JPH08325568A - 硫化亜鉛蛍光体 - Google Patents
硫化亜鉛蛍光体Info
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- JPH08325568A JPH08325568A JP13530595A JP13530595A JPH08325568A JP H08325568 A JPH08325568 A JP H08325568A JP 13530595 A JP13530595 A JP 13530595A JP 13530595 A JP13530595 A JP 13530595A JP H08325568 A JPH08325568 A JP H08325568A
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- phosphor
- zinc
- zinc sulfide
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 組成式（Ｚｎ1-X Ｃｄx ）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ
（式中、ｘは０≦ｘ≦０．１であり、賦活剤Ａｇ、Ｃｌ
の濃度は各々５００ｐｐｍ以下である。）で示される硫
化亜鉛蛍光体であって、［Ｃｌ濃度−Ａｇ濃度］×１／
２で定義される亜鉛欠陥濃度（［ＶZn］、モル濃度、以
下［ ］で示す濃度は全てモル濃度である。）に対して
スタティックＮＭＲによる67Ｚｎシグナルの半値幅（Δ
ν1/2 （Ｚｎ））をプロットし、標準となる（Ｚｎ1-X
Ｃｄx ）Ｓ：Ｃｌ蛍光体のＣｌ濃度の１／２として定義
される亜鉛欠陥濃度（［ＶZn sT］）とスタティックＮＭ
Ｒによる67Ｚｎシグナルの半値幅（Δν1/2 （Ｚ
ｎ）sT）をプロットした際、［ＶZn］＝［ＶZn sT］の点
で、Δν1/2 （Ｚｎ）＞Δν1/2 （Ｚｎ）sT＋５Ｈｚで
あることを特徴とする硫化亜鉛蛍光体。 【効果】 本発明の蛍光体は、高輝度で、高密度の電子
線照射によらずに十分な高い輝度を達成できる。
（式中、ｘは０≦ｘ≦０．１であり、賦活剤Ａｇ、Ｃｌ
の濃度は各々５００ｐｐｍ以下である。）で示される硫
化亜鉛蛍光体であって、［Ｃｌ濃度−Ａｇ濃度］×１／
２で定義される亜鉛欠陥濃度（［ＶZn］、モル濃度、以
下［ ］で示す濃度は全てモル濃度である。）に対して
スタティックＮＭＲによる67Ｚｎシグナルの半値幅（Δ
ν1/2 （Ｚｎ））をプロットし、標準となる（Ｚｎ1-X
Ｃｄx ）Ｓ：Ｃｌ蛍光体のＣｌ濃度の１／２として定義
される亜鉛欠陥濃度（［ＶZn sT］）とスタティックＮＭ
Ｒによる67Ｚｎシグナルの半値幅（Δν1/2 （Ｚ
ｎ）sT）をプロットした際、［ＶZn］＝［ＶZn sT］の点
で、Δν1/2 （Ｚｎ）＞Δν1/2 （Ｚｎ）sT＋５Ｈｚで
あることを特徴とする硫化亜鉛蛍光体。 【効果】 本発明の蛍光体は、高輝度で、高密度の電子
線照射によらずに十分な高い輝度を達成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、硫化亜鉛蛍光体に関
し、電子線励起で高輝度特性を示すカラーテレビ用ブラ
ウン管等に用いられる硫化亜鉛蛍光体に関するものであ
る。
し、電子線励起で高輝度特性を示すカラーテレビ用ブラ
ウン管等に用いられる硫化亜鉛蛍光体に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】硫化亜鉛を主体とする蛍光体は明るい蛍
光を示し実用的価値が高い。ＺｎＳに賦活剤としてＡ
ｇ、Ｃｌを添加したＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌは青色蛍光体と
して最も利用価値が高く、テレビやディスプレイのブラ
ウン管等に用いられている。近年、ハイビジョンテレビ
等の高品位テレビが普及しつつあるが、このような高品
位テレビの画面を高精密でかつ高輝度に発現するために
は、ブラウン管には高密度の電子線を入射させることが
行われている。
光を示し実用的価値が高い。ＺｎＳに賦活剤としてＡ
ｇ、Ｃｌを添加したＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌは青色蛍光体と
して最も利用価値が高く、テレビやディスプレイのブラ
ウン管等に用いられている。近年、ハイビジョンテレビ
等の高品位テレビが普及しつつあるが、このような高品
位テレビの画面を高精密でかつ高輝度に発現するために
は、ブラウン管には高密度の電子線を入射させることが
行われている。
【０００３】しかし、硫化物蛍光体で電流密度を増加さ
せると、蛍光体の発光効率は低下してしまう。このた
め、電子ビームスポットのフォーカスをずらしスポット
径を広げ、電流密度増加による発光効率の低下を抑制す
ることで実用化されているが、高密度画面にするには輝
度が十分でなく、未だ十分高精密で高輝度な硫化亜鉛蛍
光体は提案されていない。
せると、蛍光体の発光効率は低下してしまう。このた
め、電子ビームスポットのフォーカスをずらしスポット
径を広げ、電流密度増加による発光効率の低下を抑制す
ることで実用化されているが、高密度画面にするには輝
度が十分でなく、未だ十分高精密で高輝度な硫化亜鉛蛍
光体は提案されていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような事情から、
低い電流密度でより高い輝度特性を有する硫化亜鉛蛍光
体が必要とされていた。本発明は入射する電子線の強度
を増加させずに、テレビ、又はディスプレイのブラウン
管上で高精細で高輝度な明るさを発現維持する硫化亜鉛
蛍光体を提供するものである。
低い電流密度でより高い輝度特性を有する硫化亜鉛蛍光
体が必要とされていた。本発明は入射する電子線の強度
を増加させずに、テレビ、又はディスプレイのブラウン
管上で高精細で高輝度な明るさを発現維持する硫化亜鉛
蛍光体を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するためその結晶の格子欠陥および賦活元素とし
て添加されたＡｇ元素とＣｌ元素の分布状態の検討を重
ねた結果、特定のＮＭＲ（核磁気共鳴）特性を有する硫
化亜鉛蛍光体が高輝度特性を有することを見出し、本発
明に到達した。
を達成するためその結晶の格子欠陥および賦活元素とし
て添加されたＡｇ元素とＣｌ元素の分布状態の検討を重
ねた結果、特定のＮＭＲ（核磁気共鳴）特性を有する硫
化亜鉛蛍光体が高輝度特性を有することを見出し、本発
明に到達した。
【０００６】本発明は、組成式（Ｚｎ1-X Ｃｄx ）Ｓ：
Ａｇ，Ｃｌ（式中、ｘは０≦ｘ≦０．１であり、賦活剤
Ａｇ、Ｃｌの濃度は各々５００ｐｐｍ以下である。）で
示される硫化亜鉛蛍光体であって、［Ｃｌ濃度−Ａｇ濃
度］×１／２で定義される亜鉛欠陥濃度（［ＶZn］）に
対してスタティックＮＭＲによる67Ｚｎシグナルの半値
幅（Δν1/2 （Ｚｎ））をプロットし、標準となる（Ｚ
ｎ1-X Ｃｄx ）Ｓ：Ｃｌ蛍光体のＣｌ濃度の１／２とし
て定義される亜鉛欠陥濃度（［ＶZn ST］）とスタティッ
クＮＭＲによる67Ｚｎシグナルの半値幅（Δν1/2 （Ｚ
ｎ）ST）をプロットした際、［ＶZn］＝［ＶZn ST］の点
で、Δν1/2 （Ｚｎ）＞Δν1/2 （Ｚｎ）ST＋５Ｈｚで
あることを特徴とする硫化亜鉛蛍光体である。ここで
［ ］で示す濃度は全てモル濃度である。
Ａｇ，Ｃｌ（式中、ｘは０≦ｘ≦０．１であり、賦活剤
Ａｇ、Ｃｌの濃度は各々５００ｐｐｍ以下である。）で
示される硫化亜鉛蛍光体であって、［Ｃｌ濃度−Ａｇ濃
度］×１／２で定義される亜鉛欠陥濃度（［ＶZn］）に
対してスタティックＮＭＲによる67Ｚｎシグナルの半値
幅（Δν1/2 （Ｚｎ））をプロットし、標準となる（Ｚ
ｎ1-X Ｃｄx ）Ｓ：Ｃｌ蛍光体のＣｌ濃度の１／２とし
て定義される亜鉛欠陥濃度（［ＶZn ST］）とスタティッ
クＮＭＲによる67Ｚｎシグナルの半値幅（Δν1/2 （Ｚ
ｎ）ST）をプロットした際、［ＶZn］＝［ＶZn ST］の点
で、Δν1/2 （Ｚｎ）＞Δν1/2 （Ｚｎ）ST＋５Ｈｚで
あることを特徴とする硫化亜鉛蛍光体である。ここで
［ ］で示す濃度は全てモル濃度である。
【０００７】本発明の蛍光体は、（Ｚｎ1-X Ｃｄx ）
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌで示される組成式を有する。ｘとしては
０．１（モル組成）以下であれば、青色蛍光体として良
好に用いることが出来る。賦活元素であるＡｇおよび／
またはＣｌは、各々５００ｐｐｍ以下である。Ａｇの好
ましい含有量は、４０〜５００ｐｐｍ、特には４０〜３
５０ｐｐｍであり、Ｃｌの好ましい含有量は、２０〜５
００ｐｐｍ、特には２０〜３００ｐｐｍである。
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌで示される組成式を有する。ｘとしては
０．１（モル組成）以下であれば、青色蛍光体として良
好に用いることが出来る。賦活元素であるＡｇおよび／
またはＣｌは、各々５００ｐｐｍ以下である。Ａｇの好
ましい含有量は、４０〜５００ｐｐｍ、特には４０〜３
５０ｐｐｍであり、Ｃｌの好ましい含有量は、２０〜５
００ｐｐｍ、特には２０〜３００ｐｐｍである。
【０００８】蛍光体の発光の機構は未だ十分解明はされ
ていないが、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌの場合、その発光の機
構は、以下のように推測される。ＺｎＳ中に固溶した賦
活元素Ｃｌ- はＳ2-を置換してドナー準位を形成し、ま
た一方、Ａｇ+ がＺｎ2+を置換してアクセプター準位を
形成する。この状態の蛍光体に入射して荷電帯から電導
帯に至った電子は、上記ドナー準位に移動し、ドナー準
位とアクセプター準位のエネルギー差に相当する蛍光を
発する。
ていないが、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌの場合、その発光の機
構は、以下のように推測される。ＺｎＳ中に固溶した賦
活元素Ｃｌ- はＳ2-を置換してドナー準位を形成し、ま
た一方、Ａｇ+ がＺｎ2+を置換してアクセプター準位を
形成する。この状態の蛍光体に入射して荷電帯から電導
帯に至った電子は、上記ドナー準位に移動し、ドナー準
位とアクセプター準位のエネルギー差に相当する蛍光を
発する。
【０００９】Ｚｎ2+に置換されたＡｇ+ とＳ2-に置換さ
れたＣｌ- はそれぞれ−１、＋１の電荷を持ち、お互い
に電荷補償されている。Ｃｌ- は＋１の電荷を有するた
め、Ｚｎ2+が−２の電荷を持つ空孔となり電荷補償され
る。即ち、２個のＣｌ- と１個の亜鉛欠陥（Ｖzn）で電
荷補償される。亜鉛欠陥濃度（［Ｖzn］）は、 ［Ｖzn］＝［Ｃｌ濃度−Ａｇ濃度］×１／２ で表される。
れたＣｌ- はそれぞれ−１、＋１の電荷を持ち、お互い
に電荷補償されている。Ｃｌ- は＋１の電荷を有するた
め、Ｚｎ2+が−２の電荷を持つ空孔となり電荷補償され
る。即ち、２個のＣｌ- と１個の亜鉛欠陥（Ｖzn）で電
荷補償される。亜鉛欠陥濃度（［Ｖzn］）は、 ［Ｖzn］＝［Ｃｌ濃度−Ａｇ濃度］×１／２ で表される。
【００１０】本発明者らは、上記亜鉛欠陥濃度
［Ｖzn］、およびＡｇ+ とＣｌ- の相対的な分布状態と
蛍光体の輝度との関係につき種々検討を重ねた結果、Ａ
ｇ+ とＣｌ-の分布状態は、スタティックＮＭＲによる
３８０ｐｐｍ付近の67Ｚｎのシグナルの線幅に反映され
ること、即ち線幅の広がりが大きい（半値幅が大きい）
方が輝度が高いことを見出した。
［Ｖzn］、およびＡｇ+ とＣｌ- の相対的な分布状態と
蛍光体の輝度との関係につき種々検討を重ねた結果、Ａ
ｇ+ とＣｌ-の分布状態は、スタティックＮＭＲによる
３８０ｐｐｍ付近の67Ｚｎのシグナルの線幅に反映され
ること、即ち線幅の広がりが大きい（半値幅が大きい）
方が輝度が高いことを見出した。
【００１１】本発明は、スタティックＮＭＲによる３８
０ｐｐｍ付近の67Ｚｎのシグナルの線幅がＶZn濃度に対
して１次に比例すること、Ｖzn濃度が一定のとき、この
67Ｚｎのシグナルの線幅が大きいものほど高い輝度を達
成できることに基づく。このことの学問的な解明はこれ
までになされていないが、３８０ｐｐｍ付近の67Ｚｎの
シグナルのピークの線幅の広がりは、亜鉛欠陥の中に取
り込まれた電子、又はホールの常磁性緩和によって引き
起こされており、ＺｎＳの結晶中で、ＶZnの分布の違い
や、Ｚｎ，Ｓ，Ａｇ，Ｃｌの結合や置換の状態を反映し
ているものと考えられる。
０ｐｐｍ付近の67Ｚｎのシグナルの線幅がＶZn濃度に対
して１次に比例すること、Ｖzn濃度が一定のとき、この
67Ｚｎのシグナルの線幅が大きいものほど高い輝度を達
成できることに基づく。このことの学問的な解明はこれ
までになされていないが、３８０ｐｐｍ付近の67Ｚｎの
シグナルのピークの線幅の広がりは、亜鉛欠陥の中に取
り込まれた電子、又はホールの常磁性緩和によって引き
起こされており、ＺｎＳの結晶中で、ＶZnの分布の違い
や、Ｚｎ，Ｓ，Ａｇ，Ｃｌの結合や置換の状態を反映し
ているものと考えられる。
【００１２】スタティックＮＭＲによる３８０ｐｐｍ付
近の67Ｚｎのシグナルの線幅の広がりは、そのシグナル
ピークの半値幅（Δν1/2 （Ｚｎ））で表され、スタテ
ィックプローブを用いたＮＭＲにより共鳴周波数１８．
８ＭＨｚ、パルス幅５μｓｅｃ（３０°パルス）、待ち
時間２．５ｓｅｃ、積算時間は通常１０００〜２０００
回で測定することにより得られる。シグナルの線形から
は、常法によりガウス型関数を用いて線形を分離し線幅
が得られる。これの半値幅を例えば縦軸にして、ＶZn濃
度を横軸にしてプロットする。
近の67Ｚｎのシグナルの線幅の広がりは、そのシグナル
ピークの半値幅（Δν1/2 （Ｚｎ））で表され、スタテ
ィックプローブを用いたＮＭＲにより共鳴周波数１８．
８ＭＨｚ、パルス幅５μｓｅｃ（３０°パルス）、待ち
時間２．５ｓｅｃ、積算時間は通常１０００〜２０００
回で測定することにより得られる。シグナルの線形から
は、常法によりガウス型関数を用いて線形を分離し線幅
が得られる。これの半値幅を例えば縦軸にして、ＶZn濃
度を横軸にしてプロットする。
【００１３】つぎに、標準線の作成を行う。まず、Ｚｎ
Ｓ：Ｃｌの標準物質を作成する。硫化亜鉛と各濃度に相
当する塩化ナトリウムを良く混合した後、石英製の円筒
型チューブ容器に充填して硫化水素気流中の９５０℃で
３時間焼成する。得られた焼成物を十分に純水で洗浄し
た後、１２０℃で乾燥し篩にかけてＺｎＳ：Ｃｌの標準
物質を得る。
Ｓ：Ｃｌの標準物質を作成する。硫化亜鉛と各濃度に相
当する塩化ナトリウムを良く混合した後、石英製の円筒
型チューブ容器に充填して硫化水素気流中の９５０℃で
３時間焼成する。得られた焼成物を十分に純水で洗浄し
た後、１２０℃で乾燥し篩にかけてＺｎＳ：Ｃｌの標準
物質を得る。
【００１４】この標準物質を前記と同じにして、スタテ
ィックＮＭＲにより３８０ｐｐｍ付近の67Ｚｎシグナル
を得、その半値幅（Δν1/2 （Ｚｎ）ST）を求める。先
と同じに、半値幅を例えば縦軸にして、ＶZn濃度を横軸
にしてプロットする。
ィックＮＭＲにより３８０ｐｐｍ付近の67Ｚｎシグナル
を得、その半値幅（Δν1/2 （Ｚｎ）ST）を求める。先
と同じに、半値幅を例えば縦軸にして、ＶZn濃度を横軸
にしてプロットする。
【００１５】本発明の蛍光体は、同一ＶZn濃度で、標準
となるＺｎＳ：Ｃｌ蛍光体の半値幅に対してΔν
1/2 （Ｚｎ）＞Δν1/2 （Ｚｎ）ST＋５Ｈｚとなるが、
特には、Δν1/2 （Ｚｎ）＞Δν1/2 （Ｚｎ）ST＋１０
Ｈｚが好ましい。
となるＺｎＳ：Ｃｌ蛍光体の半値幅に対してΔν
1/2 （Ｚｎ）＞Δν1/2 （Ｚｎ）ST＋５Ｈｚとなるが、
特には、Δν1/2 （Ｚｎ）＞Δν1/2 （Ｚｎ）ST＋１０
Ｈｚが好ましい。
【００１６】本発明の蛍光体は、好ましくは、例えば次
の方法で製造できる。所望の組成に原料硫化亜鉛と塩化
ナトリウムを良く混合し、硫化水素気流中で９５０℃３
時間焼成する。得られた焼成物を水洗後１２０℃で乾燥
して得られる。また、このような工程あるいは他の製造
方法による場合でも、あらかじめ標準物質による検量線
を作成しておき、得られる蛍光体の半値幅をモニターし
て賦活剤量、各処理条件を調製することで製造すること
もできる。
の方法で製造できる。所望の組成に原料硫化亜鉛と塩化
ナトリウムを良く混合し、硫化水素気流中で９５０℃３
時間焼成する。得られた焼成物を水洗後１２０℃で乾燥
して得られる。また、このような工程あるいは他の製造
方法による場合でも、あらかじめ標準物質による検量線
を作成しておき、得られる蛍光体の半値幅をモニターし
て賦活剤量、各処理条件を調製することで製造すること
もできる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。89Ｙシグナルの半値
幅（Δν1/2 （Ｚｎ）、Δν1/2 （Ｚｎ）ST）の測定
は、Ｂｒｕｋｅｒ社製固体ＮＭＲ装置ＭＳＬ−３００に
スタティックプローブを装着して行った。測定条件は以
下の通りである。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。89Ｙシグナルの半値
幅（Δν1/2 （Ｚｎ）、Δν1/2 （Ｚｎ）ST）の測定
は、Ｂｒｕｋｅｒ社製固体ＮＭＲ装置ＭＳＬ−３００に
スタティックプローブを装着して行った。測定条件は以
下の通りである。
【００１８】
【表１】プローブ ：スタティックプローブ 共鳴周波数 ：１８．８ＭＨｚ パルス系列 ：シングルパルス パルス幅 ：５μｓｅｃ（３０°パルス） 待ち時間 ：２．５ｓｅｃ
【００１９】以下、各試料のＡｇ，Ｃｌ及び不純物濃度
は、Ｓｅｉｋｏ ＳＰＳ−１２００Ａ ＩＣＰ装置（誘
導結合高周波プラズマ発光分析装置）とＲｉｇａｋｕ３
３７０蛍光Ｘ線装置を用いて定量した。また、蛍光体の
輝度の測定は、電子線励起装置（ＴＯＰＣＯＮ ＡＢＴ
−３２）を用いて行った。
は、Ｓｅｉｋｏ ＳＰＳ−１２００Ａ ＩＣＰ装置（誘
導結合高周波プラズマ発光分析装置）とＲｉｇａｋｕ３
３７０蛍光Ｘ線装置を用いて定量した。また、蛍光体の
輝度の測定は、電子線励起装置（ＴＯＰＣＯＮ ＡＢＴ
−３２）を用いて行った。
【００２０】（標準物質の作成）下表１の組成になるよ
うに原料硫化亜鉛と塩化ナトリウムを乾式にて十分混合
し、石英製の円筒型チューブ容器に充填して硫化水素気
流中で９５０℃で３時間焼成した。得られた焼成物を純
水で十分に洗浄した後、１２０℃で乾燥し篩にかけて塩
素付活の硫化亜鉛の標準物質を得た。粉末Ｘ線回折の結
果いずれも硫化亜鉛単層であった。また、ＩＣＰ装置に
よりＺｎ／Ｃｌの量は仕込量と実験誤差の範囲内で一致
した。
うに原料硫化亜鉛と塩化ナトリウムを乾式にて十分混合
し、石英製の円筒型チューブ容器に充填して硫化水素気
流中で９５０℃で３時間焼成した。得られた焼成物を純
水で十分に洗浄した後、１２０℃で乾燥し篩にかけて塩
素付活の硫化亜鉛の標準物質を得た。粉末Ｘ線回折の結
果いずれも硫化亜鉛単層であった。また、ＩＣＰ装置に
よりＺｎ／Ｃｌの量は仕込量と実験誤差の範囲内で一致
した。
【００２１】
【表２】
【００２２】（67Ｚｎ標準線の作成）参考例１〜６の標
準物質について、スタティックＮＭＲにて67Ｚｎシグナ
ルの半値幅（Δν1/2 （Ｚｎ）ST）を測定した。測定
は、Ｂｒｕｋｅｒ社製固体ＮＭＲ装置ＭＳＬ−３００に
スタティックプローブを装着して行った。
準物質について、スタティックＮＭＲにて67Ｚｎシグナ
ルの半値幅（Δν1/2 （Ｚｎ）ST）を測定した。測定
は、Ｂｒｕｋｅｒ社製固体ＮＭＲ装置ＭＳＬ−３００に
スタティックプローブを装着して行った。
【００２３】67Ｚｎシグナルの半値幅Δν1/2 （Ｚｎ）
STを亜鉛欠陥濃度［ＶZn ST］およびＣｌ濃度［Ｃｌ］と
ともに表１に示す。また、これをもとに、縦軸に67Ｚｎ
シグナルの半値幅Δν1/2 （Ｚｎ）STを、横軸に亜鉛欠
陥濃度［ＶZn ST］にしてその関係をプロットし直線化し
て得られた標準線を図２に示す。
STを亜鉛欠陥濃度［ＶZn ST］およびＣｌ濃度［Ｃｌ］と
ともに表１に示す。また、これをもとに、縦軸に67Ｚｎ
シグナルの半値幅Δν1/2 （Ｚｎ）STを、横軸に亜鉛欠
陥濃度［ＶZn ST］にしてその関係をプロットし直線化し
て得られた標準線を図２に示す。
【００２４】（実施例１〜６）（比較例１〜２） 下表２の組成になるように原料硫化亜鉛と塩化ナトリウ
ム及び硝酸銀を乾式にて十分混合し、石英製の円筒型チ
ューブ容器に充填して硫化水素気流中で９５０℃で３時
間焼成した。得られた焼成物を純水で十分に洗浄した
後、１２０℃で乾燥し篩にかけてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ蛍
光体を得た。これらの蛍光体を電子線あるいは紫外線で
励起するといずれも青色に光った。
ム及び硝酸銀を乾式にて十分混合し、石英製の円筒型チ
ューブ容器に充填して硫化水素気流中で９５０℃で３時
間焼成した。得られた焼成物を純水で十分に洗浄した
後、１２０℃で乾燥し篩にかけてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ蛍
光体を得た。これらの蛍光体を電子線あるいは紫外線で
励起するといずれも青色に光った。
【００２５】このものをスタティックＮＭＲにて67Ｚｎ
シグナルの半値幅（Δν1/2 （Ｚｎ））を測定した。図
３に実施例４のＮＭＲチャート図を示す。ついで輝度を
測定し、その結果を表３に示す。
シグナルの半値幅（Δν1/2 （Ｚｎ））を測定した。図
３に実施例４のＮＭＲチャート図を示す。ついで輝度を
測定し、その結果を表３に示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】表３の67Ｚｎシグナルの半値幅Δν1/2 （
67Ｚｎ）を縦軸に、亜鉛欠陥濃度［ＶZn］を横軸にし
て、その関係をプロットし、先の標準物質による図２の
標準線との関係を示したのが図１である。
67Ｚｎ）を縦軸に、亜鉛欠陥濃度［ＶZn］を横軸にし
て、その関係をプロットし、先の標準物質による図２の
標準線との関係を示したのが図１である。
【００２９】図１から明らかなように、相対輝度に優れ
た本発明の実施例のものは、標準線より高い半値幅値を
有する。
た本発明の実施例のものは、標準線より高い半値幅値を
有する。
【００３０】
【発明の効果】本発明の蛍光体は、高輝度で、高密度の
電子線照射によらずに十分な高い輝度を達成できる。
電子線照射によらずに十分な高い輝度を達成できる。
【図１】本発明の蛍光体の67Ｚｎシグナルの半値幅Δν
1/2 （Ｚｎ）と亜鉛欠陥濃度［ＶZn］の関係と標準線と
の関係を示す図。
1/2 （Ｚｎ）と亜鉛欠陥濃度［ＶZn］の関係と標準線と
の関係を示す図。
【図２】標準物質の67Ｚｎシグナルの半値幅Δν
1/2 （Ｚｎ）STと亜鉛欠陥濃度［ＶZn ST］の関係を示す
標準線の図。
1/2 （Ｚｎ）STと亜鉛欠陥濃度［ＶZn ST］の関係を示す
標準線の図。
【図３】実施例４の硫化亜鉛蛍光体のＮＭＲチャート
図。
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安達 隆二 神奈川県小田原市成田1060番地 化成オプ トニクス株式会社小田原工場内 (72)発明者 長谷 堯 神奈川県小田原市成田1060番地 化成オプ トニクス株式会社小田原工場内
Claims (1)
- 【請求項１】 組成式（Ｚｎ1-X Ｃｄx ）Ｓ：Ａｇ，Ｃ
ｌ（式中、ｘは０≦ｘ≦０．１であり、賦活剤Ａｇ、Ｃ
ｌの濃度は各々５００ｐｐｍ以下である。）で示される
硫化亜鉛蛍光体であって、［Ｃｌ濃度−Ａｇ濃度］×１
／２で定義される亜鉛欠陥濃度（［ＶZn］、モル濃度、
以下［ ］で示す濃度は全てモル濃度である。）に対し
てスタティックＮＭＲによる67Ｚｎシグナルの半値幅
（Δν1/ 2 （Ｚｎ））をプロットし、標準となる（Ｚｎ
1-X Ｃｄx ）Ｓ：Ｃｌ蛍光体のＣｌ濃度の１／２として
定義される亜鉛欠陥濃度（［ＶZn ST］）とスタティック
ＮＭＲによる67Ｚｎシグナルの半値幅（Δν1/2 （Ｚ
ｎ）ST）をプロットした際、［ＶZn］＝［ＶZn ST］の点
で、Δν1/2 （Ｚｎ）＞Δν1/2 （Ｚｎ）ST＋５Ｈｚで
あることを特徴とする硫化亜鉛蛍光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13530595A JPH08325568A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 硫化亜鉛蛍光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13530595A JPH08325568A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 硫化亜鉛蛍光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325568A true JPH08325568A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=15148615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13530595A Pending JPH08325568A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 硫化亜鉛蛍光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08325568A (ja) |
-
1995
- 1995-06-01 JP JP13530595A patent/JPH08325568A/ja active Pending
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