JPH10337955A - 相変化型光情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
相変化型光情報記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH10337955A JPH10337955A JP9149458A JP14945897A JPH10337955A JP H10337955 A JPH10337955 A JP H10337955A JP 9149458 A JP9149458 A JP 9149458A JP 14945897 A JP14945897 A JP 14945897A JP H10337955 A JPH10337955 A JP H10337955A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】マークエッジ記録に適した相変化型光情報記録
媒体を提供する。 【解決手段】記録層３の組成を、アンチモン（Ｓｂ）、
テルル（Ｔｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、タンタル（Ｔ
ａ）、および特定元素Ｒ（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈ
ｆ、Ｎ ｂ、Ｖ、Ｐｄ、およびＰｔから選択された少な
くとも一つの元素）を含み、下記の（２）式を満たすも
のとする。 （Ｓｂx Ｔｅy Ｇｅz ）(100-w-v) ・Ｔａw ・Ｒv ‥
‥（２） （ただし、５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦６５、５≦ｚ≦６
５、０＜ｗ≦２０、０＜ｖ≦１０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１０
０）
媒体を提供する。 【解決手段】記録層３の組成を、アンチモン（Ｓｂ）、
テルル（Ｔｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、タンタル（Ｔ
ａ）、および特定元素Ｒ（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈ
ｆ、Ｎ ｂ、Ｖ、Ｐｄ、およびＰｔから選択された少な
くとも一つの元素）を含み、下記の（２）式を満たすも
のとする。 （Ｓｂx Ｔｅy Ｇｅz ）(100-w-v) ・Ｔａw ・Ｒv ‥
‥（２） （ただし、５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦６５、５≦ｚ≦６
５、０＜ｗ≦２０、０＜ｖ≦１０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１０
０）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録層に結晶−非
晶質間の相変化を生じさせることにより、情報の記録・
消去を行う相変化型光情報記録媒体に関し、特に、記録
密度の高いマークエッジ記録において優れた特性を得る
ための技術に関するものである。
晶質間の相変化を生じさせることにより、情報の記録・
消去を行う相変化型光情報記録媒体に関し、特に、記録
密度の高いマークエッジ記録において優れた特性を得る
ための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光情報記録媒体のうち、記録層に結晶−
非晶質間の相変化を生じさせることにより、情報の記録
・消去を行う相変化型光情報記録媒体は、レーザ光のパ
ワーを変化させるだけで古い情報を消去すると同時に新
たな情報を記録すること（以下、「オーバーライト」と
称する）ができるという利点を有している。このような
相変化型光情報記録媒体としては、従来より、ポリカー
ボネート樹脂製等の円板状基板を用いる相変化型光ディ
スク（以下、単に「光ディスク」と称する）が一般的で
ある。
非晶質間の相変化を生じさせることにより、情報の記録
・消去を行う相変化型光情報記録媒体は、レーザ光のパ
ワーを変化させるだけで古い情報を消去すると同時に新
たな情報を記録すること（以下、「オーバーライト」と
称する）ができるという利点を有している。このような
相変化型光情報記録媒体としては、従来より、ポリカー
ボネート樹脂製等の円板状基板を用いる相変化型光ディ
スク（以下、単に「光ディスク」と称する）が一般的で
ある。
【０００３】オーバーライトは、記録信号に応じて強度
変調されたレーザ光をディスク面に照射することにより
行われ、記録層のうち高いパワーのレーザ光が照射され
た部分は、融点以上の温度への急熱・急冷により非晶質
化されて記録マークとなり、低いパワーのレーザ光が照
射された部分は、融点より低い結晶化可能温度への昇温
・徐冷により結晶化されて消去部分となる。
変調されたレーザ光をディスク面に照射することにより
行われ、記録層のうち高いパワーのレーザ光が照射され
た部分は、融点以上の温度への急熱・急冷により非晶質
化されて記録マークとなり、低いパワーのレーザ光が照
射された部分は、融点より低い結晶化可能温度への昇温
・徐冷により結晶化されて消去部分となる。
【０００４】このオーバーライトは、光ディスクを駆動
装置にかけ、所定の速度で回転させながら行われるが、
一回のレーザ光通過で消去が完全に行われるためには、
記録層の結晶化速度 (非晶質から結晶への転移速度)
が、レーザビームが光ディスクの一点を通過する速度
(線速度) より速くなければならない。そして、結晶化
速度の速い記録層材料としては、特開昭６２−５３８８
６号公報に開示され、従来より使用されているＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｂ合金等のカルコゲン合金が挙げられる。
装置にかけ、所定の速度で回転させながら行われるが、
一回のレーザ光通過で消去が完全に行われるためには、
記録層の結晶化速度 (非晶質から結晶への転移速度)
が、レーザビームが光ディスクの一点を通過する速度
(線速度) より速くなければならない。そして、結晶化
速度の速い記録層材料としては、特開昭６２−５３８８
６号公報に開示され、従来より使用されているＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｂ合金等のカルコゲン合金が挙げられる。
【０００５】また、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に種々の元素
を添加した材料で記録層を構成する提案も各種なされて
いる。例えば、特公平７−２５２００号公報には、
｛（Ｓｂx Ｔｅ(1-x) ）y Ｇｅ(1 -y) ｝(1-z) Ｍz （ｘ
は０．２〜０．７、ｙは０．４〜０．８、ｚは０．０１
〜０．５、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉから選ばれる金
属）で表される材料を記録層材料として用いることが開
示されている。この記録層材料は、記録・再生特性や長
期保存安定性を高める目的で、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に
特定元素Ｍが添加されたものである。
を添加した材料で記録層を構成する提案も各種なされて
いる。例えば、特公平７−２５２００号公報には、
｛（Ｓｂx Ｔｅ(1-x) ）y Ｇｅ(1 -y) ｝(1-z) Ｍz （ｘ
は０．２〜０．７、ｙは０．４〜０．８、ｚは０．０１
〜０．５、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉから選ばれる金
属）で表される材料を記録層材料として用いることが開
示されている。この記録層材料は、記録・再生特性や長
期保存安定性を高める目的で、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に
特定元素Ｍが添加されたものである。
【０００６】特開平７−３２３６６６号公報には、Ｓ
ｅ、またはＳｅとハロゲン元素およびアルカリ金属元素
から選ばれる少なくとも１元素とを、所定範囲内の比率
でＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ合金に含有させた材料を記録層材料
として用いることが開示されている。この記録層材料
は、記録・再生特性や長期保存安定性を高める目的で、
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に特定元素が添加されたものであ
る。
ｅ、またはＳｅとハロゲン元素およびアルカリ金属元素
