JPH08323303A - 洗浄処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は被処理物を洗浄後にスピン乾燥さ
せるとき、洗浄時の処理液が再付着するのを防止できる
洗浄処理装置を提供することにある。 【構成】 被処理物２２の上下面を洗浄処理する洗浄装
置において、処理容器１と、上記被処理物を保持するチ
ャックピン１９を有し上記処理容器に回転自在に設けら
れた回転チャック１１と、この回転チャックを回転駆動
するモ−タ１６と、上記被処理物の上面側と下面側に設
けられ上記被処理物の上面と下面に処理液を供給する上
部ノズル３７おおよびノズル孔３２ａと、上記被処理物
の下面側に上記回転チャックと一体的に回転するよう設
けられその回転によって径方向外方へ向かう気流を発生
する気流発生板３５とを具備したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハや液晶用
ガラス基板などの被処理物の上下面を洗浄処理する洗浄
処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造工程におい
ては、半導体ウエハに回路パタ−ンを形成するリソグラ
フィプロセスがある。リソグラフィプロセスは、周知の
ように上記半導体ウエハにレジストを塗布し、このレジ
ストに回路パタ−ンが形成されたマスクを介して光を照
射し、ついでレジストの光が照射されない部分（あるい
は光が照射された部分）を除去し、除去された部分を処
理するという一連の工程を数十回繰り返すことで回路パ
タ−ンが形成される。

【０００３】各工程において、上記半導体ウエハが汚染
されていると回路パタ−ンを精密に形成することができ
なくなり、不良品の発生原因となる。半導体ウエハは、
回路パタ−ンが形成される上面だけでなく、下面が汚染
されている場合にも、露光時に半導体ウエハの保持精度
が低下するなどのことが生じ、パタ−ンを精密に形成で
きなくなるということがある。とくに、液晶用ガラス基
板の場合、上下面のどちらの面が汚染されても、透過光
量が一定とならずに、不良品の発生原因となることがあ
る。

【０００４】したがって、各工程を精密に行えるよう、
上記半導体ウエハや液晶用ガラス基板などの被処理物を
処理液（薬液や純水）で洗浄し、ついでその被処理物を
乾燥させるということが行われている。

【０００５】従来、上記被処理物の洗浄、乾燥は高速回
転する回転チャクを用いて行われていた。すなわち、上
記回転チャックは基盤に被処理物を保持するためのチャ
ックピンが設けられてなり、このチャックピンに保持さ
れる被処理物の上下方向にはそれぞれ上記被処理物の上
面と下面に向けて処理液を噴射する上部ノズルと下部ノ
ズルが配設されている。

【０００６】上記各ノズルから処理液を噴射させること
で被処理物の上下面全体を洗浄する。ついで、上記回転
チャックを高速度で回転させることで、上記被処理物の
上下面に付着した処理液を遠心力で除去乾燥させるとい
うことが行われている。

【０００７】ところで、このようにして被処理物に付着
した処理液を除去乾燥させる場合、回転チャックを高速
度で回転さると、被処理物や回転チャックのチャックピ
ンなどに付着していた処理液が被処理物の下方で高速回
転する上記回転チャックの基盤の上面などに滴下するこ
とがある。高速回転する基盤上などに液体が滴下する
と、その液体はミスト状になって上方へ舞い上がり、上
記被処理物の裏面に再付着し、その裏面を汚染する。と
くに、処理液に洗浄時の塵埃などが含まれている場合に
は、その汚染度合が非常に大きくなるということがあ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の洗
浄処理装置は、被洗浄物を処理液で洗浄したのち、回転
チャックを高速度で回転させて上記被処理物を乾燥させ
るときに、回転チャックや被処理物に付着した処理液が
高速度で回転する回転チャックに滴下し、ミスト状とな
って舞い上がり、上記被処理物の下面に再付着してその
下面を汚染するということがあった。

【０００９】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、被処理物を洗浄してから
高速回転させて乾燥するときに、上記被処理物に処理液
が再付着することがないようにした洗浄処理装置を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１に記載されたこの発明は、被処理物の上下面
を洗浄処理する洗浄装置において、処理容器と、上記被
処理物を保持するチャック部を有し上記処理容器に回転
自在に設けられた回転チャックと、この回転チャックを
回転駆動する駆動手段と、上記被処理物の下面側に設け
られ上記被処理物の上面と下面にそれぞれ処理液を供給
する噴射手段と、上記被処理物の下面側に上記回転チャ
ックと一体的に回転するよう設けられその回転によって
径方向外方へ向かう気流を発生する気流発生手段とを具
備したことを特徴とする。

