JPH0832273A - 磁気遮蔽装置 - Google Patents
磁気遮蔽装置Info
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- JPH0832273A JPH0832273A JP6187932A JP18793294A JPH0832273A JP H0832273 A JPH0832273 A JP H0832273A JP 6187932 A JP6187932 A JP 6187932A JP 18793294 A JP18793294 A JP 18793294A JP H0832273 A JPH0832273 A JP H0832273A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡易な構成で簡便に磁気遮蔽性能の向上が可
能で、かつ振動による磁気ノイズも発生しない磁気遮蔽
装置を提供する。 【構成】 磁気遮蔽対象物を格納する磁気シールドルー
ム２又は電磁シールドルームの外側に、少なくとも１つ
以上のコイル４を置き、これらのコイルに電流を流すこ
とにより外部磁場Φout と逆方向の逆磁場Φc を発生さ
せて外部磁場を打ち消し、磁気シールドルーム又は電磁
シールドルームの内部又は外部近傍を零磁場状態にす
る。
能で、かつ振動による磁気ノイズも発生しない磁気遮蔽
装置を提供する。 【構成】 磁気遮蔽対象物を格納する磁気シールドルー
ム２又は電磁シールドルームの外側に、少なくとも１つ
以上のコイル４を置き、これらのコイルに電流を流すこ
とにより外部磁場Φout と逆方向の逆磁場Φc を発生さ
せて外部磁場を打ち消し、磁気シールドルーム又は電磁
シールドルームの内部又は外部近傍を零磁場状態にす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、医学、生物学、工学上
の磁気遮蔽（磁気シールド）、あるいはＳＱＵＩＤ（Su
perconducting Quantum Interference Device ：超伝導
量子干渉デバイス）等による精密な磁気測定における磁
気遮蔽等に用いる磁気シールドルーム（磁気遮蔽室）な
どの磁気遮蔽装置に関する。
の磁気遮蔽（磁気シールド）、あるいはＳＱＵＩＤ（Su
perconducting Quantum Interference Device ：超伝導
量子干渉デバイス）等による精密な磁気測定における磁
気遮蔽等に用いる磁気シールドルーム（磁気遮蔽室）な
どの磁気遮蔽装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気遮蔽の方法としては、パー
マロイ、ミューメタル等の高透磁率材料を使用して行う
磁気遮蔽方法、外部磁場に対して逆方向の磁場を発生
させ所望の空間内に零磁場を作るアクティブシールドに
よる磁気遮蔽方法、超伝導体を使用して行う磁気遮蔽
方法等が知られている。上記の方法は、鉄やニッケル
又はこれらの合金パーマロイ、ミューメタルなど、透磁
率μ（μ＝μo ×μs ：μo は真空の透磁率、μs は比
透磁率。）が高く比透磁率が数千から数万以上に達する
高透磁率材料を用いて何重にも重ねた閉空間を作り、こ
の容器を磁場中に置くと、磁力線は容器の壁に沿って集
合するように流れ、周囲の磁力線密度が薄くなり、結果
的に容器内の磁力線密度が薄くなることを利用して磁気
遮蔽を行う方法である。また、上記の方法は、超伝導
体の「マイスナー効果」が、理論上は完全に磁気のない
空間を形成する、ということを利用し、超伝導体で円筒
容器などを作ると、内部の磁場は入口から底部に向って
指数関数的に弱くなり、容器底部できわめて弱い磁場を
形成することを利用して磁気遮蔽を行う方法である。こ
の方法では、冷却時に磁束を「ピン止め」するため、シ
ールドに微小な欠陥があると振動が加わったときに雑音
の原因となる。この雑音を防止するため、容器を高透磁
率材料で覆うことが行われている。このの方法は、高
温超伝導体技術の進歩により冷却方法が簡易化されたた
め、実用化段階に近づいた。上記の磁気遮蔽方法のう
ち、すでに実用化され専ら汎用されている方法は上記
の方法である。
マロイ、ミューメタル等の高透磁率材料を使用して行う
磁気遮蔽方法、外部磁場に対して逆方向の磁場を発生
させ所望の空間内に零磁場を作るアクティブシールドに
よる磁気遮蔽方法、超伝導体を使用して行う磁気遮蔽
方法等が知られている。上記の方法は、鉄やニッケル
又はこれらの合金パーマロイ、ミューメタルなど、透磁
率μ（μ＝μo ×μs ：μo は真空の透磁率、μs は比
透磁率。）が高く比透磁率が数千から数万以上に達する
高透磁率材料を用いて何重にも重ねた閉空間を作り、こ
の容器を磁場中に置くと、磁力線は容器の壁に沿って集
合するように流れ、周囲の磁力線密度が薄くなり、結果
的に容器内の磁力線密度が薄くなることを利用して磁気
遮蔽を行う方法である。また、上記の方法は、超伝導
体の「マイスナー効果」が、理論上は完全に磁気のない
空間を形成する、ということを利用し、超伝導体で円筒
容器などを作ると、内部の磁場は入口から底部に向って
指数関数的に弱くなり、容器底部できわめて弱い磁場を
形成することを利用して磁気遮蔽を行う方法である。こ
の方法では、冷却時に磁束を「ピン止め」するため、シ
ールドに微小な欠陥があると振動が加わったときに雑音
の原因となる。この雑音を防止するため、容器を高透磁
率材料で覆うことが行われている。このの方法は、高
温超伝導体技術の進歩により冷却方法が簡易化されたた
め、実用化段階に近づいた。上記の磁気遮蔽方法のう
ち、すでに実用化され専ら汎用されている方法は上記
の方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の
ないしの磁気遮蔽方法では、まずの方法は、最も汎
用されており、磁気遮蔽性能も高いが、外部直流磁場に
より磁気シールドルーム自体が着磁し、他の外部磁気雑
音に対する磁気遮蔽性能が低下したり、着磁による磁気
シールドルーム内の残留磁場が磁気シールドルーム自体
の振動により交流磁気雑音になるという問題があった。
後者の磁気ノイズの周波数は、生体磁気計測における計
測周波数範囲内になるため問題となっていた。また、直
流磁場に対する磁気シールド率が低い、という問題もあ
った。また、上記の方法では、超伝導状態にするため
冷却しなければならず、冷凍機や冷凍用容器が必要であ
る。さらに、外部磁場にさらされたままで冷却を行う
と、ピンニングセンターに磁束をトラップしたまま超伝
導状態になる、という問題があった。また、の方法で
は、磁気遮蔽できる場所がセンサを設置した狭い空間に
限定されてしまい、また、磁場を発生するコイルを制御
しなければならない、という煩雑さが問題であった（特
開平４−３５７４８１号公報参照）。また、電磁シール
ドルームと併用する方法が提案されている（特開平６−
９７６９０号公報参照）が、低い周波数帯域においては
磁気遮蔽できる場所が限定されるとともに、コイルを制
御しなければならない煩雑さも解決されていない。本発
明は、上記の問題点を解決するためになされたものであ
り、簡易な構成で簡便に磁気遮蔽性能の向上が可能で、
かつ振動による磁気ノイズも発生しない磁気遮蔽装置を
提供することを目的とする。
ないしの磁気遮蔽方法では、まずの方法は、最も汎
用されており、磁気遮蔽性能も高いが、外部直流磁場に
より磁気シールドルーム自体が着磁し、他の外部磁気雑
音に対する磁気遮蔽性能が低下したり、着磁による磁気
シールドルーム内の残留磁場が磁気シールドルーム自体
の振動により交流磁気雑音になるという問題があった。
後者の磁気ノイズの周波数は、生体磁気計測における計
測周波数範囲内になるため問題となっていた。また、直
流磁場に対する磁気シールド率が低い、という問題もあ
った。また、上記の方法では、超伝導状態にするため
冷却しなければならず、冷凍機や冷凍用容器が必要であ
る。さらに、外部磁場にさらされたままで冷却を行う
と、ピンニングセンターに磁束をトラップしたまま超伝
導状態になる、という問題があった。また、の方法で
は、磁気遮蔽できる場所がセンサを設置した狭い空間に
限定されてしまい、また、磁場を発生するコイルを制御
しなければならない、という煩雑さが問題であった（特
開平４−３５７４８１号公報参照）。また、電磁シール
ドルームと併用する方法が提案されている（特開平６−
９７６９０号公報参照）が、低い周波数帯域においては
磁気遮蔽できる場所が限定されるとともに、コイルを制
御しなければならない煩雑さも解決されていない。本発
明は、上記の問題点を解決するためになされたものであ
り、簡易な構成で簡便に磁気遮蔽性能の向上が可能で、
かつ振動による磁気ノイズも発生しない磁気遮蔽装置を
提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係る磁気遮蔽装置は、磁気遮蔽対象物を格
納する磁気シールドルーム又は電磁シールドルームの外
側に、少なくとも１つ以上のコイルを置き、これらのコ
イルに直流電流を流すことにより外部直流磁場と逆方向
の逆磁場を発生させて前記外部直流磁場を打ち消し、前
記磁気シールドルーム又は電磁シールドルームの内部又
は外側近傍における直流の磁場を低減させるように構成
される。上記において、前記磁気シールドルーム又は電
磁シールドルームは、高透磁率材料を用いて形成されて
もよく、その場合には、前記コイルは、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方
向に設置した互いに対向する３組のコイル、又は地磁気
方向に設置した互いに対向する１群のコイル、あるいは
地磁気方向に設置したソレノイドコイル、又は前記磁気
シールドルーム又は電磁シールドルームの周囲に、地磁
気方向に合わせて巻いた１群のコイルを備えて構成され
てもよい。また、上記において、前記磁気シールドルー
ム又は電磁シールドルームは、超伝導材料を用いて形成
されてもよく、その場合には、前記コイルは、Ｘ，Ｙ，
Ｚ軸方向に設置した互いに対向する３組のコイル、又は
地磁気方向に設置した互いに対向する１群のコイル、あ
るいは地磁気方向に設置したソレノイドコイル、又は前
記磁気シールドルーム又は電磁シールドルームの周囲
