JPH08334755A - 液晶表示装置用電極基板の製造方法およびそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】アクティブマトリクス型液晶表示装置に用いら
れる電極基板の製造方法、および、本発明の製造方法に
より製造された電極基板を用いた液晶表示装置に関す
る。 【構成】薄膜トランジスタ形成電極基板上に紫外線硬化
型接着剤を施し、切り欠きを端部角部に形成されたカラ
ーフィルターを持つ転写シートを用いて、前記電極基板
上にカラーフィルターを転写形成し、前記電極基板の薄
膜トランジスタ形成面側に、所定の形状にパターニング
され、カラーフィルターの前記切り欠き部より一部露出
したドレイン電極部位と電気的に接続した、透明導電膜
よりなる画素電極を形成し、少なくとも前記薄膜トラン
ジスタおよび配線を覆う遮光膜を所望の形状にて形成す
ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置用電極基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型液晶表示装置に用いられる電極基板の製造方法、およ
び、本発明の製造方法により製造された電極基板を用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置の
従来からの典型的な構造として、以下の構造のものが広
く採用されている。すなわち、図12に示すように、ガラ
ス等の透明基板８上に、薄膜トランジスタ15（以下、Ｔ
ＦＴ15と記す）、ダイオードおよびコンデンサー等より
なる素子、配線およびＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の
透明導電膜からなる画素電極12等が形成され表面に配向
膜13を持つ薄膜トランジスタ電極基板Ｃと、ガラス等の
透明基板８’上に、前記の素子部および配線部等とを隠
蔽する遮光膜11、および着色層３からなるカラーフィル
ター等が形成され、透明導電膜からなる対向電極10およ
び配向膜13を持つ電極基板Ｄとを別々に作成する。しか
る後、カラーフィルターを形成した電極基板Ｄと薄膜ト
ランジスタ電極基板Ｃとを一定の距離を持つよう対向さ
せた上で、両電極基板の間に液晶19を充填、封止するよ
う張り合わせ、液晶表示装置20とする構造である。なお
図12は、従来の液晶表示装置の構造例を簡単に図示した
ものであり、説明の都合上、簡略化した図としている。

【０００３】しかしながら、この従来からの構造では、
互いに対向する両電極基板の貼り合わせズレが発生する
ため、その貼り合わせ精度に相当する分だけ遮光膜11の
幅を大きく設計する必要があり、したがってカラーフィ
ルターの面積が小さくなり、画面全体に対する画素の占
有面積（開口率）が低下し、画面表示が暗くなるという
問題があった。また、上述した構造では、カラーフィル
タとなる着色層３と遮光膜11のオーバーラップ部位およ
びＴＦＴ15部位等が凸状となるため、その部位で配向膜
13に段差を生じていた。段差を持つ両電極基板を対向し
て貼り合わせると、ラビング処理の際に段差部で液晶分
子の配向性が不均一となる配向不良が生じ、それにより
表示不良となる等、カラー液晶表示の品位を大幅に劣化
させるという問題もあった。この問題を解決するため、
例えば特開平4-253028号公報にあるように、ＴＦＴ等を
形成した、薄膜トランジスタ電極基板上にカラーフィル
ターを形成することで開口率を向上し、かつ、配向膜の
平滑化を行う方法が提案されていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記提案の、薄膜トラ
ンジスタ電極基板上に直接カラーフィルターを形成する
方法では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を３回
に分けて、回転塗布法またはロールコート法等によりカ
ラーフィルターをパターニングするため、工程数が多く
効率が悪いという問題がある。また、上記の塗布法で
は、形成されたカラーフィルターに、部分的に塗布膜厚
が異なる塗布ムラ、スジ状に塗布膜厚が異なるスジム
ラ、および、部分的にパターニングされない部位が出来
る白ムラ等の不良が発生し薄膜トランジスタ電極基板と
しての歩留まりが悪くなりやすく、せっかく形成した薄
膜トランジスタ電極基板が生かされない等の問題もあっ
た。本発明は、上記の問題を改善することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置用電極基板の製造方
法において、 透明基板上に少なくとも薄膜トランジスタからなる
素子、および、配線が形成された薄膜トランジスタ形成
電極基板の薄膜トランジスタ形成面側に、硬化した時点
で透明である非加熱紫外線硬化型接着剤を施し、 前記薄膜トランジスタのドレイン電極を一部露出さ
せる切り欠きを端部角部に形成されたカラーフィルター
を支持シート上に持つ転写シートを、前記カラーフィル
ターと薄膜トランジスタ形成面とを対向させて貼り合わ
せ、しかる後、前記電極基板の薄膜トランジスタ非形成
面側から紫外線を照射し、前記電極基板の光透過部上の
接着剤を光硬化させた後、支持シートを剥がすことで前
記電極基板上にカラーフィルターを転写形成し、 前記素子および配線上の未露光未硬化の接着剤を除
去した後、前記電極基板の薄膜トランジスタ形成面側全
面に透明導電膜を形成後、これを所定の形状にパターニ
ングし、カラーフィルターの前記切り欠き部より露出し
たドレイン電極部位と電気的に接続した、透明導電膜よ
りなる画素電極を形成し、 少なくとも前記薄膜トランジスタ領域および配線領
域を覆う遮光膜を所望の形状にて形成し、 前記薄膜トランジスタ形成電極基板の薄膜トランジ
スタ形成面側に保護膜を形成する、 上記〜の工程を具備することを特徴とするアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置用電極基板の製造方法を提
供することで、上記の課題を解決したものである。

【０００６】以下に図面を用い、本発明の説明を行う。
本発明においては、液晶表示装置用電極基板を製造する
に際して、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色よりな
るカラーフィルターを支持シート１上に形成した転写シ
ートを作成し、転写シート上の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の３色よりなるカラーフィルターを、薄膜トラン
ジスタ等を形成した電極基板上に転写するものである。

【０００７】そのため、まず、図１の例に示すように、
支持シート１上に剥離層２を介して赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の３色よりなるカラーフィルター着色
層３を形成した転写シート18を作成しておく。なお、図
10の平面図に示すように、カラーフィルター着色層３
は、薄膜トランジスタ等を形成した電極基板上に転写さ
れた際、ＴＦＴのドレイン電極５を一部露出するよう、
端部に切り欠き17を持つように形成しているものであ
り、以下に示す説明図は、図10中のＸ−Ｘ線上の断面を
記したものである。なお、切り欠き17の位置および大き
さは、図10のそれに限定されるものでなく、液晶表示装
置用電極基板の仕様により適宜設定することが望ましい
といえる。また、支持シート１の材質として、42合金
（鉄−ニッケル合金）もしくは鋼材（アルミキルド材）
等を用いることが本願出願人より提案されているもので
ある。

【０００８】一方、図２の例に示すように、例えばガラ
ス基板等の透明基板８上に、公知の方法によりソース電
極４、ドレイン電極５およびゲート電極６等よりなるＴ
ＦＴ15およびコンデンサー等よりなる素子と配線からな
るＴＦＴ回路を形成した基板（以下、ＴＦＴ形成電極基
板16と記す）を得る。図２中、開口部７領域は後述する
ようにカラーフィルターが形成され赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の画素となる部位であり、光透過部と
なっている。

【０００９】次いで、図３に示すように、ＴＦＴ形成電
極基板16のＴＦＴ15が形成された面と、転写シート18の
着色層３が形成された面とを対向させ、転写シート18の
位置を制御しながらＴＦＴ形成電極基板16に重ね合わせ
る。その際、図３に示すように、ＴＦＴ形成電極基板16
と転写シート18の間に、硬化した時点で透明である非加
熱紫外線硬化型接着剤層９を形成するものである。

【００１０】なお、重ね合わせの際、接着剤層９に、気
泡等の異物を発生させないようにすることが望ましい。
そのため、本発明者らは、例えば、後述する実施例に記
したように、ロールプレスを用いＴＦＴ形成電極基板16
と転写シート18との重ね合わせを行った。すなわち、図
13に示すように、ＴＦＴ形成電極基板16のＴＦＴ15形成
面に液状の接着剤21を滴下後、転写シート18を位置合わ
せを行いつつＴＦＴ形成電極基板16に重ね合わせ、同時
にロールプレス22等にて圧力を掛けることで滴下した接
着剤21を押し広げつつ、かつ、余分な接着剤および気泡
を押し出しながら、両者の重ね合わせを行うものであ
る。

【００１１】次いで、図４に示すように、ＴＦＴ形成電
極基板16のＴＦＴ非形成面側から紫外線を照射して開口
部７の接着剤層９’を光硬化させる。これにより、着色
層３は、ＴＦＴ形成電極基板16に接着される。なお、素
子および配線等の上に乗っている接着剤層９部位は、素
子および配線等が照射された紫外線を遮光するため、未
露光となり光硬化しない。

【００１２】次いで図５に示すように、剥離層２と共に
支持シート１を剥離することで、ＴＦＴ形成電極基板16
上にカラーフィルター着色層３を形成したのち、図６に
示すように素子および配線等の上の未露光未硬化の接着
剤層９をアルカリ液等で洗浄して洗い流す。

【００１３】次いで、ＴＦＴ形成電極基板16のＴＦＴ形
成面側に透明導電膜、例えばＩＴＯ膜を全面に形成した
後、フォトリソグラフィ法等を用いＩＴＯ膜をエッチン
グして、図７のように所定の形状にパターニングされた
ＩＴＯよりなる透明な画素電極12を得る。なお、画素電
極12とＴＦＴのドレイン電極５とは、図10で示した着色
層３の切り欠き17部にて電気的接続が成されているもの
である。

【００１４】次いで、フォトリソグラフィ法等を用い、
図８のように少なくとも素子と配線とを覆う遮光膜11を
所望の形状に形成する。なお、遮光膜11の役目として、
ＴＦＴ等の素子に光が入射することを防止するととも
に、各画素の輪郭をはっきりとし、コントラストを向上
させる役目を持つものである。このため、遮光膜11は図
８に示すように各画素部、すなわち、各着色層３の端辺
領域にオーバーラップを持つよう形成することが望まし
いといえる。

【００１５】また、遮光膜11は、画素電極12表面とで段
差が生じぬよう、遮光性を損なわない範囲で適宜膜厚を
調整し、遮光膜11表面と画素電極12表面とで表面平滑な
面を得るようにすることが望ましい。また、遮光膜11は
隣接する画素電極12同志の電気的短絡を防止するため、
顔料を含有させたことで遮光性を持たせた、非導電性の
感光性樹脂等を用いることが望ましいといえる。

【００１６】次いで、図９に示すように、ＴＦＴ15を湿
気等から保護するために、ＴＦＴ形成電極基板16表面に
保護膜14を形成し、カラーフィルターを有するアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置用電極基板を得るものであ
る。

【００１７】次いで、上述した、本発明により製造され
たアクティブマトリクス型液晶表示装置用電極基板を用
い、図11に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置を
得るものである。すなわち、透明基板８’上に、ＩＴＯ
等の透明導電膜よりなる対向電極10および配向膜13等を
形成した電極基板Ａと、上述した本発明により製造さ
れ、配向膜13を形成したアクティブマトリクス型液晶表
示装置用電極基板Ｂとを、一定の距離を持つよう対向さ
せた上で、両電極基板の間に液晶19を充填、封止するよ
う張り合わせ、アクティブマトリクス型液晶表示装置20
とするものである。なお、図11は本発明による液晶表示
装置の構造例を、簡単に図示したものであり、説明の都
合上、簡略化した図としている。

【００１８】

【作用】本発明によれば、予め作成した転写シートから
カラーフィルターをＴＦＴ形成電極基板上に転写し形成
するため、従来法で生じていた問題、すなわち、着色層
３の各色を順にＴＦＴ形成電極基板上に直接形成する
際、カラーフィルターの形成不良を生じＴＦＴ基板の歩
留まりが低下するという問題を防止できる。また、転写
シートにより一括してＴＦＴ形成電極基板へカラーフィ
ルターを形成する方式は、従来法に比べ工程が少なくて
すみ、生産効率を向上できるといえる。

