JPH0832242A - コンデンサ内蔵多層配線基板 - Google Patents
コンデンサ内蔵多層配線基板Info
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- JPH0832242A JPH0832242A JP6186765A JP18676594A JPH0832242A JP H0832242 A JPH0832242 A JP H0832242A JP 6186765 A JP6186765 A JP 6186765A JP 18676594 A JP18676594 A JP 18676594A JP H0832242 A JPH0832242 A JP H0832242A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 50
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 19
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 15
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 72
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 50
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 32
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 66
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 29
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 17
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000012615 aggregate Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- CJJMLLCUQDSZIZ-UHFFFAOYSA-N oxobismuth Chemical class [Bi]=O CJJMLLCUQDSZIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical group O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 鉛系ペロブスカイト化合物を含む誘電体層を
有するコンデンサ部を内蔵する多層配線基板において、
焼成時の誘電体層の誘電率劣化を抑える。 【構成】 一対のガラス−セラミックス複合基板４１，
４２の間に、誘電体層２および電極層３１，３２を有す
るコンデンサ部を内蔵し、コンデンサ部と各ガラス−セ
ラミックス複合基板との間に緩衝層７１，７２を有し、
誘電体層２が誘電体材料として鉛系ペロブスカイト化合
物を含み、緩衝層７１，７２が緩衝材として鉛系パイロ
クロア化合物を含む。緩衝層７１，７２には、低温焼成
化のために、添加材としてＣｕＯ、Ｖ2 Ｏ5 およびＢ2
Ｏ3 から選択される少なくとも１種の酸化物を必要に応
じて添加する。
有するコンデンサ部を内蔵する多層配線基板において、
焼成時の誘電体層の誘電率劣化を抑える。 【構成】 一対のガラス−セラミックス複合基板４１，
４２の間に、誘電体層２および電極層３１，３２を有す
るコンデンサ部を内蔵し、コンデンサ部と各ガラス−セ
ラミックス複合基板との間に緩衝層７１，７２を有し、
誘電体層２が誘電体材料として鉛系ペロブスカイト化合
物を含み、緩衝層７１，７２が緩衝材として鉛系パイロ
クロア化合物を含む。緩衝層７１，７２には、低温焼成
化のために、添加材としてＣｕＯ、Ｖ2 Ｏ5 およびＢ2
Ｏ3 から選択される少なくとも１種の酸化物を必要に応
じて添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサ部を有する
多層配線基板に関する。
多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】回路基板の配線の高密度化のために、多
層配線基板にコンデンサを内蔵することが提案されてい
る｛エレクトロセラミックvol.18, ５号（１９８７
年）｝。このような多層配線基板を製造する際には、導
体材料、誘電体材料および基板材料を同時に焼成する必
要がある。このときの焼成温度は、通常、導体材料の融
点未満とするため、特性が良好で安価だが融点の低いＡ
ｇやＡｇ−Ｐｄを導体材料に用いる場合には、焼成温度
の低いガラス−セラミックス複合基板材料を用いる必要
がある。ガラス−セラミックス複合基板材料は、Ａｌ2
Ｏ3 等の骨材の他にガラス粉を含有するものであり、こ
のガラス粉には、軟化点を下げて骨材に対する濡れ性を
よくするために、例えば特開平２−２３０６０６号公報
に記載されているようにＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 との合計含
有率が３０重量％程度以上のものが用いられている。ま
た、導体層の収縮率を調整して多層基板の反りやクラッ
ク、デラミネーションを防ぐために、導体層にもガラス
粉を添加することが一般的である。このガラス粉は、導
体層の接着性を向上する作用も有する。導体層に含ませ
るガラス粉には、基板と導体層との熱膨張率の差を小さ
くするために、基板に含ませるガラス粉の組成に近いＳ
ｉＯ2 含有率の高いものが用いられている。
層配線基板にコンデンサを内蔵することが提案されてい
る｛エレクトロセラミックvol.18, ５号（１９８７
年）｝。このような多層配線基板を製造する際には、導
体材料、誘電体材料および基板材料を同時に焼成する必
要がある。このときの焼成温度は、通常、導体材料の融
点未満とするため、特性が良好で安価だが融点の低いＡ
ｇやＡｇ−Ｐｄを導体材料に用いる場合には、焼成温度
の低いガラス−セラミックス複合基板材料を用いる必要
がある。ガラス−セラミックス複合基板材料は、Ａｌ2
Ｏ3 等の骨材の他にガラス粉を含有するものであり、こ
のガラス粉には、軟化点を下げて骨材に対する濡れ性を
よくするために、例えば特開平２−２３０６０６号公報
に記載されているようにＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 との合計含
有率が３０重量％程度以上のものが用いられている。ま
た、導体層の収縮率を調整して多層基板の反りやクラッ
ク、デラミネーションを防ぐために、導体層にもガラス
粉を添加することが一般的である。このガラス粉は、導
体層の接着性を向上する作用も有する。導体層に含ませ
るガラス粉には、基板と導体層との熱膨張率の差を小さ
くするために、基板に含ませるガラス粉の組成に近いＳ
ｉＯ2 含有率の高いものが用いられている。
【０００３】小型で高容量のコンデンサとするためには
誘電率の高い誘電体材料を用いる必要があるが、鉛系ペ
ロブスカイト化合物は比誘電率が１００００以上と高
く、しかもＡｇとの同時焼成が可能であるため期待され
ている。しかし、鉛系ペロブスカイト化合物を実際に多
層配線基板の内蔵コンデンサに適用すると期待されるほ
どの高容量は得られないので、誘電体材料が劣化してい
ると考えられる。
誘電率の高い誘電体材料を用いる必要があるが、鉛系ペ
ロブスカイト化合物は比誘電率が１００００以上と高
く、しかもＡｇとの同時焼成が可能であるため期待され
ている。しかし、鉛系ペロブスカイト化合物を実際に多
層配線基板の内蔵コンデンサに適用すると期待されるほ
どの高容量は得られないので、誘電体材料が劣化してい
ると考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の研究の結
果、基板や導体に含まれるガラス粉からＳｉおよびＢが
焼成時に拡散して誘電体層中に侵入し、このＳｉやＢに
より鉛系ペロブスカイト化合物が分解されて誘電率の低
いパイロクロア系化合物が形成され、このため高誘電率
が得られないことが判明した。
果、基板や導体に含まれるガラス粉からＳｉおよびＢが
焼成時に拡散して誘電体層中に侵入し、このＳｉやＢに
より鉛系ペロブスカイト化合物が分解されて誘電率の低
いパイロクロア系化合物が形成され、このため高誘電率
が得られないことが判明した。
【０００５】本発明の目的は、鉛系ペロブスカイト化合
物を含む誘電体層を有するコンデンサ部を内蔵する多層
配線基板において、焼成時の誘電体層の誘電率劣化を抑
えることである。
物を含む誘電体層を有するコンデンサ部を内蔵する多層
配線基板において、焼成時の誘電体層の誘電率劣化を抑
えることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（６）のいずれかの構成により達成される。 （１）一対のガラス−セラミックス複合基板の間に、誘
電体層および電極層を有するコンデンサ部を内蔵し、コ
ンデンサ部と各ガラス−セラミックス複合基板との間に
緩衝層を有し、誘電体層が誘電体材料として鉛系ペロブ
スカイト化合物を含み、緩衝層が緩衝材として鉛系パイ
