JPH08330667A - Semiconductor laser - Google Patents
Semiconductor laserInfo
- Publication number
- JPH08330667A JPH08330667A JP13637395A JP13637395A JPH08330667A JP H08330667 A JPH08330667 A JP H08330667A JP 13637395 A JP13637395 A JP 13637395A JP 13637395 A JP13637395 A JP 13637395A JP H08330667 A JPH08330667 A JP H08330667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser
- diode portion
- layer
- laser diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 11
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100240461 Dictyostelium discoideum ngap gene Proteins 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ、特に埋
め込みヘテロ構造を有するものに関する。FIELD OF THE INVENTION This invention relates to semiconductor lasers, especially those having a buried heterostructure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体レーザにおいて、室温連続発振を
起こさせるには、通常のｐ−ｎ接合では、しきい電流密
度が高すぎ、このためにキャリア閉じ込め効果により電
流密度を低くすることができるダブルヘテロ構造が必要
であった。更に、近年では、低電流動作、光学的特性の
改良のために、これに加えて種々の構造が提案されてい
る。この種の半導体レーザで、埋め込みヘテロ構造を有
するものの一例として例えばElectronics Letters Vol.
29 No.10 pp.873-875 に開示されるものを図１０によっ
て説明する。2. Description of the Related Art In a semiconductor laser, a threshold current density is too high in a normal pn junction for causing continuous oscillation at room temperature. Therefore, the current density can be lowered by a carrier confinement effect. Heterostructure was required. Furthermore, in recent years, various structures have been proposed in addition to this for the purpose of low current operation and improvement of optical characteristics. As an example of this type of semiconductor laser having a buried heterostructure, for example, Electronics Letters Vol.
29 No.10 pp.873-875 will be described with reference to FIG.
【０００３】この半導体レーザ１は、n-GaAs基板３上に
順次 n-InGaPクラッド層５、活性層７、 p-InGaPクラッ
ド層９、p-GaAsコンタクト層１１を設け、それらの両側
に p-InGaP電流ブロック層１３、 n-InGaP電流ブロック
層１５を設け、更に上面下面それぞれにオーミック電極
１７、１９を設けることにより構成されている。このよ
うに構成された埋め込みヘテロ構造の半導体レーザ１で
は、活性層７が囲まれ、接合面と平行な方向にも屈折率
に変化がつけられるため、横方向にも光が閉じ込めら
れ、安定な横モードを得ることができる。In this semiconductor laser 1, an n-InGaP clad layer 5, an active layer 7, a p-InGaP clad layer 9 and a p-GaAs contact layer 11 are sequentially provided on an n-GaAs substrate 3, and p- The InGaP current blocking layer 13 and the n-InGaP current blocking layer 15 are provided, and ohmic electrodes 17 and 19 are provided on the upper and lower surfaces, respectively. In the semiconductor laser 1 having the buried hetero structure configured as described above, since the active layer 7 is surrounded and the refractive index is changed in the direction parallel to the junction surface, light is confined in the lateral direction and stable. You can get the transverse mode.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体レーザ１では、電気的ノイズにより活性領域の p
-n接合に対して逆バイアスとなる電圧が印加されると、
破損しやすいという欠点を持っていた。本発明は上記状
況に鑑みてなされたもので、逆バイアスの電気的ノイズ
に対しても破損しにくい半導体レーザを提供し、半導体
レーザの信頼性向上を図ることを目的とする。However, in the conventional semiconductor laser 1, the p of the active region is affected by electrical noise.
When a reverse bias voltage is applied to the -n junction,
It had the drawback of being easily damaged. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor laser that is less likely to be damaged by reverse bias electrical noise and to improve the reliability of the semiconductor laser.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る半導体レーザの構成は、レーザダイオー
ド部分と、該レーザダイオード部分と同一基板上に設け
られた並列ダイオード部分とを具備することを特徴とす
るものである。The structure of a semiconductor laser according to the present invention for achieving the above object comprises a laser diode portion and a parallel diode portion provided on the same substrate as the laser diode portion. It is characterized by that.
【０００６】[0006]
【作用】レーザダイオードp-電極、並列ダイオードn-電
極に正電圧、レーザダイオードn-電極、並列ダイオード
p-電極に負電圧を印加すると、レーザダイオード部分に
対して順バイアス、並列ダイオード部分に対して逆バイ
アスとなり、電流はレーザダイオード部分のみを通って
流れ、レーザ光が出力される一方、電気的ノイズなどに
より上述と逆の電圧が印加されると、レーザダイオード
部分に対して逆バイアス、並列ダイオード部分に対して
順バイアスとなり、電流は並列ダイオード部分のみを通
って流れる。[Function] Laser diode p-electrode, parallel diode n-electrode positive voltage, laser diode n-electrode, parallel diode
When a negative voltage is applied to the p-electrode, it is forward-biased to the laser diode part and reverse-biased to the parallel diode part, and the current flows only through the laser diode part and laser light is output, while the electrical When a voltage reverse to the above is applied due to noise or the like, the laser diode portion is reverse biased and the parallel diode portion is forward biased, and the current flows only through the parallel diode portion.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明に係る半導体レーザの好適な実
施例を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明に
よる半導体レーザの断面図である。この半導体レーザ２
１は、レーザダイオード部分２３と、並列ダイオード部
分２５とを有している。レーザダイオード部分２３は、
n-GaAs基板２７上に順次 n-InGaPクラッド層２９、活性
層３１、 p-InGaPクラッド層３３、レーザダイオードp-
GaAsコンタクト層３５を設け、それらの両側に p-InGaP
電流ブロック層３７、 n-InGaP電流ブロック層３９を設
け、更に上面下面それぞれにレーザダイオードp-オーミ
ック電極４１、レーザダイオードn-オーミック電極４３
を設けて埋め込みヘテロ構造を構成する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the semiconductor laser according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor laser according to the present invention. This semiconductor laser 2
1 has a laser diode portion 23 and a parallel diode portion 25. The laser diode portion 23 is
An n-InGaP clad layer 29, an active layer 31, a p-InGaP clad layer 33, and a laser diode p- are formed on the n-GaAs substrate 27 in this order.
GaAs contact layers 35 are provided, and p-InGaP is provided on both sides of them.
A current blocking layer 37 and an n-InGaP current blocking layer 39 are provided, and a laser diode p-ohmic electrode 41 and a laser diode n-ohmic electrode 43 are provided on the upper and lower surfaces, respectively.
To form a buried heterostructure.
【０００８】一方、並列ダイオード部分２５は、上面か
ら n-InGaP電流ブロック層３９に至るまでのレーザダイ
オードp-オーミック電極４１、レーザダイオードp-GaAs
コンタクト層３５、 p-InGaPクラッド層３３を除去し、
露出した n-InGaP電流ブロック層３９上の一部分に順次
並列ダイオード p-InGaP層４５、並列ダイオードp-GaAs
コンタクト層４７、並列ダイオードp-オーミック電極４
９を設けるとともに、露出した n-InGaP電流ブロック層
３９上の他部分に並列ダイオードn-オーミック電極５１
を設けて構成される。On the other hand, the parallel diode portion 25 includes a laser diode p-ohmic electrode 41 and a laser diode p-GaAs extending from the upper surface to the n-InGaP current blocking layer 39.
The contact layer 35 and the p-InGaP cladding layer 33 are removed,
A parallel diode p-InGaP layer 45 and a parallel diode p-GaAs are sequentially formed on a part of the exposed n-InGaP current blocking layer 39.
Contact layer 47, parallel diode p-ohmic electrode 4
9 is provided, and a parallel diode n-ohmic electrode 51 is formed on the exposed n-InGaP current block layer 39 at another portion.
Is provided and configured.
【０００９】このように構成される半導体レーザ２１の
製造工程を図２〜図７に基づき説明する。図２はエピタ
キシャル工程を説明する図、図３はレーザダイオード部
分のエッチング工程を説明する図、図４は電流ブロック
層成長工程を説明する図、図５はクラッド層、レーザダ
イオードコンタクト層成長工程を説明する図、図６はコ
ンタクト層、クラッド層の分離工程を説明する図、図７
は電極形成工程を説明する図である。先ず、図２に示す
ように、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相エピタキシャル成
長）により、n-GaAs基板２７上に n-InGaPクラッド層２
９、活性層３１、 p-InGaPクラッド層３３を順次成長さ
せる。A manufacturing process of the semiconductor laser 21 having the above structure will be described with reference to FIGS. 2 is a diagram illustrating an epitaxial process, FIG. 3 is a diagram illustrating an etching process of a laser diode portion, FIG. 4 is a diagram illustrating a current block layer growing process, and FIG. 5 is a cladding layer and a laser diode contact layer growing process. FIG. 6 is a diagram for explaining the step of separating the contact layer and the clad layer.
FIG. 6 is a diagram illustrating an electrode forming step. First, as shown in FIG. 2, the n-InGaP cladding layer 2 is formed on the n-GaAs substrate 27 by MOVPE (Metal Organic Chemical Vapor Deposition).
9, the active layer 31, and the p-InGaP cladding layer 33 are sequentially grown.
【００１０】図３に示すように、ストライプ状ＳｉＯ2
膜６１をマスクとして臭化水素酸、過酸化水素混合溶液
により p-InGaPクラッド層３３、活性層３１、 n-InGaP
クラッド層２９の途中までをエッチングする。As shown in FIG. 3, striped SiO 2
Using the film 61 as a mask, the p-InGaP clad layer 33, the active layer 31, and the n-InGaP are mixed with a mixed solution of hydrobromic acid and hydrogen peroxide.
The middle of the clad layer 29 is etched.
【００１１】図４に示すように、ストライプ状ＳｉＯ2
膜６１をマスクとするＭＯＶＰＥ選択成長により、 p-I
nGaP電流ブロック層３７、 n-InGaP電流ブロック層３９
を順次成長させる。As shown in FIG. 4, stripe-shaped SiO 2
By the MOVPE selective growth using the film 61 as a mask, pI
nGaP current blocking layer 37, n-InGaP current blocking layer 39
To grow sequentially.
【００１２】図５に示すように、ストライプ状ＳｉＯ2
膜６１をフッ酸により除去したのち、ＭＯＶＰＥにより
p-InGaPクラッド層３３、レーザダイオードp-GaAsコン
タクト層３５を成長させる。As shown in FIG. 5, stripe-shaped SiO 2
After removing the film 61 with hydrofluoric acid, by MOVPE
The p-InGaP cladding layer 33 and the laser diode p-GaAs contact layer 35 are grown.
【００１３】図６に示すように、活性層３１に平行なス
トライプ状開口部を有するＳｉＯ2膜６３をマスクとし
て、臭化水素酸、過酸化水素混合溶液によりレーザダイ
オードp-GaAsコンタクト層３５、 p-InGaPクラッド層３
３及び n-InGaP電流ブロック層３９の途中までをエッチ
ングする。この工程により、並列ダイオードp-GaAsコン
タクト層４７がレーザダイオードp-GaAsコンタクト層３
５から分離され、並列ダイオード p-InGaP層４５が p-I
nGaPクラッド層３３から分離される。As shown in FIG. 6, the laser diode p-GaAs contact layer 35 is formed by a mixed solution of hydrobromic acid and hydrogen peroxide using the SiO 2 film 63 having a stripe-shaped opening parallel to the active layer 31 as a mask. p-InGaP clad layer 3
3 and the n-InGaP current blocking layer 39 is partially etched. Through this step, the parallel diode p-GaAs contact layer 47 is changed to the laser diode p-GaAs contact layer 3
5, the parallel diode p-InGaP layer 45 has a pI
Separated from the nGaP cladding layer 33.
【００１４】図７に示すように、ＳｉＯ2 膜６３をフッ
酸により除去したのち、レーザダイオードp-オーミック
電極４１、レーザダイオードn-オーミック電極４３、並
列ダイオードp-オーミック電極４９及び並列ダイオード
n-オーミック電極５１を蒸着とリフトオフ法により形成
することで、半導体レーザ２１の製造工程が終了する。As shown in FIG. 7, after removing the SiO 2 film 63 with hydrofluoric acid, a laser diode p-ohmic electrode 41, a laser diode n-ohmic electrode 43, a parallel diode p-ohmic electrode 49 and a parallel diode are formed.
The manufacturing process of the semiconductor laser 21 is completed by forming the n-ohmic electrode 51 by vapor deposition and the lift-off method.
【００１５】この半導体レーザ２１の動作は、図８に示
す等価回路で説明できる。レーザダイオード部分２３
は、図に示す順方向ダイオード７１に相当し、並列ダイ
オード部分２５は、逆方向ダイオード７３に相当する。
レーザダイオードp-オーミック電極４１、並列ダイオー
ドn-オーミック電極５１に正電圧、レーザダイオードn-
オーミック電極４３、並列ダイオードp-オーミック電極
４９に負電圧を印加すると、レーザダイオード部分２３
に対して順バイアス、並列ダイオード部分２５に対して
逆バイアスとなり、電流はレーザダイオード部分２３の
みを通って流れ、レーザ光が出力される。一方、電気的
ノイズなどにより上述と逆の電圧が印加されると、レー
ザダイオード部分２３に対して逆バイアス、並列ダイオ
ード部分２５に対して順バイアスとなり、電流は並列ダ
イオード部分２５のみを通って流れることになる。The operation of the semiconductor laser 21 can be explained by the equivalent circuit shown in FIG. Laser diode part 23
Corresponds to the forward diode 71 shown in the figure, and the parallel diode portion 25 corresponds to the reverse diode 73.
Laser diode p-Ohmic electrode 41, parallel diode n-Ohmic electrode 51 positive voltage, laser diode n-
When a negative voltage is applied to the ohmic electrode 43 and the parallel diode p-ohmic electrode 49, the laser diode portion 23
, And the parallel diode portion 25 is reverse biased, and the current flows only through the laser diode portion 23, and laser light is output. On the other hand, when a voltage reverse to the above is applied due to electrical noise or the like, the laser diode portion 23 is reversely biased and the parallel diode portion 25 is forward biased, and the current flows only through the parallel diode portion 25. It will be.
【００１６】このように、上述の半導体レーザ２１によ
れば、電気的ノイズによりレーザダイオード部分２３に
対して逆バイアスとなるように電圧が印加された場合で
あっても、電流が並列ダイオード部分２５を順方向に流
れるので、逆バイアスのノイズによる素子の破壊を防止
することができる。As described above, according to the semiconductor laser 21 described above, even when the voltage is applied to the laser diode portion 23 so as to be reverse biased due to the electrical noise, the current flows in the parallel diode portion 25. Since the current flows in the forward direction, it is possible to prevent the element from being damaged by the noise of the reverse bias.
【００１７】図９は本発明による半導体レーザの他の実
施例を示す断面図である。この実施例による半導体レー
ザ８１は、上述の半導体レーザ２１の構成に加え、第一
表面配線電極８３、第二表面配線電極８５及び裏面配線
電極８７を設けたことを特徴としている。これらの電極
８３、８５、８７は、蒸着とリフトオフ法により形成さ
れる。FIG. 9 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor laser according to the present invention. The semiconductor laser 81 according to this embodiment is characterized in that a first front surface wiring electrode 83, a second front surface wiring electrode 85, and a back surface wiring electrode 87 are provided in addition to the configuration of the semiconductor laser 21 described above. These electrodes 83, 85, 87 are formed by vapor deposition and lift-off method.
【００１８】この半導体レーザ８１の動作は、上述の半
導体レーザ２１と同様に、図８に示す等価回路で説明で
きる。即ち、第一表面配線電極８３に正電圧、第二表面
配線電極８５及び裏面配線電極８７に負電圧を印加する
と、レーザダイオード部分２３に対して順バイアス、並
列ダイオード部分２５に対して逆バイアスとなり、電流
はレーザダイオード部分２３のみを通って流れ、レーザ
光が出力される。一方、電気的ノイズなどにより上述と
逆の電圧が印加されると、レーザダイオード部分２３に
対して逆バイアス、並列ダイオード部分２５に対して順
バイアスとなり、電流は並列ダイオード部分２５のみを
通って流れることになる。The operation of the semiconductor laser 81 can be explained by the equivalent circuit shown in FIG. 8, as with the semiconductor laser 21 described above. That is, when a positive voltage is applied to the first front surface wiring electrode 83 and a negative voltage is applied to the second front surface wiring electrode 85 and the back surface wiring electrode 87, a forward bias is applied to the laser diode portion 23 and a reverse bias is applied to the parallel diode portion 25. , The current flows only through the laser diode portion 23, and laser light is output. On the other hand, when a voltage reverse to the above is applied due to electrical noise or the like, the laser diode portion 23 is reversely biased and the parallel diode portion 25 is forward biased, and the current flows only through the parallel diode portion 25. It will be.
【００１９】この実施例による半導体レーザ８１によれ
ば、上述の半導体レーザ２１と同様の効果が得られる
上、レーザダイオードp-オーミック電極４１と並列ダイ
オードn-オーミック電極５１とが第一表面配線電極８３
によって接続されるので、配線数を少なくすることがで
き、配線工程を簡略化することができる。According to the semiconductor laser 81 of this embodiment, the same effect as that of the above-mentioned semiconductor laser 21 can be obtained, and the laser diode p-ohmic electrode 41 and the parallel diode n-ohmic electrode 51 are the first surface wiring electrode. 83
Since they are connected by, the number of wirings can be reduced and the wiring process can be simplified.
【００２０】なお、本発明による半導体レーザは、上述
した実施例の半導体の導電型を反転した構成で実施する
ものであってもよい。また、同じ構造で、材料を変えて
実施するものであってもよい。The semiconductor laser according to the present invention may be implemented with a configuration in which the conductivity type of the semiconductor of the above-mentioned embodiment is reversed. Alternatively, the same structure may be used and the material may be changed.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体レーザによれば、同一基板上にレーザダイオー
ド部分と、並列ダイオード部分とを設けたので、電気的
ノイズなどによりレーザダイオード部分に対して逆バイ
アスの電圧が印加された場合であっても、電流は並列ダ
イオード部分のみを通って流れるので、逆バイアスのノ
イズによる素子の破壊を防止することができ、半導体レ
ーザの信頼性を向上させることができる。As described in detail above, according to the semiconductor laser of the present invention, since the laser diode portion and the parallel diode portion are provided on the same substrate, the laser diode portion may be affected by electrical noise or the like. On the other hand, even when a reverse bias voltage is applied, the current flows only through the parallel diode part, so it is possible to prevent element breakdown due to reverse bias noise and improve the reliability of the semiconductor laser. Can be made.
【図１】本発明による半導体レーザの断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor laser according to the present invention.
【図２】エピタキシャル工程を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an epitaxial process.
【図３】レーザダイオード部分のエッチング工程を説明
する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an etching process of a laser diode portion.
【図４】電流ブロック層成長工程を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a current block layer growing step.
【図５】クラッド層、レーザダイオードコンタクト層成
長工程を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a step of growing a clad layer and a laser diode contact layer.
【図６】コンタクト層、クラッド層の分離工程を説明す
る図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a step of separating a contact layer and a clad layer.
【図７】電極形成工程を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating an electrode forming step.
【図８】本発明による半導体レーザの等価回路を示す図
である。FIG. 8 is a diagram showing an equivalent circuit of a semiconductor laser according to the present invention.
【図９】本発明による半導体レーザの他の実施例を示す
断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor laser according to the present invention.
【図１０】従来の半導体レーザの断面図である。FIG. 10 is a sectional view of a conventional semiconductor laser.
２１、８１ 半導体レーザ ２３ レーザダイオード部分 ２５ 並列ダイオード部分 ２７ n-GaAs基板（基板） ３９ 半導体レーザのn-電流ブロック層 ４１ レーザダイオード部分p-オーミック電極 ５１ 並列ダイオード部分のn-オーミック電極 ８３ 配線電極 21, 81 Semiconductor laser 23 Laser diode part 25 Parallel diode part 27 n-GaAs substrate (substrate) 39 n-current block layer of semiconductor laser 41 Laser diode part p-ohmic electrode 51 n-ohmic electrode of parallel diode part 83 Wiring electrode
フロントページの続き (72)発明者 後藤 修 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内Continued Front Page (72) Inventor Osamu Goto 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd.
Claims (6)
ダイオード部分とを具備することを特徴とする半導体レ
ーザ。1. A semiconductor laser comprising a laser diode portion and a parallel diode portion provided on the same substrate as the laser diode portion.
テロ構造であることを特徴とする請求項１記載の半導体
レーザ。2. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the laser diode portion has a buried heterostructure.
導体レーザにおいて、 該半導体レーザのn-電流ブロック層が前記並列ダイオー
ド部分の n層として機能することを特徴とする半導体レ
ーザ。3. A semiconductor laser according to claim 2, which is formed on an n-substrate, wherein an n-current blocking layer of the semiconductor laser functions as an n layer of the parallel diode portion.
導体レーザにおいて、 該半導体レーザのp-電流ブロック層が前記並列ダイオー
ド部分の p層として機能することを特徴とする半導体レ
ーザ。4. The semiconductor laser according to claim 2, which is formed on a p-substrate, wherein a p-current blocking layer of the semiconductor laser functions as a p-layer of the parallel diode portion.
オード部分のn-オーミック電極が共通の配線電極で接続
されていることを特徴とする半導体レーザ。5. The semiconductor laser according to claim 3, wherein the p-ohmic electrode of the laser diode portion and the n-ohmic electrode of the parallel diode portion are connected by a common wiring electrode.
オード部分のp-オーミック電極が共通の配線電極で接続
されていることを特徴とする半導体レーザ。6. The semiconductor laser according to claim 4, wherein the n-ohmic electrode of the laser diode portion and the p-ohmic electrode of the parallel diode portion are connected by a common wiring electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13637395A JPH08330667A (en) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13637395A JPH08330667A (en) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330667A true JPH08330667A (en) | 1996-12-13 |
Family
ID=15173653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13637395A Pending JPH08330667A (en) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330667A (en) |
-
1995
- 1995-06-02 JP JP13637395A patent/JPH08330667A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5604764A (en) | Semiconductor laser | |
| US4958202A (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| US5577062A (en) | Semiconductor laser diode apparatus and method of producing the same | |
| US5665612A (en) | Method for fabricating a planar buried heterostructure laser diode | |
| US5394421A (en) | Semiconductor laser device including a step electrode in a form of eaves | |
| US5441912A (en) | Method of manufacturing a laser diode | |
| JP2686306B2 (en) | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof | |
| US5805628A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH0927651A (en) | Semiconductor laser | |
| US5304507A (en) | Process for manufacturing semiconductor laser having low oscillation threshold current | |
| JP3344096B2 (en) | Semiconductor laser and manufacturing method thereof | |
| JP3108183B2 (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
| JP3241360B2 (en) | Optical semiconductor device | |
| JP2523643B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0927656A (en) | Manufacture of ridge waveguide semiconductor laser | |
| JP3652454B2 (en) | Semiconductor laser and manufacturing method thereof | |
| JP2685499B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0682886B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor laser device | |
| JPS61176181A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| KR100647293B1 (en) | Indexed waveguide semiconductor laser diode and manufacturing method thereof | |
| JP2527197B2 (en) | Optical integrated device | |
| JP2804533B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor laser | |
| JPH1140897A (en) | Semiconductor laser element and its manufacture | |
| JP3306390B2 (en) | Method for manufacturing optical semiconductor device | |
| JP2538258B2 (en) | Semiconductor laser |