から選ばれる少なくとも１元素とを、所定範囲内の比率
でＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ合金に含有させた材料を記録層材料
として用いることが開示されている。この記録層材料
は、記録・再生特性や長期保存安定性を高める目的で、
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に特定元素が添加されたものであ
る。
【０００７】特開平８−１２７１７６公報には、Ｃｒ、
Ａｇ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｕ、Ｃ
ｄ、Ｃｕ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｐ
ｂ、Ｎａ、Ｃｓ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｉｎ、およびランタノイド元素から選ばれる少なくとも
１つの元素を、所定範囲内の比率でＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ合
金に含有させた材料を記録層材料として用いることが開
示されている。この記録層材料は、記録・消去の繰り返
し特性を改善する目的で、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に特定
元素が添加されたものである。
Ａｇ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｕ、Ｃ
ｄ、Ｃｕ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｐ
ｂ、Ｎａ、Ｃｓ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｉｎ、およびランタノイド元素から選ばれる少なくとも
１つの元素を、所定範囲内の比率でＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ合
金に含有させた材料を記録層材料として用いることが開
示されている。この記録層材料は、記録・消去の繰り返
し特性を改善する目的で、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に特定
元素が添加されたものである。
【０００８】一方、近年では、光ディスクの大容量化に
伴い、記録方式として、従来のマークポジション記録に
代えてマークエッジ記録を採用することにより、高密度
記録を行うようになってきた。ここで、マークポジショ
ン記録では記録マークの中央に記録信号を対応させる
が、マークエッジ記録では記録マークの両端に記録信号
を対応させる。そのため、マークエッジ記録では、記録
マークの両端位置を厳密に制御する必要があり、その位
置ズレが大きいと再生信号のジッターが大きくなる。
伴い、記録方式として、従来のマークポジション記録に
代えてマークエッジ記録を採用することにより、高密度
記録を行うようになってきた。ここで、マークポジショ
ン記録では記録マークの中央に記録信号を対応させる
が、マークエッジ記録では記録マークの両端に記録信号
を対応させる。そのため、マークエッジ記録では、記録
マークの両端位置を厳密に制御する必要があり、その位
置ズレが大きいと再生信号のジッターが大きくなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
各提案に開示された記録層材料は、記録・再生特性や長
期保存安定性を高める、または記録・消去の繰り返し特
性を改善するという点では優れているが、マークエッジ
記録を意識して開発されたものではなく、実際にマーク
エッジ記録に適したものではなかった。
各提案に開示された記録層材料は、記録・再生特性や長
期保存安定性を高める、または記録・消去の繰り返し特
性を改善するという点では優れているが、マークエッジ
記録を意識して開発されたものではなく、実際にマーク
エッジ記録に適したものではなかった。
【００１０】本発明は、このような従来技術の未解決の
問題点に着目してなされたものであり、良好な記録・消
去特性を保持しながら、記録信号に忠実な記録マークを
形成することのできる、マークエッジ記録に適した相変
化型光情報記録媒体を提供することを課題とする。
問題点に着目してなされたものであり、良好な記録・消
去特性を保持しながら、記録信号に忠実な記録マークを
形成することのできる、マークエッジ記録に適した相変
化型光情報記録媒体を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、請求項１に係る発明は、照射光の強度に応じて結晶
状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的になされる記
録層を基板上に備えた相変化型光情報記録媒体におい
て、記録層は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、
ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびタンタル（Ｔａ）を含
み、下記の（１）式で示す組成を有することを特徴とす
る相変化型光情報記録媒体を提供する。
に、請求項１に係る発明は、照射光の強度に応じて結晶
状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的になされる記
録層を基板上に備えた相変化型光情報記録媒体におい
て、記録層は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、
ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびタンタル（Ｔａ）を含
み、下記の（１）式で示す組成を有することを特徴とす
る相変化型光情報記録媒体を提供する。
【００１２】 （Ｓｂx Ｔｅy Ｇｅz ）(100-w) ・Ｔａw ‥‥（１） （ただし、５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦６５、５≦ｚ≦６
５、０＜ｗ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００） ここで、ｘはアンチモン（Ｓｂ）のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合
金における含有率（原子比：ａｔ％）であり、ｙはテル
ル（Ｔｅ）のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金における含有率（原
子比：ａｔ％）であり、ｚはゲルマニウム（Ｇｅ）のＳ
ｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金における含有率（原子比：ａｔ％）
であり、ｗはタンタル（Ｔａ）の記録層（Ｓｂ−Ｔｅ−
Ｇｅ−Ｔａ合金）における含有率（原子比：ａｔ％）で
ある。
５、０＜ｗ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００） ここで、ｘはアンチモン（Ｓｂ）のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合
金における含有率（原子比：ａｔ％）であり、ｙはテル
ル（Ｔｅ）のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金における含有率（原
子比：ａｔ％）であり、ｚはゲルマニウム（Ｇｅ）のＳ
ｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金における含有率（原子比：ａｔ％）
であり、ｗはタンタル（Ｔａ）の記録層（Ｓｂ−Ｔｅ−
Ｇｅ−Ｔａ合金）における含有率（原子比：ａｔ％）で
ある。
【００１３】この記録媒体によれば、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ
合金にタンタル（Ｔａ）を所定範囲で含む材料で記録層
を構成することにより、タンタル（Ｔａ）を含まない場
合や含有量が所定範囲外にある場合と比較して、記録マ
ーク端部の位置ずれを小さくすることができる。
合金にタンタル（Ｔａ）を所定範囲で含む材料で記録層
を構成することにより、タンタル（Ｔａ）を含まない場
合や含有量が所定範囲外にある場合と比較して、記録マ
ーク端部の位置ずれを小さくすることができる。
【００１４】記録層の記録マークが形成される部分は、
