ
ードフレームを維持して、樹脂封止型半導体装置を組み
立てるものである。
脂封止工程前の段階におけるリードフレームの変形及び
これに起因するボンディング不良等を防止する。 【構成】 樹脂封止工程前においてはリードフレーム本
体部１に補強プレート２を取り付けた状態にリードフレ
ームを維持し、樹脂封止工程以後においてはリードフレ
ーム本体部１から補強プレート２を取り外した状態にリ
ードフレームを維持して、樹脂封止型半導体装置を組み
立てるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の組立て方法に関し、特に、薄型のリードフレーム（例
えば、厚さが０．１mmのもの）を用いた樹脂封止型半導
体装置の組立て方法に適用して有効な技術に関するもの
である。
の組立て方法に関し、特に、薄型のリードフレーム（例
えば、厚さが０．１mmのもの）を用いた樹脂封止型半導
体装置の組立て方法に適用して有効な技術に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、その高集積・高機能化に
ともなってリードピン数が増加するとともに、その用途
である電子機器側の要請によって小型・薄型化が進めら
れてきた。この結果、リードピンの微細化及びリードピ
ンピッチの狭小化が、半導体装置の開発における一つの
大きな技術目標となっている。このような技術動向に対
応して、半導体装置の製造に使用されるリードフレーム
は、小型・薄型・微細化が図られ、現行のリードフレー
ムではその厚みが０．１２５mm〜０．２５mmであるもの
が一般的となっている。
ともなってリードピン数が増加するとともに、その用途
である電子機器側の要請によって小型・薄型化が進めら
れてきた。この結果、リードピンの微細化及びリードピ
ンピッチの狭小化が、半導体装置の開発における一つの
大きな技術目標となっている。このような技術動向に対
応して、半導体装置の製造に使用されるリードフレーム
は、小型・薄型・微細化が図られ、現行のリードフレー
ムではその厚みが０．１２５mm〜０．２５mmであるもの
が一般的となっている。
【０００３】また、リードフレームは、通常、材料にＣ
ｕ系合金またはＦｅ-Ｎｉ系合金（例えば、４２alloy）
を用い、エッチングまたはプレスによって成形される
が、この製法で量産する場合、０．１mmが厚みの限界値
であると言われている。
ｕ系合金またはＦｅ-Ｎｉ系合金（例えば、４２alloy）
を用い、エッチングまたはプレスによって成形される
が、この製法で量産する場合、０．１mmが厚みの限界値
であると言われている。
【０００４】また、樹脂封止型半導体装置は、リードフ
レームに対して半導体チップを位置決めし、該半導体チ
ップの電極とリードを電気的に接続するチップ・リード
接続工程、前記半導体チップと前記リードのインナーリ
ード部を樹脂で封止する樹脂封止工程等を経て組み立て
られる。
レームに対して半導体チップを位置決めし、該半導体チ
ップの電極とリードを電気的に接続するチップ・リード
接続工程、前記半導体チップと前記リードのインナーリ
ード部を樹脂で封止する樹脂封止工程等を経て組み立て
られる。
【０００５】前記チップ・リード接続工程には、例え
ば、リードフレームのダイパッド（タブ）上に半導体チ
ップを接着するダイボンディング工程、半導体チップの
電極とリードフレームのリード内端とを金線等で電気的
に接続するワイヤボンディング工程等があり、一般に、
これらの工程においては、リードフレームに大きな外力
が加えられる。
ば、リードフレームのダイパッド（タブ）上に半導体チ
ップを接着するダイボンディング工程、半導体チップの
電極とリードフレームのリード内端とを金線等で電気的
に接続するワイヤボンディング工程等があり、一般に、
これらの工程においては、リードフレームに大きな外力
が加えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は従来技術を検討した結果、次の問題点があることを
見出した。
者は従来技術を検討した結果、次の問題点があることを
見出した。
【０００７】前記従来のリードフレームは、現段階にお
いて既に非常に肉薄となっているので、このような肉薄
のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を組み
立てると、前記樹脂封止工程前の段階において、組立て
動作時または搬送時に加えられる外力によって、リード
フレームに変形が生じるという問題があった。
いて既に非常に肉薄となっているので、このような肉薄
のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を組み
立てると、前記樹脂封止工程前の段階において、組立て
動作時または搬送時に加えられる外力によって、リード
フレームに変形が生じるという問題があった。
