JPH0833661B2 - 光導電材料 - Google Patents
光導電材料Info
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- JPH0833661B2 JPH0833661B2 JP63274871A JP27487188A JPH0833661B2 JP H0833661 B2 JPH0833661 B2 JP H0833661B2 JP 63274871 A JP63274871 A JP 63274871A JP 27487188 A JP27487188 A JP 27487188A JP H0833661 B2 JPH0833661 B2 JP H0833661B2
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- Japan
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- photoconductive material
- layer
- group
- charge
- photoconductive
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
- G03G5/075—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用
いられる電子写真感光体の光導電材料に関するものであ
る。
いられる電子写真感光体の光導電材料に関するものであ
る。
従来の技術 電子写真感光体における光導電材料としては、Se有機
半導体（以下OPCと記す）、非晶質シリコン（以下ａ−S
i:Hと記す）がある。それぞれの感光体には一長一短が
あり更に特性改善の余地がある。本発明者等は、これま
でに高感度、低コストな以下の電子写真感光体を提案し
てきた。
半導体（以下OPCと記す）、非晶質シリコン（以下ａ−S
i:Hと記す）がある。それぞれの感光体には一長一短が
あり更に特性改善の余地がある。本発明者等は、これま
でに高感度、低コストな以下の電子写真感光体を提案し
てきた。
（１）電荷輸送層として非晶質カーボンを主成分とする
層を用い、電荷発生層を非晶質シリコンで構成する機能
分離型感光体。
層を用い、電荷発生層を非晶質シリコンで構成する機能
分離型感光体。
この感光体は、可視域長波長に及ぶ広い範囲で高い量
子効率を有する非晶質シリコンと、低い誘電率と硬い材
質である非晶質カーボンの組合せで、非晶質シリコン単
体に較べ２〜３倍の感度と良好な耐刷性を併せて実現す
るものである。
子効率を有する非晶質シリコンと、低い誘電率と硬い材
質である非晶質カーボンの組合せで、非晶質シリコン単
体に較べ２〜３倍の感度と良好な耐刷性を併せて実現す
るものである。
しかし電荷輸送層である非晶質カーボンの移動度が小
さくキャリア輸送能力に限界があった。またコスト面で
も製造方法がプラズマCVD法によるためコストの低減に
限界があった。
さくキャリア輸送能力に限界があった。またコスト面で
も製造方法がプラズマCVD法によるためコストの低減に
限界があった。
（２）有機物を電荷輸送層とする機能分離型電子写真感
光体において、電荷輸送層がフェニレン基を有する直鎖
状高分子であり、フェニレン基パラ位の置換基が共役結
合を有する基か、またはVIb族元素を含む基の少なくと
もいずれか一つを含有させた感光体。尚、特性改善のた
めに酸素中での加熱処理による酸素ドーピング、或は酸
化剤の添加によるドーピングを行う。更に全体として最
も配向性のよくなるように重合度を均一に、そして最適
値に揃える。
光体において、電荷輸送層がフェニレン基を有する直鎖
状高分子であり、フェニレン基パラ位の置換基が共役結
合を有する基か、またはVIb族元素を含む基の少なくと
もいずれか一つを含有させた感光体。尚、特性改善のた
めに酸素中での加熱処理による酸素ドーピング、或は酸
化剤の添加によるドーピングを行う。更に全体として最
も配向性のよくなるように重合度を均一に、そして最適
値に揃える。
この電荷輸送層は、第１に正孔移動度が高い、第２に
フィルムから直接基板へ熱融着が可能であり成膜方法が
非常に容易である、第３に熱硬化性高分子であるため耐
刷性に優れるといった長所を有する。特に移動度が高く
上記非晶質カーボンの欠点を補うものであり、この特性
改善は以下の理由によると考えている。
フィルムから直接基板へ熱融着が可能であり成膜方法が
非常に容易である、第３に熱硬化性高分子であるため耐
刷性に優れるといった長所を有する。特に移動度が高く
上記非晶質カーボンの欠点を補うものであり、この特性
改善は以下の理由によると考えている。
高分子におけるバルク全体でのキャリアの移動は分子
鎖内伝導と分子鎖間伝導の結果であり、移動度の向上は
両面よりなされる。第一の分子鎖内伝導の向上には、分
子軌道の広がりとそれに伴う共役系の発達が指針となっ
ており、伝導メカニズムとしては荷電ソリトン，バイポ
ーラロン，ポーラロン等が考えられている。共役系の発
達には、主鎖骨格中に多くのπ電子を持たせることが必
要である。また電子受容体との電荷のやりとりによって
主鎖上に正電荷を持ち込むことも有効な手段である。更
に主鎖に沿っての共役が発達していなくてもホッピング
することのできる電子軌道が隣接する構造であってもよ
い。
鎖内伝導と分子鎖間伝導の結果であり、移動度の向上は
両面よりなされる。第一の分子鎖内伝導の向上には、分
子軌道の広がりとそれに伴う共役系の発達が指針となっ
ており、伝導メカニズムとしては荷電ソリトン，バイポ
ーラロン，ポーラロン等が考えられている。共役系の発
達には、主鎖骨格中に多くのπ電子を持たせることが必
要である。また電子受容体との電荷のやりとりによって
主鎖上に正電荷を持ち込むことも有効な手段である。更
に主鎖に沿っての共役が発達していなくてもホッピング
することのできる電子軌道が隣接する構造であってもよ
い。
第二の分子鎖間伝導の向上は、結晶性と配向性の向上に
区分される。いずれにしてもキャリアが隣接する高分子
に移り易くするには、分子鎖が空間的に密に配置され、
しかもキャリアの移動する電子軌道の重なりが大きいこ
