JPH08335606A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH08335606A JPH08335606A JP7161399A JP16139995A JPH08335606A JP H08335606 A JPH08335606 A JP H08335606A JP 7161399 A JP7161399 A JP 7161399A JP 16139995 A JP16139995 A JP 16139995A JP H08335606 A JPH08335606 A JP H08335606A
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- semiconductor chip
- film
- electrode
- auxiliary wiring
- wiring board
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップ１の電極１１に接続される内側電
極２１と被実装回路板の導体端に接続される外側電極２
２とこれらの電極間にまたがる引き回し導体２３とから
なる配線パタ−ンを有するチップサイズの補助配線板片
２と半導体チップ１の電極１１とを金属バンプ２１１を
介し接続し、封止材で封止する半導体装置において、信
頼性、放熱性に優れた封止を簡易な作業で低コストにて
行い得るＣＳＰ半導体装置を提供する。 【構成】半導体チップ１の電極１１側とは反対側の全面
若しくは周囲部及び半導体チップ１の側面並びに上記補
助配線板片２の端部にわたって熱接着性のシ−トまたは
フィルム４を熱圧着した。
極２１と被実装回路板の導体端に接続される外側電極２
２とこれらの電極間にまたがる引き回し導体２３とから
なる配線パタ−ンを有するチップサイズの補助配線板片
２と半導体チップ１の電極１１とを金属バンプ２１１を
介し接続し、封止材で封止する半導体装置において、信
頼性、放熱性に優れた封止を簡易な作業で低コストにて
行い得るＣＳＰ半導体装置を提供する。 【構成】半導体チップ１の電極１１側とは反対側の全面
若しくは周囲部及び半導体チップ１の側面並びに上記補
助配線板片２の端部にわたって熱接着性のシ−トまたは
フィルム４を熱圧着した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップスケ−ルパッケ
−ジ（ＣＳＰ）タイプの半導体装置に関するものであ
る。
−ジ（ＣＳＰ）タイプの半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】パッケ−ジした半導体装置としては、リ
−ドフレ−ムのダイパットに半導体チップを搭載し、半
導体チップの電極とリ−ドフレ−ムのインナ−リ−ドと
をワイヤ−ボンディングし、半導体チップをリ−ドフレ
−ムと共にアウタ−リ−ドを除いて樹脂で封止した構造
が周知されている。しかし、かかるパッケ−ジ構造で
は、リ−ドフレ−ムのアウタ−リ−ドのピッチをはんだ
付け精度上かなり広くする必要があり、パッケ−ジの大
型化が避けられず高密度化に不利である。
−ドフレ−ムのダイパットに半導体チップを搭載し、半
導体チップの電極とリ−ドフレ−ムのインナ−リ−ドと
をワイヤ−ボンディングし、半導体チップをリ−ドフレ
−ムと共にアウタ−リ−ドを除いて樹脂で封止した構造
が周知されている。しかし、かかるパッケ−ジ構造で
は、リ−ドフレ−ムのアウタ−リ−ドのピッチをはんだ
付け精度上かなり広くする必要があり、パッケ−ジの大
型化が避けられず高密度化に不利である。
【０００３】そこで、図４の（イ）または（ロ）に示す
ように、半導体チップ１’の電極１１’に接続される内
側電極２１’と被実装回路板の導体端に接続される外側
電極２２’とこれらの電極間にまたがる引き回し導体２
３’とからなるプリント配線パタ−ンを設けたチップサ
イズの補助配線板片２’〔図４の（イ）においては引き
回し導体２３’が埋設配線され、図４の（ロ）において
は引き回し導体２３’が表面に配線されている〕を半導
体チップ１’の電極１１’側の面にあてがい、該補助配
線板片２’の内側電極２１’と半導体チップ１’の電極
１１’とを金属バンプ２２１’を介して接続し、補助配
線板片２’と半導体チップ１’との間の間隙並びに半導
体チップ外面を樹脂３’で封止することが提案されてい
る（特開平６−７７２９３号公報、特開平５−８２５８
６号公報等）。
ように、半導体チップ１’の電極１１’に接続される内
側電極２１’と被実装回路板の導体端に接続される外側
電極２２’とこれらの電極間にまたがる引き回し導体２
３’とからなるプリント配線パタ−ンを設けたチップサ
イズの補助配線板片２’〔図４の（イ）においては引き
回し導体２３’が埋設配線され、図４の（ロ）において
は引き回し導体２３’が表面に配線されている〕を半導
体チップ１’の電極１１’側の面にあてがい、該補助配
線板片２’の内側電極２１’と半導体チップ１’の電極
１１’とを金属バンプ２２１’を介して接続し、補助配
線板片２’と半導体チップ１’との間の間隙並びに半導
体チップ外面を樹脂３’で封止することが提案されてい
る（特開平６−７７２９３号公報、特開平５−８２５８
６号公報等）。
【０００４】この半導体装置での樹脂封止においては、
補助配線板片２’と半導体チップ１’との間並びに半
導体チップ外面を一挙にトランスファモ−ルド法（トラ
ンスファ−成形機の金型のキャビティに補助配線板片
２’付き半導体チップをセットし、タブレットをトラン
スファ−成形機のポットに入れ、このタブレットを加熱
により可塑化すると共にプランジャ−で加圧し、スプ−
ル、ランナ−並びにゲ−トを経てその可塑化樹脂を金型
キャビティに圧入する方法）により樹脂封止するか、
補助配線板片２’と半導体チップ１’との間を接着樹脂
の介在のもとで金属バンブ接続して金属バンブ接続と共
に補助配線板片２’と半導体チップ１’との間を樹脂封
止し、次いで、ポッティング、キャスティング等により
半導体チップ外面側を樹脂封止している（特開平６−７
７２９３号公報、特開平５−８２５８６号公報等）。