【０００８】特に、リードフレームの厚みが製造上の限
界値である０．１mm近くになると、搬送時に加えられる
僅かな外力でさえリードフレームを変形させる大きな要
因となる。このため、リードフレームは、その製造上の
点からは厚みを０．１mmまで薄くすることが可能である
のにもかかわらず、実際は、前述した半導体装置組立て
上の問題点のため厚みを０．１２５mm以上に留めている
のが現状であり、この厚みではリードピンピッチも０．
２１mmが限界であった。したがって、半導体装置組立て
上の前記問題点は、樹脂封止型半導体装置の小型・薄型
・多ピン化を妨げるものでもあった。
界値である０．１mm近くになると、搬送時に加えられる
僅かな外力でさえリードフレームを変形させる大きな要
因となる。このため、リードフレームは、その製造上の
点からは厚みを０．１mmまで薄くすることが可能である
のにもかかわらず、実際は、前述した半導体装置組立て
上の問題点のため厚みを０．１２５mm以上に留めている
のが現状であり、この厚みではリードピンピッチも０．
２１mmが限界であった。したがって、半導体装置組立て
上の前記問題点は、樹脂封止型半導体装置の小型・薄型
・多ピン化を妨げるものでもあった。
【０００９】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の
組立て工程のうち樹脂封止工程前の段階において、リー
ドフレームの変形を防止することが可能な技術を提供す
ることにある。
組立て工程のうち樹脂封止工程前の段階において、リー
ドフレームの変形を防止することが可能な技術を提供す
ることにある。
【００１０】本発明の前記並びにその他の目的及び新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【００１２】本発明の（１）の手段は、リードフレーム
の下部の一部又は全面に着脱可能な補強プレートを重ね
て設け、該補強プレートと前記リードフレームとを着脱
可能に装着する手段を備えたものである。
の下部の一部又は全面に着脱可能な補強プレートを重ね
て設け、該補強プレートと前記リードフレームとを着脱
可能に装着する手段を備えたものである。
【００１３】本発明の（２）の手段は、リードフレーム
に対して半導体チップを位置決めし該半導体チップの電
極と該リードフレームのリードとを電気的に接続するチ
ップ・リード接続工程と、前記半導体チップと前記リー
ドの内端を樹脂で封止する樹脂封止工程とを有する樹脂
封止型半導体装置の組立て方法において、前記樹脂封止
工程前の段階では前記リードフレームの下部に補強プレ
ートを取り付けた状態に維持し、前記樹脂封止工程以後
の段階では前記リードフレームから前記補強プレートを
取り外した状態に維持するものである。
に対して半導体チップを位置決めし該半導体チップの電
極と該リードフレームのリードとを電気的に接続するチ
ップ・リード接続工程と、前記半導体チップと前記リー
ドの内端を樹脂で封止する樹脂封止工程とを有する樹脂
封止型半導体装置の組立て方法において、前記樹脂封止
工程前の段階では前記リードフレームの下部に補強プレ
ートを取り付けた状態に維持し、前記樹脂封止工程以後
の段階では前記リードフレームから前記補強プレートを
取り外した状態に維持するものである。
【００１４】
【作用】前記手段によれば、樹脂封止型半導体装置の組
立て工程のうち樹脂封止工程前の段階においては、リー
ドフレームを補強プレートが取り付けられた状態に維持
することにより、リードフレームが肉厚の状態に維持さ
れ、外力に対する耐性が増すので、この段階でのリード
フレームの変形を防止することができる。
立て工程のうち樹脂封止工程前の段階においては、リー
ドフレームを補強プレートが取り付けられた状態に維持
することにより、リードフレームが肉厚の状態に維持さ
れ、外力に対する耐性が増すので、この段階でのリード
フレームの変形を防止することができる。
【００１５】また、樹脂封止工程において、リードフレ
ームを補強プレートが取り外された状態に維持すること
により、最終的な完成品段階における樹脂封止型半導体
装置には補強プレートの厚みが加えられないので、樹脂
封止型半導体装置の薄型化を損なうことがない。
ームを補強プレートが取り外された状態に維持すること
により、最終的な完成品段階における樹脂封止型半導体
装置には補強プレートの厚みが加えられないので、樹脂
封止型半導体装置の薄型化を損なうことがない。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一名称及び同一符号を付
与し、その繰り返しの説明は省略する。
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一名称及び同一符号を付
与し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】図１及び図２は本発明による一実施例の補
