JPH08329420A - Thin film magnetic head and manufacturing method thereof - Google Patents

Thin film magnetic head and manufacturing method thereof

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JPH08329420A
JPH08329420A JP13442695A JP13442695A JPH08329420A JP H08329420 A JPH08329420 A JP H08329420A JP 13442695 A JP13442695 A JP 13442695A JP 13442695 A JP13442695 A JP 13442695A JP H08329420 A JPH08329420 A JP H08329420A
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JP
Japan
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layer
magnetic head
lead wire
thin film
forming
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JP13442695A
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Japanese (ja)
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Tadao Suzuki
忠男 鈴木
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To easily form a bonding pad to a required shape and to prevent a film forming defect in a protective layer by forming a substrate layer on a prescribed answering position of an element part and forming an external connection terminal part of a lead wire on the layer. CONSTITUTION: The substrate layer 36 having a prescribed thickness is formed on the position answering to the external connection terminal parts 32a-35a of the lead wires 32-35, and the external connection terminal parts 32a-35a of the lead wires 32-35 are formed on the layer 36. Then, the bonding pads 37 formed on the lead wires 32-35 laminated on the substrate 36 are provided on the position high by the thickness equivalent to the substrate layer 36. Thus, the thickness of the bonding pads 37 are formed thin by the thickness equivalent to the bonding pad 37.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、磁性層,導体層が絶縁
層を介して多層に積層されて素子部が形成されるととも
に、上記導体層と電気的に接続されるリード線を備えて
なる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention comprises a magnetic layer and a conductor layer which are laminated in multiple layers with an insulating layer interposed therebetween to form an element portion, and a lead wire which is electrically connected to the conductor layer. Thin film magnetic head and its manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドとしては、磁性
層、絶縁層等の薄膜が多重積層され、さらに導体コイル
やリード線が形成されてなるものがある。この薄膜磁気
ヘッドは真空薄膜形成技術により形成されるため、狭ト
ラック化や狭ギャップ化等の微細寸法化が容易高分解能
記録が可能であるという特徴を有しており、高密度記録
化に対応した磁気ヘッドとして注目されている。
2. Description of the Related Art Generally, there is a thin film magnetic head in which thin films such as a magnetic layer and an insulating layer are multi-layered and further a conductor coil and a lead wire are formed. Since this thin-film magnetic head is formed by the vacuum thin-film forming technology, it has the feature that it is easy to make fine dimensions such as narrow tracks and narrow gaps, and high resolution recording is possible. Is attracting attention as a magnetic head.

【0003】例えば、磁気記録媒体に直接接触して情報
信号の記録・再生を行うタイプの薄膜磁気ヘッドとして
は、例えばフェライト等の酸化物磁性材料からなる基板
上に、真空薄膜形成技術によって導体コイル及び磁性層
が形成されて構成されたものがある。
For example, as a thin film magnetic head of a type for recording / reproducing information signals by directly contacting a magnetic recording medium, a conductor coil is formed on a substrate made of an oxide magnetic material such as ferrite by a vacuum thin film forming technique. And a magnetic layer is formed.

【0004】具体的に、例えば記録用の薄膜磁気ヘッド
として好適なものとしては、いわゆる誘導型(インダク
ティブ型)の磁気ヘッド(以下、単にインダクティブヘ
ッドと記す。)がある。このインダクティブヘッドは、
軟磁性体層である下層コア上に磁気ギャップを形成する
ためのギャップ膜が成膜され、さらにこのギャップ膜上
に表面を平坦化して導体コイルの成膜を容易にするため
の第1の平坦化層が成膜されて、さらにその表面上に導
体コイルがスパイラル状に形成されている。そして、表
面の平坦化を図るためのレジスト等の高分子材料からな
る第2の平坦化層が成膜され、この第2の平坦化層上に
軟磁性体層である上層コアが形成されて上記インダクテ
ィブヘッドが構成されている。
Specifically, for example, a so-called induction type magnetic head (hereinafter, simply referred to as an inductive head) is suitable as a thin film magnetic head for recording. This inductive head
A gap film for forming a magnetic gap is formed on the lower core, which is a soft magnetic layer, and a first flat surface for flattening the surface on the gap film to facilitate the formation of a conductor coil. The oxide layer is formed, and the conductor coil is spirally formed on the surface of the oxide layer. Then, a second flattening layer made of a polymer material such as a resist for flattening the surface is formed, and an upper core which is a soft magnetic layer is formed on the second flattening layer. The inductive head is configured.

【0005】また、再生用の薄膜磁気ヘッドとして好適
なものとしては、いわゆる磁気抵抗効果型磁気ヘッド
(以下、単にMRヘッドと記す。)がある。このMRヘ
ッドは、非磁性の基板上に絶縁層,下部シールドコアと
なる軟磁性膜及びAl2 3 或はSiO2 を材料とする
絶縁層が順次積層され、この絶縁層上に、MR素子が、
その長手方向が磁気記録媒体との対向面(磁気記録媒体
摺動面)と垂直になるように配され、且つその一方の端
面が磁気記録媒体摺動面に露出するかたちに形成されて
いる。さらに、MR素子の両端部上に、このMR素子に
センス電流を提供するための前端電極及び後端電極が設
けられ、上記MR素子上にAl2 3 或はSiO2 を材
料とする絶縁層が形成されている。この絶縁層は上記前
端及び後端電極により狭持されたかたちとされている。
この絶縁層上には上記MR素子と対向してバイアス導体
が配されて、さらにこの上に絶縁層が形成され、上記絶
縁層上に上部シールドコアとなる軟磁性膜が積層されて
上記MRヘッドが構成されている。
A so-called magnetoresistive effect magnetic head (hereinafter simply referred to as an MR head) is suitable as a thin film magnetic head for reproduction. In this MR head, an insulating layer, a soft magnetic film serving as a lower shield core, and an insulating layer made of Al 2 O 3 or SiO 2 are sequentially laminated on a non-magnetic substrate, and the MR element is formed on the insulating layer. But,
It is arranged so that its longitudinal direction is perpendicular to a surface (a magnetic recording medium sliding surface) facing the magnetic recording medium, and one end surface of the magnetic recording medium is exposed to the magnetic recording medium sliding surface. Further, a front end electrode and a rear end electrode for providing a sense current to the MR element are provided on both ends of the MR element, and an insulating layer made of Al 2 O 3 or SiO 2 is provided on the MR element. Are formed. The insulating layer is sandwiched between the front and rear electrodes.
A bias conductor is arranged on the insulating layer so as to face the MR element, an insulating layer is further formed on the bias conductor, and a soft magnetic film serving as an upper shield core is laminated on the insulating layer to form the MR head. Is configured.