【００１９】また、本発明により製造されたＴＦＴ形成
電極基板は、遮光膜表面と画素電極表面とでほぼ表面平
滑な面を得られるため、ＴＦＴ形成電極基板上に形成さ
れる配向膜面も平坦化が可能となる。このため、本発明
により製造されたアクティブマトリクス型液晶表示装置
用電極基板を用い、液晶表示装置を構成する際、液晶分
子を一様に配向させるためのラビング処理が確実に行わ
れ液晶の配向不良を防止でき、表示品質の良い液晶表示
装置を得られる。

【００２０】

【実施例】以下に、本発明のアクティブマトリクス型液
晶表示装置用電極基板の製造方法の実施例を示し、さら
に説明を行う。 ＜実施例＞図１は、本発明に用いる転写シート18の例を
示している。支持シート１上に、例えば光硬化ポリビニ
ルアルコールからなる剥離層２が形成され、この剥離層
２の上に３色の着色層３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ（以下、単に着
色層３という）が互いに隣り合うように平面的に配列さ
れてなるカラーフィルター層が形成されている。

【００２１】支持シート１は、42合金（鉄−ニッケル合
金、ニッケル42重量％、残部鉄）を使用し、厚さは 110
μｍとした。なお、この支持シート１には、各着色層３
Ｒ、３Ｇ、３Ｂの形成の際の位置合わせ、および、着色
層３とＴＦＴ形成電極基板16との間の位置合わせのため
のアライメントマークを付与することが望ましいため、
着色層３の形成に先だって、剥離層２を形成する前の支
持シート１の所定の部位にアライメントマークを、フォ
トリソグラフィー法またはレーザー光などによって形成
した。

【００２２】支持シート１によく接着し、かつ、着色層
３との剥離性が良好である光硬化ポリビニルアルコール
からなる剥離層２の厚さを10μｍ程度とし、表面の平滑
度は0.1μｍ程度とした。なお剥離層２は、ポリビニル
アルコールに、例えば重クロム酸塩、クロム酸塩、また
はジアゾ化合物など光架橋剤を加えた混合物を支持シー
ト１上に平坦に塗布し、加熱しながら紫外線を照射して
硬化させることで形成した。

【００２３】この硬化した剥離層２の上に着色層３を、
公知のフォトリソグラフィー法を用いた顔料分散法によ
り形成した。なお、着色層３は、図10に示すように、後
述するＴＦＴ形成電極基板16への転写の際、ＴＦＴ15を
構成するドレイン電極５を露出するよう端部角部に切り
欠き17を持つよう形成した。また、この着色層３の形成
方法としては、従来から知られているフォトリソグラフ
ィー法、印刷法、電着法など、いずれも採用できるもの
であり、フォトリソグラフィー法としては、顔料分散法
の他に染色法も可能である。なお、着色層３は、支持シ
ート１から見て、逆テーパー状に仕上げれば、ＴＦＴ形
成電極基板16に転写した際、ＴＦＴ形成電極基板16に対
して順テーパーとなり、後述する画素電極12の形成の
際、画素電極12の断線を防止することが出来るので望ま
しいといえる。

【００２４】以上のようにして作成された転写シート18
を用いて、ＴＦＴ形成電極基板16にカラーフィルターを
形成する方法を以下に述べる。図２に示すように、公知
の方法によりガラスよりなる透明基板８上に、ＴＦＴ15
およびコンデンサー等よりなる素子および配線を形成
し、ＴＦＴ形成電極基板16を得た。

【００２５】次いで、図３に示すように、ＴＦＴ形成電
極基板16のＴＦＴ15が形成された面と、転写シート18の
着色層３が形成された面とを対向させ、転写シート18の
位置を制御しながらＴＦＴ形成電極基板16に重ね合わせ
た。このとき、図３に示すように、ＴＦＴ形成電極基板
16と転写シート18の間に、硬化した時点で透明である非
加熱紫外線硬化型接着剤層９を形成した。

【００２６】その際、図13に示すように、ＴＦＴ形成電
極基板16のＴＦＴ15形成面に、例えばアクリレート系の
透明な紫外線硬化型樹脂を接着剤21として滴下後、転写
シート18を、位置合わせを行いつつ、ロールプレス22に
て５kg／cm² の圧力でＴＦＴ形成電極基板16に重ね合わ
せた。

