JPH08339087A

JPH08339087A - ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Info

Publication number: JPH08339087A
Application number: JP7167868A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Yamazaki; 浩幸山崎; Yoshiki Sugata; 祥樹菅田; Masaichi Kobayashi; 政一小林; Hiroshi Komano; 博司駒野
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 1995-06-12
Filing date: 1995-06-12
Publication date: 1996-12-24
Anticipated expiration: 2020-03-23
Also published as: JP3631291B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【構成】Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）アルコキシメ
チル化アミノ樹脂、（Ｃ）トリアジン化合物及び（Ｄ）
一般式化１で表わされるベンゾトリアゾール化合物を含
有するネガ型レジスト組成物。（式中、Ｘは−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂（ＯＨ）、−ＯＨ又
は−Ｎ（Ｒ）₂を示す。Ｒは炭素原子数１〜１０のアル
キル基である。）【効果】透明電導膜基板や金属膜基板に対して密着性が
よく、高い残膜率を示すとともに、優れたプロファイル
形状のレジストパターンを形成することができ、微細加
工化が要求される電子部品材料の製造、特にＴＦＴ素子
を含む液晶表示素子の製造において好適に使用できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ネガ型レジスト組成
物、さらに詳しくは残膜率が高く、透明電導膜基板又は
金属膜基板に対する密着性に優れ、かつプロファイル形
状に優れるネガ型レジスト組成物及び前記レジスト組成
物を使用するレジストパターン形成方法に関する。

【０００２】

【従来技術】近年、半導体素子や液晶表示素子等の電子
部品の製造分野では微細加工化が進み、そこで使用され
るネガ型レジスト組成物には、高い解像性や感度、良好
なプロファイル形状のレジストパターンの形成及びエッ
チング処理後の残膜率の高さなどが要求されるようにな
ってきている。例えば、液晶表示素子の駆動回路として
有望な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子の製造にあって
は、その透明電極回路の形成が、インジウム錫酸化膜基
板（以下ＩＴＯ膜基板という）などの透明電導膜基板上
にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンを
マスクとして、透明電導膜基板をエッチングして形成さ
れている。また、電子部品の回路形成に使用されるＡｌ
やＴａなどの金属膜基板の加工に用いるネガ型レジスト
組成物の特性に対しても前記同様の要求がなされてい
る。前記透明電極回路の形成や金属膜基板の加工で使用
されネガ型レジスト組成物としては、従来、フェノール
ノボラック樹脂にビスアジド化合物を配合したネガ型レ
ジスト組成物、クロロメチル化ポリスチレンやポリビニ
ルフェノールと芳香族ビスアジド化合物とからなるネガ
型レジスト組成物（特公昭６２−８７７７号公報）、熱
硬化性樹脂とフォト酸発生剤として２１０〜２９９ｎｍ
の波長範囲の化学線を吸収するハロゲン化有機化合物と
からなるネガ型レジスト組成物（特公昭６２−１６４０
４５号公報）などが提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
知のネガ型レジスト組成物では、得られるレジストパタ
ーンの断面形状が逆テーパ状のプロファイル形状とな
り、また残膜率も低いという欠点を有していた。これを
解決するネガ型レジスト組成物として、アルカリ可溶性
樹脂とアルコキシメチル化アミノ樹脂と特定のトリアジ
ン化合物を含有するネガ型レジスト組成物（特開平５−
３１３３７０号公報）が提案され、プロファイル形状や
残膜率においてある程度の向上がみられたが、透明電導
膜基板、特にＩＴＯ膜基板に対する密着性及び金属膜基
板に対する密着性が十分でなく、満足のいくプロファイ
ル形状のパターンを形成できるネガ型レジストではなか
った。

【０００４】こうした現状に鑑み、本発明者等は鋭意研
究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂、アルコキシメチ
ル化アミノ樹脂、トリアジン化合物を含有するネガ型レ
ジスト組成物にさらに特定のベンゾトリアゾール化合物
を含有させることにより、透明電導膜基板や金属膜基板
に対する密着性が改善され、プロファイル形状の優れた
パターンを形成できるとともに、残膜率も向上したネガ
型レジスト組成物が得られることを見出し、本発明を完
成したものである。