【0006】これらの薄膜磁気ヘッドは、MRヘッド上
にインダクティブヘッドが積層形成されて複合型薄膜磁
気ヘッドとされ、ハードディスクドライブに搭載され利
用されている。上記薄膜磁気ヘッドには、その導体層と
外部端子とを電気的に接続するためのリード線が設けら
れており、例えば上記複合型薄膜磁気ヘッドの場合で
は、インダクティブヘッド及びMRヘッドの各導体層と
接続される4本のリード線が配されている。これらリー
ド線は、その一端部が各導体層の一端部と接続されてお
り、他端部が外部端子接続部とされている。
These thin film magnetic heads are used as a composite type thin film magnetic head in which an inductive head is laminated on an MR head to be mounted on a hard disk drive. The thin film magnetic head is provided with a lead wire for electrically connecting the conductor layer and an external terminal. For example, in the case of the composite thin film magnetic head, the conductor layers of the inductive head and the MR head are provided. Four lead wires connected to are arranged. One end of each of these lead wires is connected to one end of each conductor layer, and the other end is an external terminal connecting portion.

【0007】具体的な薄膜磁気ヘッドの一例を図16に
示す。ここでは、複数のリード線のうち2本のみを示
す。この図16に示すように、AL2 3 −TiCより
なる基板101上に薄膜磁気ヘッドの素子部102が形
成され、この素子部102に一端部が電気的に接続され
たリード線103,104が成膜されている。これらリ
ード線103,104の外部端子接続部上には、リード
線103,104と外部端子とを電気的に接続するため
のボンディングパッド105がそれぞれ形成されてい
る。ここで、当該ボンディングパッド105は、その上
面が素子部102の上面より10μm程度高くなるよう
に形成されている。
FIG. 16 shows an example of a specific thin film magnetic head. Only two of the lead wires are shown here. As shown in FIG. 16, an element portion 102 of a thin film magnetic head is formed on a substrate 101 made of AL 2 O 3 —TiC, and lead wires 103 and 104 whose one end is electrically connected to the element portion 102. Is deposited. Bonding pads 105 for electrically connecting the lead wires 103 and 104 to the external terminals are formed on the external terminal connecting portions of the lead wires 103 and 104, respectively. Here, the bonding pad 105 is formed so that its upper surface is higher than the upper surface of the element section 102 by about 10 μm.

【0008】素子部102及びリード線103,104
上にはAL2 3 よりなる図示しない保護層が成膜さ
れ、当該保護層に機械研磨が施されてボンディングパッ
ド105の上面のみが露出され、この露出した上面が外
部接続用の接続端子とされている。
Element section 102 and lead wires 103 and 104
A protective layer (not shown) made of AL 2 O 3 is formed on the upper surface, and the protective layer is mechanically polished to expose only the upper surface of the bonding pad 105, and the exposed upper surface serves as a connection terminal for external connection. Has been done.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
如き従来の薄膜磁気ヘッドには、以下に示すような欠点
がある。上記薄膜磁気ヘッドにおいては、素子部102
の厚みが20μmである場合、ボンディングパッド10
5の基板101からの高さを30μm程度とする必要が
ある。これらリード線103,104及びボンディング
パッド105の形成方法としては、フォトリソグラフィ
ー技術により基板101上に所定形状のレジストパター
ンを形成し、このレジストパターンに基づいてCuを材
料とした電解メッキ法を用いるのが一般的である。
However, the conventional thin film magnetic head as described above has the following drawbacks. In the thin film magnetic head, the element portion 102
If the thickness of the bonding pad is 20 μm, the bonding pad 10
It is necessary to set the height of No. 5 from the substrate 101 to about 30 μm. As a method of forming the lead wires 103 and 104 and the bonding pad 105, a resist pattern having a predetermined shape is formed on the substrate 101 by a photolithography technique, and an electrolytic plating method using Cu as a material based on the resist pattern is used. Is common.

【0010】ところが、電解メッキ法により上面が基板
101から30μmの高さとなるようにリード線10
3,104及びボンディングパッド105を成膜するに
は非常に時間がかかるとともに、30μm厚のレジスト
パターンを安定に形成することは極めて困難である。
However, the lead wire 10 is formed by electrolytic plating so that the upper surface is 30 μm above the substrate 101.
It takes a very long time to deposit 3, 104 and the bonding pad 105, and it is extremely difficult to stably form a resist pattern having a thickness of 30 μm.

【0011】10μm厚程度のレジストパターンを安定
に形成することは容易であるが、このレジストパターン
を用いてリード線103,104及びボンディングパッ
ド105,106を形成すると、いわゆるオーバーハン
グが生じ、後に形成する保護層のステップ・カバレージ
が悪化する。
Although it is easy to stably form a resist pattern having a thickness of about 10 μm, when the lead wires 103 and 104 and the bonding pads 105 and 106 are formed by using this resist pattern, so-called overhang occurs, which is formed later. The step coverage of the protection layer is deteriorated.

【0012】また、オーバーハングが生じることがなく
ても、ボンディングパッド105の側面形状が図16に
示す如く逆テーパ状となりがちであり、やはり上記保護
層のステップ・カバレージが悪化することになる。本発
明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、リード線を容易且つ正確に形成する
ことができ、成膜不良の発生が抑止されて製品の信頼性
及び歩留りの大幅な向上を図ることを可能とする薄膜磁
気ヘッド及びその製造方法を提供することにある。
Even if the overhang does not occur, the side surface of the bonding pad 105 tends to have an inverse taper shape as shown in FIG. 16, and the step coverage of the protective layer also deteriorates. The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to be able to easily and accurately form a lead wire, suppress the occurrence of a film formation defect, and improve the reliability of the product and It is an object of the present invention to provide a thin film magnetic head and a method of manufacturing the thin film magnetic head capable of significantly improving the yield.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の対象となるもの
は、磁性層,導体層が絶縁層を介して多層に積層され素
子部が形成されるとともに、上記導体層と電気的に接続
されるリード線を備えてなる薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法である。
The object of the present invention is to form a device part by laminating magnetic layers and conductor layers in multiple layers via insulating layers and to electrically connect the conductor layers. And a method of manufacturing the same.

【0014】本発明の薄膜磁気ヘッドは、上記リード線
の外部端子接続部に対応する位置に所定の厚みを有する
下地層が形成され、この上にリード線の外部接続端子部
が形成されていることを特徴とするものである。上記薄
膜磁気ヘッドの具体例として、素子部が、軟磁性材料よ
りなる下部シールドコア及び上部シールドコアに磁気抵
抗効果素子が狭持されてなる再生用薄膜ヘッド素子と、
軟磁性材料よりなる下層コア及び上層コアに導体コイル
が狭持されてなる記録用薄膜ヘッド素子とが順次積層さ
れてなる複合型薄膜磁気ヘッドを主な対象とする。
In the thin film magnetic head of the present invention, an underlayer having a predetermined thickness is formed at a position corresponding to the external terminal connecting portion of the lead wire, and the external connecting terminal portion of the lead wire is formed thereon. It is characterized by that. As a specific example of the thin-film magnetic head, the element portion is a reproducing thin-film head element in which a magnetoresistive effect element is sandwiched between a lower shield core and an upper shield core made of a soft magnetic material,
The main object is a composite type thin film magnetic head in which a lower layer core made of a soft magnetic material and a recording thin film head element having a conductor coil sandwiched between upper layer cores are sequentially laminated.

【0015】このとき、上記下地層の厚みを5μm以上
であり且つ素子部の厚みに10μmを加えた値以下とす
ることが好適である。また、上記リード線の外部端子接
続部上にボンディングパッドを設けることが好ましく、
当該下地層の側面形状を略々テーパ状とすることが好適
である。
At this time, it is preferable that the thickness of the underlayer is not less than 5 μm and not more than a value obtained by adding 10 μm to the thickness of the element portion. Further, it is preferable to provide a bonding pad on the external terminal connection portion of the lead wire,
It is preferable that the side surface of the underlying layer has a substantially tapered shape.

【0016】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、薄膜形成技術により磁性層,導体層を絶縁層を介し
て多層に積層して素子部を形成するとともに、当該素子
部の各層の一部又は全部の成膜と同時に素子部と並列し
た所定位置に成膜して下地層を形成する工程と、リード
線を上記導体層と電気的に接続して形成し且つ当該リー
ド線の外部端子接続部を下地層上に対応させて形成する
工程と、素子部,リード線,及び下地層上に絶縁材料よ
りなる保護層を成膜する工程と、保護層に機械研磨を施
して下地層上に積層されたリード線の外部端子接続部の
みを露出させて外部接続用の接続端子とする工程とを経
て薄膜磁気ヘッドを製造することを特徴とするものであ
る。
Further, according to the method of manufacturing a thin film magnetic head of the present invention, a thin film forming technique is used to form a magnetic layer and a conductive layer in multiple layers with an insulating layer interposed therebetween to form an element portion, and one layer of each element portion is formed. Part or all of the film is formed at the same time as the film formation at a predetermined position in parallel with the element part to form an underlayer, and the lead wire is electrically connected to the conductor layer and is formed by an external terminal of the lead wire. The step of forming the connection part correspondingly on the underlayer, the step of forming a protective layer made of an insulating material on the element portion, the lead wire, and the underlayer, and the mechanical polishing of the protective layer on the underlayer. The thin film magnetic head is manufactured through a step of exposing only the external terminal connection portion of the lead wire laminated on the substrate and making it a connection terminal for external connection.

【0017】この場合、リード線を形成するに際して、
当該リード線の外部端子接続部上にボンディングパッド
を形成することが好適である。また、上記素子部を形成
した後に、下地層上にさらに成膜を施して素子部より5
〜10μm厚い厚みをもつ下地層を形成することも好適
である。
In this case, when forming the lead wire,
It is preferable to form a bonding pad on the external terminal connection portion of the lead wire. Further, after forming the above-mentioned element portion, a film is further formed on the underlayer to form a film from the element portion.
It is also preferable to form a base layer having a thickness of 10 μm thick.

【0018】[0018]

【作用】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいては、リー
ド線の外部端子接続部に対応する位置に所定の厚みを有
する下地層が形成され、この上にリード線の外部接続端
子部が形成されている。すなわち、下地層上に積層され
た外部接続端子部が下地層の厚み分だけ高い位置に設け
られるため、外部接続端子部上に積層するボンディング
パッドの厚みをそれだけ薄く形成することができる。し
たがって、ボンディングパッドを容易に所望形状に形成
することが可能となり、上部に被覆形成される保護層に
おける成膜不良の発生が防止される。
In the thin-film magnetic head according to the present invention, the underlayer having a predetermined thickness is formed at the position corresponding to the external terminal connecting portion of the lead wire, and the external connecting terminal portion of the lead wire is formed thereon. There is. That is, since the external connection terminal portion laminated on the base layer is provided at a position higher by the thickness of the base layer, the thickness of the bonding pad laminated on the external connection terminal portion can be formed thinner. Therefore, it becomes possible to easily form the bonding pad into a desired shape, and it is possible to prevent the occurrence of a film formation defect in the protective layer formed on the upper portion of the bonding pad.

【0019】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、薄膜形成技術により磁性層,導体層を
絶縁層を介して多層に積層して素子部を形成するととも
に、当該素子部の各層の一部又は全部の成膜と同時に素
子部と並列した所定位置に成膜することにより、上記素
子部と略々同一の高さの下地層が形成される。したがっ
て、形成するリード線はその厚みが5〜10μm程度の
薄いもので良く、成膜不良を発生させることなく保護層
が成膜されることになる。
Further, in the method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention, the magnetic layer and the conductor layer are laminated in multiple layers via the insulating layer by the thin film forming technique to form the element portion and each layer of the element portion. By forming a part or all of the film at a predetermined position in parallel with the element part at the same time, a base layer having substantially the same height as the element part is formed. Therefore, the lead wire to be formed may have a thin thickness of about 5 to 10 μm, and the protective layer can be formed without causing defective film formation.

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明を、記録用の薄膜磁気ヘッドと
して好適なインダクティブヘッド上に再生用のMRヘッ
ドが積層形成されてなる複合型薄膜磁気ヘッドに適用し
た実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a composite type thin film magnetic head in which an MR head for reproduction is laminated on an inductive head suitable as a thin film magnetic head for recording is described with reference to the drawings. The details will be described.

【0021】この複合型薄膜磁気ヘッドは、図1に示す
ように、MRヘッドA上にインダクティブヘッドBが積
層されて素子部31が形成され、これらMRヘッドA及
びインダクティブヘッドBの導体層と接続されてなる4
本のリード線32〜35が配されて構成されている。
In this composite type thin film magnetic head, as shown in FIG. 1, an inductive head B is laminated on an MR head A to form an element portion 31, which is connected to the conductor layers of the MR head A and the inductive head B. Be done 4
The lead wires 32 to 35 are arranged.

【0022】素子部31は、図2に示すように、磁気抵
抗効果を奏するMR素子1がそれぞれ軟磁性体層である
下部シルードコア2と後述の下層コア21と兼用される
上部シルードコアとにより狭持されてなるMRヘッドA
と、導体コイル22が下層コア21と上層コア23とに
より狭持されてなるインダクティブヘッドBとが順次積
層されて構成されている。
As shown in FIG. 2, the MR element 1 having a magnetoresistive effect is sandwiched between a lower shield core 2 which is a soft magnetic layer and an upper shield core which also serves as a lower core 21 described later. MR head A
And an inductive head B in which the conductor coil 22 is sandwiched between the lower layer core 21 and the upper layer core 23.

【0023】MRヘッドAは、MR素子1にセンス電流
がトラック幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦
型のMRヘッドである。具体的には、軟磁性材料よりな
る下部シールドコア2上に磁気ギャップを形成するAl
2 3 等よりなる絶縁層11が積層されている。そし
て、この絶縁層11上にMR素子1がその長手方向が磁
気記録媒体との対向面(磁気記録媒体摺動面a)と垂直
になるように配され、且つその一方の端面が磁気記録媒
体摺動面aに露出するかたちに形成されている。さら
に、MR素子1の後端部上に、このMR素子1にセンス
電流を提供するための後端電極12bが設けられ、絶縁
層13を介して当該MR素子1にバイアス磁界を印加す
るためのバイアス導体14が設けられている。
The MR head A is a so-called vertical MR head in which a sense current flows through the MR element 1 in a direction orthogonal to the track width direction. Specifically, Al that forms a magnetic gap on the lower shield core 2 made of a soft magnetic material.
An insulating layer 11 made of 2 O 3 or the like is laminated. The MR element 1 is arranged on the insulating layer 11 so that its longitudinal direction is perpendicular to the surface (magnetic recording medium sliding surface a) facing the magnetic recording medium, and one end surface of the MR element 1 is magnetic recording medium. It is formed so as to be exposed on the sliding surface a. Further, a rear end electrode 12b for providing a sense current to the MR element 1 is provided on the rear end portion of the MR element 1, and a bias magnetic field is applied to the MR element 1 via the insulating layer 13. Bias conductor 14 is provided.

【0024】さらに、後端電極12b及びバイアス導体
14上に絶縁層15が積層され、この絶縁層15上にM
R素子1にセンス電流を提供するための前端電極12a
が設けられている。ここで、前端,後端電極12a,1
2bにより狭持されたMR素子の領域が磁気抵抗効果を
示す感磁部となる。
Further, an insulating layer 15 is laminated on the rear end electrode 12b and the bias conductor 14, and M is formed on the insulating layer 15.
Front end electrode 12a for providing a sense current to the R element 1
Is provided. Here, the front and rear electrodes 12a, 1
The region of the MR element sandwiched by 2b serves as a magnetic sensitive portion exhibiting a magnetoresistive effect.

【0025】そして、前端電極12a上に後述の下層コ
ア21と兼用される上部シルード層が形成されて、MR
素子Aが構成されている。一方、インダクティブヘッド
Bは、軟磁性体層である上記下層コア21上に磁気ギャ
ップを形成するギャップ膜24が成膜され、さらにこの
ギャップ膜24上に表面を平坦化して図導体コイルの成
膜を容易にするための第1の平坦化層25が成膜され
て、さらにその表面上に導体コイル22がスパイラル状
に形成されている。そして、表面の平坦化を図るための
レジスト等の高分子材料からなる第2の平坦化層26が
成膜され、この第2の平坦化層26上に軟磁性体層であ
る上層コア23が形成されて構成されている。
Then, an upper shield layer which is also used as a lower core 21 which will be described later is formed on the front end electrode 12a, so that the MR
The element A is configured. On the other hand, in the inductive head B, a gap film 24 that forms a magnetic gap is formed on the lower core 21 that is a soft magnetic layer, and the surface of the gap film 24 is flattened to form the illustrated conductor coil. The first flattening layer 25 for facilitating the above is formed, and the conductor coil 22 is further formed in a spiral shape on the surface thereof. Then, a second flattening layer 26 made of a polymer material such as a resist for flattening the surface is formed, and an upper core 23 which is a soft magnetic layer is formed on the second flattening layer 26. Formed and configured.

【0026】また、リード線32〜35は、図1中破線
A−A’による断面図である図3に示すように、素子部
31から当該素子部31と略々同一の高さに形成されて
なる下地層36にかけて成膜形成されている。この下地
層36は、その厚みが5μm以上であり且つ素子部31
の厚みに10μmを加えた値以下の所定厚、ここでは素
子部31と略々同一の厚みとされており、その側面形状
が略々テーパ状とされている。
The lead wires 32 to 35 are formed from the element portion 31 to substantially the same height as the element portion 31, as shown in FIG. 3 which is a sectional view taken along the broken line AA 'in FIG. A film is formed on the underlying layer 36 formed as follows. The base layer 36 has a thickness of 5 μm or more and the element portion 31.
Has a predetermined thickness equal to or less than a value obtained by adding 10 μm to the thickness of the element, here, the thickness is substantially the same as that of the element portion 31, and the side surface shape thereof is substantially tapered.

【0027】さらに、下地層36上に積層されたリード
線32〜35(図示の例ではリード線32,33)の外
部端子接続部32a〜35a上にボンディングパッド3
7がそれぞれ設けられており、これらボンディングパッ
ド37の厚みは5〜10μmとされている。したがっ
て、上述の如く下地層36と素子部31とが略々同一の
高さとされているために、ボンディングパッド37の上
面は素子部31上に積層されたリード線32〜35の上
面より5〜10μm高い状態となる。
Further, the bonding pads 3 are formed on the external terminal connecting portions 32a to 35a of the lead wires 32 to 35 (lead wires 32 and 33 in the illustrated example) laminated on the base layer 36.
7 are provided, and the thickness of these bonding pads 37 is 5 to 10 μm. Therefore, as described above, since the underlying layer 36 and the element portion 31 have substantially the same height, the upper surface of the bonding pad 37 is 5 to 5 times higher than the upper surfaces of the lead wires 32 to 35 laminated on the element portion 31. The state is 10 μm higher.

