JPH08335317A - 光情報記録方法及び光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 少なくとも基板及びＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＳ
ｉの四元素の特定組成を有する記録層からなる相変化型
光情報記録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位置
に対応させて、符号化規則により記録情報から変換した
符号列を記録することを特徴とする光情報記録方法及び
その方法により得られた光情報記録媒体。 【発明の効果】 本発明の方法によれば、記録ー線密度
を格段に向上でき、また単一ビームによるオーバーライ
ト特性として実用上十分なジッタ特性を示すピットエッ
ジ記録が可能となり、さらに本発明によって得られた光
情報記録媒体を再生すると、ビットエラーレートが実用
上問題ない程度に低く、特に、画像情報の場合は非常に
良好な画質が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録を達成する
新規な光情報記録方法及びそれによって得られた光情報
記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、膨大な情報量を記録・再生・消去
する手段として、光情報記録媒体の研究開発が盛んに行
われている。特に、結晶質と非晶質との二状態間で可逆
的に相変化する光学記録層を利用して情報の記録・消去
を行う、いわゆる相変化型光ディスクは、レーザー光の
パワーを変化させるだけで古い情報を消去しながら、同
時に新たな情報を記録する（以下、オーバーライト記録
と称する）ことができるという利点を有していることか
ら、有望視されている。

【０００３】例えば、相変化記録材料として、特開昭６
２−５３８８６号公報にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金が、また
特開昭６１−２５８７８７号公報ではＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
−Ｍ（Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉから選ばれる金属）が
開示されている。

【０００４】一方、デジタル情報の記録方法としては、
符号化規則により記録情報から変換した符号列を、記録
マークの長さを一定とし該記録マークの中心に該符号列
の１を対応させて記録する方法（以下、ピットポジショ
ン記録方法と称する）と、記録マークの長さを可変と
し、該記録マークの前端部及び後端部の位置に該符号列
の１を対応させて記録する方法（以下、ピットエッジ記
録方法と称する）とが提案されている。一つの記録マー
クに対応させられる情報量がピットポジション記録方法
よりもピットエッジ記録方法の方が多いことから、原理
的に、情報の記録密度としてはピットポジション記録方
法よりもピットエッジ記録方法の方が高くなる。

【０００５】上記ピットエッジ記録方法が用いられてい
る光情報記録媒体としては、既に、コンパクトディスク
（以下、ＣＤと称す）と呼ばれる読み出し専用の媒体が
実用化されている。また、特開平４−２２６３９０号公
報にフタロシアニン色素を用いた追記型光記録媒体が開
示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、相変化
型光ディスクについては、前記の特開昭６２−５３８８
６号及び、特開昭６１−２５８７８７号の他に、特開平
４−６９２８２号等が知られているが、これらの公報の
中には、ピットエッジ記録についての記載、示唆は全く
ない。

【０００７】なお、特開平４−６９２８２号には、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓｉからなる記録膜の高速消去特性に関
する技術開示があるものの、ピットエッジ記録について
の言及は全くない。当時、該高速消去特性とピットエッ
ジ記録媒体におけるオーバーライトジッタ特性とは相関
が見られない（第６回相変化記録研究会シンポジウム’
９４、６４−６９頁参照）、即ち、ディスクを高回転で
回転させた時に低回転時と同じ高消去率が得られる高速
消去特性を有する記録媒体であっても、ピットエッジ記
録方法におけるオーバーライトジッタは増大してしまう
ので、このような材料を用いてピットエッジ記録方法を
行うという考えはなかったと考える。

【０００８】このようなことから、従来、実用に供しう
るピットエッジ記録可能な相変化型光ディスクについて
は知見がなかった。従って、当業界において、相変化型
光ディスクを用いたピットエッジ記録についての有効な
技術が切望されていた。

【０００９】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らはピ
ットエッジ記録媒体に関して鋭意研究を重ねた結果、記
録層材料として特定の組成のＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓｉ材
料を用いることにより、予想外にオーバーライトジッタ
が低減できることを見い出し、本発明を完成するに至っ
た。

【００１０】即ち、本発明は、少なくとも基板及び記録
層からなり、該記録層が少なくともゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）及びシリコ
ン（Ｓｉ）の四元素から構成され、かつ前記四元素の組
成が下記一般式（１）で表される相変化型光情報記録媒
体に、記録マークの前端部と後端部の位置に対応させ
て、符号化規則により記録情報から変換した符号列を記
録することを特徴とする光情報記録方法を提供する。

【００１１】 （Ｇｅ_1-KＳｉ_K）_XＴｅ_YＳｂ_Z ・・・・（１） ただし Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１ ０．１≦Ｘ≦０．５ ０．４≦Ｙ≦０．６ ０．０５≦Ｚ≦０．４ ０．０５≦Ｋ≦０．５ ここでＸ、Ｙ、Ｚ、Ｋはそれぞれ原子数比を表す。

【００１２】また、上記で特定された相変化型光情報記
録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位置に対応さ
せて、符号化規則により記録情報から変換した符号列が
記録されていることを特徴とする光情報記録媒体を提供
する。また、本発明によれば、上記の記録情報がデジタ
ル化した動画もしくは静止画を含む情報であることを特
徴とする光情報記録媒体も提供する。

【００１３】本発明で用いられる光情報記録媒体の記録
層は、少なくともＧｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、及びＳｉの四元素
から構成され、かつ前記四元素の組成関係が下記一般式
（１）で表される。 （Ｇｅ_1-KＳｉ_K）_XＴｅ_YＳｂ_Z ・・・・（１） ここでＸ、Ｙ、Ｚ、Ｋはそれぞれ原子数比を表し、次の
（２）式を満たす。

【００１４】 Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１ ・・・・・・・・・・（２） 上記（１）式の内、Ｘが０．１未満の場合、低パワーの
光照射によっても、光学特性の変化が生じてしまい、再
生光によるデータ安定性、また高温環境下でのデータ安
定性が低下する。またＸが０．５を越えると、記録する
為に高レーザーパワーが必要となり、実用的な半導体レ
ーザーを用いた記録が困難になる。従ってＸの範囲とし
ては、０．１以上０．５以下が好ましく、さらに好まし
くは０．１以上０．４以下である。

【００１５】一方、上記（１）式の内、Ｙが０．４未満
の場合、アモルファス状態から結晶状態へ転移する時の
結晶化温度が高くなり、結晶化に要する時間が長くなる
ことから好ましくない。またＹが０．６を越えると、記
録層内において組成偏析が起こり良好な初期特性を得ら
れなくなる。従ってＹの範囲としては、０．４以上０．
６以下が好ましい。さらに０．４以上０．５５以下とす
ることにより優れた繰り返し耐久性を付与することがで
きる。

【００１６】また、上記（１）式の内、Ｚが０．０５未
満の場合、光照射による光学特性変化が小さく十分な光
学的なコントラストがとれず従ってＣ／Ｎ比も低く、ま
たＺが０．４を越えると、結晶状態として単相が得られ
ず記録消去の繰り返しにより特性が変化するため好まし
くない。従ってＺの範囲としては、０．０５以上０．４
以下が好ましい。

【００１７】さらに、上記（１）式の内、Ｋが０．０５
未満の場合、オーバーライトジッターの低減に対する効
果が低くなる。また、Ｋが０．５を越えると、アモルフ
ァス状態から結晶状態へ転移する時の結晶化温度が高く
なり、結晶化に要する時間が長くなることから好ましく
ない。従って、Ｋの範囲としては、０．０５以上０．５
以下が好ましい。

【００１８】本発明に用いる記録層は少なくともＧｅ、
Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｉから構成され、優れた光学特性を有す
るとともに、ピットエッジ記録の際のオーバーライトジ
ッタの低減に優れた効果を発現する。また、本発明にお
いて特定された記録層は、３５０ｎｍから７００ｎｍの
波長域において優れた光学特性を示す。さらに本発明に
用いる記録層には、例えばＢｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｓｅから
選ばれる元素を添加することが可能で、特にＢｉを添加
した場合高速結晶化に優れる材料を得ることができ、ま
たＡｌを添加した場合、繰り返し耐久性に優れる記録層
を得ることができる。

【００１９】記録層の作製方法としては、蒸着法やスパ
ッタ法やイオンプレーティング法を用いる事が可能であ
るが、組成を制御しやすいことからスパッタ法を用いる
事が好ましい。またこの際、種々の成分のターゲットを
用いた共スパッタ法により記録層を作製することも可能
である。本発明における光情報記録媒体は、記録層、誘
電体、反射層を透明基板上に順次形成することができ、
好ましくは記録層と基板との間に誘電体が形成された四
層構造とすることができる。