強プレート付リードフレームを用いて樹脂封止型半導体
装置を組み立てる方法を説明するための図であり、図１
は補強プレートが取り付けられた状態を示す図、図２は
補強プレートが取り外された状態を示す図であり、
（ａ）図は何れも平面図、（ｂ）図は何れも（ａ）図中
の位置Ａ−Ａにおける断面図である。図１及び図２にお
いて、１はリードフレーム本体部、１ａはリード、１ａ
1はアウターリード部、１ａ2はインナーリード部、１ｂ
はダイパッド、１ｃは吊りリード、１ｄは内枠、１ｅは
ダムバー、１ｆは外枠、２は補強プレート、３は取付ピ
ン、４は半導体チップ、５はワイヤ、６は接着剤であ
り、図１の班点で影を付けた部分は補強プレート２であ
る。
強プレート付リードフレームを用いて樹脂封止型半導体
装置を組み立てる方法を説明するための図であり、図１
は補強プレートが取り付けられた状態を示す図、図２は
補強プレートが取り外された状態を示す図であり、
（ａ）図は何れも平面図、（ｂ）図は何れも（ａ）図中
の位置Ａ−Ａにおける断面図である。図１及び図２にお
いて、１はリードフレーム本体部、１ａはリード、１ａ
1はアウターリード部、１ａ2はインナーリード部、１ｂ
はダイパッド、１ｃは吊りリード、１ｄは内枠、１ｅは
ダムバー、１ｆは外枠、２は補強プレート、３は取付ピ
ン、４は半導体チップ、５はワイヤ、６は接着剤であ
り、図１の班点で影を付けた部分は補強プレート２であ
る。
【００１８】本実施例の補強プレート付リードフレーム
は、リードフレーム本体部１と補強プレート２と取付ピ
ン３とからなり、リードフレーム本体部１の下部に補強
プレート２を着脱させることによってリードフレーム全
体の厚みを変えることができるように構成されている。
すなわち、図１及び図２の断面図を比較すればわかるよ
うに、リードフレーム本体部１に補強プレート２を取り
付けた状態（図１）では、リードフレーム本体部１から
補強プレート２を取り外した状態（図２）よりもリード
フレーム全体が厚くなっている。
は、リードフレーム本体部１と補強プレート２と取付ピ
ン３とからなり、リードフレーム本体部１の下部に補強
プレート２を着脱させることによってリードフレーム全
体の厚みを変えることができるように構成されている。
すなわち、図１及び図２の断面図を比較すればわかるよ
うに、リードフレーム本体部１に補強プレート２を取り
付けた状態（図１）では、リードフレーム本体部１から
補強プレート２を取り外した状態（図２）よりもリード
フレーム全体が厚くなっている。
【００１９】本実施例の補強プレート付リードフレーム
は、リードフレーム本体部１の厚みが０．１mmで、補強
プレート２の厚みが０．１５mm以上あるものであり、補
強プレート２の外形がリードフレーム本体部１の外形と
同形、あるいは大きな平板である。
は、リードフレーム本体部１の厚みが０．１mmで、補強
プレート２の厚みが０．１５mm以上あるものであり、補
強プレート２の外形がリードフレーム本体部１の外形と
同形、あるいは大きな平板である。
【００２０】前記リードフレーム本体部１及び前記補強
プレート２には、ピン嵌入用取付孔が設けられている。
このピン嵌入用取付孔は、その位置がリードフレーム本
体部１側と補強プレート２側とで互いに対応するように
なっていて、この位置を合わせるように補強プレート２
上にリードフレーム本体部１を載せ、このピン嵌入用取
付孔に取付ピン３をリードフレーム本体部１側から嵌入
することでリードフレーム本体部１の下部に補強プレー
ト２を取り付けることができるようになっている。
プレート２には、ピン嵌入用取付孔が設けられている。
このピン嵌入用取付孔は、その位置がリードフレーム本
体部１側と補強プレート２側とで互いに対応するように
なっていて、この位置を合わせるように補強プレート２
上にリードフレーム本体部１を載せ、このピン嵌入用取
付孔に取付ピン３をリードフレーム本体部１側から嵌入
することでリードフレーム本体部１の下部に補強プレー
ト２を取り付けることができるようになっている。
【００２１】前記リードフレーム本体部１は、外枠１ｆ
の内側に単位リードパターンを一方向に複数個並べ且つ
連結させた形状となっており、（ａ）図にはこの単位リ
ードパターンが一つ示されている。単位リードパターン
は、その中央部には正方形板状のダイパッド１ｂが、そ
の周辺部にはダイパッド１ｂの４辺に沿って内枠１ｄ
が、夫れ夫れ配設されている。そして、ダイパッド１ｂ
と内枠１ｄとの間の領域には、アウターリード部１ａ1
とインナーリード部１ａ2とからなる複数のリード１ａ
が、アウターリード部１ａ1側の一端を内枠１ｄに連結
させインナーリード部１ａ2側の一端をダイパッド１ｂ
の４辺に対向させるようにして配設されている。また、
ダイパッド１ｂの４頂点からは外枠１ｆに向かって吊り
リード１ｃが延在しており、この吊りリード１ｃでダイ
パッド１ｂを外枠１ｆに吊って支持固定するものとなっ
