JPH08335572A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH08335572A JPH08335572A JP14040895A JP14040895A JPH08335572A JP H08335572 A JPH08335572 A JP H08335572A JP 14040895 A JP14040895 A JP 14040895A JP 14040895 A JP14040895 A JP 14040895A JP H08335572 A JPH08335572 A JP H08335572A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハなどの被処理物上に形成する成
膜部の平坦化を向上し、被処理物の歩留りの向上を図る
半導体製造装置を提供する。 【構成】 ＣＶＤ処理によって半導体ウェハ上にＢＰＳ
Ｇ膜を形成する成膜処理部３と、Ｎ2 ガスなどの不活性
ガス９が供給されかつ成膜処理後の前記半導体ウェハを
加熱処理するアニール処理部４と、成膜処理部３とアニ
ール処理部４との間に設置されかつ両者間の前記半導体
ウェハの搬送を行う搬送機構を備えた搬送部６とからな
る半導体製造装置１であり、前記半導体ウェハに成膜処
理を行い、さらに成膜処理後の前記半導体ウェハをアニ
ール処理する際に、両処理部間に設置された搬送部６に
おける前記半導体ウェハの搬送を不活性ガス雰囲気中で
行う。
膜部の平坦化を向上し、被処理物の歩留りの向上を図る
半導体製造装置を提供する。 【構成】 ＣＶＤ処理によって半導体ウェハ上にＢＰＳ
Ｇ膜を形成する成膜処理部３と、Ｎ2 ガスなどの不活性
ガス９が供給されかつ成膜処理後の前記半導体ウェハを
加熱処理するアニール処理部４と、成膜処理部３とアニ
ール処理部４との間に設置されかつ両者間の前記半導体
ウェハの搬送を行う搬送機構を備えた搬送部６とからな
る半導体製造装置１であり、前記半導体ウェハに成膜処
理を行い、さらに成膜処理後の前記半導体ウェハをアニ
ール処理する際に、両処理部間に設置された搬送部６に
おける前記半導体ウェハの搬送を不活性ガス雰囲気中で
行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハなどの被
処理物に成膜処理を行い、かつ成膜処理後に熱処理を行
う半導体製造技術に関し、特に成膜処理部と熱処理部と
を一体化した半導体製造装置に関するものである。
処理物に成膜処理を行い、かつ成膜処理後に熱処理を行
う半導体製造技術に関し、特に成膜処理部と熱処理部と
を一体化した半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】被処理物である半導体ウェハに薄膜形成を
行うＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)処理には、ボ
ロン（Ｂ）やリン（Ｐ）などの不純物を添加したＳｉＯ
2 膜（以降、ＢＰＳＧ膜という）を形成するものがあ
る。
行うＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)処理には、ボ
ロン（Ｂ）やリン（Ｐ）などの不純物を添加したＳｉＯ
2 膜（以降、ＢＰＳＧ膜という）を形成するものがあ
る。
【０００４】ＢＰＳＧ膜の形成に際しては、ＣＶＤ処理
装置でＢＰＳＧ膜を形成し、その後、別の熱処理装置で
熱処理を行うことにより、ＢＰＳＧ膜を平坦化する。
装置でＢＰＳＧ膜を形成し、その後、別の熱処理装置で
熱処理を行うことにより、ＢＰＳＧ膜を平坦化する。
【０００５】なお、ＢＰＳＧ膜は、ＳｉＯ2 膜にボロン
やリンなどの不純物を添加することによりその融点を下
げることができるため、その平坦化を促進できる膜であ
る。
やリンなどの不純物を添加することによりその融点を下
げることができるため、その平坦化を促進できる膜であ
る。
【０００６】したがって、添加するボロンおよびリンの
濃度を増やすと平坦化をさらに促進することが可能にな
る。
濃度を増やすと平坦化をさらに促進することが可能にな
る。
【０００７】ここで、ＣＶＤ処理におけるＢＰＳＧ膜の
形成技術については、１９９３年６月３０日発行、日刊
工業新聞社、垂井康夫（監）、小林稔および中島蕃
（著）「ＶＬＳＩプロセス技術」６頁に記載されてい
る。
形成技術については、１９９３年６月３０日発行、日刊
工業新聞社、垂井康夫（監）、小林稔および中島蕃
（著）「ＶＬＳＩプロセス技術」６頁に記載されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術においては、ＳｉＯ2 膜に添加するボロンおよびリン
の濃度を増やすと、ＢＰＳＧ膜が大気中の水分を吸湿
し、ＢＰＳＧ膜中のボロンまたはリンが析出する。
