JPH08334407A - 冷却型赤外線センサ及びこれを用いた赤外線受光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ノイズ成分の原因となる不要な光を遮断させ、
且つ、装置全体が大型化することなく、十分な冷却効率
が得られる冷却赤外線センサ及び赤外線受光装置を提供
する。 【構成】本発明の冷却赤外線センサは、所望の波長領域
の光を透過させるフィルターが赤外線の入射する主面に
配置される。又、本発明の赤外線受光装置は、このセン
サを真空容器の入射窓に対向して配置させ、センサを覆
うように配置させたコールドシールドと、冷却手段かな
らる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は冷却型赤外線センサ及び
これを用いた赤外線受光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、赤外線センサやこれを用いた赤外
線受光装置が注目されている。この素子は、不可視光線
である赤外線を検知または映像化するもので、各種工業
計測、監視、医療、宇宙、防衛など幅広い分野で期待さ
れている。これまで、ＨｇＣｄＴｅやＩｎＳｂ等の化合
物半導体を使用したものまたはシリコンと白金シリサイ
ドとのショットキー接合を用いた量子型、焦電体物質等
を用いた熱型等が提案されている。このうち、量子型赤
外線センサは、熱型赤外線センサと比較して高感度で応
答速度が速いという顕著な特徴がある。量子型赤外線セ
ンサは、その動作原理から通常数十Ｋ程度に冷却して使
用する。このため、冷却型赤外線センサと称されてい
る。

【０００３】図３は、従来の一般的な冷却型赤外線セン
サである白金シリサイドショットキー接合型の冷却型赤
外線センサの平面図である。シリコン基板１７上に赤外
線を検出する受光部１８と、これに隣接配置された垂直
電荷転送部１９と、その一端に水平電荷転送部２０が配
置される。赤外線は、受光部１８にて光電変換され、生
じた信号電荷が受光部１８に蓄積される。蓄積された信
号電荷は、受光部１８と垂直電荷転送部１９の間に配置
されたトランスファーゲート（図示せず）がオープンす
ることにより、垂直電荷転送部１９に移送される。信号
電荷は、横一列ずつ順次水平電荷転送部２０に移送さ
れ、出力端２１より出力される。

【０００４】図４は、従来の冷却型赤外線センサの部分
断面図である。図３のＡ−Ａ’の断面に相当する。白金
シリサイド膜２は、Ｐ型シリコン基板１の一方の主面上
に配置される。その膜厚は、６０〜８０Åである。白金
シリサイド膜２とシリコン基板１との界面３は、ショッ
トキー接合が形成されている。このショットキー接合
は、赤外線を光電変換させる受光部３である。白金シリ
サイド膜２の周囲には、ガードリング５が配置される。
これは、白金シリサイド膜２の周囲に電界が集中するこ
とによる耐圧の低下や信号電荷のリークを防止させる。

【０００５】フィールド部には、熱酸化によるシリコン
酸化膜４が形成されている。シリコン基板２の表面に
は、絶縁膜６が配置される。これは、シリコン酸化膜等
の赤外線を透過する膜である。そして、その上に、金属
反射膜７が配置される。さらに、その上には、保護膜８
が配置される。シリコン基板２の他方の主面（裏面）に
は、シリコン酸化膜等の単層膜による反射防止膜２２が
配置される。反射防止膜２２は、シリコン基板２の表面
で赤外線入射光９が反射することを防止する。

【０００６】赤外線入射光９は、シリコン基板２の裏面
側に形成された反射防止膜２２を透過して受光部３に入
射し、その一部は、光電変換され信号電荷となる。光電
変換されずに透過した赤外線は、金属反射膜７によって
反射され、再度受光部３に入射する。そして、光電変換
され信号電荷となる。信号電荷は、トランスファーゲー
トがオープーンするまで受光部３に蓄積される。

【０００７】図５は、従来の赤外線受光装置の断面図で
ある。図３及び図４で説明した従来の冷却型赤外線セン
サ１１がコールドヘッド１２に固定される。コールドヘ
ッド１２は、熱伝導性の良い物質で形成された支持台で
あり、冷却機によって冷却されている。コールドヘッド
１２には、さらに開口部１４を有するコールドシールド
１３が固定されている。これにより、冷却型赤外線セン
サ１１及びコールドシールド１３は、コールドヘッド１
２を介して一般には７７Ｋ程度に冷却される。コールド
シールド１３の開口部１４は、冷却型赤外線センサ１１
に対向するように配置される。これにより、冷却型赤外
線センサ１１の視野角を定めることができるばかりでな
く、真空容器１５の内壁からの赤外線の輻射光が冷却型
赤外線センサ１１に入射することも防止できる。冷却型
赤外線センサ１１、コールドヘッド１２、及びコールド
シールド１３は、入射窓１６を有する真空容器１５の中
に配置される。入射窓１６は、例えばシリコンのように
赤外線を透過させる物質にて形成され、コールドシール
ド１３の開口部１４に対向するように配置される。ま
た、真空容器１５の中は、真空に保持される。