に、地磁気方向に合わせて巻いた１群のコイルを備えて
構成されてもよい。
め、本発明に係る磁気遮蔽装置は、磁気遮蔽対象物を格
納する磁気シールドルーム又は電磁シールドルームの外
側に、少なくとも１つ以上のコイルを置き、これらのコ
イルに直流電流を流すことにより外部直流磁場と逆方向
の逆磁場を発生させて前記外部直流磁場を打ち消し、前
記磁気シールドルーム又は電磁シールドルームの内部又
は外側近傍における直流の磁場を低減させるように構成
される。上記において、前記磁気シールドルーム又は電
磁シールドルームは、高透磁率材料を用いて形成されて
もよく、その場合には、前記コイルは、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方
向に設置した互いに対向する３組のコイル、又は地磁気
方向に設置した互いに対向する１群のコイル、あるいは
地磁気方向に設置したソレノイドコイル、又は前記磁気
シールドルーム又は電磁シールドルームの周囲に、地磁
気方向に合わせて巻いた１群のコイルを備えて構成され
てもよい。また、上記において、前記磁気シールドルー
ム又は電磁シールドルームは、超伝導材料を用いて形成
されてもよく、その場合には、前記コイルは、Ｘ，Ｙ，
Ｚ軸方向に設置した互いに対向する３組のコイル、又は
地磁気方向に設置した互いに対向する１群のコイル、あ
るいは地磁気方向に設置したソレノイドコイル、又は前
記磁気シールドルーム又は電磁シールドルームの周囲
に、地磁気方向に合わせて巻いた１群のコイルを備えて
構成されてもよい。
【０００５】
【作用】上記構成を有する本発明によれば、磁気遮蔽対
象物を格納する磁気シールドルーム又は電磁シールドル
ームの外側に、少なくとも１つ以上のコイルを置き、こ
れらのコイルに直流電流を流すことにより外部直流磁場
と逆方向の逆磁場を発生させて前記外部直流磁場を打ち
消すことができるので、前記磁気シールドルーム又は電
磁シールドルームの内部又は外側近傍における直流の磁
場を可能な限り低減させることができる。また、前記磁
気シールドルーム又は電磁シールドルームを高透磁率材
料を用いて形成した場合は、高透磁率材料が外部直流磁
場によって磁気飽和あるいはそれに近い着磁状態となり
他の外部磁場に対する磁気遮蔽性能が低下することや、
着磁による磁場が磁気シールドルーム自体の振動により
交流磁場に変化することをコイルの発生する逆磁場によ
って防止することができ、外部直流磁場の漏洩磁場と着
磁による残留磁場とは多くの場合逆向きであることを利
用し本発明の磁気遮蔽装置に流す電流を制御することに
より外部からの漏洩磁場を増加させ着磁による残留磁場
を打ち消すようにすることもできる。また、前記磁気シ
ールドルーム又は電磁シールドルームを超伝導材料を用
いて形成した場合は、外部直流磁場が超伝導材料のピン
ニングセンターにトラップされること防止することがで
きる。
象物を格納する磁気シールドルーム又は電磁シールドル
ームの外側に、少なくとも１つ以上のコイルを置き、こ
れらのコイルに直流電流を流すことにより外部直流磁場
と逆方向の逆磁場を発生させて前記外部直流磁場を打ち
消すことができるので、前記磁気シールドルーム又は電
磁シールドルームの内部又は外側近傍における直流の磁
場を可能な限り低減させることができる。また、前記磁
気シールドルーム又は電磁シールドルームを高透磁率材
料を用いて形成した場合は、高透磁率材料が外部直流磁
場によって磁気飽和あるいはそれに近い着磁状態となり
他の外部磁場に対する磁気遮蔽性能が低下することや、
着磁による磁場が磁気シールドルーム自体の振動により
交流磁場に変化することをコイルの発生する逆磁場によ
って防止することができ、外部直流磁場の漏洩磁場と着
磁による残留磁場とは多くの場合逆向きであることを利
用し本発明の磁気遮蔽装置に流す電流を制御することに
より外部からの漏洩磁場を増加させ着磁による残留磁場
を打ち消すようにすることもできる。また、前記磁気シ
ールドルーム又は電磁シールドルームを超伝導材料を用
いて形成した場合は、外部直流磁場が超伝導材料のピン
ニングセンターにトラップされること防止することがで
きる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面にもとづいて説
明する。図１は、本発明の第１実施例である磁気遮蔽装
置の全体構成を示した図である。
明する。図１は、本発明の第１実施例である磁気遮蔽装
置の全体構成を示した図である。
【０００７】図に示すように、この磁気遮蔽装置１Ａ
は、磁気遮蔽すべき対象物（人体、生物等）を格納する
直方体状の磁気シールドルーム２Ａと、この磁気シール
ドルーム２Ａの外側に設けられた直方体状のコイル枠３
Ａと、このコイル枠３ＡにＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に互いに対
向するように設置された３組のコイル４Ａ，４Ａ及び５
Ａ，５Ａ及び６Ａ，６Ａと、これらのコイルに電源を供
給する直流電源７Ａと、各コイルへの電流量を制御する
制御装置８Ａとを備えている。また、上記の磁気シール
ドルーム内には直流磁場を計測する磁気センサ１１Ａが
設けられ、磁気センサ１１Ａからのデータをもとに磁場
を求めるコンピュータ等の磁場計測装置１２Ａが接続し
ている。
は、磁気遮蔽すべき対象物（人体、生物等）を格納する
直方体状の磁気シールドルーム２Ａと、この磁気シール
ドルーム２Ａの外側に設けられた直方体状のコイル枠３
Ａと、このコイル枠３ＡにＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に互いに対
向するように設置された３組のコイル４Ａ，４Ａ及び５
Ａ，５Ａ及び６Ａ，６Ａと、これらのコイルに電源を供
給する直流電源７Ａと、各コイルへの電流量を制御する
制御装置８Ａとを備えている。また、上記の磁気シール
ドルーム内には直流磁場を計測する磁気センサ１１Ａが
設けられ、磁気センサ１１Ａからのデータをもとに磁場
を求めるコンピュータ等の磁場計測装置１２Ａが接続し
ている。
【０００８】このように、１対のコイル４Ａ，４Ａ及び
５Ａ，５Ａ及び６Ａ，６Ａを距離を離して平行して置く
ことにより、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の３軸方向のコイル対を形
成する。次に、磁気センサ１１Ａ及び磁場計測装置１２
Ａにより、磁気シールドルーム２Ａ内の直流磁場を計測
する。そして、上記のコイルに同方向の電流を流すと、
対向する２つのコイルの中心部にはコイルの軸方向（図
１の場合はＸ，Ｙ，Ｚ方向）の一様な磁場が形成され
る。このＸ，Ｙ，Ｚ方向の各成分磁場（ベクトル値）の
方向と量は、３軸をなす各コイルの電流量によって調整
でき、各コイルの電流量をうまく選べば、磁気シールド
ルーム２Ａ内に侵入している上記の外部直流磁場を打ち
消す逆磁場を発生させ、外部直流磁場を打ち消すことが
できるので、磁気シールドルーム２Ａの内部又は外側近
傍における直流の磁場を可能な限り低減させることがで
きる。このため、磁気センサ１１Ａと磁場計測装置１２
Ａにより計測した外部磁場の値から、各コイルに流す電
流量を決定する。
５Ａ，５Ａ及び６Ａ，６Ａを距離を離して平行して置く
ことにより、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の３軸方向のコイル対を形
成する。次に、磁気センサ１１Ａ及び磁場計測装置１２
Ａにより、磁気シールドルーム２Ａ内の直流磁場を計測
する。そして、上記のコイルに同方向の電流を流すと、
対向する２つのコイルの中心部にはコイルの軸方向（図
１の場合はＸ，Ｙ，Ｚ方向）の一様な磁場が形成され
る。このＸ，Ｙ，Ｚ方向の各成分磁場（ベクトル値）の
方向と量は、３軸をなす各コイルの電流量によって調整
でき、各コイルの電流量をうまく選べば、磁気シールド
ルーム２Ａ内に侵入している上記の外部直流磁場を打ち
消す逆磁場を発生させ、外部直流磁場を打ち消すことが
できるので、磁気シールドルーム２Ａの内部又は外側近
傍における直流の磁場を可能な限り低減させることがで
きる。このため、磁気センサ１１Ａと磁場計測装置１２
Ａにより計測した外部磁場の値から、各コイルに流す電
流量を決定する。
【０００９】上記の外部磁場は通常の場合は地磁気成分
である。このため、直流磁場ベクトル値は、磁気遮蔽装
置を設置する地点の緯度により一義的に決まる。したが
って、図２に示す第２実施例のように、予め計測により
既知の外部直流磁場Φout （地磁気成分）の方向に対
し、逆磁場Φc を発生させるように１対のコイル４Ｂ，
５Ｂを互いに対向させて設置し、同方向に電流Ｉ1B，Ｉ
2Bを流し、磁気シールドルーム２Ｂ内に侵入している上
記の外部直流磁場Φout の磁気勾配を精密に制御して逆
方向磁場を発生させ外部直流磁場を打ち消して零磁場を
生成させるようにしてもよい。
である。このため、直流磁場ベクトル値は、磁気遮蔽装
置を設置する地点の緯度により一義的に決まる。したが
って、図２に示す第２実施例のように、予め計測により
既知の外部直流磁場Φout （地磁気成分）の方向に対
し、逆磁場Φc を発生させるように１対のコイル４Ｂ，
５Ｂを互いに対向させて設置し、同方向に電流Ｉ1B，Ｉ
2Bを流し、磁気シールドルーム２Ｂ内に侵入している上
記の外部直流磁場Φout の磁気勾配を精密に制御して逆
方向磁場を発生させ外部直流磁場を打ち消して零磁場を
生成させるようにしてもよい。
【００１０】また、図３に示す第３実施例のように、予
め計測により既知の直流磁場Φout（地磁気成分）の方
向に対し、逆磁場Φc を発生させるように、それぞれが
複数コイルからなる１群のコイル４Ｃ，５Ｃを互いに対
向させて設置し、逆方向磁場を発生させて磁気シールド
ルーム２Ｃ内に侵入している上記の外部直流磁場Φout
をキャンセルし零磁場を生成させるようにしてもよい。
め計測により既知の直流磁場Φout（地磁気成分）の方
向に対し、逆磁場Φc を発生させるように、それぞれが
複数コイルからなる１群のコイル４Ｃ，５Ｃを互いに対
向させて設置し、逆方向磁場を発生させて磁気シールド
ルーム２Ｃ内に侵入している上記の外部直流磁場Φout
をキャンセルし零磁場を生成させるようにしてもよい。
