JPH08330644A

JPH08330644A - 磁気検出素子及び磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH08330644A
Application number: JP7129888A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Kawase; 正博川瀬
Original assignee: Canon Electronics Inc
Current assignee: Canon Electronics Inc
Priority date: 1995-05-29
Filing date: 1995-05-29
Publication date: 1996-12-13
Anticipated expiration: 2017-12-16
Also published as: JP3356585B2

Abstract

(57)【要約】【目的】磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出
素子において、安定して高い出力が得られ、製造が容易
で安価に製造できる構成を提供する。【構成】非磁性基板１０上に、素子本体としての高透
磁率磁性膜１２が形成される。磁性膜１２は、外部磁界
Ｈexの検出方向に沿った複数本の直線部分が所定間隔で
平行に並び、順次折り返すように連結され、電気的に直
列接続されたつづら折り状パターンに形成されており、
さらに磁化容易軸方向が磁界検出方向に対し膜面内で垂
直な矢印Ｂ方向になるように磁気異方性が付けられてい
る。磁性膜１２の両端の端子部１２Ａ，１２Ｂから高周
波電流を印加し、外部磁界Ｈexにより端子部１２Ａ，１
２Ｂ間に発生するインピーダンスの変化が電気信号に変
換され出力が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁界検出を行なう磁気
検出素子、及び磁気記録媒体に記録された磁気記録情報
の再生を行なう磁気ヘッドに関し、特に磁気インピーダ
ンス効果を利用した磁気検出素子および磁気ヘッドに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近の磁気センサーは、情報機器や計測
・制御機器等の急速な発展に伴い、多様化してきたが、
今後更に小型高精度化が期待されている。

【０００３】磁気ヘッドの分野ではディジタル磁気記録
機器の小型化が進み、例えば、コンピュータの外部記憶
装置のハードディスクやディジタルオーディオのディジ
タルコンパクトカセット（ＤＣＣ）に於いて、従来の誘
導型の磁気ヘッドではトラック幅及び相対速度の減少に
よるＳ／Ｎの低下が生じるため、再生ヘッドにＭＲ素子
（磁気抵抗効果素子）が使われている。しかし、ＭＲ素
子は媒体の速度依存性が無く、低速での出力の取り出し
に向いているが、抵抗変化率が数％しかないため、将来
の高密度化の為には更に感度の高い素子の開発が望まれ
ている。

【０００４】また、磁気エンコーダー等のセンサーの分
野でも着磁媒体の磁化ピッチの縮小により、外部に漏れ
る磁束が極端に小さくなり、ＭＲ素子でも感度不足が問
題となりつつある。

【０００５】そこで、最近注目を集めているのが特開平
６−２８１７１２号に開示されているアモルファスワイ
ヤーによる磁気インピーダンス効果（以下、ＭＩ効果と
略す）を利用した素子である。ＭＩ効果とは、磁性体に
ＭＨｚ帯域の高周波電流を流すと外部磁界により磁性体
のインピーダンスが変化し、それにより磁性体の両端の
電圧の振幅が数ガウスの微小磁界で数十％変化する現象
である。

【０００６】ＭＩ効果を利用した素子の利点は、磁性体
の長さ方向に励磁しないため反磁界の影響が無く素子の
長さを１ｍｍ以下程度に短くでき小型化に適しているこ
と、また、磁束検出の分解能が、ＭＲ素子が０．１Ｏｅ
の低感度に対して、１０^-5Ｏｅ程度の高感度が得られる
ことである。また、インピーダンス変化量もＭＲ素子が
３％程度に対し、ＭＩ効果を利用した素子は数１０％オ
ーダーの変化が得られる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記ＭＩ効果による素
子の機能はアモルファスワイヤーで見いだされたもので
あり、アモルファスワイヤーは材料として生産性は優れ
ている。しかし、磁気ヘッドの様な微小磁化を扱う場
合、断面が円であることや径が３０ミクロン程度にしか
小さくできないため、誘導型磁気ヘッドの磁気ギャップ
に当たる磁気記録媒体接触部で適切な形状が得られず、
要求されるトラック幅が得られず、ギャップ幅に対応す
る厚さも得られない。

