JPH0833544B2 - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPH0833544B2 JPH0833544B2 JP61214020A JP21402086A JPH0833544B2 JP H0833544 B2 JPH0833544 B2 JP H0833544B2 JP 61214020 A JP61214020 A JP 61214020A JP 21402086 A JP21402086 A JP 21402086A JP H0833544 B2 JPH0833544 B2 JP H0833544B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- phase
- substrates
- gap
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13392—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers dispersed on the cell substrate, e.g. spherical particles, microfibres
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は液晶表示素子や液晶−光シャッターアレイ等
の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向
状態を改善することにより、表示ならびに駆動特性を改
善した強誘電性液晶素子に関するものである。
の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向
状態を改善することにより、表示ならびに駆動特性を改
善した強誘電性液晶素子に関するものである。
[開示の概要] 本明細書及び図面は、液晶表示素子や液晶−光シャッ
ターアレイ等に用いられる強誘電性液晶素子において、
基板間に挟持したギャップ剤を、基板上のカラーフィル
ターにめり込ませて形成することにより、セルギャップ
のバラツキを改善して配向欠陥の発生を防止し、強誘電
性液晶の特性を十分に発揮し得る強誘電性液晶素子とす
る技術を開示するものである。
ターアレイ等に用いられる強誘電性液晶素子において、
基板間に挟持したギャップ剤を、基板上のカラーフィル
ターにめり込ませて形成することにより、セルギャップ
のバラツキを改善して配向欠陥の発生を防止し、強誘電
性液晶の特性を十分に発揮し得る強誘電性液晶素子とす
る技術を開示するものである。
[従来の技術] 従来、カラー液晶表示パネルでは、フィルター基板と
対向基板との間(セルギャップ)を保持するために基板
上に形成されたフィルター層上にギャップ剤を散布し対
向基板と貼り合わせ、ギャップ剤がフィルター層中にめ
り込まない程度の圧力で圧着することによりセルギャッ
プを得ていた。
対向基板との間(セルギャップ)を保持するために基板
上に形成されたフィルター層上にギャップ剤を散布し対
向基板と貼り合わせ、ギャップ剤がフィルター層中にめ
り込まない程度の圧力で圧着することによりセルギャッ
プを得ていた。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、基板間に散布されるギャップ剤は、そ
の粒径が小さくなる程精度が悪くなり、ギャップ剤のす
べてが必ずしもフィルター層に均一に接触しているわけ
ではない。すなわち、中には液晶中に浮遊しているもの
や、フィルター中にめり込んでいるものもあり、例えば
ギャップ間隔を1μmに設定した場合では、実際には1
μm±0.5μm程度の精度しか得られなかった。
の粒径が小さくなる程精度が悪くなり、ギャップ剤のす
べてが必ずしもフィルター層に均一に接触しているわけ
ではない。すなわち、中には液晶中に浮遊しているもの
や、フィルター中にめり込んでいるものもあり、例えば
ギャップ間隔を1μmに設定した場合では、実際には1
μm±0.5μm程度の精度しか得られなかった。
従来、液晶の配向欠陥はギャップ剤がフィルター中に
めり込むことにより発生するフィルター表面の凹凸が原
因であると考えられていた。ところが、本発明者らが研
究を行った結果、液晶の配向欠陥はギャップ剤によって
もたらされるフィルター表面の凹凸よりも、前述したセ
ルギャップ精度のバラツキが主な原因となることが明ら
かになった。すなわち、液晶の配向欠陥をなくすために
は高い精度のセルギャップが要求されることになる。
めり込むことにより発生するフィルター表面の凹凸が原
因であると考えられていた。ところが、本発明者らが研
究を行った結果、液晶の配向欠陥はギャップ剤によって
もたらされるフィルター表面の凹凸よりも、前述したセ
ルギャップ精度のバラツキが主な原因となることが明ら