【0028】なお、下地層36をその上面が素子部31
の上面より5〜10μm高くなるように形成することに
より、リード線32〜35の下地層36上に積層された
外部端子接続部32a〜35aをボンディングパッド3
7と兼ねることが可能となり、ボンディングパッド37
が不要となる。
It should be noted that the upper surface of the underlayer 36 is the element portion 31.
The external terminal connecting portions 32a to 35a laminated on the underlayer 36 of the lead wires 32 to 35 are formed so as to be higher than the upper surface of the bonding pad 3 by 5 to 10 μm.
It becomes possible to double as 7, and the bonding pad 37
Becomes unnecessary.

【0029】このように、本実施例に係る複合型薄膜磁
気ヘッドにおいては、リード線32〜35の外部端子接
続部32a〜35aに対応する位置に所定の厚みを有す
る下地層36が形成され、この上にリード線32〜35
の外部接続端子部32a〜35aが形成されている。す
なわち、下地層36上に積層されたリード線32〜35
上に形成されるボンディングパッド37が下地層36の
厚み分だけ高い位置に設けられるため、当該ボンディン
グパッド37の厚みをそれだけ薄く形成することができ
る。したがって、ボンディングパッド37を容易に所望
形状に形成することが可能となり、上部に被覆形成され
る保護層における成膜不良の発生が防止される。
As described above, in the composite type thin film magnetic head according to the present embodiment, the underlayer 36 having a predetermined thickness is formed at the positions corresponding to the external terminal connecting portions 32a to 35a of the lead wires 32 to 35, Lead wires 32 to 35 on this
External connection terminal portions 32a to 35a are formed. That is, the lead wires 32 to 35 stacked on the base layer 36.
Since the bonding pad 37 formed above is provided at a position higher by the thickness of the base layer 36, the thickness of the bonding pad 37 can be made thinner. Therefore, it is possible to easily form the bonding pad 37 into a desired shape, and it is possible to prevent the occurrence of a film formation defect in the protective layer formed on the upper portion of the bonding pad 37.

【0030】次いで、上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法について説明する。この複合型薄膜磁気ヘッドを作
製するには、MRヘッドAとインダクティブヘッドBを
順次成膜して素子部31を形成するとともに下地層36
及びボンディングパッド37を形成し、リード線32〜
35を素子部31から下地層36に架けて成膜する。
Next, a method of manufacturing the composite thin film magnetic head will be described. In order to manufacture this composite type thin film magnetic head, the MR head A and the inductive head B are sequentially formed to form the element portion 31 and the underlayer 36.
And the bonding pad 37 is formed, and the lead wire 32 to
35 is laid over the base layer 36 from the element portion 31 to form a film.

【0031】先ず、MRヘッドを作製するには、先ず図
4に示す軟磁性材料よりなる下部シールドコア2上に、
図5に示すように、磁気ギャップを形成するAl2 3
等よりなる絶縁層11を積層し、この絶縁層11上にM
R素子1をその長手方向が磁気記録媒体摺動面aと垂直
になるように形成する。
First, in order to manufacture an MR head, first, on the lower shield core 2 made of a soft magnetic material shown in FIG.
As shown in FIG. 5, Al 2 O 3 forming a magnetic gap
An insulating layer 11 made of, for example, is laminated, and M is formed on the insulating layer 11.
The R element 1 is formed so that its longitudinal direction is perpendicular to the sliding surface a of the magnetic recording medium.

【0032】次いで、図6に示すように、MR素子1上
に絶縁層13を成膜した後に、図7に示すように、絶縁
層13にMR素子1の後端部へ通じる接続孔を形成し
て、図8に示すように、この後端部上にこのMR素子1
にセンス電流を提供するための後端電極12bを形成す
る。
Next, as shown in FIG. 6, after forming the insulating layer 13 on the MR element 1, as shown in FIG. 7, a connection hole leading to the rear end of the MR element 1 is formed. Then, as shown in FIG. 8, the MR element 1 is formed on the rear end portion.
A rear end electrode 12b for providing a sense current to the substrate.

【0033】その後、上記絶縁層13を介して当該MR
素子1にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体1
4を形成し、図9に示すように、後端電極12b及びバ
イアス導体14上に絶縁層15を積層する。そして、図
10に示すように、絶縁層15にMR素子1の前端部へ
通じる接続孔を形成した後、図11に示すように、この
前端部上にこのMR素子1にセンス電流を提供するため
の前端電極12aを形成し、この前端電極12a上に下
層コア21と兼用される上部シルード層を形成して、M
R素子Aが完成する。
Then, the MR is inserted through the insulating layer 13.
Bias conductor 1 for applying a bias magnetic field to the element 1
4 is formed, and the insulating layer 15 is laminated on the rear end electrode 12b and the bias conductor 14 as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 10, after forming a connection hole communicating with the front end of the MR element 1 in the insulating layer 15, as shown in FIG. 11, a sense current is provided to the MR element 1 on the front end. Is formed on the front end electrode 12a, and an upper shield layer that also serves as the lower core 21 is formed on the front end electrode 12a.
The R element A is completed.

【0034】次いで、インダクティブヘッドBを作製す
るには、図12に示すように、上記MR素子1の上部に
軟磁性材よりなる下層コア21を成膜した後、ギャップ
膜24を介してこの下層コア21上に当該下層コア21
と導体コイル22との間の絶縁を図り且つ表面の平坦化
を図って導体コイル22を正確に形成するためのレジス
ト等の有機高分子材料よりなる第1の平坦化層25を成
膜する。
Next, in order to manufacture the inductive head B, as shown in FIG. 12, a lower layer core 21 made of a soft magnetic material is formed on the MR element 1 and then the lower layer is formed via a gap film 24. On the core 21, the lower core 21
A first flattening layer 25 made of an organic polymer material such as a resist is formed so as to insulate the conductor coil 22 from the conductor coil 22 and to flatten the surface to accurately form the conductor coil 22.