とが必要である。
区分される。いずれにしてもキャリアが隣接する高分子
に移り易くするには、分子鎖が空間的に密に配置され、
しかもキャリアの移動する電子軌道の重なりが大きいこ
とが必要である。
フェニレン基を有する直鎖状高分子において、第一の
分子鎖内伝導の向上は、そのフェニレン基のπ電子系を
中心にして発達させることが可能である。例えばフェニ
ル基間に共役結合を有する基を導入することで広くπ電
子系が延びる。またVIb族元素が間にはいる場合には、
直鎖上に隣接するフェニル基はπ電子軌道が捻れた配置
となり直鎖方向の軌道広がりは小さい。しかし主鎖は堅
く延びきった形状を取り易く、結晶性は著しく上がる。
そのためキャリアの移動は主に隣接する電子軌道間とな
り、伝導は第２の分子鎖間の伝導特性が重要となる。
分子鎖内伝導の向上は、そのフェニレン基のπ電子系を
中心にして発達させることが可能である。例えばフェニ
ル基間に共役結合を有する基を導入することで広くπ電
子系が延びる。またVIb族元素が間にはいる場合には、
直鎖上に隣接するフェニル基はπ電子軌道が捻れた配置
となり直鎖方向の軌道広がりは小さい。しかし主鎖は堅
く延びきった形状を取り易く、結晶性は著しく上がる。
そのためキャリアの移動は主に隣接する電子軌道間とな
り、伝導は第２の分子鎖間の伝導特性が重要となる。
分子鎖の長さが結晶性、配向性に与える効果は大き
く、分子鎖が長くなることによっての結晶性の低下、ひ
いてはキャリアのホッピング確率の低下と、キャリアの
捕獲確率の増大とをもたらすことになる。分子鎖長のバ
ルクとして最も密に分子が並ぶに適した長さがある。こ
の長さに分子を揃えてやることで第二の分子鎖間伝導を
向上させることが可能とある。
く、分子鎖が長くなることによっての結晶性の低下、ひ
いてはキャリアのホッピング確率の低下と、キャリアの
捕獲確率の増大とをもたらすことになる。分子鎖長のバ
ルクとして最も密に分子が並ぶに適した長さがある。こ
の長さに分子を揃えてやることで第二の分子鎖間伝導を
向上させることが可能とある。
発明が解決しようとする課題 電荷発生層と電荷輸送層を異なった層で構成し、界面
を通して電荷のやり取りをする機能分離型感光体は、電
荷の発生と輸送とをそれぞれに適した材料で構成するこ
とによって、高感度な感光体を得ることができる有力な
方法であるが、膜構成が多層になるためコスト面で問題
が生ずる。また界面でのキャリア注入は大きな問題であ
り、それぞれ高い特性を持つ材料であっても注入が困難
なためによい組合せが得られない場合が多い。この界面
を介してのキャリア注入の問題を解決することが大きな
課題である。
を通して電荷のやり取りをする機能分離型感光体は、電
荷の発生と輸送とをそれぞれに適した材料で構成するこ
とによって、高感度な感光体を得ることができる有力な
方法であるが、膜構成が多層になるためコスト面で問題
が生ずる。また界面でのキャリア注入は大きな問題であ
り、それぞれ高い特性を持つ材料であっても注入が困難
なためによい組合せが得られない場合が多い。この界面
を介してのキャリア注入の問題を解決することが大きな
課題である。
従来より界面を持たない感光体として、電荷輸送能力
の高い分子或は高分子に電荷発生能力の高い分子を組み
込むことで単体として高い感度を持つ感光体の開発が数
多くなされた。しかし、多くは電荷発生能力の高い基が
キャリアの深いトラップとして働き、かえって電荷輸送
の妨げになったり、膜中の良好なキャリア輸送に欠かせ
ない分子の配向性を乱す要因となって、結果的には特性
を劣化させた。
の高い分子或は高分子に電荷発生能力の高い分子を組み
込むことで単体として高い感度を持つ感光体の開発が数
多くなされた。しかし、多くは電荷発生能力の高い基が
キャリアの深いトラップとして働き、かえって電荷輸送
の妨げになったり、膜中の良好なキャリア輸送に欠かせ
ない分子の配向性を乱す要因となって、結果的には特性
を劣化させた。
一方、電荷輸送材料と電荷発生材料を同一層内に分散
させる感光体の場合、共晶を形造る特殊な場合を除けば
非晶質中のキャリア発生とキャリア輸送であり、最適材
料の組合せであっても良好な結果は得られない。また感
度の向上は、単純には電荷発生材料の含有比率を増加さ
せれば良いが、この場合も電荷輸送材料がキャリアのト
ラップとして働き全体として感度を低下させる場合が多
い。
させる感光体の場合、共晶を形造る特殊な場合を除けば
非晶質中のキャリア発生とキャリア輸送であり、最適材
料の組合せであっても良好な結果は得られない。また感
度の向上は、単純には電荷発生材料の含有比率を増加さ
せれば良いが、この場合も電荷輸送材料がキャリアのト
ラップとして働き全体として感度を低下させる場合が多
い。
しかし単層で感光層を構成できるとコスト低減は言う
までもなく耐刷性の向上、感度分布の均一化等多くの長
所が生まれる。そこで本願はこの単層で感光層を形成す
ることによるメリットに着目して、上記電荷発生機能と
電荷輸送機能の両方を備える単層の電子写真感光体を実
現する光導電材料を提供することを目的とするものであ
る。
までもなく耐刷性の向上、感度分布の均一化等多くの長
所が生まれる。そこで本願はこの単層で感光層を形成す
ることによるメリットに着目して、上記電荷発生機能と
電荷輸送機能の両方を備える単層の電子写真感光体を実
現する光導電材料を提供することを目的とするものであ
る。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明の光導電光励起によ
ってキャリアを発生する光導電材料として、 Ｘ＝O,S,Se,Te,Y＝H,Cl,Br,I、ｎ≧０で表される基を持
つ芳香族環を含む有機分子を含む材料を用いる。
ってキャリアを発生する光導電材料として、 Ｘ＝O,S,Se,Te,Y＝H,Cl,Br,I、ｎ≧０で表される基を持
つ芳香族環を含む有機分子を含む材料を用いる。
作用 電荷輸送材料と電荷発生材料となる感能基を同一分子
内に組み込む場合、以下の点を満足しなければならな
い。
内に組み込む場合、以下の点を満足しなければならな
い。
（１）電荷輸送材料の移動度が高く、電荷が分子間を移
り易い。
り易い。
（２）電荷発生材料の電荷発生の量子効率が高く、可視