【００１１】請求項２に記載された発明は、被処理物の
上下面を洗浄処理する洗浄装置において、処理容器と、
この処理容器の中心部分に設けられた支持軸と、基盤を
有し、この基盤の下面に上記支持軸に回転自在に支持さ
れる支持部が設けられ、上面側に上記被処理物の周辺部
を係合保持する複数のチャックピンが立設されてなる回
転チャックと、この回転チャックを回転駆動する駆動手
段と、上記被処理物の下面側に設けられ上記被処理物の
上面と下面にそれぞれ処理液を供給する噴射手段と、上
記被処理物の下面側に上記回転チャックと一体的に回転
しかつ上記回転チャックの基盤を覆う状態で設けられ回
転チャックとともに回転することで径方向外方へ向かう
気流を発生する気流発生手段とを具備したことを特徴と
する。

【００１２】請求項３に記載された発明は、請求項２の
発明において、上記気流発生手段は円盤状をなしてい
て、その上面は径方向中心部から外方に向かって低く傾
斜した傾斜面に形成されていることを特徴とする。

【００１３】請求項４に記載された発明は、請求項２の
発明において、上記被処理物の下面に処理液を供給する
噴射手段は、上記支持軸に設けられたノズル孔からなる
ことを特徴とする。

【００１４】請求項５に記載された発明は、請求項２の
発明において、上記支持軸には、一端を上記支持軸の外
周面と支持軸に支持された上記回転チャックの支持部の
内周面との間に連通させた吸引路が形成されていること
を特徴とする。

【００１５】請求項６に記載された発明は、被処理物の
上下面のうちの少なくとも下面を洗浄処理する洗浄装置
において、処理容器と、環状部およびこの環状部の内周
部に上記被処理物の周辺部を係合保持する保持部が設け
られてなり、上記処理容器の内周面に上記環状部の外周
面が回転自在に支持されて設けられた回転チャックと、
この回転チャックを回転駆動する駆動手段と、上記被処
理物の上面側と下面側とに設けられ上記被処理物の上面
と下面にそれぞれ処理液を供給する噴射手段とを具備し
たことを特徴とする。

【００１６】請求項７に記載された発明は、請求項６の
発明において、上記回転チャックの保持部は、この回転
チャックが回転駆動されることで上記環状部の径方向外
方へ向かう気流を発生する形状であることを特徴とす
る。

【００１７】請求項８に記載された発明は、請求項７の
発明において、上記保持部は、上記環状部の内周面から
径方向内方へ向かって設けられた複数のア−ムからなる
ことを特徴とする。

【００１８】請求項９に記載された発明は、請求項８の
発明において、上記保持部の上下には、上記回転チャッ
クの回転によって上記保持部で発生する気流を上記回転
チャックの径方向外方へガイドするガイド部が設けられ
ていることを特徴とする。

【００１９】

【作用】請求項１と請求項２の発明によれば、回転チャ
ックを高速度で回転させて被処理物を乾燥させるときに
処理液が滴下してミスト状となると、そのミストは気流
発生手段で発生する気流によって回転チャックの径方向
外方へ流れるため、被処理物の下面に再付着するのが防
止される。

【００２０】請求項３の発明によれば、気流発生手段の
上面が径方向外方に向かって低く傾斜しているので、こ
の気流発生手段の上面に滴下した処理液はその傾斜面の
傾斜に沿って径方向外方へ流れながらミスト状になるた
め、被処理物の下面に付着しにくくなる。

【００２１】請求項４の発明によれば、回転チャックを
回転自在に支持するための支持軸を処理液を被処理物の
下面に噴射させるための噴射手段に兼用できる。請求項
５の発明によれば、支持軸が高速回転することで軸受部
分から発生するダストが吸引路に吸引され、周囲に飛散
するのが防止される。

【００２２】請求項６の発明によれば、回転チャックの
保持部に保持された被処理物の下面側には、上記回転チ
ャックの高速回転する部分がないから、被処理物や回転
チャックから滴下する処理液がミスト状となりにくい。

