JPH08330235A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH08330235A JPH08330235A JP7131593A JP13159395A JPH08330235A JP H08330235 A JPH08330235 A JP H08330235A JP 7131593 A JP7131593 A JP 7131593A JP 13159395 A JP13159395 A JP 13159395A JP H08330235 A JPH08330235 A JP H08330235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- discharge electrode
- gas supply
- supply chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応容器（１）内で放電用電極（２）と対向
して基板（１２）を配置し、放電用電極（１２）からグ
ロー放電プラズマを発生させて基板（１２）上に非晶質
薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、成膜速度
を増すとともに、薄膜の品質を向上させること。 【構成】 放電用電極（２）の基板(12)に対向しない側
（下側）にガス供給室（４）を設け、その天井壁（３）
を網状金属で形成してこれをアースシールド板とすると
ともに、上記ガス供給室（４）内下部にガス吹出し孔
（５）を有するガス導入管（６）、その上方に網状金属
のガス分散板（６１）を設ける。反応ガスはガス分散板
（６１）、アースシールド板（３）を透過して、基板
（１２）とグロー電極（２）との間に直接供給されるの
で、高速で高品質の薄膜ができる。
して基板（１２）を配置し、放電用電極（１２）からグ
ロー放電プラズマを発生させて基板（１２）上に非晶質
薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、成膜速度
を増すとともに、薄膜の品質を向上させること。 【構成】 放電用電極（２）の基板(12)に対向しない側
（下側）にガス供給室（４）を設け、その天井壁（３）
を網状金属で形成してこれをアースシールド板とすると
ともに、上記ガス供給室（４）内下部にガス吹出し孔
（５）を有するガス導入管（６）、その上方に網状金属
のガス分散板（６１）を設ける。反応ガスはガス分散板
（６１）、アースシールド板（３）を透過して、基板
（１２）とグロー電極（２）との間に直接供給されるの
で、高速で高品質の薄膜ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアモルファスシリコン太
陽電池、薄膜半導体、光センサー、半導体保護膜絶縁膜
などを形成する化学蒸着（Chemical Vapour Depositio
n，本明細書では「ＣＶＤ」という）型薄膜形成に用い
られる高周波プラズマＣＶＤ装置に関する。
陽電池、薄膜半導体、光センサー、半導体保護膜絶縁膜
などを形成する化学蒸着（Chemical Vapour Depositio
n，本明細書では「ＣＶＤ」という）型薄膜形成に用い
られる高周波プラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】大面積のａ−Ｓｉ系薄膜を製造するため
に、従来より用いられているプラズマＣＶＤ装置の構成
の一例を図７および図８を参照して説明する。この技術
的手段は、例えば特開平４−２３６７８１号などに開示
されている装置である。
に、従来より用いられているプラズマＣＶＤ装置の構成
の一例を図７および図８を参照して説明する。この技術
的手段は、例えば特開平４−２３６７８１号などに開示
されている装置である。
【０００３】図７はプラズマＣＶＤ装置の断面図で、反
応容器（１）内には、グロー放電プラズマを発生させる
ための梯子状平面型コイル電極（２）（以下「ラダー電
極」という）が配置されている。このラダー電極（２）
は図８の電極平面図に示すように、２本の線材に対して
垂直に複数本の線材を梯子状に組んで接続した構造を有
し、外周部が四角形をなしている。図７のラダー電極
（２）の電力供給点（２ａ）、（２ｂ）には高周波電源
（７）から、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波数（Radi
o Frequency ）の電力（以下「ＲＦ電力」という）がイ
ンピーダンス整合器（８）を介して供給される。
応容器（１）内には、グロー放電プラズマを発生させる
ための梯子状平面型コイル電極（２）（以下「ラダー電
極」という）が配置されている。このラダー電極（２）
は図８の電極平面図に示すように、２本の線材に対して
垂直に複数本の線材を梯子状に組んで接続した構造を有
し、外周部が四角形をなしている。図７のラダー電極
（２）の電力供給点（２ａ）、（２ｂ）には高周波電源