域長波長まで感度を有する感能基である。
域長波長まで感度を有する感能基である。
（３）組み込んだ感能基がキャリアトラップとして働か
ない。
ない。
（４）組み込んで構成した分子が結晶性が高くキャリア
輸送能力が高い。
輸送能力が高い。
第１に、フェニレン基とVIb族元素からなる分子を含
む高分子の電荷輸送能力が高いことは前述の従来技術で
述べた。この分子のキャリア輸送のメカニズムは隣接フ
ェニレン間のホッピング伝導と考えられ、輸送方向は分
子の主鎖方向とは限らず、むしろ分子鎖間に移る方向が
主であると考えられる。またこの分子は主鎖は堅く延び
きった形状を取り易く、結晶性は著しく高い。
む高分子の電荷輸送能力が高いことは前述の従来技術で
述べた。この分子のキャリア輸送のメカニズムは隣接フ
ェニレン間のホッピング伝導と考えられ、輸送方向は分
子の主鎖方向とは限らず、むしろ分子鎖間に移る方向が
主であると考えられる。またこの分子は主鎖は堅く延び
きった形状を取り易く、結晶性は著しく高い。
第２に、電荷発生材料としてアントラセン、ナフタレ
ン、ピレン、ペリレン、ナフタセン、ベンゾアントラセ
ン、ベンゾフェナントレン、クリセン、トリフェニレ
ン、フェナントレン等の縮合多環炭化水素、アントラキ
ノン、ジベンゾピレンキノン、アントアントロン、イソ
ビオラントロン、ピラントロン等の縮合多環キノン、無
金属フタロシアニン、銅、鉛、ニッケル、アルミニウム
等の金属を含む金属フタロシアニン、インジゴ、チオイ
ンジゴ等の色素があり、これらはそれぞれ可視域、及び
その近傍に光吸収、キャリア発生領域を持つ。
ン、ピレン、ペリレン、ナフタセン、ベンゾアントラセ
ン、ベンゾフェナントレン、クリセン、トリフェニレ
ン、フェナントレン等の縮合多環炭化水素、アントラキ
ノン、ジベンゾピレンキノン、アントアントロン、イソ
ビオラントロン、ピラントロン等の縮合多環キノン、無
金属フタロシアニン、銅、鉛、ニッケル、アルミニウム
等の金属を含む金属フタロシアニン、インジゴ、チオイ
ンジゴ等の色素があり、これらはそれぞれ可視域、及び
その近傍に光吸収、キャリア発生領域を持つ。
第３に、このフェニレン基とVIb族元素から成る基を
電荷発生能力の高い感能基に接合すると感能基で発生し
たキャリアの輸送は分子内を動いて末端より次の分子に
渡る経路を取るよりむしろ直接隣接する次の分子に渡っ
て行くと考えられる。よって従来、感能基自信がキャリ
ア走行の道筋に必ず位置したために発生したキャリアト
ラップの問題は大きく改善される。但し発生キャリア数
を増加させるのに感能基の含有率を高めるとやはりキャ
リアトラップの問題が発生する。含有率はフェニレン基
とVIb族元素から成る基の重合度で制御する。
電荷発生能力の高い感能基に接合すると感能基で発生し
たキャリアの輸送は分子内を動いて末端より次の分子に
渡る経路を取るよりむしろ直接隣接する次の分子に渡っ
て行くと考えられる。よって従来、感能基自信がキャリ
ア走行の道筋に必ず位置したために発生したキャリアト
ラップの問題は大きく改善される。但し発生キャリア数
を増加させるのに感能基の含有率を高めるとやはりキャ
リアトラップの問題が発生する。含有率はフェニレン基
とVIb族元素から成る基の重合度で制御する。
第４図に、結晶性は上記の重合度によって異なり、最
適重合度に設定することが必要である。最適値は以下の
ようにして決定される。重合度が上がると分子の剛直性
が増して結晶領域が広がり易く分子間のキャリア伝導が
良好となる。またキャリアトラップ密度は低い。逆に重
合度を下げると相対的に感能基の含有率が上がりキャリ
ア発生の量子効率が増加する。
適重合度に設定することが必要である。最適値は以下の
ようにして決定される。重合度が上がると分子の剛直性
が増して結晶領域が広がり易く分子間のキャリア伝導が
良好となる。またキャリアトラップ密度は低い。逆に重
合度を下げると相対的に感能基の含有率が上がりキャリ
ア発生の量子効率が増加する。
実施例 以下、本発明の一実施例の光導電材料について図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
まず本発明における光導電材料中に含有する有機分子
の例を示す化学式を以下に示す。それぞれ感能基にアン
トラセン、ナフタレン、ピレン、ペリレン、ナフタセ
ン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン、クリ
セン、トリフェニレン、フェナントレン等の縮合多環炭
化水素、アントラキノン、ジベンゾピレンキノン、アン
トアントロン、イソビオラントロン、ピラントロン等の
縮合多環キノン、無金属フタロシアニン、銅、鉛、ニッ
ケル、アルミニウム等の金属を含む金属フタロシアニ
ン、インジゴ、チオインジゴを使った場合である。
の例を示す化学式を以下に示す。それぞれ感能基にアン
トラセン、ナフタレン、ピレン、ペリレン、ナフタセ
ン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン、クリ
セン、トリフェニレン、フェナントレン等の縮合多環炭
化水素、アントラキノン、ジベンゾピレンキノン、アン
トアントロン、イソビオラントロン、ピラントロン等の
縮合多環キノン、無金属フタロシアニン、銅、鉛、ニッ
ケル、アルミニウム等の金属を含む金属フタロシアニ
ン、インジゴ、チオインジゴを使った場合である。
第１図は本発明における基本的な光導電材料を用いた
電子写真感光体の一実施例の断面を模式的に示した図で
ある。第１図に示す電子写真感光体は、アルミニウム薄
板からなる支持体11上に、上述の有機分子を含有する光
導電層12を形成し、この光導電層12の上面は自由表面13
とする。この光導電層12に添加する電荷受容体としては
I2，Br2，Cl2,ICl,IBr,（NO2）BF4，（NO2）PF6，（N
O2）SbF6，HClO4，H2SO4，HNO3，HSO4 -，AgClO4,Fe（Cl
O4），BF3，FeCl3，FeBr3，AlCl3，InCl3，InI3，ZrC
l4，HfCl4，TeCl4，TeBr4，TeI4，SnCl4，SnI4，SeC