【００２３】請求項７と請求項８の発明によれば、被処
理物を高速回転させることで処理液がミスト状となって
も、上記保持部で発生する気流により、そのミストを回
転チャックの径方向外方へ流すことができる。請求項９
の発明によれば、保持部で発生した気流がガイド部によ
って処理容器の外部へガイドされることで、ミストなど
が被処理物に付着しにくくなる。

【００２４】

【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図１と図２はこの発明の第１の実施例を示し、
図１に示す洗浄処理装置は処理容器１を備えている。こ
の処理容器１は上面が開放しているとともに、周壁の上
部は上端にゆくにしたがい径方向内方に向かって傾斜し
た斜面１ａに形成されている。

【００２５】上記処理容器１の底壁１ｂには、周辺部に
複数の排出管２の一端が接続され、中心部には周辺部が
第１のフランジ３によって囲まれた挿通孔４が形成され
ている。この挿通孔４には支持軸５が挿通されている。
支持軸５の上部は処理容器１の内部に突出し、下端部は
上記処理容器１の下方に配置されたベ−ス板６に固定さ
れている。

【００２６】上記支持軸５には回転チャック１１が回転
自在に支持されている。すなわち、回転チャック１１は
中心部に通孔１２ａが穿設された円盤状の基盤１２を有
する。この基盤１２の下面、つまり上記通孔１２ａと対
応する位置には筒状の支持部１３が垂設されている。こ
の支持部１３が上記支持軸５に外嵌され、上部と下部と
がそれぞれ軸受１４によって回転自在に支持されてい
る。

【００２７】上記支持部１３の下端部には従動プ−リ１
５が設けられている。上記ベ−ス板６にはモ−タ１６が
設けられ、この回転軸１６ａには駆動プ−リ１７が嵌着
されている。この駆動プ−リ１７と上記従動プ−リ１５
とにはベルト１８が張設されている。したがって、上記
モ−タ１６が作動すれば、上記支持部１３、つまり回転
チャック１１が回転駆動されるようになっている。

【００２８】上記回転チャック１１の基盤１２の上面に
は周方向に複数本、この実施例では４本のチャックピン
１９が立設されている。各チャックピン１９の上端部に
は段部からなる係合部２１が形成され、これらの係合部
２１には被処理物としての半導体ウエハ２２が周辺部を
係合させて着脱可能に保持される。したがって、上記半
導体ウエハ２２は回転チャック１１と一体的に回転する
ようなっている。

【００２９】なお、上記基盤１２の下面には上記処理容
器１の底壁１ｂに設けられた第１のフランジ３の周囲を
覆う第２のフランジ２３が設けられ、それによって挿通
孔４が処理容器１の外部に直接連通するのを阻止してい
る。また、基盤１２の上面には通孔１２ａの周辺部を囲
む第３のフランジ２４が突設されている。

【００３０】上記支持軸５には、上端に支持軸５よりも
大径な頭部５ａが設けられている。この頭部５ａは上面
が周辺部に行くにつれて低く傾斜した円錐状に形成され
ている。上記頭部５ａの下面には上記第３のフランジ２
４が入り込む環状凹部２５が形成され、それによって基
盤１２の上面側が支持部１３の内部空間を介して外部に
直接連通するのを阻止している。

【００３１】上記支持軸５には、先端を上記支持軸５の
頭部５ａ上面に開口させたＮ₂ などの不活性ガスが供給
されるガス供給路３１と、先端を同じく上記頭部５ａの
上面に複数のノズル孔３２ａを介して開口させた、薬液
や純水などの処理液が供給される液供給路３２とが軸方
向に沿って形成されている。さらに、支持軸５には、先
端を支持軸５の上部外周面で、支持軸５の上部を支持し
た上部の軸受１４よりも上方の位置に開口させた吸引路
３３が形成されている。

【００３２】上記ガス供給路３１は図示しないガス供給
源に連通し、液供給路３２は同じく図示しない液供給源
に連通している。さらに、吸引路３３は図示しない吸引
ポンプに連通している。