ている。また、相隣合うリード１ａ間にはダムバー１ｅ
が橋設されており、この橋設位置でリード１ａがアウタ
ーリード部１ａ1とインナーリード部１ａ2とに分けられ
るものとなっている。
の内側に単位リードパターンを一方向に複数個並べ且つ
連結させた形状となっており、（ａ）図にはこの単位リ
ードパターンが一つ示されている。単位リードパターン
は、その中央部には正方形板状のダイパッド１ｂが、そ
の周辺部にはダイパッド１ｂの４辺に沿って内枠１ｄ
が、夫れ夫れ配設されている。そして、ダイパッド１ｂ
と内枠１ｄとの間の領域には、アウターリード部１ａ1
とインナーリード部１ａ2とからなる複数のリード１ａ
が、アウターリード部１ａ1側の一端を内枠１ｄに連結
させインナーリード部１ａ2側の一端をダイパッド１ｂ
の４辺に対向させるようにして配設されている。また、
ダイパッド１ｂの４頂点からは外枠１ｆに向かって吊り
リード１ｃが延在しており、この吊りリード１ｃでダイ
パッド１ｂを外枠１ｆに吊って支持固定するものとなっ
ている。また、相隣合うリード１ａ間にはダムバー１ｅ
が橋設されており、この橋設位置でリード１ａがアウタ
ーリード部１ａ1とインナーリード部１ａ2とに分けられ
るものとなっている。
【００２２】前記リードフレーム本体部１は、厚さ０．
１５〜０．２mmのＦｅ-Ｎｉ系合金またはＣｕ系合金か
らなる金属板をエッチングすることによって形成され
る。
１５〜０．２mmのＦｅ-Ｎｉ系合金またはＣｕ系合金か
らなる金属板をエッチングすることによって形成され
る。
【００２３】前記補強プレート２は、リードフレーム本
体部１と同じ材質の金属板である。
体部１と同じ材質の金属板である。
【００２４】以下、本実施例の補強プレート付リードフ
レームを用いて樹脂封止型半導体装置を組み立てる方法
について説明する。
レームを用いて樹脂封止型半導体装置を組み立てる方法
について説明する。
【００２５】初めに、補強プレート２上にリードフレー
ム本体部１を載せ、両者のピン嵌入用取付孔の位置を合
わせたうえでピン嵌入用取付孔に取付ピン３をリードフ
レーム本体部１側から嵌入して、リードフレーム本体部
１に補強プレート２を取り付ける。次に、リードフレー
ムは、補強プレート２が取り付けられた状態のまま、リ
ード-チップ接続工程に入る。この工程では、まず、ダ
イパッド１ｂに接着材６を塗布し、その上に半導体チッ
プ４を接着する（ダイボンディング工程）。この後、半
導体チップ４の電極とインナーリード１ａ2の内端を導
電性のある材料（例えば、金）からなるワイヤ５で接続
する（ワイヤボンディング工程）。図１は、このワイヤ
ボンディング工程の途中にある状態を示したものであ
る。ワイヤボンディング工程が終了したら、図２に示す
ように、リードフレーム本体部１から補強プレート２を
取り外し、この状態のまま、リードフレームは、樹脂封
止工程に入る。
ム本体部１を載せ、両者のピン嵌入用取付孔の位置を合
わせたうえでピン嵌入用取付孔に取付ピン３をリードフ
レーム本体部１側から嵌入して、リードフレーム本体部
１に補強プレート２を取り付ける。次に、リードフレー
ムは、補強プレート２が取り付けられた状態のまま、リ
ード-チップ接続工程に入る。この工程では、まず、ダ
イパッド１ｂに接着材６を塗布し、その上に半導体チッ
プ４を接着する（ダイボンディング工程）。この後、半
導体チップ４の電極とインナーリード１ａ2の内端を導
電性のある材料（例えば、金）からなるワイヤ５で接続
する（ワイヤボンディング工程）。図１は、このワイヤ
ボンディング工程の途中にある状態を示したものであ
る。ワイヤボンディング工程が終了したら、図２に示す
ように、リードフレーム本体部１から補強プレート２を
取り外し、この状態のまま、リードフレームは、樹脂封
止工程に入る。
【００２６】すなわち、本実施例では、樹脂封止工程前
の段階にあってはリードフレームを補強プレート２が取
り付けられた状態に維持し、樹脂封止工程以後の段階に
あってはリードフレームを補強プレート２が取り外され
た状態に維持する。
の段階にあってはリードフレームを補強プレート２が取
り付けられた状態に維持し、樹脂封止工程以後の段階に
あってはリードフレームを補強プレート２が取り外され
た状態に維持する。
【００２７】前記樹脂封止工程では、ダムバー１ｅの内
側の領域をトランスファーモールド法によって樹脂（例
えば、エポキシ系樹脂）で封止する。以後、リードフレ
ーム本体部１の不要部分を切断除去する工程、アウター
リード１ａ1を成形する工程等を経て樹脂封止型半導体
装置が組み立てられる。
側の領域をトランスファーモールド法によって樹脂（例
えば、エポキシ系樹脂）で封止する。以後、リードフレ
ーム本体部１の不要部分を切断除去する工程、アウター
リード１ａ1を成形する工程等を経て樹脂封止型半導体
装置が組み立てられる。
【００２８】なお、樹脂封止工程に入る前に取り外され
た補強プレート２は回収し、再度、チップ・リード接続