l4，TiCl4，TiI4，FeCI4 -，AlCI4 -，AsF5，SbF5，NbC
l5，NbF5，TaCl5，TaI5，MoCl5，ReF6，IrCl6，InF6，U
F6，OsF6，XeF6，TeF6，SF6，SeF6，、WF6，WCl6，ReF7
等がある。又有機系の電荷受容体として、テトラシアノ
キジメタン（TCNQ），テトラシアノエタン（TCNE）,2−
3,ジクロロ５−６ジシアノベンゾキノンDDQ等もある。
電子写真感光体の一実施例の断面を模式的に示した図で
ある。第１図に示す電子写真感光体は、アルミニウム薄
板からなる支持体11上に、上述の有機分子を含有する光
導電層12を形成し、この光導電層12の上面は自由表面13
とする。この光導電層12に添加する電荷受容体としては
I2，Br2，Cl2,ICl,IBr,（NO2）BF4，（NO2）PF6，（N
O2）SbF6，HClO4，H2SO4，HNO3，HSO4 -，AgClO4,Fe（Cl
O4），BF3，FeCl3，FeBr3，AlCl3，InCl3，InI3，ZrC
l4，HfCl4，TeCl4，TeBr4，TeI4，SnCl4，SnI4，SeC
l4，TiCl4，TiI4，FeCI4 -，AlCI4 -，AsF5，SbF5，NbC
l5，NbF5，TaCl5，TaI5，MoCl5，ReF6，IrCl6，InF6，U
F6，OsF6，XeF6，TeF6，SF6，SeF6，、WF6，WCl6，ReF7
等がある。又有機系の電荷受容体として、テトラシアノ
キジメタン（TCNQ），テトラシアノエタン（TCNE）,2−
3,ジクロロ５−６ジシアノベンゾキノンDDQ等もある。
また、支持体11と光導電層12との間に支持体11から光
導電層12に注入するキャリアを効果的に阻止するため障
壁層（図示せず）を設けてもよい。例えば障壁層を形成
する材料としては、Al2O3,BaO,BaO2,BeO,Bi2O3,CaO,CeO
2，Ce2O3，La2O3，Dy2O3，Lu2O3，Cr2O3,CuO,Cu2O,FeO,
PbO,MgO,SrO,Ta2O3，ThO2，ZrO2，HfO2，TiO2,TiO,Si
O2，GeO2,SiO,GeO等の金属酸化物またはTiN,AlN,SnN,Nb
N,TaN,GaN等の金属窒化物、またはWC,SnC,TiC等の金属
炭化物またはSiC,SiN,GeC,GeN,BC,BN等の絶縁物、ポリ
イミド、ポリアミドイミド，ポリアクリルニトリル等の
耐熱性を有する有機化合物が使用される。
導電層12に注入するキャリアを効果的に阻止するため障
壁層（図示せず）を設けてもよい。例えば障壁層を形成
する材料としては、Al2O3,BaO,BaO2,BeO,Bi2O3,CaO,CeO
2，Ce2O3，La2O3，Dy2O3，Lu2O3，Cr2O3,CuO,Cu2O,FeO,
PbO,MgO,SrO,Ta2O3，ThO2，ZrO2，HfO2，TiO2,TiO,Si
O2，GeO2,SiO,GeO等の金属酸化物またはTiN,AlN,SnN,Nb
N,TaN,GaN等の金属窒化物、またはWC,SnC,TiC等の金属
炭化物またはSiC,SiN,GeC,GeN,BC,BN等の絶縁物、ポリ
イミド、ポリアミドイミド，ポリアクリルニトリル等の
耐熱性を有する有機化合物が使用される。
また、第１図において自由表面13上に表面被覆層（図
示せず）を形成してもよい。例えば表面被覆層として好
適な材料としては、SixO1-x，SixC1-x，SixN1-x，GexO
1-x，GexC1-x，GexN1-x，BxN1-x，BxC1-x，AlxN1-x（０
＜Ｘ＜１）カーボンおよびこれらに水素あるいはハロゲ
ンを含有する層等の無機物などがあげられる。
示せず）を形成してもよい。例えば表面被覆層として好
適な材料としては、SixO1-x，SixC1-x，SixN1-x，GexO
1-x，GexC1-x，GexN1-x，BxN1-x，BxC1-x，AlxN1-x（０
＜Ｘ＜１）カーボンおよびこれらに水素あるいはハロゲ
ンを含有する層等の無機物などがあげられる。
第２図は本発明の他の実施例の電子写真感光体の構成
を模式的に示す断面図である。第２図に示す実施例の電
子写真感光体が、第１図に示したものと異なる点は、光
導電層12上にさらに電荷輸送層14を設けて、この電荷輸
送層14の上面を自由表面15とした点である。
を模式的に示す断面図である。第２図に示す実施例の電
子写真感光体が、第１図に示したものと異なる点は、光
導電層12上にさらに電荷輸送層14を設けて、この電荷輸
送層14の上面を自由表面15とした点である。
電荷輸送層14を構成する材料としては、ポリビニルカ
ルバゾール，トリフェニルアミン誘導体，ヒドラゾン誘
導体，オキサジアゾール誘導体，インドリン誘導体，ポ
リパラフェニレンビニレン，ポリパラフェニレンスルフ
ィド等があげられる。
ルバゾール，トリフェニルアミン誘導体，ヒドラゾン誘
導体，オキサジアゾール誘導体，インドリン誘導体，ポ
リパラフェニレンビニレン，ポリパラフェニレンスルフ
ィド等があげられる。
実施例１ 感能基として前述のナフタレン、アントラセン、ピレ
ン、ペリレンの４種類の縮合多環炭化水素を用い、VIb
族元素としては酸素とイオウを使った。合成の結果得ら
れた有機化合物の構造は以下に示す（イ）〜（ニ）およ
び（ヘ）〜（リ）の８種類である。尚比較のために１、
４−ビス（フェニルチオ）ベンゼン（ホ）、１、４−ビ
ス（フェノキシ）ベンゼン（ヌ）も用意した。
ン、ペリレンの４種類の縮合多環炭化水素を用い、VIb
族元素としては酸素とイオウを使った。合成の結果得ら
れた有機化合物の構造は以下に示す（イ）〜（ニ）およ
び（ヘ）〜（リ）の８種類である。尚比較のために１、
４−ビス（フェニルチオ）ベンゼン（ホ）、１、４−ビ
ス（フェノキシ）ベンゼン（ヌ）も用意した。
各有機化合物の合成は以下の方法で行った。
（イ）1,4−ビス（フェニルチオ）ナフタレン 充分に水を除去した溶媒NMP（Ｎ−メチル−２−ピロ
リジノン）40c.c.に水素化ナトリウム2.5gを加え、チオ
フェノール7c.c.を滴下し、チオフェノールのナトリウ
ム塩を作った。この溶液に1,4−ジブロモナフタレン2.9
gを加え、およそ115℃に加熱し約３時間攪拌した。これ