【００３３】上記ガス供給路３１に供給された不活性ガ
スは上記チャックピン１９に保持された半導体ウエハ２
２に向かって噴出され、上記液供給路３２に供給された
処理液は上記ノズル孔３２ａから上記半導体ウエハ２２
の下面に向かって噴出されるようになっている。

【００３４】上記ガス供給路３１の上部からは分岐路３
１ａが分岐されている。この分岐路３１ａの先端は上記
支持軸５の上部外周面で、上記吸引路３３の先端よりも
上方の位置に開口している。したがって、上記ガス供給
路３１から分岐路３１ａへ流入した不活性ガスは上記分
岐路３１ａから支持軸５の外周面と支持部１３の内周面
との隙間に流入し、その一部は吸引路３３で発生する吸
引力により、軸受１４に向かって流れて上記吸引路３３
に吸引される。それによって、回転チャック１１が高速
回転したときに上記軸受１４で発生する塵埃が回転チャ
ック１１の基盤１２の上面側へ流出するのが阻止される
ようになっている。

【００３５】上記支持軸５の頭部５ａの上方には気流発
生板３５が設けられている。すなわち、気流発生板３５
は上面が周辺部にゆくにつれて低く傾斜した円錐状をな
している。この気流発生板３５は上記基盤１２よりも大
径に形成され、その中心部には上記頭部５ａに形成され
たガス供給路３１やノズル孔３２ａを露出させる開口３
５ａが形成されている。

【００３６】上記気流発生板３５の周辺部には、上記回
転チャック１１のチャックピン１９と対応する位置に取
付孔３６が穿設されている。気流発生板３５は、上記取
付孔３６を上記チャックピン１９に嵌合させて取り付け
られている。つまり、気流発生板３５は上記頭部５ａの
上面周辺部および回転チャック１１の基盤１２の上面を
覆う状態で設けられている。

【００３７】なお、上記回転チャック１１に保持される
半導体ウエハ２２の上方には、この半導体ウエハ２２の
上面に処理液を噴射する上部ノズル３７が配設されてい
る。この上部ノズル３７は、上記液供給路３２と同様、
図示しない処理液の供給源に連通している。

【００３８】つぎに、上記構成の洗浄処理装置の作用に
ついて説明する。まず、洗浄処理する半導体ウエハ２２
を図示しないロボットハンドなどによって回転チャック
１１のチャックピン１９に保持したならば、液供給路３
２と上部ノズル３７とに処理液を供給し、上記半導体ウ
エハ２２の下面と上面とに向けて噴射させる。このと
き、回転チャック１１は低速度で回転させる。それによ
って、上記半導体ウエハ２２の下面と上面とが洗浄され
る。

【００３９】洗浄を所定時間行ったならば、処理液の供
給を停止し、モ−タ１６を制御して回転チャック１１を
高速回転させる。それによって、上記半導体ウエハ２２
に付着した処理液が遠心力で吹き飛ばされるから、上記
半導体ウエハ２２を乾燥処理することができる。

【００４０】洗浄時および乾燥処理時に、ガス供給路３
１に不活性ガスを供給する。洗浄時に不活性ガスが供給
されると、処理液と混合するから、処理液を半導体ウエ
ハ２２の下面にむらなく作用し、洗浄効果を高めること
ができる。

【００４１】乾燥処理時に不活性ガスを供給すること
で、上記半導体ウエハ２２の下面への塵埃の付着を低減
させることができる。しかも、不活性ガスの一部が分岐
管３１ａに流れて吸引路３３へ吸引されることで、軸受
１４で発生する塵埃が上記吸引路３３へ吸引されること
になるから、上記半導体ウエハ２２に付着するのが防止
される。

【００４２】一方、上記半導体ウエハ２２の乾燥処理時
に、半導体ウエハ２２やチャックピン１９などに付着し
た処理液が支持軸５の頭部５ａ上面や気流発生板３５の
上面などに滴下する。上記頭部５ａの上面に滴下した処
理液はその上面が傾斜しているから、その斜面から回転
チャック１１の基盤１２の上面へ流れる。

【００４３】上記基盤１２や気流発生板３５は高速回転
しているから、そこに処理液が滴下することで、液滴や
ミストが発生し、それらが半導体ウエハ２２の、とくに
下面委に付着する虞がある。