かになった。すなわち、液晶の配向欠陥をなくすために
は高い精度のセルギャップが要求されることになる。
本発明の目的は、上記配向欠陥の発生を防止し、強誘
電性液晶素子が本来持っている高速応答性とメモリー効
果特性を十分に発揮することのできる強誘電性液晶素子
を提供することを目的とするものである。
電性液晶素子が本来持っている高速応答性とメモリー効
果特性を十分に発揮することのできる強誘電性液晶素子
を提供することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]及び[作用] 本発明者らは、とくに液晶が等方相(高温状態)より
液晶相(低温状態)へ移行する降温過程における初期配
向性に着目し、液晶の双安定性に基づく素子の作動特性
と液晶層のモノドメイン性を両立し得る構造を有する液
晶素子を見出したものである。本発明の液晶素子は、こ
のような知見に基づくものであり、より詳しくは、液晶
層の層厚が液晶素子の内面で厚みのむらがなく、つまり
液晶層の層厚に急激な変化を生じさせなくすることによ
り、降温過程における初期配向性を良好な状態とし、配
向欠陥のないモノドメインを形成する点に特徴を有して
いる。
液晶相(低温状態)へ移行する降温過程における初期配
向性に着目し、液晶の双安定性に基づく素子の作動特性
と液晶層のモノドメイン性を両立し得る構造を有する液
晶素子を見出したものである。本発明の液晶素子は、こ
のような知見に基づくものであり、より詳しくは、液晶
層の層厚が液晶素子の内面で厚みのむらがなく、つまり
液晶層の層厚に急激な変化を生じさせなくすることによ
り、降温過程における初期配向性を良好な状態とし、配
向欠陥のないモノドメインを形成する点に特徴を有して
いる。
すなわち本発明は、一対の基板、該一対の基板のうち
の少なくとも一方の基板に設けた所定の膜厚のカラーフ
ィルター層又は保護層、該一対の基板間の間隔を保持す
るために挟持され、該一対の基板を加圧することによっ
て上記カラーフィルター層又は保護層にめり込ませて配
置させたギャップ剤、及び等方相より冷却させてカイラ
ルスメクティック相を生じた液晶を有する液晶素子であ
る。
の少なくとも一方の基板に設けた所定の膜厚のカラーフ
ィルター層又は保護層、該一対の基板間の間隔を保持す
るために挟持され、該一対の基板を加圧することによっ
て上記カラーフィルター層又は保護層にめり込ませて配
置させたギャップ剤、及び等方相より冷却させてカイラ
ルスメクティック相を生じた液晶を有する液晶素子であ
る。
本発明で用いる液晶材料は、等方相より冷却させてカ
イラルスメクティック相を生じる液晶であり、双安定性
及び強誘電性を有するものである。具体的にはカイラル
スメクティックC相(SmC*相)、H相(SmH*相)、I相
(SmI*相)、J相(SmJ*相)、K相(SmK*相)、G相
(SmG*相)又はF相(SmF*相)の液晶を用いることがで
きる。
イラルスメクティック相を生じる液晶であり、双安定性
及び強誘電性を有するものである。具体的にはカイラル
スメクティックC相(SmC*相)、H相(SmH*相)、I相
(SmI*相)、J相(SmJ*相)、K相(SmK*相)、G相
(SmG*相)又はF相(SmF*相)の液晶を用いることがで
きる。
この強誘電性液晶については、“ル・ジュールナル・
ド・フィジーク・ルテール(“LE JOURNAL DE PHYSIQUE
LETTERS")1975年、36(L-69)号、「フェロエレクト
リック・リキッド・クリスタルス」(「Ferroelectricl
iquid Crystals」);“アプライド・フィジックス・レ
ターズ”(“Applied Physics Letters")1980年、36
(11)号、「サブミクロ・セカンド・バイステイブル・
エレクトロオプチック・スイッチング・イン・リキッド
・クリスタルス(「Submicro Second Bistable Electro
optic Switching in Liquid Crystals」);“固体物
理"1981年、16(141)号、「液晶」等に記載されてお
り、本発明においては、これらに開示された強誘電性液
晶を使用することができる。
ド・フィジーク・ルテール(“LE JOURNAL DE PHYSIQUE
LETTERS")1975年、36(L-69)号、「フェロエレクト
リック・リキッド・クリスタルス」(「Ferroelectricl
iquid Crystals」);“アプライド・フィジックス・レ
ターズ”(“Applied Physics Letters")1980年、36
(11)号、「サブミクロ・セカンド・バイステイブル・
エレクトロオプチック・スイッチング・イン・リキッド
・クリスタルス(「Submicro Second Bistable Electro
