JPH08321653A - レーザダイオードの駆動回路 - Google Patents
レーザダイオードの駆動回路Info
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- JPH08321653A JPH08321653A JP8092086A JP9208696A JPH08321653A JP H08321653 A JPH08321653 A JP H08321653A JP 8092086 A JP8092086 A JP 8092086A JP 9208696 A JP9208696 A JP 9208696A JP H08321653 A JPH08321653 A JP H08321653A
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- laser diode
- transistor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザーダイオードの高速変調を可能にする
駆動回路を提供する。 【解決手段】 本発明の駆動回路においては、トランジ
スタの入力にレーザダイオードのレージング状態の電流
よりほんの少し低い一定のバイアス電流と、ショットキ
ーダイオードを通してトランジスタの入力へ分流される
1以上のスイッチング電流とが供給される。この高速駆
動回路は、たとえば「レーザプリンタ」において、また
はディスク書込み装置のための磁気ドライバにおいて、
あるいは光ファイバ通信において、書込みビームを変調
するため使用することができる。
駆動回路を提供する。 【解決手段】 本発明の駆動回路においては、トランジ
スタの入力にレーザダイオードのレージング状態の電流
よりほんの少し低い一定のバイアス電流と、ショットキ
ーダイオードを通してトランジスタの入力へ分流される
1以上のスイッチング電流とが供給される。この高速駆
動回路は、たとえば「レーザプリンタ」において、また
はディスク書込み装置のための磁気ドライバにおいて、
あるいは光ファイバ通信において、書込みビームを変調
するため使用することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザダイオードの高
速変調のための駆動回路に関し、より詳細には、電子写
真式レーザプリンタにおいてディジタルイメージデータ
に応じて書込みビームを発生するのに使用されるレーザ
ダイオードを付勢することに関する。上記の高速駆動回
路は、そのほか、ディスク書込み装置のための磁気ドラ
イバあるいは光ファイバー通信においてレーザビームを
変調するのにも使用できる。
速変調のための駆動回路に関し、より詳細には、電子写
真式レーザプリンタにおいてディジタルイメージデータ
に応じて書込みビームを発生するのに使用されるレーザ
ダイオードを付勢することに関する。上記の高速駆動回
路は、そのほか、ディスク書込み装置のための磁気ドラ
イバあるいは光ファイバー通信においてレーザビームを
変調するのにも使用できる。
【0002】
【従来の技術】米国特許第5,164,745号は、レ
ーザ光を光センサで検出してフリップフロップをプリセ
ットするレーザプリンタを開示している。タイマーはフ
リップフロップからのプリセット出力に従って駆動さ
れ、レーザを駆動してレーザ光を放射させる。第2タイ
マーはフリップフロップのプリセット出力のフロントエ
ッジに応じて駆動され、水平同期信号を生成させる。
ーザ光を光センサで検出してフリップフロップをプリセ
ットするレーザプリンタを開示している。タイマーはフ
リップフロップからのプリセット出力に従って駆動さ
れ、レーザを駆動してレーザ光を放射させる。第2タイ
マーはフリップフロップのプリセット出力のフロントエ
ッジに応じて駆動され、水平同期信号を生成させる。
【0003】米国特許第5,061,949号は、その
図4において、レーザプリンタのレーザダイオードのた
めのトリガー・フィードバック装置を開示している。図
から判るように、レーザダイオードを選択して励起させ
るのに使用されるスイッチSW3の下流の点で、バイア
ス電圧がレーザダイオードに印加される。スイッチSW
3のさらに下流に、レーザダイオードから検出された光
の強度を調整するフィードバック装置がある。
図4において、レーザプリンタのレーザダイオードのた
めのトリガー・フィードバック装置を開示している。図
から判るように、レーザダイオードを選択して励起させ
るのに使用されるスイッチSW3の下流の点で、バイア
ス電圧がレーザダイオードに印加される。スイッチSW
3のさらに下流に、レーザダイオードから検出された光
の強度を調整するフィードバック装置がある。
【0004】米国特許第4,868,675号は、レー
ザスイッチング増幅器を使用してレーザダイオードへ電
流を供給するレーザプリンタのための制御回路を開示し
ている。制御回路はレーザダイオードのターンオン遅れ
時間を補償する補正回路を備えている。補正回路はレー
ザダイオードを制御する入力イメージ信号を補正時間だ
け延長する。
ザスイッチング増幅器を使用してレーザダイオードへ電
流を供給するレーザプリンタのための制御回路を開示し
ている。制御回路はレーザダイオードのターンオン遅れ
時間を補償する補正回路を備えている。補正回路はレー
ザダイオードを制御する入力イメージ信号を補正時間だ
け延長する。
【0005】本発明は、レーザダイオードへ電流を印加