【００４４】しかしながら、上記気流発生板３５は、回
転チャック１１とともに高速回転することで、その上下
面には図２に矢印で示すように中心部から径方向外方へ
向かう気流が発生する。そのため、処理液が基盤１２や
気流発生板３５の上面に滴下することで発生する液滴や
ミストは、上記気流発生板３５で発生する気流に乗って
回転チャック１１の径方向外方へ排出されることにな
る。つまり、上記気流発生板３５を有することで、半導
体ウエハ２２を洗浄した処理液が、乾燥処理時に上記半
導体ウエハ２２へ再付着するのを防止することができ
る。

【００４５】上記実施例では半導体ウエハ２２の下面側
にだけ不活性ガスを噴射できるようにしているが、上面
側にもガス供給路を設け、上部ノズル３７からの処理液
と一緒に不活性ガスを噴射させるようにしてもよいこと
勿論である。

【００４６】図３と図４はこの発明の第２の実施例の洗
浄処理装置を示す。図３に示す洗浄処理装置は上面が開
放した有底円筒状の下部処理容器５０を備えている。こ
の下部処理容器５０の底部には排液管５１が上端部を所
定寸法内部に突出させて接続され、周壁下部には図示し
ない排気ポンプに連通した排気管５２が接続されてい
る。

【００４７】上記下部処理容器５０の上端部には段部５
０ａが形成され、この段部５０ａには回転チャック５３
が軸受５４によって回転自在に設けられている。つま
り、回転チャック５３は、円筒状の環状部５４と、この
環状部５４の内周面に周方向に所定間隔で突設された複
数のア−ム５５からなり、上記環状部５４の外周面が上
記軸受５４を介して下部処理容器５０の内周面に回転自
在に支持されている。

【００４８】上記ア−ム５５は、図４に示すように環状
部５４の周方向に所定の角度で傾斜し、しかも図３に示
すように基端から先端に向かって上方に傾斜している。
これらア−ム５５の先端部には段部からなる係合部５６
が形成され、これら係合部５６には周辺部を係合させて
被処理物である、半導体ウエハ２２が保持されている。

【００４９】上記回転チャック５３の環状部５４の外周
面上部には従動プ−リ５７が設けられている。この従動
プ−リ５７と駆動プ−リ５８とにはベルト５９が張設さ
れている。上記駆動プ−リ５８はモ−タ６１の回転軸６
１ａに嵌着されている。このモ−タ６１は上記下部処理
容器５０が保持されたベ−ス板６２に設けられている。

【００５０】上記モ−タ６１が作動して上記回転チャッ
ク５３が図４に矢印Ａで示す時計方向に回転駆動される
と、上記回転チャック５３のア−ム５５によって同図２
に矢印Ｂで示す上記回転チャック５３の回転方向と逆方
向の気流が発生されるようになっている。つまり、回転
チャック５３が回転駆動されることで、その径方向中心
部から外方へ向かう気流が発生するよう、上記ア−ム５
５の傾斜角度が設定されている。

【００５１】さらに、上記回転チャック５３の環状部５
４の外周面の下部には、リング板５４ａが上記ア−ム５
５とほぼ同じ傾斜角度で設けられている。このリング板
５４ａは回転チャック５３とともに回転することで、径
方向外方へ向かう気流を発生する。したがって、上記回
転チャック５３が回転することで、上記ア−ム５５とリ
ング板５４とによって回転チャック５３の径方向外方へ
向かう気流を発生できるようになっている。

【００５２】上記下部処理容器５０の内部には内カップ
６５が設けられている。この内カップ６５は上記下部処
理容器５０に比べて小径に形成され、その外周面と上記
下部処理容器５０の内周面との間に排気路６６を形成し
ている。また、内カップ６５の下端は上記下部処理容器
５０内底面と上記排液管５１の上端との間に位置してい
る。それによって、内カップ６５の下端開口と上記排気
路６６とは、上記下部処理容器５０の底部に貯留される
液体（処理液）によってシ−ルされている。

【００５３】上記内カップ６５の周壁の上部は径方向内
方に向かって上記ア−ム５５とほぼ同じ角度で傾斜し、
上記ア−ム５５の下面に対して所定の間隔で離間した下
部ガイド部６７に形成されている。