【０００５】すなわち、本発明は、高感度、高解像性を
有し、残膜率が高いとともにプロファイル形状の優れ、
基板に対する密着性が良好なレジストパターンを形成で
きるネガ型レジスト組成物を提供することを目的とす
る。また、本発明は、上記ネガ型レジスト組成物を使用
するレジストパターン形成方法を提供することを目的と
する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）アルコキシメ
チル化アミノ樹脂、（Ｃ）トリアジン化合物及び（Ｄ）
一般式化１のベンゾトリアゾール化合物を含有すること
を特徴とするネガ型レジスト組成物及び前記組成物を使
用するレジストパターンの形成方法に係る。

【０００７】

【化２】（式中、Ｘは−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂（ＯＨ）、−ＯＨ又
は−Ｎ（Ｒ）₂を示す。Ｒは炭素原子数１〜１０のアル
キル記である。）

【０００８】上記（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂とし
ては、ネガ型レジスト組成物の被膜形成用樹脂として知
られている、フェノール樹脂、アクリル樹脂、スチレン
とアクリル酸との共重合体、ポリヒドロキシスチレン、
ポリビニルフェノール、ポリα−メチルビニルフェノー
ルなどが挙げられる。特にフェノール樹脂及びポリヒド
ロキシスチレンが好ましく、中でもノボラック樹脂が好
適である。前記フェノール樹脂としてはフェノール類と
アルデヒド類との縮合反応生成物、フェノール類とケト
ン類との縮合反応生成物、ビニルフェノール系重合体、
イソプロペニルフェノール系重合体、これらのフェノー
ル樹脂の水素添加反応生成物などが挙げられる。これら
の原料であるフェノール類としては、フェノール、ｍ−
クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、
２，３−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５
−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、
エチルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノ
ール、フェニルフェノールなどの一価のフェノール類；
レゾルシノール、ピロカテコール、ヒドロキノン、ビス
フェノールＡ、ピロガロールなどの多価フェノール類な
どが挙げられる。中でも、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
２，３，５−トリメチルフェノールの１種又は２種以上
の混合物がよく、さらに好ましくはｍ−クレゾール３０
重量％以上を含有し、かつ残りの成分としてｐ−クレゾ
ール、２，５−キシレノール及び３，５−キシレノール
からなる群から選ばれた少なくとも１種を含有する混合
フェノール類がよい。前記フェノール類とアルデヒド類
又はケトン類とを塩酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、ギ酸又はシュウ酸などの酸性触媒の存在下で常法に
従って重合してフェノール樹脂が製造される。前記ホル
ムアルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトア
ルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデ
ヒド、テレフタルアルデヒドなどが、またケトン類とし
ては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケト
ン、ジフェニルケトンなどが挙げられる。さらに、フェ
ノール樹脂の水素添加反応生成物は、フェノール樹脂を
有機溶剤に溶解し、均一系又は不均一系で水素添加触媒
の存在下で水素を導入して製造される。

【０００９】上記フェノール樹脂の分子量は、ゲルパー
ミエションクロマトグラフィー法で測定した重量平均分
子量が２，０００〜２０，０００、好ましくは３，００
０〜１５，０００の範囲が選ばれる。重量平均分子量が
２，０００未満では現像後の膜減りが大きく、また２
０，０００を超えると現像速度が小さくなる。

【００１０】ポリヒドロキシスチレンとしては、とくに
制限がなく、公知のものを用いることができるが、その
重量平均分子量は３０００〜５００００、好ましくは５
０００〜３００００の範囲のものが選ばれる。

【００１１】本発明の（Ｂ）成分であるアルコキシメチ
ル化アミノ樹脂としては、特にアルコキシメチル化メラ
ミン樹脂やアルコキシメチル化尿素樹脂などを挙げるこ
とができる。前記アルコキシメチル化アミノ樹脂は、例
えば沸騰水溶液中でメラミン又は尿素をホルマリンと反
応させて縮合物を生成したのち、メチルアルコール、エ
チルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコー
ルなどの低級アルコール類でエーテル化させ、次いで反
応液を冷却して析出する樹脂を取り出すことにより製造
することができる。このアルコキシメチル化アミノ樹脂
には、特に制限がなく、例えばメトキシメチル化メラミ
ン樹脂、エトキシメチル化メラミン樹脂、プロポキシメ
チル化メラミン樹脂、ブトキシメチル化メラミン樹脂、
メトキシメチル化尿素樹脂、エトキシメチル化尿素樹
脂、プロポキシメチル化尿素樹脂、ブトキシメチル化尿
素樹脂、市販品のニカラックＭＸ−７５０、ニカラック
ＭＸ−７０６、ニカラックＭＸ−１０１、ニカラックＭ
Ｘ−０３２、ニカラックＭＸ−７０８、ニカラックＭＸ
−４０、ニカラックＭＸ−３１、ニカラックＭＳ−１
１、ニカラックＭＷ−２２及びニカラックＭＷ−３０
（以上アルコキシメチル化メラミン樹脂の商品名、三和
ケミカル社製）、ニカラックＭＸ−２９０及びニカラッ
クＮ−２００９（以上アルコキシメチル化尿素樹脂の商
品名、三和ケミカル社製）などを挙げることができる。
これらは単独でもまた２種以上を組み合わせて用いても
よい。