（７）から、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波数（Radi
o Frequency ）の電力（以下「ＲＦ電力」という）がイ
ンピーダンス整合器（８）を介して供給される。
【０００４】反応容器（１）内には、図示しないボンベ
から反応ガス供給管（６）を介して、例えばモノシラン
と水素の混合ガスが供給される。反応容器（１）内のガ
スは排気管（９）を通して真空ポンプ（１０）により反
応容器（１）外へ排出される。薄膜を蒸着する基板（１
２）は、ラダー電極（２）と平行に設置され、図示しな
い基板ホルダーで基板加熱ヒータ（１１）上に支持され
る。
から反応ガス供給管（６）を介して、例えばモノシラン
と水素の混合ガスが供給される。反応容器（１）内のガ
スは排気管（９）を通して真空ポンプ（１０）により反
応容器（１）外へ排出される。薄膜を蒸着する基板（１
２）は、ラダー電極（２）と平行に設置され、図示しな
い基板ホルダーで基板加熱ヒータ（１１）上に支持され
る。
【０００５】この装置を用いて以下のように薄膜を作製
する。まず真空ポンプ（１０）を駆動して反応容器
（１）内を排気する。反応ガス供給管（６）を通して、
例えばモノシランと水素の混合ガスを１００〜２００cc
／min 程度の流量で供給し、反応容器（１）内の圧力を
０．５〜１．０Torrに保ち、高周波電源（７）からイン
ピーダンス整合器（８）を介してラダー電極（２）にＲ
Ｆ電力を印加すると、ラダー電極（２）と反応容器
（１）との空間および電極（２）の周囲の空間にグロー
放電プラズマが発生する。発生したプラズマにより混合
ガスが分解され、基板(12)の表面にａ−Ｓｉ膜が堆積す
る。
する。まず真空ポンプ（１０）を駆動して反応容器
（１）内を排気する。反応ガス供給管（６）を通して、
例えばモノシランと水素の混合ガスを１００〜２００cc
／min 程度の流量で供給し、反応容器（１）内の圧力を
０．５〜１．０Torrに保ち、高周波電源（７）からイン
ピーダンス整合器（８）を介してラダー電極（２）にＲ
Ｆ電力を印加すると、ラダー電極（２）と反応容器
（１）との空間および電極（２）の周囲の空間にグロー
放電プラズマが発生する。発生したプラズマにより混合
ガスが分解され、基板(12)の表面にａ−Ｓｉ膜が堆積す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来の装置は、
ラダー電極（２）を用いることにより一般的に用いられ
ている平行平板電極に比べ、高速・大面積の均一成膜が
可能となっているが、次のような解決すべき課題があっ
た。
ラダー電極（２）を用いることにより一般的に用いられ
ている平行平板電極に比べ、高速・大面積の均一成膜が
可能となっているが、次のような解決すべき課題があっ
た。
【０００７】従来の方法では図９のＳｉＨ発光強度分布
で示すように、反応ガス導入管（６）〜ラダー電極
（２）〜基板（１２）の間全体でプラズマが発生し、ガ
スを分解している。すなわちガス流れの上流になる反応
ガス導入管（６）〜ラダー電極（２）間で原料ガスが分
解・消費される。このためガス流れの下流になる基板
（１２）近傍では、分解生成物であるラジカルの濃度が
増加し、次式に示す反応が進んで粉が発生しやすかっ
た。
で示すように、反応ガス導入管（６）〜ラダー電極
（２）〜基板（１２）の間全体でプラズマが発生し、ガ
スを分解している。すなわちガス流れの上流になる反応
ガス導入管（６）〜ラダー電極（２）間で原料ガスが分
解・消費される。このためガス流れの下流になる基板
（１２）近傍では、分解生成物であるラジカルの濃度が
増加し、次式に示す反応が進んで粉が発生しやすかっ
た。
【０００８】 ＳｉＨ4 ＋ｅ- （電子） → ＳｉＨ2 ＋Ｈ2 ＳｉＨ2 ＋ＳｉＨ4 → Ｓｉ2 Ｈ6 ＳｉＨ2 ＋Ｓｉ2 Ｈ6 → Ｓｉ3 Ｈ8 ‥‥‥‥‥‥‥‥ ＳｉＨ2 ＋Ｓｉn-1 Ｈ2n → Ｓｉn Ｈ2(n+1)（粉） 生じた粉は基板（１２）上に堆積生長する薄膜中に入
り、膜質を低下させるばかりでなく、反応容器（１）の
内壁や真空ポンプ内に付着して、装置稼動にも問題が生
じていた。
り、膜質を低下させるばかりでなく、反応容器（１）の
内壁や真空ポンプ内に付着して、装置稼動にも問題が生
じていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記従来の
課題を解決するために、反応容器と、この反応容器内に
反応ガスを導入し排出する手段と、上記反応容器内に収
容された複数本の線材からなる梯子状の平面型放電用電
極と、この放電用電極にグロー放電用電力を供給する電
源とを有し、上記反応容器内で上記放電用電極に対向し
て設置された基板の表面に非晶質薄膜を形成するプラズ
マＣＶＤ装置において、上記基板から上記放電用電極を
へだてた反対側にガス供給室を設け、同ガス供給室の上
記放電用電極に対向する壁を網状金属で形成するととも
に、上記ガス供給室内にガス吹出し孔を有するガス導入
管と、上記網状金属の壁と上記ガス吹出し孔との間を画
する網状のガス分散板とを設けたことを特徴とするプラ
ズマＣＶＤ装置を提案するものである。
課題を解決するために、反応容器と、この反応容器内に
反応ガスを導入し排出する手段と、上記反応容器内に収
容された複数本の線材からなる梯子状の平面型放電用電
極と、この放電用電極にグロー放電用電力を供給する電
源とを有し、上記反応容器内で上記放電用電極に対向し
て設置された基板の表面に非晶質薄膜を形成するプラズ
マＣＶＤ装置において、上記基板から上記放電用電極を
へだてた反対側にガス供給室を設け、同ガス供給室の上
記放電用電極に対向する壁を網状金属で形成するととも
に、上記ガス供給室内にガス吹出し孔を有するガス導入
管と、上記網状金属の壁と上記ガス吹出し孔との間を画
する網状のガス分散板とを設けたことを特徴とするプラ
ズマＣＶＤ装置を提案するものである。
【００１０】
【作用】本発明は前記構成を有し、基板から放電用電極
をへだてた反対側にガス供給室を設け、同ガス供給室の
上記放電用電極に対向する壁を網状金属で形成するとと
もに、上記ガス供給室内にガス吹出し孔を有するガス導
入管を設けたので、反応ガスをガス供給室に導入するこ
とができる。そうすると反応ガスはガス供給室の網状金
属の壁を透過して基板と放電用電極との間に直接供給さ
れ、排気される。その結果、反応ガスがプラズマ中に滞
在する時間が短くなるから、過剰な反応を抑制すること
ができ、したがって粉発生が抑制される。
をへだてた反対側にガス供給室を設け、同ガス供給室の
上記放電用電極に対向する壁を網状金属で形成するとと
もに、上記ガス供給室内にガス吹出し孔を有するガス導
入管を設けたので、反応ガスをガス供給室に導入するこ
とができる。そうすると反応ガスはガス供給室の網状金
属の壁を透過して基板と放電用電極との間に直接供給さ
れ、排気される。その結果、反応ガスがプラズマ中に滞
在する時間が短くなるから、過剰な反応を抑制すること
ができ、したがって粉発生が抑制される。
【００１１】本発明ではまた、上記網状金属の壁と上記
ガス吹出し孔との間を画する網状のガス分散板を設けた
ので、膜質・膜厚分布に重大な影響を与えるガス導入量
の均一性が確保される。
ガス吹出し孔との間を画する網状のガス分散板を設けた
ので、膜質・膜厚分布に重大な影響を与えるガス導入量
の均一性が確保される。
【００１２】こうして、高速で高品質・大面積の均一成
膜が可能となる。
膜が可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて具体
的に説明する。図１は本発明の一実施例に係わるプラズ
マＣＶＤ装置の構成を示す断面図、図２は図１における
ラダー電極を示す平面図、図３はこのラダー電極とガス
供給室の関係を示す詳細断面図である。これらの図にお
いて、前記図７および図８により説明した従来のものと
同様の部分については、冗長になるのを避けるため、同
一の符号を付け詳しい説明を省く。
的に説明する。図１は本発明の一実施例に係わるプラズ
マＣＶＤ装置の構成を示す断面図、図２は図１における
ラダー電極を示す平面図、図３はこのラダー電極とガス
供給室の関係を示す詳細断面図である。これらの図にお
いて、前記図７および図８により説明した従来のものと
同様の部分については、冗長になるのを避けるため、同
一の符号を付け詳しい説明を省く。
【００１４】本実施例においては、グロー放電プラズマ
を発生させるために線材を組上げて構成される梯子状平
面型コイル（２）（以下「ラダー電極」という）が反応
容器（１）内に配置されている。本実施例で使用される
ラダー電極（２）も図２の平面図に示すように二本の線
材に対し垂直に複数本の線材を接続して梯子状に組んだ
構造を有し、外周部は四角形状をなしている。
を発生させるために線材を組上げて構成される梯子状平
面型コイル（２）（以下「ラダー電極」という）が反応
容器（１）内に配置されている。本実施例で使用される
ラダー電極（２）も図２の平面図に示すように二本の線
材に対し垂直に複数本の線材を接続して梯子状に組んだ
構造を有し、外周部は四角形状をなしている。
【００１５】このラダー電極（２）を構成する線材の基
板（１２）と対向しない側、すなわち基板（１２）から
ラダー電極をへだてた反対側（図２では下方）には、ガ
ス供給室（４）が設けられている。そしてこのガス供給
室（４）のラダー電極に対向する壁（図では天井壁）
（３）は、アースシールド板として網状金属で形成され
ている。この網状金属の目開きの隙間は０．１〜１．０
mm程度とし、成膜時の反応容器（１）内圧力における電
子の平均自由行程以下であることが望ましい。また、ラ
ダー電極（２）とアースシールド板（３）との間隔は
０．５〜２mm程度とし、成膜時の反応容器（１）内圧力
における電子の平均自由行程と同程度かそれ以下である
ことが望ましい。
板（１２）と対向しない側、すなわち基板（１２）から
ラダー電極をへだてた反対側（図２では下方）には、ガ
ス供給室（４）が設けられている。そしてこのガス供給
室（４）のラダー電極に対向する壁（図では天井壁）
（３）は、アースシールド板として網状金属で形成され
ている。この網状金属の目開きの隙間は０．１〜１．０
mm程度とし、成膜時の反応容器（１）内圧力における電
子の平均自由行程以下であることが望ましい。また、ラ
ダー電極（２）とアースシールド板（３）との間隔は
０．５〜２mm程度とし、成膜時の反応容器（１）内圧力
における電子の平均自由行程と同程度かそれ以下である
ことが望ましい。
【００１６】ガス供給室（４）内の下部には複数本のガ
ス供給管（６）が設けられており、それらガス供給管
（６）の１本１本に複数のガス吹出し孔（５）が設けら
れている。このガス吹出し孔（５）の径は０．２〜０．
７mm、孔のピッチは１０〜２５mm程度であることが好ま
しい。このガス供給管（６）と網状金属の天井壁との間
には、ガスを分散させる網状金属製のガス分散板（６
１）が、ガス供給室（４）内を上下に画するように配置
される。このガス分散板（６１）の金網の目開きの隙間
は０．２〜０．７mmが望ましい。
ス供給管（６）が設けられており、それらガス供給管
（６）の１本１本に複数のガス吹出し孔（５）が設けら
れている。このガス吹出し孔（５）の径は０．２〜０．
７mm、孔のピッチは１０〜２５mm程度であることが好ま
しい。このガス供給管（６）と網状金属の天井壁との間
には、ガスを分散させる網状金属製のガス分散板（６
１）が、ガス供給室（４）内を上下に画するように配置
される。このガス分散板（６１）の金網の目開きの隙間
は０．２〜０．７mmが望ましい。
【００１７】ラダー電極（２）の電力供給点（２ａ）、
（２ｂ）には、高周波電源（７）から、例えば１３．５
６ＭＨｚの周波数のＲＦ電力がインピーダンス整合器
（８）を介して供給される。ガス供給室（４）の下部に
はガス供給管（６）からガス吹出し孔（５）を経て例え
ばモノシランガスが供給され、網状金属で形成されたガ
ス分散板（６１）とアースシールド板（３）を透過して
反応容器（１）内に送り出される。反応容器（１）内の
ガスは排気管（９）を通じて真空ポンプ(10)により排気
される。薄膜を形成すべき基板（１２）はラダー電極
（２）と平行に設置され、図示しない基板ホルダにより
基板加熱ヒータ（１１）に支持される。
（２ｂ）には、高周波電源（７）から、例えば１３．５
６ＭＨｚの周波数のＲＦ電力がインピーダンス整合器
（８）を介して供給される。ガス供給室（４）の下部に
はガス供給管（６）からガス吹出し孔（５）を経て例え
ばモノシランガスが供給され、網状金属で形成されたガ
ス分散板（６１）とアースシールド板（３）を透過して
反応容器（１）内に送り出される。反応容器（１）内の
ガスは排気管（９）を通じて真空ポンプ(10)により排気
される。薄膜を形成すべき基板（１２）はラダー電極
（２）と平行に設置され、図示しない基板ホルダにより
基板加熱ヒータ（１１）に支持される。
【００１８】このような装置において、以下のようにし
て薄膜を製作する。まず真空ポンプ（１０）を駆動して
反応容器（１）内を排気する。次にガス供給管（６）か
らガス吹出し孔（５）を介して、ガス供給室（４）内に
例えばモノシランガスを２０〜１００cc／min 程度の流
量で供給する。そうすると、このガスはガス分散板（６
１）、アースシールド板（３）を透過して反応容器
（１）内に至る。反応容器（１）内の圧力を０．０３〜
０．２Torr程度に保ち、高周波電源（７）からインピー
ダンス整合器（８）を介してラダー電極（２）に高周波
電力を印加すると、図４に示されるように、ラダー電極
（２）と基板(12)の間にグロー放電プラズマが発生す
る。
て薄膜を製作する。まず真空ポンプ（１０）を駆動して
反応容器（１）内を排気する。次にガス供給管（６）か
らガス吹出し孔（５）を介して、ガス供給室（４）内に
例えばモノシランガスを２０〜１００cc／min 程度の流
量で供給する。そうすると、このガスはガス分散板（６
１）、アースシールド板（３）を透過して反応容器
（１）内に至る。反応容器（１）内の圧力を０．０３〜
０．２Torr程度に保ち、高周波電源（７）からインピー
ダンス整合器（８）を介してラダー電極（２）に高周波
電力を印加すると、図４に示されるように、ラダー電極
（２）と基板(12)の間にグロー放電プラズマが発生す
る。
【００１９】本実施例では図４に示すように、反応ガス
（１３）は基板（１２）とラダー電極（２）の間で生成
されたプラズマ中に供給される。プラズマはこの領域に
発生し、基板（１２）に対する薄膜の堆積には不必要
な、電極線材の基板と対向していない部分（ラダー電極
（２）と反応ガス供給管（６）との間）には発生しない
から、過剰な反応が抑制され、粉の発生が抑制される。
また、ガス吹出し孔（５）はプラズマにさらされず、膜
が堆積しないから、ガス吹出し孔からガスが突出する勢
いによる膜剥離がない。さらにアースシールド板（３）
は網状金属で構成されているから、その表面積が大き
く、同じ時間成膜に使用してもアースシールド板（３）
に堆積する膜の厚さは薄くなって、アースシールド板か
らの膜剥離を抑制できる。したがって薄膜の高品質・高
速成膜が可能となる。
（１３）は基板（１２）とラダー電極（２）の間で生成
されたプラズマ中に供給される。プラズマはこの領域に
発生し、基板（１２）に対する薄膜の堆積には不必要
な、電極線材の基板と対向していない部分（ラダー電極
（２）と反応ガス供給管（６）との間）には発生しない
から、過剰な反応が抑制され、粉の発生が抑制される。
また、ガス吹出し孔（５）はプラズマにさらされず、膜
が堆積しないから、ガス吹出し孔からガスが突出する勢
いによる膜剥離がない。さらにアースシールド板（３）
は網状金属で構成されているから、その表面積が大き
く、同じ時間成膜に使用してもアースシールド板（３）
に堆積する膜の厚さは薄くなって、アースシールド板か
らの膜剥離を抑制できる。したがって薄膜の高品質・高
速成膜が可能となる。
【００２０】それを確認するために、下記条件で成膜実
験を行なった。
験を行なった。
【００２１】 基板材料： 無アルカリガラス、 基板面積： ３００×３００mm、 基板温度： ２５０℃、 反応ガスおよび流量： ＳｉＨ4 ＝７０cc／分、 反応容器内圧力： ３０ mTorr、 印加した高周波電力： ２０Ｗ〜１００Ｗ。
【００２２】こうして得られた成膜速度とプラズマ中の
粉の数との関係を図５に、電子スピン共鳴法（以下「Ｅ
ＳＲ」という）で測定した膜中欠陥密度と成膜速度の関
係を図６に示す。
粉の数との関係を図５に、電子スピン共鳴法（以下「Ｅ
ＳＲ」という）で測定した膜中欠陥密度と成膜速度の関
係を図６に示す。
【００２３】図５に示されるように、高周波電力を増加
し成膜速度を増加すると、従来はプラズマ中の粉の数が
急増したが、本発明では元々の数が少なく、また成膜速
度増加による粉の数の増加も小さくなる結果が得られ
た。このとき得られた欠陥密度は図６に示すように、成
膜速度１５Å／秒という高速成膜条件においても２．８
×１０15個／ccであり、高品質の膜であることが判っ
た。また、高周波電力を若干下げ成膜速度を５Å／秒以
下の条件で製作した薄膜の欠陥密度は、本実施例で使用
したＥＳＲの測定下限界（１×１０15個／cc）以下であ
り、非常に高品質の膜であることが判った。このように
本実施例では、図３に示すアースシールド板（３）に網
状金属材料を用いてアースシールド板（３）自体から反
応ガスを透過供給することにより、１５Å／秒という高
速成膜速度で、かつ欠陥密度が２．８×１０15個／cc以
下の高品質のａ−Ｓｉ薄膜を製作できるものである。
し成膜速度を増加すると、従来はプラズマ中の粉の数が
急増したが、本発明では元々の数が少なく、また成膜速
度増加による粉の数の増加も小さくなる結果が得られ
た。このとき得られた欠陥密度は図６に示すように、成
膜速度１５Å／秒という高速成膜条件においても２．８
×１０15個／ccであり、高品質の膜であることが判っ
た。また、高周波電力を若干下げ成膜速度を５Å／秒以
下の条件で製作した薄膜の欠陥密度は、本実施例で使用
したＥＳＲの測定下限界（１×１０15個／cc）以下であ
り、非常に高品質の膜であることが判った。このように
本実施例では、図３に示すアースシールド板（３）に網
状金属材料を用いてアースシールド板（３）自体から反
応ガスを透過供給することにより、１５Å／秒という高
速成膜速度で、かつ欠陥密度が２．８×１０15個／cc以
下の高品質のａ−Ｓｉ薄膜を製作できるものである。
【００２４】
【発明の効果】以上具体的に詳述したように、本発明に
おいては放電用電極の基板と対向しない側に金属金網で
製作したガス供給室を配置して反応ガスを導入し、基板
と電極との間に直接反応ガスを供給するようにしたの
で、高速で高品質の非晶質薄膜を製造することができ
る。したがって、アモルファスシリコン太陽電池、薄膜
半導体、光センサ、半導体保護膜などの製造分野で工業
的価値が大きい。
おいては放電用電極の基板と対向しない側に金属金網で
製作したガス供給室を配置して反応ガスを導入し、基板
と電極との間に直接反応ガスを供給するようにしたの
で、高速で高品質の非晶質薄膜を製造することができ
る。したがって、アモルファスシリコン太陽電池、薄膜
半導体、光センサ、半導体保護膜などの製造分野で工業
的価値が大きい。
【図１】図１は本発明の一実施例に係わるプラズマＣＶ
Ｄ装置の構成を示す断面図である。
Ｄ装置の構成を示す断面図である。
【図２】図２は図１におけるラダー電極を示す平面図で
ある。
ある。
【図３】図３は図１におけるラダー電極とガス供給室金
網の関係を示す詳細断面図である。
網の関係を示す詳細断面図である。
【図４】図４は上記実施例におけるガス供給とプラズマ
状態を示す図である。
状態を示す図である。
【図５】図５は本発明の効果として成膜速度とプラズマ
中の粉の数との関係を示す図である。
中の粉の数との関係を示す図である。
【図６】図６は本発明の効果として膜中の欠陥密度と成
膜速度との関係を示す図である。
膜速度との関係を示す図である。
【図７】図７は従来のプラズマＣＶＤ装置の構成の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】図８は図７におけるラダー電極を示す平面図で
ある。
ある。
【図９】図９は従来のプラズマＣＶＤ装置におけるガス
吹出し孔から基板までの間のＳｉＨ発光強度分布を示す
図である。
吹出し孔から基板までの間のＳｉＨ発光強度分布を示す
図である。
（１） 反応容器 （２） ラダー電極 （３） ガス供給室金網 （４） ガス供給室 （５） ガス吹出し孔 （６） ガス導入管 （７） 高周波電源 （８） インピーダンス整合器 （９） ガス排気管 （１０） 真空ポンプ （１１） 基板ヒータ （１２） 基板 （１３） ガス流れ （６１） ガス分散板
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器内に反応ガス
を導入し排出する手段と、上記反応容器内に収容された
複数本の線材からなる梯子状の平面型放電用電極と、こ
の放電用電極にグロー放電用電力を供給する電源とを有
し、上記反応容器内で上記放電用電極に対向して設置さ
れた基板の表面に非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ
装置において、上記基板から上記放電用電極をへだてた
反対側にガス供給室を設け、同ガス供給室の上記放電用
電極に対向する壁を網状金属で形成するとともに、上記
ガス供給室内にガス吹出し孔を有するガス導入管と、上
記網状金属の壁と上記ガス吹出し孔との間を画する網状
のガス分散板とを設けたことを特徴とするプラズマＣＶ
Ｄ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13159395A JP3546095B2 (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13159395A JP3546095B2 (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330235A true JPH08330235A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3546095B2 JP3546095B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=15061689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13159395A Expired - Fee Related JP3546095B2 (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3546095B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6189485B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-02-20 | Anelva Corporation | Plasma CVD apparatus suitable for manufacturing solar cell and the like |
| CN117413086A (zh) * | 2021-06-09 | 2024-01-16 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于cvd反应器的进气机构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04236781A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0745539A (ja) * | 1993-07-29 | 1995-02-14 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0855840A (ja) * | 1994-03-24 | 1996-02-27 | Applied Materials Inc | アーキング阻止手段を有する半導体ウエハ処理装置のためのガス分散板 |
-
1995
- 1995-05-30 JP JP13159395A patent/JP3546095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04236781A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0745539A (ja) * | 1993-07-29 | 1995-02-14 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0855840A (ja) * | 1994-03-24 | 1996-02-27 | Applied Materials Inc | アーキング阻止手段を有する半導体ウエハ処理装置のためのガス分散板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6189485B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-02-20 | Anelva Corporation | Plasma CVD apparatus suitable for manufacturing solar cell and the like |
| CN117413086A (zh) * | 2021-06-09 | 2024-01-16 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于cvd反应器的进气机构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3546095B2 (ja) | 2004-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7392759B2 (en) | Remote plasma apparatus for processing substrate with two types of gases | |
| CN100416775C (zh) | 氧化硅膜制作方法 | |
| EP0074212B1 (en) | Apparatus for forming thin film | |
| US8431996B2 (en) | Plasma processing apparatus and method of producing amorphous silicon thin film using same | |
| KR19980087249A (ko) | 산화 규소막, 그의 형성 방법 및 형성 장치 | |
| US20120100311A1 (en) | Apparatus for forming deposited film and method for forming deposited film | |
| JP3249356B2 (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JP3426788B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3546095B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3068604B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3310875B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0892746A (ja) | プラズマ化学蒸着方法及び装置 | |
| JP4906822B2 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
| JP2630089B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3372384B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH07330488A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6151629B2 (ja) | ||
| JPS60258914A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0633245A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH0578933B2 (ja) | ||
| JP4680619B2 (ja) | プラズマ成膜装置 | |
| KR102146793B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JPS60162777A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0741950A (ja) | プラズマ化学蒸着法を用いた非晶質合金薄膜製造方法及び装置 | |
| JPH02134814A (ja) | プラズマｃｖｄ法による薄膜の製造方法及びその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040330 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040412 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |