JPH08329848A - マイクロ波発振装置 - Google Patents
マイクロ波発振装置Info
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- JPH08329848A JPH08329848A JP15664795A JP15664795A JPH08329848A JP H08329848 A JPH08329848 A JP H08329848A JP 15664795 A JP15664795 A JP 15664795A JP 15664795 A JP15664795 A JP 15664795A JP H08329848 A JPH08329848 A JP H08329848A
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 14
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 永久磁石の昇温によってもマグネトロンによ
るマイクロ波の発振出力を一定に確保できるようにする
こと。 【構成】 マグネトロン１１の周囲に永久磁石１２を組
み込んでマイクロ波を発生するマグネトロンユニット１
４と、マグネトロンのヒータ１５を加熱するヒータトラ
ンス１６と、マグネトロンへ整流回路１７により整流さ
れた二次側電圧を印加する高電圧トランス１８とを備え
てなるマイクロ波発振装置１０において、永久磁石の近
傍に設置されて、この永久磁石の磁界の強さを検出する
磁気センサ１９と、この磁気センサからの出力信号によ
り高電圧トランスからマグネトロンへ供給される電力を
調整するサイリスタ２３及び導通角制御部２４とを有す
るものである。
るマイクロ波の発振出力を一定に確保できるようにする
こと。 【構成】 マグネトロン１１の周囲に永久磁石１２を組
み込んでマイクロ波を発生するマグネトロンユニット１
４と、マグネトロンのヒータ１５を加熱するヒータトラ
ンス１６と、マグネトロンへ整流回路１７により整流さ
れた二次側電圧を印加する高電圧トランス１８とを備え
てなるマイクロ波発振装置１０において、永久磁石の近
傍に設置されて、この永久磁石の磁界の強さを検出する
磁気センサ１９と、この磁気センサからの出力信号によ
り高電圧トランスからマグネトロンへ供給される電力を
調整するサイリスタ２３及び導通角制御部２４とを有す
るものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マグネトロンの周囲に
永久磁石を組み込んだパッケージ形マグネトロンユニッ
トを利用したマイクロ波発振装置に関する。
永久磁石を組み込んだパッケージ形マグネトロンユニッ
トを利用したマイクロ波発振装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波発振装置の電気的基本
回路は、図３に示すように、マグネトロン１の周囲にマ
イクロ波発生用の永久磁石２を組み込んだパッケージ形
マグネトロンユニット３と、マグネトロン１のヒータ４
加熱用のヒータトランス５と、マグネトロン１へ整流回
路６を介して高電圧を印加する高電圧トランス７とを有
して構成されている。
回路は、図３に示すように、マグネトロン１の周囲にマ
イクロ波発生用の永久磁石２を組み込んだパッケージ形
マグネトロンユニット３と、マグネトロン１のヒータ４
加熱用のヒータトランス５と、マグネトロン１へ整流回
路６を介して高電圧を印加する高電圧トランス７とを有
して構成されている。
【０００３】このような従来のマイクロ波発振装置で
は、まずヒータトランス５を介してマグネトロン１のヒ
ータ４に電圧を印加し、ヒータ４を所定温度に加熱し
て、マグネトロン１が電子を放出可能な（エミッショ
ン）予熱状態にする。その後、高電圧トランス７の一次
側に商用電圧を印加し、マグネトロン１の陽極８とヒー
タ（陰極）４の間に、整流回路６にて整流された二次側
電圧を印加する。すると、マグネトロン１が発振状態と
なり、このマグネトロン１からマイクロ波エネルギーが
発生する。
は、まずヒータトランス５を介してマグネトロン１のヒ
ータ４に電圧を印加し、ヒータ４を所定温度に加熱し
て、マグネトロン１が電子を放出可能な（エミッショ
ン）予熱状態にする。その後、高電圧トランス７の一次
側に商用電圧を印加し、マグネトロン１の陽極８とヒー
タ（陰極）４の間に、整流回路６にて整流された二次側
電圧を印加する。すると、マグネトロン１が発振状態と
なり、このマグネトロン１からマイクロ波エネルギーが
発生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のマイクロ波
発振装置において、マグネトロン１の周囲に永久磁石２
を組み合わせたパッケージ形マグネトロンユニット３に
おける上記マグネトロン１の発振効率は60〜75％となっ
ており、25〜40％は熱的損失となって、マグネトロン１
を加熱・昇温させることになる。この熱は永久磁石２へ
伝わり、この永久磁石２を加熱・昇温させることにな
る。永久磁石２は、一般に、温度の上昇により磁界の強
さが低下する、いわゆる熱減磁現象を呈する。この熱減
磁現象によって、マグネトロン１の発振出力は、一般
に、永久磁石２が１℃昇温すると0.2 ％程度低下してし
まう。例えば、永久磁石２の昇温によって、電子レンジ
などに用いられる一般的なマグネトロンユニット３のマ
グネトロン１では、発振出力が15〜25％低下してしま
い、工業用マグネトロンユニット３のマグネトロン１で
も、発振出力が5 〜10％低下してしまう。
発振装置において、マグネトロン１の周囲に永久磁石２
を組み合わせたパッケージ形マグネトロンユニット３に
おける上記マグネトロン１の発振効率は60〜75％となっ
ており、25〜40％は熱的損失となって、マグネトロン１
を加熱・昇温させることになる。この熱は永久磁石２へ
伝わり、この永久磁石２を加熱・昇温させることにな
る。永久磁石２は、一般に、温度の上昇により磁界の強
さが低下する、いわゆる熱減磁現象を呈する。この熱減
磁現象によって、マグネトロン１の発振出力は、一般
に、永久磁石２が１℃昇温すると0.2 ％程度低下してし
まう。例えば、永久磁石２の昇温によって、電子レンジ
などに用いられる一般的なマグネトロンユニット３のマ
グネトロン１では、発振出力が15〜25％低下してしま
い、工業用マグネトロンユニット３のマグネトロン１で
も、発振出力が5 〜10％低下してしまう。
【０００５】尚、マグネトロンユニット３を冷却するフ
ァンの容量を大きくすれば、永久磁石２の熱減磁現象が
低減するが、マグネトロン１の発振出力の低下を避ける
ことは出来ない。
ァンの容量を大きくすれば、永久磁石２の熱減磁現象が
低減するが、マグネトロン１の発振出力の低下を避ける
ことは出来ない。
【０００６】本発明は、上述の事情を考慮してなされた
ものであり、永久磁石の昇温によっても、マグネトロン
から発振されるマイクロ波の出力変動を防止できるマイ
クロ波発振装置を提供することを目的とする。
ものであり、永久磁石の昇温によっても、マグネトロン
から発振されるマイクロ波の出力変動を防止できるマイ
クロ波発振装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、マグネトロンの周囲に永久磁石を組み込んでマイク
ロ波を発生するマグネトロンユニットと、上記マグネト
ロンのヒータ加熱用のヒータトランスと、上記マグネト
ロンへ整流回路を介して電圧を印加する高電圧トランス
とを備えてなるマイクロ波発振装置において、上記永久
磁石の磁界の強さを検出する磁気センサと、この磁気セ
ンサからの出力信号により、上記高電圧トランスから上
記マグネトロンへ供給される電力を調整する電力制御手
段と、を有するものである。
は、マグネトロンの周囲に永久磁石を組み込んでマイク
ロ波を発生するマグネトロンユニットと、上記マグネト
ロンのヒータ加熱用のヒータトランスと、上記マグネト
ロンへ整流回路を介して電圧を印加する高電圧トランス
とを備えてなるマイクロ波発振装置において、上記永久
磁石の磁界の強さを検出する磁気センサと、この磁気セ
ンサからの出力信号により、上記高電圧トランスから上