を水300c.c.中に注ぎ得られた沈澱物を濾過した。この
沈澱物を石油エーテルから再結晶し化合物の結晶1.8g得
た。
リジノン）40c.c.に水素化ナトリウム2.5gを加え、チオ
フェノール7c.c.を滴下し、チオフェノールのナトリウ
ム塩を作った。この溶液に1,4−ジブロモナフタレン2.9
gを加え、およそ115℃に加熱し約３時間攪拌した。これ
を水300c.c.中に注ぎ得られた沈澱物を濾過した。この
沈澱物を石油エーテルから再結晶し化合物の結晶1.8g得
た。
（ロ）9,10−ビス（フェニルチオ）アントラセン 1,4−ビス（フェニルチオ）ナフタレンと同様にチオ
フェノールのナトリウム塩を作り、この溶液に9,10−ジ
クロロアントラセン2.0g加え、およそ90℃に加熱し約２
時間攪拌した。冷却後溶媒に不溶な反応生成物を濾過し
た。この沈澱物をベンゼンにより再結晶し、上記化合物
の結晶2.2gを得た。
フェノールのナトリウム塩を作り、この溶液に9,10−ジ
クロロアントラセン2.0g加え、およそ90℃に加熱し約２
時間攪拌した。冷却後溶媒に不溶な反応生成物を濾過し
た。この沈澱物をベンゼンにより再結晶し、上記化合物
の結晶2.2gを得た。
（ハ）1,6−ビス（フェニルチオ）ピレン （イ），（ロ）と同様にピレンのジハロゲン化物をチ
オフェノールのナトリウム塩と反応させて得る。1,6−
ジクロロピレンはピレンを塩化スルホニウムと共に四塩
化炭素中で、75℃に加熱することで得られる。尚1,6−
ジクロロピレンとチオフェノールのナトリウム塩の反応
は125℃で行った。沈澱物の再結晶はベンゼンによって
得た。ジハロゲン化物2.0gより1.4gの上記化合物を得
た。
オフェノールのナトリウム塩と反応させて得る。1,6−
ジクロロピレンはピレンを塩化スルホニウムと共に四塩
化炭素中で、75℃に加熱することで得られる。尚1,6−
ジクロロピレンとチオフェノールのナトリウム塩の反応
は125℃で行った。沈澱物の再結晶はベンゼンによって
得た。ジハロゲン化物2.0gより1.4gの上記化合物を得
た。
（ニ）3,9−ビス（フェニルチオ）ペリレン （ハ）と同様にペリレンのジクロロ化物を合成した後
チオフェノールのナトリウム塩と反応させたジクロロ化
物はペリレンを塩化アルミニウムとともにニトロベンゼ
ン中で140℃に加熱して得た。以下（ハ）とほぼ同様の
方法でジハロゲン化物3.0gより上記化合物を1.2g得た。
チオフェノールのナトリウム塩と反応させたジクロロ化
物はペリレンを塩化アルミニウムとともにニトロベンゼ
ン中で140℃に加熱して得た。以下（ハ）とほぼ同様の
方法でジハロゲン化物3.0gより上記化合物を1.2g得た。
（ヘ）1,4−ビス（フェノキシ）ナフタレン 1,4−ジブロモナフタレン2.1gとフェノール5.6g水酸化
カリウム1.7g銅粉末0.2gを混合して200℃に加熱して３
時間攪拌した。反応物を含んだ混合溶液を水に注いで沈
澱物を得、エタノールより再結晶した。
カリウム1.7g銅粉末0.2gを混合して200℃に加熱して３
時間攪拌した。反応物を含んだ混合溶液を水に注いで沈
澱物を得、エタノールより再結晶した。
（ト）9,10−ビス（フェノキシ）アントラセン 9,10−ジクロロアントラセン2.0gとフェノール5.6g、
水酸化カリウム1.7g、銅粉末0,2gを混合して220℃に加
熱して４時間攪拌した。更に加熱，攪拌して得たものを
水に注いで沈澱物を得たのち、エタノールで再結晶させ
た。
水酸化カリウム1.7g、銅粉末0,2gを混合して220℃に加
熱して４時間攪拌した。更に加熱，攪拌して得たものを
水に注いで沈澱物を得たのち、エタノールで再結晶させ
た。
（チ）1,6−ビス（フェノキシ）ピレン 上記（ハ）の方法で得た1,6−ジクロロピレンを使
い、（ホ），（ヘ）同様の反応で上記化合物を得た。
い、（ホ），（ヘ）同様の反応で上記化合物を得た。
（リ）3,9−ビス（フェノキシ）ペリレン 上記（ニ）の方法で得た3,9−ジクロロペリレンを使
い同様の方法で上記化合物を得た。
い同様の方法で上記化合物を得た。
尚、比較のために用意した1,4−ビス（フェニルチ
オ）ベンゼン（ホ）、1,4−ビス（フェノキシ）ベンゼ
ン（ヌ）はパラジクロロベンゼンよりそれぞれ得た。
オ）ベンゼン（ホ）、1,4−ビス（フェノキシ）ベンゼ
ン（ヌ）はパラジクロロベンゼンよりそれぞれ得た。
これら10種類の有機物を真空蒸着法で薄膜化して、そ
の光導電特性の比較を行った。各原料粉末を石英ルツボ
に100mg入れ、抵抗加熱方式の真空蒸着装置にセットし
たのち、真空度2.0×1.0-5Torr以下でルツボ温度を300
℃に加熱した。この時の蒸着速度は５〜20Å/sであっ
た。尚、基板は光導電特性と光学的特性測定用には石英
ガラス、赤外吸収スペクトル測定用には高抵抗Siを用い
た。各膜厚は5000Åとした。第３図（Ａ），（Ｂ）にフ
ェニルチオ基を置換基とする（イ）〜（ニ）の、第３図
（Ｃ），（Ｄ）にはフェノキシ基を置換基とする（ホ）
〜（チ）の蒸着膜の光吸収スペクトル及び分光感度特性
を示す。光電流測定には試料表面に金電極で櫛形平行電
極を構成した。
の光導電特性の比較を行った。各原料粉末を石英ルツボ
に100mg入れ、抵抗加熱方式の真空蒸着装置にセットし
たのち、真空度2.0×1.0-5Torr以下でルツボ温度を300
℃に加熱した。この時の蒸着速度は５〜20Å/sであっ
た。尚、基板は光導電特性と光学的特性測定用には石英
ガラス、赤外吸収スペクトル測定用には高抵抗Siを用い
た。各膜厚は5000Åとした。第３図（Ａ），（Ｂ）にフ
ェニルチオ基を置換基とする（イ）〜（ニ）の、第３図
（Ｃ），（Ｄ）にはフェノキシ基を置換基とする（ホ）
〜（チ）の蒸着膜の光吸収スペクトル及び分光感度特性
を示す。光電流測定には試料表面に金電極で櫛形平行電
極を構成した。
第３図より明らかなように縮合多環炭化水素を感能基
とした場合、環の数が増加し光吸収波長域が長波長に移
行するに従って、光電流もほぼその大きさを維持してピ
ーク波長が光吸収のピーク波長と一致しながら移行す
る。
とした場合、環の数が増加し光吸収波長域が長波長に移
行するに従って、光電流もほぼその大きさを維持してピ
ーク波長が光吸収のピーク波長と一致しながら移行す