【００１１】しかし、上記の第２，第３実施例のよう
に、磁気シールドルームに対して斜めの方向にコイルを
設置することは建築的に困難な場合もある。そこで、図
４に示す第４実施例のように、天井、壁、床に対して平
行になるように構成された各々が複数コイルからなる１
群のコイル４Ｄ，５Ｄを互いに対向させて地磁気方向に
設置し、予め計測により既知の外部直流磁場Φout （地
磁気成分）の方向に対し逆方向となる斜め方向の磁場Φ
c を発生させ、磁気シールドルーム２Ｄ内に侵入してい
る上記の外部直流磁場Φout をキャンセルして零磁場を
生成させるようにしてもよい。
に、磁気シールドルームに対して斜めの方向にコイルを
設置することは建築的に困難な場合もある。そこで、図
４に示す第４実施例のように、天井、壁、床に対して平
行になるように構成された各々が複数コイルからなる１
群のコイル４Ｄ，５Ｄを互いに対向させて地磁気方向に
設置し、予め計測により既知の外部直流磁場Φout （地
磁気成分）の方向に対し逆方向となる斜め方向の磁場Φ
c を発生させ、磁気シールドルーム２Ｄ内に侵入してい
る上記の外部直流磁場Φout をキャンセルして零磁場を
生成させるようにしてもよい。
【００１２】また、図５に示す第５実施例あるいは図６
に示す第６実施例のように、予め計測により既知の外部
直流磁場Φout （地磁気成分）の方向に対し、逆磁場Φ
c を発生させるようにソレノイド状のコイル４Ｅあるい
は４Ｆを設置し、磁気シールドルーム２Ｅあるいは２Ｆ
内に侵入している上記の外部直流磁場Φout をキャンセ
ルして零磁場を生成させるようにしてもよい。図５は中
緯度地方用の磁気遮蔽装置を、図６は低緯度地方（赤道
付近）用の磁気遮蔽装置を、それぞれ示している。この
ように、磁気シールドルームに対するコイルの設置角度
が異なるのは、緯度によって地磁気の方向が異なるから
である。
に示す第６実施例のように、予め計測により既知の外部
直流磁場Φout （地磁気成分）の方向に対し、逆磁場Φ
c を発生させるようにソレノイド状のコイル４Ｅあるい
は４Ｆを設置し、磁気シールドルーム２Ｅあるいは２Ｆ
内に侵入している上記の外部直流磁場Φout をキャンセ
ルして零磁場を生成させるようにしてもよい。図５は中
緯度地方用の磁気遮蔽装置を、図６は低緯度地方（赤道
付近）用の磁気遮蔽装置を、それぞれ示している。この
ように、磁気シールドルームに対するコイルの設置角度
が異なるのは、緯度によって地磁気の方向が異なるから
である。
【００１３】さらに、図７に示す第７実施例のように、
磁気シールドルーム２Ｇの外部空間が、コイルを設置す
るには狭すぎるような場合には、磁気シールドルーム２
Ｇの壁面にコイルパターン４Ｇを直接巻くように設置
し、予め計測により既知の直流磁場Φout （地磁気成
分）の方向に対し、逆磁場Φc を発生させるようにすれ
ば、磁気シールドルーム２Ｇ内に侵入している上記の外
部直流磁場Φout をキャンセルして零磁場を生成させる
ことができる。
磁気シールドルーム２Ｇの外部空間が、コイルを設置す
るには狭すぎるような場合には、磁気シールドルーム２
Ｇの壁面にコイルパターン４Ｇを直接巻くように設置
し、予め計測により既知の直流磁場Φout （地磁気成
分）の方向に対し、逆磁場Φc を発生させるようにすれ
ば、磁気シールドルーム２Ｇ内に侵入している上記の外
部直流磁場Φout をキャンセルして零磁場を生成させる
ことができる。
【００１４】上記において、磁気シールドルーム２Ａ〜
２Ｇをパーマロイ、ミューメタル等の高透磁率材料を用
いて形成してもよく、その場合は、高透磁率材料が外部
直流磁場によって磁気飽和あるいはそれに近い着磁状態
となり他の外部磁場に対する磁気遮蔽性能が低下するこ
とや、着磁による磁場が磁気シールドルーム自体の振動
により交流磁場に変化することをコイルの発生する逆磁
場によって防止することができ、外部直流磁場の漏洩磁
場と着磁による残留磁場とは多くの場合逆向きであるこ
とを利用し本発明の磁気遮蔽装置に流す電流を制御する
ことにより外部からの漏洩磁場を増加させ着磁による残
留磁場を打ち消すようにすることもできる。したがっ
て、直流磁気遮蔽特性の改善、振動による磁気雑音の低
減、磁気飽和による磁気遮蔽性能低下の防止、外部交流
磁場の遮蔽等の効果がある。
２Ｇをパーマロイ、ミューメタル等の高透磁率材料を用
いて形成してもよく、その場合は、高透磁率材料が外部
直流磁場によって磁気飽和あるいはそれに近い着磁状態
となり他の外部磁場に対する磁気遮蔽性能が低下するこ
とや、着磁による磁場が磁気シールドルーム自体の振動
により交流磁場に変化することをコイルの発生する逆磁
場によって防止することができ、外部直流磁場の漏洩磁
場と着磁による残留磁場とは多くの場合逆向きであるこ
とを利用し本発明の磁気遮蔽装置に流す電流を制御する
ことにより外部からの漏洩磁場を増加させ着磁による残
留磁場を打ち消すようにすることもできる。したがっ
て、直流磁気遮蔽特性の改善、振動による磁気雑音の低
減、磁気飽和による磁気遮蔽性能低下の防止、外部交流
磁場の遮蔽等の効果がある。
【００１５】また、上記の磁気シールドルーム２Ａ〜２
Ｇを超伝導材料を用いて形成してもよく、その場合は、
外部直流磁場が超伝導材料のピンニングセンターにトラ
ップされること防止することができる。
Ｇを超伝導材料を用いて形成してもよく、その場合は、
外部直流磁場が超伝導材料のピンニングセンターにトラ
ップされること防止することができる。
【００１６】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００１７】例えば、上記実施例においては、磁気シー
ルドルームの内部の外部直流磁場を打ち消し零磁場状態
にする例について説明したが、これには限定されず、磁
気シールドルームの外部近傍の外部直流磁場を逆磁場に
よって打ち消し零磁場状態にするようにしてもかまわな
い。
ルドルームの内部の外部直流磁場を打ち消し零磁場状態
にする例について説明したが、これには限定されず、磁
気シールドルームの外部近傍の外部直流磁場を逆磁場に
よって打ち消し零磁場状態にするようにしてもかまわな
い。
【００１８】また、上記実施例においては、磁気シール
ドルームの外部に逆磁場生成用のコイルを設置する例に
ついて説明したが、これは磁気シールドルームには限定
されず、電磁シールドルームの外部に逆磁場生成用のコ
イルを設置するようにしてもかまわない。
ドルームの外部に逆磁場生成用のコイルを設置する例に
ついて説明したが、これは磁気シールドルームには限定
されず、電磁シールドルームの外部に逆磁場生成用のコ
イルを設置するようにしてもかまわない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、上記構成を有する
本発明によれば、磁気遮蔽対象物を格納する磁気シール
ドルーム又は電磁シールドルームの外側に、少なくとも
１つ以上のコイルを置き、これらのコイルに直流電流を
流すことにより外部直流磁場と逆方向の逆磁場を発生さ
せて前記外部直流磁場を打ち消すことができるので、前
記磁気シールドルーム又は電磁シールドルームの内部又
は外側近傍における直流の磁場を可能な限り低減させる
ことができる。また、前記磁気シールドルーム又は電磁
シールドルームを高透磁率材料を用いて形成した場合
は、高透磁率材料が外部直流磁場によって磁気飽和ある
いはそれに近い着磁状態となり他の外部磁場に対する磁
気遮蔽性能が低下することや、着磁による磁場が磁気シ
ールドルーム自体の振動により交流磁場に変化すること
をコイルの発生する逆磁場によって防止することがで
き、外部直流磁場の漏洩磁場と着磁による残留磁場とは
多くの場合逆向きであることを利用し本発明の磁気遮蔽
装置に流す電流を制御することにより外部からの漏洩磁
場を増加させ着磁による残留磁場を打ち消すようにする
こともできる。したがって、高透磁率材料を用いた磁気
シールドルーム又は電磁シールドルームの場合には、直
流磁気遮蔽特性の改善、振動による磁気雑音の低減、磁
気飽和による磁気遮蔽性能低下の防止、外部交流磁場の
遮蔽等という課題が簡易な構成で簡便に解決できる、と
いう利点を有する。また、前記磁気シールドルーム又は
電磁シールドルームを超伝導材料を用いて形成した場合
は、外部直流磁場が超伝導材料のピンニングセンターに
トラップされること防止することができる。したがっ
て、超伝導材料を用いた磁気シールドルーム又は電磁シ
ールドルームの場合には、磁気トラップの問題を簡易な
構成で簡便に解決できる、という利点がある。
本発明によれば、磁気遮蔽対象物を格納する磁気シール
ドルーム又は電磁シールドルームの外側に、少なくとも
１つ以上のコイルを置き、これらのコイルに直流電流を
流すことにより外部直流磁場と逆方向の逆磁場を発生さ
せて前記外部直流磁場を打ち消すことができるので、前
記磁気シールドルーム又は電磁シールドルームの内部又
は外側近傍における直流の磁場を可能な限り低減させる
ことができる。また、前記磁気シールドルーム又は電磁
シールドルームを高透磁率材料を用いて形成した場合
は、高透磁率材料が外部直流磁場によって磁気飽和ある
いはそれに近い着磁状態となり他の外部磁場に対する磁
気遮蔽性能が低下することや、着磁による磁場が磁気シ
ールドルーム自体の振動により交流磁場に変化すること
をコイルの発生する逆磁場によって防止することがで
き、外部直流磁場の漏洩磁場と着磁による残留磁場とは
多くの場合逆向きであることを利用し本発明の磁気遮蔽
装置に流す電流を制御することにより外部からの漏洩磁
場を増加させ着磁による残留磁場を打ち消すようにする
こともできる。したがって、高透磁率材料を用いた磁気
シールドルーム又は電磁シールドルームの場合には、直
流磁気遮蔽特性の改善、振動による磁気雑音の低減、磁
気飽和による磁気遮蔽性能低下の防止、外部交流磁場の
遮蔽等という課題が簡易な構成で簡便に解決できる、と
いう利点を有する。また、前記磁気シールドルーム又は
電磁シールドルームを超伝導材料を用いて形成した場合
は、外部直流磁場が超伝導材料のピンニングセンターに
トラップされること防止することができる。したがっ
て、超伝導材料を用いた磁気シールドルーム又は電磁シ