補助配線板片２’と半導体チップ１’との間並びに半
導体チップ外面を一挙にトランスファモ−ルド法（トラ
ンスファ−成形機の金型のキャビティに補助配線板片
２’付き半導体チップをセットし、タブレットをトラン
スファ−成形機のポットに入れ、このタブレットを加熱
により可塑化すると共にプランジャ−で加圧し、スプ−
ル、ランナ−並びにゲ−トを経てその可塑化樹脂を金型
キャビティに圧入する方法）により樹脂封止するか、
補助配線板片２’と半導体チップ１’との間を接着樹脂
の介在のもとで金属バンブ接続して金属バンブ接続と共
に補助配線板片２’と半導体チップ１’との間を樹脂封
止し、次いで、ポッティング、キャスティング等により
半導体チップ外面側を樹脂封止している（特開平６−７
７２９３号公報、特開平５−８２５８６号公報等）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
の場合は、サイズ変更に伴う金型交換の手間やカルやラ
ンナ−での樹脂ロスのために樹脂ロス量が多いといった
不利があり、のキャスティングの場合もサイズ変更に
伴う金型交換の手間の問題があり、のポッティングの
場合は、無加圧であるのでボイドが発生し易いといった
問題がある。上記樹脂封止の半導体装置において、半導
体チップに使用時での発熱量が大なる、例えば、マイク
ロプロセッサ−やＡＳＩＣタイプのチップを使用する場
合、樹脂に多量の無機質フィラ−を添加して放熱性をア
ップすることが要求されるが、無機質フィラ−の多量添
加のもとでは樹脂の高粘性化が避けられず、トランスフ
ァ成形、ポッティング、キャスティング等の成形では、
封止性能の低下、作業性の低下等を免れ得ない。
の場合は、サイズ変更に伴う金型交換の手間やカルやラ
ンナ−での樹脂ロスのために樹脂ロス量が多いといった
不利があり、のキャスティングの場合もサイズ変更に
伴う金型交換の手間の問題があり、のポッティングの
場合は、無加圧であるのでボイドが発生し易いといった
問題がある。上記樹脂封止の半導体装置において、半導
体チップに使用時での発熱量が大なる、例えば、マイク
ロプロセッサ−やＡＳＩＣタイプのチップを使用する場
合、樹脂に多量の無機質フィラ−を添加して放熱性をア
ップすることが要求されるが、無機質フィラ−の多量添
加のもとでは樹脂の高粘性化が避けられず、トランスフ
ァ成形、ポッティング、キャスティング等の成形では、
封止性能の低下、作業性の低下等を免れ得ない。
【０００６】本発明の目的は、半導体チップの電極に接
続される内側電極と被実装回路板の導体端に接続される
外側電極とこれらの電極間にまたがる引き回し導体とか
らなる配線パタ−ンを有するチップサイズの補助配線板
片と半導体チップの電極とを金属バンプを介し接続し、
封止材で封止する半導体装置において、信頼性、放熱性
に優れた封止を簡易な作業で低コストにて行い得るＣＳ
Ｐ半導体装置を提供することにある。
続される内側電極と被実装回路板の導体端に接続される
外側電極とこれらの電極間にまたがる引き回し導体とか
らなる配線パタ−ンを有するチップサイズの補助配線板
片と半導体チップの電極とを金属バンプを介し接続し、
封止材で封止する半導体装置において、信頼性、放熱性
に優れた封止を簡易な作業で低コストにて行い得るＣＳ
Ｐ半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、半導体チップの電極に接続される内側電極と被実装
回路板の導体端に接続される外側電極とこれらの電極間
にまたがる引き回し導体とからなる配線パタ−ンを設け
た補助配線板片の内側電極側と半導体チップの電極とを
金属バンプを介して接続し、補助配線板片と半導体チッ
プとの間に封止樹脂を介在させ、半導体チップの電極側
とは反対側の全面若しくは周囲部及び半導体チップの側
面並びに上記補助配線板片の端部にわたって熱接着性の
シ−トまたはフィルムを熱圧着したことを特徴とする構
成であり、熱接着性のシ−トまたはフィルムに基材の片
面に熱圧着性層を有する複合体を使用し、この熱圧着性
層において熱圧着することもできる。また、熱接着性の
シ−トまたはフィルムには７０重量％以上のシリカ、ア
ルミナ等の無機質フィラ−を含有するもの、若しくは、
室温で２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有するものを使
用することが好ましい。
は、半導体チップの電極に接続される内側電極と被実装
回路板の導体端に接続される外側電極とこれらの電極間
にまたがる引き回し導体とからなる配線パタ−ンを設け
た補助配線板片の内側電極側と半導体チップの電極とを
金属バンプを介して接続し、補助配線板片と半導体チッ
プとの間に封止樹脂を介在させ、半導体チップの電極側
とは反対側の全面若しくは周囲部及び半導体チップの側
面並びに上記補助配線板片の端部にわたって熱接着性の
シ−トまたはフィルムを熱圧着したことを特徴とする構
成であり、熱接着性のシ−トまたはフィルムに基材の片
面に熱圧着性層を有する複合体を使用し、この熱圧着性
層において熱圧着することもできる。また、熱接着性の
シ−トまたはフィルムには７０重量％以上のシリカ、ア
ルミナ等の無機質フィラ−を含有するもの、若しくは、
室温で２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有するものを使
用することが好ましい。
【０００８】以下、図面を参照しつつ本発明の構成につ
いて説明する。図１は本発明に係る半導体装置の一例を
示す説明図である。図１において、１は半導体チップで
ある。２は補助配線板片を示し、半導体チップ１の電極
１１に接続される内側電極２１と被実装回路板の導体端
に接続される外側電極２２とこれらの電極間にまたがる
引き回し導体２３とからなる配線パタ−ンをプラスック
絶縁層２４，２５に設けた構成であり、内側電極２１は
絶縁層２４の内側電極用孔２１２に充填された金属２１
３により構成され、この充填金属２１３の端面には金属
バンプ２１１が予め形成され、補助配線板片２の内側電
極側２１と半導体チップ１の電極１１とを金属バンプ２