【００２７】次いで、図４に示すように、ＴＦＴ非形成
面側から紫外線を照射して、素子および配線部等を除い
た開口部７部位の接着剤を光硬化させ、ＴＦＴ形成電極
基板16に着色層３の接着を行った。この時、前述したよ
うに、素子および配線上に乗っている接着剤層９部位
は、ＴＦＴ15および配線等が照射された紫外線を遮光す
るため、未露光となり光硬化しない。

【００２８】次いで、図５に示すように、剥離層２を持
つ支持シート１を取り除いた後、開口部７部位の接着剤
層９’が硬化したＴＦＴ形成電極基板16をアルカリ液等
で洗浄し、未露光未硬化の接着剤を除去した。これによ
り、図６に示すように、素子および配線上の未露光未硬
化の接着剤層９が洗浄除去され、ＴＦＴ15および配線等
の表面が現われる。

【００２９】次いで、スパッタ等によりＩＴＯ膜を、Ｔ
ＦＴ形成電極基板16のＴＦＴ形成面側全面に蒸着形成
し、これをフォトリソグラフィー法等を用いエッチング
した。これにより、図７に示すように、所定の形状にパ
ターニングされた画素電極12を、カラーフィルター（着
色層３）上に作成した。なお、画素電極12は、前述した
着色層３の切り欠き17領域にて、ドレイン電極５と電気
的接続がなされた。

【００３０】次いで図８に示すように遮光膜11を、適切
な厚さにて素子および配線等を覆うよう、所望の形状に
形成した。なお遮光膜11は、前述したように、非導電性
の感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィー法等を用い
所定の部位に形成したものであり、樹脂中にレッド、ブ
ルー、イエロー、バイオレット等の顔料を適宜加えたこ
とで遮光性を持たせたものである。また、遮光膜11は、
画素電極12表面との段差が生じぬよう、遮光性を損なわ
ない範囲で適宜膜厚を調整し、遮光膜11表面と画素電極
12表面とで平滑な面を得た。

【００３１】次いで、図９に示すように、ＴＦＴ形成電
極基板16のＴＦＴ形成面側に保護膜14を形成し、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置用電極基板を得た。

【００３２】以上の、本発明の製造方法で得られたアク
ティブマトリクス型液晶表示装置用電極基板の表面は、
ほぼ平滑になり、図11に示すように、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置用電極基板上に形成した配向膜13も
平坦に形成することができた。なお、本発明の形態は、
上記実施例に限定されるものではなく、使用する材質、
膜厚、カラーフィルターの色、ＴＦＴの構造等種々の条
件を変更できることは言う迄もない。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、予め作成した転写シー
トからカラーフィルターをＴＦＴ形成電極基板上に転写
し形成するため、従来法で生じていた問題、すなわち、
着色層３の各色を順にＴＦＴ形成電極基板上に直接形成
する際、カラーフィルターの形成不良を生じＴＦＴ基板
の歩留まりが低下するという問題を防止できる。また、
転写シートにより一括してＴＦＴ形成電極基板へカラー
フィルターを形成する方式は、従来法に比べ工程が少な
くてすみ、生産効率を向上できるといえる。

【００３４】また、本発明により製造されたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置用電極基板は、遮光膜表面と
画素電極表面とでほぼ表面平滑な面を得られるため、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置用電極基板上に形成
される配向膜面も平坦化が可能となる。このため、本発
明により製造されたアクティブマトリクス型液晶表示装
置用電極基板を用い、アクティブマトリクス型液晶表示
装置を構成する際、液晶分子を一様に配向させるための
ラビング処理が確実に行われ液晶の配向不良を防止で
き、表示品質の良い液晶表示装置を得られる。次いで、
本発明では、遮光膜をＴＦＴ形成電極基板上に直接形成
しており、従来のように、別々に製造した電極基板同士
を対向させて重ね合わせる際に生じるズレ等を考慮し、
遮光膜領域を無闇に大きくする必要が無くなるといえ
る。このため、遮光膜領域を必要最小限の領域のみに形
成すれば良いといえ、画素の開口率（表示面積）を大き
くでき、明るくコントラストの高い液晶表示装置を得ら
れる等、本発明は、実用上優れているといえる。