ロクロア化合物を含むことを特徴とするコンデンサ内蔵
多層配線基板。 （２）鉛系パイロクロア化合物としてＰｂ3 Ｎｂ4 Ｏ13
を含む上記（１）のコンデンサ内蔵多層配線基板。 （３）鉛系パイロクロア化合物としてＰｂ、Ｍｇおよび
Ｎｂを構成成分とする複合酸化物を含む上記（１）また
は（２）のコンデンサ内蔵多層配線基板。 （４）Ｐｂ、ＭｇおよびＮｂを構成成分とする複合酸化
物として、Ｐｂ2 Ｍｇ0.25Ｎｂ1.75Ｏ6.625 、Ｐｂ1.83
Ｍｇ0.29Ｎｂ1.71Ｏ6.39、Ｐｂ2 Ｍｇ0.06Ｎｂ1.94Ｏ
6.91およびＰｂ2 Ｍｇ0.16Ｎｂ1.84Ｏ6.76から選択され
る少なくとも１種を含む上記（３）のコンデンサ内蔵多
層配線基板。 （５）緩衝層が添加材としてＣｕＯ、Ｖ2 Ｏ5 およびＢ
2 Ｏ3 から選択される少なくとも１種の酸化物を含み、
鉛系パイロクロア化合物１００重量部に対するＣｕＯ＋
Ｖ2 Ｏ5 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有量が２０重量部以下である上
記（１）〜（４）のいずれかのコンデンサ内蔵多層配線
基板。 （６）緩衝層の５０〜７５０℃における平均熱膨張率が
６．５×１０-6〜１０．０×１０-6／℃である上記
（１）〜（５）のいずれかのコンデンサ内蔵多層配線基
板。
（１）〜（６）のいずれかの構成により達成される。 （１）一対のガラス−セラミックス複合基板の間に、誘
電体層および電極層を有するコンデンサ部を内蔵し、コ
ンデンサ部と各ガラス−セラミックス複合基板との間に
緩衝層を有し、誘電体層が誘電体材料として鉛系ペロブ
スカイト化合物を含み、緩衝層が緩衝材として鉛系パイ
ロクロア化合物を含むことを特徴とするコンデンサ内蔵
多層配線基板。 （２）鉛系パイロクロア化合物としてＰｂ3 Ｎｂ4 Ｏ13
を含む上記（１）のコンデンサ内蔵多層配線基板。 （３）鉛系パイロクロア化合物としてＰｂ、Ｍｇおよび
Ｎｂを構成成分とする複合酸化物を含む上記（１）また
は（２）のコンデンサ内蔵多層配線基板。 （４）Ｐｂ、ＭｇおよびＮｂを構成成分とする複合酸化
物として、Ｐｂ2 Ｍｇ0.25Ｎｂ1.75Ｏ6.625 、Ｐｂ1.83
Ｍｇ0.29Ｎｂ1.71Ｏ6.39、Ｐｂ2 Ｍｇ0.06Ｎｂ1.94Ｏ
6.91およびＰｂ2 Ｍｇ0.16Ｎｂ1.84Ｏ6.76から選択され
る少なくとも１種を含む上記（３）のコンデンサ内蔵多
層配線基板。 （５）緩衝層が添加材としてＣｕＯ、Ｖ2 Ｏ5 およびＢ
2 Ｏ3 から選択される少なくとも１種の酸化物を含み、
鉛系パイロクロア化合物１００重量部に対するＣｕＯ＋
Ｖ2 Ｏ5 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有量が２０重量部以下である上
記（１）〜（４）のいずれかのコンデンサ内蔵多層配線
基板。 （６）緩衝層の５０〜７５０℃における平均熱膨張率が
６．５×１０-6〜１０．０×１０-6／℃である上記
（１）〜（５）のいずれかのコンデンサ内蔵多層配線基
板。
【０００７】
【作用および効果】本発明が適用される多層配線基板
は、一対のガラス−セラミックス複合基板の間にコンデ
ンサ部を有し、このコンデンサ部の誘電体層は、誘電体
材料として鉛系ペロブスカイト化合物を含む。本発明で
は、コンデンサ部と各ガラス−セラミックス複合基板と
の間に、緩衝層を設ける。緩衝層は、ペロブスカイト構
造に比べて非常に安定なパイロクロア構造をもつ鉛系化
合物を主体とする。従来のコンデンサ内蔵多層配線基板
では、焼成時に基板中のガラスからガラス成分（特にＳ
ｉおよびＢ）が拡散して誘電体層の鉛系ペロブスカイト
化合物が分解され、誘電率の劣化が生じていたが、本発
明ではガラス成分は緩衝層でほとんど阻止されるため、
鉛系ペロブスカイト化合物の分解が抑えられ、本来の高
誘電率が得られる。
は、一対のガラス−セラミックス複合基板の間にコンデ
ンサ部を有し、このコンデンサ部の誘電体層は、誘電体
材料として鉛系ペロブスカイト化合物を含む。本発明で
は、コンデンサ部と各ガラス−セラミックス複合基板と
の間に、緩衝層を設ける。緩衝層は、ペロブスカイト構
造に比べて非常に安定なパイロクロア構造をもつ鉛系化
合物を主体とする。従来のコンデンサ内蔵多層配線基板
では、焼成時に基板中のガラスからガラス成分（特にＳ
ｉおよびＢ）が拡散して誘電体層の鉛系ペロブスカイト
化合物が分解され、誘電率の劣化が生じていたが、本発
明ではガラス成分は緩衝層でほとんど阻止されるため、
鉛系ペロブスカイト化合物の分解が抑えられ、本来の高
誘電率が得られる。
【０００８】なお、特開平３−４５５８４号公報には、
低温焼成のセラミック回路基板はガラス成分を多く含ん
でいるため、コンデンサを内蔵させる場合に電極が緻密
でないと回路基板材料内のガラス成分が誘電体内に拡散
して誘電率を低下させる旨の記載がある。そして、この
ガラス成分の拡散を防ぐために、電極用の導体材料にＡ
ｌ2 Ｏ3 を含ませて緻密化することを提案している。し
かし、同公報では、導体材料に含ませるガラス粉として
ホウケイ酸亜鉛系ガラスを用いているので、このガラス
粉からのＳｉおよびＢの拡散により誘電体材料が劣化し
てしまう。なお、ホウケイ酸亜鉛ガラスのＳｉＯ2 ＋Ｂ
2 Ｏ3 含有率は、通常、３０〜７０重量％程度である。
低温焼成のセラミック回路基板はガラス成分を多く含ん
でいるため、コンデンサを内蔵させる場合に電極が緻密
でないと回路基板材料内のガラス成分が誘電体内に拡散
して誘電率を低下させる旨の記載がある。そして、この
ガラス成分の拡散を防ぐために、電極用の導体材料にＡ
ｌ2 Ｏ3 を含ませて緻密化することを提案している。し
かし、同公報では、導体材料に含ませるガラス粉として
ホウケイ酸亜鉛系ガラスを用いているので、このガラス
粉からのＳｉおよびＢの拡散により誘電体材料が劣化し
てしまう。なお、ホウケイ酸亜鉛ガラスのＳｉＯ2 ＋Ｂ
2 Ｏ3 含有率は、通常、３０〜７０重量％程度である。
【０００９】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】図１に、コンデンサ内蔵多層配線基板のコ
ンデンサ部付近の部分断面図を示す。同図では、誘電体
層２が電極層３１、３２で挟まれてコンデンサ部が構成
され、コンデンサ部がガラス−セラミックス複合基板４
１、４２に挟まれている。ガラス−セラミックス複合基
板４１、４２の外表面には、それぞれ端子電極５１、５
２が設けられており、これらの端子電極は、スルーホー
ル６１、６２内に充填された導体によりそれぞれ電極層
３１、３２に接続されている。そして、ガラス−セラミ
ックス複合基板４１、４２と電極層３１、３２との間に
は、それぞれ緩衝層７１、７２が設けられている。
ンデンサ部付近の部分断面図を示す。同図では、誘電体
層２が電極層３１、３２で挟まれてコンデンサ部が構成
され、コンデンサ部がガラス−セラミックス複合基板４
１、４２に挟まれている。ガラス−セラミックス複合基
板４１、４２の外表面には、それぞれ端子電極５１、５
２が設けられており、これらの端子電極は、スルーホー
ル６１、６２内に充填された導体によりそれぞれ電極層
３１、３２に接続されている。そして、ガラス−セラミ
ックス複合基板４１、４２と電極層３１、３２との間に
は、それぞれ緩衝層７１、７２が設けられている。
【００１１】本発明の多層配線基板は、通常、印刷法ま
たはシート法により製造する。印刷法では、スルーホー
ルを穿孔したガラス−セラミックス複合基板のグリーン
シートに、緩衝材ペーストを印刷し、次いで導体ペース
トおよび誘電体ペーストを所定の積層数となるように交
互に印刷し、さらに緩衝材ペーストを印刷した後、ガラ
ス−セラミックス複合基板のグリーンシートを重ね、焼
成する。一方、シート法では、誘電体のグリーンシート
に導体ペーストを印刷した積層体を作製し、ガラス−セ
ラミックス複合基板のグリーンシートに緩衝材ペースト
と導体ペーストとを印刷したものに前記積層体を所定数
重ね、さらに緩衝材ペーストを印刷した後、ガラス−セ
ラミックス複合基板のグリーンシートを重ね、焼成す
る。なお、緩衝材はグリーンシート化して用いてもよ
い。そして、焼成後、ガラス−セラミックス複合基板の
表面に端子電極用ペーストを所定パターンに形成して焼
成し、端子電極を形成する。なお、端子電極は、ガラス
−セラミックス複合基板や誘電体層などと同時に焼成し
てもよい。
たはシート法により製造する。印刷法では、スルーホー
ルを穿孔したガラス−セラミックス複合基板のグリーン
シートに、緩衝材ペーストを印刷し、次いで導体ペース
トおよび誘電体ペーストを所定の積層数となるように交
互に印刷し、さらに緩衝材ペーストを印刷した後、ガラ
ス−セラミックス複合基板のグリーンシートを重ね、焼
成する。一方、シート法では、誘電体のグリーンシート
に導体ペーストを印刷した積層体を作製し、ガラス−セ
ラミックス複合基板のグリーンシートに緩衝材ペースト
と導体ペーストとを印刷したものに前記積層体を所定数
重ね、さらに緩衝材ペーストを印刷した後、ガラス−セ
ラミックス複合基板のグリーンシートを重ね、焼成す
る。なお、緩衝材はグリーンシート化して用いてもよ
い。そして、焼成後、ガラス−セラミックス複合基板の
表面に端子電極用ペーストを所定パターンに形成して焼
成し、端子電極を形成する。なお、端子電極は、ガラス