術においては、ＳｉＯ2 膜に添加するボロンおよびリン
の濃度を増やすと、ＢＰＳＧ膜が大気中の水分を吸湿
し、ＢＰＳＧ膜中のボロンまたはリンが析出する。
【０００９】その結果、半導体ウェハの歩留りを低下さ
せるという問題が発生する。
せるという問題が発生する。
【００１０】そこで、本発明の目的は、半導体ウェハな
どの被処理物上に形成する成膜部の平坦化を向上し、被
処理物の歩留りの向上を図る半導体製造装置を提供する
ことにある。
どの被処理物上に形成する成膜部の平坦化を向上し、被
処理物の歩留りの向上を図る半導体製造装置を提供する
ことにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１３】すなわち、本発明による半導体製造装置
は、半導体ウェハなどの被処理物に成膜処理を行う成膜
処理部と、不活性ガスが供給されかつ成膜処理後の被処
理物を加熱処理する熱処理部と、前記成膜処理部と前記
熱処理部との間に設置されかつ両者間の前記被処理物の
搬送を行う搬送機構を備えた搬送部とを有し、前記搬送
部には、その内部に不活性ガスを供給するガス供給手段
と前記搬送機構を覆うカバー部材とが設けられているも
のである。
は、半導体ウェハなどの被処理物に成膜処理を行う成膜
処理部と、不活性ガスが供給されかつ成膜処理後の被処
理物を加熱処理する熱処理部と、前記成膜処理部と前記
熱処理部との間に設置されかつ両者間の前記被処理物の
搬送を行う搬送機構を備えた搬送部とを有し、前記搬送
部には、その内部に不活性ガスを供給するガス供給手段
と前記搬送機構を覆うカバー部材とが設けられているも
のである。
【００１４】さらに、前記熱処理部には、その内部に酸
素を供給する酸素供給手段が設置され、加熱処理された
被処理物の表面に酸化膜が形成されるものである。
素を供給する酸素供給手段が設置され、加熱処理された
被処理物の表面に酸化膜が形成されるものである。
【００１５】なお、本発明による半導体製造装置は、前
記ガス供給手段によって前記搬送部のカバー部材内に不
活性ガスの雰囲気を形成する際に、前記カバー部材内の
大気を前記不活性ガスによって押し出すことにより、前
記不活性ガスの雰囲気が形成されるものである。
記ガス供給手段によって前記搬送部のカバー部材内に不
活性ガスの雰囲気を形成する際に、前記カバー部材内の
大気を前記不活性ガスによって押し出すことにより、前
記不活性ガスの雰囲気が形成されるものである。
【００１６】また、前記搬送機構は、前記被処理物を保
持して往復運動する支持部材と前記支持部材を収容する
収容部が形成された試料台とからなるものである。
持して往復運動する支持部材と前記支持部材を収容する
収容部が形成された試料台とからなるものである。
【００１７】
【作用】上記した手段によれば、半導体製造装置が成膜
処理部と熱処理部とを有し、かつ両者間に設置された搬
送部を不活性ガス雰囲気にして成膜処理後の被処理物を
搬送することにより、成膜部が吸湿することを防止でき
る。
処理部と熱処理部とを有し、かつ両者間に設置された搬
送部を不活性ガス雰囲気にして成膜処理後の被処理物を
搬送することにより、成膜部が吸湿することを防止でき
る。
【００１８】これにより、成膜処理後、成膜部に含まれ
るボロンやリンなどの不純物の析出を防止することがで
きるため、成膜処理時に注入する不純物の濃度を高くす
ることが可能になる。
るボロンやリンなどの不純物の析出を防止することがで
きるため、成膜処理時に注入する不純物の濃度を高くす
ることが可能になる。
【００１９】その結果、成膜部の融点を下げることがで
きるため、成膜部の平坦化を向上させることができる。
きるため、成膜部の平坦化を向上させることができる。
【００２０】また、前記半導体製造装置が成膜処理部と
熱処理部とを合わせもつ一体形の装置であるため、成膜
処理部から熱処理部までを一貫して処理することが可能
になり、その結果、全体の処理時間を短縮することがで
きる。
熱処理部とを合わせもつ一体形の装置であるため、成膜
処理部から熱処理部までを一貫して処理することが可能
になり、その結果、全体の処理時間を短縮することがで
きる。
【００２１】さらに、酸素供給手段によって熱処理部に
酸素を供給して、熱処理後の被処理物の表面に酸化膜を
形成することにより、成膜処理部で形成された成膜部が
酸化膜によって覆われるため、熱処理後においても成膜
部が吸湿することを防止できる。
酸素を供給して、熱処理後の被処理物の表面に酸化膜を
形成することにより、成膜処理部で形成された成膜部が
酸化膜によって覆われるため、熱処理後においても成膜
部が吸湿することを防止できる。
【００２２】したがって、熱処理後においても成膜部に
含まれるボロンやリンなどの不純物の析出を防止するこ
とができ、その結果、前記同様、成膜処理時に注入する