【００１２】本発明の（Ｃ）成分であるトリアジン化合
物としては、例えば２−（４−メトキシフェニル）−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリ
アジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−
［２−（２−フリル）エテニル］−４，６−ビス（トリ
クロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−［２−
（５−メチル−２−フリル）エテニル］−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−
［２−（３，５−ジメトキシフェニル）エテニル］−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリ
アジン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エ
テニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，
３，５−トリアジン、２−［２−（３，４−メチレンジ
オキシフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロ
ロメチル）−１，３，５−トリアジン、トリス（１，３
−ジブロモプロピル）−１，３，５−トリアジン、トリ
ス（２，３−ジブロモプロピル）−１，３，５−トリア
ジンなどを挙げることができる。これらは単独でも、ま
た２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００１３】本発明の（Ｄ）成分である一般式化３で表
わされるベンゾトリアゾール化合物

【００１４】

【化３】（式中、Ｘは−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂（ＯＨ）、−ＯＨ又
は−Ｎ（Ｒ）₂を示す。Ｒは炭素原子数１〜１０のアル
キル基である。）としては、具体的に１−（２，３−ジ
ヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール、１−ヒドロ
キシメチルベンゾトリアゾール、１−（Ｎ，Ｎ−ジオク
チルアミノメチル）ベンゾトリアゾールなどを挙げるこ
とができる。これらは単独又は２種以上を組み合わせて
用いてもよい。

【００１５】上記（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する本発明
のネガ型レジスト組成物は、（Ｂ）成分が（Ａ）成分に
対して１〜６５重量％、好ましくは２〜３５重量％、
（Ｃ）成分が（Ａ）成分に対して０．５〜１５重量％、
好ましくは１〜１０重量％及び（Ｄ）成分が（Ａ）成分
に対して０．５〜１５重量％、好ましくは１〜１０重量
％の範囲で含有される。前記（Ｂ）成分の含有量が前記
範囲を逸脱するとプロファイル形状の優れたレジストパ
ターンを形成できず、また（Ｃ）成分が０．５重量％未
満では十分な効果が得られず、２５重量％を超えるとレ
ジストのアルカリ水溶液に対する溶解性が悪くなり、現
像性が低下する。さらに（Ｄ）成分の含有量が０．５重
量％未満では残膜性、密着性に優れたレジストパターン
が形成できず、１０重量％を超えると感度や解像性など
のレジスト特性に悪影響を与えるので好ましくない。

【００１６】さらに、本発明のネガ型レジスト組成物に
は、その目的を損なわない範囲で、必要に応じて相溶性
のあるレジスト膜の性能などを改良するための低分子量
フェノール化合物、具体的には、トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−
ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、
ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−
２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキ
シル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−４−ヒ
ドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−
４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−３，４−ジヒ
ドロキシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロキシ
フェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２−（２，
３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２’，
３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパン、ビス
（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタンなどに
加えて２，６−ビス［１−（２，４−ジヒドロキシフェ
ニル）イソプロピル］−４−メチルフェノール、２，６
−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニルメチル）
−４−メチルフェノール、４，６−ビス［１−（４−ヒ
ドロキシフェニル）イソプロピル］−レゾルシンなどを
配合でき、その配合量はアルカリ可溶性樹脂に対し１〜
３５重量％、好ましくは３〜１５重量％の範囲である。
さらに所望により相溶性のある可塑剤、安定剤、界面活
性剤、現像した像をより一層可視的にするための着色
剤、増感効果を向上させる増感剤、染料、２，２’，
４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメ
チルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル−４−（４
−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４−ジメチル
アミノ−４’−ヒドロキシアゾベンゼン、４−ジエチル
アミノ−４’−エトキシアゾベンゼン、４−ジエチルア
ミノアゾベンゼン、クルクミンなどのハレーション防止
剤などの添加剤を含有させることができる。