し、レーザダイオードに変調したレーザ光を出力させる
駆動回路を提供する。駆動回路はレーザダイオードに接
続された出力と、入力と、付勢時入力と出力とを接続す
るベースとを有する駆動スイッチを備えている。駆動回
路は、さらに、アースに接続された出力と、入力と、付
勢時入力と出力とを接続するベースを有する接地スイッ
チを備えている。駆動スイッチの入力と接地スイッチの
入力にバイアス電圧源が接続されている。バイアス電圧
源はレーザダイオードのレージング電圧より低い電圧を
与える。駆動スイッチの入力と接地スイッチの入力に接
続されたスイッチング電圧源は、バイアス電圧源の電圧
が組合わさるとレーザダイオードのレージング電圧より
大きな電圧を与える。ビデオセレクタは駆動スイッチの
ベースと接地スイッチのベースの一方を選択して付勢さ
せる。
し、レーザダイオードに変調したレーザ光を出力させる
駆動回路を提供する。駆動回路はレーザダイオードに接
続された出力と、入力と、付勢時入力と出力とを接続す
るベースとを有する駆動スイッチを備えている。駆動回
路は、さらに、アースに接続された出力と、入力と、付
勢時入力と出力とを接続するベースを有する接地スイッ
チを備えている。駆動スイッチの入力と接地スイッチの
入力にバイアス電圧源が接続されている。バイアス電圧
源はレーザダイオードのレージング電圧より低い電圧を
与える。駆動スイッチの入力と接地スイッチの入力に接
続されたスイッチング電圧源は、バイアス電圧源の電圧
が組合わさるとレーザダイオードのレージング電圧より
大きな電圧を与える。ビデオセレクタは駆動スイッチの
ベースと接地スイッチのベースの一方を選択して付勢さ
せる。
【0006】
【発明の実施の形態】図1は、本発明に係るレーザ装置
10の駆動回路100の回路図である。駆動回路100
はレーザダイオード50を駆動するように構成されてい
る。図1の上部にある駆動回路100の一部分102
は、外部電流源から望ましいバイアス電流とレージング
(レーザ動作)電流を生じさせるための基本電源回路を
表す。図において、記号Iswはスイッチング電流を表
し、記号IBIASはバイアス電流を表している。図示した
形態は駆動回路の一実施例として好ましいが、回路10
2には他の形態の電流源も使用可能であることは明らか
であろう。
10の駆動回路100の回路図である。駆動回路100
はレーザダイオード50を駆動するように構成されてい
る。図1の上部にある駆動回路100の一部分102
は、外部電流源から望ましいバイアス電流とレージング
(レーザ動作)電流を生じさせるための基本電源回路を
表す。図において、記号Iswはスイッチング電流を表
し、記号IBIASはバイアス電流を表している。図示した
形態は駆動回路の一実施例として好ましいが、回路10
2には他の形態の電流源も使用可能であることは明らか
であろう。
【0007】回路102の2つの動作変数は、スイッチ
ング電流ISW(一般に、20〜35mA)とバイアス電
流IBIAS(一般に、50mA)である。Iswは、抵抗1
10(140Ω)の抵抗110による電圧降下によって
生じ、IBIASは、トランジスタ114に対する抵抗11
2(100Ω)及びトランジスタ118に対する抵抗1
16(100Ω)における電圧降下によって生じる。図
示のように、電流ISWとIBIASは共にトランジスタ11
4と118の入力側の共通点へ流れる。本発明の好まし
い実施例では、電流を導くトランジスタ114,118
は、ベース接地形態で動作するPNPトランジスタであ
り、図示のように、電流ISWとIBIASはそれらのエミッ
タの所で加算される。
ング電流ISW(一般に、20〜35mA)とバイアス電
流IBIAS(一般に、50mA)である。Iswは、抵抗1
10(140Ω)の抵抗110による電圧降下によって
生じ、IBIASは、トランジスタ114に対する抵抗11
2(100Ω)及びトランジスタ118に対する抵抗1
16(100Ω)における電圧降下によって生じる。図
示のように、電流ISWとIBIASは共にトランジスタ11
4と118の入力側の共通点へ流れる。本発明の好まし
い実施例では、電流を導くトランジスタ114,118
は、ベース接地形態で動作するPNPトランジスタであ
り、図示のように、電流ISWとIBIASはそれらのエミッ
タの所で加算される。
【0008】また、スイッチされた電流ISWは、ショッ
トキーダイオード120,122を通って各トランジス
タのエミッタへ流れる。知られているように、ショット
キーダイオードは多数キャリヤが電流を運ぶ接合部から
成る。このダイオードに順方向バイアスを印加すると、
キャリヤは接合部の金属側に注入され、金属格子に対し
「ホット」のままになる。従って、このようなダイオー
ドは比較的小さい順方向バイアス電圧差によって非常に
高速でスイッチさせることができる。
トキーダイオード120,122を通って各トランジス
タのエミッタへ流れる。知られているように、ショット
キーダイオードは多数キャリヤが電流を運ぶ接合部から
成る。このダイオードに順方向バイアスを印加すると、
キャリヤは接合部の金属側に注入され、金属格子に対し
「ホット」のままになる。従って、このようなダイオー
ドは比較的小さい順方向バイアス電圧差によって非常に
高速でスイッチさせることができる。
【0009】図1から判るように、トランジスタ114
と118のベースは、それぞれ、ビデオセレクタとして
のゲート130の反転出力と非反転出力に接続されてい
て、ゲート130は、各トランジスタのベース電位を、
入力のビデオ信号に応じて2つの相補的な出力電圧の内
の一方に設定する。ゲート130がその2つの安定状態
の一方にあるとき、トランジスタ114のベースはトラ
ンジスタ118のベースより少し高い電位にあり、ゲー
ト130がその他方の安定状態にあるとき、トランジス
タ118のベースはトランジスタ114のベースより少
し高い電位にある。従って、その2つの動作状態を切り
換えると、ゲート130は一方のトランジスタのベース
の電位を他方のそれよりも高くする。両トランジスタは
ベース接地形態で動作しており、カットオフ状態にして
いないので、それに相応して、一方のトランジスタのエ
ミッタは他方のトランジスタのエミッタに対し電位が高
められる。
と118のベースは、それぞれ、ビデオセレクタとして
のゲート130の反転出力と非反転出力に接続されてい
て、ゲート130は、各トランジスタのベース電位を、
入力のビデオ信号に応じて2つの相補的な出力電圧の内
の一方に設定する。ゲート130がその2つの安定状態
の一方にあるとき、トランジスタ114のベースはトラ
ンジスタ118のベースより少し高い電位にあり、ゲー
ト130がその他方の安定状態にあるとき、トランジス
タ118のベースはトランジスタ114のベースより少
し高い電位にある。従って、その2つの動作状態を切り
換えると、ゲート130は一方のトランジスタのベース
の電位を他方のそれよりも高くする。両トランジスタは
ベース接地形態で動作しており、カットオフ状態にして
いないので、それに相応して、一方のトランジスタのエ
ミッタは他方のトランジスタのエミッタに対し電位が高
められる。
【0010】抵抗110からショットキーダイオード1
20と122との接続点へ達した電流ISWは優先的によ
り低い電位にあるトランジスタのエミッタへ流れる。エ
ミッタ結合式ゲートたとえばゲート130の出力電圧の
振れは、一般に、カットオフレベルとISWレベル(20
〜35ma程度)の間で動作するショットキーダイオー
ドの順方向の電圧降下の差より大きい。その結果、全電
流ISWは、より低い電位のエミッタに接続されたショッ
トキーダイオードを通って流れ、そのエミッタへ流れて
いるバイアス電流IBIASに加算され、そのトランジスタ
のコレクタに供給される。トランジスタ114のコレク
タは、図示のように、電流をレーザダイオード50へ供
給し、他方のトランジスタ118のコレクタの電流は、
直接にアースへ流される。従って、バイアス電流IBIAS
は常にトランジスタ114とトランジスタ118をの両
方を通って流れ、ゲート130の状態に応じて、追加の
スイッチング電流が一方または他方のコレクタへ分流さ
れる。ISWがトランジスタ114のエミッタへ分流され
ると、ISWはレーザダイオード50を通って流れ、レー
ザダイオード50は励起し、所望のパワーレベルでレー
ザ光を放射させ、感光体上の画素領域を放電させる。逆
にISWがトランジスタ118のエミッタへ分流される
と、ISWは直接にアースへ流れ、バイアス電流IBIASの
みがレーザダイオード50へ供給され、レーザダイオー
ドはそのレージングスレッショルドより下で動作する。
特許請求の範囲に記載してあるように、駆動スイッチ
(図示実施例ではトランジスタ114)のベースと接地
スイッチ(図示実施例ではトランジスタ118)のベー
スの一方を選択して励起させるように機能するビデオセ
レクタとしてのゲート130は、たとえば相補出力を有
するフリップフロップまたはマイクロプロセッサなど、
適当な出力をもつ他の電子デバイスでも具体化すること
ができる。
20と122との接続点へ達した電流ISWは優先的によ
り低い電位にあるトランジスタのエミッタへ流れる。エ
ミッタ結合式ゲートたとえばゲート130の出力電圧の
振れは、一般に、カットオフレベルとISWレベル(20
〜35ma程度)の間で動作するショットキーダイオー
ドの順方向の電圧降下の差より大きい。その結果、全電
流ISWは、より低い電位のエミッタに接続されたショッ
トキーダイオードを通って流れ、そのエミッタへ流れて
いるバイアス電流IBIASに加算され、そのトランジスタ
のコレクタに供給される。トランジスタ114のコレク
タは、図示のように、電流をレーザダイオード50へ供
給し、他方のトランジスタ118のコレクタの電流は、
直接にアースへ流される。従って、バイアス電流IBIAS
は常にトランジスタ114とトランジスタ118をの両
方を通って流れ、ゲート130の状態に応じて、追加の
スイッチング電流が一方または他方のコレクタへ分流さ
れる。ISWがトランジスタ114のエミッタへ分流され
ると、ISWはレーザダイオード50を通って流れ、レー
ザダイオード50は励起し、所望のパワーレベルでレー
ザ光を放射させ、感光体上の画素領域を放電させる。逆
にISWがトランジスタ118のエミッタへ分流される
と、ISWは直接にアースへ流れ、バイアス電流IBIASの
みがレーザダイオード50へ供給され、レーザダイオー
ドはそのレージングスレッショルドより下で動作する。
特許請求の範囲に記載してあるように、駆動スイッチ
(図示実施例ではトランジスタ114)のベースと接地
スイッチ(図示実施例ではトランジスタ118)のベー
スの一方を選択して励起させるように機能するビデオセ
レクタとしてのゲート130は、たとえば相補出力を有
するフリップフロップまたはマイクロプロセッサなど、
