JPH08335705A - 半導体力学量センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】犠牲層エッチングにより梁構造の可動部を形成
する際において可動部の基板への固着や破損を防止する
ことができる半導体力学量センサの製造方法を提供す
る。 【構成】シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜２０を
形成するとともに突起形成領域での酸化膜２０を除去し
て開口部を形成し、酸化膜２０の上にシリコン酸化膜２
４を成膜し、酸化膜２４の上にポリシリコン薄膜２６を
成膜するとともに、薄膜２６における突起形成用領域の
一部領域を除去して開口部１７を形成し、シリコン酸化
膜２０，２４をウェットエッチングにて除去する。突起
には開口部１７の面積分だけ占有面積が小さくなってい
る。エッチング液と置換する液が可動部と基板１との間
に入るとともに乾燥の際に突起と基板１との間の液滴に
よる付着力が弱くなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、薄膜よりなる梁構造
の可動部を有する半導体力学量センサに係り、例えば、
加速度，ヨーレート，振動等の力学量を検出するための
半導体力学量センサの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体加速度センサの小型化、低
価格化の要望が高まっている。このため、特表平４−５
０４００３号公報にてポシシリコンを電極として用いた
差動容量式半導体加速度センサが示されている。この種
のセンサを図１４，１５を用いて説明する。図１４にセ
ンサの平面を示すとともに、図１５に図１４のＤ−Ｄ断
面を示す。

【０００３】シリコン基板５０の上方には所定間隔を隔
てて梁構造の可動部５１が配置されている。ポリシリコ
ン薄膜よりなる可動部５１は、梁部５２，５３，５４，
５５と重り部５６と可動電極部５７とからなる。可動部
５１は、アンカー部５８，５９，６０，６１にてシリコ
ン基板５０の上面に固定されている。つまり、アンカー
部５８，５９，６０，６１から梁部５２，５３，５４，
５５が延設され、この梁部５２，５３，５４，５５に重
り部５６が支持されている。この重り部５６に可動電極
部５７が突設されている。一方、シリコン基板５０上に
は、１つの可動電極部５７に対し固定電極６２が２つ対
向するように配置されている。そして、シリコン基板５
０の表面に平行な方向（図１４にＧに示す）に加速度が
加わった場合、可動電極部５７と固定電極６２との間の
静電容量において片側の静電容量が増え、もう一方は減
る構造となっている。

【０００４】このセンサの製造は、図１６に示すよう
に、シリコン基板５０の上にシリコン酸化膜等の犠牲層
６３を形成するとともに犠牲層６３におけるアンカー部
となる箇所に開口部６４を形成する。その後、図１７に
示すように、犠牲層６３の上に可動部となるポリシリコ
ン薄膜６５を堆積し、所望のパターン形状にする。そし
て、エッチング液にてアンカー部を除くポリシリコン薄
膜６５の下の犠牲層６３を除去して、図１８に示すよう
に、基板５０の上方に可動部５１を所定間隔を隔てて配
置する。

【０００５】このウェットエッチングによる犠牲層の除
去工程を、より詳細に説明すると、図１９に示すよう
に、シリコン基板５０をエッチング液６６に浸し、犠牲
層６３のエッチングを行った後に、図２０に示すよう
に、シリコン基板５０を純水６７に浸し、シリコン基板
５０の表面に付いているエッチング液６６と純水６７と
を置換する。さらに、シリコン基板５０を純水６７の中
から取り出し、乾燥する。その結果、図１８に示すよう
になる。

【０００６】ところが、この純水の乾燥のときに、図２
１に示すように、シリコン基板５０と可動部５１との間
に純水６８が残り、この純水６８の表面張力により可動
部５１がシリコン基板５０の表面に引っ張られる。その
結果、図２２に示すように、可動部５１がシリコン基板
５０の表面に固着されたり、あるいは、可動部５１が破
損してしまう（折れてしまう）。

【０００７】そこで、このような可動部５１（梁）の基
板表面への固着や破損を防止するために、図２３に示す
ように、可動部５１の下面に突起６９を設け、液滴Ｗが
付着する部分をこの突起６９の先端面のみとし、可動部
５１と基板５０との間にできる液滴Ｗの付着面積を小さ
くして付着力（表面張力に起因する可動部５１の基板５
０への引っ張り力）を小さくすることが考えられる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
単に突起６９を設けただけでは、十分に液滴の付着力を
小さくすることができず可動部５１が基板５０へ固着し
たり梁が破損するおそれがある。