不純物の濃度を高くすることが可能になる。
含まれるボロンやリンなどの不純物の析出を防止するこ
とができ、その結果、前記同様、成膜処理時に注入する
不純物の濃度を高くすることが可能になる。
【００２３】また、搬送部内に不活性ガスの雰囲気を形
成する際に、搬送部のカバー部材内の大気を前記不活性
ガスが押し出すことによりその雰囲気を形成するため、
密閉構造のチャンバなどを使用せずに簡単な構造のカバ
ー部材によって大気に触れることなく被処理物の搬送を
行うことができる。
成する際に、搬送部のカバー部材内の大気を前記不活性
ガスが押し出すことによりその雰囲気を形成するため、
密閉構造のチャンバなどを使用せずに簡単な構造のカバ
ー部材によって大気に触れることなく被処理物の搬送を
行うことができる。
【００２４】さらに、搬送部の搬送機構が、被処理物を
保持して往復運動する支持部材と前記支持部材を収容す
る収容部が形成された試料台とからなることにより、被
処理物の受け渡しを簡単な構造の部材によって行うこと
ができる。
保持して往復運動する支持部材と前記支持部材を収容す
る収容部が形成された試料台とからなることにより、被
処理物の受け渡しを簡単な構造の部材によって行うこと
ができる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００２６】図１は本発明による半導体製造装置の構造
の一実施例を示す基本構成図、図２は本発明による半導
体製造装置の構造の一実施例を示す部分斜視図、図３は
本発明による半導体製造装置の搬送部における搬送機構
の構造の一実施例を示す部分斜視図である。
の一実施例を示す基本構成図、図２は本発明による半導
体製造装置の構造の一実施例を示す部分斜視図、図３は
本発明による半導体製造装置の搬送部における搬送機構
の構造の一実施例を示す部分斜視図である。
【００２７】なお、本実施例の半導体製造装置１は、被
処理物である半導体ウェハ２にＣＶＤ処理によって成膜
処理を行い、さらにＣＶＤ処理後の半導体ウェハ２を熱
処理、すなわちアニール処理するものである。
処理物である半導体ウェハ２にＣＶＤ処理によって成膜
処理を行い、さらにＣＶＤ処理後の半導体ウェハ２を熱
処理、すなわちアニール処理するものである。
【００２８】また、本実施例の半導体製造装置１におい
ては、ＣＶＤ処理によってＢＰＳＧ膜を形成する場合に
ついて説明する。
ては、ＣＶＤ処理によってＢＰＳＧ膜を形成する場合に
ついて説明する。
【００２９】本実施例による半導体製造装置１の構成に
ついて説明すると、ＣＶＤ処理によって半導体ウェハ２
にＢＰＳＧ膜（成膜部）を形成する成膜処理部３と、Ｎ
2 ガスなどの不活性ガス９が供給されかつ成膜処理後の
半導体ウェハ２を加熱処理する熱処理部であるアニール
処理部４と、成膜処理部３とアニール処理部４との間に
設置されかつ両者間の半導体ウェハ２の搬送を行う搬送
機構５を備えた搬送部６とからなるものである。
ついて説明すると、ＣＶＤ処理によって半導体ウェハ２
にＢＰＳＧ膜（成膜部）を形成する成膜処理部３と、Ｎ
2 ガスなどの不活性ガス９が供給されかつ成膜処理後の
半導体ウェハ２を加熱処理する熱処理部であるアニール
処理部４と、成膜処理部３とアニール処理部４との間に
設置されかつ両者間の半導体ウェハ２の搬送を行う搬送
機構５を備えた搬送部６とからなるものである。
【００３０】なお、本実施例の半導体製造装置１には、
半導体ウェハ２を搬入する機構部であるローダ７と、成
膜処理および熱処理が終了した半導体ウェハ２を取り出
す機構部であるアンローダ８とが接続されている。ただ
し、ローダ７およびアンローダ８は、半導体製造装置１
の内部に設置されていてもよい。
半導体ウェハ２を搬入する機構部であるローダ７と、成
膜処理および熱処理が終了した半導体ウェハ２を取り出
す機構部であるアンローダ８とが接続されている。ただ
し、ローダ７およびアンローダ８は、半導体製造装置１
の内部に設置されていてもよい。
【００３１】したがって、半導体ウェハ２の搬送は、ロ
ーダ７、成膜処理部３、搬送部６、アニール処理部４、
アンローダ８の順に行われる。
ーダ７、成膜処理部３、搬送部６、アニール処理部４、
アンローダ８の順に行われる。
【００３２】また、図２、図３に示すように、搬送部６
には、その内部６ａにＮ2 ガスやアルゴンガスなどの不
活性ガス９を供給するガス供給手段である配管６ｂと、
搬送機構５を覆うカバー部材６ｃとが設けられている。
には、その内部６ａにＮ2 ガスやアルゴンガスなどの不
活性ガス９を供給するガス供給手段である配管６ｂと、
搬送機構５を覆うカバー部材６ｃとが設けられている。
【００３３】ここで、カバー部材６ｃは、例えば、ＳＵ
Ｓ（ステンレス鋼）などによって形成され、その成膜処
理部３側にはウェハ搬入口６ｄが、さらにアニール処理
部４側にはウェハ搬出口６ｅが設けられている。