工程で使用する。
た補強プレート２は回収し、再度、チップ・リード接続
工程で使用する。
【００２９】以上説明したように、本実施例によれば、
リードフレームに補強プレート２が設けられていて、樹
脂封止工程前の段階においてリードフレームを補強プレ
ート２が取り付けられた状態に維持することにより、リ
ードフレームがリードフレーム本体部１よりも肉厚の状
態に維持され、外力に対する耐性が増すので、この段階
におけるリードフレーム本体部１の変形及びこれに起因
するボンディング不良等を防止することができる。
リードフレームに補強プレート２が設けられていて、樹
脂封止工程前の段階においてリードフレームを補強プレ
ート２が取り付けられた状態に維持することにより、リ
ードフレームがリードフレーム本体部１よりも肉厚の状
態に維持され、外力に対する耐性が増すので、この段階
におけるリードフレーム本体部１の変形及びこれに起因
するボンディング不良等を防止することができる。
【００３０】また、樹脂封止工程以後の段階においてリ
ードフレームを補強プレート２が取り外された状態に維
持することにより、最終的な完成品段階における半導体
装置には補強プレート２の厚みが加えられないので、樹
脂封止型半導体装置の薄型化を損なうことがない。
ードフレームを補強プレート２が取り外された状態に維
持することにより、最終的な完成品段階における半導体
装置には補強プレート２の厚みが加えられないので、樹
脂封止型半導体装置の薄型化を損なうことがない。
【００３１】また、前記実施例によれば、前記実施例に
も示したように、リードフレーム本体部１の厚みを現在
の製造上の限界値である０．１mmまで薄くすることがで
きるので、リードピッチも従来のものより微細となり、
樹脂封止型半導体装置の小型・薄型・多ピン化を実現す
ることができる。
も示したように、リードフレーム本体部１の厚みを現在
の製造上の限界値である０．１mmまで薄くすることがで
きるので、リードピッチも従来のものより微細となり、
樹脂封止型半導体装置の小型・薄型・多ピン化を実現す
ることができる。
【００３２】以上、本発明を実施例にもとづき具体的に
説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能
であることは言うまでもない。
説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能
であることは言うまでもない。
【００３３】例えば、前記実施例では補強プレート２の
材料としてリードフレーム本体部１と同じものを用いた
が、本発明はこれに限定されるものではなく、熱膨張係
数がリードフレーム本体部１と同じくらいで機械的強度
ができるだけ高いものであれば望ましいと考えられる。
材料としてリードフレーム本体部１と同じものを用いた
が、本発明はこれに限定されるものではなく、熱膨張係
数がリードフレーム本体部１と同じくらいで機械的強度
ができるだけ高いものであれば望ましいと考えられる。
【００３４】また、前記実施例ではリードフレーム本体
部１に補強プレート２を着脱可能程度に装着する方法と
してピン嵌入用取付孔に取付ピン３を嵌入する方法を用
いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば、補強プレート２と一体で突起を設け該突起の位置に
合わせてリードフレーム本体部１側に設けられた孔を嵌
め込む方法、リードフレーム本体部１と補強プレート２
とを部分的に接着剤で着脱可能程度に接着する方法、リ
ードフレーム本体部１と補強プレート２とを部分的に溶
接で着脱可能程度に溶着する方法等を用いてもよい。
部１に補強プレート２を着脱可能程度に装着する方法と
してピン嵌入用取付孔に取付ピン３を嵌入する方法を用
いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば、補強プレート２と一体で突起を設け該突起の位置に
合わせてリードフレーム本体部１側に設けられた孔を嵌
め込む方法、リードフレーム本体部１と補強プレート２
とを部分的に接着剤で着脱可能程度に接着する方法、リ
ードフレーム本体部１と補強プレート２とを部分的に溶
接で着脱可能程度に溶着する方法等を用いてもよい。
【００３５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【００３６】（１）樹脂封止型半導体装置の組立て工程
のうち樹脂封止工程前の段階におけるリードフレームの
変形及びこれに起因するボンディング不良等を防止する
ことができる。
のうち樹脂封止工程前の段階におけるリードフレームの
変形及びこれに起因するボンディング不良等を防止する
ことができる。
【００３７】（２）従来よりも小型・薄型・多ピン化さ
れた樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