【０００９】そこで、この発明の目的は、犠牲層エッチ
ングにより梁構造の可動部を形成する際において可動部
の基板への固着や破損を防止することができる半導体力
学量センサの製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔
を隔てて配置され、力学量の作用により変位する、薄膜
よりなる梁構造の可動部とを備えた半導体力学量センサ
の製造方法であって、半導体基板の表面に、突起形成用
の凹部を有する犠牲層を形成する第１工程と、前記犠牲
層の上に可動部形成用薄膜を成膜するとともに、可動部
形成用薄膜における突起形成用領域の一部領域を除去し
て開口部を形成する第２工程と、前記可動部形成用薄膜
の下の犠牲層をウェットエッチングにて除去する第３工
程とを備えた半導体力学量センサの製造方法をその要旨
とする。

【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明の前記第１工程が、半導体基板の表面に第１の犠
牲層を形成するとともに突起形成領域での第１の犠牲層
を除去して開口部を形成する工程と、前記開口部を含め
た第１の犠牲層の上に第２の犠牲層を成膜する工程とを
含むものである半導体力学量センサの製造方法をその要
旨とする。

【００１２】

【作用】請求項１に記載の発明によれば、第１工程によ
り、半導体基板の表面に、突起形成用の凹部を有する犠
牲層が形成され、第２工程により、犠牲層の上に可動部
形成用薄膜が成膜されるとともに、可動部形成用薄膜に
おける突起形成用領域の一部領域が除去されて開口部が
形成される。第３工程により、可動部形成用薄膜の下の
犠牲層がウェットエッチングにて除去され、下面に突起
を有する梁構造の可動部が形成される。このとき、突起
は開口部の面積分だけ占有面積（下端面での面積）が小
さくなっている。

【００１３】この第３工程において、エッチング液と置
換する液（純水等）が可動部と基板との間に入るととも
に乾燥の際に可動部と基板と間においては、前記開口部
の面積分だけ突起と基板との間の液滴による付着力も弱
くなっているので、可動部が基板表面に引っ張られて固
着したり破損することが回避される。

【００１４】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加え、前記第１工程において、半
導体基板の表面に第１の犠牲層が形成されるとともに突
起形成領域での第１の犠牲層が除去されて開口部が形成
され、前記開口部を含めた第１の犠牲層の上に第２の犠
牲層が成膜される。この第１工程における第１の犠牲層
の膜厚により突起の高さが決定され、突起の高さを一定
とすることができる。

【００１５】

【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図面
に従って説明する。図１は、本実施例の半導体加速度セ
ンサの平面図を示す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面面
を示し、図３には図１のＢ−Ｂ断面を示し、図４には図
１のＣ−Ｃ断面を示す。

【００１６】Ｐ型シリコン基板１の上の一部には、ゲー
ト絶縁膜としてのシリコン酸化膜２が形成されている。
このシリコン酸化膜２は基板表面のリーク電流を低減す
るとともにトランジスタ特性の経時変化を抑制するため
のものである。又、同様にＰ型シリコン基板１の上の一
部には所定の厚みを有するシリコン酸化膜３（望ましく
はＬＯＣＯＳ酸化膜）が形成されている。シリコン酸化
膜３は絶縁分離を行うためのものである。さらに、シリ
コン酸化膜２とシリコン酸化膜３の上には、絶縁膜４
（望ましくはシリコン窒化膜、以後絶縁膜４はシリコン
窒化膜と記す）が形成され、シリコン窒化膜４により後
述する犠牲層をエッチングする時にシリコン酸化膜２が
保護される。本実施例では、Ｐ型シリコン基板１とシリ
コン酸化膜２とシリコン酸化膜３とシリコン窒化膜４と
から半導体基板が構成されている。

【００１７】シリコン酸化膜３の形成領域におけるシリ
コン酸化膜４の上からは、ポリシリコン薄膜よりなる可
動部５が、シリコン酸化膜２の形成領域に架設されてい
る。この可動部５は、４本の梁部７と重り部８とゲート
電極部としての可動ゲート電極部９，１０とからなる。
可動部５は、４本のアンカー部６により固定され、シリ
コン基板１（シリコン窒化膜４）の上方に所定の間隔を
隔てて配置されている。アンカー部６は、可動部５と同
じくポリシリコン薄膜よりなり、可動部５と一体となっ
ている。より詳しくは、シリコン窒化膜４の上には４本
のアンカー部６が配置され、アンカー部６から帯状の４
本の梁部７が延び、四角形状の重り部８が支持されてい
る。重り部８には長方形状の可動ゲート電極部９，１０
が相反する方向に突設されている。つまり、可動ゲート
電極部９，１０は両持ち梁状部（梁部７）によって支え
られ、シリコン基板１の表面に垂直な方向と平行な方向
とに変位できるようになっている。

【００１８】図４に示すように、可動部５の可動ゲート
電極部９の下方でのシリコン基板１には、可動ゲート電
極部９に対しその両側にＮ型不純物拡散層よりなるソー
ス・ドレイン部としての固定電極１１，１２が形成され
ている。同様に、図１に示すように、可動部５の可動ゲ
ート電極部１０の下方でのシリコン基板１には、可動ゲ
ート電極部１０に対しその両側にＮ型不純物拡散層より
なるソース・ドレイン部としての固定電極１３，１４が
形成されている。図４に示すように、シリコン基板１に
おける固定電極１１，１２間にはチャネル領域１５が形
成され、同チャネル領域１５はシリコン基板１と可動ゲ
ート電極部９との間に電圧を印加することにより生じた
ものである。そして、固定電極１１，１２間に電圧を印
加することによりこのチャネル領域１５にドレイン電流
が流れる。同様に、シリコン基板１における固定電極１
３，１４間にはチャネル領域（図示略）が形成され、同
チャネル領域はシリコン基板１と可動ゲート電極部１０
との間に電圧を印加することにより生じたものである。
そして、固定電極１３，１４間に電圧を印加することに
よりこのチャネル領域にドレイン電流が流れる。

【００１９】図１，３に示すように、可動部５の重り部
８における下面には突起１６が多数形成されている。具
体的には、図１において左側に５個、右側に５個それぞ
れ並設され、合計１０個設けられている。この突起１６
は四角形状をなし、図３に示すように、その高さはＨ１
となっている。さらに、図３に示すように、突起１６の
先端とシリコン基板１（より詳しくはシリコン窒化膜
４）とのエアギャップ（間隔）Ｌ１は、図４に示すよう
に、可動ゲート電極部９，１０とシリコン基板１（より
詳しくはシリコン窒化膜４）とのエアギャップ（間隔）
Ｌ２よりも小さくなっている。

【００２０】各突起１６の中央部には上下に貫通する四
角形状の開口部１７が形成されている。この開口部１７
により突起１６の先端面（下面）の面積が、開口部１７
の面積分だけ小さくなっている。

【００２１】又、可動部５の重り部８には上下に貫通す
る開口部１８が多数設けられ、この開口部１８と前述の
開口部１７により、後述する犠牲層エッチングの際のエ
ッチング液が浸透しやすくなっている。

【００２２】又、シリコン基板１の表面には、可動部５
と対向した部分での固定電極１１，１２，１３，１４の
ない領域においてＮ型不純物拡散層よりなる下部電極１
９が形成されている。この下部電極１９は可動部５の電
位と等電位に保たれており、シリコン基板１と可動部５
との間で発生する静電気力が抑えられている。

【００２３】シリコン基板１における可動部５の配置領
域の周辺には周辺回路（図示略）が形成されている。そ
して、周辺回路と可動部５、周辺回路と固定電極１１，
１２，１３，１４、周辺回路と下部電極１９とが電気的
に接続されている。

【００２４】次に、この半導体加速度センサの動作を説
明する。可動部５とシリコン基板１との間、および固定
電極１１，１２（１３，１４）間に電圧をかけると、チ
ャネル領域１５が形成され、固定電極１１，１２（１
３，１４）間に電流が流れる。ここで、本半導体加速度
センサが加速度を受けて、図１に示すＸ₊ 方向（基板１
の表面に平行な方向）に可動ゲート電極部９，１０（可
動部５）が変位した場合には、固定電極間のチャネル領
域の面積（トランジスタでいうチャネル幅）が変わるこ
とにより、固定電極１１，１２に流れる電流は減少し、
固定電極１３，１４に流れる電流は増大する。又、図１
に示すＸ_- 方向（基板１の表面に平行な方向）に可動ゲ
ート電極部９，１０（可動部５）が変位した場合には、
固定電極間のチャネル領域の面積（トランジスタでいう
チャネル幅）が変わることにより、固定電極１１，１２
に流れる電流は増加し、固定電極１３，１４に流れる電
流は減少する。

【００２５】一方、本半導体加速度センサが加速度を受
けて、図４に示すＺ方向（基板１の表面に垂直な方向）
に可動ゲート電極部９，１０が変位した場合には、電界
強度の変化によってチャネル領域１５のキャリア濃度が
減少するため、前記電流は同時に減少する。

【００２６】このように本半導体加速度センサは、加速
度による可動ゲート電極部９，１０と固定電極１１，１
２、および１３，１４との相対的位置の変化により固定
電極１１，１２間と固定電極１３，１４間に流れる電流
が変化し、この電流変化の大きさ、位相により二次元の
加速度を検出することができる。

【００２７】又、通常の加速度範囲であれば、正常に加
速度センサとして作用するが、過大な加速度がシリコン
基板１の垂直方向に加わった場合には、可動部５はその
加速度により垂直方向に変形しようとするが、突起１６
によりその過大変形が抑えられる。つまり、突起１６が
可動範囲制限部として機能する。その結果、可動ゲート
電極部９，１０がシリコン窒化膜４に接触する前に、突
起１６がシリコン窒化膜４に接触しＭＩＳＦＥＴのトラ
ンジスタ特性の劣化が回避される。

【００２８】次に、加速度センサの製造工程を、図５〜
図１２を用いて説明する。図５〜図１２は図１のＢ−Ｂ
断面での状態を示すものである。図５に示すように、ま
ずＰ型シリコン基板１を用意し、その表面の所定領域に
シリコン酸化膜３（望ましくはＬＯＣＯＳ酸化膜）を形
成する。又、Ｐ型シリコン基板１の上のシリコン酸化膜
３の形成領域以外の領域にゲート絶縁膜としてのシリコ
ン酸化膜２を熱酸化法で形成する。さらに、Ｐ型シリコ
ン基板１に対しイオン注入等で不純物を導入するととも
に熱処理を行ってＮ型不純物拡散層よりなる下部電極１
９並びに図示しないＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領
域（固定電極１１〜１４）を同時に形成する。さらに、
シリコン酸化膜２およびシリコン酸化膜３の上に全面に
シリコン窒化膜４を減圧ＣＶＤ等で形成する。

【００２９】引き続き、図６に示すように、シリコン窒
化膜４の上に第１の犠牲層としてのシリコン酸化膜２０
をプラズマＣＶＤ等で全面に形成する。このシリコン酸
化膜２０の膜厚をｔ１とする。

【００３０】さらに、図７に示すように、シリコン酸化
膜２０の上に、レジスト２１を塗布しフォト工程を通し
て開口部２２を形成する。この開口部２２は図３に示し
た突起１６を形成する部分（突起形成領域）である。開
口部２２は突起１６の占有面積（下端面での面積）を減
らすため、できる限り小さくする。

【００３１】そして、図８に示すように、レジスト２１
の開口部２２を通してシリコン酸化膜２０をエッチング
し突起形成領域に開口部２３を形成する。このときに用
いるエッチング液にはシリコン酸化膜２０とシリコン窒
化膜４に十分な選択比が得られる例えばＨＦ溶液が使用
される。ＨＦ溶液を用いたウェットエッチングを行う
と、オーバーエッチングにより、シリコン酸化膜の開口
部２３がレジストの開口部２２より大きくなる。

【００３２】次に、レジスト２１を除去し、図９に示す
ように、第２の犠牲層としてのシリコン酸化膜２４をプ
ラズマＣＶＤ等で形成する。このとき、開口部２３によ
り凹部（開口部）２５が形成される。この場合、ステッ
プカバレッジの効果により、突起１６が形成されること
になる凹部２５の面積がオーバーエッチで大きくなった
開口部２３の面積より小さくなり突起１６の占有面積が
減少する（図９でＷ１＜Ｗ２）。又、凹部２５の深さＨ
１はシリコン酸化膜２０の膜厚ｔ１となる。

【００３３】このようにして、シリコン基板１の表面に
突起形成用の凹部２５を有する犠牲層（２０，２４）が
形成される。次に、図１０に示すように、可動部形成用
薄膜としてのポリシリコン薄膜２６を、減圧ＣＶＤ等で
成膜する。このときポリシリコン薄膜２６は下地の形状
が反映され、凹部２５内に突起形成部２７が形成され
る。

【００３４】次に、図１１に示すように、ポリシリコン
薄膜２６を可動部の形状にパターニングするとともに突
起形成領域の一部領域を除去して開口部１７を形成す
る。つまり、アンカー部６，梁部７，重り部８，可動ゲ
ート電極部９，１０が同時に一括形成されるともに、開
口部１７，１８の形成領域におけるポリシリコン薄膜２
６が除去される。このように、突起１６の形成領域に開
口部１７が設けられ、突起形成部２７の一部分が除去さ
れ、その分だけ占有面積（下端面での面積）が小さくな
る。尚、可動部および開口部をパターニングするエッチ
ングにはオーバーエッチングの少ないドライ方式が好ま
しい。

【００３５】最後に、図１２に示すように、シリコン基
板１をエッチング液としてのＨＦ溶液の中に入れ（図１
９と同様）、可動部形成領域の下の犠牲層としてのシリ
コン酸化膜２０，２４をエッチングする。その結果、下
面に突起１６を有する梁構造の可動部５が、シリコン窒
化膜４の上に所定間隔を隔てて配置される。

【００３６】さらに、シリコン基板１をＨＦ溶液の中か
ら取り出す。この状態では基板表面にＨＦ溶液が付着し
ているので、シリコン基板１を純水中に入れる（図２０
と同様）。このようにして犠牲層エッチング液と純水と
を置換する。さらに、シリコン基板１を純水の中から取
り出し乾燥する。この乾燥工程において、純水が可動部
５と基板１との間に入り、可動部５の突起１６とシリコ
ン基板１と間にのみ液滴が付着する。ところが、突起１
６には一部領域において上下に貫通する開口部１７が設
けられているので、この突起１６と基板１との間に形成
される水滴の付着面積は小さい。よって、表面張力は弱
く、可動部５の基板表面への引っ張り力も弱く可動部５
が基板表面に固着したり破損することがない。つまり、
可動部５が基板表面に引っ張られようとするが、液滴の
付着面積の減少により付着力も小さくなりこの付着力は
梁の復元力よりも弱く可動部５がシリコン基板１から離
脱していく。

【００３７】又、突起１６の高さＨ１はシリコン酸化膜
２０の膜厚ｔ１と等しくなる。つまり、シリコン酸化膜
２０の膜厚を調整することにより突起１６の高さＨ１を
調整することができる。

【００３８】このように本実施例では、シリコン基板１
の表面に、突起形成用の凹部２５を有するシリコン酸化
膜２０，２４（犠牲層）を形成し（第１工程）、シリコ
ン酸化膜２０，２４の上に可動部形成用薄膜としてのポ
リシリコン薄膜２６を成膜するとともに、ポリシリコン
薄膜２６における突起形成用領域の一部領域を除去して
開口部１７を形成し（第２工程）、ポリシリコン薄膜２
６の下のシリコン酸化膜２０，２４をウェットエッチン
グにて除去した（第３工程）。可動部５においては突起
１６が開口部１７の面積分だけ占有面積（下端面での面
積）が小さくなっている。この犠牲層エッチングの際
に、エッチング液と置換する液（純水等）が可動部５と
基板１との間に入るとともに乾燥の際に可動部５と基板
１との間においては、突起１６と基板１との間の液滴に
よる付着力も開口部１７の面積分だけ弱くなっているの
で、可動部５が基板表面に引っ張られて固着したり破損
することが回避される。つまり、製造プロセス中の犠牲
層エッチング時に液滴の付着が発生しても付着する部分
は開口部１７の以外の突起１６の先端部のみとなり付着
面積が大幅に低減され、これに伴い付着力が著しく減少
し、梁の破損を回避できるとともに、梁部７による復元
力により可動部５を基板から離脱させることができる。

【００３９】即ち、センサの可動部５が基板１と付着す
る面積を著しく少なくして付着力を低減し、梁部分によ
る復元力で可動部５が基板１から離脱できる。又、第１
工程として、シリコン基板１の表面に第１の犠牲層とし
てのシリコン酸化膜２０を形成するとともに突起形成領
域でのシリコン酸化膜２０を除去して開口部２３を形成
し、開口部２３を含めたシリコン酸化膜２０の上に第２
の犠牲層としてのシリコン酸化膜２４を成膜した。よっ
て、シリコン酸化膜２０の膜厚により突起１６の高さが
決定され、突起１６の高さを一定とすることができる。

【００４０】この発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、例えば、上記実施例では、図３に示すように突
起１６に対しその中央部に開口部１７を設けた、換言す
れば、開口部１７の周囲に突起１６がある構造とした
が、図１３に示すように、突起２８に対し一側面を含む
領域に開口部１７を形成してもよい。

【００４１】又、突起１６は、図１に示すように１０個
形成したが、その数は適宜の数でよく、１個以上あれば
よい。又、突起１６は矩形で示したが、矩形である必要
はなく、円、三角形そのほかの形状でもよい。同様に、
開口部１７は矩形で示したが、矩形である必要はなく、
円、三角形そのほかの形状でもよい。

【００４２】又、加速度の他にもヨーレート，振動等の
力学量を検出するための半導体力学量センサに具体化し
てもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上詳述したように請求項１に記載の発
明によれば、犠牲層エッチングにより梁構造の可動部を
形成する際において可動部の基板への固着や破損を防止
することができる優れた効果を発揮する。

【００４４】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の効果に加え、第１の犠牲層の膜厚により
突起の高さが決定され、突起の高さを安定化することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の半導体加速度センサの平面図。

【図２】図１のＡ−Ａ断面図。

【図３】図１のＢ−Ｂ断面図。

【図４】図１のＣ−Ｃ断面図。

【図５】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。

【図６】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。

【図７】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。

【図８】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。

【図９】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。

【図１０】半導体加速度センサの製造工程を示す断面
図。

【図１１】半導体加速度センサの製造工程を示す断面
図。

【図１２】半導体加速度センサの製造工程を示す断面
図。

【図１３】他の実施例の図１のＢ−Ｂに相当する断面
図。

【図１４】従来の半導体加速度センサの平面図。

【図１５】図１４のＤ−Ｄ断面図。

【図１６】従来のセンサの平面図の製造工程を示す断面
図。

【図１７】従来のセンサの平面図の製造工程を示す断面
図。

【図１８】従来のセンサの平面図の製造工程を示す断面
図。

【図１９】従来のセンサの平面図の製造工程を示す断面
図。

【図２０】従来のセンサの平面図の製造工程を示す断面
図。

【図２１】従来のセンサの平面図の製造工程を示す断面
図。

【図２２】従来のセンサの平面図の製造工程を示す断面
図。

【図２３】センサを示す断面図。

【符号の説明】

１…半導体基板を構成するシリコン基板、２…半導体基
板を構成するシリコン酸化膜、３…半導体基板を構成す
るシリコン酸化膜、４…半導体基板を構成するシリコン
窒化膜、５…可動部、１６…突起、１７…開口部、２０
…第１の犠牲層としてのシリコン酸化膜、２４…第２の
犠牲層としてのシリコン酸化膜、２５…凹部、２６…可
動部形成用薄膜としてのポリシリコン薄膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置され、
   力学量の作用により変位する、薄膜よりなる梁構造の可
   動部とを備えた半導体力学量センサの製造方法であっ
   て、 半導体基板の表面に、突起形成用の凹部を有する犠牲層
   を形成する第１工程と、 前記犠牲層の上に可動部形成用薄膜を成膜するととも
   に、可動部形成用薄膜における突起形成用領域の一部領
   域を除去して開口部を形成する第２工程と、 前記可動部形成用薄膜の下の犠牲層をウェットエッチン
   グにて除去する第３工程とを備えたことを特徴とする半
   導体力学量センサの製造方法。
2. 【請求項２】 前記第１工程は、 半導体基板の表面に第１の犠牲層を形成するとともに突
   起形成領域での第１の犠牲層を除去して開口部を形成す
   る工程と、 前記開口部を含めた第１の犠牲層の上に第２の犠牲層を
   成膜する工程とを含むものである請求項１に記載の半導
   体力学量センサの製造方法。