適当な出力をもつ他の電子デバイスでも具体化すること
ができる。
【0011】トランジスタ114または118を電流ス
イッチとして見ると、各電流スイッチの入力に本質的に
一定の値のISWおよびIBIASが加えられ、ISW電流は高
速ショットキーダイオードを通って2つの加算点の1つ
へ選択して分流されることは明らかである。この構成の
実用上の重要性は、トランジスタ114または118が
どんな時でもバイアスオフされないことである。各トラ
ンジスタは、導通状態とカットオフ状態の間でなく、2
つの高い導通状態の間で切り換わる。従って、トランジ
スタ114と118のエミッタ、ベース、コレクタは常
に低インピーダンスで動作している。別個のバイアス電
圧源およびレージング動作電流源のコレクタをレーザダ
イオード入力の所で加算する代わりに、一方のトランジ
スタを通してレーザダイオードへバイアス電流およびレ
ージング電流の両方を供給することによって、レーザダ
イオード入力における寄生容量負荷が減少し、システム
全体の速度が向上する。2つの論理ゲート出力状態の間
の遷移に関するトランジスタ114と118の過渡応答
は、エミッタフォロワのそれであり、一般に、導通状態
とコレクタ電流が完全に遮断される状態の間で遷移する
トランジスタスイッチよりも高速に動作する。
イッチとして見ると、各電流スイッチの入力に本質的に
一定の値のISWおよびIBIASが加えられ、ISW電流は高
速ショットキーダイオードを通って2つの加算点の1つ
へ選択して分流されることは明らかである。この構成の
実用上の重要性は、トランジスタ114または118が
どんな時でもバイアスオフされないことである。各トラ
ンジスタは、導通状態とカットオフ状態の間でなく、2
つの高い導通状態の間で切り換わる。従って、トランジ
スタ114と118のエミッタ、ベース、コレクタは常
に低インピーダンスで動作している。別個のバイアス電
圧源およびレージング動作電流源のコレクタをレーザダ
イオード入力の所で加算する代わりに、一方のトランジ
スタを通してレーザダイオードへバイアス電流およびレ
ージング電流の両方を供給することによって、レーザダ
イオード入力における寄生容量負荷が減少し、システム
全体の速度が向上する。2つの論理ゲート出力状態の間
の遷移に関するトランジスタ114と118の過渡応答
は、エミッタフォロワのそれであり、一般に、導通状態
とコレクタ電流が完全に遮断される状態の間で遷移する
トランジスタスイッチよりも高速に動作する。
【0012】さらに、高出力インピーダンス電流源を必
要としないので、バイアスレベルおよびレージング電流
レベルを実現するのに必要な回路網は簡単である。図1
の好ましい実施例では、抵抗110,112,116が
低インピーダンス電圧ソースで有効に駆動されるよう
に、抵抗105と107はエミッタフォロワトランジス
タ104と106へ低インピーダンス負荷を提供する。
代案として、電流ISWと電流IBIASは、高い電圧コンプ
ライアンスおよび高出力インピーダンスを示すコレクタ
回路の形の電流源で提供することもできる。しかし、こ
れらの回路は、比較的高い出力回路インピーダンと同時
に寄生コレクタキャパシタンスのせいで、図1の好まし
い実施例より長い過渡時定数を有する。
要としないので、バイアスレベルおよびレージング電流
レベルを実現するのに必要な回路網は簡単である。図1
の好ましい実施例では、抵抗110,112,116が
低インピーダンス電圧ソースで有効に駆動されるよう
に、抵抗105と107はエミッタフォロワトランジス
タ104と106へ低インピーダンス負荷を提供する。
代案として、電流ISWと電流IBIASは、高い電圧コンプ
ライアンスおよび高出力インピーダンスを示すコレクタ
回路の形の電流源で提供することもできる。しかし、こ
れらの回路は、比較的高い出力回路インピーダンと同時
に寄生コレクタキャパシタンスのせいで、図1の好まし
い実施例より長い過渡時定数を有する。
【0013】本実施例においては、供給される静的電流
が温度変動(トランジスタベース特性に影響を及ぼす)
に対する補償が図示されていないが、レーザダイオード
の光出力自体が温度の強い関数であるので、かかる温度
補償がなされていることを了解されたい。使用される典
型的なレーザ駆動回路では、レーザダイオード駆動回路
網と一緒に動作する光強度感知装置が平均レーザビーム
パワーを監視して絶えず調整するように使用されるフィ
ードバックループ中で動作が行われる。駆動回路100
はデジタルデータに応じて変調されるので、電流スイッ
チング機能は、実際に、ほとんどのトランジスタスイッ
チよりもかなり高速であり、かつ相当に小さい順方向バ
イアス特性を有するホットキャリヤ・ショットキーダイ
オードによって実行される。10KのECL ロジック2N39
04S を使用し、電流ISWとIBIASが例示した値を使用し
ている図1の回路の場合、スイッチング時間は典型的な
動作状態の下で2ナノ秒よりかなり小さいことを示し
た。
が温度変動(トランジスタベース特性に影響を及ぼす)
に対する補償が図示されていないが、レーザダイオード
の光出力自体が温度の強い関数であるので、かかる温度
補償がなされていることを了解されたい。使用される典
型的なレーザ駆動回路では、レーザダイオード駆動回路
網と一緒に動作する光強度感知装置が平均レーザビーム
パワーを監視して絶えず調整するように使用されるフィ
ードバックループ中で動作が行われる。駆動回路100