【０００８】また、図１１に示すように、磁気記録媒体
１１１の微小な磁化は磁束が還流しやすく、ＭＩ効果を
利用した磁気検出素子１１２は媒体１１１に対し垂直に
配置されるので、磁気検出素子１１２の奥に行くに従い
磁束密度が低下する。これにより、素子全体の感度（イ
ンピーダンス変化量）が得られないという問題が生ず
る。素子の長さを短くすれば、素子全体の感度は向上す
るが、インピーダンスそのものの絶対値が小さくなり、
両端電圧またはＬＣ発振回路での出力が低下し、動作も
不安定になってしまう。

【０００９】さらに取り扱いの点でもアモルファスワイ
ヤーは、数１０ミクロンの径では曲がりやすく位置出し
や端子の取り出しなどの作業が困難であり、素子の製造
が容易でないという問題があった。

【００１０】そこで本発明の課題は、ＭＩ効果を利用し
た磁気検出素子及び磁気ヘッドにおいて上記のような問
題を解決し、安定して高い出力が得られ、素子本体の取
り扱い上の問題がなくて製造が容易であり、特に磁気ヘ
ッドでは磁気ギャップに相当する磁性体の媒体接触部で
トラック幅を所望に設定できるとともに、ギャップ幅に
対応する厚さも所望に設定できる構成を提供することに
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、ＭＩ効果を利用した磁気検出素子
であって、非磁性基板上に高透磁率磁性膜を形成して構
成され、前記高透磁率磁性膜は、磁界検出方向に沿った
複数本の直線部分が所定間隔で平行に並び、順次折り返
すように連結され、電気的に直列接続されたつづら折り
状パターンに形成され、且つ磁化容易軸方向が磁界検出
方向に対し膜面内で垂直な方向になるように磁気異方性
が付けられており、該高透磁率磁性膜の両端部から高周
波電流を印加し外部磁界により前記両端部間に発生する
インピーダンスの変化を電気信号に変換して出力を得ら
れるようにした構成を採用した。

【００１２】また、本発明によれば、ＭＩ効果を利用し
た再生用の磁気ヘッドであって、先端面が磁気記録媒体
摺動面として形成された非磁性基板の前記摺動面に対し
略垂直な表面に第１と第２の高透磁率磁性膜を形成して
構成され、第１の高透磁率磁性膜は、前記摺動面から離
間して、前記摺動面に対し垂直な方向に沿った複数本の
直線部分が所定間隔で平行に並び、順次折り返すように
連結され、電気的に直列接続されたつづら折り状パター
ンに形成され、且つ磁化容易軸方向が膜面内で前記摺動
面に略平行な方向になるように磁気異方性が付けられて
おり、第２の高透磁率磁性膜は、前記第１の高透磁率磁
性膜のつづら折り状パターンの前記摺動面側の折り返し
部と絶縁膜を挟んで重なり、前記摺動面まで延びるよう
に形成され、前記第１の高透磁率磁性膜の両端部より高
周波電流を印加し、磁気記録媒体から前記第２の高透磁
率磁性膜を介して前記第１の高透磁率磁性膜に印加され
る磁界により前記第１の高透磁率磁性膜の両端部間に発
生するインピーダンスの変化を電気信号に変換して再生
出力を得られるようにした構成を採用した。

【００１３】

【作用】上記本発明の磁気検出素子の構成によれば、素
子本体としての高透磁率磁性膜をつづら折り状パターン
とすることで、ＭＩ効果の感度を上げるために素子本体
の磁界検出方向の長さを短くしても、インピーダンスの
絶対値を稼ぐことができ、安定した高い出力が得られ
る。

【００１４】また、素子本体は非磁性基板上に成膜され
た高透磁率磁性膜からなるので、アモルファスワイヤー
の様な取り扱い上の問題はない。

【００１５】また、上記本発明の磁気ヘッドの構成によ
れば、上記本発明の磁気検出素子と同様の作用により安
定した高い出力が得られる。また、媒体摺動面に露出す
る第２の高透磁率磁性膜の端部の幅と厚さの設定によ
り、トラック幅とギャップ幅に対応する寸法を所望に設
定できる。

【００１６】

【実施例】以下、図を参照して本発明の実施例を説明す
る。なお、各実施例の図において共通ないし対応する部
分には共通の符号を付してある。第２実施例以下で第１
実施例と共通の部分の説明は省略する。

【００１７】［第１実施例］図１〜図３は本発明の第１
実施例として、ＭＩ効果を利用した磁気検出素子の実施
例を説明するもので、まず図１は素子全体の構造を示し
ている。

【００１８】図１において、１０は非磁性基板であり、
チタン酸カルシウム（Ｔｉ−Ｃａ系セラミック）、酸化
物ガラス、チタニア、アルミナ等で形成される。

【００１９】非磁性基板１０の上面に、磁気検出素子本
体として、つづら折り状パターンの高透磁率磁性膜（以
下、磁性膜と略す）１２がＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系アモルファ
ス、Ｆｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｎ系の微結晶膜等の磁性膜とし
て真空成膜技術により形成されている。磁性膜１２の厚
さは薄すぎるとＭＩ効果が低下し、また厚すぎるとイン
ピーダンスが低下するため１μｍ〜２０μｍの間で設定
するのがよい。

【００２０】磁性膜１２のつづら折り状パターンは、図
２に示すように、検出対象の外部磁界Ｈexが印加される
方向である磁界検出方向に沿った複数本の所定長の直線
部分が所定間隔で平行に並び、順次折り返すように隣り
合う直線部分の端部が折り返し部１２Ｃ，１２Ｄとして
垂直に屈曲して連結され、全体として電気的に直列接続
されたパターンとなっている。そのパターンの両端には
長方形の端子部１２Ａ，１２Ｂが形成されている。

【００２１】また磁性膜１２は、磁化容易軸方向が外部
磁界Ｈexの印加される磁界検出方向に対し膜面内で垂直
な方向である図１中の矢印Ｂ方向になるように、成膜後
の磁場中冷却等により磁気異方性をつけておく。

【００２２】このような構成で、外部磁界Ｈexの検出時
には、磁性膜１２に対し両端の端子部１２Ａ，１２Ｂか
ら高周波電流を印加する。外部磁界Ｈexの強さに応じて
端子部１２Ａ，１２Ｂ間のインピーダンスが変化し、こ
の変化を電気信号に変換して出力が得られるようになっ
ている。

【００２３】ここで磁性膜１２のつづら折り状のパター
ンでは、図１のＡ−Ａ’線に沿う断面である図３に示す
とおり、隣り合うパターン直線部１２１，１２２，１２
３に流れる電流は図の矢印の通り交互に逆方向となり、
パターン直線部のそれぞれの周囲に発生する磁界は符号
１３Ａ〜１３Ｃで示す様になる。この磁界は磁性膜１２
内に還流磁束を形成し、素子のインダクタンスを形成す
る。パターン直線部の間隔Ｄｍを狭くしても磁界１３Ａ
〜１３Ｃ間の干渉等の悪影響はほとんど無く、所定のイ
ンダクタンスを得るためにパターン直線部の幅Ｗｐ、厚
さｔｍとともに自由に選択できる。

【００２４】つづら折り状パターンにより断面積が小さ
くなることで単位体積あたりのインダクタンスが増加す
ることと、つづら折りによる総延長を稼ぐ効果より、素
子本体の全体としての磁界検出方向の長さが短くても大
きなインダクタンスを稼ぐことが可能となり、インピー
ダンスの絶対値を稼ぐことが可能となる。また、素子本
体の磁界検出方向の長さをほとんどＭＲ素子並に短くで
き、微小磁化に対し優れたＭＩ効果を発揮できる。

【００２５】次に以上のような本実施例の磁気検出素子
を試作し、特性を試験した結果を述べる。磁性膜１２は
Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ系磁性膜とし、つづら折りの回数７回、
パターン直線部の幅１０μｍ、厚さ５μｍ、パターン直
線部の間隔１０μｍ、直線部の長さ０．２ｍｍとして形
成した。インピーダンスの測定は、磁性膜１２の両端よ
り１００ＭＨｚの高周波電流を流し、両端電圧の変化を
調べた。外部磁界はヘルムホルツコイルで印加し、±２
５Ｏｅの範囲で変化させた。

【００２６】結果は、まず１００ＭＨｚのインダクタン
スＬが５８ｎＨあり、その時のＱ値は５．５であった。
これに対し従来の径３０μｍのＦｅ−Ｃｏ−Ｂアモルフ
ァスワイヤーの場合は１ｍｍの長さでＬ４５ｎＨ、Ｑ
５．８であり、本実施例の素子では長さが０．２ｍｍと
短いながら、Ｌ，Ｑ共に高い数値が得られた。インピー
ダンスの変化量も本実施例の素子は外部磁界Ｈex＝８Ｏ
ｅで６２％の変化を示し、良好な変化を示した。

【００２７】このようにして本実施例の磁気検出素子で
は安定して高い出力が得られる。また、素子本体は磁性
膜であるので、アモルファスワイヤーの場合のような取
り扱い上の問題がなく、素子の製造が容易となり、１個
のブロックから１度に多数個の素子を得る多数個取りも
可能であり、安価に製造できる。

【００２８】［第２実施例］次に図４は第２実施例の磁
気検出素子の構造を示している。本実施例では、第１実
施例と同様に非磁性基板１０上につづら折り状パターン
の磁性膜１２を形成した上に、その端子部に１２Ａ，１
２Ｂと折り返し部１２Ｃ，１２Ｄ上にＣｕ，Ａｕ膜等の
導電膜１８Ａ〜１８Ｄを形成している。

【００２９】このような構造によれば、導電膜１８Ａ〜
１８Ｄによって端子部１２Ａ，１２Ｂと折り返し部１２
Ｃ，１２Ｄの磁気インピーダンス効果を消し、外部磁界
Ｈexが印加される磁界検出方向に沿ったパターン直線部
のみの磁界検出機能を使用し、磁界検出方向の磁気イン
ピーダンス効果を忠実に引き出し、検出感度を上げるこ
とができる。

【００３０】［第３実施例］次に図５は第３実施例の磁
気検出素子の構造を示している。本実施例では、第１実
施例と同様に非磁性基板１０上につづら折り状パターン
の磁性膜１２を形成した上に、つづら折り状パターンの
隙間のそれぞれに直線状の高透磁率磁性膜２０を形成し
ている。

【００３１】このような構造によれば、外部磁界Ｈexの
印加方向の素子本体全体の磁気抵抗を下げ、外部磁界Ｈ
exの検出感度を上げることができる。なお、本実施例の
つづら折り状パターンの隙間に直線状の磁性膜２０を配
する構造を第２実施例の構造に適用してもよい。

【００３２】［第４実施例］次に、第４実施例として、
第１実施例の構成を変更して再生用の磁気ヘッドとした
実施例を図６〜図１０により説明する。

【００３３】図６，図７に示す磁気ヘッドの構成におい
て、非磁性基板１０の先端面１０Ａは、不図示の磁気記
録媒体が矢印で示す図中上方向に摺動する媒体摺動面と
して形成される。その基板１０の媒体摺動面１０Ａに垂
直な表面において前述のつづら折り状パターンの磁性膜
１２が第１の高透磁率磁性膜として媒体摺動面１０Ａか
ら離間して形成されている。磁性膜１２のつづら折り状
パターンの向きは、所定間隔で複数本平行に並ぶパター
ン直線部が媒体摺動面１０Ａに対し垂直になる向きにさ
れている。また、磁性膜１２は、磁化容易軸方向が図６
中矢印Ｂで示すように膜面内で媒体摺動面１０Ａに平行
になるように磁気異方性が付けられている。

【００３４】一方、磁性膜１２のつづら折り状パターン
の媒体摺動面１０Ａ側の折り返し部１２Ｃの下に、Ｓｉ
Ｏ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃等の酸化物の絶縁膜１４を挟んで第２の
高透磁率磁性膜１６が重なるように形成されており、磁
性膜１２に対し磁気的に接続され、電気的には絶縁膜１
４により絶縁されている。そして磁性膜１６は折り返し
部１２Ｃの下から媒体摺動面１０Ａの縁まで延び、先端
が媒体摺動面１０Ａに露出するように形成されており、
この先端に対し不図示の磁気記録媒体がその膜面に垂直
な図中上方向に摺動する。

【００３５】磁性膜１６は、磁気記録媒体の記録磁化の
磁界を磁性膜１２へ導くためのものである。磁性膜１６
としては、センダスト，パーマロイ，アモルファス，Ｆ
ｅ−Ｎ系またはＦｅ−Ｃ系の微結晶膜等が採用される。
媒体摺動面１０Ａに露出する磁性膜１６の先端部の厚さ
は誘導型磁気ヘッドの磁気ギャップのギャップ幅に相当
する。また、磁性膜１６の先端部の幅Ｗｔはトラック幅
となるが、第１の磁性膜１２と重なる接続部の幅Ｗｍよ
り絞り込まれている。

【００３６】また、図７の断面図に示す第１と第２の磁
性膜１２，１６の重なる接続部の幅Ｗｇは、接続部のギ
ャップの磁気抵抗増加と第１の磁性膜１２の折り返し部
１２Ｃで不要なインピーダンスが生じないように決定さ
れ、０〜１００μｍの範囲で選択する。

【００３７】なお、図６，図７では磁性膜１６が磁性膜
１２の折り返し部１２Ｃの下に重なっているが、上に重
なるようにしても機能としては何ら問題は無い。

【００３８】また、磁性膜１２，１６間の絶縁膜１４の
厚さは、下限は絶縁効果の得られる０．０５μｍとし、
磁性膜１２，１６の接続部の磁気抵抗が大きくならない
１μｍの厚さを上限として選択するのが好ましい。

【００３９】このような構成のもとに、再生時には、不
図示の磁気記録媒体が媒体摺動面１０Ａに対し摺動する
とともに、第１の磁性膜１２に対し両端の端子部１２
Ａ，１２Ｂから高周波電流が印加される。そして磁気記
録媒体の記録磁化の磁界が第２の磁性膜１６を介して第
１の磁性膜１２に印加され、その磁界により磁性膜１２
の端子部１２Ａ，１２Ｂ間のインピーダンスが変化し、
この変化を電気信号に変換して再生出力が得られるよう
になっている。

【００４０】そして第１実施例と同様の作用により本実
施例の磁気ヘッドは高感度かつインピーダンスを稼ぐこ
とができ、安定した高い再生出力が得られる。また、同
様に製造が容易であり、多数個取りも可能である。

【００４１】なお、媒体摺動面１０Ａに露出する第２の
磁性膜１６は絶縁膜１４により第１の磁性膜１２と絶縁
されているので、第１の磁性膜１２に印加される高周波
電流が第２の磁性膜１６を介して媒体側に流出する心配
は無い。

【００４２】また、本実施例の磁気ヘッドでは、媒体摺
動面１０Ａに露出する磁性膜１６の先端の幅Ｗｔの設定
によりトラック幅を所望に設定できる。また、誘導型磁
気ヘッドのギャップ幅に対応する磁性膜１６の媒体摺動
面１０Ａに露出する先端部の厚さも所望に設定できる。
例えば、図８に示す様に、磁性膜１６の媒体摺動面１０
Ａに露出する先端部の厚さＴｇを第１の磁性膜１２に重
なる残りの部分の厚さＴｍより薄くすることでギャップ
幅に対応する厚さを薄くし、微小磁化に対する形状ロス
を改善する事も可能である。

【００４３】なお、媒体摺動面１０Ａに対し垂直な方向
の第１の磁性膜１２のパターン直線部の長さが短い場合
には、磁性膜１２内の反磁界が大きくなり感度の低下が
生ずる場合が考えられる。その場合は、図９に示すとお
り、第３の高透磁率磁性膜２２を、磁性膜１２の媒体摺
動面と反対側の折り返し部１２Ｄと端子部１２Ａ，１２
Ｂの下に不図示の絶縁膜を挟んで重なり、媒体摺動面と
反対側に延びるように形成することで改善できる。

【００４４】また、第１の磁性膜１２，第２の磁性膜１
６，絶縁膜１４からなる素子本体を図１０に示すように
非磁性基板１０の表面に複数並設することによりマルチ
トラックヘッドも容易に構成できる。この場合、隣り合
う素子本体どうしの対向面積が非常に小さいためクロス
トークを防止することができる。

【００４５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の磁気検出素子によれば、非磁性基板上に素子本体とし
て高透磁率磁性膜をつづら折り状パターンに形成するこ
とで、素子本体全体の磁界検出方向の長さを短くしても
インピーダンスの絶対値を確保することができ、微小磁
化に対する素子本体のインピーダンス変化効率も向上さ
せることができ、安定した高い出力が得られる。また、
従来のアモルファスワイヤーが微小磁化に対応できなか
った断面形状、取り扱い上の問題は解消でき、製造が容
易であり、多数個取りも可能で安価に提供できる。また
素子本体の磁界検出方向の長さをほとんどＭＲ素子なみ
に短くできることで、微小磁化に対しても優れたＭＩ効
果を発揮でき、ＭＲ素子に代わり新しい用途を拡大でき
る。

【００４６】また、本発明の磁気ヘッドによれば、非磁
性基板の磁気記録媒体摺動面に対し略垂直な表面に第１
と第２の高透磁率磁性膜を形成して構成され、第１の高
透磁率磁性膜は媒体摺動面から離間してつづら折り状パ
ターンに形成され、第２の高透磁率磁性膜は第１の高透
磁率磁性膜のつづら折り状パターンの媒体摺動面側の折
り返し部と絶縁膜を挟んで重なり、媒体摺動面まで延び
るように形成された構成により、本発明の磁気検出素子
と同様に安定した高い再生出力が得られ、製造も容易で
多数個取りも可能であり、安価に提供できる。またマル
チヘッド化も容易である。さらに、媒体摺動面に露出す
る第２の高透磁率磁性膜の端部の幅と厚さの設定により
トラック幅とギャップ幅に対応する寸法を所望に設定で
き、応用範囲が広いという優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の磁気検出素子の構造を示
す斜視図である。

【図２】同素子の本体の高透磁率磁性膜のつづら折り状
パターンを示す平面図である。

【図３】同素子の駆動時におけるつづら折り状パターン
の直線部における電流と磁界の様子を示す説明図であ
る。

【図４】第２実施例の磁気検出素子の構造を示す平面図
である。

【図５】第３実施例の磁気検出素子の構造を示す平面図
である。

【図６】第４実施例の磁気ヘッドの構造を示す斜視図で
ある。

【図７】同磁気ヘッドの媒体摺動面側の端部の断面図で
ある。

【図８】同磁気ヘッドにおいて媒体摺動面に露出する第
２の高透磁率磁性膜の先端部の厚さを薄くした場合を示
す断面図である。

【図９】同磁気ヘッドの変形例を示す斜視図である。

【図１０】同磁気ヘッドをマルチトラック化した場合を
示す斜視図である。

【図１１】従来の問題点を説明するもので、磁気検出素
子に対する磁気記録媒体の微小磁化からの磁束の印加の
様子を示す説明図である。

【符号の説明】

１０非磁性基板１２高透磁率磁性膜１２Ａ，１２Ｂ端子部１２Ｃ，１２Ｄ折り返し部１２１〜１２３パターン直線部１４絶縁膜１６高透磁率磁性膜１８Ａ〜１８Ｄ導電膜２０高透磁率磁性膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気インピーダンス効果を利用した磁気
検出素子であって、非磁性基板上に高透磁率磁性膜を形成して構成され、前記高透磁率磁性膜は、磁界検出方向に沿った複数本の
直線部分が所定間隔で平行に並び、順次折り返すように
連結され、電気的に直列接続されたつづら折り状パター
ンに形成され、且つ磁化容易軸方向が磁界検出方向に対
し膜面内で垂直な方向になるように磁気異方性が付けら
れており、該高透磁率磁性膜の両端部から高周波電流を印加し外部
磁界により前記両端部間に発生するインピーダンスの変
化を電気信号に変換して出力を得られるようにしたこと
を特徴とする磁気検出素子。
【請求項２】前記高透磁率磁性膜の厚さが１μｍ〜２
０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気検
出素子。
【請求項３】前記高透磁率磁性膜のつづら折り状パタ
ーンの折り返し部上に導電膜を設けたことを特徴とする
請求項１または２に記載の磁気検出素子。
【請求項４】前記高透磁率磁性膜のつづら折り状パタ
ーンの両端部上に導電膜を設けたことを特徴とする請求
項１から３までのいずれか１項に記載の磁気検出素子。
【請求項５】前記高透磁率磁性膜のつづら折り状パタ
ーンの隙間に略直線状の高透磁率磁性膜を設けたことを
特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の
磁気検出素子。
【請求項６】磁気インピーダンス効果を利用した再生
用の磁気ヘッドであって、先端面が磁気記録媒体摺動面として形成された非磁性基
板の前記摺動面に対し略垂直な表面に第１と第２の高透
磁率磁性膜を形成して構成され、第１の高透磁率磁性膜は、前記摺動面から離間して、前
記摺動面に対し垂直な方向に沿った複数本の直線部分が
所定間隔で平行に並び、順次折り返すように連結され、
電気的に直列接続されたつづら折り状パターンに形成さ
れ、且つ磁化容易軸方向が膜面内で前記摺動面に略平行
な方向になるように磁気異方性が付けられており、第２の高透磁率磁性膜は、前記第１の高透磁率磁性膜の
つづら折り状パターンの前記摺動面側の折り返し部と絶
縁膜を挟んで重なり、前記摺動面まで延びるように形成
され、前記第１の高透磁率磁性膜の両端部より高周波電流を印
加し、磁気記録媒体から前記第２の高透磁率磁性膜を介
して前記第１の高透磁率磁性膜に印加される磁界により
前記第１の高透磁率磁性膜の両端部間に発生するインピ
ーダンスの変化を電気信号に変換して再生出力を得られ
るようにしたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項７】前記絶縁膜の厚さが０．０５μｍ〜１μ
ｍであることを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッ
ド。
【請求項８】前記第１と第２の高透磁率磁性膜の重な
る部分の幅が、０〜１００μｍの範囲であることを特徴
とする請求項６または７に記載の磁気ヘッド。
【請求項９】前記第２の高透磁率磁性膜の前記摺動面
に露出する端部の幅が前記摺動面に向かって絞り込まれ
たことを特徴とする請求項６から８までのいずれか１項
に記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】前記第２の高透磁率磁性膜の前記摺動
面に露出する端部の厚さが前記第１の高透磁率磁性膜に
重なる部分の厚さより薄くされたことを特徴とする請求
項６から９までのいずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】第３の高透磁率磁性膜が、前記第１の
高透磁率磁性膜のつづら折り状パターンの前記摺動面と
反対側の折り返し部と絶縁膜を挟んで重なり、前記摺動
面と反対側に延びるように形成されたことを特徴とする
請求項６から１０までのいずれか１項に記載の磁気ヘッ
ド。
【請求項１２】前記第１と第２の高透磁率磁性膜と絶
縁膜からなる素子本体が前記非磁性基板の表面に複数並
設されたことを特徴とする請求項６から１１までのいず
れか１項に記載の磁気ヘッド。