Ｓ（ステンレス鋼）などによって形成され、その成膜処
理部３側にはウェハ搬入口６ｄが、さらにアニール処理
部４側にはウェハ搬出口６ｅが設けられている。
【００３４】また、搬送部６の内部６ａの配管６ｂに
は、１cm程度のほぼ等間隔で直径約１mmの小孔が下方(
半導体ウェハ２が通過する方向）に向けて複数個設けら
れており、前記小孔から不活性ガス９が送風、すなわち
供給される。
は、１cm程度のほぼ等間隔で直径約１mmの小孔が下方(
半導体ウェハ２が通過する方向）に向けて複数個設けら
れており、前記小孔から不活性ガス９が送風、すなわち
供給される。
【００３５】さらに、配管６ｂの端部６ｆは、不活性ガ
ス９が流出しないように封止されている。
ス９が流出しないように封止されている。
【００３６】また、熱処理部であるアニール処理部４に
は、その内部４ａに酸素を供給する酸素供給手段１０と
不活性ガス９を供給する第１配管１１とが設置されてい
る。
は、その内部４ａに酸素を供給する酸素供給手段１０と
不活性ガス９を供給する第１配管１１とが設置されてい
る。
【００３７】ここで、搬送部６に設置された搬送機構５
は、半導体ウェハ２を搭載または保持して往復運動する
シャフト部材などの支持部材５ａと、支持部材５ａを収
容する溝などの収容部５ｂが形成された試料台５ｃとか
らなるものである。
は、半導体ウェハ２を搭載または保持して往復運動する
シャフト部材などの支持部材５ａと、支持部材５ａを収
容する溝などの収容部５ｂが形成された試料台５ｃとか
らなるものである。
【００３８】なお、本実施例の搬送機構５における支持
部材５ａは、例えば、２個配置され、この２個の支持部
材５ａ上に半導体ウェハ２が載置（保持）される。さら
に、支持部材５ａが半導体ウェハ２を保持した状態で、
往復運動１２（この場合、矩形の往復運動１２）を行う
ことによって半導体ウェハ２をアニール処理部４へ搬送
することができる（本実施例の搬送機構５では、支持部
材５ａの１回の往復運動１２によって、半導体ウェハ２
を成膜処理部３から搬送部６に、あるいは搬送部６から
アニール処理部４に搬送する）。
部材５ａは、例えば、２個配置され、この２個の支持部
材５ａ上に半導体ウェハ２が載置（保持）される。さら
に、支持部材５ａが半導体ウェハ２を保持した状態で、
往復運動１２（この場合、矩形の往復運動１２）を行う
ことによって半導体ウェハ２をアニール処理部４へ搬送
することができる（本実施例の搬送機構５では、支持部
材５ａの１回の往復運動１２によって、半導体ウェハ２
を成膜処理部３から搬送部６に、あるいは搬送部６から
アニール処理部４に搬送する）。
【００３９】また、本実施例の半導体製造装置１では、
成膜処理部３およびアニール処理部４にも、搬送機構５
と同様の機構が設置されている。
成膜処理部３およびアニール処理部４にも、搬送機構５
と同様の機構が設置されている。
【００４０】次に、本実施例の半導体製造方法について
説明する。
説明する。
【００４１】まず、ローダ７によって被処理物である半
導体ウェハ２を成膜処理部３に搬入し、かつ成膜処理部
３内の支持部材５ａに載置し、そこで半導体ウェハ２に
ＣＶＤ処理、すなわちＢＰＳＧ膜を形成する。
導体ウェハ２を成膜処理部３に搬入し、かつ成膜処理部
３内の支持部材５ａに載置し、そこで半導体ウェハ２に
ＣＶＤ処理、すなわちＢＰＳＧ膜を形成する。
【００４２】その後、搬送機構５における支持部材５ａ
の矩形の往復運動１２によって、半導体ウェハ２をウェ
ハ搬入口６ｄを介して搬送部６に搬送する。
の矩形の往復運動１２によって、半導体ウェハ２をウェ
ハ搬入口６ｄを介して搬送部６に搬送する。
【００４３】この時、搬送部６の内部６ａには、予め配
管６ｂを介してＮ2 ガスなどの不活性ガス９が送風（供
給）され、不活性ガス９の雰囲気が形成されている。
管６ｂを介してＮ2 ガスなどの不活性ガス９が送風（供
給）され、不活性ガス９の雰囲気が形成されている。
【００４４】なお、搬送部６の内部６ａ、すなわちカバ
ー部材６ｃ内に不活性ガス９の雰囲気を形成する際、不
活性ガス９を供給すると内部６ａの大気は不活性ガス９
によって押し出され、その結果、不活性ガス９の雰囲気
を形成することができる。
ー部材６ｃ内に不活性ガス９の雰囲気を形成する際、不
活性ガス９を供給すると内部６ａの大気は不活性ガス９
によって押し出され、その結果、不活性ガス９の雰囲気
を形成することができる。
【００４５】その後、再び、支持部材５ａの矩形の往復
運動１２によって、半導体ウェハ２をウェハ搬出口６ｅ
を介してアニール処理部４に搬送する。
運動１２によって、半導体ウェハ２をウェハ搬出口６ｅ
を介してアニール処理部４に搬送する。
【００４６】この時、アニール処理部４の内部４ａに
は、予め第１配管１１を介してＮ2 ガスなどの不活性ガ
ス９が送風（供給）され、不活性ガス９の雰囲気が形成
されている。
は、予め第１配管１１を介してＮ2 ガスなどの不活性ガ
ス９が送風（供給）され、不活性ガス９の雰囲気が形成
されている。
【００４７】そこで、半導体ウェハ２上に形成された成
膜部であるＢＰＳＧ膜を加熱してアニール処理（例え
ば、ランプアニール処理など）する。
膜部であるＢＰＳＧ膜を加熱してアニール処理（例え
ば、ランプアニール処理など）する。
【００４８】続いて、アニール処理部４の内部４ａに、
酸素供給手段１０によって酸素を送風（供給）すること
により、不活性ガス９をアニール処理部４の外部へ押し
出し、アニール処理部４の内部４ａに酸素雰囲気を形成
する。
酸素供給手段１０によって酸素を送風（供給）すること
により、不活性ガス９をアニール処理部４の外部へ押し
出し、アニール処理部４の内部４ａに酸素雰囲気を形成
する。
【００４９】さらに、アニール処理時の余熱を利用して
ＢＰＳＧ膜の表面にＳｉＯ2 の酸化膜を形成する。
ＢＰＳＧ膜の表面にＳｉＯ2 の酸化膜を形成する。
【００５０】その後、支持部材５ａの矩形の往復運動１
２によって、半導体ウェハ２をアニール処理部４の外部
へ搬出し、アンローダ８に収容する。また、アンローダ
８に収容された半導体ウェハ２は、所定枚数に達する
（または順次）と、次工程に搬送される。
２によって、半導体ウェハ２をアニール処理部４の外部
へ搬出し、アンローダ８に収容する。また、アンローダ
８に収容された半導体ウェハ２は、所定枚数に達する
（または順次）と、次工程に搬送される。
【００５１】次に、本実施例の半導体製造装置によれ
ば、以下のような作用効果が得られる。
ば、以下のような作用効果が得られる。
【００５２】すなわち、半導体製造装置１が成膜処理部
３とアニール処理部４とを有し、かつ両者間に設置され
た搬送部６を不活性ガス９の雰囲気にして成膜処理後の
半導体ウェハ２を搬送することにより、成膜部であるＢ
ＰＳＧ膜が吸湿することを防止できる。
３とアニール処理部４とを有し、かつ両者間に設置され
た搬送部６を不活性ガス９の雰囲気にして成膜処理後の
半導体ウェハ２を搬送することにより、成膜部であるＢ
ＰＳＧ膜が吸湿することを防止できる。
【００５３】これにより、成膜処理後、ＢＰＳＧ膜に含
まれるボロンやリンなどの不純物の析出を防止すること
ができるため、成膜処理時に注入する不純物の濃度を高
くすることが可能になる。
まれるボロンやリンなどの不純物の析出を防止すること
ができるため、成膜処理時に注入する不純物の濃度を高
くすることが可能になる。
【００５４】その結果、ＢＰＳＧ膜の融点を下げること
ができるため、ＢＰＳＧ膜の平坦化を向上させることが
できる。
ができるため、ＢＰＳＧ膜の平坦化を向上させることが
できる。
【００５５】これによって、半導体ウェハ２の歩留りの
向上を図ることができる。
向上を図ることができる。
【００５６】また、半導体製造装置１が成膜処理部３と
アニール処理部４とを合わせもつ一体形の装置であるた
め、成膜処理部３からアニール処理部４までを一貫して
処理することが可能になり、その結果、全体の処理時間
を短縮することができる。
アニール処理部４とを合わせもつ一体形の装置であるた
め、成膜処理部３からアニール処理部４までを一貫して
処理することが可能になり、その結果、全体の処理時間
を短縮することができる。
【００５７】さらに、酸素供給手段１０によってアニー
ル処理部４に酸素を供給して、アニール処理後の半導体
ウェハ２の表面に酸化膜を形成することにより、成膜処
理部３で形成されたＢＰＳＧ膜が酸化膜によって覆われ
るため、アニール処理後においてもＢＰＳＧ膜が吸湿す
ることを防止できる。
ル処理部４に酸素を供給して、アニール処理後の半導体
ウェハ２の表面に酸化膜を形成することにより、成膜処
理部３で形成されたＢＰＳＧ膜が酸化膜によって覆われ
るため、アニール処理後においてもＢＰＳＧ膜が吸湿す
ることを防止できる。
【００５８】したがって、アニール処理後においてもＢ
ＰＳＧ膜に含まれるボロンやリンなどの不純物の析出を
防止することができる。
ＰＳＧ膜に含まれるボロンやリンなどの不純物の析出を
防止することができる。
【００５９】その結果、前記同様、成膜処理時に注入す
る不純物の濃度を高くすることが可能になるため、ＢＰ
ＳＧ膜の融点を下げることができ、ＢＰＳＧ膜の平坦化
を向上させることができる。
る不純物の濃度を高くすることが可能になるため、ＢＰ
ＳＧ膜の融点を下げることができ、ＢＰＳＧ膜の平坦化
を向上させることができる。
【００６０】これによって、半導体ウェハ２の歩留りの
向上を図ることができる。
向上を図ることができる。
【００６１】なお、搬送部６の内部６ａに不活性ガス９
の雰囲気を形成する際に、搬送部６のカバー部材６ｃ内
の大気を不活性ガス９が押し出して不活性ガス９の雰囲