【００５４】上記下部処理容器５０の上端部には外カッ
プ６８が設けられている。この外カップ６８の内周面に
は上記ア−ム５５の上面を所定の間隔を介して覆う上部
ガイド部６９が上記ア−ム５５とほぼ同じ角度で傾斜し
て設けられている。この上部ガイド部６９と上記下部ガ
イド部６７とによって回転チャック５３が回転すること
で上記ア−ム５５で発生する気流を、回転チャック５３
の径方向外方へガイドするようになっている。

【００５５】なお、図３において７１は上記下部処理容
器５０とで処理容器を形成する上部処理容器である。上
記回転チャック５３に保持される半導体ウエハ２２の下
面側には下部固定ノズル７２と下部可動ノズル７３とが
配置され、上面側には上部固定ノズル７４と上部可動ノ
ズル７５とが配置されている。各ノズルには図示しない
処理液の供給源に接続されている。それによって、上記
半導体ウエハ２２の下面と上面とに処理液を噴射できる
ようになっている。

【００５６】上記一対の可動ノズル７３、７５は処理液
に超音波振動を付与することができる超音波ノズルが採
用されていて、それぞれモ−タ７６ａ、７６ｂによって
半導体ウエハ２２の径方向に沿って回転されるア−ム７
７ａ、７７ｂの先端に取り付けられている。したがっ
て、上記ア−ム７７ａ、７７ｂを駆動しながら処理液を
供給することで、上記ノズル７３、７５により、処理液
を半導体ウエハ２２の上下全面にわったて均一に噴射で
きるようになっている。

【００５７】上記内カップ６５の内部には、この内カッ
プ６５の周壁と上記下部処理容器５０の周壁とを貫通し
てガス供給管７８が先端開口を下方に向けて設けられて
いる。このガス供給管７８はＮ₂ などの図示しない不活
性ガスの供給源に連通している。このガス供給管７８か
ら内カップ６５内に供給された不活性ガスは上記内カッ
プ６５の中途部に設けられた整流板７９を通過して上記
回転チャック５３に保持された半導体ウエハ２２の下面
側へ流れるようになっている。

【００５８】つぎに、上記構成の洗浄処理装置の作用に
ついて説明する。回転チャック５３のア−ム５５に図示
しないロボットハンドなどによって半導体ウエハ２２を
供給保持させたならば、回転チャック５３を低速度で回
転させるとともに、各ノズルから半導体ウエハ２２の上
下面に洗浄液を噴射させ、またガス供給管７８から不活
性ガスを噴出させ、さらに吸引管５２に吸引力を発生さ
せる。

【００５９】各ノズルから半導体ウエハ２２の上下面に
処理液が噴射されることで、その上下面が洗浄されるこ
とになる。上下一対の可動ノズル７３、７５は半導体ウ
エハ２２の径方向に沿って移動するから、半導体ウエハ
２２の上下面全体に処理液を均一に噴射させることがで
きる。しかも、可動ノズル７３、７５から噴射される洗
浄液には超音波振動が付与されているから、高い洗浄効
果を得ることができる。

【００６０】処理液による洗浄を所定時間行ったなら
ば、処理液の供給を停止し、モ−タ６１を制御して回転
チャック５３の回転速度を2000〜3000ｒｐｍの高速度に
変換する。それによって、半導体ウエハ２２に付着した
処理液が遠心力によって吹き飛ばされるから、上記半導
体ウエハ２２を乾燥処理することができる。

【００６１】半導体ウエハ２２の洗浄時および乾燥時に
不活性ガスを供給することで、洗浄時には処理液と混合
することで、処理液を半導体ウエハ２２の下面にむらな
く作用させることができ、乾燥時には塵埃などによって
汚染されるのを防止することができる。

【００６２】上記半導体ウエハ２２の乾燥処理時には、
半導体ウエハ２２や回転チャック５３ｂに付着残留する
処理液が滴下する。しかしながら、回転チャック５３は
環状部５４の径方向内方にア−ム５５を突設してなり、
そのア−ム５５の先端部に半導体ウエハ２２を保持して
いるから、処理液が高速回転する回転チャック５３上に
滴下するということがほとんどない。

【００６３】そのため、従来のように乾燥処理時に液滴
が飛散したり、ミストが発生するということがほとんど
ないから、上記半導体ウエハ２２に処理液が再付着する
のを防止することができる。