れた樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【図１】本発明による一実施例の補強プレート付リード
フレームを用いた樹脂封止型半導体装置の組立て方法を
説明するための図で、補強プレートが取り付けられた状
態にあるところを示す図であり、（ａ）図は平面図、
（ｂ）図は（ａ）図中の位置Ａ−Ａにおける断面図であ
る。
フレームを用いた樹脂封止型半導体装置の組立て方法を
説明するための図で、補強プレートが取り付けられた状
態にあるところを示す図であり、（ａ）図は平面図、
（ｂ）図は（ａ）図中の位置Ａ−Ａにおける断面図であ
る。
【図２】本発明による一実施例の補強プレート付リード
フレームを用いた樹脂封止型半導体装置の組立て方法を
説明するための図で、補強プレートが取り外された状態
にあるところを示す図であり、（ａ）図は平面図、
（ｂ）図は（ａ）図中の位置Ａ−Ａにおける断面図であ
る。
フレームを用いた樹脂封止型半導体装置の組立て方法を
説明するための図で、補強プレートが取り外された状態
にあるところを示す図であり、（ａ）図は平面図、
（ｂ）図は（ａ）図中の位置Ａ−Ａにおける断面図であ
る。
１…リードフレーム本体部、１ａ…リード、１ａ1…ア
ウタリード部、１ａ2…インナリード部、１ｂ…ダイパ
ッド、１ｃ…吊りリード、１ｄ…内枠、１ｅ…ダムバ
ー、１ｆ…外枠、２…補強プレート、３…取付ピン、４
…半導体チップ、５…ワイヤ、６…接着剤。
ウタリード部、１ａ2…インナリード部、１ｂ…ダイパ
ッド、１ｃ…吊りリード、１ｄ…内枠、１ｅ…ダムバ
ー、１ｆ…外枠、２…補強プレート、３…取付ピン、４
…半導体チップ、５…ワイヤ、６…接着剤。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩月 敏弘 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームの下部の一部又は全面に
着脱可能な補強プレートを重ねて設け、該補強プレート
と前記リードフレームとを着脱可能に装着する手段を備
えたことを特徴とする補強プレート付リードフレーム。 - 【請求項２】 リードフレームに対して半導体チップを
位置決めし該半導体チップの電極と該リードフレームの
リードとを電気的に接続するチップ・リード接続工程
と、前記半導体チップと前記リードの内端を樹脂で封止
する樹脂封止工程とを有する樹脂封止型半導体装置の組
立て方法において、前記樹脂封止工程前の段階では前記
リードフレームの下部に補強プレートを取り付けた状態
に維持し、前記樹脂封止工程以後の段階では前記リード
フレームから前記補強プレートを取り外した状態に維持
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の組立て方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6164048A JPH0832017A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 補強プレート付リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の組立て方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6164048A JPH0832017A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 補強プレート付リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の組立て方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832017A true JPH0832017A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15785811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6164048A Pending JPH0832017A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 補強プレート付リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の組立て方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832017A (ja) |
-
1994
- 1994-07-15 JP JP6164048A patent/JPH0832017A/ja active Pending
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