【００２０】さらに詳しく述べると、透明基板上に、前
述の蒸着法やスパッタ法やイオンプレーティング法によ
って第一の保護層、光学的記録層、第二の保護層、反射
層を順次積層する。第一、二の誘電体層には耐熱性が高
く融点が１０００℃以上の材料、例えば、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂ 混合物、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ
₄ 等を用いることができる。反射層としては、例えば、
Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｓｉ、Ｇｅ等、またそれらからなる合金を用いることが
できる。

【００２１】記録層の膜厚としては、５ｎｍ以下では十
分な記録感度を得ることができず、１００ｎｍ以上は光
学的コントラストおよび分解能の点で問題が生じ好まし
くない。従って記録層の膜厚としては５ｎｍから１００
ｎｍの範囲が望ましい。第一の保護層の膜厚については
特に規定はないが、第二の保護層の膜厚については５ｎ
ｍから５０ｎｍの範囲が望ましい。第二の保護層の膜厚
が、５ｎｍ以下では記録感度が低下し５０ｎｍ以上では
繰り返し特性が低下する。さらに反射層の膜厚について
は、３０ｎｍ以上が好ましい。

【００２２】また、上記第二の誘電体は使用するレーザ
ーの波長に対して完全に透明である必要はなく、複素屈
折率ｎ’＝ｎ＋ｋｉ（ｎは屈折率、ｋは消衰係数、ｉは
虚数単位）で表されるｋが１以下の材料であれば使用で
きる。さらに、その様な層を記録層と第二の誘電体層と
の間に挿入させた五層構造とすることも可能である。ま
た前記四層構造における反射層の上部に熱的な物性を調
整するための第五の層を形成することも可能で、この場
合第五の層としてＡｕ、Ａｌまたはそれらを含む合金な
ど高反射性の材料を用いることが好ましい。

【００２３】本発明に用いる光情報記録媒体は、優れた
ピットエッジ記録特性を示す。この媒体を用いた記録方
法としては、符号化規則により記録情報を符号列に変換
し、該符号の１に対応して記録レーザーパワーをオン
し、次の符号１に対応してオフすることにより記録レー
ザーパルスを作製し、そのパルスを媒体に照射し記録マ
ークを作製する。従って記録マークの前端部と後端部の
位置に情報が記録されることになる。さらにピットエッ
ジ記録によると、符号１と次の符号１との間にある符号
０の個数の違いにより記録マークの長さが異なることに
なる。この際、長いマークを記録する場合、該マークの
後方部にいくに従って、前方部からの熱流入により温度
上昇が大きくなり、その結果、記録マークは所定の長さ
より長くなりやすい。逆に短いマークを記録する場合
は、予熱不足により該記録マークは所定の長さより短く
なりやすい。従って、双方の記録マークの両端の相対位
置が、記録すべき位置から相対的にずれる場合が起こり
得る。このような場合には、前記にて作製したレーザー
パルスを、複数に分割しオンオフを繰り返して照射（以
下、マルチパルスと記す）することにより、記録マーク
の大きさ・形状をより正確に制御でき得ることから、こ
の方式を用いることが望ましい。