１１を介し接続してある。
いて説明する。図１は本発明に係る半導体装置の一例を
示す説明図である。図１において、１は半導体チップで
ある。２は補助配線板片を示し、半導体チップ１の電極
１１に接続される内側電極２１と被実装回路板の導体端
に接続される外側電極２２とこれらの電極間にまたがる
引き回し導体２３とからなる配線パタ−ンをプラスック
絶縁層２４，２５に設けた構成であり、内側電極２１は
絶縁層２４の内側電極用孔２１２に充填された金属２１
３により構成され、この充填金属２１３の端面には金属
バンプ２１１が予め形成され、補助配線板片２の内側電
極側２１と半導体チップ１の電極１１とを金属バンプ２
１１を介し接続してある。
【０００９】３は半導体チップ１と補助配線板片２との
間を封止せる樹脂である。この樹脂封止には、半導体チ
ップ側または補助配線板片側に熱可塑性樹脂液を塗布
し、または半導体チップと補助配線板片との間に熱可塑
性樹脂シ−トまたはフィルム（例えば、熱融着性ポリイ
ミドフィルム）を介在させて半導体チップと補助配線板
片との金属バンプ接続を行うと共にその接続時の熱で熱
可塑性樹脂を溶融させて半導体チップと補助配線板片と
の間を接着させる方法、同金属バンプ接続後に半導体チ
ップと補助配線板片との間隙に硬化性の液状樹脂（例え
ば、液状エポキシ樹脂）を注入する方法等を使用でき
る。
間を封止せる樹脂である。この樹脂封止には、半導体チ
ップ側または補助配線板片側に熱可塑性樹脂液を塗布
し、または半導体チップと補助配線板片との間に熱可塑
性樹脂シ−トまたはフィルム（例えば、熱融着性ポリイ
ミドフィルム）を介在させて半導体チップと補助配線板
片との金属バンプ接続を行うと共にその接続時の熱で熱
可塑性樹脂を溶融させて半導体チップと補助配線板片と
の間を接着させる方法、同金属バンプ接続後に半導体チ
ップと補助配線板片との間隙に硬化性の液状樹脂（例え
ば、液状エポキシ樹脂）を注入する方法等を使用でき
る。
【００１０】４は半導体チップ１の裏面（半導体チップ
の電極側とは反対側の面）及び半導体チップ１の側面並
びに補助配線板片２の端部にわたって熱圧着した熱接着
性のシ−トまたはフィルムフィルムである。この熱接着
性のシ−トまたはフィルムフィルム４は、図２の（イ）
に示すように半導体チップ１の裏面周囲部（この裏面周
囲部の面積は全裏面の面積の３０％以上）及び半導体チ
ップ１の側面並びに補助配線板片２の端部にわたって熱
圧着してもよい。
の電極側とは反対側の面）及び半導体チップ１の側面並
びに補助配線板片２の端部にわたって熱圧着した熱接着
性のシ−トまたはフィルムフィルムである。この熱接着
性のシ−トまたはフィルムフィルム４は、図２の（イ）
に示すように半導体チップ１の裏面周囲部（この裏面周
囲部の面積は全裏面の面積の３０％以上）及び半導体チ
ップ１の側面並びに補助配線板片２の端部にわたって熱
圧着してもよい。
【００１１】この熱接着性のシ−トまたはフィルムに
は、例えば、熱可塑性ポリイミド、シリコ−ン樹脂、ア
クリル樹脂、オレフィン樹脂、エポキシ樹脂等を使用で
き、特に、熱可塑性ポリイミドの使用が耐熱信頼性の観
点から好ましい。また、実質的に非熱接着性の支持シ−
トまたはフィルムに熱接着性層を塗布若しくはラミネ−
トにより積層した複合体を使用することもでき、その支
持シ−トまたはフィルムとしては、例えば、ポリイミド
フィルム、ポリエチレンテレフタレ−トフィルム、ポリ
エ−テルイミドフィルム、ポリエ−テルサルホンフィル
ム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエ−テ
ルエ−テルケトンフィルム等を使用できる。
は、例えば、熱可塑性ポリイミド、シリコ−ン樹脂、ア
クリル樹脂、オレフィン樹脂、エポキシ樹脂等を使用で
き、特に、熱可塑性ポリイミドの使用が耐熱信頼性の観
点から好ましい。また、実質的に非熱接着性の支持シ−
トまたはフィルムに熱接着性層を塗布若しくはラミネ−
トにより積層した複合体を使用することもでき、その支
持シ−トまたはフィルムとしては、例えば、ポリイミド
フィルム、ポリエチレンテレフタレ−トフィルム、ポリ
エ−テルイミドフィルム、ポリエ−テルサルホンフィル
ム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエ−テ
ルエ−テルケトンフィルム等を使用できる。
【００１２】上記熱圧着性シ−トまたはフィルムには、
半導体チップ裏面側の放熱性を高くするために、熱伝導
率を２．５ｗ／m・K以上、好ましくは、５．０ｗ／m・K以
上とすることが有効であ。例えば、熱接着性のシ−トま
たはフィルム、熱接着性層または非熱接着性のシ−トま
たはフィルムに無機質フィラ−、例えば、シリカ、アル
ミナ、酸化チタン、炭酸カルシウム、銀燐片状フィラ−
等を高充填することが有効である。上記熱圧着性シ−ト
またはフィルムには、必要に応じ、シランやチタネ−ト
系のカップリング剤や表面調整剤、シリコ−ン樹脂やア
クリルゴム等のゴム成分、各種顔料等を添加することも
できる。
半導体チップ裏面側の放熱性を高くするために、熱伝導
率を２．５ｗ／m・K以上、好ましくは、５．０ｗ／m・K以
上とすることが有効であ。例えば、熱接着性のシ−トま
たはフィルム、熱接着性層または非熱接着性のシ−トま
たはフィルムに無機質フィラ−、例えば、シリカ、アル
ミナ、酸化チタン、炭酸カルシウム、銀燐片状フィラ−
等を高充填することが有効である。上記熱圧着性シ−ト
またはフィルムには、必要に応じ、シランやチタネ−ト
系のカップリング剤や表面調整剤、シリコ−ン樹脂やア
クリルゴム等のゴム成分、各種顔料等を添加することも
できる。
【００１３】上記補助配線板片２の大きさは、半導体チ
ップ１の平面寸法（通常、３ｍｍ〜２０ｍｍ角）にほぼ
等しいか、半導体チップ１の平面寸法の２００％以下、
好ましくは、１３０％以下とされる。上記外側電極２
２，２２相互間の間隔につては、被実装回路基板にはん
だ付けする際でのはんだブリッジを防止するために、上
記補助配線板片２の平面寸法内でできるだけ広くするこ
とが要求され、通常ほぼ等間隔とされる。上記補助配線