【０００８】検出される赤外線は、真空容器１５に取り
付けられた入射窓１６を通して冷却型赤外線センサ１１
に入射する。このコールドシールド１３はコールドヘッ
ド１２により冷却されるているので、その輻射は無視で
きるくらい小さくなり、その開口部１４から入射した赤
外線だけを冷却型赤外線センサ１１に入射させることが
できる。冷却型赤外線センサ１１は、入射した赤外線を
光電変換させ、生じた信号電荷を外部に出力させる。

【０００９】一般に、赤外線を検出する場合、検出対象
となる波長領域が定められていることが多い。例えば、
検出対象となる波長領域が３〜５μｍである赤外線受光
装置では、この領域以外の波長の光は、赤外線センサ１
１で光電変換されノイズ成分となる。このため、信号電
荷の成分とノイズ成分との比率であるＳ／Ｎ比は悪化し
てしまう。そこで、入射窓１６を不要な波長の入射光を
遮断するためのフィルターに置換した装置が提案されて
いる。しかし、この装置においては、入射窓１６が室温
に保持されている。このため、入射窓１６から輻射され
る赤外線も冷却型赤外線センサ１１に入射する赤外線に
混入してしまい、これもノイズ成分となってしまう。

【００１０】図６は、従来の別の例を示す赤外線受光装
置の断面図である。冷却型赤外線センサ１１及びコール
ドシールド１３は、コールドヘッド１２に固定される。
コールドヘッド１２には、さらに、コールドフィルター
２４が配置された冷却ブロック２３が固定される。これ
により、冷却型赤外線センサ１１、コールドシールド１
３、冷却ブロック２３、及びコールドフィルター２４
は、コールドヘッド１２を介して一般には７７Ｋ程度に
冷却される。コールドフィルター２４は、検出対象とな
る波長領域の光だけを透過させる機能を持ち、コールド
シールド１３の開口部１４に対向するように配置され
る。また、コールドフィルター２４は、シリコンやゲル
マニウム等赤外線を透過させる物質でできたフィルター
基体に多層干渉膜を配置させて形成される。これらの多
層干渉膜は、スパッタリング法や蒸着法等により形成さ
れる。

【００１１】冷却型赤外線センサ１１、コールドヘッド
１２、コールドシールド１３、及びコールドフィルター
２４を有する冷却ブロック２３は、入射窓１６を有する
真空容器１５の中に配置される。入射窓１６は、例えば
シリコンのように赤外線を透過させる物質にて形成さ
れ、コールドシールド１３の開口部１４に対向するよう
に配置される。また、真空容器１５の中は、真空に保持
される。

【００１２】このようにすれば、入射窓１６から入射し
た赤外線の不要な波長領域の光は、コールドフィルター
２４によりカットされるばかりでなく、コールドフィル
ター２４から輻射される赤外線さえも冷却型赤外線セン
サ１１に入射する赤外線に混入することがなく、検出対
象となる波長領域の光だけが冷却型赤外線センサ１１に
入射されるので、Ｓ／Ｎ比が向上する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなコールドフィルターを有する赤外線受光装置は、
以下に記載する問題点があった。コールドフィルター
は、赤外線検出時には７７Ｋ程度に冷却され、非検出時
には室温に保持される。従って、コールドフィルター
は、このような熱衝撃に対する耐久性が求められ、フィ
ルター基体面積やフィルター基体厚みを大きく設計され
るのが一般的であった。このため、コールドフィルター
を含む冷却ブロックが大型化するばかりでなく、赤外線
受光装置全体が大型化するという第１の問題点があっ
た。

