JPH0833308B2 - 磁気センサ及びその製法 - Google Patents
磁気センサ及びその製法Info
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- JPH0833308B2 JPH0833308B2 JP62149280A JP14928087A JPH0833308B2 JP H0833308 B2 JPH0833308 B2 JP H0833308B2 JP 62149280 A JP62149280 A JP 62149280A JP 14928087 A JP14928087 A JP 14928087A JP H0833308 B2 JPH0833308 B2 JP H0833308B2
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- magnetic
- radial direction
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Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気センサ及びその製法、特に周方向に着
磁されたロータに対向して磁気抵抗効果素子を径方向に
配設した磁気センサ及びその製法に関する。
磁されたロータに対向して磁気抵抗効果素子を径方向に
配設した磁気センサ及びその製法に関する。
磁気抵抗効果素子（以下「MR素子」という）は、Ni−
Fe,Ni−Coなどを用いたもので、その薄膜素子の抵抗変
化により、印加磁界の変化を検出することができる。し
たがって、永久磁石などを磁界発生手段として用いれ
ば、LED（発光ダイオード）などの光源を必要とし、ま
た、消耗しうる光源が不可欠なフォトセンサ等よりも、
構成が簡単で耐久性にもすぐれたセンサが得られる。
Fe,Ni−Coなどを用いたもので、その薄膜素子の抵抗変
化により、印加磁界の変化を検出することができる。し
たがって、永久磁石などを磁界発生手段として用いれ
ば、LED（発光ダイオード）などの光源を必要とし、ま
た、消耗しうる光源が不可欠なフォトセンサ等よりも、
構成が簡単で耐久性にもすぐれたセンサが得られる。
MR素子の磁気異方性は、成膜時の斜め入射効果，外部
磁界及び形状などにより形成することができる。したが
って、被検出体であるロータに記録された磁化パターン
から発生する磁束の流れとMR素子の磁気異方性方向とを
直交させた構成にすることも容易であり、この構成によ
れば、MR素子の抵抗変化率が最大となるので、このとき
の抵抗変化を信号変換して、回転数や位置検出などの制
御に利用されている。
磁界及び形状などにより形成することができる。したが
って、被検出体であるロータに記録された磁化パターン
から発生する磁束の流れとMR素子の磁気異方性方向とを
直交させた構成にすることも容易であり、この構成によ
れば、MR素子の抵抗変化率が最大となるので、このとき
の抵抗変化を信号変換して、回転数や位置検出などの制
御に利用されている。
従来、この利用方法の一つとして、VTR（ビデオテー
プレコーダ）用キャプスタンモータがあり、周方向に着
磁されたロータに対向して、第４図の平面図に示すよう
に、基板１にMR素子２が径方向に放射状に配設されてお
り、該MR素子２は、一定方向に磁気異方性方向３を有す
るという磁気センサが提供されている。なお、４は電極
である。
プレコーダ）用キャプスタンモータがあり、周方向に着
磁されたロータに対向して、第４図の平面図に示すよう
に、基板１にMR素子２が径方向に放射状に配設されてお
り、該MR素子２は、一定方向に磁気異方性方向３を有す
るという磁気センサが提供されている。なお、４は電極
である。
これは、MR素子２の出力を積分することにより、ロー
タの着磁ムラや変形に対しても高精度で検出する積分型
磁気センサで、該センサ用MR素子２の製法は、ガラス等
の基板に外部から磁場を加えながら蒸着することによっ
て、一定方向に磁気異方性を有する素子を得る方法がと
られていた。
タの着磁ムラや変形に対しても高精度で検出する積分型
磁気センサで、該センサ用MR素子２の製法は、ガラス等
の基板に外部から磁場を加えながら蒸着することによっ
て、一定方向に磁気異方性を有する素子を得る方法がと
られていた。
しかしながら、上記従来例においては、第４図に見ら
れるように、MR素子パターン長手方向と磁気異方性方向
とが異なるため、センサとして利用するには十分な特性
が得られないという問題がある。
れるように、MR素子パターン長手方向と磁気異方性方向
とが異なるため、センサとして利用するには十分な特性
が得られないという問題がある。
また、第５図に、MR素子パターン長手方向と磁気異方
性方向とのなす角度θを０〜90度の間で変化させた場合
のＲ−Ｈ特性を示したが、角度θが90度に近付くに伴い
抵抗変化率の低下，ヒステリシスの発生が起きており、
これらは、センサの誤動作の要因となり、解決しなけれ
ばならない問題点である。
性方向とのなす角度θを０〜90度の間で変化させた場合
のＲ−Ｈ特性を示したが、角度θが90度に近付くに伴い
抵抗変化率の低下，ヒステリシスの発生が起きており、
これらは、センサの誤動作の要因となり、解決しなけれ
ばならない問題点である。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、極め
て高精度の位置検出・制御を可能とする面対向型磁気セ
ンサを得ることを目的としている。
て高精度の位置検出・制御を可能とする面対向型磁気セ
ンサを得ることを目的としている。
本発明は、MR素子の磁気異方性を、周方向に着磁され
たロータに対向して径方向に形成することにより、面対
向型磁気センサの特性向上を図ったものである。
たロータに対向して径方向に形成することにより、面対
向型磁気センサの特性向上を図ったものである。
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づい
て説明する。
て説明する。
本発明による面対向型磁気センサの正面図を示す第１
図において、１は基板、２は、該基板１面に放射状に配
設されたMR素子で、Ni−Co,Ni−Fe等を真空薄膜形成技
術を用いてMR膜を成膜した後、フォトリソエッチング技
術により同心円に沿ってジグザグ状のパターンを形成し
て得られたものである。13は、MR素子２の磁気異方性方
向で、前記同心円の中心から径方向に放射状に形成され
ており、その形成方法については、次に述べる。
図において、１は基板、２は、該基板１面に放射状に配
設されたMR素子で、Ni−Co,Ni−Fe等を真空薄膜形成技
術を用いてMR膜を成膜した後、フォトリソエッチング技
術により同心円に沿ってジグザグ状のパターンを形成し
て得られたものである。13は、MR素子２の磁気異方性方
向で、前記同心円の中心から径方向に放射状に形成され
ており、その形成方法については、次に述べる。
本発明による磁気センサの製法工程を縦断面図によっ
て示す第２図において、同図（ａ）の基板１に対し、同
図（ｂ）に見られるように、MR膜12を成膜するに際し、
基板１の裏側に径方向に放射状に磁界を発生する磁界発
生源５を設置する。この方法によれば、成膜時の入射効
果や形状効果によって形成される磁気異方性に影響され
ることなく、径方向に放射状の磁気異方性が形成され
る。
て示す第２図において、同図（ａ）の基板１に対し、同
図（ｂ）に見られるように、MR膜12を成膜するに際し、
基板１の裏側に径方向に放射状に磁界を発生する磁界発
生源５を設置する。この方法によれば、成膜時の入射効
果や形状効果によって形成される磁気異方性に影響され
ることなく、径方向に放射状の磁気異方性が形成され
る。
次いで、前記エッチング技術によりジグザグ状のMR素
子２のパターンを同図（ｃ）に示すように形成する。
（第１図も参照） また、製法の他の実施例を第３図の工程図に示す。こ
れは、同図（ｄ）の基板１に対して、同図（ｅ）のごと
くMR膜12を成膜した後、同図（ｆ）に見られるように、
径方向に放射状の磁界を発生する磁界発生源５を基板１
の裏側、又はMR膜12の表側に設置して真空中熱処理を行
えば、該MR膜12の長手方向に放射状の磁気異方性を形成
することができる。同図（ｇ）は磁気センサの完成図で
ある。
子２のパターンを同図（ｃ）に示すように形成する。
（第１図も参照） また、製法の他の実施例を第３図の工程図に示す。こ
れは、同図（ｄ）の基板１に対して、同図（ｅ）のごと
くMR膜12を成膜した後、同図（ｆ）に見られるように、
径方向に放射状の磁界を発生する磁界発生源５を基板１
の裏側、又はMR膜12の表側に設置して真空中熱処理を行
えば、該MR膜12の長手方向に放射状の磁気異方性を形成
することができる。同図（ｇ）は磁気センサの完成図で
ある。
以上説明したように、本発明は、径方向に延在するMR
素子パターンを形成し、その磁気異方性を径方向に付与
したため、面対向型の磁気センサに利用した場合、従来
の磁気センサよりも著しい性能の向上が得られ、極めて
高精度な位置検出・制御ができるという効果がある。
素子パターンを形成し、その磁気異方性を径方向に付与
したため、面対向型の磁気センサに利用した場合、従来
の磁気センサよりも著しい性能の向上が得られ、極めて
高精度な位置検出・制御ができるという効果がある。
第１図は、本発明を実施した面対向型磁気センサの正面
図、第２図は、同じく縦断面図により示す製法工程図
で、同図（ａ）は基板の図、同図（ｂ）は成膜時の図、
同図（ｃ）はエッチング終了の完成図、第３図は、同じ
く製法の他の実施例の工程図で、同図（ｄ）は基板の
図、同図（ｅ）は成膜終了時の図、同図（ｆ）は熱処理
時の図、同図（ｇ）はエッチング処理後の完成図、第４
図は、従来の磁気センサの正面図、第５図は、MR素子パ
ターン長手方向と異方性方向とのなす角度と、Ｒ−Ｈ特
性との関係を示すグラフである。 ２……磁気抵抗効果素子 ５……放射状磁界発生源 12……磁気抵抗効果膜 13……磁気抵抗効果素子の放射状磁気異方性
図、第２図は、同じく縦断面図により示す製法工程図
で、同図（ａ）は基板の図、同図（ｂ）は成膜時の図、
同図（ｃ）はエッチング終了の完成図、第３図は、同じ
く製法の他の実施例の工程図で、同図（ｄ）は基板の
図、同図（ｅ）は成膜終了時の図、同図（ｆ）は熱処理
時の図、同図（ｇ）はエッチング処理後の完成図、第４
図は、従来の磁気センサの正面図、第５図は、MR素子パ
ターン長手方向と異方性方向とのなす角度と、Ｒ−Ｈ特
性との関係を示すグラフである。 ２……磁気抵抗効果素子 ５……放射状磁界発生源 12……磁気抵抗効果膜 13……磁気抵抗効果素子の放射状磁気異方性
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中橋 光男 埼玉県秩父市大字下影森1248番地 キヤノ ン電子株式会社内 (72)発明者 林 久範 埼玉県秩父市大字下影森1248番地 キヤノ ン電子株式会社内 (72)発明者 佐野 秀人 埼玉県秩父市大字下影森1248番地 キヤノ ン電子株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−212805（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−220809（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−7213（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】周方向に着磁されたロータに対向して、磁
気抵抗効果素子を径方向に配設してなる磁気センサであ
って、前記磁気抵抗効果素子の磁気異方性が径方向に付
与されていることを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項２】周方向に着磁されたロータに対向して、磁
気抵抗効果素子を放射状に配設してなる磁気センサにお
いて、磁気抵抗効果膜を成膜する際、径方向の磁界を発
生する磁界発生源を用いて径方向に磁気異方性を付与す
ることを特徴とする磁気センサの製法。 - 【請求項３】周方向に着磁されたロータに対向して、磁
気抵抗効果素子を放射状に配設してなる磁気センサにお
いて、磁気抵抗効果膜の成膜後、径方向に磁界を発生す
る磁界発生源を用いて熱処理により、磁気異方性を径方
向に付与することを特徴とする磁気センサの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149280A JPH0833308B2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 磁気センサ及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149280A JPH0833308B2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 磁気センサ及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63314413A JPS63314413A (ja) | 1988-12-22 |
| JPH0833308B2 true JPH0833308B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=15471754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62149280A Expired - Lifetime JPH0833308B2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 磁気センサ及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833308B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07210833A (ja) * | 1994-01-11 | 1995-08-11 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサ装置 |
| WO2016013347A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP62149280A patent/JPH0833308B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63314413A (ja) | 1988-12-22 |
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