記マグネトロンへ供給される電力を調整する電力制御手
段と、を有するものである。
【０００８】請求項２に記載の発明は、マグネトロンの
周囲に永久磁石を組み込んでマイクロ波を発生するマグ
ネトロンユニットと、上記マグネトロンのヒータ加熱用
のヒータトランスと、上記マグネトロンへ整流回路を介
して電圧を印加する高電圧トランスとを備えてなるマイ
クロ波発振装置において、上記永久磁石の温度を検出す
る温度センサと、この温度センサからの出力信号によ
り、上記高電圧トランスから上記マグネトロンへ供給さ
れる電力を調整する電力制御手段と、を有するものであ
る。
周囲に永久磁石を組み込んでマイクロ波を発生するマグ
ネトロンユニットと、上記マグネトロンのヒータ加熱用
のヒータトランスと、上記マグネトロンへ整流回路を介
して電圧を印加する高電圧トランスとを備えてなるマイ
クロ波発振装置において、上記永久磁石の温度を検出す
る温度センサと、この温度センサからの出力信号によ
り、上記高電圧トランスから上記マグネトロンへ供給さ
れる電力を調整する電力制御手段と、を有するものであ
る。
【０００９】
【作用】請求項１に記載の発明には、次の作用がある。
マイクロ波発生用の永久磁石の磁界の強さを磁気センサ
が検出し、電力制御手段が、上記磁気センサからの出力
信号に応じて、高電圧トランスからマグネトロンへ供給
される電力を調整することから、装置の使用によってマ
グネトロンが加熱し、その結果、永久磁石が昇温してこ
の永久磁石の磁界の強さが低下しても、電力制御手段
が、上記永久磁石の磁界の強さの低下に基づくマグネト
ロンの発振出力の低下を補償するように、高電圧トラン
スからマグネトロンへ供給される電力を調整するので、
永久磁石の昇温によっても、マグネトロンから発振され
るマイクロ波の出力変動を防止することができる。
マイクロ波発生用の永久磁石の磁界の強さを磁気センサ
が検出し、電力制御手段が、上記磁気センサからの出力
信号に応じて、高電圧トランスからマグネトロンへ供給
される電力を調整することから、装置の使用によってマ
グネトロンが加熱し、その結果、永久磁石が昇温してこ
の永久磁石の磁界の強さが低下しても、電力制御手段
が、上記永久磁石の磁界の強さの低下に基づくマグネト
ロンの発振出力の低下を補償するように、高電圧トラン
スからマグネトロンへ供給される電力を調整するので、
永久磁石の昇温によっても、マグネトロンから発振され
るマイクロ波の出力変動を防止することができる。
【００１０】請求項２に記載の発明には、次の作用があ
る。マイクロ波発生用の永久磁石の温度を温度センサが
検出し、電力制御手段が、上記温度センサからの出力信
号に応じて、高電圧トランスからマグネトロンへ供給さ
れる電力を調整することから、装置の使用によってマグ
ネトロンが加熱し、その結果、永久磁石が昇温してこの
永久磁石の磁界の強さが低下しても、電力制御手段が、
永久磁石の温度上昇によって低下したこの永久磁石の磁
界の強さに基づくマグネトロンの発振出力の低下を補償
するように、高電圧トランスからマグネトロンへ供給さ
れる電力を調整するので、永久磁石の昇温によっても、
マグネトロンから発振されるマイクロ波の出力変動を防
止することができる。
る。マイクロ波発生用の永久磁石の温度を温度センサが
検出し、電力制御手段が、上記温度センサからの出力信
号に応じて、高電圧トランスからマグネトロンへ供給さ
れる電力を調整することから、装置の使用によってマグ
ネトロンが加熱し、その結果、永久磁石が昇温してこの
永久磁石の磁界の強さが低下しても、電力制御手段が、
永久磁石の温度上昇によって低下したこの永久磁石の磁
界の強さに基づくマグネトロンの発振出力の低下を補償
するように、高電圧トランスからマグネトロンへ供給さ
れる電力を調整するので、永久磁石の昇温によっても、
マグネトロンから発振されるマイクロ波の出力変動を防
止することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は、本発明に係るマイクロ波発振装置の一実
施例を示す電気回路図である。図２は、図１のマグネト