【００１７】本発明のネガ型レジスト組成物の使用する
に当たっては有機溶剤に溶解した溶液の形で用いるのが
よい。前記有機溶剤としては、例えばアセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン、イソブチルメチルケ
トン、ｎ−アミルメチルケトン、イソアミルメチルケト
ン、１，１，１ートリメチルアセトンなどのケトン類；
エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレ
ングリコール、エチレングリコールモノアセテート又は
ジエチレングリコールモノアセテートのモノメチルエー
テル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モ
ノイソプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノ
フェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導
体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び酢酸メチ
ル、酢酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチルなど
のエステル類を挙げることができる。これらは単独で
も、また２種以上を混合して用いてもよい。

【００１８】上記有機溶剤に溶解して調製したネガ型レ
ジスト組成物を透明電導膜基板又は金属膜基板にスピン
ナーなどで塗布し、乾燥してレジスト層を設けたのち、
ｇ線、ｉ線、ｄｅｅｐ−ＵＶ、エキシマレーザー、エッ
クス線をマスクを介して選択的に照射するか、又は電子
線を走査して照射したのち、加熱処理を施し、次いで、
例えば〜１０重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシドやコリンなどの有機アルカリ水溶液又は水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムなどの無機
アルカリ水溶液を用いて現像し、前記放射線の非照射部
分を選択的に溶解除去してレジストパターンが形成され
る。

【００１９】本発明のネガ型レジスト組成物は、透明電
導膜基板や金属膜基板において有用に用いることがで
き、透明電導膜基板としてはインジウム錫酸化膜（ＩＴ
Ｏ膜）や酸化錫膜（ＳｎＯ₂膜）、特にＩＴＯ膜に有用
で、金属膜としてはＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ，Ｃｒなどの各種
金属膜基板をあげることができる。

【００２０】

【実施例】次に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定され
るものではない。

【００２１】実施例１ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとを重量比で３６：６
４の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸
触媒を用いて常法により縮合してクレゾールノボラック
樹脂（重量平均分子量３５００）を得た。その２０ｇと
アルコキシメチル化尿素樹脂であるニカラックＭＸ−２
９０（商品名、三和ケミカル社製）２ｇとを乳酸エチル
５６ｇとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート２４ｇとの混合溶剤に溶解したのち、この溶液に
クレゾールノボラック樹脂に対して、２−（４−メトキ
シフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−
１，３，５−トリアジンを５重量％、１−（２，３−ジ
ヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾールを５重量％、
１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］
−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチ
ル］ベンゼンを５重量％及び２，２’，４，４’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンを３重量％の割合でそれぞ
れ加え、溶解した溶液を孔径０．２μｍのメンブランフ
ィルターを用いて加圧ろ過し、レジスト溶液を調製し
た。

【００２２】次いで、上記に調製したレジスト溶液を膜
厚２００ｎｍのＩＴＯ膜が形成されたガラス基板上に、
４０００ｒｐｍで２０秒間スピンコートし、ホットプレ
ート上で９０℃で９０秒間乾燥して、１．０μｍ厚のレ
ジスト層を形成した。形成されたレジスト層にコンタク
トアナライザーＰＬＡー５０１（商品名、キヤノン社
製）により、紫外線露光し、１１０℃で９０秒間加熱処
理を行った。それを２．３８重量％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液に２３℃で約１分間浸漬
し、非照射部分を溶解除去してレジストパターンを形成
した。このレジストパターンはＩＴＯ基板面から垂直に
切り立った矩形の断面形状を有する良好なプロファイル
形状の５μｍ幅のレジストパターンであり、残膜率は９
５％であった。また、形成されたレジストパターンをマ
スクとして、露出したＩＴＯ膜を塩化第二鉄と塩酸との
混合液からなるエッチング液中に４０℃で３０秒間浸漬
した。マスクの剥がれは全く確認できなかった。

【００２３】実施例２〜８、比較例１〜３表１に示したアルカリ可溶性樹脂、アルコキシメチル化
アミノ樹脂、トリアジン化合物、ベンゾトリアゾール化
合物及び添加剤を含有するネガ型レジスト組成物を使用
した以外は、実施例１と同様の操作によりレジストパタ
ーンを形成した。そのレジストパターンの断面形状、残
膜率及び密着性を評価した。その結果を表２に示す。

【００２４】

【表１】表中の重量％はアルカリ可溶性樹脂の重量に対するもの
である。

【００２５】上記表１の略号は以下のとおりである。アルカリ可溶性樹脂；ノボラック樹脂（３５００）；クレゾールノボラック樹脂［ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール比＝３６／６４重量比、重量平均分子量３５００］ノボラック樹脂（３０００）；クレゾールノボラック樹脂［ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール比＝３６／６４重量比、重量平均分子量３０００］アルコキシメチル化アミノ樹脂；ニカラックＭＸ−２９０（アルコキシメチル化尿素樹脂の商品名、三和ケミカル社製）ニカラックＮ−２００９（アルコキシメチル化尿素樹脂の商品名、三和ケミカル社製）トリアジン化合物；ＭＢＴＴ：２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンＢＴＥＴ：２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（５−メチル− ２−フリル）エテニル−ｓ−トリアジンＢＴＤＴ：２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（３，５−ジメトキシフェニル）エテニル−ｓ−トリアジンベンゾトリアゾール化合物；ＤＢ：１−（２，３−ジヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾールＨＢ：１−ヒドロキシメチルベンゾトリアゾールＮＢ：１−（Ｎ，Ｎ−ジオクチルアミノメチル）ベンゾトリアゾールＢＴ：ベンゾトリアゾール添加剤；ＨＩＢＢ：１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４− ［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンｔｅｔｒａ−ＨＢ：２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン

【００２６】

【表２】

【００２７】上記表２の評価方法は以下による。断面形状…５μｍ幅のレジストパターンを観察し、矩形
のものを○、逆テーパ状のものを×とする評価法。残膜率…現像前後における膜厚の差から算出する評価
法。密着性…良好：レジストパターンの剥がれが確認できな
いもの不良：レジストパターンの剥がれが発生したものとしての評価法。

【００２８】上記表２に示すように本発明のネガ型レジ
スト組成物で形成したレジストパターンは高い残膜率を
示すとともにＩＴＯ膜に対する密着性がよく、良好なプ
ロファイル形状のレジストパターンを形成することがで
きる。

【００２９】実施例９使用する基板を膜厚２００ｎｍのクロム膜が形成された
ガラス基板に代え、エッチング液を硝酸第２セリウムア
ンモニウムと硝酸との混合液に代えた以外は、実施例１
と同様の操作によりレジストパターンの断面形状、残膜
率及びエッチング処理後のレジストパターンの剥がれの
有無について評価したところ、断面形状は矩形、残膜率
は９５％及びレジストパターンの剥がれは確認できなか
った。

【００３０】

【発明の効果】本発明のネガ型レジスト組成物は、透明
電導膜や金属膜基板に対して密着性がよく、高い残膜率
を示すとともに、優れたプロファイル形状のレジストパ
ターンを形成することができ、微細加工化が要求される
電子部品材料の製造、特にＴＦＴ素子を含む液晶表示素
子の製造において好適に使用できる。

フロントページの続き (72)発明者駒野博司神奈川県川崎市中原区中丸子150番地東京応化工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）アルコ
キシメチル化アミノ樹脂、（Ｃ）トリアジン化合物及び
（Ｄ）一般式化１で表わされるベンゾトリアゾール化合
物を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。【化１】（式中、Ｘは−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂（ＯＨ）、−ＯＨ又
は−Ｎ（Ｒ）₂を示す。Ｒは炭素原子数１〜１０のアル
キル基である。）
【請求項２】ネガ型レジスト組成物が透明電導膜基板加
工用レジストであることを特徴とする請求項１記載のネ
ガ型レジスト組成物。
【請求項３】ネガ型レジスト組成物が金属膜基板加工用
レジストであることを特徴とする請求項１記載のネガ型
レジスト組成物。
【請求項４】（Ａ）成分がノボラック樹脂であることを
特徴とする請求項１記載のネガ型レジスト組成物。
【請求項５】（Ｄ）成分の含有量がアルカリ可溶性樹脂
に対して０．５〜１５重量％であることを特徴とする請
求項１記載のネガ型レジスト組成物。
【請求項６】アルカリ可溶性樹脂、アルコキシメチル化
アミノ樹脂、トリアジン化合物及び一般式化１で表わさ
れるベンゾトリアゾール化合物を含有するネガ型レジス
ト組成物を有機溶媒に溶解したネガ型レジスト溶液を透
明電導膜基板又は金属膜基板上に塗布し被膜を形成した
のち、活性光線を選択的に照射し、次いで現像処理する
ことを特徴とするレジストパターン形成方法。