はデジタルデータに応じて変調されるので、電流スイッ
チング機能は、実際に、ほとんどのトランジスタスイッ
チよりもかなり高速であり、かつ相当に小さい順方向バ
イアス特性を有するホットキャリヤ・ショットキーダイ
オードによって実行される。10KのECL ロジック2N39
04S を使用し、電流ISWとIBIASが例示した値を使用し
ている図1の回路の場合、スイッチング時間は典型的な
動作状態の下で2ナノ秒よりかなり小さいことを示し
た。
【0014】特許請求の範囲に記載した発明の駆動回路
のもう1つの変形は、必要なとき幾つかの個別の電流レ
ベルをレーザダイオード50へ選択して供給することが
できるレーザ駆動回路を提供することである。そのよう
な駆動回路は、要求された3レベル像を生成する要求に
応じて、潜像を生成するため使用したレーザダイオード
50が別個の低パワーレージングレベルと高パワーレー
ジングレベルで動作する「3レベル」レーザ印刷装置に
役立つことができる。1個のレーザダイオード50から
2つの明確に限定されたレージングレベルを与えるに
は、一般に、2つの別個の動作電流を選択して加えるこ
とが可能でなければならない。もちろん、その2つの電
流はレーザダイオード50のレージングしきい値より大
きい。
のもう1つの変形は、必要なとき幾つかの個別の電流レ
ベルをレーザダイオード50へ選択して供給することが
できるレーザ駆動回路を提供することである。そのよう
な駆動回路は、要求された3レベル像を生成する要求に
応じて、潜像を生成するため使用したレーザダイオード
50が別個の低パワーレージングレベルと高パワーレー
ジングレベルで動作する「3レベル」レーザ印刷装置に
役立つことができる。1個のレーザダイオード50から
2つの明確に限定されたレージングレベルを与えるに
は、一般に、2つの別個の動作電流を選択して加えるこ
とが可能でなければならない。もちろん、その2つの電
流はレーザダイオード50のレージングしきい値より大
きい。
【0015】図2は、レーザダイオード50の上記の3
レベル制御に適した本発明に係る駆動回路の関連部分を
示す。図2において、同じ参照番号は図1と同じ構成要
素を示す。図から判るように、バイアス電流IBIASは抵
抗112によって直接トランジスタ114のエミッタへ
供給され、第1スイッチング電流ISW1 は必要なときシ
ョットキーダイオード120aを通してトランジスタ1
14のエミッタへ選択して加えることができる。第1ス
イッチング電流ISW1 がショットキーダイオード120
aを通ってレーザダイオード50へ流れないように、ト
ランジスタ118aのベース電位が下げられると、第1
スイッチング電流ISW1 はショットキーダイオード12
2aとトランジスタ118aを通してアースへ分流され
る。図1に含まれている上記の構成要素のほかに、抵抗
110bによって設定され、第2ショットキーダイオー
ド120bを通してトランジスタ114のエミッタへ選
択して加えることができる第2スイッチング電流ISW2
を提供する手段が設けられている。第2スイッチング電
流ISW2 はIBIASおよびISW1 と同じ接続点へ加えら
れ、トランジスタ114のエミッタ入力において前から
存在する電流に加算される。ISW1 の場合と同様に、第
2スイッチング電流ISW2 がショットキーダイオード1
20bを通ってレーザダイオード50へ流れないよう
に、トランジスタ118bのベース電位が設定される
と、第2スイッチング電流ISW2 はショットキーダイオ
ード122bおよびトランジスタ118bを通してアー
スへ分流される。
レベル制御に適した本発明に係る駆動回路の関連部分を
示す。図2において、同じ参照番号は図1と同じ構成要
素を示す。図から判るように、バイアス電流IBIASは抵
抗112によって直接トランジスタ114のエミッタへ
供給され、第1スイッチング電流ISW1 は必要なときシ
ョットキーダイオード120aを通してトランジスタ1
14のエミッタへ選択して加えることができる。第1ス
イッチング電流ISW1 がショットキーダイオード120
aを通ってレーザダイオード50へ流れないように、ト
ランジスタ118aのベース電位が下げられると、第1
スイッチング電流ISW1 はショットキーダイオード12
2aとトランジスタ118aを通してアースへ分流され
る。図1に含まれている上記の構成要素のほかに、抵抗
110bによって設定され、第2ショットキーダイオー
ド120bを通してトランジスタ114のエミッタへ選
択して加えることができる第2スイッチング電流ISW2
を提供する手段が設けられている。第2スイッチング電
流ISW2 はIBIASおよびISW1 と同じ接続点へ加えら
れ、トランジスタ114のエミッタ入力において前から
存在する電流に加算される。ISW1 の場合と同様に、第
2スイッチング電流ISW2 がショットキーダイオード1
20bを通ってレーザダイオード50へ流れないよう
に、トランジスタ118bのベース電位が設定される
と、第2スイッチング電流ISW2 はショットキーダイオ
ード122bおよびトランジスタ118bを通してアー
スへ分流される。
【0016】このやり方で、駆動トランジスタ114と
接地トランジスタ118a,118bを動作させる制御
装置を用いて、任意のバイアス電流IBIASと2つの別個
の電流ISW1 とISW2 を加え、各画素において2つの所
定の電荷レベルの一方のレーザまで感光体を放電させる