ロンユニットの一部を断面状態で示す側面図である。
する。図１は、本発明に係るマイクロ波発振装置の一実
施例を示す電気回路図である。図２は、図１のマグネト
ロンユニットの一部を断面状態で示す側面図である。
【００１２】図１及び図２に示すように、マイクロ波発
振装置１０は、マグネトロン１１の周囲に永久磁石１２
を配置してマイクロ波１３を発生するパッケージ形のマ
グネトロンユニット１４と、マグネトロン１１のヒータ
１５加熱用のヒータトランス１６と、マグネトロン１１
へ整流回路１７を介して高電圧を印加する高電圧トラン
ス１８と、永久磁石１２の周囲に設置されて、この永久
磁石１２の磁界の強さを検出する磁気センサ１９と、こ
の磁気センサ１９からの出力信号により、高電圧トラン
ス１８からマグネトロン１１へ供給される電力を調整す
る電力制御回路２０と、を有して構成される。
振装置１０は、マグネトロン１１の周囲に永久磁石１２
を配置してマイクロ波１３を発生するパッケージ形のマ
グネトロンユニット１４と、マグネトロン１１のヒータ
１５加熱用のヒータトランス１６と、マグネトロン１１
へ整流回路１７を介して高電圧を印加する高電圧トラン
ス１８と、永久磁石１２の周囲に設置されて、この永久
磁石１２の磁界の強さを検出する磁気センサ１９と、こ
の磁気センサ１９からの出力信号により、高電圧トラン
ス１８からマグネトロン１１へ供給される電力を調整す
る電力制御回路２０と、を有して構成される。
【００１３】マグネトロンユニット１４には、図２に示
すように、高周波結合器２１が取り付けられて、マグネ
トロン１１にて発振されたマイクロ波１３が、各種のマ
イクロ波応用機器を介して照射部まで導かれる。
すように、高周波結合器２１が取り付けられて、マグネ
トロン１１にて発振されたマイクロ波１３が、各種のマ
イクロ波応用機器を介して照射部まで導かれる。
【００１４】マグネトロンユニット１４のマグネトロン
１１からのマイクロ波１３の発振は次のようになされ
る。まず、ヒータトランス１６からマグネトロン１１の
ヒータ１５へ電圧を印加してこのヒータ１５を予熱し、
マグネトロン１１から電子を放出可能状態とする。次
に、高電圧トランス１８の一次側に電圧を印加し、マグ
ネトロン１１の陽極２２とマグネトロン１１のヒータ
（陰極）１５との間に、整流回路１７にて整流された高
電圧の二次側電圧を印加する。すると、マグネトロン１
１が発振状態となって、このマグネトロン１１からマイ
クロ波１３が発振する。発振したマイクロ波１３は、高
周波結合器２１などを経て照射部へ伝送される。
１１からのマイクロ波１３の発振は次のようになされ
る。まず、ヒータトランス１６からマグネトロン１１の
ヒータ１５へ電圧を印加してこのヒータ１５を予熱し、
マグネトロン１１から電子を放出可能状態とする。次
に、高電圧トランス１８の一次側に電圧を印加し、マグ
ネトロン１１の陽極２２とマグネトロン１１のヒータ
（陰極）１５との間に、整流回路１７にて整流された高
電圧の二次側電圧を印加する。すると、マグネトロン１
１が発振状態となって、このマグネトロン１１からマイ
クロ波１３が発振する。発振したマイクロ波１３は、高
周波結合器２１などを経て照射部へ伝送される。
【００１５】マグネトロンユニット１４のマグネトロン
１１によるマイクロ波１３の発振時間が経過するととも
に、マグネトロン１１が昇温し、その結果、永久磁石１
２が昇温して、いわゆる熱減磁現象により永久磁石１２
の磁界の強さが低下し、マグネトロン１１からのマイク
ロ波１３の発振出力が低下することになるが、この低下
が上記磁気センサ１９及び電力制御回路２０により抑制
される。
１１によるマイクロ波１３の発振時間が経過するととも
に、マグネトロン１１が昇温し、その結果、永久磁石１
２が昇温して、いわゆる熱減磁現象により永久磁石１２
の磁界の強さが低下し、マグネトロン１１からのマイク
ロ波１３の発振出力が低下することになるが、この低下
が上記磁気センサ１９及び電力制御回路２０により抑制
される。
【００１６】上述のように、マグネトロン１１からのマ
イクロ波１３の発振出力と永久磁石１２の磁界の強さと