【0035】次いで、図13に示すように、上記第1の
平坦化層25上にCr/Cuを材料として順次成膜を施
して2層構造の図示しない第1のメッキ下地層を形成す
る。その後、この第1のメッキ下地層上に導電コイル2
2を成膜する。すなわち、フォトリソグラフィー技術に
より、第1のメッキ下地層上にレジスト剤を塗布し、所
定形状のレジストパターンを形成し、当該レジストパタ
ーンに基づいてCuを材料としてスパイラル状の導電コ
イル22をメッキ成膜する。
Next, as shown in FIG. 13, a film is sequentially formed on the first planarizing layer 25 using Cr / Cu as a material to form a first plating underlayer (not shown) having a two-layer structure. Then, the conductive coil 2 is formed on the first plating base layer.
2 is formed into a film. That is, a resist agent is applied on the first plating underlayer by a photolithography technique to form a resist pattern having a predetermined shape, and the spiral conductive coil 22 is formed by plating using Cu as a material based on the resist pattern. To do.

【0036】そして、所定の有機溶剤を用いて上記レジ
ストパターンを溶解除去した後に、イオンミーリング法
によりエッチングを施して導体コイル22の非成膜領域
に存する第1のメッキ下地層を除去し、第1の平坦化層
25に酸素ガスを用いてプラズマ・アッシング処理を施
す。
Then, after the resist pattern is dissolved and removed using a predetermined organic solvent, etching is performed by an ion milling method to remove the first plating underlayer existing in the non-film formation region of the conductor coil 22. The flattening layer 25 of No. 1 is subjected to plasma ashing treatment using oxygen gas.

【0037】さらに、導電コイル22を形成するために
成膜したメッキ膜のうち、不要なメッキ膜をウェットエ
ッチングにより除去するためのカバーレジストを形成す
る。その後、硝酸を主成分とするエッチャントを用いて
不要なメッキ膜を除去し、有機溶剤を用いてカバーレジ
ストを溶解除去する。
Further, a cover resist for removing an unnecessary plating film of the plating film formed for forming the conductive coil 22 by wet etching is formed. After that, the unnecessary plating film is removed using an etchant containing nitric acid as a main component, and the cover resist is dissolved and removed using an organic solvent.

【0038】次いで、図14及び図15に示すように、
導体コイル2上に第2の平坦化層26を形成する。この
第2の平坦化層26は、平坦化膜26a,26bよりな
るものである。すなわち、導体コイル22上にレジスト
剤を塗布し、真空キュア炉にてキュアリングを施すこと
により平坦化膜26aを形成した後、同様に、当該平坦
化膜26a上にレジスト剤を塗布し、真空キュア炉にて
キュアリングを施すことにより平坦化膜26bを形成す
る。
Then, as shown in FIG. 14 and FIG.
The second planarization layer 26 is formed on the conductor coil 2. The second flattening layer 26 is composed of flattening films 26a and 26b. That is, after applying a resist agent on the conductor coil 22 and forming a flattening film 26a by performing curing in a vacuum curing furnace, similarly, a resist agent is applied on the flattening film 26a, and a vacuum is applied. The flattening film 26b is formed by performing curing in a curing furnace.

【0039】次いで、当該第2の平坦化層26上にCr
/Ti/Ni−Feを材料として順次成膜を施して3層
構造の図示しない第2のメッキ下地層を形成する。その
後、上記図2に示すように、導体コイル22を形成した
場合と同様に、第2のメッキ下地層上に上層コア23及
び導体コイル22をメッキ成膜する。すなわち、フォト
リソグラフィー技術により、第2のメッキ下地層上にレ
ジスト剤を塗布し、所定形状のレジストパターンを形成
し、当該レジストパターンに基づいてNi−Feを材料
として上層コア23をそれぞれメッキ成膜する。
Then, Cr is formed on the second flattening layer 26.
/ Ti / Ni-Fe is sequentially formed as a material to form a second plating underlayer (not shown) having a three-layer structure. After that, as shown in FIG. 2, the upper core 23 and the conductor coil 22 are formed by plating on the second plating base layer, as in the case where the conductor coil 22 is formed. That is, a resist agent is applied on the second plating underlayer by a photolithography technique to form a resist pattern having a predetermined shape, and Ni-Fe is used as a material to form the upper layer core 23 by plating based on the resist pattern. To do.

【0040】そして、所定の有機溶剤を用いて上記レジ
ストパターンを溶解除去した後に、イオンミーリング法
によりエッチングを施して上層コア23の非成膜領域に
存する第2のメッキ下地層を除去する。以上の工程を経
ることにより、インダクティブヘッドBが完成し、MR
ヘッドA及びインダクティブヘッドBより構成される素
子部31が完成される。
After the resist pattern is dissolved and removed using a predetermined organic solvent, etching is performed by an ion milling method to remove the second plating underlayer in the non-film-forming region of the upper core 23. Through the above steps, the inductive head B is completed, and the MR
The element unit 31 including the head A and the inductive head B is completed.

【0041】ここで、本実施例においては、素子部31
の形成とともに、当該素子部31の近傍に当該素子部3
1と並列した所定位置に下地層36を形成する。すなわ
ち、素子部31の各層の成膜と同時に上記所定位置に積
層成膜することにより、側面形状が略々テーパ状とされ
素子部31と略々同一の高さの下地層36が形成され
る。
Here, in the present embodiment, the element portion 31
And the element part 3 is formed near the element part 31.
A base layer 36 is formed at a predetermined position in parallel with 1. That is, by laminating and forming each layer of the element portion 31 at the same time as forming the layers, the side surface is formed into a substantially tapered shape and the underlying layer 36 having substantially the same height as the element portion 31 is formed. .

【0042】ここで、この下地層36の成膜時におい
て、素子部31の各層のうちの一部の成膜と同時に積層
成膜することにより、当該下地層36の厚みを5〜10
μmとなるようにしてもよい。次いで、素子部31から
下地層36にかけて、リード線32〜35を素子部31
の前端,後端電極12a,12b,及び導体コイル22
と電気的に接続し且つ当該リード線32〜35の外部端
子接続部32a〜35aを下地層36上に対応させてメ
ッキ成膜するとともに、当該リード線32〜35の外部
端子接続部32a〜35a上にボンディングパッド37
をメッキ成膜する。
Here, at the time of forming the underlayer 36, the underlayer 36 has a thickness of 5 to 10 by forming a laminated film at the same time as forming a part of each layer of the element portion 31.
It may be set to μm. Next, from the element portion 31 to the base layer 36, the lead wires 32 to 35 are connected to the element portion 31.
Front and rear electrodes 12a, 12b and conductor coil 22
The external terminal connecting portions 32a to 35a of the lead wires 32 to 35 are formed by plating correspondingly on the underlying layer 36 and are electrically connected to the external terminal connecting portions 32a to 35a of the lead wires 32 to 35. Bonding pad 37 on top
To form a film by plating.

【0043】なお、素子部31を形成した後に、下地層
36上にさらに成膜を施して素子部31より5〜10μ
m大きい厚みをもつ下地層36を形成することも可能で
ある。このとき、ボンディングパッド37が不要とな
る。そして、素子部31,リード線32〜35,及び下
地層37,及びボンディングパッド37上に絶縁材料よ
りなる図示しない保護層をスパッタ成膜した後に、機械
研磨を施してボンディングパッド37の上面部のみを露
出させ、所定の組立工程等を経て上記複合型薄膜磁気ヘ
ッドが完成する。
After the element portion 31 is formed, a film is further formed on the underlayer 36 so that the thickness of the element portion 31 is 5 to 10 μm.
It is also possible to form the underlayer 36 having a larger thickness. At this time, the bonding pad 37 becomes unnecessary. Then, after forming a protective layer (not shown) made of an insulating material on the element portion 31, the lead wires 32 to 35, the base layer 37, and the bonding pad 37 by sputtering, mechanical polishing is performed to form only the upper surface portion of the bonding pad 37. Is exposed, and the composite thin film magnetic head is completed through a predetermined assembly process and the like.

【0044】このように、本実施例に係る複合型薄膜磁
気ヘッドの製造方法においては、薄膜形成技術により素
子部31を形成するとともに、当該素子部31の各層の
一部又は全部の成膜と同時に素子部31と並列した所定
位置に成膜することにより、素子部31と略々同一の高
さの下地層36が形成される。したがって、素子部31
から下地層36にかけて積層形成するリード線32〜3
5はその厚みが5〜10μm程度の薄いもので良く、成
膜不良を発生させることなく保護層が成膜されることに
なる。
As described above, in the method of manufacturing the composite type thin film magnetic head according to this embodiment, the element portion 31 is formed by the thin film forming technique, and part or all of the layers of the element portion 31 are formed. At the same time, by forming a film at a predetermined position in parallel with the element part 31, a base layer 36 having substantially the same height as the element part 31 is formed. Therefore, the element portion 31
Lead wires 32 to 3 that are laminated from the base layer to the underlayer 36
The thickness of 5 may be as thin as about 5 to 10 μm, and the protective layer can be formed without causing defective film formation.

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいて
は、素子部と並列してリード線の外部端子接続部に対応
する位置に所定の厚みを有する下地層が成膜されてお
り、この上にリード線の外部接続端子部が形成されてい
る。すなわち、リード線に下地層上にて形成される外部
端子との接続端子が下地層の厚み分だけ高い位置に設け
られるため、外部接続端子部上に積層するボンディング
パッドの厚みをそれだけ薄く形成することができる。し
たがって、このボンディングパッドを容易に所望形状に
形成することが可能となり、上部に被覆形成される保護
層における成膜不良の発生が防止される。
In the thin-film magnetic head according to the present invention, the underlayer having a predetermined thickness is formed in parallel with the element portion at a position corresponding to the external terminal connecting portion of the lead wire, and the underlying layer is formed thereon. The external connection terminal portion of the lead wire is formed. In other words, since the lead wire is provided with the connection terminal for connection with the external terminal formed on the underlayer at a position higher by the thickness of the underlayer, the thickness of the bonding pad to be laminated on the external connection terminal portion is made thinner. be able to. Therefore, it becomes possible to easily form the bonding pad into a desired shape, and it is possible to prevent defective film formation in the protective layer formed on the upper portion.

【0046】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、薄膜形成技術により磁性層,導体層を
絶縁層を介して多層に積層して素子部を形成するととも
に、当該素子部の各層の一部又は全部の成膜と同時に素
子部と並列した所定位置に成膜することにより、上記素
子部と略々同一の高さの下地層が形成される。したがっ
て、形成するリード線はその厚みが5〜10μm程度の
薄いもので良く、成膜不良を発生させることなく保護層
が成膜されることになる。
In the method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention, the thin film forming technique is used to form a magnetic layer and a conductive layer in multiple layers via insulating layers to form an element portion, and each layer of the element portion is formed. By forming a part or all of the film at a predetermined position in parallel with the element part at the same time, a base layer having substantially the same height as the element part is formed. Therefore, the lead wire to be formed may have a thin thickness of about 5 to 10 μm, and the protective layer can be formed without causing defective film formation.

【0047】したがって、本発明によれば、リード線を
容易且つ正確に形成することができ、成膜不良の発生が
抑止されて製品の信頼性及び歩留りの大幅な向上を図る
ことが可能となる。
Therefore, according to the present invention, the lead wire can be formed easily and accurately, the occurrence of film deposition failure can be suppressed, and the reliability and yield of the product can be greatly improved. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施例に係る複合型薄膜磁気ヘッドを模式的
に示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view schematically showing a composite type thin film magnetic head according to an embodiment.

【図2】複合型薄膜磁気ヘッドの素子部を模式的に示す
断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an element portion of a composite type thin film magnetic head.

【図3】図1中破線A−A’による断面図である。3 is a cross-sectional view taken along the broken line A-A 'in FIG.

【図4】軟磁性材料よりなる下部シールドコアを模式的
に示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view schematically showing a lower shield core made of a soft magnetic material.

【図5】下部シールドコア上に絶縁層を介してMR素子
が形成された様子を模式的に示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a state where an MR element is formed on a lower shield core with an insulating layer interposed.

【図6】MR素子上に絶縁層が成膜された様子を模式的
に示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing how an insulating layer is formed on the MR element.

【図7】絶縁層にMR素子の後端部へ通じる接続孔が形
成された様子を模式的に示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a connection hole leading to the rear end of the MR element is formed in the insulating layer.

【図8】上記後端部上に後端電極が形成された様子を模
式的に示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a state where a rear end electrode is formed on the rear end portion.

【図9】後端電極及びバイアス導体上に絶縁層が積層さ
れた様子を模式的に示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a state in which an insulating layer is laminated on a rear end electrode and a bias conductor.

【図10】絶縁層にMR素子の前端部へ通じる接続孔が
形成された様子を模式的に示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a connection hole leading to the front end portion of the MR element is formed in the insulating layer.

【図11】上記前端部上に前端電極が形成され、さらに
この前端電極上に上部シルードコアが形成された様子を
模式的に示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a front end electrode formed on the front end portion and an upper shield core formed on the front end electrode.

【図12】MRヘッド上にギャップ膜及び第1の平坦化
層が成膜された様子を模式的に示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing how a gap film and a first flattening layer are formed on an MR head.

【図13】第1の平坦化層上に第1のメッキ下地層を介
して導体コイルがメッキ成膜された様子を模式的に示す
断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a conductor coil is formed by plating on a first flattening layer via a first plating underlayer.

【図14】導体コイル上に第2の平坦化層の第1層であ
る平坦化膜が成膜された様子を模式的に示す断面図であ
る。
FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing how a flattening film, which is a first layer of a second flattening layer, is formed on a conductor coil.

【図15】第1層の平坦化膜上に第2の平坦化層の第2
層である平坦化膜が成膜された様子を模式的に示す断面
図である。
FIG. 15 is a plan view showing a second planarization layer formed on the first planarization film;
It is sectional drawing which shows typically the mode that the planarization film which is a layer was formed into a film.

【図16】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を模式的に示す
断面図である。
FIG. 16 is a sectional view schematically showing an example of a conventional thin film magnetic head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A MRヘッド B インダクティブヘッド 1 MR素子 2 下部シールドコア 12a 前端電極 12b 後端電極 21 下層コア 22 導体コイル 23 上層コア 31 素子部 32〜35 リード線 32a〜35a 外部接続端子部 36 下地層 37 ボンディングパッド A MR head B Inductive head 1 MR element 2 Lower shield core 12a Front end electrode 12b Rear end electrode 21 Lower layer core 22 Conductor coil 23 Upper layer core 31 Element part 32-35 Lead wire 32a-35a External connection terminal part 36 Underlayer 37 Bonding pad

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁性層,導体層が絶縁層を介して多層に
積層され磁気ヘッド素子部が形成されるとともに、上記
導体層と電気的に接続されるリード線を備えてなる薄膜
磁気ヘッドにおいて、 上記リード線の外部端子接続部に対応する位置に所定の
厚みを有する下地層が形成され、この上にリード線の外
部接続端子部が形成されていることを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。
1. A thin-film magnetic head comprising magnetic layers and conductor layers laminated in multiple layers via insulating layers to form a magnetic head element portion, and a lead wire electrically connected to the conductor layers. A thin film magnetic head characterized in that an underlayer having a predetermined thickness is formed at a position corresponding to the external terminal connecting portion of the lead wire, and an external connecting terminal portion of the lead wire is formed thereon.
【請求項2】 下地層の厚みが5μm以上であり且つ素
子部の厚みに10μmを加えた値以下とされていること
を特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。
2. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the thickness of the underlayer is not less than 5 μm and not more than a value obtained by adding 10 μm to the thickness of the element portion.
【請求項3】 リード線の外部接続端子部上にボンディ
ングパッドが形成されていることを特徴とする請求項1
記載の薄膜磁気ヘッド。
3. The bonding pad is formed on the external connection terminal portion of the lead wire.
The thin-film magnetic head described.
【請求項4】 下地層の側面形状が略々テーパ状とされ
ていることを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
4. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the side surface of the underlayer has a substantially tapered shape.
【請求項5】 素子部が、軟磁性材料よりなる下部シー
ルドコア及び上部シールドコアに磁気抵抗効果素子が狭
持されてなる再生用薄膜ヘッド素子と、軟磁性材料より
なる下層コア及び上層コアに導体コイルが狭持されてな
る記録用薄膜ヘッド素子とが順次積層されてなることを
特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。
5. The thin film head element for reproduction in which a magnetoresistive effect element is sandwiched between a lower shield core and an upper shield core made of a soft magnetic material, and a lower layer core and an upper layer core made of a soft magnetic material. 2. The thin film magnetic head according to claim 1, further comprising a recording thin film head element in which conductor coils are sandwiched and which are sequentially laminated.
【請求項6】 薄膜形成技術により磁性層,導体層を絶
縁層を介して多層に積層して素子部を形成するととも
に、当該素子部の各層の一部又は全部の成膜と同時に素
子部と並列した所定位置に成膜して下地層を形成する工
程と、 リード線を上記導体層と電気的に接続し且つ当該リード
線の外部端子接続部を下地層上に対応させて形成する工
程と、 素子部,リード線,及び下地層上に絶縁材料よりなる保
護層を成膜する工程と、 保護層に機械研磨を施して下地層上に積層されたリード
線の外部端子接続部のみを露出させて外部接続用の接続
端子とする工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
6. A thin film forming technique is used to form a device part by laminating magnetic layers and conductor layers in multiple layers with an insulating layer interposed therebetween, and at the same time as forming part or all of each layer of the device part, the device part is formed. A step of forming a base layer by forming films at predetermined positions in parallel; a step of electrically connecting the lead wire to the conductor layer and forming an external terminal connecting portion of the lead wire in correspondence with the base layer. A step of forming a protective layer made of an insulating material on the element part, the lead wire, and the underlayer, and exposing the external terminal connection part of the lead wire laminated on the underlayer by mechanically polishing the protective layer And a step of forming a connection terminal for external connection.
【請求項7】 リード線を形成するに際して、当該リー
ド線の外部端子接続部上にボンディングパッドを形成す
ることを特徴とする請求項6記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
7. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 6, wherein, when forming the lead wire, a bonding pad is formed on the external terminal connecting portion of the lead wire.
【請求項8】 素子部を形成した後に、下地層上にさら
に成膜を施して素子部より5〜10μm大きい厚みをも
つ下地層を形成することを特徴とする請求項6記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
8. The thin-film magnetic head according to claim 6, wherein after the element portion is formed, a film is further formed on the underlayer to form an underlayer having a thickness 5 to 10 μm larger than the element portion. Manufacturing method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002025854A (en) * 2000-07-04 2002-01-25 Alps Electric Co Ltd Thin-film capacitor
WO2021036137A1 (en) * 2019-08-23 2021-03-04 问问智能信息科技有限公司 Contact, contact structure, electronic device and charging device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002025854A (en) * 2000-07-04 2002-01-25 Alps Electric Co Ltd Thin-film capacitor
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