記録時に溶融冷却されて非晶質状態となるが、その際
に、記録層がＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のみで構成されてい
ると、非晶質状態に留まらずに再度結晶状態に戻る部分
がある。タンタル（Ｔａ）は、融点が高く、高温強さが
高く、また化学的に安定な材料として知られているが、
この結晶状態に戻った部分の結晶粒径に何らかの影響を
及ぼして、記録マーク端部の位置ずれを小さくしている
ものと予想される。
記録時に溶融冷却されて非晶質状態となるが、その際
に、記録層がＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のみで構成されてい
ると、非晶質状態に留まらずに再度結晶状態に戻る部分
がある。タンタル（Ｔａ）は、融点が高く、高温強さが
高く、また化学的に安定な材料として知られているが、
この結晶状態に戻った部分の結晶粒径に何らかの影響を
及ぼして、記録マーク端部の位置ずれを小さくしている
ものと予想される。
【００１５】一方、タンタルの添加量が多くなるほど結
晶化速度は遅くなるため、タンタル（Ｔａ）の添加量の
上限は、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の組成と光ディスクの線
速度に応じて決定される。すなわち、要求される光ディ
スクの線速度が遅い場合にはタンタル（Ｔａ）を多く添
加できるが、速くなるにつれてタンタル（Ｔａ）の最適
な添加量は減少していく。
晶化速度は遅くなるため、タンタル（Ｔａ）の添加量の
上限は、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の組成と光ディスクの線
速度に応じて決定される。すなわち、要求される光ディ
スクの線速度が遅い場合にはタンタル（Ｔａ）を多く添
加できるが、速くなるにつれてタンタル（Ｔａ）の最適
な添加量は減少していく。
【００１６】そして、Ｓｂx Ｔｅy Ｇｅz の組成が所定
範囲（５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦６５、５≦ｚ≦６５、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）内あり、光ディスクの線速度が例
えば１．２〜２．４ｍ／ｓの場合には、記録層材料中の
タンタル（Ｔａ）の含有率が２０ａｔ％を超えると、結
晶化速度が光ディスクの線速度より極端に遅くなるた
め、良好な消去特性が保持されない。また、この場合
に、タンタル（Ｔａ）の含有率が０．１ａｔ％未満であ
ると、タンタル含有による実質的な作用が得られない。
範囲（５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦６５、５≦ｚ≦６５、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）内あり、光ディスクの線速度が例
えば１．２〜２．４ｍ／ｓの場合には、記録層材料中の
タンタル（Ｔａ）の含有率が２０ａｔ％を超えると、結
晶化速度が光ディスクの線速度より極端に遅くなるた
め、良好な消去特性が保持されない。また、この場合
に、タンタル（Ｔａ）の含有率が０．１ａｔ％未満であ
ると、タンタル含有による実質的な作用が得られない。
【００１７】また、この記録媒体によれば、記録層材料
を構成するＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金（Ｓｂx Ｔｅy Ｇ
ｅz ）の組成を、所定範囲（５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦
６５、５≦ｚ≦６５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）内とするこ
とによって、良好な記録・消去特性および保存特性が得
られる。
を構成するＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金（Ｓｂx Ｔｅy Ｇ
ｅz ）の組成を、所定範囲（５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦
６５、５≦ｚ≦６５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）内とするこ
とによって、良好な記録・消去特性および保存特性が得
られる。
【００１８】Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のうち、主にアンチ
モン（Ｓｂ）およびテルル（Ｔｅ）が結晶化速度に影響
を及ぼしている。そして、アンチモン（Ｓｂ）の存在比
率ｘが５未満となるか６０を超えると、もしくはテルル
（Ｔｅ）の存在比率ｙが３５未満となるか６５を超える
と、結晶化速度が遅くなって消去特性が劣化する。この
場合には、例えば１．２ｍ／ｓという遅い線速度でも消
去することができず、光ディスクとして使用不可能とな
る。
モン（Ｓｂ）およびテルル（Ｔｅ）が結晶化速度に影響
を及ぼしている。そして、アンチモン（Ｓｂ）の存在比
率ｘが５未満となるか６０を超えると、もしくはテルル
（Ｔｅ）の存在比率ｙが３５未満となるか６５を超える
と、結晶化速度が遅くなって消去特性が劣化する。この
場合には、例えば１．２ｍ／ｓという遅い線速度でも消
去することができず、光ディスクとして使用不可能とな
る。
【００１９】ゲルマニウム（Ｇｅ）は融解温度に大きな
影響を与え、ゲルマニウムの存在比率ｚの増大に伴って
融解温度が上昇して記録感度が低下するが、存在比率ｚ
が６５を超えると実用上の使用に適さなくなるほど記録
感度が低くなる。一方、ゲルマニウムの存在比率ｚが５
未満になると融解温度および結晶化温度が低くなって、
記録マークの結晶化が起こり易くなり、長時間の再生お
よび保存によって記録マークの劣化が生じる。
影響を与え、ゲルマニウムの存在比率ｚの増大に伴って
融解温度が上昇して記録感度が低下するが、存在比率ｚ
が６５を超えると実用上の使用に適さなくなるほど記録
感度が低くなる。一方、ゲルマニウムの存在比率ｚが５
未満になると融解温度および結晶化温度が低くなって、
記録マークの結晶化が起こり易くなり、長時間の再生お
よび保存によって記録マークの劣化が生じる。
【００２０】なお、特に高い線速度（２．４〜１２ｍ／
ｓ）の場合は、記録・消去特性を良好にするために、記
録層の組成を、（１）式のｘ，ｙ，ｘ，ｗがそれぞれ１
５≦ｘ≦５０、４５≦ｙ≦６０、１０≦ｚ≦５０、０＜
ｗ≦１０となるようにすることが好ましい。
ｓ）の場合は、記録・消去特性を良好にするために、記
録層の組成を、（１）式のｘ，ｙ，ｘ，ｗがそれぞれ１
５≦ｘ≦５０、４５≦ｙ≦６０、１０≦ｚ≦５０、０＜
ｗ≦１０となるようにすることが好ましい。
【００２１】請求項２に係る発明は、照射光の強度に応
じて結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的にな
される記録層を基板上に備えた相変化型光情報記録媒体
において、記録層は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔ
ｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、タンタル（Ｔａ）、およ
び特定元素Ｒ（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｎｂ、
Ｖ、Ｐｄ、およびＰｔから選択された少なくとも一つの
元素）を含み、下記の（２）式で示す組成を有すること
を特徴とする相変化型光情報記録媒体を提供する。
じて結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的にな
される記録層を基板上に備えた相変化型光情報記録媒体
において、記録層は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔ
ｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、タンタル（Ｔａ）、およ
び特定元素Ｒ（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｎｂ、
Ｖ、Ｐｄ、およびＰｔから選択された少なくとも一つの
元素）を含み、下記の（２）式で示す組成を有すること
を特徴とする相変化型光情報記録媒体を提供する。
【００２２】 （Ｓｂx Ｔｅy Ｇｅz ）(100-w-v) ・Ｔａw ・Ｒv ‥‥（２） （ただし、５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦６５、５≦ｚ≦６
５、０＜ｗ≦２０、０＜ｖ≦１０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１０
０） ここで、ｘはアンチモン（Ｓｂ）のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合
金における含有率（原子比：ａｔ％）であり、ｙはテル
ル（Ｔｅ）のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金における含有率（原
子比：ａｔ％）であり、ｚはゲルマニウム（Ｇｅ）のＳ
ｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金における含有率（原子比：ａｔ％）
であり、ｗはタンタル（Ｔａ）の記録層（Ｓｂ−Ｔｅ−
Ｇｅ−Ｔａ−Ｒ合金）における含有率（原子比：ａｔ
％）、ｖは特定元素（Ｒ）の記録層（Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ
−Ｔａ−Ｒ合金）における含有率（原子比：ａｔ％）で
ある。
５、０＜ｗ≦２０、０＜ｖ≦１０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１０
０） ここで、ｘはアンチモン（Ｓｂ）のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合
金における含有率（原子比：ａｔ％）であり、ｙはテル
ル（Ｔｅ）のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金における含有率（原
子比：ａｔ％）であり、ｚはゲルマニウム（Ｇｅ）のＳ
ｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金における含有率（原子比：ａｔ％）
であり、ｗはタンタル（Ｔａ）の記録層（Ｓｂ−Ｔｅ−
Ｇｅ−Ｔａ−Ｒ合金）における含有率（原子比：ａｔ
％）、ｖは特定元素（Ｒ）の記録層（Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ
−Ｔａ−Ｒ合金）における含有率（原子比：ａｔ％）で
ある。
【００２３】この記録媒体によれば、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ
合金に、タンタル（Ｔａ）および特定元素Ｒ（Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｎ ｂ、Ｖ、Ｐｄ、およびＰｔ
から選択された少なくとも一つの元素）をそれぞれ所定
範囲で含む材料で記録層を構成することにより、これら
の元素を含まない場合や含有量が所定範囲外にある場合
と比較して、記録マーク端部の位置ずれを小さくし、且
つ記録マークの安定性を高くすることができる。
合金に、タンタル（Ｔａ）および特定元素Ｒ（Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｎ ｂ、Ｖ、Ｐｄ、およびＰｔ
から選択された少なくとも一つの元素）をそれぞれ所定
範囲で含む材料で記録層を構成することにより、これら
の元素を含まない場合や含有量が所定範囲外にある場合
と比較して、記録マーク端部の位置ずれを小さくし、且
つ記録マークの安定性を高くすることができる。
【００２４】また、この記録媒体によれば、記録層材料
を構成するＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金（Ｓｂx Ｔｅy Ｇ
ｅz ）の組成を、所定範囲（５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦
６５、５≦ｚ≦６５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）内とするこ
とによって、請求項１と同様に、良好な記録・消去特性
および保存特性が得られる。
を構成するＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金（Ｓｂx Ｔｅy Ｇ
ｅz ）の組成を、所定範囲（５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦
６５、５≦ｚ≦６５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）内とするこ
とによって、請求項１と同様に、良好な記録・消去特性
および保存特性が得られる。
【００２５】すなわち、この記録媒体は、請求項１の記
録媒体と比較して、特定元素Ｒの添加により記録マーク
の安定性が高くなる。特定元素Ｒの添加量が多すぎる
と、記録・消去特性や、タンタル（Ｔａ）添加に伴う記
録マーク端部の位置ずれ防止作用が低下するので、その
存在比率ｖは０＜ｖ≦１０とした。また、特定元素Ｒの
含有率が０．１ａｔ％未満であると、特定元素Ｒの含有
による実質的な作用が得られない。
録媒体と比較して、特定元素Ｒの添加により記録マーク
の安定性が高くなる。特定元素Ｒの添加量が多すぎる
と、記録・消去特性や、タンタル（Ｔａ）添加に伴う記
録マーク端部の位置ずれ防止作用が低下するので、その
存在比率ｖは０＜ｖ≦１０とした。また、特定元素Ｒの
含有率が０．１ａｔ％未満であると、特定元素Ｒの含有
による実質的な作用が得られない。
【００２６】本発明の相変化型光情報記録媒体におい
て、基板の構成材料は特に限定されないが、光学的特性
が良好で機械的強度が大きく、寸法安定性にも優れてい
るポリカーボネートやガラス等を使用することが好まし
い。
て、基板の構成材料は特に限定されないが、光学的特性
が良好で機械的強度が大きく、寸法安定性にも優れてい
るポリカーボネートやガラス等を使用することが好まし
い。
【００２７】また、記録層の直上および／または直下
に、金属あるいは半金属の酸化物、炭化物、窒化物、フ
ッ化物、および硫化物から選ばれた少なくとも一種類か
らなる保護層を設けたものであってもよい。保護層材料
としては、ＺｎＳと、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、
ＺｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｃ
等の炭化物、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｍＳ、
ＳｒＳ等の硫化物、およびＭｇＦ2 等のフッ化物から選
ばれた一種類または複数種類の物質との混合物が挙げら
れる。
に、金属あるいは半金属の酸化物、炭化物、窒化物、フ
ッ化物、および硫化物から選ばれた少なくとも一種類か
らなる保護層を設けたものであってもよい。保護層材料
としては、ＺｎＳと、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、
ＺｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｃ
等の炭化物、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｍＳ、
ＳｒＳ等の硫化物、およびＭｇＦ2 等のフッ化物から選
ばれた一種類または複数種類の物質との混合物が挙げら
れる。
【００２８】また、記録層の光入射側とは反対側に、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｈｆ、ＰｄおよびＴｉ等の金属
またはこれらの合金からなる反射層を設けたものであっ
てもよい。反射層材料としては、例えば、Ａｌ−Ｔｉ合
金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｈｆ合
金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍ
ｎ合金等の合金系が好ましい。
ｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｈｆ、ＰｄおよびＴｉ等の金属
またはこれらの合金からなる反射層を設けたものであっ
てもよい。反射層材料としては、例えば、Ａｌ−Ｔｉ合
金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｈｆ合
金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍ
ｎ合金等の合金系が好ましい。
【００２９】また、反射層の記録層とは反対側の面に、
反射層をなす薄膜の保護と強化のために、紫外線硬化樹
脂（ウレタン系、アクリル系、シリコン系、ポリエステ
ル系等）やホットメルト系の接着剤等からなる保護コー
ト層を設けるとよい。
反射層をなす薄膜の保護と強化のために、紫外線硬化樹
脂（ウレタン系、アクリル系、シリコン系、ポリエステ
ル系等）やホットメルト系の接着剤等からなる保護コー
ト層を設けるとよい。
【００３０】本発明の相変化型光情報記録媒体は、図１
に示すような層構成をとることができる。ここでは、基
板１の上に、第一保護層２、記録層３、第二保護層４、
反射層５が、この順に積層されている。このような層構
成の場合、各々の膜厚は、要求される特性に応じて異な
るが、生産性等を考慮すると、第一保護層２は１００ｎ
ｍ〜６００ｎｍ、記録層３は１０ｎｍ〜５０ｎｍ、第二
保護層４は１０ｎｍ〜５０ｎｍ、反射層５は５０ｎｍ〜
３００ｎｍの範囲であることが好ましい。なお、図１の
符号６は保護コート層である。
に示すような層構成をとることができる。ここでは、基
板１の上に、第一保護層２、記録層３、第二保護層４、
反射層５が、この順に積層されている。このような層構
成の場合、各々の膜厚は、要求される特性に応じて異な
るが、生産性等を考慮すると、第一保護層２は１００ｎ
ｍ〜６００ｎｍ、記録層３は１０ｎｍ〜５０ｎｍ、第二
保護層４は１０ｎｍ〜５０ｎｍ、反射層５は５０ｎｍ〜
３００ｎｍの範囲であることが好ましい。なお、図１の
符号６は保護コート層である。
【００３１】請求項３に係る発明は、請求項１記載の相
変化型光情報記録媒体を製造する方法において、記録層
の形成は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、およびタンタル（Ｔａ）を所定の割
合で含む焼結体を、所定組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金粉
末とタンタル粉末とを所定比率で混合して焼結させるこ
とにより作製し、この焼結体をターゲットとして用いた
スパッタリング法により行うことを特徴とする相変化型
光情報記録媒体の製造方法を提供する。
変化型光情報記録媒体を製造する方法において、記録層
の形成は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、およびタンタル（Ｔａ）を所定の割
合で含む焼結体を、所定組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金粉
末とタンタル粉末とを所定比率で混合して焼結させるこ
とにより作製し、この焼結体をターゲットとして用いた
スパッタリング法により行うことを特徴とする相変化型
光情報記録媒体の製造方法を提供する。
【００３２】請求項４に係る発明は、請求項２記載の相
変化型光情報記録媒体を製造する方法において、記録層
の形成は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、タンタル（Ｔａ）、および特定元素
Ｒ（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｎ ｂ、Ｖ、Ｐ
ｄ、およびＰｔから選択された少なくとも一つの元素）
を所定の割合で含む焼結体を、所定組成のＴａ−Ｒ合金
粉末と所定組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金粉末とを所定比
率で混合して焼結させることにより作製し、この焼結体
をターゲットとして用いたスパッタリング法により行う
ことを特徴とする相変化型光情報記録媒体の製造方法を
提供する。
変化型光情報記録媒体を製造する方法において、記録層
の形成は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、タンタル（Ｔａ）、および特定元素
Ｒ（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｎ ｂ、Ｖ、Ｐ
ｄ、およびＰｔから選択された少なくとも一つの元素）
を所定の割合で含む焼結体を、所定組成のＴａ−Ｒ合金
粉末と所定組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金粉末とを所定比
率で混合して焼結させることにより作製し、この焼結体
をターゲットとして用いたスパッタリング法により行う
ことを特徴とする相変化型光情報記録媒体の製造方法を
提供する。
【００３３】請求項２の記録媒体において記録層に含ま
れる特定元素Ｒは少量であるため、単独の粉末をＳｂ−
Ｔｅ−Ｇｅ合金粉末およびＴａ粉末と混合して焼結させ
て得られた焼結体をターゲットとすると、スパッタリン
グにより得られる記録層の面内での組成が不均一になり
やすいが、所定組成のＴａとの合金の粉末をＳｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金粉末と混合させて得られた焼結体をターゲッ
トとして用いることにより、記録層の面内での組成が均
一になる。
れる特定元素Ｒは少量であるため、単独の粉末をＳｂ−
Ｔｅ−Ｇｅ合金粉末およびＴａ粉末と混合して焼結させ
て得られた焼結体をターゲットとすると、スパッタリン
グにより得られる記録層の面内での組成が不均一になり
やすいが、所定組成のＴａとの合金の粉末をＳｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金粉末と混合させて得られた焼結体をターゲッ
トとして用いることにより、記録層の面内での組成が均
一になる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、具体
的な実施例により詳細に説明する。 ＜実施例１＞次のような手順により、図１に示す層構造
の相変化型光ディスクを作製した。まず、中心穴を有
し、直径１２０ｍｍ厚さ１．２ｍｍで、片面に１．６μ
ｍピッチの溝が形成されている円板状の基板１を、ポリ
カーボネート樹脂により成形した。この基板１の溝面側
に、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比２０
ｍｏｌ％）のターゲットから、ＲＦスパッタリング法に
より厚さ１８０ｎｍの第一保護層２を形成した。
的な実施例により詳細に説明する。 ＜実施例１＞次のような手順により、図１に示す層構造
の相変化型光ディスクを作製した。まず、中心穴を有
し、直径１２０ｍｍ厚さ１．２ｍｍで、片面に１．６μ
ｍピッチの溝が形成されている円板状の基板１を、ポリ
カーボネート樹脂により成形した。この基板１の溝面側
に、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比２０
ｍｏｌ％）のターゲットから、ＲＦスパッタリング法に
より厚さ１８０ｎｍの第一保護層２を形成した。
【００３５】次に、この第一保護層２の上に、Ｓｂ−Ｔ
ｅ−Ｇｅ−Ｔａからなる記録層３を膜厚２５ｎｍで形成
し、その上に、第一保護層２と同じ組成の第二保護層４
を膜厚２０ｎｍで形成し、さらにその上に、Ａｌ合金か
らなる反射層５を膜厚１００ｎｍで形成した。その上
に、紫外線硬化樹脂をスピンコートにより１０μｍ塗布
して紫外線により硬化させることにより、保護コート層
６を形成した。
ｅ−Ｇｅ−Ｔａからなる記録層３を膜厚２５ｎｍで形成
し、その上に、第一保護層２と同じ組成の第二保護層４
を膜厚２０ｎｍで形成し、さらにその上に、Ａｌ合金か
らなる反射層５を膜厚１００ｎｍで形成した。その上
に、紫外線硬化樹脂をスピンコートにより１０μｍ塗布
して紫外線により硬化させることにより、保護コート層
６を形成した。
【００３６】なお、記録層３の組成は、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇ
ｅ合金の組成を一定（Ｓｂ：２５ａｔ％, Ｔｅ：５５ａ
ｔ％, Ｇｅ：２０ａｔ％）にし、タンタル（Ｔａ）の含
有率を変化させた。すなわち、記録層３の形成は、前記
組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の粉末とタンタル（Ｔａ）
の粉末を、各種比率で混合して焼結体を作製し、この焼
結体をターゲットとして用いてスパッタリングすること
により行った。また、得られた記録層３の組成を蛍光Ｘ
線で分析し、（１）式のｘ，ｙ，ｚ，ｗを算出した。そ
の結果を下記の表１に示す。
ｅ合金の組成を一定（Ｓｂ：２５ａｔ％, Ｔｅ：５５ａ
ｔ％, Ｇｅ：２０ａｔ％）にし、タンタル（Ｔａ）の含
有率を変化させた。すなわち、記録層３の形成は、前記
組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の粉末とタンタル（Ｔａ）
の粉末を、各種比率で混合して焼結体を作製し、この焼
結体をターゲットとして用いてスパッタリングすること
により行った。また、得られた記録層３の組成を蛍光Ｘ
線で分析し、（１）式のｘ，ｙ，ｚ，ｗを算出した。そ
の結果を下記の表１に示す。
【００３７】このようにして得られた相変化型光ディス
クの各サンプルを、駆動装置にかけて線速度２．４ｍ／
ｓで回転させながら、ＥＦＭ変調により符号化されたラ
ンダムパターンをマークエッジ方式で記録した。使用し
たレーザ光の波長は７８０ｎｍであり、レーザ光の強度
をピークパワー１２ｍＷとバイアスパワー６ｍＷとの間
で変調させて照射し、オーバーライトを１０回行った。
クの各サンプルを、駆動装置にかけて線速度２．４ｍ／
ｓで回転させながら、ＥＦＭ変調により符号化されたラ
ンダムパターンをマークエッジ方式で記録した。使用し
たレーザ光の波長は７８０ｎｍであり、レーザ光の強度
をピークパワー１２ｍＷとバイアスパワー６ｍＷとの間
で変調させて照射し、オーバーライトを１０回行った。
【００３８】その後、ランダムパターンの３Ｔ（周波
数：１．４４ＭＨｚ）について、再生信号のジッターを
ジッターメーターにより測定し、３Ｔ信号の標準偏差
（σ）で表した。その結果を下記の表１に示す。
数：１．４４ＭＨｚ）について、再生信号のジッターを
ジッターメーターにより測定し、３Ｔ信号の標準偏差
（σ）で表した。その結果を下記の表１に示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】表１の結果から分かるように、タンタル
（Ｔａ）の含有率ｗが本発明の範囲（０＜ｗ≦２０）内
にある No.２〜４は、ジッターの測定値が２０ｎｓ未満
と小さくなった。これに対して、タンタル（Ｔａ）の含
有率ｗが本発明の範囲から外れる No.１および５は、ジ
ッターの測定値が２０ｎｓ以上と大きかった。すなわ
ち、本発明の範囲内の比率でタンタル（Ｔａ）が添加さ
れていることにより、記録マークの位置ずれが抑えられ
ることが分かる。なお、 No.５は、タンタル（Ｔａ）の
添加量が多すぎて、結晶化速度が遅くなり、消去比が低
下したためジッターが大きくなった。 ＜実施例２＞実施例１と同様の手順により、図１に示す
層構造の相変化型光ディスクを作製した。
（Ｔａ）の含有率ｗが本発明の範囲（０＜ｗ≦２０）内
にある No.２〜４は、ジッターの測定値が２０ｎｓ未満
と小さくなった。これに対して、タンタル（Ｔａ）の含
有率ｗが本発明の範囲から外れる No.１および５は、ジ
ッターの測定値が２０ｎｓ以上と大きかった。すなわ
ち、本発明の範囲内の比率でタンタル（Ｔａ）が添加さ
れていることにより、記録マークの位置ずれが抑えられ
ることが分かる。なお、 No.５は、タンタル（Ｔａ）の
添加量が多すぎて、結晶化速度が遅くなり、消去比が低
下したためジッターが大きくなった。 ＜実施例２＞実施例１と同様の手順により、図１に示す
層構造の相変化型光ディスクを作製した。
【００４１】なお、記録層３の組成は、タンタル（Ｔ
ａ）の含有率を一定（ｗ＝５ａｔ％）にし、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金の組成を変化させた。すなわち、記録層３の
形成は、各種組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の粉末とタン
タル（Ｔａ）の粉末を、タンタル（Ｔａ）の含有率が５
ａｔ％となるように混合して焼結体を作製し、この焼結
体をターゲットとして用いてスパッタリングすることに
より行った。また、得られた記録層３の組成を蛍光Ｘ線
で分析し、（１）式のｘ，ｙ，ｚ，ｗを算出した。その
結果を下記の表２に示す。
ａ）の含有率を一定（ｗ＝５ａｔ％）にし、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金の組成を変化させた。すなわち、記録層３の
形成は、各種組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の粉末とタン
タル（Ｔａ）の粉末を、タンタル（Ｔａ）の含有率が５
ａｔ％となるように混合して焼結体を作製し、この焼結
体をターゲットとして用いてスパッタリングすることに
より行った。また、得られた記録層３の組成を蛍光Ｘ線
で分析し、（１）式のｘ，ｙ，ｚ，ｗを算出した。その
結果を下記の表２に示す。
【００４２】このようにして得られた相変化型光ディス
クの各サンプルを、駆動装置にかけて線速度２．４ｍ／
ｓで回転させながら、ＥＦＭ変調により符号化された３
Ｔのパターン（周波数：１．４４ＭＨｚ）をマークエッ
ジ方式で１回記録した。使用したレーザ光の波長は７８
０ｎｍであり、レーザ光の強度をピークパワー１２ｍＷ
とバイアスパワー６ｍＷとの間で変調させて照射した。
クの各サンプルを、駆動装置にかけて線速度２．４ｍ／
ｓで回転させながら、ＥＦＭ変調により符号化された３
Ｔのパターン（周波数：１．４４ＭＨｚ）をマークエッ
ジ方式で１回記録した。使用したレーザ光の波長は７８
０ｎｍであり、レーザ光の強度をピークパワー１２ｍＷ
とバイアスパワー６ｍＷとの間で変調させて照射した。
【００４３】１回記録後の３Ｔのパターンの信号強度を
測定した後、その上に、１１Ｔのパターン（周波数：３
９０ＫＨｚ）をオーバーライトした。その後に、３Ｔの
パターンの信号強度を再度測定した。
測定した後、その上に、１１Ｔのパターン（周波数：３
９０ＫＨｚ）をオーバーライトした。その後に、３Ｔの
パターンの信号強度を再度測定した。
【００４４】オーバーライト前後の信号強度の差を消去
比と定義し、その消去比を調べた結果を下記の表２に示
す。
比と定義し、その消去比を調べた結果を下記の表２に示
す。
【００４５】
【表２】
【００４６】表２の結果から分かるように、タングステ
ン（Ｔｅ）の含有率ｙが本発明の範囲内（３５≦ｙ≦６
５）内にある No.２〜４は、消去比が２０ｄＢ以上と高
くなった。これに対して、タングステン（Ｔｅ）の含有
率ｙが本発明の範囲から外れる No.１および５は、消去
比が２０ｄＢ未満であった。 ＜実施例３＞実施例１と同様の手順により、図１に示す
層構造の相変化型光ディスクを作製した。
ン（Ｔｅ）の含有率ｙが本発明の範囲内（３５≦ｙ≦６
５）内にある No.２〜４は、消去比が２０ｄＢ以上と高
くなった。これに対して、タングステン（Ｔｅ）の含有
率ｙが本発明の範囲から外れる No.１および５は、消去
比が２０ｄＢ未満であった。 ＜実施例３＞実施例１と同様の手順により、図１に示す
層構造の相変化型光ディスクを作製した。
【００４７】なお、記録層３の組成は、タンタル（Ｔ
ａ）の含有率を一定（ｗ＝５ａｔ％）にし、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金の組成を変化させた。すなわち、記録層３の
形成は、各種組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の粉末とタン
タル（Ｔａ）の粉末を、タンタル（Ｔａ）の含有率が５
ａｔ％となるように混合して焼結体を作製し、この焼結
体をターゲットとして用いてスパッタリングすることに
より行った。また、得られた記録層３の組成を蛍光Ｘ線
で分析し、（１）式のｘ，ｙ，ｚ，ｗを算出した。その
結果を下記の表３に示す。
ａ）の含有率を一定（ｗ＝５ａｔ％）にし、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金の組成を変化させた。すなわち、記録層３の
形成は、各種組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の粉末とタン
タル（Ｔａ）の粉末を、タンタル（Ｔａ）の含有率が５
ａｔ％となるように混合して焼結体を作製し、この焼結
体をターゲットとして用いてスパッタリングすることに
より行った。また、得られた記録層３の組成を蛍光Ｘ線
で分析し、（１）式のｘ，ｙ，ｚ，ｗを算出した。その
結果を下記の表３に示す。
【００４８】このようにして得られた相変化型光ディス
クの各サンプルについて、データの保存安定性を評価す
るために、光ディスクの加速試験を行った。先ず、各サ
ンプルを駆動装置にかけて線速度２．４ｍ／ｓで回転さ
せながら、実施例１と同様のランダムパターンを１回記
録した。このランダムパターンについて、前記実施例１
と同様にして再生信号のジッターを測定した。その後、
各サンプルを、８０℃、８０％ＲＨ（相対湿度）の恒温
恒湿槽中に１０００時間保存し、取り出したサンプルに
ついても、前記と同様に再生信号のジッターを測定し
た。
クの各サンプルについて、データの保存安定性を評価す
るために、光ディスクの加速試験を行った。先ず、各サ
ンプルを駆動装置にかけて線速度２．４ｍ／ｓで回転さ
せながら、実施例１と同様のランダムパターンを１回記
録した。このランダムパターンについて、前記実施例１
と同様にして再生信号のジッターを測定した。その後、
各サンプルを、８０℃、８０％ＲＨ（相対湿度）の恒温
恒湿槽中に１０００時間保存し、取り出したサンプルに
ついても、前記と同様に再生信号のジッターを測定し
た。
【００４９】保存前後のジッター増加量を調べて、記録
マークの保存安定性を評価した。ジッターの増加量が１
０ｎｓ未満の場合を「良好（○）」、１０ｎｓ以上の場
合を「不良（×）」とした。その結果を下記の表３に示
す。
マークの保存安定性を評価した。ジッターの増加量が１
０ｎｓ未満の場合を「良好（○）」、１０ｎｓ以上の場
合を「不良（×）」とした。その結果を下記の表３に示
す。
【００５０】
【表３】
【００５１】表３の結果から分かるように、ゲルマニウ
ム（Ｇｅ）の含有率ｚが本発明の範囲内（５≦ｚ≦６
５）内にある No.２〜４は、保存特性が良好であった
が、この範囲から外れるNo. １は不良であった。 ＜実施例４＞実施例１と同様の手順により、図１に示す
層構造の相変化型光ディスクを作製した。
ム（Ｇｅ）の含有率ｚが本発明の範囲内（５≦ｚ≦６
５）内にある No.２〜４は、保存特性が良好であった
が、この範囲から外れるNo. １は不良であった。 ＜実施例４＞実施例１と同様の手順により、図１に示す
層構造の相変化型光ディスクを作製した。
【００５２】なお、記録層３の組成は、タンタル（Ｔ
ａ）の含有率を一定（ｗ＝５ａｔ％）にし、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金の組成を変化させた。すなわち、記録層３の
形成は、各種組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の粉末とタン
タル（Ｔａ）の粉末を、タンタル（Ｔａ）の含有率が５
ａｔ％となるように混合して焼結体を作製し、この焼結
体をターゲットとして用いてスパッタリングすることに
より行った。また、得られた記録層３の組成を蛍光Ｘ線
で分析し、（１）式のｘ，ｙ，ｚ，ｗを算出した。その
結果を下記の表４に示す。
ａ）の含有率を一定（ｗ＝５ａｔ％）にし、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金の組成を変化させた。すなわち、記録層３の
形成は、各種組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金の粉末とタン
タル（Ｔａ）の粉末を、タンタル（Ｔａ）の含有率が５
ａｔ％となるように混合して焼結体を作製し、この焼結
体をターゲットとして用いてスパッタリングすることに
より行った。また、得られた記録層３の組成を蛍光Ｘ線
で分析し、（１）式のｘ，ｙ，ｚ，ｗを算出した。その
結果を下記の表４に示す。
【００５３】このようにして得られた相変化型光ディス
クの各サンプルについて、記録特性を評価するために、
各サンプルを駆動装置にかけて線速度２．４ｍ／ｓで回
転させながら、波長が７８０ｎｍのレーザ光をバイアス
パワーは６ｍＷに固定したまま、ピークパワーを種々に
変化させて実施例１と同じランダムパターンを記録し、
再生信号のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）を測定した。
クの各サンプルについて、記録特性を評価するために、
各サンプルを駆動装置にかけて線速度２．４ｍ／ｓで回
転させながら、波長が７８０ｎｍのレーザ光をバイアス
パワーは６ｍＷに固定したまま、ピークパワーを種々に
変化させて実施例１と同じランダムパターンを記録し、
再生信号のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）を測定した。
【００５４】Ｃ／Ｎが５０ｄＢを超えたピークパワーを
記録感度と定義し、記録感度が１４ｍＷ以下の場合を
「記録可能（○）」、記録感度が１４ｍＷを超える場合
を「記録不能（×）」として評価した。
記録感度と定義し、記録感度が１４ｍＷ以下の場合を
「記録可能（○）」、記録感度が１４ｍＷを超える場合
を「記録不能（×）」として評価した。
【００５５】
【表４】
【００５６】表４の結果から分かるように、アンチモン
（Ｓｂ）の含有率ｚが本発明の範囲内（５≦ｚ≦６０）
内にある No.２，３は記録可能となったが、この範囲か
ら外れるNo. １は記録不能であった。 ＜実施例５＞実施例１と同様の手順により、図１に示す
層構造の相変化型光ディスクを作製した。
（Ｓｂ）の含有率ｚが本発明の範囲内（５≦ｚ≦６０）
内にある No.２，３は記録可能となったが、この範囲か
ら外れるNo. １は記録不能であった。 ＜実施例５＞実施例１と同様の手順により、図１に示す
層構造の相変化型光ディスクを作製した。
【００５７】なお、記録層３は、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ−Ｔ
ａ−Ｒ（Ｒ：Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｎｂ、
Ｖ、Ｐｄ、またはＰｔ）からなるものとし、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金（Ｓｂ：２５ａｔ％, Ｔｅ：５５ａｔ％, Ｇ
ｅ：２０ａｔ％）の粉末と、タンタル（Ｔａ）と特定元
素Ｒとの合金（原子比でＴａ：Ｒ＝５：２）の粉末を、
タンタル（Ｔａ）の含有率が５ａｔ％、特定元素Ｒの含
有率が２ａｔ％となるように混合して焼結体を作製し、
この焼結体をターゲットとしてスパッタリングすること
により形成した。
ａ−Ｒ（Ｒ：Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｎｂ、
Ｖ、Ｐｄ、またはＰｔ）からなるものとし、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金（Ｓｂ：２５ａｔ％, Ｔｅ：５５ａｔ％, Ｇ
ｅ：２０ａｔ％）の粉末と、タンタル（Ｔａ）と特定元
素Ｒとの合金（原子比でＴａ：Ｒ＝５：２）の粉末を、
タンタル（Ｔａ）の含有率が５ａｔ％、特定元素Ｒの含
有率が２ａｔ％となるように混合して焼結体を作製し、
この焼結体をターゲットとしてスパッタリングすること
により形成した。
【００５８】このようにして得られた相変化型光ディス
クの各サンプルについて、データの保存安定性を評価す
るために、実施例３と同じ方法で光ディスクの加速試験
を行った。サンプル間の差を明確にするため、加速条件
は、９０℃、８０％ＲＨ（相対湿度）の恒温恒湿槽中で
６００時間とした。実施例３と同様に加速試験前後で再
生信号のジッターを測定し、ジッターの増加量を算出し
た。
クの各サンプルについて、データの保存安定性を評価す
るために、実施例３と同じ方法で光ディスクの加速試験
を行った。サンプル間の差を明確にするため、加速条件
は、９０℃、８０％ＲＨ（相対湿度）の恒温恒湿槽中で
６００時間とした。実施例３と同様に加速試験前後で再
生信号のジッターを測定し、ジッターの増加量を算出し
た。
【００５９】添加した元素毎の結果を表５に示す。
【００６０】
【表５】
【００６１】表５の結果から分かるように、Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ−Ｔａに特定元素Ｒ（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、
Ｈｆ、Ｎｂ、Ｖ、Ｐｄ、またはＰｔ）を添加することに
より、ジッターの増加量を小さく抑えることができる。
すなわち、記録層に特定元素Ｒが存在することにより、
データの保存安定性が改善されることが分かる。
−Ｇｅ−Ｔａに特定元素Ｒ（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、
Ｈｆ、Ｎｂ、Ｖ、Ｐｄ、またはＰｔ）を添加することに
より、ジッターの増加量を小さく抑えることができる。
すなわち、記録層に特定元素Ｒが存在することにより、
データの保存安定性が改善されることが分かる。
【００６２】
【発明の効果】以上説明してきたように、請求項１およ
び２の記録媒体によれば、良好な記録・消去特性および
保存特性を保持しながら、記録マーク端部の位置ずれを
小さくすることができる。したがって、この記録媒体
は、マークエッジ記録における記録データの信頼性が高
いものとなる。
び２の記録媒体によれば、良好な記録・消去特性および
保存特性を保持しながら、記録マーク端部の位置ずれを
小さくすることができる。したがって、この記録媒体
は、マークエッジ記録における記録データの信頼性が高
いものとなる。
【００６３】請求項２の記録媒体では、特定元素Ｒの添
加により記録マークの安定性が高くなるため、データの
保存安定性が特に高くなる。請求項３の方法によれば、
請求項１の記録媒体が容易に作製できる。
加により記録マークの安定性が高くなるため、データの
保存安定性が特に高くなる。請求項３の方法によれば、
請求項１の記録媒体が容易に作製できる。
【００６４】請求項４の方法によれば、請求項２の記録
媒体が容易に作製できる。
媒体が容易に作製できる。
【図１】本発明の一実施形態に相当する相変化型光ディ
スクの層構造を示す断面図である。
スクの層構造を示す断面図である。
１ 基板 ２ 第一保護層 ３ 記録層 ４ 第二保護層 ５ 反射層 ６ 保護コート樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 照射光の強度に応じて結晶状態と非晶質
状態との間の相変化が可逆的になされる記録層を基板上
に備えた相変化型光情報記録媒体において、 記録層は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、およびタンタル（Ｔａ）を含み、下
記の（１）式で示す組成を有することを特徴とする相変
化型光情報記録媒体。 （Ｓｂx Ｔｅy Ｇｅz ）(100-w) ・Ｔａw ‥‥（１） （ただし、５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦６５、５≦ｚ≦６
５、 ０＜ｗ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００） - 【請求項２】 照射光の強度に応じて結晶状態と非晶質
状態との間の相変化が可逆的になされる記録層を基板上
に備えた相変化型光情報記録媒体において、記録層は、
アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲルマニウム
（Ｇｅ）、タンタル（Ｔａ）、および特定元素Ｒ（Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｎ ｂ、Ｖ、Ｐｄ、およ
びＰｔから選択された少なくとも一つの元素）を含み、
下記の（２）式で示す組成を有することを特徴とする相
変化型光情報記録媒体。 （Ｓｂx Ｔｅy Ｇｅz ）(100-w-v) ・Ｔａw ・Ｒv ‥‥（２） （ただし、５≦ｘ≦６０、３５≦ｙ≦６５、５≦ｚ≦６
５、 ０＜ｗ≦２０、０＜ｖ≦１０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００） - 【請求項３】 請求項１記載の相変化型光情報記録媒体
を製造する方法において、 記録層の形成は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔ
ｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびタンタル（Ｔａ）
を所定の割合で含む焼結体を、所定組成のＳｂ−Ｔｅ−
Ｇｅ合金粉末とタンタル粉末とを所定比率で混合して焼
結させることにより作製し、この焼結体をターゲットと
して用いたスパッタリング法により行うことを特徴とす
る相変化型光情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２記載の相変化型光情報記録媒体
を製造する方法において、 記録層の形成は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔ
ｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、タンタル（Ｔａ）、およ
び特定元素Ｒ（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｎｂ、
Ｖ、Ｐｄ、およびＰｔから選択された少なくとも一つの
元素）を所定の割合で含む焼結体を、所定組成のＴａ−
Ｒ合金粉末と所定組成のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金粉末とを
所定比率で混合して焼結させることにより作製し、この
焼結体をターゲットとして用いたスパッタリング法によ
り行うことを特徴とする相変化型光情報記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9149458A JPH10337955A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 相変化型光情報記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9149458A JPH10337955A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 相変化型光情報記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10337955A true JPH10337955A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15475570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9149458A Withdrawn JPH10337955A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 相変化型光情報記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10337955A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1194284A4 (en) * | 1999-04-22 | 2002-10-31 | Energy Conversion Devices Inc | OPTICAL STORAGE MEDIUM WITH INCREASED ERASABILITY |
| EP1260973A3 (en) * | 2001-05-21 | 2003-07-16 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and recording method |
| CN100365719C (zh) * | 2002-05-16 | 2008-01-30 | 三星电子株式会社 | 有高熔点记录层的记录媒体、其信息记录法、及复制装置和方法 |
| CN111463345A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-28 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元 |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP9149458A patent/JPH10337955A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1194284A4 (en) * | 1999-04-22 | 2002-10-31 | Energy Conversion Devices Inc | OPTICAL STORAGE MEDIUM WITH INCREASED ERASABILITY |
| EP1260973A3 (en) * | 2001-05-21 | 2003-07-16 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and recording method |
| EP1703497A3 (en) * | 2001-05-21 | 2007-04-11 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| CN100365719C (zh) * | 2002-05-16 | 2008-01-30 | 三星电子株式会社 | 有高熔点记录层的记录媒体、其信息记录法、及复制装置和方法 |
| CN111463345A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-28 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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