optic Switching in Liquid Crystals」);“固体物
理"1981年、16(141)号、「液晶」等に記載されてお
り、本発明においては、これらに開示された強誘電性液
晶を使用することができる。
強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベ
ンジリデン−p′−アミノ−2−メチルブチルシンナメ
ート(DOBAMBC)、ヘキシルオキシベンジリデン−p′
−アミノ−2−クロロプロピルシンナメート(HOBACP
C)、4−o−(2−メチル)−ブチルレゾルシリデン
−4′−オクチルアニリン(MBRA8)が挙げられる。
ンジリデン−p′−アミノ−2−メチルブチルシンナメ
ート(DOBAMBC)、ヘキシルオキシベンジリデン−p′
−アミノ−2−クロロプロピルシンナメート(HOBACP
C)、4−o−(2−メチル)−ブチルレゾルシリデン
−4′−オクチルアニリン(MBRA8)が挙げられる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合
物がカイラルスメクティック相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
たブロック等により支持することができる。
物がカイラルスメクティック相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
たブロック等により支持することができる。
本発明に用いられる配向制御膜の材料としては、例え
ば、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルア
セタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミ
ド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユ
リヤ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、あるいは感光性
ポリイミド、感光性ポリアミド、環化ゴム系フォトレジ
スト、フェノールノボラック系フォトレジストあるいは
電子線フォトレジスト(ポリメチルメタクリレート、エ
ポキシ化−1,4−ポリブタジエンなど)などから選択し
て形成することができる。
ば、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルア
セタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミ
ド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユ
リヤ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、あるいは感光性
ポリイミド、感光性ポリアミド、環化ゴム系フォトレジ
スト、フェノールノボラック系フォトレジストあるいは
電子線フォトレジスト(ポリメチルメタクリレート、エ
ポキシ化−1,4−ポリブタジエンなど)などから選択し
て形成することができる。
本発明に用いられるカラーフィルターとしては、蒸着
タイプ、染色タイプ、樹脂タイプ、電着タイプ等が挙げ
られ、いずれの方法で形成したものであってもよい。
タイプ、染色タイプ、樹脂タイプ、電着タイプ等が挙げ
られ、いずれの方法で形成したものであってもよい。
また、本発明に用いられるカラーフィルター用の色素
材料としては、アゾ系、アントラキノン系、フタロシア
ニン系、キナクリドン系、イソインドリノン系、ジオキ
サジン系、ペリレン系、ペリノン系、チオインジゴ系、
ピロコリン系、フルオルビン系、キノフタロン系等が挙
げられる。
材料としては、アゾ系、アントラキノン系、フタロシア
ニン系、キナクリドン系、イソインドリノン系、ジオキ
サジン系、ペリレン系、ペリノン系、チオインジゴ系、
ピロコリン系、フルオルビン系、キノフタロン系等が挙
げられる。
本発明に用いられるギャップ剤の材質としては、ガラ
ス、アルミナ、プラスチック等が挙げられ、形状として
は球形のものを使用することができる。
ス、アルミナ、プラスチック等が挙げられ、形状として
は球形のものを使用することができる。
第1図は、本発明による強誘電性液晶素子のセル構造
を模式的に表わす断面図である。第1図において、液晶
素子は上下に配置された一対の平行基板1と、一方の基
板上に形成されたカラーフィルター2と、これら基板間
に挟持されたギャップ剤3及び強誘電性液晶4と周囲を
封止するためのシール剤5より構成されている。
を模式的に表わす断面図である。第1図において、液晶
素子は上下に配置された一対の平行基板1と、一方の基
板上に形成されたカラーフィルター2と、これら基板間
に挟持されたギャップ剤3及び強誘電性液晶4と周囲を