【００６４】上記構成によれば、処理液は高速回転する
回転チャック５３上に滴下しにくいものの、上記回転チ
ャック５３の高速回転にともない、その環状部５４やア
−ム５５に付着した処理液が液滴やミストとなって舞い
上がることがある。

【００６５】しかしながら、回転チャック５３が図４に
矢印Ａで示す方向に高速回転することで、そのア−ム５
５によって同図に矢印Ｂで示す方向に気流が発生する。
つまり、回転チャック５３の径方向内方から外方へ向か
う気流が発生する。その気流は吸引管５２によって発生
する吸引力で、内カップ６５の下部ガイド６７と外カッ
プ６８の上部ガイド６９とによって隔別された通路を経
て内カップ６５の外周に形成された排気路６６を経て流
出する。

【００６６】したがって、上記回転チャック５３の高速
回転にともなって液滴が飛散したり、ミストが発生して
も、それら液滴やミストはア−ム５５によって発生する
気流に乗って排気路６６へ排出されるから、上記半導体
ウエハ２２に再付着するのを防止することができる。

【００６７】しかも、上記回転チャック５３の環状部５
４の外周にはリング板５４ａが設けられ、このリング板
５４ａによっても径方向外方へ向かう気流を発生させる
ことができる。そのため、上記ア−ム５５によって発生
する気流と相俟って回転チャック５３の高速回転にとも
ない発生する液滴やミストの排出を確実に行うことがで
きる。

【００６８】なお、上記第２の実施例において、半導体
ウエハの下面側だけでなく、上面側からも不活性ガスを
供給するようにしてもよい。また、回転チャックの環状
部の外周にはド−ナッツ状のリング板を設けたが、それ
に代わり、環状部の外周には周方向に部分的に羽根を設
けるなどしてもよく、要は回転チャックの回転に応じて
径方向外方に向かう気流を発生させることができればよ
い。

【００６９】さらに、上記第１、第２の実施例におい
て、被処理物としては半導体ウエハだけに限られず、液
晶用ガラス基板であってもよく、要は洗浄とスピン乾燥
を行う必要がある被処理物であればよい。

【００７０】

【発明の効果】以上述べたように請求項１と請求項２の
発明によれば、回転チャックに、この回転チャックに保
持される被洗浄物の下面側に上記回転チャックと一体的
に回転することで径方向外方へ向かう気流を発生する気
流発生手段を設けるした。

【００７１】そのため、上記回転チャックを高速度で回
転させて洗浄液によって洗浄された被洗浄物を乾燥させ
る際、上記回転チャックの高速回転にともなって液滴や
ミストが発生しても、それらは上記気流発生手段によっ
て発生する気流とともに排出されるから、上記被処理物
に再付着するのを防止できる。

【００７２】請求項３の発明によれば、気流発生手段の
上面が径方向外方に向かって低く傾斜しているので、こ
の上面に滴下した液滴を外部へ効率よく排出することが
できる。

【００７３】請求項４の発明によれば、請求項１の発明
において、回転チャックを支持した支持軸に処理液を被
洗浄物に噴射する噴射手段としてのノズル孔を形成した
から、上記支持軸を噴射手段に兼用することができる。

【００７４】請求項５の発明によれば、請求項１の発明
において、回転チャックの支持部の内周面と、この支持
部を回転自在に支持した支持軸の外周面との間の空間部
に連通する吸引路を形成したから、上記回転チャックの
回転にともない発生する塵埃が上記吸引路へ吸引される
ため、上記被処理物に付着するのを防止できる。

【００７５】請求項６の発明によれば、回転チャックの
保持部に保持された被処理物の下面側には、上記回転チ
ャックの高速回転する部分がないから、被処理物や回転
チャックから滴下する処理液が回転チャックの高速回転
する部分に滴下し、ミスト状となって舞い上がることが
ほとんどない。

【００７６】請求項７と請求項８の発明によれば、請求
項６の発明の回転チャックにおいて、高速回転すること
で径方向外方へ向かう気流を発生させることができるよ
うにしたから、上記回転チャックの高速回転にともない
液滴やミストが発生しても、それらを外部へ排出し、被
処理物に再付着するのを防止できる。