【００１４】さらに、コールドヘッド、コールドシール
ド、赤外線センサの他、コールドフィルターを含む冷却
ブロックを冷却せねばならなかった。このため、赤外線
受光装置は冷却能力の大きな、且つ、高価な冷却機を搭
載させねばならないという第２の問題点があった。本発
明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、
装置を小型にすることを可能とし、冷却効率を向上させ
る冷却赤外線センサ及び赤外線受光装置を提供する。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究の
結果、驚くべきことに、これまでフィルター基体上に配
置させていた多層干渉膜を赤外線が入射するセンサの基
板主面に配置させた冷却型赤外線センサを開発し、発明
するに至った。即ち、本発明は、第１に「基板の一方の
主面上に、受光部が配置された冷却型赤外線センサにお
いて、所望の波長領域を透過させるフィルターが、前記
基板における赤外線の入射する側の主面に密着配置され
たことを特徴とする冷却型赤外線センサ（請求項１）を
提供する。

【００１６】本発明は、第２に「前記フィルターは、多
層膜による干渉フィルターであり、０．７μｍ以上の波
長の光を透過させる長波長透過フィルターであることを
特徴とする請求項１記載の冷却型赤外線センサ（請求項
２）」を提供する。また、本発明は、第３に「前記フィ
ルターは、多層膜による干渉フィルターであり、１μｍ
以上１２μｍ以下の波長の光を透過させる帯域透過フィ
ルターであることを特徴とする請求項１記載の冷却型赤
外線センサ（請求項３）」を提供する。

【００１７】また、本発明は、第４に「前記フィルター
は、多層膜による干渉フィルターであり、３μｍ以上５
μｍ以下の波長の光、または、８μｍ以上１２μｍ以下
の波長の光を透過させる帯域透過フィルターであること
を特徴とする請求項１記載の冷却型赤外線センサ（請求
項４）」を提供する。本発明者は、さらに、これらの冷
却型赤外線センサを配置させた赤外線受光装置を開発し
発明した。本発明は、第５に「光を入射させる入射窓を
有する真空容器と、該真空容器内に前記入射窓に対向し
て設置され、所望の波長領域を透過させるフィルターが
密着配置された冷却型赤外線センサと、前記入射窓に対
向して配置された開口部を有し前記冷却型赤外線センサ
を覆うように配置されたコールドシールド、及び、前記
冷却型赤外線センサ及び前記コールドシールドを冷却す
る冷却手段からなることを特徴とする赤外線受光装置
（請求項５）を提供する。

【００１８】本発明は、第６に「前記フィルターは、多
層膜による干渉フィルターであり、０．７μｍ以上の波
長の光を透過させる長波長透過フィルターであることを
特徴とする請求項５記載の赤外線受光装置（請求項
６）」を提供する。また、本発明は、第７に「前記フィ
ルターは、多層膜による干渉フィルターであり、１μｍ
以上１２μｍ以下の波長の光を透過させる帯域透過フィ
ルターであることを特徴とする請求項５記載の赤外線受
光装置（請求項７）」を提供する。

【００１９】

【作用】本発明の冷却型赤外線センサにおるセンサ基板
は、フィルターの基体としても使用される。即ち、赤外
線が入射する側のセンサ基板の主面に、所望の波長領域
の光を透過させるフィルターが密着配置されている。換
言すれば、本発明の冷却型赤外線センサは、所望の波長
領域の光を透過させるコールドフィルターと一体化され
ているのである。このため、本発明の冷却型赤外線セン
サは、センサ単体だけで所望の波長領域の光をセンサの
光電変換部に入射させることが可能となる。

【００２０】フィルターは、シリコンやゲルマニウム等
のフィルター基体上に形成された従来の多層膜による干
渉フィルターでよい。即ち、センサ基板上に屈折率の高
い物質（例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＰｂＳｅ、Ｚ
ｎＳ）の層と、屈折率の低い物質（例えばＬｉＦ、Ｎａ
Ｆ、ＮａＣｌ、ＫＢｒ）の層を蒸着やスパッタ等により
順次積層していくことにより形成される。多層膜による
干渉フィルターは、当然ながら反射防止膜としての作用
も有する。また、フィルター各層の厚さをｄ、フィルタ
ー各層の屈折率をＮとすれば、透過させる光の波長λ
は、λ／４＝ｄ×Ｎで表される。各層の物質及び厚さを
この関係に照らして選択し、多層膜による干渉フィルタ
ーを形成すれば、多層膜の構成により、長波長透過フィ
ルター、帯域透過フィルターが形成される。

【００２１】赤外線を検知または映像化する際、少なく
とも、０．７μｍ未満の波長領域の光は、検知や映像化
には不要な光である。このような光が赤外線センサの受
光部に入射すると、ノイズ成分になる。このため、０．
７μｍ未満の波長領域の光を遮断させ、０．７１μｍ以
上の波長領域の光だけを透過させる長波長透過フィルタ
ーを配置させれば、ノイズは低減されＳ／Ｎ比は向上す
る。

【００２２】また、冷却型赤外線センサは、一般に１〜
１２μｍの波長領域を検出するのに使用される。従っ
て、１μｍ以上１２μｍ以下の波長の光を透過させる帯
域透過フィルターを配置させれば、ノイズはさらに低減
され、それに伴いＳ／Ｎ比はさらに向上する。更に、３
〜５μｍ、及び、８〜１２μｍの波長領域は、所謂大気
の窓と称され、大気において吸収され難い波長領域であ
る。このため、冷却型赤外線センサは、３〜５μｍまた
は８〜１２μｍの波長領域を検出するのに使用されるこ
とが多い。この場合、３〜５μｍや８〜１２μｍの波長
領域を透過させる帯域透過フィルターを配置させれば、
その他の波長領域の光が受光部に入射されないので、さ
らにノイズ成分は低減され、より好ましい。

【００２３】このように、本発明の冷却型赤外線センサ
は、センサ単体にて所望の波長領域の光のみをセンサの
光電変換部に入射させることが可能である。このため、
この冷却型赤外線センサを組み込んだ本発明の赤外線受
光装置は、コールドフィルターを含む冷却ブロックを配
置させずとも、所望の波長領域の光を検出できる。従っ
て、本発明の赤外線受光装置は、Ｓ／Ｎ比を向上させる
とともに、装置全体を小型化にすることが可能となる。
また、このことにより、冷却を要する容積（センサ、コ
ールドヘッド、コールドシールド）は、冷却ブロックを
配置させた装置よりも小さくなり、冷却効率が向上す
る。

【００２４】また、長波長フィルターと短波長フィルタ
ーとを適時組み合わせて、冷却型赤外線センサに配置さ
せることにより、所望の波長領域を例えば、１μｍ以
上、１〜１２μｍ、３〜５μｍ、８〜１２μｍ等を選択
することが可能となる。このようにすれば、赤外線受光
装置は、さらに、Ｓ／Ｎ比を向上させることが可能とな
る。

【００２５】

【実施例】以下、図を引用し、実施例をもって本発明を
詳細に説明する。しかし、本発明は、これらの例に限ら
れるものではない。図１は、一実施例に係る本発明の冷
却型赤外線センサの断面図である。本実施例において
は、ショットキー接合型赤外線センサをもって説明す
る。図１（ａ）は、センサ基板の裏面から赤外線を入射
させる冷却型赤外線センサである。白金シリサイド膜２
は、Ｐ型シリコン基板１の一方の主面上に配置される。
その膜厚は、６０〜８０Åである。白金シリサイド膜２
とシリコン基板１との界面３は、ショットキー接合が形
成されている。このショットキー接合部は、赤外線を光
電変換させる受光部３である。フィールド部には、熱酸
化によるシリコン酸化膜４が形成されている。

【００２６】白金シリサイド膜２の周囲には、ガードリ
ング５が配置される。これは、白金シリサイド膜２に電
界が集中することによって耐圧が低下することや信号電
荷がリークすることを防止させる。シリコン基板１の表
面には、シリコン酸化膜６が配置される。これは、赤外
線を透過させる。そして、その上に、アルミニウムによ
る金属反射膜７が配置される。さらに、その上には、Ｐ
ＳＧによる保護膜８が配置される。シリコン基板１の他
方の主面（裏面）には、３〜５μｍの波長領域の光を透
過させるフィルター１０が密着配置される。換言すれ
ば、本発明の冷却型赤外線センサは、フィルターと一体
化されている。このフィルター１０は、多層膜による干
渉フィルターである。

【００２７】光９は、シリコン基板１の裏面側に配置さ
れたフィルター１０に入射する。光はさらに受光部に向
かって進む。しかし、フィルター１０が配置されている
ことにより、３〜５μｍ以外の波長の光は、遮断され、
３〜５μｍの波長領域の光だけが透過する。また、この
フィルター１０は、多層膜による干渉フィルターであ
り、光９の反射も防止している。フィルター１０を透過
した３〜５μｍの波長領域の光は、受光部３に入射し、
その一部は、光電変換され信号電荷となる。光電変換さ
れずに透過した赤外線は、金属反射膜７によって反射さ
れ、再度受光部３に入射する。そして、光電変換され信
号電荷となる。

【００２８】本実施例において、フィルター１０は、３
〜５μｍを透過させるものを使用したが、本発明はこれ
に限られるものではなく、１μｍ以上の光を透過させる
長波長透過フィルターや、１〜１２μｍの波長の光を透
過させる帯域透過フィルターでも構わない。このように
フィルターとセンサとを一体化させることにより、冷却
型赤外線センサは、センサ単体だけで所望の波長領域の
光を検出することができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることが
可能となる。

【００２９】図１（ｂ）は、センサ基板の表面から赤外
線を入射させる冷却型赤外線センサである。このセンサ
の構成は、３μｍ以上の波長領域の光を透過させる多層
膜による干渉フィルター１０が表面側に配置されたこと
を除き、図１（ａ）と同じである。光９は、シリコン基
板２の表面側に配置されたフィルター１０に入射する。
光はさらに受光部３に向かって進む。しかし、フィルタ
ー１０が配置されていることにより、３μｍ未満の波長
の光は、遮断され、３μｍ以上の波長領域の光だけが透
過する。また、このフィルター１０は、多層膜による干
渉フィルターであり、光９の反射も防止している。フィ
ルター１０を透過した３μｍ以上の波長領域の光は、受
光部３に入射して光電変換され信号電荷となる。

【００３０】図２は、一実施例にかかる本発明の赤外線
受光装置の断面図である。所望の波長領域の光を透過さ
せるフィルター１１ａとセンサ基板１１ｂとが一体化さ
れた冷却型赤外線センサ１１がコールドヘッド１２に固
定される。コールドヘッド１２は、銅で形成された熱伝
導性の優れた支持台であり、冷却機によって冷却されて
いる。コールドヘッド１２には、さらに開口部１４を有
するコールドシールド１３が固定されている。これによ
り、冷却型赤外線センサ１１及びコールドシールド１３
は、コールドヘッド１２を介して７７Ｋ程度に冷却され
る。コールドシールド１３の開口部１４は、冷却型赤外
線センサ１１に対向するように配置される。これは、真
空容器１５の内壁からの赤外線の輻射光が冷却型赤外線
センサ１１に入射することを防止し、且つ、赤外線セン
サ１１の視野角を定めるために配置される。冷却型赤外
線センサ１１、コールドヘッド１２、及びコールドシー
ルド１３は、シリコンにより形成された入射窓１６を有
する真空容器１５の中に配置される。なお、シリコン
は、赤外線を透過させる物質である。入射窓１６は、コ
ールドシールド１３の開口部１４に対向するように配置
される。また、真空容器１５の中は、真空に保持され
る。

【００３１】検出される赤外線は、真空容器１５に取り
付けられた入射窓１６を通して冷却型赤外線センサ１１
に入射する。このコールドシールド１３はコールドヘッ
ド１２により冷却されるているので、コールドシールド
自体からの赤外線の輻射は無視できるくらい小さくな
り、その開口部１４から入射した赤外線だけを冷却型赤
外線センサ１１に入射させることができる。

【００３２】冷却型赤外線センサ１１のセンサ基板１１
ａには、赤外線が入射する主面にフィルター１１ｂが密
着配置されている。換言すれば、センサとフィルターが
一体化されている。コールドシールド１３から入射した
赤外線は、フィルター１１ｂに入射し、さらにセンサ１
１の受光部に向かって進む。しかし、フィルター１１ｂ
が配置されていることにより、３μｍ未満の波長の光は
遮断され、３μｍ以上の波長領域の光だけが透過する。
また、このフィルター１１ｂは、多層膜による干渉フィ
ルターであり、光の反射も防止している。フィルター１
１ｂを透過した３μｍ以上の波長領域の光は、センサ１
１の受光部に入射し、光電変換され信号電荷となる。生
じた信号電荷は、赤外線受光装置の外部に出力される。

【００３３】このように、フィルターと一体化された冷
却型赤外線センサを組み込んだ赤外線受光装置は、コー
ルドフィルター付きの冷却ブロックを配置させずとも、
所望の波長領域の光を検出できる。従って、本発明の赤
外線受光装置は、Ｓ／Ｎ比を向上させるとともに、装置
全体を小型化にすることが可能となる。また、このこと
により、冷却を要する容積（センサ１１、コールドヘッ
ド１２、コールドシールド１３）は、冷却ブロックを配
置させた装置よりも小さくなり、冷却効率が向上する。

【００３４】

【発明の効果】以上のように、本発明の冷却型赤外線セ
ンサは、赤外線の入射する側の主面に所望の波長領域の
光を透過させるフィルターが密着配置されているので、
センサ単体でノイズの原因となる不要な波長領域の光を
遮断させ、所望の波長領域の光だけをセンサの受光部に
入射させることができる。このため、センサ単体でノイ
ズを低減させ、これに伴い、Ｓ／Ｎ比を向上させること
が出来るという効果がある。

【００３５】また、本発明の赤外線受光装置は、フィル
ターと一体化させた冷却型赤外線センサを用いているの
で、コールドフィルター付きの冷却ブロックを配置させ
る必要がない。このため、Ｓ／Ｎ比を向上させるととも
に、装置全体が小型になると言う効果がある。さらに、
それにより冷却効率が向上するにで、冷却機の冷却能力
が小さくて済むという効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】一実施例に係る本発明の冷却型赤外線センサの
断面図である。

【図２】一実施例にかかる本発明の赤外線受光装置の断
面図である。

【図３】従来の冷却型赤外線センサの平面図である。

【図４】図３のＡ−Ａ’の断面に相当する従来の冷却型
赤外線センサの部分断面図である。

【図５】従来の赤外線受光装置の断面図である。

【図６】図６は、従来の別の例を示す赤外線受光装置の
断面図である。

【符号の説明】

１、１７・・・シリコン基板 ２・・・白金シリサイド ３、１８・・・受光部（基板とシリサイドとの界面） ４・・・熱酸化によるシリコン酸化膜 ５・・・ガードリング ６・・・絶縁膜（ＰＳＧ） ７・・・金属反射膜 ８・・・保護膜（ＰＳＧ） ９・・・光 １０、１１ｂ・・・フィルター １１・・・冷却型赤外線センサ １１ａ・・センサ基板 １２・・・コールドヘッド １３・・・コールドシールド １４・・・開口部 １５・・・真空容器 １６・・・入射窓 １９・・・垂直電荷転送部 ２０・・・水平電荷転送部 ２１・・・出力端 ２２・・・反射防止膜 ２３・・・冷却ブロック ２４・・・コールドフィルター 以上

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の一方の主面上に、受光部が配置さ
   れた冷却型赤外線センサにおいて、 所望の波長領域の光を透過させるフィルターが、前記基
   板における赤外線の入射する側の主面に密着配置された
   ことを特徴とする冷却型赤外線センサ。
2. 【請求項２】 前記フィルターは、多層膜による干渉フ
   ィルターであり、０．７μｍ以上の波長の光を透過させ
   る長波長透過フィルターであることを特徴とする請求項
   １記載の冷却型赤外線センサ。
3. 【請求項３】 前記フィルターは、多層膜による干渉フ
   ィルターであり、１μｍ以上１２μｍ以下の波長の光を
   透過させる帯域透過フィルターであることを特徴とする
   請求項１記載の冷却型赤外線センサ。
4. 【請求項４】 前記フィルターは、多層膜による干渉フ
   ィルターであり、３μｍ以上５μｍ以下の波長の光、ま
   たは、８μｍ以上１２μｍ以下の波長の光を透過させる
   帯域透過フィルターであることを特徴とする請求項１記
   載の冷却型赤外線センサ。
5. 【請求項５】 光を入射させる入射窓を有する真空容器
   と、該真空容器内に前記入射窓に対向して設置され、所
   望の波長領域を透過させるフィルターが密着配置された
   冷却型赤外線センサと、前記入射窓に対向して配置され
   た開口部を有し前記冷却型赤外線センサを覆うように配
   置されたコールドシールド、及び、前記冷却型赤外線セ
   ンサ及び前記コールドシールドを冷却する冷却手段から
   なることを特徴とする赤外線受光装置。
6. 【請求項６】 前記フィルターは、多層膜による干渉フ
   ィルターであり、０．７μｍ以上の波長の光を透過させ
   る長波長透過フィルターであることを特徴とする請求項
   ５記載の赤外線受光装置。
7. 【請求項７】 前記フィルターは、多層膜による干渉フ
   ィルターであり、１μｍ以上１２μｍ以下の波長の光を
   透過させる帯域透過フィルターであることを特徴とする
   請求項５記載の赤外線受光装置。
8. 【請求項８】 前記フィルターは、多層膜による干渉フ
   ィルターであり、３μｍ以上５μｍ以下の波長の光、ま
   たは、８μｍ以上１２μｍ以下の波長の光を透過させる
   帯域透過フィルターを透過させる帯域透過フィルターで
   あることを特徴とする請求項５記載の赤外線受光装置。