ールドルームの場合には、磁気トラップの問題を簡易な
構成で簡便に解決できる、という利点がある。
【図１】本発明の第１実施例である磁気遮蔽装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の第２実施例である磁気遮蔽装置の構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図３】本発明の第３実施例である磁気遮蔽装置の構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】本発明の第４実施例である磁気遮蔽装置の構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図５】本発明の第５実施例である磁気遮蔽装置の構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図６】本発明の第６実施例である磁気遮蔽装置の構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図７】本発明の第７実施例である磁気遮蔽装置の構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１Ａ〜１Ｇ 磁気遮蔽装置 ２Ａ〜２Ｇ 磁気シールドルーム ３Ａ コイル枠 ４Ａ〜４Ｇ，５Ａ〜５Ｄ，６Ａ コイル ７Ａ 直流電源 ８Ａ 制御装置 １１Ａ 磁気センサ １２Ａ 磁場計測装置
Claims (11)
- 【請求項１】 磁気遮蔽対象物を格納する磁気シールド
ルーム又は電磁シールドルームの外側に、少なくとも１
つ以上のコイルを置き、これらのコイルに直流電流を流
すことにより外部直流磁場と逆方向の逆磁場を発生させ
て前記外部直流磁場を打ち消し、前記磁気シールドルー
ム又は電磁シールドルームの内部又は外側近傍における
直流の磁場を低減させることを特徴とする磁気遮蔽装
置。 - 【請求項２】 前記磁気シールドルーム又は電磁シール
ドルームは、高透磁率材料を用いて形成されることを特
徴とする請求項１に記載した磁気遮蔽装置。 - 【請求項３】 前記磁気シールドルーム又は電磁シール
ドルームは、超伝導材料を用いて形成されることを特徴
とする請求項１に記載した磁気遮蔽装置。 - 【請求項４】 前記コイルは、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向に設置
した互いに対向する３組のコイルを備えて構成されるこ
とを特徴とする請求項２に記載した磁気遮蔽装置。 - 【請求項５】 前記コイルは、地磁気方向に設置した互
いに対向する１群のコイルを備えて構成されることを特
徴とする請求項２に記載した磁気遮蔽装置。 - 【請求項６】 前記コイルは、地磁気方向に設置したソ
レノイドコイルを備えて構成されることを特徴とする請
求項２に記載した磁気遮蔽装置。 - 【請求項７】 前記コイルは、前記磁気シールドルーム
又は電磁シールドルームの周囲に、地磁気方向に合わせ
て巻いた１群のコイルを備えて構成されることを特徴と
する請求項２に記載した磁気遮蔽装置。 - 【請求項８】 前記コイルは、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向に設置
した互いに対向する３組のコイルを備えて構成されるこ
とを特徴とする請求項３に記載した磁気遮蔽装置。 - 【請求項９】 前記コイルは、地磁気方向に設置した互
いに対向する１群のコイルを備えて構成されることを特
徴とする請求項３に記載した磁気遮蔽装置。 - 【請求項１０】 前記コイルは、地磁気方向に設置した
ソレノイドコイルを備えて構成されることを特徴とする
請求項３に記載した磁気遮蔽装置。 - 【請求項１１】 前記コイルは、前記磁気シールドルー
ム又は電磁シールドルームの周囲に、地磁気方向に合わ
せて巻いた１群のコイルを備えて構成されることを特徴
とする請求項３に記載した磁気遮蔽装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6187932A JP2864095B2 (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 磁気遮蔽装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6187932A JP2864095B2 (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 磁気遮蔽装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832273A true JPH0832273A (ja) | 1996-02-02 |
| JP2864095B2 JP2864095B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=16214714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6187932A Expired - Lifetime JP2864095B2 (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 磁気遮蔽装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2864095B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007129049A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Takenaka Komuten Co Ltd | 磁気シールドルーム |
| JP2015055520A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 磁気シールド装置および磁気シールド方法 |
| CN117580349A (zh) * | 2023-10-31 | 2024-02-20 | 广州市第三市政工程有限公司 | 一种电镜实验室磁屏蔽结构、磁屏蔽方法及介质 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005027761A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 磁気的状態維持装置、マグネットシステムおよび磁気共鳴撮影装置 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6055700A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | コイルシステムの磁気遮蔽装置 |
| JPH01161400A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Fujitsu Ltd | 音声入力制御方式 |
| JPH01308536A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 磁気遮蔽室 |
| JPH02186094A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Fujita Corp | 磁気シールドルーム用扉 |
| JPH03255981A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 超電導体を用いた磁気シールド装置 |
| JPH03280595A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Nippon Sharyo Seizo Kaisha Ltd | 磁気遮へい方法 |
| JPH04357481A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-12-10 | Hoxan Corp | スクイドを用いた磁気雑音除去装置 |
| JPH05218678A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気シールド装置 |
| JPH05267053A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Fujita Corp | 変動磁場発生装置 |
| JPH05308199A (ja) * | 1991-03-27 | 1993-11-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 超電導体を用いた低磁場形成方法 |
| JPH0697690A (ja) * | 1992-05-29 | 1994-04-08 | Shimizu Corp | 磁気遮蔽装置 |
| JPH06204684A (ja) * | 1992-02-18 | 1994-07-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気シールド装置 |
-
1994
- 1994-07-19 JP JP6187932A patent/JP2864095B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6055700A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | コイルシステムの磁気遮蔽装置 |
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| CN117580349A (zh) * | 2023-10-31 | 2024-02-20 | 广州市第三市政工程有限公司 | 一种电镜实验室磁屏蔽结构、磁屏蔽方法及介质 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2864095B2 (ja) | 1999-03-03 |
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