−セラミックス複合基板や誘電体層などと同時に焼成し
てもよい。
【００１２】焼成により緩衝層となる緩衝材ペースト
は、緩衝材およびビヒクルを含む。本発明では、緩衝材
として鉛系パイロクロア化合物を用いる。鉛系パイロク
ロア化合物としては、Ｐｂ3 Ｎｂ4 Ｏ13を用いることが
好ましい。また、鉛系パイロクロア化合物として、Ｐ
ｂ、ＭｇおよびＮｂを構成成分とする複合酸化物も好ま
しい。このような複合酸化物としては、Ｐｂ2 Ｍｇ0.25
Ｎｂ1.75Ｏ6.625 、Ｐｂ1. 83Ｍｇ0.29Ｎｂ1.71Ｏ6.39、
Ｐｂ2 Ｍｇ0.06Ｎｂ1.94Ｏ6.91およびＰｂ2 Ｍｇ0. 16Ｎ
ｂ1.84Ｏ6.76から選択される少なくとも１種が好まし
く、これらとＰｂ3 Ｎｂ4 Ｏ13とを併用してもよい。
は、緩衝材およびビヒクルを含む。本発明では、緩衝材
として鉛系パイロクロア化合物を用いる。鉛系パイロク
ロア化合物としては、Ｐｂ3 Ｎｂ4 Ｏ13を用いることが
好ましい。また、鉛系パイロクロア化合物として、Ｐ
ｂ、ＭｇおよびＮｂを構成成分とする複合酸化物も好ま
しい。このような複合酸化物としては、Ｐｂ2 Ｍｇ0.25
Ｎｂ1.75Ｏ6.625 、Ｐｂ1. 83Ｍｇ0.29Ｎｂ1.71Ｏ6.39、
Ｐｂ2 Ｍｇ0.06Ｎｂ1.94Ｏ6.91およびＰｂ2 Ｍｇ0. 16Ｎ
ｂ1.84Ｏ6.76から選択される少なくとも１種が好まし
く、これらとＰｂ3 Ｎｂ4 Ｏ13とを併用してもよい。
【００１３】ペースト中の鉛系パイロクロア化合物粉末
の平均粒径は、好ましくは０．１〜１０μm である。平
均粒径が小さすぎると脱バインダ性が悪くなり、大きす
ぎると印刷性が悪くなったり緻密な焼結が難しくなった
りするため、好ましくない。
の平均粒径は、好ましくは０．１〜１０μm である。平
均粒径が小さすぎると脱バインダ性が悪くなり、大きす
ぎると印刷性が悪くなったり緻密な焼結が難しくなった
りするため、好ましくない。
【００１４】緩衝層には、添加材としてＣｕＯ、Ｖ2 Ｏ
5 およびＢ2 Ｏ3 から選択される少なくとも１種の酸化
物が含まれることが好ましい。緩衝材である鉛系パイロ
クロア化合物は、９５０℃程度以下で緻密に焼結するこ
とが困難であるため、Ａｇを用いた導体ペーストとの同
時焼成が難しい。しかし、これらの添加材を添加するこ
とにより低温での緻密な焼結が可能となる。また、これ
らの添加材を添加することにより、誘電体層の鉛系ペロ
ブスカイト化合物、特にＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/ 3 ）Ｏ3
と焼結挙動を合わせることができるので、両層ともに緻
密に焼結することができる。また、ガラス−セラミック
ス複合基板と焼結挙動を合わせることも容易となる。
5 およびＢ2 Ｏ3 から選択される少なくとも１種の酸化
物が含まれることが好ましい。緩衝材である鉛系パイロ
クロア化合物は、９５０℃程度以下で緻密に焼結するこ
とが困難であるため、Ａｇを用いた導体ペーストとの同
時焼成が難しい。しかし、これらの添加材を添加するこ
とにより低温での緻密な焼結が可能となる。また、これ
らの添加材を添加することにより、誘電体層の鉛系ペロ
ブスカイト化合物、特にＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/ 3 ）Ｏ3
と焼結挙動を合わせることができるので、両層ともに緻
密に焼結することができる。また、ガラス−セラミック
ス複合基板と焼結挙動を合わせることも容易となる。
【００１５】緩衝層中において、鉛系パイロクロア化合
物１００重量部に対するこれらの添加材の比率は以下の
とおりである。ＣｕＯは、好ましくは２０重量部以下、
より好ましくは０．５〜１０重量部である。ＣｕＯが少
なすぎると添加による効果が不十分となり、多すぎる
と、発泡しやすくなって多層配線基板の強度が劣化し、
取り扱いにくくなる。Ｖ2 Ｏ5 は、好ましくは１０重量
部以下、より好ましくは０．３〜５重量部である。Ｖ2
Ｏ5 が少なすぎると添加による効果が不十分となり、多
すぎると、導体と反応したり拡散したりして誘電体層の
絶縁性が悪くなり、好ましくない。Ｂ2 Ｏ3 は、好まし
くは１０重量部以下、好ましくは０．３〜５重量部であ
る。Ｂ2 Ｏ3 が少なすぎると添加による効果が不十分と
なり、多すぎると、拡散により誘電体層中の鉛系ペロブ
スカイト化合物を分解してしまう。そして、２種以上を
添加する場合には、ＣｕＯ＋Ｖ2 Ｏ5 ＋Ｂ2 Ｏ3 は、好
ましくは２０重量部以下、より好ましくは１０重量部以
下である。ＣｕＯ＋Ｖ2 Ｏ5＋Ｂ2 Ｏ3 が多すぎると、
発泡や絶縁性劣化などの不都合が生じる。
物１００重量部に対するこれらの添加材の比率は以下の
とおりである。ＣｕＯは、好ましくは２０重量部以下、
より好ましくは０．５〜１０重量部である。ＣｕＯが少
なすぎると添加による効果が不十分となり、多すぎる
と、発泡しやすくなって多層配線基板の強度が劣化し、
取り扱いにくくなる。Ｖ2 Ｏ5 は、好ましくは１０重量
部以下、より好ましくは０．３〜５重量部である。Ｖ2
Ｏ5 が少なすぎると添加による効果が不十分となり、多
すぎると、導体と反応したり拡散したりして誘電体層の
絶縁性が悪くなり、好ましくない。Ｂ2 Ｏ3 は、好まし
くは１０重量部以下、好ましくは０．３〜５重量部であ
る。Ｂ2 Ｏ3 が少なすぎると添加による効果が不十分と
なり、多すぎると、拡散により誘電体層中の鉛系ペロブ
スカイト化合物を分解してしまう。そして、２種以上を
添加する場合には、ＣｕＯ＋Ｖ2 Ｏ5 ＋Ｂ2 Ｏ3 は、好
ましくは２０重量部以下、より好ましくは１０重量部以
下である。ＣｕＯ＋Ｖ2 Ｏ5＋Ｂ2 Ｏ3 が多すぎると、
発泡や絶縁性劣化などの不都合が生じる。
【００１６】ペースト中におけるこれらの添加材の平均
粒径は、好ましくは０．０１〜５μm である。平均粒径
が小さすぎると均一に分散させることが困難となり、大
きすぎると焼結助剤としての効果が小さくなり、また、
均一に分散させることが困難となる。
粒径は、好ましくは０．０１〜５μm である。平均粒径
が小さすぎると均一に分散させることが困難となり、大
きすぎると焼結助剤としての効果が小さくなり、また、
均一に分散させることが困難となる。
【００１７】緩衝層中には、鉛系パイロクロア化合物と
添加材以外にも、例えば鉛系ペロブスカイト化合物など
が含まれていてもよいが、鉛系パイロクロア化合物と添
加材とは、合計で緩衝層の５０重量％以上を占めること
が好ましい。
添加材以外にも、例えば鉛系ペロブスカイト化合物など
が含まれていてもよいが、鉛系パイロクロア化合物と添
加材とは、合計で緩衝層の５０重量％以上を占めること
が好ましい。
【００１８】緩衝材ペーストに含まれるビヒクルは、バ
インダおよび溶剤を含む。バインダとしては、エチルセ
ルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブ
チルメタアクリレート等が挙げられ、溶剤としては、テ
ルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトー
ルアセテート、トルエン、アルコール、キシレン等が挙
げられる。また、ビヒクル中には、これらの他、各種分
散剤、活性剤、可塑剤等が、必要に応じて添加される。
ペースト中のビヒクルの含有率は、１０〜２０重量％程
度とすることが好ましい。
インダおよび溶剤を含む。バインダとしては、エチルセ
ルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブ
チルメタアクリレート等が挙げられ、溶剤としては、テ
ルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトー
ルアセテート、トルエン、アルコール、キシレン等が挙
げられる。また、ビヒクル中には、これらの他、各種分
散剤、活性剤、可塑剤等が、必要に応じて添加される。
ペースト中のビヒクルの含有率は、１０〜２０重量％程
度とすることが好ましい。
【００１９】緩衝層の厚さは、好ましくは１０〜１００
μm 、より好ましくは２０〜５０μm である。緩衝層が
薄すぎると誘電体層の保護効果が不十分となる。一方、
緩衝層が厚すぎると、多層配線基板が厚くなって小型化
が難しくなり、集積素子としてのメリットがなくなる。
μm 、より好ましくは２０〜５０μm である。緩衝層が
薄すぎると誘電体層の保護効果が不十分となる。一方、
緩衝層が厚すぎると、多層配線基板が厚くなって小型化
が難しくなり、集積素子としてのメリットがなくなる。
【００２０】焼成により誘電体層となる誘電体ペースト
は、誘電体材料とビヒクルとを含有する。本発明では、
誘電体材料として鉛系ペロブスカイト化合物を用いる。
鉛系ペロブスカイト化合物のうちＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ
1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 およびＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ
3 は特に分解されやすいので、これらの少なくとも１種
を用いた場合に本発明の効果は特に高くなる。鉛系ペロ
ブスカイト化合物全体に対するこれらの化合物の合計含
有率は、好ましくは８０重量％以上である。なお、これ
らの他、ＰｂＴｉＯ3 、ＣｕＯなどを併用してもよい。
ＰｂＴｉＯ3 はキュリー温度を上昇させ、ＣｕＯは焼結
性を向上させる。鉛系ペロブスカイト化合物以外の誘電
体材料を併用してもよいが、鉛系ペロブスカイト化合物
が誘電体材料全体の７０重量％以上であることが好まし
い。
は、誘電体材料とビヒクルとを含有する。本発明では、
誘電体材料として鉛系ペロブスカイト化合物を用いる。
鉛系ペロブスカイト化合物のうちＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ
1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 およびＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ
3 は特に分解されやすいので、これらの少なくとも１種
を用いた場合に本発明の効果は特に高くなる。鉛系ペロ
ブスカイト化合物全体に対するこれらの化合物の合計含
有率は、好ましくは８０重量％以上である。なお、これ
らの他、ＰｂＴｉＯ3 、ＣｕＯなどを併用してもよい。
ＰｂＴｉＯ3 はキュリー温度を上昇させ、ＣｕＯは焼結
性を向上させる。鉛系ペロブスカイト化合物以外の誘電
体材料を併用してもよいが、鉛系ペロブスカイト化合物
が誘電体材料全体の７０重量％以上であることが好まし
い。
【００２１】誘電体材料の平均粒径は、好ましくは０．
１〜１０μm である。平均粒径が小さすぎると脱バイン
ダ性が悪くなり、大きすぎると焼結性が悪くなり、９５
０℃程度以下で焼結することが困難となる。
１〜１０μm である。平均粒径が小さすぎると脱バイン
ダ性が悪くなり、大きすぎると焼結性が悪くなり、９５
０℃程度以下で焼結することが困難となる。
【００２２】誘電体ペーストのビヒクルには、緩衝材ペ
ーストの説明において挙げたものを用いればよい。
ーストの説明において挙げたものを用いればよい。
【００２３】誘電体層の厚さは、目的とする容量などに
応じて適宜決定すればよいが、好ましくは２０〜５０μ
m である。誘電体層が薄すぎると均一な層とすることが
難しくなる。一方、誘電体層が厚すぎると、多層配線基
板が厚くなって小型化が難しくなる。
応じて適宜決定すればよいが、好ましくは２０〜５０μ
m である。誘電体層が薄すぎると均一な層とすることが
難しくなる。一方、誘電体層が厚すぎると、多層配線基
板が厚くなって小型化が難しくなる。
【００２４】本発明では、Ａｇを主体とする導体ペース
トと基板グリーンシートとを同時に焼成するために、酸
化物骨材とガラスとを含むガラス−セラミックス複合基
板を用いる。
トと基板グリーンシートとを同時に焼成するために、酸
化物骨材とガラスとを含むガラス−セラミックス複合基
板を用いる。
【００２５】焼成によりガラス−セラミックス複合基板
となる基板材料は、酸化物骨材とガラス粉とを含有す
る。基板材料として用いるガラス粉は特に限定されず、
従来からガラス−セラミックス複合基板に用いられてい
る通常の組成のものであってよい。このようなガラス粉
としては、例えば、特開平１−１３２１９４号公報に開
示されているＳｉＯ2 −ＳｒＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3
−ＣａＯ−ＢａＯ系ガラスなどが挙げられる。具体的に
は、ガラス−セラミックス複合基板の抗折強度向上、酸
化物骨材に対する濡れ性、端子電極に対する接着性など
を考慮して、例えば軟化点７５０〜８５０℃程度のガラ
スを適宜選択すればよい。
となる基板材料は、酸化物骨材とガラス粉とを含有す
る。基板材料として用いるガラス粉は特に限定されず、
従来からガラス−セラミックス複合基板に用いられてい
る通常の組成のものであってよい。このようなガラス粉
としては、例えば、特開平１−１３２１９４号公報に開
示されているＳｉＯ2 −ＳｒＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3
−ＣａＯ−ＢａＯ系ガラスなどが挙げられる。具体的に
は、ガラス−セラミックス複合基板の抗折強度向上、酸
化物骨材に対する濡れ性、端子電極に対する接着性など
を考慮して、例えば軟化点７５０〜８５０℃程度のガラ
スを適宜選択すればよい。
【００２６】ただし、誘電体層の鉛系ペロブスカイト化
合物の劣化をより抑えるために、ガラス−セラミックス
複合基板に含ませるガラス粉の一部または全部を、後述
する導体ペーストに好ましく用いられるガラス粉と同様
に、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率が２０重量％以下である
ガラス粉としてもよい。
合物の劣化をより抑えるために、ガラス−セラミックス
複合基板に含ませるガラス粉の一部または全部を、後述
する導体ペーストに好ましく用いられるガラス粉と同様
に、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率が２０重量％以下である
ガラス粉としてもよい。
【００２７】ガラス粉の平均粒径は特に限定されない
が、成形性等を考慮して、通常、１〜３μm 程度のもの
を用いる。
が、成形性等を考慮して、通常、１〜３μm 程度のもの
を用いる。
【００２８】基板材料全体に対するガラス粉の含有率
は、５０〜８０重量％とすることが好ましい。ガラス粉
が少なすぎると焼結性が悪化する傾向にあり、多すぎる
とガラス−セラミックス複合基板の抗折強度が低くなる
傾向にある。
は、５０〜８０重量％とすることが好ましい。ガラス粉
が少なすぎると焼結性が悪化する傾向にあり、多すぎる
とガラス−セラミックス複合基板の抗折強度が低くなる
傾向にある。
【００２９】酸化物骨材としては、例えばＡｌ2 Ｏ3 、
フォルステライト、石英、ムライト、コージェライト、
Ｒ2 Ｔｉ2 Ｏ7 （Ｒはランタノイド元素の１種以上）、
Ｃａ2 Ｎｂ2 Ｏ7 、ＭｇＴｉＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 ・ＴｉＯ2 、ＺｒＴｉＯ4 、Ｂａ2 Ｔｉ
9 Ｏ20、Ｓｒ2 Ｎｂ2 Ｏ7 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3 、ＳｒＳｎＯ3 、ＢａＯ・Ｒ2 Ｏ3 ・ｎＴｉＯ2 （Ｒ
はランタノイド元素の１種以上）系等の１種ないし２種
以上を挙げることができる。この場合、用いる酸化物骨
材は、化学量論組成から多少偏倚した組成であってもよ
く、偏倚した組成のものとの混合物、あるいは偏倚した
組成のもの同士の混合物であってもよい。また、さらに
各種酸化物、例えばＢｉ2 Ｏ3 、ＭｎＯ、ＣｕＯ等を添
加したものであってもよい。
フォルステライト、石英、ムライト、コージェライト、
Ｒ2 Ｔｉ2 Ｏ7 （Ｒはランタノイド元素の１種以上）、
Ｃａ2 Ｎｂ2 Ｏ7 、ＭｇＴｉＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 ・ＴｉＯ2 、ＺｒＴｉＯ4 、Ｂａ2 Ｔｉ
9 Ｏ20、Ｓｒ2 Ｎｂ2 Ｏ7 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3 、ＳｒＳｎＯ3 、ＢａＯ・Ｒ2 Ｏ3 ・ｎＴｉＯ2 （Ｒ
はランタノイド元素の１種以上）系等の１種ないし２種
以上を挙げることができる。この場合、用いる酸化物骨
材は、化学量論組成から多少偏倚した組成であってもよ
く、偏倚した組成のものとの混合物、あるいは偏倚した
組成のもの同士の混合物であってもよい。また、さらに
各種酸化物、例えばＢｉ2 Ｏ3 、ＭｎＯ、ＣｕＯ等を添
加したものであってもよい。
【００３０】ガラス粉と酸化物骨材との好ましい組み合
わせとしては、例えば、特開平１−１３２１９４号公報
に開示されてもの、すなわち、Ａｌ2 Ｏ3 成分３０〜５
０重量％およびガラス成分７０〜５０重量％を含み、前
記ガラス成分が、ＳｉＯ2 ４６〜６０重量％、Ｂ2 Ｏ3
０．５〜５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ６〜１７．５重量％およ
びアルカリ土類金属酸化物２５〜４５重量％の組成を有
し、前記アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも６０重
量％がＳｒＯである組み合わせが挙げられる。また、特
願平６−８７８５９号に開示されている以下の２種の組
み合わせも好ましい。第一の組み合わせでは、骨材とし
て、少なくともＫＡｌＳｉＯ4 および／またはＫＡｌＳ
ｉ2 Ｏ6 を用い、ガラス粉として、焼成時にＫＡｌＳｉ
Ｏ4 およびＫＡｌＳｉ2 Ｏ6 を分解しない組成のもの、
例えば、ＳｉＯ2 を２５〜６０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 を６
〜２０重量％、アルカリ土類金属酸化物の少なくとも１
種を合計で２０〜５０重量％含むものを用いる。第二の
組み合わせでは、骨材として、ＫＡｌＳｉＯ4 、ＫＡｌ
Ｓｉ2 Ｏ6 およびＡｌ2 Ｏ3 のうち少なくとも１種を用
い、ガラス粉として、結晶化によりＫＡｌＳｉＯ4 およ
び／またはＫＡｌＳｉ2 Ｏ6 を析出する組成、例えば、
ＳｉＯ2 を２５〜６０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 を６〜２０重
量％、アルカリ土類金属酸化物の少なくとも１種を合計
で２０〜５０重量％、Ｋ2 Ｏを６〜１５重量％含むもの
を用いる。特願平６−８７８５９号に開示されている組
み合わせでは、ガラス−セラミックス複合基板の熱膨張
率（５０〜７５０℃の平均）を８．０×１０-6〜１９．
５×１０-6／℃とすることができ、鉛系ペロブスカイト
化合物を主体とする誘電体層の熱膨張率に近づけること
ができる。
わせとしては、例えば、特開平１−１３２１９４号公報
に開示されてもの、すなわち、Ａｌ2 Ｏ3 成分３０〜５
０重量％およびガラス成分７０〜５０重量％を含み、前
記ガラス成分が、ＳｉＯ2 ４６〜６０重量％、Ｂ2 Ｏ3
０．５〜５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ６〜１７．５重量％およ
びアルカリ土類金属酸化物２５〜４５重量％の組成を有
し、前記アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも６０重
量％がＳｒＯである組み合わせが挙げられる。また、特
願平６−８７８５９号に開示されている以下の２種の組
み合わせも好ましい。第一の組み合わせでは、骨材とし
て、少なくともＫＡｌＳｉＯ4 および／またはＫＡｌＳ
ｉ2 Ｏ6 を用い、ガラス粉として、焼成時にＫＡｌＳｉ
Ｏ4 およびＫＡｌＳｉ2 Ｏ6 を分解しない組成のもの、
例えば、ＳｉＯ2 を２５〜６０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 を６
〜２０重量％、アルカリ土類金属酸化物の少なくとも１
種を合計で２０〜５０重量％含むものを用いる。第二の
組み合わせでは、骨材として、ＫＡｌＳｉＯ4 、ＫＡｌ
Ｓｉ2 Ｏ6 およびＡｌ2 Ｏ3 のうち少なくとも１種を用
い、ガラス粉として、結晶化によりＫＡｌＳｉＯ4 およ
び／またはＫＡｌＳｉ2 Ｏ6 を析出する組成、例えば、
ＳｉＯ2 を２５〜６０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 を６〜２０重
量％、アルカリ土類金属酸化物の少なくとも１種を合計
で２０〜５０重量％、Ｋ2 Ｏを６〜１５重量％含むもの
を用いる。特願平６−８７８５９号に開示されている組
み合わせでは、ガラス−セラミックス複合基板の熱膨張
率（５０〜７５０℃の平均）を８．０×１０-6〜１９．
５×１０-6／℃とすることができ、鉛系ペロブスカイト
化合物を主体とする誘電体層の熱膨張率に近づけること
ができる。
【００３１】酸化物骨材の平均粒径は、一般に０．５〜
３μm 程度であることが好ましい。平均粒径が小さすぎ
るとシート形成が困難となる傾向にあり、大きすぎると
ガラス−セラミックス複合基板の強度が不足する傾向に
ある。
３μm 程度であることが好ましい。平均粒径が小さすぎ
るとシート形成が困難となる傾向にあり、大きすぎると
ガラス−セラミックス複合基板の強度が不足する傾向に
ある。
【００３２】酸化物骨材とガラス粉は、ビヒクルを加え
てスラリーとされ、このスラリーは成形されて乾燥さ
れ、グリーンシートとされる。ビヒクルには、緩衝材ペ
ーストの説明において挙げたものを用いればよい。
てスラリーとされ、このスラリーは成形されて乾燥さ
れ、グリーンシートとされる。ビヒクルには、緩衝材ペ
ーストの説明において挙げたものを用いればよい。
【００３３】ガラス−セラミックス複合基板の厚さは、
好ましくは３０〜２００μm である。ガラス−セラミッ
クス複合基板が薄すぎると抗折強度が不十分となって取
り扱いが難しくなり、厚すぎると脱バインダ性が悪くな
る。
好ましくは３０〜２００μm である。ガラス−セラミッ
クス複合基板が薄すぎると抗折強度が不十分となって取
り扱いが難しくなり、厚すぎると脱バインダ性が悪くな
る。
【００３４】焼成により電極層となる導体ペーストは、
導体粉およびビヒクルを含むが、必要に応じガラス粉を
含んでいてもよい。
導体粉およびビヒクルを含むが、必要に応じガラス粉を
含んでいてもよい。
【００３５】導体粉は、導電性が良好でしかも安価であ
ることから、Ａｇ粒子またはＡｇ粒子とＰｄ粒子との混
合物を用いるか、Ａｇ−Ｐｄ合金粒子あるいはこれにＡ
ｇ粒子および／またはＰｄ粒子を混合したものを用いる
ことが好ましい。そして、導体粉全体に対する各金属の
含有率は、Ａｇ：８０〜１００重量％、Ｐｄ：０〜２０
重量％であることが好ましい。Ａｇが少なすぎると抵抗
が大きくなってしまう。Ｐｄは必須ではないが、Ｐｄ含
有によりＡｇのマイグレーションが少なくなり、また、
Ｐｄ含有により導体ペーストの焼成温度が高くなるの
で、緩衝材ペーストの焼成温度が比較的高い場合に有効
である。導体粉の平均粒径（粒子形状が異方性をもつと
きは長軸径の平均）は特に限定されないが、通常、０．
１〜５μm 程度とすればよい。粒子形状は特に制約され
ないが、一般に球状とすることが好ましい。ただし、導
体粒子の一部または全部を鱗片状としてもよい。
ることから、Ａｇ粒子またはＡｇ粒子とＰｄ粒子との混
合物を用いるか、Ａｇ−Ｐｄ合金粒子あるいはこれにＡ
ｇ粒子および／またはＰｄ粒子を混合したものを用いる
ことが好ましい。そして、導体粉全体に対する各金属の
含有率は、Ａｇ：８０〜１００重量％、Ｐｄ：０〜２０
重量％であることが好ましい。Ａｇが少なすぎると抵抗
が大きくなってしまう。Ｐｄは必須ではないが、Ｐｄ含
有によりＡｇのマイグレーションが少なくなり、また、
Ｐｄ含有により導体ペーストの焼成温度が高くなるの
で、緩衝材ペーストの焼成温度が比較的高い場合に有効
である。導体粉の平均粒径（粒子形状が異方性をもつと
きは長軸径の平均）は特に限定されないが、通常、０．
１〜５μm 程度とすればよい。粒子形状は特に制約され
ないが、一般に球状とすることが好ましい。ただし、導
体粒子の一部または全部を鱗片状としてもよい。
【００３６】ガラス粉は、多層配線基板の反り防止、ク
ラック防止、電極層の接着性向上などのために、必要に
応じて導体ペーストに添加される。このガラス粉の組成
は特に限定されないが、鉛系ペロブスカイト化合物を含
む誘電体層の焼成時の劣化を抑えるためには、ＳｉＯ2
を含有するかＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とを含有し、ＳｉＯ2
含有率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計が好ましくは２０重量
％以下、より好ましくは１２重量％以下であるガラス粉
を用いる。ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有率が高すぎると鉛
系ペロブスカイト化合物に悪影響を与え、特に電極層と
の界面付近の誘電体材料の誘電率劣化が激しくなってし
まう。ＳｉＯ2 はガラス化のために必須であり、好まし
い含有率は３重量％以上、より好ましい含有率は５重量
％以上である。なお、本明細書では、ガラスに含まれる
化合物をＳｉＯ2 やＢ2 Ｏ3 のように化学量論組成とし
て表わしているが、ガラス中においては化学量論組成比
から多少外れていてもよく、これは前述した緩衝材、添
加材、誘電体材料、骨材などについても同様である。Ｓ
ｉＯ2 およびＢ2 Ｏ3 以外にガラス粉に含有される化合
物は特に限定されないが、通常、アルミナ、チタニア、
アルカリ土類金属元素の酸化物、酸化鉛および酸化ビス
マスから選択される少なくとも１種であることが好まし
く、特に、アルミナ、チタニアおよびアルカリ土類金属
元素の酸化物を含むことが好ましい。アルカリ土類金属
元素としては、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ等が好ましい。
各化合物の好ましい含有率は、アルミナ：５〜１５重量
％、チタニア：２０〜３５重量％、アルカリ土類金属元
素の酸化物：４０〜６５重量％、酸化鉛＋酸化ビスマ
ス：３０重量％以下である。アルカリ土類金属元素の酸
化物の一部を酸化錫で置換してもよく、この場合の置換
率は、アルカリ土類金属元素の酸化物の５０重量％以下
とすることが好ましい。また、ジルコニアを添加しても
よいが、添加量は５重量％以下とすることが好ましい。
ラック防止、電極層の接着性向上などのために、必要に
応じて導体ペーストに添加される。このガラス粉の組成
は特に限定されないが、鉛系ペロブスカイト化合物を含
む誘電体層の焼成時の劣化を抑えるためには、ＳｉＯ2
を含有するかＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とを含有し、ＳｉＯ2
含有率とＢ2 Ｏ3 含有率との合計が好ましくは２０重量
％以下、より好ましくは１２重量％以下であるガラス粉
を用いる。ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有率が高すぎると鉛
系ペロブスカイト化合物に悪影響を与え、特に電極層と
の界面付近の誘電体材料の誘電率劣化が激しくなってし
まう。ＳｉＯ2 はガラス化のために必須であり、好まし
い含有率は３重量％以上、より好ましい含有率は５重量
％以上である。なお、本明細書では、ガラスに含まれる
化合物をＳｉＯ2 やＢ2 Ｏ3 のように化学量論組成とし
て表わしているが、ガラス中においては化学量論組成比
から多少外れていてもよく、これは前述した緩衝材、添
加材、誘電体材料、骨材などについても同様である。Ｓ
ｉＯ2 およびＢ2 Ｏ3 以外にガラス粉に含有される化合
物は特に限定されないが、通常、アルミナ、チタニア、
アルカリ土類金属元素の酸化物、酸化鉛および酸化ビス
マスから選択される少なくとも１種であることが好まし
く、特に、アルミナ、チタニアおよびアルカリ土類金属
元素の酸化物を含むことが好ましい。アルカリ土類金属
元素としては、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ等が好ましい。
各化合物の好ましい含有率は、アルミナ：５〜１５重量
％、チタニア：２０〜３５重量％、アルカリ土類金属元
素の酸化物：４０〜６５重量％、酸化鉛＋酸化ビスマ
ス：３０重量％以下である。アルカリ土類金属元素の酸
化物の一部を酸化錫で置換してもよく、この場合の置換
率は、アルカリ土類金属元素の酸化物の５０重量％以下
とすることが好ましい。また、ジルコニアを添加しても
よいが、添加量は５重量％以下とすることが好ましい。
【００３７】このようにＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率の低
いガラスは、一般に結晶化温度が低く、通常、１０００
℃以下で結晶化が始まる。したがって、通常、焼成の際
にガラス粉は結晶化する。上記組成のガラス粉の結晶化
温度は、通常、８００〜９５０℃程度である。なお、焼
成時にガラス粉が結晶化しなくても、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2Ｏ3
含有率を低くしたことによる効果は実現する。
いガラスは、一般に結晶化温度が低く、通常、１０００
℃以下で結晶化が始まる。したがって、通常、焼成の際
にガラス粉は結晶化する。上記組成のガラス粉の結晶化
温度は、通常、８００〜９５０℃程度である。なお、焼
成時にガラス粉が結晶化しなくても、ＳｉＯ2 ＋Ｂ2Ｏ3
含有率を低くしたことによる効果は実現する。
【００３８】ガラス粉を添加する場合、導体ペースト中
において導体粉とガラス粉との合計に対するガラス粉の
比率は、好ましくは１〜２０重量％、より好ましくは３
〜１５重量％とする。ガラス粉の比率が低すぎるとガラ
ス粉添加による効果が不十分となる。ガラス粉の比率が
高すぎると電極層が緻密とならず、好ましくない。
において導体粉とガラス粉との合計に対するガラス粉の
比率は、好ましくは１〜２０重量％、より好ましくは３
〜１５重量％とする。ガラス粉の比率が低すぎるとガラ
ス粉添加による効果が不十分となる。ガラス粉の比率が
高すぎると電極層が緻密とならず、好ましくない。
【００３９】ガラス粉の平均粒径は特に限定されない
が、通常、０．５〜３μm 程度とすればよい。
が、通常、０．５〜３μm 程度とすればよい。
【００４０】なお、組成の異なる２種以上のガラス粉を
併用してもよい。この場合、全てのガラス粉が上記した
ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率の低い組成をもつことが好ま
しいが、ガラス粉の一部が２０重量％を超えるＳｉＯ2
＋Ｂ2 Ｏ3 を含んでいてもよい。ただし、ガラス粉全体
のＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率は、２０重量％以下である
ことが好ましい。
併用してもよい。この場合、全てのガラス粉が上記した
ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率の低い組成をもつことが好ま
しいが、ガラス粉の一部が２０重量％を超えるＳｉＯ2
＋Ｂ2 Ｏ3 を含んでいてもよい。ただし、ガラス粉全体
のＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率は、２０重量％以下である
ことが好ましい。
【００４１】導体ペーストに上記したＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ
3 含有率の低いガラス粉を用いることにより、誘電体層
への悪影響を軽減することができるが、好ましくは、ガ
ラス粉を含まない導体ペーストを用いてコンデンサ部の
電極層を形成する。なお、この電極層以外の内部導体に
は、ガラス粉を含む導体ペーストを用いてよい。例え
ば、図２に示される多層配線基板では、内部導体８１、
８２がガラスを含んでおり、ガラスを含まない電極層３
１、３２は、スルーホール６１、６２によりそれぞれ内
部導体８１、８２と接続されている。
3 含有率の低いガラス粉を用いることにより、誘電体層
への悪影響を軽減することができるが、好ましくは、ガ
ラス粉を含まない導体ペーストを用いてコンデンサ部の
電極層を形成する。なお、この電極層以外の内部導体に
は、ガラス粉を含む導体ペーストを用いてよい。例え
ば、図２に示される多層配線基板では、内部導体８１、
８２がガラスを含んでおり、ガラスを含まない電極層３
１、３２は、スルーホール６１、６２によりそれぞれ内
部導体８１、８２と接続されている。
【００４２】導体ペーストのビヒクルには、緩衝材ペー
ストの説明において挙げたものを用いればよい。
ストの説明において挙げたものを用いればよい。
【００４３】電極層の厚さは特に限定されないが、通
常、３〜２０μm 程度とする。
常、３〜２０μm 程度とする。
【００４４】焼成は、通常、空気中で行なえばよい。焼
成温度は、８００℃以上とすることが好ましく、具体的
には導体粉の組成や緩衝層の組成に応じて適宜決定すれ
ばよいが、上記の緩衝材を用いる場合には１２００℃以
下で焼成でき、添加材の使用により１０００℃以下で焼
成することも可能となる。焼成時間は、通常、２〜１２
時間程度とする。なお、焼成は複数回行なってもよい。
成温度は、８００℃以上とすることが好ましく、具体的
には導体粉の組成や緩衝層の組成に応じて適宜決定すれ
ばよいが、上記の緩衝材を用いる場合には１２００℃以
下で焼成でき、添加材の使用により１０００℃以下で焼
成することも可能となる。焼成時間は、通常、２〜１２
時間程度とする。なお、焼成は複数回行なってもよい。
【００４５】図示例では誘電体層が１層だけであるが、
誘電体層を２層以上設けた構成としてもよい。
誘電体層を２層以上設けた構成としてもよい。
【００４６】なお、誘電体層中にＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含
有率が２０重量％以下であるガラス粉を含ませてもよ
い。誘電体層中にこのようなガラス粉を含ませることに
より、鉛系ペロブスカイト化合物誘電体の焼結温度を低
くすることができ、しかも、誘電体材料に対する悪影響
を抑えることができる。誘電体層中に含ませるガラス粉
としては、ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系のものが好
ましい。
有率が２０重量％以下であるガラス粉を含ませてもよ
い。誘電体層中にこのようなガラス粉を含ませることに
より、鉛系ペロブスカイト化合物誘電体の焼結温度を低
くすることができ、しかも、誘電体材料に対する悪影響
を抑えることができる。誘電体層中に含ませるガラス粉
としては、ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系のものが好
ましい。
【００４７】本発明では、５０〜７５０℃における緩衝
層の平均熱膨張率を６．５×１０-6〜１０．０×１０-6
／℃とすることができる。一方、上記したガラス−セラ
ミックス複合基板では、５０〜７５０℃における平均熱
膨張率が一般に５．５×１０-6〜１４．５×１０-6／℃
であり、また、鉛系ペロブスカイト化合物を含む誘電体
層では、５０〜７５０℃における平均熱膨張率が一般に
８．０×１０-6〜１０．０×１０-6／℃である。このよ
うに、多層配線基板の各部の熱膨張率の差を小さくでき
るので、焼成後の冷却時に反りやクラック等の欠陥が生
じにくい。
層の平均熱膨張率を６．５×１０-6〜１０．０×１０-6
／℃とすることができる。一方、上記したガラス−セラ
ミックス複合基板では、５０〜７５０℃における平均熱
膨張率が一般に５．５×１０-6〜１４．５×１０-6／℃
であり、また、鉛系ペロブスカイト化合物を含む誘電体
層では、５０〜７５０℃における平均熱膨張率が一般に
８．０×１０-6〜１０．０×１０-6／℃である。このよ
うに、多層配線基板の各部の熱膨張率の差を小さくでき
るので、焼成後の冷却時に反りやクラック等の欠陥が生
じにくい。
【００４８】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００４９】図１に示す構造の多層配線基板を以下のよ
うにして製造した。
うにして製造した。
【００５０】＜ガラス−セラミックス複合基板用グリー
ンシート＞４０重量部のＡｌ2 Ｏ3 および６０重量部の