気を形成することにより、密閉構造のチャンバなどを使
用せずに簡単な構造のカバー部材６ｃによって大気に触
れることなく半導体ウェハ２の搬送を行うことができ
る。
の雰囲気を形成する際に、搬送部６のカバー部材６ｃ内
の大気を不活性ガス９が押し出して不活性ガス９の雰囲
気を形成することにより、密閉構造のチャンバなどを使
用せずに簡単な構造のカバー部材６ｃによって大気に触
れることなく半導体ウェハ２の搬送を行うことができ
る。
【００６２】また、搬送部６における搬送機構５が、半
導体ウェハ２を保持して往復運動する支持部材５ａと支
持部材５ａを収容する溝などの収容部５ｂが形成された
試料台５ｃとからなることにより、半導体ウェハ２の受
け渡しを簡単な構造の部材によって行うことができる。
導体ウェハ２を保持して往復運動する支持部材５ａと支
持部材５ａを収容する溝などの収容部５ｂが形成された
試料台５ｃとからなることにより、半導体ウェハ２の受
け渡しを簡単な構造の部材によって行うことができる。
【００６３】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００６４】例えば、前記実施例においては、半導体製
造装置が成膜処理部と搬送部と熱処理部とからなるもの
であったが、前記半導体製造装置は、ＣＶＤ処理装置な
どの成膜処理装置に搬送部と熱処理部とを後から取り付
けた装置であってもよい。
造装置が成膜処理部と搬送部と熱処理部とからなるもの
であったが、前記半導体製造装置は、ＣＶＤ処理装置な
どの成膜処理装置に搬送部と熱処理部とを後から取り付
けた装置であってもよい。
【００６５】また、前記実施例で説明した半導体製造装
置は、アニール処理後すなわち熱処理後、ＢＰＳＧ膜な
どの成膜部に酸化膜を形成してアニール処理後の成膜部
の吸湿を防止するものであったが、アニール処理後の成
膜部の吸湿を防止する他の方法として、アニール処理が
終了した半導体ウェハをスピンナによって高速回転させ
ながら、純水を噴流して洗浄する方法を用いてもよい。
置は、アニール処理後すなわち熱処理後、ＢＰＳＧ膜な
どの成膜部に酸化膜を形成してアニール処理後の成膜部
の吸湿を防止するものであったが、アニール処理後の成
膜部の吸湿を防止する他の方法として、アニール処理が
終了した半導体ウェハをスピンナによって高速回転させ
ながら、純水を噴流して洗浄する方法を用いてもよい。
【００６６】すなわち、ＣＶＤ処理装置にスピンナなど
を備えた不純物溶出機構を設け、成膜およびアニール処
理が終了した半導体ウェハをスピンナによって高速回転
させながら、純水を噴流して洗浄する。
を備えた不純物溶出機構を設け、成膜およびアニール処
理が終了した半導体ウェハをスピンナによって高速回転
させながら、純水を噴流して洗浄する。
【００６７】これにより、ボロンやリンなどの不純物を
純水中に溶け込ませ（溶出させ）、前記不純物を取り除
くことができるため、その析出を防止することができ
る。
純水中に溶け込ませ（溶出させ）、前記不純物を取り除
くことができるため、その析出を防止することができ
る。
【００６８】また、前記実施例で説明した半導体製造装
置は、アニール処理後すなわち熱処理後、アニール処理
部でＢＰＳＧ膜などの成膜部に酸化膜を形成してアニー
ル処理後の成膜部の吸湿を防止するものであったが、ア
ニール処理後、再び、ＣＶＤ処理部、すなわち成膜処理
部で酸化膜を形成し、成膜部の吸湿を防止するものであ
ってもよい。
置は、アニール処理後すなわち熱処理後、アニール処理
部でＢＰＳＧ膜などの成膜部に酸化膜を形成してアニー
ル処理後の成膜部の吸湿を防止するものであったが、ア
ニール処理後、再び、ＣＶＤ処理部、すなわち成膜処理
部で酸化膜を形成し、成膜部の吸湿を防止するものであ
ってもよい。
【００６９】これは、マルチチャンバ方式を用い、ロボ
ットを備えた搬送室を中心に、そのまわりにプロセス処
理室とアニール処理室とを設けるものであり、プロセス
処理室で成膜処理を行った後、被処理物を搬送室を介し
てアニール処理室に搬送し、そこでアニール処理を行
い、さらに、再び、被処理物を搬送室を介してプロセス
処理室に搬送し、そこで酸化膜の形成を行う。
ットを備えた搬送室を中心に、そのまわりにプロセス処
理室とアニール処理室とを設けるものであり、プロセス
処理室で成膜処理を行った後、被処理物を搬送室を介し
てアニール処理室に搬送し、そこでアニール処理を行
い、さらに、再び、被処理物を搬送室を介してプロセス
処理室に搬送し、そこで酸化膜の形成を行う。
【００７０】これによっても、前記実施例で説明した半
導体製造装置と同様に、成膜部の吸湿を防止することが
できる。
導体製造装置と同様に、成膜部の吸湿を防止することが
できる。
【００７１】また、前記実施例の半導体製造装置では、
搬送部内に不活性ガスの雰囲気を形成する際に、大気を
不活性ガスによって押し出す方法を説明したが、ポンプ
などによって搬送部内の大気を排気した後、不活性ガス
を供給することによりその雰囲気を形成してもよい。
搬送部内に不活性ガスの雰囲気を形成する際に、大気を
不活性ガスによって押し出す方法を説明したが、ポンプ
などによって搬送部内の大気を排気した後、不活性ガス
を供給することによりその雰囲気を形成してもよい。
【００７２】なお、前記実施例においては、成膜処理部
で半導体ウェハ上にＢＰＳＧ膜を形成する場合について
説明したが、成膜処理部はＢＰＳＧ膜以外の他の絶縁膜
などを形成するものであってもよい。
で半導体ウェハ上にＢＰＳＧ膜を形成する場合について
説明したが、成膜処理部はＢＰＳＧ膜以外の他の絶縁膜
などを形成するものであってもよい。
【００７３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【００７４】（１）．半導体製造装置が成膜処理部と熱
処理部とを有しかつ両者間に設置された搬送部を不活性
ガス雰囲気にして成膜処理後の被処理物を搬送すること
により、成膜部が吸湿することを防止できる。これによ
り、成膜処理後、成膜部に含まれるボロンやリンなどの
不純物の析出を防止することができるため、成膜処理時
に注入する不純物の濃度を高くすることが可能になる。
処理部とを有しかつ両者間に設置された搬送部を不活性
ガス雰囲気にして成膜処理後の被処理物を搬送すること
により、成膜部が吸湿することを防止できる。これによ
り、成膜処理後、成膜部に含まれるボロンやリンなどの
不純物の析出を防止することができるため、成膜処理時
に注入する不純物の濃度を高くすることが可能になる。
【００７５】その結果、成膜部の平坦化を向上させるこ
とができるため、半導体ウェハなどの被処理物の歩留り
の向上を図ることができる。
とができるため、半導体ウェハなどの被処理物の歩留り
の向上を図ることができる。
【００７６】（２）．半導体製造装置が成膜処理部と熱
処理部とを合わせもつ一体形の装置であるため、成膜処
理部から熱処理部までを一貫して処理することが可能に
なり、その結果、全体の処理時間を短縮することができ
る。
処理部とを合わせもつ一体形の装置であるため、成膜処
理部から熱処理部までを一貫して処理することが可能に
なり、その結果、全体の処理時間を短縮することができ
る。
【００７７】（３）．酸素供給手段によって熱処理部に
酸素を供給して、熱処理後の被処理物の表面に酸化膜を
形成することにより、成膜処理部で形成された成膜部が
酸化膜によって覆われるため、熱処理後においても成膜
部が吸湿することを防止できる。したがって、熱処理後
においても成膜部に含まれるボロンやリンなどの不純物
の析出を防止することができ、成膜処理時に注入する不
純物の濃度を高くすることが可能になるため、その結
果、成膜部の平坦化を向上させることができ、さらに、
被処理物の歩留りの向上を図ることができる。
酸素を供給して、熱処理後の被処理物の表面に酸化膜を
形成することにより、成膜処理部で形成された成膜部が
酸化膜によって覆われるため、熱処理後においても成膜
部が吸湿することを防止できる。したがって、熱処理後
においても成膜部に含まれるボロンやリンなどの不純物
の析出を防止することができ、成膜処理時に注入する不
純物の濃度を高くすることが可能になるため、その結
果、成膜部の平坦化を向上させることができ、さらに、
被処理物の歩留りの向上を図ることができる。
【００７８】（４）．搬送部内に不活性ガスの雰囲気を
形成する際に、搬送部のカバー部材内の大気を不活性ガ
スが押し出して雰囲気を形成することにより、密閉構造
のチャンバなどを使用せずに簡単な構造のカバー部材に
よって大気に触れることなく被処理物の搬送を行うこと
ができる。
形成する際に、搬送部のカバー部材内の大気を不活性ガ
スが押し出して雰囲気を形成することにより、密閉構造
のチャンバなどを使用せずに簡単な構造のカバー部材に
よって大気に触れることなく被処理物の搬送を行うこと
ができる。
【００７９】（５）．搬送部の搬送機構が、被処理物を
保持して往復運動する支持部材と前記支持部材を収容す
る収容部が形成された試料台とからなることにより、被
処理物の受け渡しを簡単な構造の部材によって行うこと
ができる。
保持して往復運動する支持部材と前記支持部材を収容す
る収容部が形成された試料台とからなることにより、被
処理物の受け渡しを簡単な構造の部材によって行うこと
ができる。
【図１】本発明による半導体製造装置の構造の一実施例
を示す基本構成図である。
を示す基本構成図である。
【図２】本発明による半導体製造装置の構造の一実施例
を示す部分斜視図である。
を示す部分斜視図である。
【図３】本発明による半導体製造装置の搬送部における
搬送機構の構造の一実施例を示す部分斜視図である。
搬送機構の構造の一実施例を示す部分斜視図である。
１ 半導体製造装置 ２ 半導体ウェハ（被処理物） ３ 成膜処理部 ４ アニール処理部（熱処理部） ４ａ 内部 ５ 搬送機構 ５ａ 支持部材 ５ｂ 収容部 ５ｃ 試料台 ６ 搬送部 ６ａ 内部 ６ｂ 配管（ガス供給手段） ６ｃ カバー部材 ６ｄ ウェハ搬入口 ６ｅ ウェハ搬出口 ６ｆ 端部 ７ ローダ ８ アンローダ ９ 不活性ガス １０ 酸素供給手段 １１ 第１配管 １２ 往復運動
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェハなどの被処理物に成膜処理
と熱処理とを行う半導体製造装置であって、 前記被処理物に成膜処理を行う成膜処理部と、 不活性ガスが供給され、かつ成膜処理後の被処理物を加
熱処理する熱処理部と、 前記成膜処理部と前記熱処理部との間に設置され、かつ
両者間の前記被処理物の搬送を行う搬送機構を備えた搬
送部とを有し、 前記搬送部には、その内部に不活性ガスを供給するガス
供給手段と前記搬送機構を覆うカバー部材とが設けられ
ていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置であっ
て、前記熱処理部には、その内部に酸素を供給する酸素
供給手段が設置され、加熱処理された被処理物の表面に
酸化膜が形成されることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体製造装置
であって、前記ガス供給手段によって前記搬送部のカバ
ー部材内に不活性ガスの雰囲気を形成する際に、前記カ
バー部材内の大気を前記不活性ガスによって押し出すこ
とにより、前記不活性ガスの雰囲気が形成されることを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体製造
装置であって、前記搬送機構は、前記被処理物を保持し
て往復運動する支持部材と前記支持部材を収容する収容
部が形成された試料台とからなることを特徴とする半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14040895A JPH08335572A (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14040895A JPH08335572A (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08335572A true JPH08335572A (ja) | 1996-12-17 |
Family
ID=15268065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14040895A Pending JPH08335572A (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08335572A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073541A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
| JP2014138076A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2018206875A (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-27 | Tdk株式会社 | Ｅｆｅｍ及びｅｆｅｍへの置換ガスの導入方法 |
-
1995
- 1995-06-07 JP JP14040895A patent/JPH08335572A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073541A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
| JP2014138076A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2018206875A (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-27 | Tdk株式会社 | Ｅｆｅｍ及びｅｆｅｍへの置換ガスの導入方法 |
| US11145529B2 (en) | 2017-05-31 | 2021-10-12 | Tdk Corporation | EFEM and method of introducing replacement gas thereinto |
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