板片２は図２の（ロ）に示すように多層構造とすること
もできる。図２の（ロ）において、半導体チップ１の一
の電極１１とこの電極１１に導通させるべき被実装回路
基板の導体端１１０の対が一の層の引き回し導体２３に
対応され、この引き回し導体２３からその半導体チップ
電極１１に臨む孔２１２が絶縁積層ａに設けられ、この
孔２１２に金属２１３が充填され、その充填金属２１３
の頂上面に金属バンプ２１１が形成されてその一の引き
回し導体２３に対する内側電極２１が形成されている。
また、その一の引き回し導体２３からその一の半導体チ
ップ電極１１に導通させるべき被実装回路基板の一の導
体端１１０に臨む孔２２１が絶縁積層ａに設けられ、こ
の孔２２１に金属２２２が充填されてその一の引き回し
導体２３に対する外側電極２２が形成され、その充填金
属２２２の頂上面がはんだバンプ２２３を介して被実装
配線板の導体端に接続される。図２の（ロ）において、
３は半導体チップ１と補助配線板片２との間を封止せる
樹脂を、４は半導体チップの裏面及び半導体チップの側
面並びに補助配線板片２の端部にわたって熱圧着した熱
接着性のシ−トまたはフィルムをそれぞれ示している。
ップ１の平面寸法（通常、３ｍｍ〜２０ｍｍ角）にほぼ
等しいか、半導体チップ１の平面寸法の２００％以下、
好ましくは、１３０％以下とされる。上記外側電極２
２，２２相互間の間隔につては、被実装回路基板にはん
だ付けする際でのはんだブリッジを防止するために、上
記補助配線板片２の平面寸法内でできるだけ広くするこ
とが要求され、通常ほぼ等間隔とされる。上記補助配線
板片２は図２の（ロ）に示すように多層構造とすること
もできる。図２の（ロ）において、半導体チップ１の一
の電極１１とこの電極１１に導通させるべき被実装回路
基板の導体端１１０の対が一の層の引き回し導体２３に
対応され、この引き回し導体２３からその半導体チップ
電極１１に臨む孔２１２が絶縁積層ａに設けられ、この
孔２１２に金属２１３が充填され、その充填金属２１３
の頂上面に金属バンプ２１１が形成されてその一の引き
回し導体２３に対する内側電極２１が形成されている。
また、その一の引き回し導体２３からその一の半導体チ
ップ電極１１に導通させるべき被実装回路基板の一の導
体端１１０に臨む孔２２１が絶縁積層ａに設けられ、こ
の孔２２１に金属２２２が充填されてその一の引き回し
導体２３に対する外側電極２２が形成され、その充填金
属２２２の頂上面がはんだバンプ２２３を介して被実装
配線板の導体端に接続される。図２の（ロ）において、
３は半導体チップ１と補助配線板片２との間を封止せる
樹脂を、４は半導体チップの裏面及び半導体チップの側
面並びに補助配線板片２の端部にわたって熱圧着した熱
接着性のシ−トまたはフィルムをそれぞれ示している。
【００１４】本発明に係る半導体装置は、次のようにし
て製造することができる。まず、図３の（イ）に示すよ
うに、絶縁支持フィルム２４の片面に引き回し導体２３
を印刷形成する。この引き回し導体２３の印刷形成に
は、金属箔積層合成樹脂フィルムの金属箔を所定の引き
回しパタ−ンに化学エッチングする方法を使用すること
が好ましい。この金属箔積層合成樹脂フィルムには、合
成樹脂フィルムに銅箔を融着した二層基材、銅箔を熱可
塑性または熱硬化性接着剤で合成樹脂フィルムに接着し
た三層基材等を使用でき。この合成樹脂フィルムの材質
の選定にあたっては、ワイヤ−バンブ法で金属バンプを
形成する場合の耐熱性、めっき法により金属バンプを形
成する場合の耐薬品性が考慮され、例えば、ポリイミド
フィルム、ポリエチレンテレフタレ−トフィルム、ポリ
エ−テルイミドフィルム、ポリエ−テルサルホンフィル
ム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエ−テ
ルエ−テルケトンフィルム等を使用できる。この合成樹
脂フィルムの厚みは、通常１０〜１５０μｍとされる。
て製造することができる。まず、図３の（イ）に示すよ
うに、絶縁支持フィルム２４の片面に引き回し導体２３
を印刷形成する。この引き回し導体２３の印刷形成に
は、金属箔積層合成樹脂フィルムの金属箔を所定の引き
回しパタ−ンに化学エッチングする方法を使用すること
が好ましい。この金属箔積層合成樹脂フィルムには、合
成樹脂フィルムに銅箔を融着した二層基材、銅箔を熱可
塑性または熱硬化性接着剤で合成樹脂フィルムに接着し
た三層基材等を使用でき。この合成樹脂フィルムの材質
の選定にあたっては、ワイヤ−バンブ法で金属バンプを
形成する場合の耐熱性、めっき法により金属バンプを形
成する場合の耐薬品性が考慮され、例えば、ポリイミド
フィルム、ポリエチレンテレフタレ−トフィルム、ポリ
エ−テルイミドフィルム、ポリエ−テルサルホンフィル
ム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエ−テ
ルエ−テルケトンフィルム等を使用できる。この合成樹
脂フィルムの厚みは、通常１０〜１５０μｍとされる。
【００１５】このようにして引き回し導体２３を印刷形
成したのちは、図３の（ロ）に示すように絶縁支持フィ
ルム２４に内側電極用孔２１２を穿設する。この穿孔に
は、一般に、ドリル加工、レ−ザ−エッチング加工等を
使用でき、特に、ポリイミドフィルムの場合は、アルカ
リエッチング等の湿式穿孔法を使用することが可能であ
る。また、二層基材型ポリイミドフィルムの場合は、感
光性ポリイミドを使用し、露光により穿孔することもで
きる。
成したのちは、図３の（ロ）に示すように絶縁支持フィ
ルム２４に内側電極用孔２１２を穿設する。この穿孔に
は、一般に、ドリル加工、レ−ザ−エッチング加工等を
使用でき、特に、ポリイミドフィルムの場合は、アルカ
リエッチング等の湿式穿孔法を使用することが可能であ
る。また、二層基材型ポリイミドフィルムの場合は、感
光性ポリイミドを使用し、露光により穿孔することもで
きる。
【００１６】内側電極用孔２１２を穿孔したのちは、図
３の（ハ）に示すように、孔２１２の底面の導体２３に
金属を絶縁フィルム２４をめっきマスクとしてめっき
し、孔２１２に金属２１３を充填し、内側電極２１を形
成する。金属には、例えば、金、銀、ニッケル、銅、パ
ラジウム等を使用できる。このようにして内側電極用孔
２１２に金属２１３を充填したのちは、図３の（ニ）に
示すように充填金属面上に高さ数１０μｍの金属バンプ
２１１を形成する。この金属バンプ２１１の形成には、
ワイヤ−ボンダ−を用いて金線、銅線またははんだ線の
先端を溶融球状化させ、溶融球状化金属を充填金属面に
溶着させる方法を使用できる。金線を使用する場合、銅
の引き回し導体２３と金との接触を防止するために、充
填金属２１３の上層はニッケルとすることが好ましい。
充填金属面上に湿式めっき法で金属を盛り上げる方法に
よって金属バンプを形成することもできる。特に、金属
バンプ２１１の表面または全体を、半導体チップの電極
材であるアルミニウムと強固・安定に金属間結合する金
を使用することが好ましい。
３の（ハ）に示すように、孔２１２の底面の導体２３に
金属を絶縁フィルム２４をめっきマスクとしてめっき
し、孔２１２に金属２１３を充填し、内側電極２１を形
成する。金属には、例えば、金、銀、ニッケル、銅、パ
ラジウム等を使用できる。このようにして内側電極用孔
２１２に金属２１３を充填したのちは、図３の（ニ）に
示すように充填金属面上に高さ数１０μｍの金属バンプ
２１１を形成する。この金属バンプ２１１の形成には、
ワイヤ−ボンダ−を用いて金線、銅線またははんだ線の
先端を溶融球状化させ、溶融球状化金属を充填金属面に
溶着させる方法を使用できる。金線を使用する場合、銅
の引き回し導体２３と金との接触を防止するために、充
填金属２１３の上層はニッケルとすることが好ましい。
充填金属面上に湿式めっき法で金属を盛り上げる方法に
よって金属バンプを形成することもできる。特に、金属
バンプ２１１の表面または全体を、半導体チップの電極
材であるアルミニウムと強固・安定に金属間結合する金
を使用することが好ましい。
【００１７】ワイヤ−ボンダ−を用いて金属バンプを形
成する場合、孔２１２周辺が溶融金属に対する濡れ性の
低い合成樹脂面であるから、溶融金属の孔周囲への付着
を防止して充填金属面上に接触角の大なる球状の金属バ
ンプを整然と形成できる。また、めっき法により金属バ
ンプ２１１を形成する場合は、電解めっき、無電解めっ
きの何れの場合でも、充填金属２１３の露出端面を核と
して金属バンプを整然と形成できる。
成する場合、孔２１２周辺が溶融金属に対する濡れ性の
低い合成樹脂面であるから、溶融金属の孔周囲への付着
を防止して充填金属面上に接触角の大なる球状の金属バ
ンプを整然と形成できる。また、めっき法により金属バ
ンプ２１１を形成する場合は、電解めっき、無電解めっ
きの何れの場合でも、充填金属２１３の露出端面を核と
して金属バンプを整然と形成できる。
【００１８】このようにして金属バンプ２１１を形成し
たのちは、図３の（ホ）に示すように、引き回し導体２
３の印刷形成面に樹脂２５をカバ−コ−トし、更に、図
３の（ヘ）に示すように、このカバ−コ−ト絶縁層２５
に外側電極用孔２２１を穿設し、図３の（ト）に示すよ
うに、この孔２２１に上記したワイヤ−ボンダ−により
はんだ２２２を充填して外側電極を形成する。而るのち
は、図３の（チ）に示すように、内側電極２１の金属バ
ンプ２１１を半導体チップ１の電極１１に一致させるよ
うにアライメントして、ホットバ−やパルスヒ−ト等の
一括圧着接続またはシングルポイントボンダ−による個
別熱圧着接続で半導体チップ１の電極１１と補助配線板
片２の内側電極２１とを金属バンプ２１１を介して金属
間接合し、半導体チップ１と補助配線板片２とを電気的
並びに機械的に接合する。シングルポイントボンダ−に
よる個別熱圧着接続を行う場合、超音波接合を併用して
熱圧着温度を低くすることもできる。金属バンプ２１１
にはんだバンプを使用し、補助配線板片２と半導体チッ
プ１との接合をリフロ−法により行うことも可能であ
る。
たのちは、図３の（ホ）に示すように、引き回し導体２
３の印刷形成面に樹脂２５をカバ−コ−トし、更に、図
３の（ヘ）に示すように、このカバ−コ−ト絶縁層２５
に外側電極用孔２２１を穿設し、図３の（ト）に示すよ
うに、この孔２２１に上記したワイヤ−ボンダ−により
はんだ２２２を充填して外側電極を形成する。而るのち
は、図３の（チ）に示すように、内側電極２１の金属バ
ンプ２１１を半導体チップ１の電極１１に一致させるよ
うにアライメントして、ホットバ−やパルスヒ−ト等の
一括圧着接続またはシングルポイントボンダ−による個
別熱圧着接続で半導体チップ１の電極１１と補助配線板
片２の内側電極２１とを金属バンプ２１１を介して金属
間接合し、半導体チップ１と補助配線板片２とを電気的
並びに機械的に接合する。シングルポイントボンダ−に
よる個別熱圧着接続を行う場合、超音波接合を併用して
熱圧着温度を低くすることもできる。金属バンプ２１１
にはんだバンプを使用し、補助配線板片２と半導体チッ
プ１との接合をリフロ−法により行うことも可能であ
る。
【００１９】このようにして、補助配線板片２に半導体
チップ１を搭載したのちは、図３の（チ）に示すよう
に、半導体チップ１と補助配線板片２との間を液状樹脂
３、例えば、液状エポキシ樹脂の注入により封止する。
この樹脂注入による封止に代え、上記半導体チップと補
助配線板片との金属バンプ接続に先立ち、半導体チップ
側または補助配線板片側に熱可塑性樹脂液を塗布し、ま
たは熱可塑性樹脂シ−トまたはフィルム（例えば、熱融
着性ポリイミドフィルム）をラミネ−トし、あるいは半
導体チップと補助配線板片との間に熱可塑性樹脂シ−ト
またはフィルムを介在させて半導体チップと補助配線板
片との金属バンプ接続を行うと共にその接続時の熱で熱
可塑性樹脂層または熱可塑性樹脂シ−トまたはフィルム
を溶融させて半導体チップと補助配線板片との間を熱可
塑性樹で封止することもできる。半導体チップと補助配
線板片との間の封止に使用する樹脂の材質には、半導体
チップ並びに補助配線板片に対する密着力、絶縁性、腐
食性イオンレベルの要件を満たすものが選定されること
は云うまでもない。
チップ１を搭載したのちは、図３の（チ）に示すよう
に、半導体チップ１と補助配線板片２との間を液状樹脂
３、例えば、液状エポキシ樹脂の注入により封止する。
この樹脂注入による封止に代え、上記半導体チップと補
助配線板片との金属バンプ接続に先立ち、半導体チップ
側または補助配線板片側に熱可塑性樹脂液を塗布し、ま
たは熱可塑性樹脂シ−トまたはフィルム（例えば、熱融
着性ポリイミドフィルム）をラミネ−トし、あるいは半
導体チップと補助配線板片との間に熱可塑性樹脂シ−ト
またはフィルムを介在させて半導体チップと補助配線板
片との金属バンプ接続を行うと共にその接続時の熱で熱
可塑性樹脂層または熱可塑性樹脂シ−トまたはフィルム
を溶融させて半導体チップと補助配線板片との間を熱可
塑性樹で封止することもできる。半導体チップと補助配
線板片との間の封止に使用する樹脂の材質には、半導体
チップ並びに補助配線板片に対する密着力、絶縁性、腐
食性イオンレベルの要件を満たすものが選定されること
は云うまでもない。
【００２０】このようにして半導体チップと補助配線板
片との間を封止したのちは、図３の（リ）に示すよう
に、半導体チップ１の電極側とは反対側の全面若しくは
周囲部及び半導体チップ１の側面並びに上記補助配線板
片２の端部にわたって熱接着性のシ−トまたはフィルム
４を熱圧着し、半導体チップ１の外面側を封止する。最
後に図１に示す、外側電極２２の充填金属端面上にはん
だバンプ２２３を形成し、これにて半導体装置のパッケ
−ジ工程までの製作を終了する。
片との間を封止したのちは、図３の（リ）に示すよう
に、半導体チップ１の電極側とは反対側の全面若しくは
周囲部及び半導体チップ１の側面並びに上記補助配線板
片２の端部にわたって熱接着性のシ−トまたはフィルム
４を熱圧着し、半導体チップ１の外面側を封止する。最
後に図１に示す、外側電極２２の充填金属端面上にはん
だバンプ２２３を形成し、これにて半導体装置のパッケ
−ジ工程までの製作を終了する。
【００２１】上記半導体装置の製造手順は、適宜変更で
きることは云うまでもない。例えば、カバ−コ−トを施
したのち、外側電極を形成する前に、半導体チップを接
合し、半導体チップと補助配線板片との間を封止し、し
かるのち、カバ−コ−トに外側電極を形成することも可
能である。なお、上記の実施例では、金属バンプを補助
配線板片の内側電極側に予め形成しているが、半導体チ
ップの電極側に予め形成しておくことも可能である。ま
た、補助配線板片には、引き回し導体２３を絶縁層内に
埋設配線したものを使用しているが、引き回し導体を絶
縁層の内側表面に配線したものを使用することもでき
る。
きることは云うまでもない。例えば、カバ−コ−トを施
したのち、外側電極を形成する前に、半導体チップを接
合し、半導体チップと補助配線板片との間を封止し、し
かるのち、カバ−コ−トに外側電極を形成することも可
能である。なお、上記の実施例では、金属バンプを補助
配線板片の内側電極側に予め形成しているが、半導体チ
ップの電極側に予め形成しておくことも可能である。ま
た、補助配線板片には、引き回し導体２３を絶縁層内に
埋設配線したものを使用しているが、引き回し導体を絶
縁層の内側表面に配線したものを使用することもでき
る。
【００２２】本発明に係る半導体装置は合成樹脂支持フ
ィルムに上記した補助配線板片の配線パタ−ンを長さ方
向に多数箇、縦列にて予め形成しておき、このフィルム
を走行させつつ上記の作業を順次に行うフィルム・キャ
リア方式により製造することが生産能率上有利である。
ィルムに上記した補助配線板片の配線パタ−ンを長さ方
向に多数箇、縦列にて予め形成しておき、このフィルム
を走行させつつ上記の作業を順次に行うフィルム・キャ
リア方式により製造することが生産能率上有利である。
【００２３】
【作用】補助配線板片２と半導体チップ１との間が図３
の（チ）に示すように、封止樹脂３で接着されただけで
は、加熱・冷却のヒ−トサイクルのもとで補助配線板片
２と半導体チップ１との間のコ−ナに熱応力が集中し、
この箇所に剥離が生じこの剥離箇所を起点として封止樹
脂層３と半導体チップ１との接着界面の剥離が進行して
いき、補助配線板片の電極と半導体チップの電極との導
通不良が発生し易い。しかしながら、本発明に係る半導
体装置においては、半導体チップ１の裏面及び半導体チ
ップ１の側面並びに上記補助配線板片２の端部にわたっ
て熱接着性のシ−ト４を熱圧着しており、補助配線板片
と半導体チップとの間のコ−ナでの熱応力集中剥離を抑
制でき、ヒ−トサイクルのもとでも、後述する実施例と
比較例との熱衝撃試験の対比から確認できる通り、補助
配線板片の電極と半導体チップの電極との導通不良の発
生をよく防止できる。また、熱接着性シ−トと補助配線
板片との熱圧着界面、熱接着性シ−トと半導体チップと
の熱圧着界面のために水密封止性も充分にアップされ
る。従って、トランスファモ−ルド法、キャスティング
法に頼ることなく、充分に信頼性のある封止を保証でき
る。
の（チ）に示すように、封止樹脂３で接着されただけで
は、加熱・冷却のヒ−トサイクルのもとで補助配線板片
２と半導体チップ１との間のコ−ナに熱応力が集中し、
この箇所に剥離が生じこの剥離箇所を起点として封止樹
脂層３と半導体チップ１との接着界面の剥離が進行して
いき、補助配線板片の電極と半導体チップの電極との導
通不良が発生し易い。しかしながら、本発明に係る半導
体装置においては、半導体チップ１の裏面及び半導体チ
ップ１の側面並びに上記補助配線板片２の端部にわたっ
て熱接着性のシ−ト４を熱圧着しており、補助配線板片
と半導体チップとの間のコ−ナでの熱応力集中剥離を抑
制でき、ヒ−トサイクルのもとでも、後述する実施例と
比較例との熱衝撃試験の対比から確認できる通り、補助
配線板片の電極と半導体チップの電極との導通不良の発
生をよく防止できる。また、熱接着性シ−トと補助配線
板片との熱圧着界面、熱接着性シ−トと半導体チップと
の熱圧着界面のために水密封止性も充分にアップされ
る。従って、トランスファモ−ルド法、キャスティング
法に頼ることなく、充分に信頼性のある封止を保証でき
る。
【００２４】さらに、半導体チップの裏面及び半導体チ
ップの側面並びに上記補助配線板片の端部にわたって熱
圧着する熱接着性シ−トを無機質フィラ−の添加により
パッケ−ジの放熱性を確保でき、無機質フィラ−の多量
添加のもとでも、トランスファモ−ルド法、キャスティ
ング法とは異なり、樹脂の粘性増加・流動性低下に起因
するパッケ−ジ不良（例えば、ボイドの発生）、作業性
低下等の不具合なく、高放熱性のパッケ−ジが可能とな
る。
ップの側面並びに上記補助配線板片の端部にわたって熱
圧着する熱接着性シ−トを無機質フィラ−の添加により
パッケ−ジの放熱性を確保でき、無機質フィラ−の多量
添加のもとでも、トランスファモ−ルド法、キャスティ
ング法とは異なり、樹脂の粘性増加・流動性低下に起因
するパッケ−ジ不良（例えば、ボイドの発生）、作業性
低下等の不具合なく、高放熱性のパッケ−ジが可能とな
る。
【００２５】
〔実施例１〕厚み６０μｍのポリイミドフィルムを支持
フィルムとする補助配線板片（チップよりもやや大）の
内側電極に高さ２０μｍの金バンプを形成し、厚み０．
３７５ｍｍ、一辺の長さが１５．０ｍｍの正方形の信頼
評価用半導体チップを補助配線板片に接続し、これらの
間を液状エポキシ樹脂の注入により封止した。熱接着性
フィルムには、平均粒径２０μｍのアルミナ球状フィラ
−を７０重量％充填した厚み２００μｍの熱可塑性ポリ
イミドフィルム（熱伝導率８．５Ｗ／ｍＫ）を使用し、
この熱接着性フィルムを半導体チップの全裏面及び半導
体チップの側面並びに上記補助配線板片の端部にわたっ
て熱圧着した。 〔実施例２〕実施例１に対し、熱接着性フィルムに平均
粒径１５μｍのシリカ粉末を８０重量％充填した厚み２
００μｍの熱可塑性ポリイミドフィルム（熱伝導率８．
０Ｗ／ｍＫ）を使用した以外、実施例１に同じとした。 〔実施例３〕実施例１に対し、熱接着性フィルムに銀燐
片状フィラ−を３０重量％充填した厚み２００μｍのシ
リコン系熱接着フィルム（熱伝導率５．３Ｗ／ｍＫ）を
使用した以外、実施例１に同じとした。 〔比較例〕実施例に対し、熱接着性フィルムの使用を省
略した。
フィルムとする補助配線板片（チップよりもやや大）の
内側電極に高さ２０μｍの金バンプを形成し、厚み０．
３７５ｍｍ、一辺の長さが１５．０ｍｍの正方形の信頼
評価用半導体チップを補助配線板片に接続し、これらの
間を液状エポキシ樹脂の注入により封止した。熱接着性
フィルムには、平均粒径２０μｍのアルミナ球状フィラ
−を７０重量％充填した厚み２００μｍの熱可塑性ポリ
イミドフィルム（熱伝導率８．５Ｗ／ｍＫ）を使用し、
この熱接着性フィルムを半導体チップの全裏面及び半導
体チップの側面並びに上記補助配線板片の端部にわたっ
て熱圧着した。 〔実施例２〕実施例１に対し、熱接着性フィルムに平均
粒径１５μｍのシリカ粉末を８０重量％充填した厚み２
００μｍの熱可塑性ポリイミドフィルム（熱伝導率８．
０Ｗ／ｍＫ）を使用した以外、実施例１に同じとした。 〔実施例３〕実施例１に対し、熱接着性フィルムに銀燐
片状フィラ−を３０重量％充填した厚み２００μｍのシ
リコン系熱接着フィルム（熱伝導率５．３Ｗ／ｍＫ）を
使用した以外、実施例１に同じとした。 〔比較例〕実施例に対し、熱接着性フィルムの使用を省
略した。
【００２６】これらの実施例及び比較例につき、１５０
℃〜−５０℃の熱衝撃試験１０００サインクル後での導
通不良率を測定したところ（試料数１０００箇）、実施
例１では０．１％、実施例２では０．３％、実施例３で
は０．５％と低かったのにたいし、比較例では４０％に
も達し、本発明に係る半導体装置において、熱接着性の
シ−トまたはフィルムが封止の信頼性向上に大きく寄与
していることが確認された。
℃〜−５０℃の熱衝撃試験１０００サインクル後での導
通不良率を測定したところ（試料数１０００箇）、実施
例１では０．１％、実施例２では０．３％、実施例３で
は０．５％と低かったのにたいし、比較例では４０％に
も達し、本発明に係る半導体装置において、熱接着性の
シ−トまたはフィルムが封止の信頼性向上に大きく寄与
していることが確認された。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置においては、半
導体チップ外面側の封止を熱接着性シ−トまたはフィル
ムの熱圧着で行っているにもかかわらず、熱衝撃に対し
充分安定に封止できる。また、熱接着性シ−トまたはフ
ィルムへの無機質フィラ−の多量充填により半導体チッ
プに放熱性に優れたパッケ−ジを優れた作業性で施すこ
とができる。従って、本発明によれば良好なチップスケ
−ルパッケ−ジの半導体装置を提供できる。
導体チップ外面側の封止を熱接着性シ−トまたはフィル
ムの熱圧着で行っているにもかかわらず、熱衝撃に対し
充分安定に封止できる。また、熱接着性シ−トまたはフ
ィルムへの無機質フィラ−の多量充填により半導体チッ
プに放熱性に優れたパッケ−ジを優れた作業性で施すこ
とができる。従って、本発明によれば良好なチップスケ
−ルパッケ−ジの半導体装置を提供できる。
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施例を説明図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る半導体装置の上記とは別の互いに
異なる実施例の要部を示す説明図である。
異なる実施例の要部を示す説明図である。
【図３】本発明に係る半導体装置を製造する場合の作業
手順を示す説明図である。
手順を示す説明図である。
【図４】互いに異なる従来のチップサイズの半導体装置
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１ 半導体チップ １１ 半導体チップの電極 ２ 補助配線板片 ２１ 内側電極 ２１１ 金属バンプ ２２ 外側電極 ２３ 引き回し導体 ３ 樹脂 ４ 熱接着性シ−トまたはフィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉尾 信彦 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 薄井 英之 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 伊藤 久貴 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】半導体チップの電極に接続される内側電極
と被実装回路板の導体端に接続される外側電極とこれら
の電極間にまたがる引き回し導体とからなる配線パタ−
ンを設けた補助配線板片の内側電極側と半導体チップの
電極とを金属バンプを介して接続し、補助配線板片と半
導体チップとの間を樹脂で封止し、半導体チップの電極
側とは反対側の全面若しくは周囲部及び半導体チップの
側面並びに上記補助配線板片の端部にわたって熱接着性
のシ−トまたはフィルムを熱圧着したことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】熱接着性のシ−トまたはフィルムに基材の
片面に熱圧着性層を有する複合体を使用し、この熱圧着
性層において熱圧着した請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】熱接着性のシ−トまたはフィルムが７０重
量％以上の無機質フィラ−を含有する請求項１または２
記載の半導体装置。 - 【請求項４】熱接着性のシ−トまたはフィルムが室温で
２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する請求項１記載乃
至３記載の半導体装置。 - 【請求項５】補助配線板片の大きさが、半導体チップの
平面寸法にほぼ等しいか、半導体チップの平面寸法の２
００％以下である請求項１記載乃至４記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7161399A JPH08335606A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7161399A JPH08335606A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08335606A true JPH08335606A (ja) | 1996-12-17 |
Family
ID=15734362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7161399A Pending JPH08335606A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08335606A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175151B1 (en) | 1997-01-23 | 2001-01-16 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device, and method of manufacturing the same, mounted board, and electronic instrument |
| KR100345075B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2002-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 칩 사이즈 패키지 |
| US6469382B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Semiconductor device substrate and method of manufacturing semiconductor device |
-
1995
- 1995-06-05 JP JP7161399A patent/JPH08335606A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175151B1 (en) | 1997-01-23 | 2001-01-16 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device, and method of manufacturing the same, mounted board, and electronic instrument |
| US6414382B1 (en) | 1997-01-23 | 2002-07-02 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device and method of manufacturing the same, mounted board, and electronic instrument |
| US6646338B2 (en) | 1997-01-23 | 2003-11-11 | Seiko Epson Corporation | Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device, and method of manufacturing the same, mounted board, and electronic instrument |
| KR100345075B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2002-07-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 칩 사이즈 패키지 |
| US6469382B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Semiconductor device substrate and method of manufacturing semiconductor device |
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