ことができる。スイッチング電流ISW1 またはISW2は
等しくても、等しくなくてもよい。第1スイッチング電
流がレーザダイオード50の低パワーレージング状態を
励起し、第2スイッチング電流がレーザダイオード50
の高ハワーレージング状態を励起するように、ISW1 ま
たはISW2 は独立に動作させることができる。代わり
に、レーザダイオード50の低パワーレージング状態を
励起させるため第1スイッチング電流を加え、必要なと
きレーザダイオード50の高パワーレージング状態を励
起させるため第2スイッチング電流を第1スイッチング
電流に組合わせてもよい。
接地トランジスタ118a,118bを動作させる制御
装置を用いて、任意のバイアス電流IBIASと2つの別個
の電流ISW1 とISW2 を加え、各画素において2つの所
定の電荷レベルの一方のレーザまで感光体を放電させる
ことができる。スイッチング電流ISW1 またはISW2は
等しくても、等しくなくてもよい。第1スイッチング電
流がレーザダイオード50の低パワーレージング状態を
励起し、第2スイッチング電流がレーザダイオード50
の高ハワーレージング状態を励起するように、ISW1 ま
たはISW2 は独立に動作させることができる。代わり
に、レーザダイオード50の低パワーレージング状態を
励起させるため第1スイッチング電流を加え、必要なと
きレーザダイオード50の高パワーレージング状態を励
起させるため第2スイッチング電流を第1スイッチング
電流に組合わせてもよい。
【0017】図1および図2の両回路構成を参照するこ
とにより、電子技術に詳しい専門家は、もし比較的高い
コレクタ電流ゲインのエンベロープの範囲内で動作する
ようにトランジスタを強制すれば、ベース接地形態で動
作しているトランジスタ114の入力接続点における電
流の加算が本質的に線形であることを理解されるであろ
う。しかし、トランジスタ114のエミッタからベース
の順方向電圧降下は正味エミッタ電流の関数として多少
変化するので、抵抗110および112によってエミッ
タノードへ手渡される個々の電流は相互に完全に独立し
ていない。この相互作用は1〜2%程度に過ぎないの
で、回路102の電流制御入力を調整することにより容
易に補償される。2つの平均レーザビームパワーレベル
を監視し、絶えず調整するフィードバックループと組み
合わせて本発明を使用するレーザ制御装置は、電流の相
互作用を同様にうまく自動的に補償するであろう。
とにより、電子技術に詳しい専門家は、もし比較的高い
コレクタ電流ゲインのエンベロープの範囲内で動作する
ようにトランジスタを強制すれば、ベース接地形態で動
作しているトランジスタ114の入力接続点における電
流の加算が本質的に線形であることを理解されるであろ
う。しかし、トランジスタ114のエミッタからベース
の順方向電圧降下は正味エミッタ電流の関数として多少
変化するので、抵抗110および112によってエミッ
タノードへ手渡される個々の電流は相互に完全に独立し
ていない。この相互作用は1〜2%程度に過ぎないの
で、回路102の電流制御入力を調整することにより容
易に補償される。2つの平均レーザビームパワーレベル
を監視し、絶えず調整するフィードバックループと組み
合わせて本発明を使用するレーザ制御装置は、電流の相
互作用を同様にうまく自動的に補償するであろう。
【0018】上記の実施例において、アースへの電流経
路にショットキーダイオード122を組み入れることに
よる利点は、回路対称性を与えることによって標準論理
入力とのインタフェースが簡単化されることと、対称的
設計がすぐれた差動温度補償を行うことである。しか
し、これらの事項が重要でない応用においては、トラン
ジスタ118を介してアースへの電流経路を提供する図
1および図2の追加のショットキーダイオード122を
省くことができ、この場合にも、動的回路性能を損なう
ことはない。
路にショットキーダイオード122を組み入れることに
よる利点は、回路対称性を与えることによって標準論理
入力とのインタフェースが簡単化されることと、対称的
設計がすぐれた差動温度補償を行うことである。しか
し、これらの事項が重要でない応用においては、トラン
ジスタ118を介してアースへの電流経路を提供する図
1および図2の追加のショットキーダイオード122を
省くことができ、この場合にも、動的回路性能を損なう
ことはない。
【0019】以上、電子写真式プリンタ用のラスタ出力
スキャナにおいて書込みビームを生成する特定の応用に
ついて本発明を説明したが、レーザダイオードの高速変
調の基本的原理は、さらに、多くの応用たとえば磁気デ
ィスクの書込みまたは光ファィバ通信に適用することが
できる。
スキャナにおいて書込みビームを生成する特定の応用に
ついて本発明を説明したが、レーザダイオードの高速変
調の基本的原理は、さらに、多くの応用たとえば磁気デ
ィスクの書込みまたは光ファィバ通信に適用することが
できる。
【図1】本発明に係る駆動回路の一実施例の略図であ
る。
る。
【図2】本発明に係る駆動回路の別の実施例の略図であ
る。
る。
10 レーザ装置 50 レーザダイオード 100 本発明の駆動回路 102 駆動回路の一部分 104,106 エミッタホロワトランジスタ 105,107 抵抗 110 抵抗 112 抵抗 114 トランジスタ(駆動スイッチ) 116 抵抗 118 トランジスタ(接地スイッチ) 120,122 ショットキーダイオード 130 ゲート(ビデオセレクタ)
Claims (3)
- 【請求項1】 レーザダイオードに電圧を印加して変調
したレーザビームを出力させる駆動回路において、 レーザダイオードに接続された出力と、入力と、付勢時
入力と出力とを接続するベースとを有する駆動スイッチ
と;アースに接続された出力と、入力と、付勢時入力と
出力とを接続するベースを有する接地スイッチと;前記
駆動スイッチの入力と前記接地スイッチの入力とに接続
されていて、レーザダイオードのレージング電圧より低
い電圧を与えるバイアス電圧源と;前記駆動スイッチの
入力と前記接地スイッチの入力とに接続されていて、前
記バイアス電圧源の電圧が組合わさるとレーザダイオー
ドのレージング電圧より大きな電圧を与えるスイッチン
グ電圧源と;前記駆動スイッチのベースと前記接地スイ
ッチのベースの一方を選択して付勢させるビデオセレク
タとを備えていることを特徴とする駆動回路。 - 【請求項2】 請求項1に記載の駆動回路において、さ
らに、前記スイッチング電圧源と前記駆動スイッチの入
力との間に配置されたショットキーダイオードを備えて
いることを特徴とする駆動回路。 - 【請求項3】 請求項1に記載の駆動回路において、さ
らに、 アースに接続された出力と、入力と、付勢時入力と出力
とを接続するベースを有する第2接地スイッチと;前記
駆動スイッチの入力と前記第2接地スイッチの入力とに
接続されていて、前記バイアス電圧源の電圧が組合わさ
るとレーザダイオードのレージング電圧より大きな電圧
を与える第2スイッチング電圧源と;を備え、 さらに、前記ビデオセレクタは前記第2接地スイッチを
付勢するように構成されていることを特徴とする駆動回
路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/426501 | 1995-04-21 | ||
| US08/426,501 US5651017A (en) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | Drive circuit for high-speed modulation of a laser diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321653A true JPH08321653A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=23691049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8092086A Withdrawn JPH08321653A (ja) | 1995-04-21 | 1996-04-15 | レーザダイオードの駆動回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5651017A (ja) |
| JP (1) | JPH08321653A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5724088A (en) * | 1996-03-27 | 1998-03-03 | Xerox Corporation | High-speed, reflex-controlled laser circuit for an electrophotographic printer |
| JPH1093170A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Fuji Xerox Co Ltd | レーザダイオード駆動回路、レーザダイオード駆動用半導体集積回路、および画像記録装置 |
| US5764667A (en) * | 1996-12-09 | 1998-06-09 | Hewlett-Packard Company | Current steering circuit |
| JP2962263B2 (ja) * | 1997-02-13 | 1999-10-12 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ駆動回路 |
| US6018538A (en) * | 1997-06-18 | 2000-01-25 | Lucent Technologies Inc. | High speed non-biased semiconductor laser dione driver for high speed digital communication |
| US6002699A (en) * | 1998-02-27 | 1999-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor laser drive circuit |
| US6157400A (en) * | 1998-12-15 | 2000-12-05 | Xerox Corporation | Method and apparatus for controlling a pixel clock in a rotating polygon type image forming apparatus |
| US6278476B1 (en) * | 2000-03-09 | 2001-08-21 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus in which a laser beam is applied from a semiconductor laser to scan an image carrier, and method of controlling the apparatus |
| US6351277B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-02-26 | Xerox Corporation | Direct digital synthesis pixel clock generator |
| DE10065838C2 (de) * | 2000-12-29 | 2003-06-26 | Infineon Technologies Ag | Elektronische Treiberschaltung für einen direkt modulierten Halbleiterlaser |
| US6917639B2 (en) * | 2001-08-09 | 2005-07-12 | Ricoh Company, Ltd. | Laser driver circuit |
| US6941080B2 (en) | 2002-07-15 | 2005-09-06 | Triquint Technology Holding Co. | Method and apparatus for directly modulating a laser diode using multi-stage driver circuitry |
| US7649544B2 (en) * | 2005-03-25 | 2010-01-19 | Xerox Corporation | Method and system for improved raster output scan control in an electrophotographic system |
| JP2006264233A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Noritsu Koki Co Ltd | 画像形成装置 |
| US7403215B2 (en) * | 2006-08-22 | 2008-07-22 | Lexmark International, Inc. | Current driver and power control for electrophotographic devices |
| US7643525B2 (en) | 2007-10-31 | 2010-01-05 | Lexmark International, Inc. | Current driver and power control for electrophotographic devices |
| US9305237B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-04-05 | Polestar Technologies, Inc. | Methods and systems for detection and identification of concealed materials |
| US10971893B2 (en) | 2017-02-01 | 2021-04-06 | Hp Indigo B.V. | Laser units |
| CN115102624A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-23 | 南京美辰微电子有限公司 | 一种激光驱动器端口匹配网络 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4685097A (en) * | 1985-07-25 | 1987-08-04 | Laser Magnetic Storage International Company | Power control system for a semiconductor laser |
| NL8701986A (nl) * | 1987-08-25 | 1989-03-16 | Oce Nederland Bv | Besturingsschakeling voor een laserprinter. |
| JP2926764B2 (ja) * | 1989-07-17 | 1999-07-28 | ミノルタ株式会社 | 画像形成装置 |
| JPH03143645A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-19 | Toshiba Corp | 画像形成装置 |
-
1995
- 1995-04-21 US US08/426,501 patent/US5651017A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-15 JP JP8092086A patent/JPH08321653A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5651017A (en) | 1997-07-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030701 |