【００７７】請求項９の発明によれば、請求項６の発明
の回転チャックにおいて、気流を発生する保持部の上下
に、その気流をガイドするガイド部を設けたから、回転
チャックが高速回転することで発生する液滴やミストが
上記ガイド部によってガイドされて排出されるため、被
処理物に再付着するのを確実に防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例を示す洗浄処理装置の
縦断面図。

【図２】同じく回転チャックの平面図。

【図３】この発明の第２の実施例を示す洗浄処理装置の
縦断面図。

【図４】同じく回転チャックの平面図。

【符号の説明】

１、５０…処理容器、 １１、５３…回
転チャック、１６、６１…モ−タ（回転手段）、 ２
２…被処理物、３２ａ…ノズル孔、
３７、７２〜７５…ノズル、３５…気流発生板（気流発
生手段）、 ５５…ア−ム（気流発生手段）。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理物の上下面を洗浄処理する洗浄装
   置において、 処理容器と、 上記被処理物を保持するチャック部を有し上記処理容器
   に回転自在に設けられた回転チャックと、 この回転チャックを回転駆動する駆動手段と、 上記被処理物の下面側に設けられ上記被処理物の上面と
   下面にそれぞれ処理液を供給する噴射手段と、 この噴射手段の下面側に上記回転チャックと一体的に回
   転するよう設けられその回転によって径方向外方へ向か
   う気流を発生する気流発生手段とを具備したことを特徴
   とする洗浄処理装置。
2. 【請求項２】 被処理物の上下面を洗浄処理する洗浄装
   置において、 処理容器と、 この処理容器の中心部分に立設された支持軸と、 基盤を有し、この基盤の下面に上記支持軸に回転自在に
   支持される支持部が設けられ、上面側に上記被処理物の
   周辺部を係合保持する複数のチャックピンが設けられて
   なる回転チャックと、 この回転チャックを回転駆動する駆動手段と、 上記被処理物の下面側に設けられ上記被処理物の上面と
   下面にそれぞれ処理液を供給する噴射手段と、 上記被処理物の下面側に上記回転チャックと一体的に回
   転しかつ上記回転チャックの基盤を覆う状態で設けられ
   回転チャックとともに回転することで径方向外方へ向か
   う気流を発生する気流発生手段とを具備したことを特徴
   とする洗浄処理装置。
3. 【請求項３】 上記気流発生手段は円盤状をなしてい
   て、その上面は径方向中心部から外方に向かって低く傾
   斜した傾斜面に形成されていることを特徴とする請求項
   １または請求項２記載の洗浄処理装置。
4. 【請求項４】 上記被処理物の下面に処理液を供給する
   噴射手段は、上記支持軸に設けられたノズル孔からなる
   ことを特徴とする請求項２記載の洗浄処理装置。
5. 【請求項５】 上記支持軸には、一端を上記支持軸の外
   周面と支持軸に支持された上記回転チャックの支持部の
   内周面との間に連通させた吸引路が形成されていること
   を特徴とする請求項２記載の洗浄処理装置。
6. 【請求項６】 被処理物の上下面のうちの少なくとも下
   面を洗浄処理する洗浄装置において、 処理容器と、 環状部およびこの環状部の内周部に上記被処理物の周辺
   部を係合保持する保持部が設けられてなり、上記処理容
   器の内周面に上記環状部の外周面が回転自在に支持され
   て設けられた回転チャックと、 この回転チャックを回転駆動する駆動手段と、 上記被処理物の上面側と下面側とに設けられ上記被処理
   物の上面と下面にそれぞれ処理液を供給する噴射手段と
   を具備したことを特徴とする洗浄処理装置。
7. 【請求項７】 上記回転チャックの保持部は、この回転
   チャックが回転駆動されることで上記環状部の径方向外
   方へ向かう気流を発生する形状であることを特徴とする
   請求項６記載の洗浄処理装置。
8. 【請求項８】 上記保持部は、上記環状部の内周面から
   径方向内方へ向かって設けられた複数のア−ムからなる
   ことを特徴とする請求項７記載の洗浄処理装置。
9. 【請求項９】 上記保持部の上下には、上記回転チャッ
   クの回転によって上記保持部で発生する気流を上記回転
   チャックの径方向外方へガイドするガイド部が設けられ
   ていることを特徴とする請求項８記載の洗浄処理装置。