【００３５】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いる転写シートの一実施例を示す断
面説明図。

【図２】本発明の液晶表示装置用電極基板の製造方法の
一実施例を工程順に示す説明図。

【図３】本発明の液晶表示装置用電極基板の製造方法の
一実施例を工程順に示す説明図。

【図４】本発明の液晶表示装置用電極基板の製造方法の
一実施例を工程順に示す説明図。

【図５】本発明の液晶表示装置用電極基板の製造方法の
一実施例を工程順に示す説明図。

【図６】本発明の液晶表示装置用電極基板の製造方法の
一実施例を工程順に示す説明図。

【図７】本発明の液晶表示装置用電極基板の製造方法の
一実施例を工程順に示す説明図。

【図８】本発明の液晶表示装置用電極基板の製造方法の
一実施例を工程順に示す説明図。

【図９】本発明の液晶表示装置用電極基板の製造方法の
一実施例を工程順に示す説明図。

【図１０】本発明におけるドレイン電極と着色層の重な
りの一例を示す一部拡大平面図。

【図１１】本発明により製造された液晶表示装置用電極
基板を用いた液晶表示装置の構成例を示す断面説明図。

【図１２】従来の液晶表示装置の構成例を示す断面説明
図。

【図１３】転写シートとＴＦＴ形成電極基板との重ね合
わせの一例を示す断面説明図。

【符号の説明】

１ 支持シート ２ 剥離層 ３ 着色層 ４ ソース電極 ５ ドレイン電極 ６ ゲート電極 ７ 開口部 ８ 透明基板 ９ 接着剤層 10 対向電極 11 遮光膜 12 画素電極 13 配向膜 14 保護膜 15 ＴＦＴ 16 ＴＦＴ形成電極基板 17 切り欠き 18 転写シート 19 液晶 20 液晶表示装置 21 接着剤 22 ロールプレス

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に少なくとも薄膜トランジ
   スタからなる素子、および、配線が形成された薄膜トラ
   ンジスタ形成電極基板の薄膜トランジスタ形成面側に、
   硬化した時点で透明である非加熱紫外線硬化型接着剤を
   施し、 前記薄膜トランジスタのドレイン電極を一部露出さ
   せる切り欠きを端部角部に形成されたカラーフィルター
   を支持シート上に持つ転写シートを、前記カラーフィル
   ターと薄膜トランジスタ形成面とを対向させて貼り合わ
   せ、しかる後、前記電極基板の薄膜トランジスタ非形成
   面側から紫外線を照射し、前記電極基板の光透過部上の
   接着剤を光硬化させた後、支持シートを剥がすことで前
   記電極基板上にカラーフィルターを転写形成し、 前記素子および配線上の未露光未硬化の接着剤を除
   去した後、前記電極基板の薄膜トランジスタ形成面側全
   面に透明導電膜を形成後、これを所定の形状にパターニ
   ングし、カラーフィルターの前記切り欠き部より露出し
   たドレイン電極部位と電気的に接続した、透明導電膜よ
   りなる画素電極を形成し、 少なくとも前記薄膜トランジスタ領域および配線領
   域を覆う遮光膜を所望の形状にて形成し、 前記薄膜トランジスタ形成電極基板の薄膜トランジ
   スタ形成面側に保護膜を形成する、 上記〜の工程を具備することを特徴とするアクティ
   ブマトリクス型液晶表示装置用電極基板の製造方法。
2. 【請求項２】遮光膜を、顔料を含有する非導電性樹脂に
   て形成することを特徴とする請求項１記載のアクティブ
   マトリクス型液晶表示装置用電極基板の製造方法。
3. 【請求項３】請求項１または２記載の製造方法によって
   作成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置用電極
   基板と、前記電極基板に対向し、表面に透明導電膜より
   なる対向電極を有する透明基板よりなる電極基板と、前
   記両基板の間に充填、封止される液晶とを少なくとも有
   することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示
   装置。