【００２４】また該記録マークの長さは、用いる符号化
規則により異なるが、本発明はこれにより限定されるも
のではない。

【００２５】

【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもので
はない。 （特性評価条件） ピットエッジ記録条件 ディスク状の光情報記録媒体を３６００ｒｐｍで回転さ
せ半径３２ｍｍの位置において特性評価を行なった。光
学系としてはレーザー波長６８０ｎｍを用いた。符号化
規則については、１−７ＲＬＬ変調方式を用いた。記録
方法としては図２に示す様に、符号”１”でレーザーパ
ワーを１３ｍＷ（記録パワー）にし、次に符号が”１”
になった時レーザーパワーを５ｍＷ（消去パワー）に変
化させ、これをオーバーライト記録時のレーザーパルス
照射条件として用いた。初期特性評価としては、２Ｔｗ
信号〔記録周波数：ｆ１（ＭＨｚ）〕を用いて記録を行
なった時のＣ／Ｎ値と、さらに７Ｔｗ信号〔記録周波
数：ｆ２（ＭＨｚ）〕でオーバーライトした時の２Ｔｗ
信号のオーバーライト消去率（ΔＣ）、さらにこの時の
７Ｔｗ信号のオーバーライトジッタ値の測定を行なっ
た。この際のジッタ値の測定には、ジッタアナライザー
を用い、σ／Ｔｗ値（σ：標準偏差値、Ｔｗ：ウインド
ウ幅）により評価した。 ピットポジション記録条件 上記と同じ回転数、半径位置及び光学系を用い、符号
化規則としては２−７ＲＬＬ変調方式を用いた。記録方
法としては図３に示す様に、符号”１”でレーザーパワ
ーを１３ｍＷ（記録パワー）にし、符号”０”でレーザ
ーパワーを５ｍＷ（消去パワー）に変化させ、これをオ
ーバーライト記録時のレーザーパルス照射条件として用
いた。初期特性評価としては、３Ｔｗ信号〔記録周波
数：ｆ１（ＭＨｚ）〕を用い記録を行なった時のＣ／Ｎ
値と、さらに８Ｔｗ信号〔記録周波数：ｆ２（ＭＨ
ｚ）〕でオーバーライトした時の３Ｔｗ信号のオーバー
ライト消去率（ΔＣ）、さらにこの時の８Ｔｗ信号のオ
ーバーライトジッタ値の測定を行なった。なお、この際
のジッタ値の測定は、前述の場合と同じである。 安定性評価方法 前記の条件により一回オーバーライト記録を行なっ
た後、特性評価を行ない、さらに該光情報記録媒体につ
いて９０℃、相対湿度８０％の条件で３００時間の環境
試験を行なった。その後ピットエッジ記録媒体の場合は
７Ｔｗ信号のジッタ値を、ピットポジション記録媒体の
場合は８Ｔｗ信号のジッタ値を測定し、安定性評価とし
た。 繰り返し耐久性の評価方法 前記の記録条件で一万回繰り返しオーバーライト記
録を行い、その後ピットエッジ記録媒体の場合は７Ｔｗ
信号のジッタ値を、ピットポジション記録媒体の場合は
８Ｔｗ信号のジッタ値を測定し、繰り返し耐久性の評価
を行なった。 オーバーライトジッタ値（σ／Ｔｗ）とビットエラー
レート（ＢＥＲ）の関係について。

【００２６】再生信号におけるジッタ値の分布を正規分
布であると仮定して計算した、ビットエラーレートとオ
ーバーライトジッタ値との関係を図１に示す。このビッ
トエラーレートが５×１０^-4を越えるとエラー訂正が不
可能になり、データの正しい再生ができなくなる。従っ
て実用的にデータを正確に再生する為には、オーバーラ
イトジッタ値として１４．３％以下が必要であることが
わかる。

【００２７】

【実施例１】スライドガラス上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ
₂ （ＳｉＯ₂ ：２０ｍｏｌ％）からなるターゲットを用
いＲＦスパッタ法により膜厚３５ｎｍの第一の保護層を
形成した。次にＧｅＴｅＳｂＳｉ合金からなるターゲッ
トを用いＤＣスパッタ法により膜厚２０ｎｍの記録層を
形成した。この時の記録層組成は、下記（１）式におい
て、Ｘ＝０．２５、Ｙ＝０．５３、Ｚ＝０．２２、Ｋ＝
０．４０であった。

【００２８】 （Ｇｅ_1-KＳｉ_K）_XＴｅ_YＳｂ_Z ・・・・（１） さらにＺｎＳ−ＳｉＯ₂ （ＳｉＯ₂ ：２０ｍｏｌ％）か
らなる膜厚９０ｎｍの第二の保護層を、そしてＡｌＣｒ
からなる１５０ｎｍの反射層を順次スパッタ法により形
成した。本サンプルの波長５００ｎｍにおける光反射率
を分光光度計を用い測定した。さらに本サンプルを電気
炉により加熱処理を行った後、前記と同様に光反射率を
測定した。結果を表１に示す。尚、記録層のみ成膜した
サンプルをＸ線回折法により測定した結果、加熱処理前
はアモルファス状態であることと、更に加熱処理により
結晶状態が得られることを確認した。