封止するためのシール剤5より構成されている。
図に示すように、ギャップ剤3の直径はカラーフィル
ター2へのギャップ剤3のめり込み深さlFと、セルギャ
ップlGとを加えた大きさになり、従来の素子に使用され
るギャップ剤よりも大きな径のギャップ剤を使用するこ
とになる。前述したように、径が1μm前後で精度の高
いギャップ剤を作ることは難しいが、このように径が大
きければ精度の高いギャップ剤を比較的容易に作成する
ことが可能となる。また、本発明における上下基板の貼
り合わせ圧力は、カラーフィルターの材質(硬度)によ
り異なるが、通常は従来法における圧着圧のおよそ3割
増程度となる。したがってギャップ剤は従来より高い圧
力で押圧されることになり、フィルター中に一定の深さ
だけめり込んだ状態で形成される。このため、セルギャ
ップを極めて高い精度に維持することができ、配向欠陥
のないモノドメインを得ることができる。
ター2へのギャップ剤3のめり込み深さlFと、セルギャ
ップlGとを加えた大きさになり、従来の素子に使用され
るギャップ剤よりも大きな径のギャップ剤を使用するこ
とになる。前述したように、径が1μm前後で精度の高
いギャップ剤を作ることは難しいが、このように径が大
きければ精度の高いギャップ剤を比較的容易に作成する
ことが可能となる。また、本発明における上下基板の貼
り合わせ圧力は、カラーフィルターの材質(硬度)によ
り異なるが、通常は従来法における圧着圧のおよそ3割
増程度となる。したがってギャップ剤は従来より高い圧
力で押圧されることになり、フィルター中に一定の深さ
だけめり込んだ状態で形成される。このため、セルギャ
ップを極めて高い精度に維持することができ、配向欠陥
のないモノドメインを得ることができる。
[実施例] 第3図は基板上にカラーフィルターを形成する場合の
一例を示すもので、感光性着色樹脂によるカラーフィル
ターの形成工程を示す図である。
一例を示すもので、感光性着色樹脂によるカラーフィル
ターの形成工程を示す図である。
第3図において、ガラス基板1上に、所望の分光特性
を得ることのできる青色着色樹脂剤[ヘリオゲン ブル
ー(Heliogen Blue)L7080(商品名,BASF社製,C.I.No.7
4160)をPA-1000c(商品名、宇部興産社製,ポリマー分
10%、溶剤=N−メチル−2−ピロリドン、顔料:ポリ
マー=1:2配合)に分散させ作製した感光性の着色樹脂
剤2]をスピンナー塗布法により、2.0μmの膜厚に塗
布した(第3図(a)参照)。次にこの着色樹脂層2に
80℃、30分間のプリベークを行なった後、形成しようと
するパターン形状に対応したパターンを有するフォトマ
スク10を介して高圧水銀灯にて露光した(第3図(b)
参照)。露光終了後、着色樹脂層2の未露光部のみを溶
解する専用現像液(N−メチル−2−ピロリドンを主成
分とする現像液)にて超音波を使用して現像し、専用リ
ンス液(1,1,1,−トリクロロエタンを主成分とするリン
ス液)で処理した後、150℃、30分間のポストベークを
行ない、パターン形状を有した青色着色樹脂層7を形成
した(第3図(c),(d)参照)。
を得ることのできる青色着色樹脂剤[ヘリオゲン ブル
ー(Heliogen Blue)L7080(商品名,BASF社製,C.I.No.7
4160)をPA-1000c(商品名、宇部興産社製,ポリマー分
10%、溶剤=N−メチル−2−ピロリドン、顔料:ポリ
マー=1:2配合)に分散させ作製した感光性の着色樹脂
剤2]をスピンナー塗布法により、2.0μmの膜厚に塗
布した(第3図(a)参照)。次にこの着色樹脂層2に
80℃、30分間のプリベークを行なった後、形成しようと
するパターン形状に対応したパターンを有するフォトマ
スク10を介して高圧水銀灯にて露光した(第3図(b)
参照)。露光終了後、着色樹脂層2の未露光部のみを溶
解する専用現像液(N−メチル−2−ピロリドンを主成
分とする現像液)にて超音波を使用して現像し、専用リ
ンス液(1,1,1,−トリクロロエタンを主成分とするリン
ス液)で処理した後、150℃、30分間のポストベークを
行ない、パターン形状を有した青色着色樹脂層7を形成
した(第3図(c),(d)参照)。
続いて、青色着色パターンの形成されたガラス基板上
に、第2色目として緑色着色樹脂材[リオノール グリ
ーン(Lionol Green)6YK(商品名,東洋インキ社製,C.
I.No.74265)をPA-1000c(商品名,宇部興産社製,ポリ
マー分10%、溶剤=N−メチル−2−ピロリドン、顔
料:ポリマー=1:2配合)に分散させ作製した感光性の
着色樹脂材]を用いる以外は、上記と同様にして、緑色
着色樹脂層7を基板上の所定の位置に形成した。
に、第2色目として緑色着色樹脂材[リオノール グリ
ーン(Lionol Green)6YK(商品名,東洋インキ社製,C.
I.No.74265)をPA-1000c(商品名,宇部興産社製,ポリ
マー分10%、溶剤=N−メチル−2−ピロリドン、顔
料:ポリマー=1:2配合)に分散させ作製した感光性の
着色樹脂材]を用いる以外は、上記と同様にして、緑色
着色樹脂層7を基板上の所定の位置に形成した。
さらに、青色及び緑色パターンの形成されている基板
上に、第3色目として、赤色着色樹脂材[イルガジン
レッド(Irgazin Red)BPT(商品名,チバガイギー(Ci
ba-Geigy)社製,C.I.No.71127)をPA-1000c(商品名,
宇部興産社製,ポリマー分10%、溶剤=N−メチル−2
−ピロリドン、顔料:ポリマー=1:2配合)に分散させ
作製した感光性の着色樹脂材]を用いる以外は、上記と
同様にして、赤色着色樹脂層8を基板上の所定の位置に
形成し、R(赤),G(緑),B(青)の3色ストライプの
着色パターンを得た(第3図(e)参照)。
上に、第3色目として、赤色着色樹脂材[イルガジン
レッド(Irgazin Red)BPT(商品名,チバガイギー(Ci
ba-Geigy)社製,C.I.No.71127)をPA-1000c(商品名,
宇部興産社製,ポリマー分10%、溶剤=N−メチル−2
−ピロリドン、顔料:ポリマー=1:2配合)に分散させ
作製した感光性の着色樹脂材]を用いる以外は、上記と
同様にして、赤色着色樹脂層8を基板上の所定の位置に
形成し、R(赤),G(緑),B(青)の3色ストライプの
着色パターンを得た(第3図(e)参照)。
この様にして得られたフィルター基板の外周に、シー
ル剤(DNM-2110,大日本塗料製)を印刷し、その後フィ
ルター上に直径2.0μmの球型ギャップ剤(ガラス製)
を散布した。そして対向基板と貼り合わせ、1.8Kg/cm2
の圧力により圧着し、180℃で30分ベークすることによ
り強誘電性液晶素子を得た。
ル剤(DNM-2110,大日本塗料製)を印刷し、その後フィ
ルター上に直径2.0μmの球型ギャップ剤(ガラス製)
を散布した。そして対向基板と貼り合わせ、1.8Kg/cm2
の圧力により圧着し、180℃で30分ベークすることによ
り強誘電性液晶素子を得た。
以上の方法によって得られた強誘電性液晶素子は、1.
8Kg/cm2の力で圧着されるので、2.0μmのフィルター層
にちょうど1.0μmめり込み、セルギャップ1.0μm±0.
05μmを得ることができた。
8Kg/cm2の力で圧着されるので、2.0μmのフィルター層
にちょうど1.0μmめり込み、セルギャップ1.0μm±0.
05μmを得ることができた。
第2図は上記液晶素子におけるセルギャップの測定位
置を示す斜視図であり、図の〜の測定位置における
セルギャップの測定値を下記表−1に示す。
置を示す斜視図であり、図の〜の測定位置における
セルギャップの測定値を下記表−1に示す。
上記実施例では、カラーフィルター上に直接ギャップ
剤を散布した例について説明したが、第3図(f)に示
す様に、3色の着色パターン上に保護層9を形成し、ギ
ャップ剤をこの保護層9にめり込ませるようにしてもよ
い。
剤を散布した例について説明したが、第3図(f)に示
す様に、3色の着色パターン上に保護層9を形成し、ギ
ャップ剤をこの保護層9にめり込ませるようにしてもよ
い。
[発明の効果] 以上説明した様に、本発明によれば、精度の良いギャ
ップ剤をフィルター中に一定の深さだけめり込ませるこ
とにより、セルギャップを高い精度で均一に保持するこ
とができる。したがって、液晶の初期配向状態における
配向欠陥を防止することができ、強誘電性液晶の特性を
十分に発揮し得る液晶素子を提供することができる。
ップ剤をフィルター中に一定の深さだけめり込ませるこ
とにより、セルギャップを高い精度で均一に保持するこ
とができる。したがって、液晶の初期配向状態における
配向欠陥を防止することができ、強誘電性液晶の特性を
十分に発揮し得る液晶素子を提供することができる。
第1図は本発明による強誘電性液晶素子の断面図、第2
図はセルギャップ測定位置を示す図、第3図はカラーフ
ィルターの形成工程を示す図である。 1……基板、2……カラーフィルター、3……ギャップ
剤。
図はセルギャップ測定位置を示す図、第3図はカラーフ
ィルターの形成工程を示す図である。 1……基板、2……カラーフィルター、3……ギャップ
剤。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 美樹 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 関村 信行 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】一対の基板、該一対の基板のうちの少なく
とも一方の基板に設けた所定の膜厚のカラーフィルター
層又は保護層、該一対の基板間の間隔を保持するために
挟持され、該一対の基板を加圧することによって上記カ
ラーフィルター層又は保護層にめり込ませて配置させた
ギャップ剤、及び等方相より冷却させてカイラルスメク
ティック相を生じた液晶を有することを特徴とする液晶
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61214020A JPH0833544B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61214020A JPH0833544B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370228A JPS6370228A (ja) | 1988-03-30 |
| JPH0833544B2 true JPH0833544B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16648943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61214020A Expired - Fee Related JPH0833544B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833544B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144435A (en) | 1995-04-28 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0614262B2 (ja) * | 1984-05-08 | 1994-02-23 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPS61121423U (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-31 |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61214020A patent/JPH0833544B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6370228A (ja) | 1988-03-30 |
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