ＳｉＯ2 −ＳｒＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉
（ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率５５重量％）にビヒクルを
添加して混練し、ドクターブレード法によりシート状に
成形した後、乾燥し、厚さ約２５０μm のグリーンシー
トを作製した。ビヒクルには、バインダとしてアクリル
系樹脂、溶剤としてエチルアルコールおよびトルエン、
可塑剤としてフタル酸エステルを用いた。このグリーン
シートに、パンチングによりスルーホールを穿孔した。
また、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 の含有率をより高くし
て軟化点を高めたガラス粉を用いて、高温焼成用グリー
ンシートも作製した。
ンシート＞４０重量部のＡｌ2 Ｏ3 および６０重量部の
ＳｉＯ2 −ＳｒＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉
（ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 含有率５５重量％）にビヒクルを
添加して混練し、ドクターブレード法によりシート状に
成形した後、乾燥し、厚さ約２５０μm のグリーンシー
トを作製した。ビヒクルには、バインダとしてアクリル
系樹脂、溶剤としてエチルアルコールおよびトルエン、
可塑剤としてフタル酸エステルを用いた。このグリーン
シートに、パンチングによりスルーホールを穿孔した。
また、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 の含有率をより高くし
て軟化点を高めたガラス粉を用いて、高温焼成用グリー
ンシートも作製した。
【００５１】＜導体ペースト＞導体粉（平均粒径３．５
μm のＡｇ粉末）にビヒクルを添加して三本ロールミル
で混練し、ペースト化した。ビヒクルには、バインダと
してアクリル系樹脂、溶剤としてテルピネオールおよび
ブチルカルビトールアセテートを用いた。なお、導体粉
にＡｇ８０重量％−Ｐｄ２０重量％合金粉末を用いた高
温焼成用導体ペーストも調製した。
μm のＡｇ粉末）にビヒクルを添加して三本ロールミル
で混練し、ペースト化した。ビヒクルには、バインダと
してアクリル系樹脂、溶剤としてテルピネオールおよび
ブチルカルビトールアセテートを用いた。なお、導体粉
にＡｇ８０重量％−Ｐｄ２０重量％合金粉末を用いた高
温焼成用導体ペーストも調製した。
【００５２】＜誘電体ペースト＞誘電体材料として９５
モル％Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −５モル％ＰｂＴ
ｉＯ3 （平均粒径１．０μm ）と、この誘電体材料１０
０重量部に対し０．３重量部のＣｕＯ粉末と、導体ペー
ストに用いたビヒクルとを、３本ロールミルで混練して
ペースト化した。
モル％Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −５モル％ＰｂＴ
ｉＯ3 （平均粒径１．０μm ）と、この誘電体材料１０
０重量部に対し０．３重量部のＣｕＯ粉末と、導体ペー
ストに用いたビヒクルとを、３本ロールミルで混練して
ペースト化した。
【００５３】＜緩衝材ペースト＞緩衝材を以下に示す方
法で製造した。
法で製造した。
【００５４】Ｐｂ3 Ｎｂ4 Ｏ13の合成 ＰｂＯ：Ｎｂ2 Ｏ5 ＝３：２（モル比）となるように調
合してらいかい機で混合し、蓋付きのＺｒＯ2 製の匣鉢
中で７００℃で２時間焼成した。焼成物を粗粉砕した
後、ボールミルで２０時間湿式粉砕し、乾燥した。乾燥
物をＸ線回折により分析して、パイロクロア構造のＰｂ
3 Ｎｂ4 Ｏ13相を確認した。
合してらいかい機で混合し、蓋付きのＺｒＯ2 製の匣鉢
中で７００℃で２時間焼成した。焼成物を粗粉砕した
後、ボールミルで２０時間湿式粉砕し、乾燥した。乾燥
物をＸ線回折により分析して、パイロクロア構造のＰｂ
3 Ｎｂ4 Ｏ13相を確認した。
【００５５】Ｐｂ2 Ｍｇ0.25Ｎｂ1.75Ｏ6.625 の合成 ＰｂＯ：ＭｇＯ：Ｎｂ2 Ｏ5 ＝１６：２：７（モル比）
となるように調合してらいかい機で混合し、蓋付きのＺ
ｒＯ2 製の匣鉢中で８００℃で２時間焼成した。焼成物
を粗粉砕した後、ボールミルで２０時間湿式粉砕し、乾
燥した。乾燥物をＸ線回折により分析して、パイロクロ
ア相を確認した。
となるように調合してらいかい機で混合し、蓋付きのＺ
ｒＯ2 製の匣鉢中で８００℃で２時間焼成した。焼成物
を粗粉砕した後、ボールミルで２０時間湿式粉砕し、乾
燥した。乾燥物をＸ線回折により分析して、パイロクロ
ア相を確認した。
【００５６】Ｐｂ1.83Ｍｇ0.29Ｎｂ1.71Ｏ6.39の合成 ＰｂＯ：ＭｇＯ：Ｎｂ2 Ｏ5 ＝１．８３：０．２９：
０．８５５（モル比）となるように調合してらいかい機
で混合し、蓋付きのＺｒＯ2 製の匣鉢中で８００℃で２
時間焼成した。焼成物を粗粉砕した後、ボールミルで２
０時間湿式粉砕し、乾燥した。乾燥物をＸ線回折により
分析して、パイロクロア相を確認した。
０．８５５（モル比）となるように調合してらいかい機
で混合し、蓋付きのＺｒＯ2 製の匣鉢中で８００℃で２
時間焼成した。焼成物を粗粉砕した後、ボールミルで２
０時間湿式粉砕し、乾燥した。乾燥物をＸ線回折により
分析して、パイロクロア相を確認した。
【００５７】Ｐｂ2 Ｍｇ0.06Ｎｂ1.94Ｏ6.91の合成 ＰｂＯ：ＭｇＯ：Ｎｂ2 Ｏ5 ＝２：０．０６：０．９７
（モル比）となるように調合してらいかい機で混合し、
蓋付きのＺｒＯ2 製の匣鉢中で８００℃で２時間焼成し
た。焼成物を粗粉砕した後、ボールミルで２０時間湿式
粉砕し、乾燥した。乾燥物をＸ線回折により分析して、
パイロクロア相を確認した。
（モル比）となるように調合してらいかい機で混合し、
蓋付きのＺｒＯ2 製の匣鉢中で８００℃で２時間焼成し
た。焼成物を粗粉砕した後、ボールミルで２０時間湿式
粉砕し、乾燥した。乾燥物をＸ線回折により分析して、
パイロクロア相を確認した。
【００５８】Ｐｂ2 Ｍｇ0.16Ｎｂ1.84Ｏ6.76の合成 ＰｂＯ：ＭｇＯ：Ｎｂ2 Ｏ5 ＝２：０．１６：０．９２
（モル比）となるように調合してらいかい機で混合し、
蓋付きのＺｒＯ2 製の匣鉢中で８００℃で２時間焼成し
た。焼成物を粗粉砕した後、ボールミルで２０時間湿式
粉砕し、乾燥した。乾燥物をＸ線回折により分析して、
パイロクロア相を確認した。
（モル比）となるように調合してらいかい機で混合し、
蓋付きのＺｒＯ2 製の匣鉢中で８００℃で２時間焼成し
た。焼成物を粗粉砕した後、ボールミルで２０時間湿式
粉砕し、乾燥した。乾燥物をＸ線回折により分析して、
パイロクロア相を確認した。
【００５９】上記各緩衝材の平均粒径は、１．０μm で
あった。各緩衝材に、導体ペーストに用いたビヒクルを
加え、３本ロールミルで混練してペースト化した。ま
た、緩衝材粉末に加え添加材を添加したペーストも調製
した。添加材の平均粒径は０．３μm であった。緩衝材
１００重量部に対する添加材の添加量を表１に示す。
あった。各緩衝材に、導体ペーストに用いたビヒクルを
加え、３本ロールミルで混練してペースト化した。ま
た、緩衝材粉末に加え添加材を添加したペーストも調製
した。添加材の平均粒径は０．３μm であった。緩衝材
１００重量部に対する添加材の添加量を表１に示す。
【００６０】次に、ガラス−セラミックス複合基板用グ
リーンシート上に、緩衝材ペースト、導体ペースト、誘
電体ペースト、導体ペーストおよび緩衝材ペーストをス
クリーン印刷法により順次印刷した後、さらにガラス−
セラミックス複合基板のグリーンシートを重ねて熱プレ
スにより圧着し、次いで２時間焼成して多層配線基板サ
ンプルを得た。焼成温度を表１に示す。焼成時にはこの
温度に１０分間保持した。なお、焼成温度が９００℃を
超えるサンプルには、上記の高温焼成用グリーンシート
および高温焼成用導体ペーストを用いた。各サンプルの
緩衝層の厚さは３０μm 、電極層の厚さは１５μm 、誘
電体層の厚さは３０μm であった。
リーンシート上に、緩衝材ペースト、導体ペースト、誘
電体ペースト、導体ペーストおよび緩衝材ペーストをス
クリーン印刷法により順次印刷した後、さらにガラス−
セラミックス複合基板のグリーンシートを重ねて熱プレ
スにより圧着し、次いで２時間焼成して多層配線基板サ
ンプルを得た。焼成温度を表１に示す。焼成時にはこの
温度に１０分間保持した。なお、焼成温度が９００℃を
超えるサンプルには、上記の高温焼成用グリーンシート
および高温焼成用導体ペーストを用いた。各サンプルの
緩衝層の厚さは３０μm 、電極層の厚さは１５μm 、誘
電体層の厚さは３０μm であった。
【００６１】次いで、外部導体ペーストをスクリーン印
刷法により焼成体外面に印刷し、空気中において８５０
℃で１０分間焼成して、コンデンサ部を内蔵する多層配
線基板サンプルとした。
刷法により焼成体外面に印刷し、空気中において８５０
℃で１０分間焼成して、コンデンサ部を内蔵する多層配
線基板サンプルとした。
【００６２】この他、緩衝層を形成しなかった以外は上
記サンプルと同様にして比較サンプル（サンプルNo.
１）を作製した。
記サンプルと同様にして比較サンプル（サンプルNo.
１）を作製した。
【００６３】
【表１】
【００６４】表１に示される結果から、添加材を添加し
た場合には、緻密な焼結が可能な温度が低くなることが
わかる。
た場合には、緻密な焼結が可能な温度が低くなることが
わかる。
【００６５】サンプル断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）および電子線プローブＸ線マイクロアナリシス（Ｅ
ＰＭＡ）により観察したところ、本発明サンプルでは誘
電体層中へのガラス成分、特にＳｉの拡散は殆ど認めら
れず、誘電体層および緩衝層のいずれもが緻密に焼結で
きていた。
Ｍ）および電子線プローブＸ線マイクロアナリシス（Ｅ
ＰＭＡ）により観察したところ、本発明サンプルでは誘
電体層中へのガラス成分、特にＳｉの拡散は殆ど認めら
れず、誘電体層および緩衝層のいずれもが緻密に焼結で
きていた。
【００６６】これに対し緩衝層を設けなかった比較サン
プルでは、誘電体層中にガラスが多量に拡散していた。
拡散したガラス中には、誘電体材料由来のＰｂが多量に
侵入しており、ＮｂおよびＭｇの侵入も認められた。さ
らに、拡散したガラス中には、ＳｉとＭｇとを主成分と
する柱状結晶が認められた。また、比較サンプルでは、
誘電体層中にパイロクロア化合物（Ｐｂ1.83Ｍｇ0.29Ｎ
ｂ1.71Ｏ6.39）が生成していることがＸ線回折およびＥ
ＰＭＡにより確認されたが、本発明サンプルでは誘電体
層中においてパイロクロア化合物の生成は認められなか
った。なお、本発明サンプルでは、緩衝層中に基板のガ
ラス成分であるＳｉの拡散が認められた。拡散深さは基
板側から１０μm 〜２０μm 程度であった。
プルでは、誘電体層中にガラスが多量に拡散していた。
拡散したガラス中には、誘電体材料由来のＰｂが多量に
侵入しており、ＮｂおよびＭｇの侵入も認められた。さ
らに、拡散したガラス中には、ＳｉとＭｇとを主成分と
する柱状結晶が認められた。また、比較サンプルでは、
誘電体層中にパイロクロア化合物（Ｐｂ1.83Ｍｇ0.29Ｎ
ｂ1.71Ｏ6.39）が生成していることがＸ線回折およびＥ
ＰＭＡにより確認されたが、本発明サンプルでは誘電体
層中においてパイロクロア化合物の生成は認められなか
った。なお、本発明サンプルでは、緩衝層中に基板のガ
ラス成分であるＳｉの拡散が認められた。拡散深さは基
板側から１０μm 〜２０μm 程度であった。
【００６７】各サンプルに用いた誘電体ペーストとサン
プルNo. ２に用いた緩衝材ペーストとサンプルNo. ７に
用いた緩衝材ペーストとをそれぞれ乾燥して粉末化し、
各粉末を１t/cm2 の圧力で成形して長さ１０mmの角柱状
とし、熱機械分析により収縮挙動を調べた。結果を図３
に示す。図３のグラフの縦軸は膨張率であり、この膨張
率は、２２℃での長さＬに対する各温度における長さ変
化量ΔＬの比率（ΔＬ／Ｌ）である。図３から、緩衝材
にＶ2 Ｏ5 を添加することにより、収縮挙動が誘電体の
それとほぼ一致するようになることがわかる。なお、Ｃ
ｕＯやＢ2 Ｏ3を添加した場合でも、Ｖ2 Ｏ5 添加の場
合と同様な収縮挙動を示した。
プルNo. ２に用いた緩衝材ペーストとサンプルNo. ７に
用いた緩衝材ペーストとをそれぞれ乾燥して粉末化し、
各粉末を１t/cm2 の圧力で成形して長さ１０mmの角柱状
とし、熱機械分析により収縮挙動を調べた。結果を図３
に示す。図３のグラフの縦軸は膨張率であり、この膨張
率は、２２℃での長さＬに対する各温度における長さ変
化量ΔＬの比率（ΔＬ／Ｌ）である。図３から、緩衝材
にＶ2 Ｏ5 を添加することにより、収縮挙動が誘電体の
それとほぼ一致するようになることがわかる。なお、Ｃ
ｕＯやＢ2 Ｏ3を添加した場合でも、Ｖ2 Ｏ5 添加の場
合と同様な収縮挙動を示した。
【００６８】表１の本発明サンプルにおいて５０〜７５
０℃における平均熱膨張率は、緩衝層が７．４×１０-6
〜１０．０×１０-6／℃、ガラス−セラミックス基板が
９．９×１０-6／℃、誘電体層が９．０×１０-6／℃で
あり、熱膨張率の差は問題となるほど大きくなかった。
０℃における平均熱膨張率は、緩衝層が７．４×１０-6
〜１０．０×１０-6／℃、ガラス−セラミックス基板が
９．９×１０-6／℃、誘電体層が９．０×１０-6／℃で
あり、熱膨張率の差は問題となるほど大きくなかった。
【００６９】なお、 ＳｉＯ2 ＝６．９７重量％、 ＢａＯ＝５３．３９重量％、 ＴｉＯ2 ＝２７．８１重量％、 Ａｌ2 Ｏ3 ＝１１．８３重量％ からなるガラス粉を導体ペーストに添加して、表１の本
発明サンプルと同様にして多層配線基板サンプルを作製
したところ、ガラス粉を添加しなかった場合に対し、誘
電体層の誘電率の低下はほとんど認められなかった。
発明サンプルと同様にして多層配線基板サンプルを作製
したところ、ガラス粉を添加しなかった場合に対し、誘
電体層の誘電率の低下はほとんど認められなかった。
【図１】コンデンサ部を内蔵する多層配線基板の構成例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図２】コンデンサ部を内蔵する多層配線基板の構成例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図３】緩衝層および誘電体層それぞれについて、焼成
時の収縮挙動を示すグラフである。
時の収縮挙動を示すグラフである。
２ 誘電体層 ３１，３２ 電極層 ４１，４２ ガラス−セラミックス複合基板 ５１，５２ 端子電極 ６１，６２ スルーホール ７１，７２ 緩衝層 ８１，８２ 内部導体
Claims (6)
- 【請求項１】 一対のガラス−セラミックス複合基板の
間に、誘電体層および電極層を有するコンデンサ部を内
蔵し、コンデンサ部と各ガラス−セラミックス複合基板
との間に緩衝層を有し、 誘電体層が誘電体材料として鉛系ペロブスカイト化合物
を含み、緩衝層が緩衝材として鉛系パイロクロア化合物
を含むことを特徴とするコンデンサ内蔵多層配線基板。 - 【請求項２】 鉛系パイロクロア化合物としてＰｂ3 Ｎ
ｂ4 Ｏ13を含む請求項１のコンデンサ内蔵多層配線基
板。 - 【請求項３】 鉛系パイロクロア化合物としてＰｂ、Ｍ
ｇおよびＮｂを構成成分とする複合酸化物を含む請求項
１または２のコンデンサ内蔵多層配線基板。 - 【請求項４】 Ｐｂ、ＭｇおよびＮｂを構成成分とする
複合酸化物として、Ｐｂ2 Ｍｇ0.25Ｎｂ1.75Ｏ6.625 、
Ｐｂ1.83Ｍｇ0.29Ｎｂ1.71Ｏ6.39、Ｐｂ2 Ｍｇ0.06Ｎｂ
1.94Ｏ6.91およびＰｂ2 Ｍｇ0.16Ｎｂ1.84Ｏ6.76から選
択される少なくとも１種を含む請求項３のコンデンサ内
蔵多層配線基板。 - 【請求項５】 緩衝層が添加材としてＣｕＯ、Ｖ2 Ｏ5
およびＢ2 Ｏ3 から選択される少なくとも１種の酸化物
を含み、鉛系パイロクロア化合物１００重量部に対する
ＣｕＯ＋Ｖ2 Ｏ5 ＋Ｂ2 Ｏ3 の含有量が２０重量部以下
である請求項１〜４のいずれかのコンデンサ内蔵多層配
線基板。 - 【請求項６】 緩衝層の５０〜７５０℃における平均熱
膨張率が６．５×１０-6〜１０．０×１０-6／℃である
請求項１〜５のいずれかのコンデンサ内蔵多層配線基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6186765A JPH0832242A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | コンデンサ内蔵多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6186765A JPH0832242A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | コンデンサ内蔵多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832242A true JPH0832242A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16194247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6186765A Withdrawn JPH0832242A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | コンデンサ内蔵多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832242A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6565917B1 (en) | 1998-05-01 | 2003-05-20 | International Business Machines Corporation | Method of forming features on a ceramic substrate using platible pastes |
| EP1320286A3 (en) * | 2001-12-13 | 2005-01-05 | Harris Corporation | Electronic module including a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate with a capacitive structure embedded therein and related methods |
| JP2005101478A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
| JP2005191050A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子およびその製法、並びに噴射装置 |
| JP2005191046A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子およびその製法、並びに噴射装置 |
| JP2006210924A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | E I Du Pont De Nemours & Co | 高誘電率セラミック材料のコアを有する多構成要素ｌｔｃｃ基板およびその開発のための方法 |
| KR100878399B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-01-13 | 삼성전기주식회사 | 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100882099B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2009-02-10 | 삼성전기주식회사 | 버퍼층을 가지는 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
| CN114980492A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-08-30 | 昆山国显光电有限公司 | 线路板组件、显示屏及电子设备 |
-
1994
- 1994-07-15 JP JP6186765A patent/JPH0832242A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7141129B2 (en) * | 2001-12-13 | 2006-11-28 | Harris Corporation | Electronic module including a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate with a capacitive structure embedded therein and related methods |
| JP2005101478A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
| JP2005191050A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子およびその製法、並びに噴射装置 |
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| KR100882099B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2009-02-10 | 삼성전기주식회사 | 버퍼층을 가지는 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
| KR100878399B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-01-13 | 삼성전기주식회사 | 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조 방법 |
| CN114980492A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-08-30 | 昆山国显光电有限公司 | 线路板组件、显示屏及电子设备 |
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