は所定の相関関係にあり、しかも、マグネトロン１１か
らのマイクロ波１３の発振出力は、高電圧トランス１８
からマグネトロン１１へ供給される電力の調整により変
化させることができるので、ホールセンサや磁気抵抗素
子などの磁気センサ１９にて永久磁石１２の磁界の強さ
を検出し、この検出値に基づいて、電力制御回路２０
が、高電圧トランス１８からマグネトロン１１ヘ供給さ
れる電力を調整する。
イクロ波１３の発振出力と永久磁石１２の磁界の強さと
は所定の相関関係にあり、しかも、マグネトロン１１か
らのマイクロ波１３の発振出力は、高電圧トランス１８
からマグネトロン１１へ供給される電力の調整により変
化させることができるので、ホールセンサや磁気抵抗素
子などの磁気センサ１９にて永久磁石１２の磁界の強さ
を検出し、この検出値に基づいて、電力制御回路２０
が、高電圧トランス１８からマグネトロン１１ヘ供給さ
れる電力を調整する。
【００１７】電力制御回路２０は、高電圧トランス１８
の一次側に設けられたサイリスタ２３と、このサイリス
タ２３の導通角を変更して、高電圧トランス１８の一次
側への供給電力を調整する導通角制御部２４とを有して
構成される。この導通角制御部２４は、永久磁石１２の
磁界の強さの低下に基づくマグネトロン１１の発振出力
の低下を補償するように、サイリスタ２３の導通角を増
大して高電圧トランス１８へ供給される一次側電圧を制
御し、この高電圧トランス１８からマグネトロン１１へ
供給される電力を増加させるよう制御するものである。
の一次側に設けられたサイリスタ２３と、このサイリス
タ２３の導通角を変更して、高電圧トランス１８の一次
側への供給電力を調整する導通角制御部２４とを有して
構成される。この導通角制御部２４は、永久磁石１２の
磁界の強さの低下に基づくマグネトロン１１の発振出力
の低下を補償するように、サイリスタ２３の導通角を増
大して高電圧トランス１８へ供給される一次側電圧を制
御し、この高電圧トランス１８からマグネトロン１１へ
供給される電力を増加させるよう制御するものである。
【００１８】従って、上記実施例によれば、マイクロ波
発生用の永久磁石１２の近傍に設置された磁気センサ１
９がこの永久磁石１２の磁界の強さを検出し、電力制御
回路２０の導通角制御部２４が、上記磁気センサ１９か
らの出力信号に応じて導通角制御部２４の導通角を変更
し、高電圧トランス１８の一次側へ供給される電力を変
更して、高電圧トランス１８からマグネトロン１１へ供
給される電力を制御することから、マイクロ波発振装置
１０の使用によってマグネトロン１１が加熱し、その結
果、永久磁石１２が昇温して、この永久磁石１２の磁界
の強さが低下しても、電力制御回路２０の導通角制御部
２４及びサイリスタ２３が、上記永久磁石１２の磁界の
強さの低下に基づくマグネトロン１１の発振出力の低下
を補償するように、高電圧トランス１８の一次側ヘ供給
される電力を変更して、この高電圧トランス１８からマ
グネトロン１１へ供給される電力を増加させるので、永
久磁石１２の昇温によっても、マグネトロン１１から発
振されるマイクロ波の出力変動を防止することができ
る。
発生用の永久磁石１２の近傍に設置された磁気センサ１
９がこの永久磁石１２の磁界の強さを検出し、電力制御
回路２０の導通角制御部２４が、上記磁気センサ１９か
らの出力信号に応じて導通角制御部２４の導通角を変更
し、高電圧トランス１８の一次側へ供給される電力を変
更して、高電圧トランス１８からマグネトロン１１へ供
給される電力を制御することから、マイクロ波発振装置
１０の使用によってマグネトロン１１が加熱し、その結
果、永久磁石１２が昇温して、この永久磁石１２の磁界
の強さが低下しても、電力制御回路２０の導通角制御部
２４及びサイリスタ２３が、上記永久磁石１２の磁界の
強さの低下に基づくマグネトロン１１の発振出力の低下
を補償するように、高電圧トランス１８の一次側ヘ供給
される電力を変更して、この高電圧トランス１８からマ
グネトロン１１へ供給される電力を増加させるので、永
久磁石１２の昇温によっても、マグネトロン１１から発