る。
実施例２ 機能分離型電子写真感光体の電荷発生層として上述の
（イ）ないし（チ）の特性を評価するのに第２図の構成
に従って電子写真感光体を作製した。即ちアルミニウム
薄板，薄銅板等の支持体上に電荷輸送層として重合度５
〜20のパラフェニレンスルフィド（化学式 においてＺ＝Ｓ、ｎ＝３〜18）を真空蒸着法によって15
〜20μｍ形成し、続いてこの電荷輸送層上に（イ）〜
（チ）の有機物を電荷発生層として１〜２μｍ形成し
た。これらの電子写真としての特性評価を初期帯電電位
＋600V、ハロゲンランプ光照射の条件で行い、半減露光
量（E1/2）と残留電位（Vre）で比較した結果を表１に
示す。
（イ）ないし（チ）の特性を評価するのに第２図の構成
に従って電子写真感光体を作製した。即ちアルミニウム
薄板，薄銅板等の支持体上に電荷輸送層として重合度５
〜20のパラフェニレンスルフィド（化学式 においてＺ＝Ｓ、ｎ＝３〜18）を真空蒸着法によって15
〜20μｍ形成し、続いてこの電荷輸送層上に（イ）〜
（チ）の有機物を電荷発生層として１〜２μｍ形成し
た。これらの電子写真としての特性評価を初期帯電電位
＋600V、ハロゲンランプ光照射の条件で行い、半減露光
量（E1/2）と残留電位（Vre）で比較した結果を表１に
示す。
実施例３ 感能基アントラセンとペリレンを使い、置換基におけ
るそれぞれの重合度ｎの光導電性に与える影響を調べ
た。合成した化合物の合成方法を以下に述べる。
るそれぞれの重合度ｎの光導電性に与える影響を調べ
た。合成した化合物の合成方法を以下に述べる。
（ａ）アントラセン誘導体 充分に水を除去した溶媒DMF（Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド）100c.c.中でパラクロロチオフェノール6.5c.
c.と水素化ナトリウム2.5gを混合しパラクロロチオフェ
ノールのナトリウム塩を作った。この溶液に9,10−ジク
ロロアントラセエン2.0gを加え、150℃に加熱し８時間
攪拌した。この溶液をメタノールに投入し生成物の沈澱
を得たのち、ベンゼンに溶解する成分と不溶成分に分離
した。更にベンゼン可溶成分を、ヘキサンを用いて分別
沈澱し、２成分に分離した。この反応生成物は下記の化
学式に表されるもので、各沈澱物は置換基の重合度ｎが
異なる。これら３種類の重合度は各分子に含有されるイ
オウと塩素の比率で見積った。その結果、平均して２〜
３、３〜５、５〜10であった。
ムアミド）100c.c.中でパラクロロチオフェノール6.5c.
c.と水素化ナトリウム2.5gを混合しパラクロロチオフェ
ノールのナトリウム塩を作った。この溶液に9,10−ジク
ロロアントラセエン2.0gを加え、150℃に加熱し８時間
攪拌した。この溶液をメタノールに投入し生成物の沈澱
を得たのち、ベンゼンに溶解する成分と不溶成分に分離
した。更にベンゼン可溶成分を、ヘキサンを用いて分別
沈澱し、２成分に分離した。この反応生成物は下記の化
学式に表されるもので、各沈澱物は置換基の重合度ｎが
異なる。これら３種類の重合度は各分子に含有されるイ
オウと塩素の比率で見積った。その結果、平均して２〜
３、３〜５、５〜10であった。
（ｂ）ペリレン誘導体 （ａ）と同様にパラクロロチオフェノールのナトリウ
ム塩を作った後に、ジクロロ化物である3,9−ジクロロ
ペリレン（b1）、テトラクロロ化物である3,4,9,10−テ
トラクロロペリレン（b2）をそれぞれ加えた。尚3,4,9,
10−テトラクロロペリレンの合成は氷酢酸混合溶媒中90
℃で濃塩酸と過酸化水素で塩素化することで行った。DM
F溶媒中、150℃に加熱し８時間攪拌した後、メタノール
に投入し沈澱物を得たのち、ベンゼンに溶解する成分と
不溶成分に分離した。（ａ）同様に各沈澱物に含有する
イオウと塩素の比率で見積った。その結果、ジクロロ化
物からは２〜４、４〜８、又テトラクロロ化物からは１
〜３、３〜５の生成物（b1,b2）が得られた。
ム塩を作った後に、ジクロロ化物である3,9−ジクロロ
ペリレン（b1）、テトラクロロ化物である3,4,9,10−テ
トラクロロペリレン（b2）をそれぞれ加えた。尚3,4,9,
10−テトラクロロペリレンの合成は氷酢酸混合溶媒中90
℃で濃塩酸と過酸化水素で塩素化することで行った。DM
F溶媒中、150℃に加熱し８時間攪拌した後、メタノール
に投入し沈澱物を得たのち、ベンゼンに溶解する成分と
不溶成分に分離した。（ａ）同様に各沈澱物に含有する
イオウと塩素の比率で見積った。その結果、ジクロロ化
物からは２〜４、４〜８、又テトラクロロ化物からは１
〜３、３〜５の生成物（b1,b2）が得られた。
（ｃ）ピレン誘導体 （ａ），（ｂ）同様にパラクロロチオフェノールのナ
トリウム塩を作った後に、ジクロロ化物である1,6−ジ
クロロピレン、テトラクロロ化物である1,3,6,8−テト
ラクロロピレン、オクタクロロ化物である1,3,4,5,6,8,
9,10−オクタクロロピレンをそれぞれ加えた。ここで1,
3,6,8−テトラクロロピレンの合成はニトロベンゼン溶
媒中でピレンと塩化スルホニウムを加熱することで得ら
れる。また1,3,4,5,6,8,9,10−オクタクロロピレンも同
様のニトロベンゼン溶媒中でピレンと塩化スルホニウム
を加熱することで得られる。これらも同様にDMF溶媒
中、150℃に加熱し８時間攪拌し、メタノールに投入し
沈澱物を得たのち、ベンゼンに溶解する成分と不溶成分
に分類した。同様の重合度の見積の結果、ジクロロピレ
ン、テトラクロロピレン、オクタクロロピレンそれぞれ
からほぼ同様の１〜３と３〜５の２種類ずつの合成物
（C1,C2,C3）を得た。
トリウム塩を作った後に、ジクロロ化物である1,6−ジ
クロロピレン、テトラクロロ化物である1,3,6,8−テト
ラクロロピレン、オクタクロロ化物である1,3,4,5,6,8,
9,10−オクタクロロピレンをそれぞれ加えた。ここで1,
3,6,8−テトラクロロピレンの合成はニトロベンゼン溶
媒中でピレンと塩化スルホニウムを加熱することで得ら
れる。また1,3,4,5,6,8,9,10−オクタクロロピレンも同
様のニトロベンゼン溶媒中でピレンと塩化スルホニウム