【００２９】表１から、本発明の記録材料はアモルファ
ス状態から結晶状態への反射率変化が２０％以上であ
り、かつ光学的コントラストとなる下記（２）式で表さ
れる変調度が０．６７３と大きくとれ、優れた光学特性
を示すことからこの波長域を使用することによる高密度
記録消去及び再生が可能であることがわかる。 （Ｒc−Ｒa）／（Ｒc＋Ｒa）・・・・（２） Ｒc ：結晶状態の反射率 Ｒa ：アモルファス状態の反射率

【００３０】

【比較例１】実施例１記載の（１）式において、Ｘ＝
０．２５、Ｙ＝０．５３、Ｚ＝０．２２からなる記録層
を用いた以外は実施例１と同じ方法でかつ同じ膜厚構造
でサンプルを作製した。本サンプルを分光光度計を用い
て測定した５００ｎｍにおける光反射率を表１に示す。
さらに本サンプルを電気炉を用いた加熱処理により結晶
化を行った後の光反射率に示す。尚、記録層のみ成膜し
たサンプルをＸ線回折法により測定した結果、加熱処理
前はアモルファス状態であることと、更に加熱処理によ
り結晶状態が得られることを確認した。

【００３１】表１から、比較例１の記録材料はアモルフ
ァス状態から結晶状態への反射率変化が１８．５％、ま
た前記（２）式で表される変調度についても０．５とと
もに実施例１に比べ劣ることがわかる。

【００３２】

【実施例２】レーザー光案内溝を設けた直径３．５イン
チ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂ （ＳｉＯ₂ ：２０ｍｏｌ％）からなるター
ゲットからＲＦスパッタ法により膜厚７０ｎｍの第一の
保護層を形成した。次にＧｅＴｅＳｂＳｉ合金からなる
ターゲットからＤＣスパッタ法により膜厚２０ｎｍの記
録層を形成した。この時の記録層組成は、実施例１にお
ける（１）式において、Ｘ＝０．２５、Ｙ＝０．４７、
Ｚ＝０．２８、Ｋ＝０．３０であった。さらにＺｎＳ−
ＳｉＯ₂ （ＳｉＯ₂ ：２０ｍｏｌ％）からなる膜厚１５
ｎｍの第二の保護層を、さらにＡｌＣｒからなる反射層
を１５０ｎｍ順次スパッタ法により形成した。その後反
射層の上にＵＶ硬化樹脂層をスピンコート法により形成
し光情報記録媒体（表２においてサンプルＡと記す）を
作製した。

【００３３】また記録層にそれぞれ表２記載の組成を用
いた以外はサンプルＡと同じ方法で、かつ同じ膜厚構造
で光情報記録媒体（サンプルＢ〜Ｈ）を作製した。本記
録媒体に前記ピットエッジ記録条件に記載の方法を用
い、２Ｔｗ信号としてｆ１＝１１．３ＭＨｚ、７Ｔｗ信
号としてｆ２＝３．２３ＭＨｚを用いたオーバーライト
記録を行なった。なお、ウインドウ幅Ｔｗ＝２２．１ｎ
ｓであり、この最大記録周波数における記録密度は０．
４μｍ／ｂｉｔである。２Ｔｗ信号のＣ／Ｎ値、２Ｔｗ
信号のオーバーライト消去率ΔＣ、７Ｔｗ信号のオーバ
ーライトジッタ値、安定性試験後のジッタ値、さらに１
万回繰り返し後の７Ｔｗ信号のオーバーライトジッタ値
を表２に示す。

【００３４】表２からサンプルＡ〜Ｈについては、ピッ
トエッジ記録を行なった際、オーバーライトジッタ値に
関して良好な初期特性、安定性ならびに繰り返し耐久性
を有することがわかる。例えばサンプルＡについては、
安定性試験後のジッタ値が１１．８％と初期特性から若
干増加しているが、図１からビットエラーレートとして
は３×１０^-5以下と計算され、実用上問題のないレベル
である。さらに他のサンプル（Ｂ〜Ｈ））についてもビ
ットエラーレートとしては、１０^-4未満と計算され、実
用上問題の無い範囲であることがわかる。

【００３５】

【比較例２】記録層にそれぞれ表３記載の組成を用いた
以外は、実施例２と同じ方法でかつ同じ膜厚構造で光情
報記録媒体（サンプルａ〜ｈ）を作製し、さらに実施例
２と同じ特性評価を行った。結果を表３に示す。表３か
らサンプルａ〜ｈについては、ピットエッジ記録を行な
った際、オーバーライトジッタ値に関して初期特性、安
定性ならびに繰り返し耐久性のすべてを満足する特性が
得られないことがわかる。例えばサンプルａについて
は、繰り返し耐久性試験後のジッタ値は１４．４％に増
加し、図１から計算されるビットエラーレートとしては
５×１０^-4を越えることになり、データを正しく再生す
ることが困難になる。さらに他のサンプル（ｂ〜ｈ）に
ついても安定性試験後もしくは繰り返し耐久性試験後の
ビットエラーレートが、５×１０^-4を越え、データの正
確な再生ができなくなる。

【００３６】

【比較例３】実施例２記載のサンプルＡ及び比較例２記
載のサンプルａを用いて、前記ピットポジション記録
条件に記載の方法を用い、３Ｔｗ信号としてｆ１＝２
０．１ＭＨｚ、８Ｔｗ信号としてｆ２＝７．５３ＭＨｚ
を用いたオーバーライト記録を行なった。なお、ウイン
ドウ幅Ｔｗ＝１６．６ｎｓであり、この最大記録周波数
における記録密度は実施例２と同じ０．４μｍ／ｂｉｔ
である。３Ｔｗ信号のＣ／Ｎ値、３Ｔｗ信号のオーバー
ライト消去率ΔＣ、８Ｔｗ信号のオーバーライトジッタ
値を表４に示す。

【００３７】表４から、０．４μｍ／ｂｉｔの高密度記
録を行った場合、ピットポジション記録方法を用いた従
来技術ではオーバーライト記録後のデータ再生ができな
くなる。従って表２、３の結果と合わせると、本発明に
おける記録層を用いることにより、優れたピットエッジ
記録特性が得られ、０．４μｍ／ｂｉｔの高密度記録が
実施できた。

【００３８】

【実施例３】実施例２記載のサンプルＡを用い、以下に
示す方法により動画像のピットエッジ記録を行なった。
まず動画像情報をデジタル化し、ＭＰＥＧ２規格による
ビットレート圧縮を行なった。その後誤り訂正符号を付
加し、１−７ＲＬＬ変調方式により変換した符号列を、
ピットエッジ記録方法で記録を行なった。その再生信号
を復号化し誤り訂正を行い、さらにビットレート伸長を
行い、アナログ変換を行った。この様にして得られた画
像は、非常に良好な画質であった。

【００３９】

【表１】

【００４０】

【表２】

【００４１】

【表３】

【００４２】

【表４】

【００４３】

【発明の効果】以上のように、本発明において特定され
た記録層は、３５０ｎｍから７００ｎｍの波長域におい
て優れた光学特性を示す。また本発明の方法によれば、
従来の記録方法に比べ、記録線密度を格段に向上でき、
さらに単一ビームによるオーバーライト特性として実用
上十分なジッタ特性を示すピットエッジ記録が可能とな
る。さらに、本発明の方法によって得られた光情報記録
媒体を再生すると、ビットエラーレートが実用上問題な
い程度に低く、特に、画像情報の場合は非常に良好な画
質が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるオーバーライトジッタ値（σ／
Ｔｗ）とビットエラーレート（ＢＥＲ）の関係を示す図
である。

【図２】ピットエッジ記録条件における符号列とパルス
条件と記録マークの関係を示す図である。

【図３】ピットポジション記録条件における符号列とパ
ルス条件と記録マークの関係を示す図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも基板及び記録層からなり、該
   記録層が少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＳｉの四元素
   から構成され、かつ前記四元素の組成が下記一般式
   （１）で表される相変化型光情報記録媒体に、記録マー
   クの前端部と後端部の位置に対応させて、符号化規則に
   より記録情報から変換した符号列を記録することを特徴
   とする光情報記録方法。 （Ｇｅ_1-KＳｉ_K）_XＴｅ_YＳｂ_Z ・・・・（１） ただし Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１ ０．１≦Ｘ≦０．５ ０．４≦Ｙ≦０．６ ０．０５≦Ｚ≦０．４ ０．０５≦Ｋ≦０．５ ここでＸ、Ｙ、Ｚ、Ｋはそれぞれ原子数比を表す。
2. 【請求項２】 請求項１記載の相変化型光情報記録媒体
   に、記録マークの前端部と後端部の位置に対応させて、
   符号化規則により記録情報から変換した符号列が記録さ
   れていることを特徴とする光情報記録媒体。