振されるマイクロ波の出力変動を防止することができ
る。
【００１９】尚、電力制御手段の例として上記実施例で
は、高電圧トランス１８の一次側にサイリスタ２３を設
置し、このサイリスタ２３の導通角を制御する導通角制
御部２４を有する位相制御による電力制御回路について
を述べたが、サイリスタ２３の代わりに可変抵抗器等の
電圧調整器を設置し、導通角制御部２４の代わりに抵抗
制御部を設け、この抵抗制御部が、磁気センサ１９から
の出力信号により可変抵抗器を制御して、高電圧トラン
ス１８の一次側へ供給される電圧を変更し、この高電圧
トランス１８からマグネトロン１１へ印加される二次側
電圧を調整して、マグネトロン１１から発振されるマイ
クロ波の出力変動を防止するようにしても良い。更に
は、この電力制御手段が、ＰＷＭ（パルスは幅変調）制
御によるものであっても良い。
は、高電圧トランス１８の一次側にサイリスタ２３を設
置し、このサイリスタ２３の導通角を制御する導通角制
御部２４を有する位相制御による電力制御回路について
を述べたが、サイリスタ２３の代わりに可変抵抗器等の
電圧調整器を設置し、導通角制御部２４の代わりに抵抗
制御部を設け、この抵抗制御部が、磁気センサ１９から
の出力信号により可変抵抗器を制御して、高電圧トラン
ス１８の一次側へ供給される電圧を変更し、この高電圧
トランス１８からマグネトロン１１へ印加される二次側
電圧を調整して、マグネトロン１１から発振されるマイ
クロ波の出力変動を防止するようにしても良い。更に
は、この電力制御手段が、ＰＷＭ（パルスは幅変調）制
御によるものであっても良い。
【００２０】また、上記一実施例では、永久磁石１２の
近傍に磁気センサ１９を設置するものを述べたが、この
磁気センサ１９の代わりに永久磁石１２の温度変化を検
出する温度センサを設置しても良い。この温度センサ
は、熱電対や測温抵抗体が好適であり、マグネトロン１
１の加熱により昇温される永久磁石１２の温度を検出す
る。この場合、電力制御回路２０の導通角制御部２４
は、永久磁石１２の昇温によって低下したこの永久磁石
１２の磁界の強さに基づくマグネトロン１１の発振出力
の低下を補償するように、サイリスタ２３の導通角を増
大して、高電圧トランス１８の一次側へ供給される電力
を制御し、この高電圧トランス１８からマグネトロン１
１へ供給される電力を調整する。
近傍に磁気センサ１９を設置するものを述べたが、この
磁気センサ１９の代わりに永久磁石１２の温度変化を検
出する温度センサを設置しても良い。この温度センサ
は、熱電対や測温抵抗体が好適であり、マグネトロン１
１の加熱により昇温される永久磁石１２の温度を検出す
る。この場合、電力制御回路２０の導通角制御部２４
は、永久磁石１２の昇温によって低下したこの永久磁石
１２の磁界の強さに基づくマグネトロン１１の発振出力
の低下を補償するように、サイリスタ２３の導通角を増
大して、高電圧トランス１８の一次側へ供給される電力
を制御し、この高電圧トランス１８からマグネトロン１
１へ供給される電力を調整する。
【００２１】従って、この温度センサを用いた場合に
も、永久磁石１２の昇温による、マグネトロン１１から
発振されるマイクロ波の出力変動を防止できる。
も、永久磁石１２の昇温による、マグネトロン１１から
発振されるマイクロ波の出力変動を防止できる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るマイクロ波
発振装置によれば、永久磁石の昇温によってもマグネト
ロンから発振されるマイクロ波の出力変動を防止するこ
とができる。
発振装置によれば、永久磁石の昇温によってもマグネト
ロンから発振されるマイクロ波の出力変動を防止するこ
とができる。
【図１】図１は、本発明に係るマイクロ波発振装置の一
実施例を示す電気回路図である。
実施例を示す電気回路図である。
【図２】図２は、図１のマグネトロンユニットの一部を
断面状態で示す側面図である。
断面状態で示す側面図である。
【図３】図３は、従来のマイクロ波発振装置を示す電気
回路図である。
回路図である。