を加熱することで得られる。これらも同様にDMF溶媒
中、150℃に加熱し８時間攪拌し、メタノールに投入し
沈澱物を得たのち、ベンゼンに溶解する成分と不溶成分
に分類した。同様の重合度の見積の結果、ジクロロピレ
ン、テトラクロロピレン、オクタクロロピレンそれぞれ
からほぼ同様の１〜３と３〜５の２種類ずつの合成物
（C1,C2,C3）を得た。
これら13種類の有機物の光導電性を調べるのに実施例
１同様に真空蒸着法によって薄膜化した。膜厚は15μｍ
と成るように数回に分けて蒸着した。これらの膜の電子
写真特性を表２に示す。
１同様に真空蒸着法によって薄膜化した。膜厚は15μｍ
と成るように数回に分けて蒸着した。これらの膜の電子
写真特性を表２に示す。
表２から明らかなように各誘導体共に置換基であるフ
ェニルチオ基の重合度が増加するにしたがって特性が増
加する。一方感能基に置換する基が変化するピレン誘導
体の場合を見れば分かるように２、４、８個と置換基の
数が増加するなかで２、４個の置換基を有する誘導体の
光感度は良好であるが８個の場合劣る。
ェニルチオ基の重合度が増加するにしたがって特性が増
加する。一方感能基に置換する基が変化するピレン誘導
体の場合を見れば分かるように２、４、８個と置換基の
数が増加するなかで２、４個の置換基を有する誘導体の
光感度は良好であるが８個の場合劣る。
又アントラセン誘導体（ａ）とペリレン誘導体（b1）
について、実施例１同様の光電流測定を石英ガラス上に
5000A成膜したサンプルで行った。結果を第４図に示
す。第４図の特性図からも明らかなように両誘導体共に
重合度の増加によって光電流は著しく増加する。
について、実施例１同様の光電流測定を石英ガラス上に
5000A成膜したサンプルで行った。結果を第４図に示
す。第４図の特性図からも明らかなように両誘導体共に
重合度の増加によって光電流は著しく増加する。
実施例４ 感能基に縮合多環キノン系、フタロシアニン系及びイ
ンジゴ系の各色素を用い、フェニルチオ基を置換基とす
る有機物を合成した。以下に合成した有機物の化学式を
示す。感能基として縮合多環キノンからは、アントラキ
ノン（d1）、アントアントロン（d2）、ピラントロン
（d3）の３種類、フタロシアニンからは無金属フタロシ
アニン（e1）、銅フタロシアニン（e2）の２種類、イン
ジゴからはインジゴ（f1）、チオインジゴ（f2）の２種
類とした。
ンジゴ系の各色素を用い、フェニルチオ基を置換基とす
る有機物を合成した。以下に合成した有機物の化学式を
示す。感能基として縮合多環キノンからは、アントラキ
ノン（d1）、アントアントロン（d2）、ピラントロン
（d3）の３種類、フタロシアニンからは無金属フタロシ
アニン（e1）、銅フタロシアニン（e2）の２種類、イン
ジゴからはインジゴ（f1）、チオインジゴ（f2）の２種
類とした。
各有機物の合成は以下によって行った。
各感能基のジハロゲン化物を用意する。縮合多環キノ
ン系の３種類はそれぞれの臭素化を行い、フタロシアニ
ン系は同様に塩素化を行い、インジゴ系は臭素化を行っ
た。これらのジハロゲン化物をDMF溶媒中でパラクロロ
チオフェノールのナトリウム塩と混合させた。この反応
の結果得られた沈澱物を水でよく洗浄したのち、エタノ
ールで洗い流し乾燥させた。
ン系の３種類はそれぞれの臭素化を行い、フタロシアニ
ン系は同様に塩素化を行い、インジゴ系は臭素化を行っ
た。これらのジハロゲン化物をDMF溶媒中でパラクロロ
チオフェノールのナトリウム塩と混合させた。この反応
の結果得られた沈澱物を水でよく洗浄したのち、エタノ
ールで洗い流し乾燥させた。
これら７種類の光導電性材料を電荷発生層とし、化学
式 Ｚ＝0,S,Se,Te,n≧３で表される有機分子の中から重合
度が５〜100の範囲にあるポリパラフェニレンスルフィ
ド（以下PPSと称する）とポリパラフェニレンビニレン
（以下PPVと称する）の２種類を電荷輸送層とする第２
図の構成を持つ機能分離型電子写真感光体を作った。
式 Ｚ＝0,S,Se,Te,n≧３で表される有機分子の中から重合
度が５〜100の範囲にあるポリパラフェニレンスルフィ
ド（以下PPSと称する）とポリパラフェニレンビニレン
（以下PPVと称する）の２種類を電荷輸送層とする第２
図の構成を持つ機能分離型電子写真感光体を作った。
電荷輸送層であるPPSの合成はホーキンスの方法（Mac
romole.9（1976）189）によって行い、このPPS原料粉末
からの真空蒸着法により膜厚20μｍ成膜した。PPVの合
成は、高分子スルホニウム塩の一つであるポリ（キシリ
レン−α−ジエチルスルホニウムブロマイド）の加熱重
合によって行った。加熱重合の処理条件は、窒素ガス中
200〜400℃、１〜10時間とした。PPS同様に真空蒸着法
により膜厚20μｍ成膜した。この電荷輸送層上に電荷発
生層として前記７種類の光導電性材料を、これも真空蒸
着法により１μｍ成膜した。
romole.9（1976）189）によって行い、このPPS原料粉末
からの真空蒸着法により膜厚20μｍ成膜した。PPVの合
成は、高分子スルホニウム塩の一つであるポリ（キシリ
レン−α−ジエチルスルホニウムブロマイド）の加熱重
合によって行った。加熱重合の処理条件は、窒素ガス中
200〜400℃、１〜10時間とした。PPS同様に真空蒸着法
により膜厚20μｍ成膜した。この電荷輸送層上に電荷発
生層として前記７種類の光導電性材料を、これも真空蒸
着法により１μｍ成膜した。
これらの電子写真感光体の特性を表３に示す。
実施例５ 実施例３におけるペリレン誘導体を他の有機分子中に
分散させることを検討した。分散体の母体となる有機分
子には化学式 Ｚ＝O,S,Se,Te,n≧３を満足する実施例４の重合度５〜2
0のPPSを用いた。分散体の成膜はペリレン誘導体とPPS
の２源の同時真空蒸着によって行い、分散比率は二つの
蒸着速度の比率で制御した。これらの分散型感光体の電
子写真特性の結果を表４に示す。表４中d1（A/S）はペ
リレン誘導体の、d2（A/S）はPPSの蒸着速度であり、分
散比率を1/4〜3/4の間で変化させた。
分散させることを検討した。分散体の母体となる有機分
子には化学式 Ｚ＝O,S,Se,Te,n≧３を満足する実施例４の重合度５〜2
0のPPSを用いた。分散体の成膜はペリレン誘導体とPPS
の２源の同時真空蒸着によって行い、分散比率は二つの
蒸着速度の比率で制御した。これらの分散型感光体の電
子写真特性の結果を表４に示す。表４中d1（A/S）はペ
リレン誘導体の、d2（A/S）はPPSの蒸着速度であり、分
散比率を1/4〜3/4の間で変化させた。
実施例６ 実施例３におけるピレン誘導体（ｎ＝１〜３、３〜
５）に添加物として電子受容体を混合し、その効果を調
べた。添加物としては、TCNQ（7,7,8,8,テトラシアノキ
ノジメタン）を用いた。実施例３の方法で基板上に20μ
ｍ成膜した後、この基板を加熱可能な真空装置内に設置
し、上記添加物TCNQを気体状態で導入し膜内に拡散で混
合させた。TCNQの膜中での拡散と電荷移動錯体形成を効
率的に進めるのにおよそ150℃に基板加熱した。このよ
うにして作った感光体の特性を評価した結果、チオイン
ジゴ（ｎ＝１〜３）のサンプルでE1/2＝81xsec、V res
＝18vがE1/2＝6.41xsec、V res＝12vとなりチオインジ
ゴ（ｎ＝３〜５）のサンプルでE1/2＝41xsec、V res＝1
4vがE1/2＝3.11xsec、V res10vと良好な特性が得られ
た。
５）に添加物として電子受容体を混合し、その効果を調
べた。添加物としては、TCNQ（7,7,8,8,テトラシアノキ
ノジメタン）を用いた。実施例３の方法で基板上に20μ
ｍ成膜した後、この基板を加熱可能な真空装置内に設置
し、上記添加物TCNQを気体状態で導入し膜内に拡散で混
合させた。TCNQの膜中での拡散と電荷移動錯体形成を効
率的に進めるのにおよそ150℃に基板加熱した。このよ
うにして作った感光体の特性を評価した結果、チオイン
ジゴ（ｎ＝１〜３）のサンプルでE1/2＝81xsec、V res
＝18vがE1/2＝6.41xsec、V res＝12vとなりチオインジ
ゴ（ｎ＝３〜５）のサンプルでE1/2＝41xsec、V res＝1
4vがE1/2＝3.11xsec、V res10vと良好な特性が得られ
た。
発明の効果 光励起によってキャリアを発生する光導電層を本発明
の有機材料とする場合、可視域から長波長に渡る広い光
波長の光照射に対して効率よくキャリアを生成する。発
生したキャリアは材料中を外部電界によって容易に動か
し得る。またこの材料を電子写真方式の感光体として使
う場合、光源波長に合わせて、短波長から可視域長波長
に渡って光吸収域を有する芳香族環から最適のものを感
能基とすることで、広い波長範囲の光源に対して良好な
感度を有するものを得る。よって、電荷発生能力の高い
基と輸送能力の高い基がその能力を損なうことなく結合
した光導電性材料を提供することが可能となる。
の有機材料とする場合、可視域から長波長に渡る広い光
波長の光照射に対して効率よくキャリアを生成する。発
生したキャリアは材料中を外部電界によって容易に動か
し得る。またこの材料を電子写真方式の感光体として使
う場合、光源波長に合わせて、短波長から可視域長波長
に渡って光吸収域を有する芳香族環から最適のものを感
能基とすることで、広い波長範囲の光源に対して良好な
感度を有するものを得る。よって、電荷発生能力の高い
基と輸送能力の高い基がその能力を損なうことなく結合
した光導電性材料を提供することが可能となる。
第１図は本発明の光導電材料を用いた基本的な電子写真
感光体の一実施例の模式的な断面図、第２図は同電子写
真感光体の他の実施例の模式的断面図、第３図はフェニ
ルチオ基、フェノキシ基を置換基とする蒸着膜の光吸
収，光電流の分光感度特性を示す特性図、第４図は実施
例３の電子写真感光体の光電流の分光感度特性を示す特
性図である。 11……支持体、12……光導電層、14……電荷輸送層。
感光体の一実施例の模式的な断面図、第２図は同電子写
真感光体の他の実施例の模式的断面図、第３図はフェニ
ルチオ基、フェノキシ基を置換基とする蒸着膜の光吸
収，光電流の分光感度特性を示す特性図、第４図は実施
例３の電子写真感光体の光電流の分光感度特性を示す特
性図である。 11……支持体、12……光導電層、14……電荷輸送層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋山 浩二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 渡辺 正則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−90954（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−59353（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】光励起によってキャリアを発生する有機分
子を含む光導電材料において、縮合多環炭化水素、ある
いは縮合多環キノン、あるいは金属フタロシアニン、あ
るいはインジゴ、チオインジゴを持つ有機分子が、下記
化学式で表される基を１個以上有することを特徴とする
光導電材料。 - 【請求項２】上記化学式で表される基を同一分子内に２
個から４個含むことを特徴とする請求項（１）に記載の
光導電材料。 - 【請求項３】上記化学式で表される基を同一分子内に２
個から４個含み、少なくとも２個の基のＸは同一のVIb
族元素であることを特徴とする請求項（１）に記載の光
導電材料。 - 【請求項４】請求項（１）記載の有機分子を含む光導電
材料に電子受容体を添加することを特徴とする請求項
（１）に記載の光導電材料。 - 【請求項５】光励起によってキャリアを発生する光導電
材料が異なった材料によって２層以上より構成され、こ
れらのうち少なくとも１層は、請求項（１）記載の光導
電材料で構成され、他の１層が下記化学式で表される有
機分子を含有する層を含むことを特徴とする光導電材
料。 - 【請求項６】光励起によってキャリアを発生する請求項
（１）記載の光導電材料を上記化学式で表される有機分
子中に分散して構成することを特徴とする光導電材料。
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