１０ マイクロ波発振装置 １１ マグネトロン １２ 永久磁石 １３ マイクロ波 １４ マグネトロンユニット １５ ヒータ １６ ヒータトランス １７ 整流回路 １８ 高電圧トランス １９ 磁気センサ ２０ 電力制御回路 ２３ サイリスタ ２４ 導通角制御部
Claims (2)
- 【請求項１】 マグネトロンの周囲に永久磁石を組み込
んでマイクロ波を発生するマグネトロンユニットと、上
記マグネトロンのヒータ加熱用のヒータトランスと、上
記マグネトロンへ整流回路を介して電圧を印加する高電
圧トランスとを備えてなるマイクロ波発振装置におい
て、 上記永久磁石の磁界の強さを検出する磁気センサと、 この磁気センサからの出力信号により、上記高電圧トラ
ンスから上記マグネトロンへ供給される電力を調整する
電力制御手段と、 を有することを特徴とするマイクロ波発振装置。 - 【請求項２】 マグネトロンの周囲に永久磁石を組み込
んでマイクロ波を発生するマグネトロンユニットと、上
記マグネトロンのヒータ加熱用のヒータトランスと、上
記マグネトロンへ整流回路を介して電圧を印加する高電
圧トランスとを備えてなるマイクロ波発振装置におい
て、 上記永久磁石の温度を検出する温度センサと、 この温度センサからの出力信号により、上記高電圧トラ
ンスから上記マグネトロンへ供給される電力を調整する
電力制御手段と、 を有することを特徴とするマイクロ波発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15664795A JPH08329848A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | マイクロ波発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15664795A JPH08329848A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | マイクロ波発振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08329848A true JPH08329848A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15632236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15664795A Withdrawn JPH08329848A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | マイクロ波発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08329848A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012155935A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Imagineering Inc | 電源制御装置 |
| JP2014072047A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | 高周波加熱器およびマグネトロン |
-
1995
- 1995-06-01 JP JP15664795A patent/JPH08329848A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012155935A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Imagineering Inc | 電源制御装置 |
| JP2014072047A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | 高周波加熱器およびマグネトロン |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |