JPH0834126B2 - Phosphor thin film manufacturing method and thin film EL device - Google Patents
Phosphor thin film manufacturing method and thin film EL deviceInfo
- Publication number
- JPH0834126B2 JPH0834126B2 JP63207644A JP20764488A JPH0834126B2 JP H0834126 B2 JPH0834126 B2 JP H0834126B2 JP 63207644 A JP63207644 A JP 63207644A JP 20764488 A JP20764488 A JP 20764488A JP H0834126 B2 JPH0834126 B2 JP H0834126B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- gas
- phosphor
- phosphor thin
- containing sulfur
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、蛍光体薄膜の製造方法および薄膜EL素子に
関するものであり、発光輝度、効率が高く、広い面積に
渡り均一な特性を有する蛍光体薄膜の製造方法、および
その蛍光体薄膜を用いた優れた特性で長期間安定に動作
する薄膜EL素子に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a phosphor thin film and a thin film EL element, which has high emission brightness, high efficiency, and uniform characteristics over a wide area. And a thin film EL element using the phosphor thin film and having excellent characteristics and operating stably for a long period of time.
従来の技術 近年、コンピュータ端末などに用いるフラットディス
プレイ装置として、薄膜ELディスプレイ装置が盛んに研
究されている。黄橙色発光のマンガン添加硫化亜鉛から
なる蛍光体薄膜を用いたモノクロ薄膜ELディスプレイ装
置は既に実用化されている。ディスプレイとしての広汎
な用途に対応するためにはカラー化が必要不可欠であ
り、現在カラーELディスプレイ装置の開発に多くの力が
注がれている。カラーELディスプレイ装置に用いる蛍光
体薄膜としては、赤色用としてはサマリウムを発光不純
物とする硫化亜鉛やユーロピウムを発光不純物とする硫
化カルシウムを用い、緑色用としてはテルビウムを発光
不純物とする硫化亜鉛やセリウムを発光不純物とする硫
化カルシウムを用い、青色用としてはセリウムを発光不
純物とする硫化ストロンチウムを用いて三原色発光がな
されている。（特開昭61−260594号公報参照） 発明が解決しようとする課題 従来の技術、たとえば赤色、緑色、および青色用とし
て、それぞれユーロピウム添加硫化カルシウム、テルビ
ウム添加硫化亜鉛、およびセリウム添加硫化ストロンチ
ウムの焼結体を用いて電子ビーム蒸着法により、３原色
の蛍光体薄膜を形成し、２重絶縁層型カラー薄膜ELディ
スプレイ装置を形成した場合、各色の発光輝度が必要と
される値の1/4から1/20であり、輝度および色再現性が
不十分であり、品位の優れたカラーELディスプレイ装置
は実現されていない。さらに長期的な発光特性の経時変
化の仕方が母体材料により異なるため長期間にわたる発
光色の安定性にも問題があった。2. Description of the Related Art In recent years, thin film EL display devices have been actively researched as flat display devices used for computer terminals and the like. A monochrome thin-film EL display device using a phosphor thin film made of yellow-orange light emitting manganese-doped zinc sulfide has already been put to practical use. Colorization is indispensable in order to support a wide range of uses as a display, and much effort is currently being put into the development of color EL display devices. As the phosphor thin film used in the color EL display device, zinc sulfide having samarium as a light emitting impurity or calcium sulfide having europium as a light emitting impurity is used for red, and zinc sulfide or cerium having terbium as a light emitting impurity is used for green. The three primary colors of light are emitted by using calcium sulfide having a luminescent impurity as an impurity and strontium sulfide having a cerium as a luminescent impurity for blue light. (See Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-260594) Problems to be Solved by the Invention For conventional techniques such as red, green, and blue, firing of europium-added calcium sulfide, terbium-added zinc sulfide, and cerium-added strontium sulfide, respectively. When a phosphor thin film of three primary colors is formed by an electron beam vapor deposition method using a combination and a double insulating layer type color thin film EL display device is formed, the emission brightness of each color is 1/4 of the required value. 1/20, the brightness and color reproducibility are insufficient, and a high-quality color EL display device has not been realized. Furthermore, since the method of long-term change of luminescent characteristics with time varies depending on the base material, there is a problem in stability of luminescent color for a long time.
本発明の目的は、前記問題点を解決し、表示品位の優
れたカラーELディスプレイ装置を作成するための高品質
蛍光体薄膜の製造方法および薄膜EL素子提供することで
ある。An object of the present invention is to solve the above problems and provide a method for producing a high-quality phosphor thin film and a thin film EL element for producing a color EL display device having excellent display quality.
課題を解決するための手段 真空容器中で、硫黄を含むガスおよび希ガスのうちの
一方または双方と、発光中心材料または発光中心材料を
含む化合物材料の蒸気とを混合し、その混合物をプラズ
マ化し、前記真空容器中に保持された基板上に堆積させ
ると同時に、他の蒸発源から母体材料、あるいは母体材
料を構成する複数種の元素をプラズマ化させることなく
前記基板上に堆積させることにより発光中心材料を含む
母体材料からなる薄膜を形成する。Means for Solving the Problems One or both of a gas containing sulfur and a rare gas is mixed with a vapor of a luminescent center material or a compound material containing the luminescent center material in a vacuum container, and the mixture is plasmatized. , By simultaneously depositing on the substrate held in the vacuum container and depositing on the substrate the host material or a plurality of elements constituting the host material from another evaporation source without plasmatization. A thin film made of a base material including a central material is formed.
作用 硫黄を含むガスまたは希ガスと、発光中心材料あるい
は発光中心材料を含む化合物材料の蒸気とを混合し、そ
の混合物をプラズマ化することにより、発光中心材料ま
たは発光中心材料を含む化合物材料は硫化、あるいは分
解され、さらに励起、イオン化されるため、母体結晶中
に均一に分散固溶しやすい状態となり蛍光体薄膜の発光
効率や長期安定性が向上したものと考えられる。Action A gas containing sulfur or a noble gas is mixed with a luminescent center material or a vapor of a compound material containing the luminescent center material, and the mixture is turned into plasma, whereby the luminescent center material or the compound material containing the luminescent center material is sulfided. It is considered that the phosphor thin film is decomposed, further excited, and ionized, so that it easily becomes uniformly dispersed and solid-solved in the host crystal, and the luminous efficiency and long-term stability of the phosphor thin film are improved.
実施例 第１図は本発明の蛍光体薄膜の製造方法において用い
た薄膜形成装置の１つの形態を示す。金属製容器１は、
真空排気系11により内部を真空にすることができる。金
属製容器１の内部には、基板加熱ヒーター４が埋め込ま
れた基板保持具２、基板３、シャッター８、磁界発生装
置５、電子ビーム加熱蒸発源６、抵抗加熱蒸発源７など
が設置されている。磁界発生装置５は、サマリウム、コ
バルト、鉄、銅などを主成分とすドーナツ状の希土類磁
石であり、外径200mm、内径120mm、厚さ35mmの形状を有
し、中心部の磁束密度は約900ガウスであった。この磁
界発生装置５により生ずる磁界は、基板３の表面や金属
製容器１の底面へ向かって発散する。磁界発生装置５
は、抵抗加熱蒸発源７の上方50mm、基板３の下方400mm
の位置に保持した。金属製容器１の側面にはマイクロ波
導入窓９を設置し、発振器13により発生させた2.45GHz
の電磁波を、電力計12を介して導波管14によりマイクロ
波導入窓９から金属製容器１へ導入した。マイクロ波導
入窓９の位置は特別に限定されるものではないが、マイ
クロ波導入窓９の直前に金属製の遮蔽物がない所が望ま
しい。さらに金属製容器１の側面にはガス導入口10を設
置した。Example FIG. 1 shows one form of a thin film forming apparatus used in the method for producing a phosphor thin film of the present invention. The metal container 1
The vacuum exhaust system 11 can evacuate the inside. A substrate holder 2, in which a substrate heater 4 is embedded, a substrate 3, a shutter 8, a magnetic field generator 5, an electron beam heating evaporation source 6, a resistance heating evaporation source 7 and the like are installed inside the metal container 1. There is. The magnetic field generator 5 is a donut-shaped rare earth magnet containing samarium, cobalt, iron, copper, etc. as its main components, and has an outer diameter of 200 mm, an inner diameter of 120 mm, and a thickness of 35 mm. It was 900 gauss. The magnetic field generated by the magnetic field generator 5 diverges toward the surface of the substrate 3 and the bottom surface of the metal container 1. Magnetic field generator 5
Is 50 mm above the resistance heating evaporation source 7 and 400 mm below the substrate 3.
Held in position. A microwave introduction window 9 is installed on the side surface of the metal container 1 and 2.45 GHz generated by the oscillator 13
The electromagnetic wave was introduced into the metal container 1 from the microwave introduction window 9 by the waveguide 14 via the power meter 12. The position of the microwave introduction window 9 is not particularly limited, but it is desirable that there is no metallic shield immediately in front of the microwave introduction window 9. Further, a gas inlet 10 was installed on the side surface of the metal container 1.
この装置を用いてユーロピウム添加硫化カルシウムの
薄膜を形成する場合について説明する。電子ビーム加熱
蒸発源６には硫化カルシウムペレット、抵抗加熱蒸発源
７には３フッ化ユーロピウムペレットをセットする。金
属製容器１を10-7トールまで排気後、ガス導入口10より
硫化水素ガスを導入し、圧力を１×10-4トールとする。
電子ビーム加熱蒸発源６、および抵抗加熱蒸発源７に通
電し、硫化カルシウムと３フッ化ユーロピウムの堆積速
度の割合が1000:1となるように印加電力を制御する。さ
らに発振器13を動作させ、所望のマイクロ波電力を印加
し、磁界発生装置５の近傍に硫化水素ガス、および３フ
ッ化ユーロピウム蒸気のプラズマを発生させた後、シャ
ッター８を開き蒸着を開始する。所望の厚さのユーロピ
ウム添加硫化カルシウムの薄膜を形成した後、シャッタ
ー８を閉じ蒸着を終了する。A case of forming a thin film of europium-added calcium sulfide using this apparatus will be described. Calcium sulfide pellets are set in the electron beam heating evaporation source 6, and europium trifluoride pellets are set in the resistance heating evaporation source 7. After evacuating the metal container 1 to 10 −7 Torr, hydrogen sulfide gas is introduced from the gas inlet 10 to adjust the pressure to 1 × 10 −4 Torr.
The electron beam heating evaporation source 6 and the resistance heating evaporation source 7 are energized, and the applied power is controlled so that the ratio of the deposition rates of calcium sulfide and europium trifluoride is 1000: 1. Further, the oscillator 13 is operated to apply desired microwave power to generate hydrogen sulfide gas and europium trifluoride vapor plasma in the vicinity of the magnetic field generator 5, and then the shutter 8 is opened to start vapor deposition. After forming a thin film of europium-added calcium sulfide having a desired thickness, the shutter 8 is closed and the vapor deposition is completed.
マイクロ波電力を150W、堆積速度を1nm/s、基板温度
を400℃として、600nmの厚さのユーロピウム添加硫化カ
ルシウムの薄膜を形成したところ、付着力が高く、ピン
ホールがほとんど無い結晶性の優れた薄膜が形成でき
た。この薄膜に1kVの電子線を照射したところ、プラズ
マを発生させずに作成した薄膜に比べて約２倍の輝度が
得られた。しかし、硫化カルシウム、硫化亜鉛などの母
体材料の蒸気も同時にプラズマ化した場合は、膜厚分布
が悪くなったり、逆に付着力が小さくなることもあっ
た。A microwave power of 150 W, a deposition rate of 1 nm / s, a substrate temperature of 400 ° C. and a 600 nm thick europium-doped calcium sulfide thin film were formed. A thin film was formed. When this thin film was irradiated with an electron beam of 1 kV, the brightness was about twice as high as that of the thin film prepared without generating plasma. However, when vapor of a base material such as calcium sulfide or zinc sulfide is also turned into plasma at the same time, the film thickness distribution may be deteriorated, or conversely, the adhesive force may be reduced.
透明電極16および厚さ500nmのチタン酸ストロンチウ
ム誘電体薄膜17が順次形成されたガラス基板15上に、以
上に説明した硫化物蛍光体薄膜の製造方法により、600n
mの厚さのユーロピウム添加硫化カルシウムの薄膜18を
形成し、さらにその上に厚さ200nmのタンタル酸バリウ
ム誘電体薄膜19およびAl電極20を順次形成しEL素子（第
２図参照）を作成したところ、この素子は100fL以上の
輝度で赤色に発光した。また蛍光体薄膜を形成する際、
硫化水素ガスを前記実施例と同様、１×10-4トールの圧
力に導入し、マイクロ波電力を印加せず、放電を起こす
ことなく形成した場合、その発光輝度は約50fLであり、
本発明の方法と比較して約半分であった。On the glass substrate 15 on which the transparent electrode 16 and the strontium titanate dielectric thin film 17 having a thickness of 500 nm are sequentially formed, 600 n are produced by the method for producing the sulfide phosphor thin film described above.
An EL device (see FIG. 2) was prepared by forming a europium-added calcium sulfide thin film 18 having a thickness of m, and further forming a barium tantalate dielectric thin film 19 having a thickness of 200 nm and an Al electrode 20 thereon in this order. However, this device emitted red light with a brightness of 100 fL or more. When forming the phosphor thin film,
When hydrogen sulfide gas was introduced into the chamber at a pressure of 1 × 10 −4 Torr and no microwave power was applied and no discharge was generated, the emission luminance was about 50 fL, as in the above Examples.
It was about half compared to the method of the present invention.
実施例では硫黄を含むガスとして硫化水素を用いた場
合について説明したが、２硫化炭素を用いても同様の効
果が得られた。これらの硫黄を含むガスの圧力として
は、１×10-3トールより高い場合、蛍光体薄膜が少し白
濁しスムーズな表面が得られにくく、５×10-6トールよ
り低い場合、マイクロ波放電が発生せず、優れた特性の
蛍光体薄膜を形成することができなかった。硫黄を含む
ガスの代わりにヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガ
スを用いてもある程度の効果は得られた。この場合は発
光中心を含む化合物材料であるフッ化ユーロピウムを硫
化することはできないが、プラズマにより適当に分解、
イオン化することができ、発光効率が向上したものと考
えられる。また硫黄を含むガスと希ガスとの混合ガスを
用いても本発明の効果を発揮することができた。これら
のガスを用いた場合においても圧力としては５×10-6ト
ール以上、１×10-3トール以下が効果的であった。In the examples, the case where hydrogen sulfide was used as the gas containing sulfur was explained, but the same effect was obtained even when carbon disulfide was used. The pressure of the gas containing these sulfur, higher than 1 × 10 -3 Torr, the phosphor thin film is slightly clouded hardly smooth surface is obtained, if 5 × 10 -6 lower torr, the microwave discharge It did not occur, and a phosphor thin film having excellent characteristics could not be formed. Even if a rare gas such as helium, neon, or argon was used instead of the gas containing sulfur, some effects were obtained. In this case, europium fluoride, which is a compound material containing an emission center, cannot be sulfided, but it is appropriately decomposed by plasma,
It can be ionized, and it is considered that the luminous efficiency is improved. Further, the effects of the present invention could be exhibited even when a mixed gas of a gas containing sulfur and a rare gas was used. Even when these gases were used, the pressure of 5 × 10 −6 Torr or more and 1 × 10 −3 Torr or less was effective.
磁界発生装置５は、基板３に向かう方向の磁力線が生
じるように配置したが、これはプラズマ中の電子が磁力
線に添って移動し、移動した電子に引かれてイオンも移
動するという性質を利用し、基板表面にイオンが効率的
に照射されるためである。しかし基板面に平行な成分の
磁力線のみの場合でも、イオンや中性の活性種（励起原
子や励起分子など）を、拡散の効果により、基板表面へ
射突させることが可能であり、付着力や発光輝度の向上
に効果が見られた。The magnetic field generator 5 is arranged so that magnetic lines of force in the direction toward the substrate 3 are generated. This utilizes the property that the electrons in the plasma move along the lines of magnetic force and are attracted by the moved electrons to move the ions. This is because the substrate surface is efficiently irradiated with ions. However, even if there are only magnetic field lines of components parallel to the substrate surface, it is possible to project ions or neutral active species (excited atoms or excited molecules) to the substrate surface by the effect of diffusion, and the adhesive force The effect was seen to improve the emission brightness.
磁界発生装置として希土類磁石を用いたが、電磁石を
用いても同様の効果が得られることはもちろんである。
しかし、電磁石で希土類磁石と同等の磁界強度を発生さ
せるには装置が大きくなり、構成も若干複雑になるとい
う欠点がある。磁界発生部の中心での磁束密度は150ガ
ウス以上あれば、容易に蒸発粒子や導入ガスをイオン化
あるいは活性化することができた。Although the rare earth magnet is used as the magnetic field generator, the same effect can be obtained by using an electromagnet.
However, in order to generate a magnetic field strength equivalent to that of a rare earth magnet with an electromagnet, there is a drawback that the device becomes large and the configuration becomes slightly complicated. If the magnetic flux density at the center of the magnetic field generation area was 150 Gauss or more, the vaporized particles and the introduced gas could be easily ionized or activated.
プラズマ化の手段としては、実施例の有磁場マイクロ
波放電以外に、磁界発生装置の代わりにコイルを設置
し、高周波放電を用いても発光輝度の向上などに同様の
効果が見られた 以上の実施例では、ユーロピウム添加硫化カルシウム
からなる蛍光体膜の製造方法について説明したが、その
他の硫化亜鉛、セレン化亜鉛、硫化カルシウム、硫化ス
トロンチウム、硫化バリウムなどのうち１種以上を母体
材料とし、マンガンあるいは他の希土類元素のうち１種
以上を発光中心材料とする蛍光体薄膜についても同様の
高品質膜が得られた。発光中心材料を含む化合物材料と
してはマンガン、および希土類元素のハロゲン化物のう
ち１種あるいは２種以上を用いて本発明を実施すること
ができた。たとえば蒸発源６には硫化亜鉛焼結体、蒸発
源７にはフッ化テルビウム焼結体、プラズマ発生用ガス
としては８×10-5トールの圧力の、硫化水素とアルゴン
との１対１混合ガスを用いることにより、高効率緑色発
光を示す蛍光体薄膜を形成することができた。As a means for generating plasma, in addition to the magnetic field microwave discharge of the embodiment, a coil was installed instead of the magnetic field generator, and high frequency discharge was used, but similar effects such as improvement in emission brightness were observed. In the examples, the method for manufacturing the phosphor film made of europium-added calcium sulfide has been described. However, one or more kinds of other zinc sulfide, zinc selenide, calcium sulfide, strontium sulfide, barium sulfide, etc. are used as a base material, and manganese is used. Alternatively, a similar high quality film was obtained for a phosphor thin film containing at least one of other rare earth elements as an emission center material. The present invention can be carried out by using one or more of manganese and a halide of a rare earth element as the compound material containing the emission center material. For example, the evaporation source 6 is a zinc sulfide sintered body, the evaporation source 7 is a terbium fluoride sintered body, and the plasma generation gas is a 1: 1 mixture of hydrogen sulfide and argon at a pressure of 8 × 10 −5 Torr. By using the gas, it was possible to form a phosphor thin film that exhibits highly efficient green emission.
薄膜EL素子の構成としては、第２図に示したような交
流駆動の２重絶縁層タイプ以外に、第３図に示すような
半導体薄膜21を介して蛍光体薄膜18に電界を印加する構
成の直流駆動薄膜EL素子においても、本発明の製造方法
で作成した蛍光体薄膜を用いることにより優れた特性を
実現できた。As the structure of the thin film EL element, in addition to the AC driven double insulating layer type as shown in FIG. 2, an electric field is applied to the phosphor thin film 18 via the semiconductor thin film 21 as shown in FIG. Also in the DC drive thin film EL element of, excellent characteristics could be realized by using the phosphor thin film prepared by the manufacturing method of the present invention.
発明の効果 本発明の製造方法によれば、発光効率や長期安定性が
優れた硫化物蛍光体薄膜を、あるいはその硫化物蛍光体
薄膜を用いることにより特性の優れた薄膜EL素子を再現
性良く製造することが可能であり実用的価値は高い。EFFECTS OF THE INVENTION According to the manufacturing method of the present invention, a sulfide phosphor thin film having excellent emission efficiency and long-term stability, or a thin film EL element having excellent characteristics by using the sulfide phosphor thin film with good reproducibility It can be manufactured and has high practical value.
第１図は本発明の製造方法の一実施例において用いた薄
膜形成装置の断面図、第２図、第３図は薄膜EL素子の構
成を示す断面図である。 １……金属製容器、３……基板、４……基板加熱ヒータ
ー、５……磁界発生装置、６、７……蒸発源、９……マ
イクロ波導入窓、10……ガス導入口、13……発振器、14
……導波管、15……ガラス基板、16……透明電極、17、
19……誘電体薄膜、18……蛍光体薄膜、20……Al電極、
21……半導体薄膜。FIG. 1 is a sectional view of a thin film forming apparatus used in one embodiment of the manufacturing method of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are sectional views showing the structure of a thin film EL element. 1 ... Metal container, 3 ... Substrate, 4 ... Substrate heating heater, 5 ... Magnetic field generator, 6, 7 ... Evaporation source, 9 ... Microwave introduction window, 10 ... Gas introduction port, 13 ...... Oscillator, 14
...... Waveguide, 15 …… Glass substrate, 16 …… Transparent electrode, 17,
19 ... Dielectric thin film, 18 ... Phosphor thin film, 20 ... Al electrode,
21 …… Semiconductor thin film.
Claims (6)
スのうちの一方または双方と、発光中心材料または発光
中心材料を含む化合物材料の蒸気とを混合し、その混合
物をプラズマ化し、前記真空容器中に保持された基板上
に堆積させると同時に、他の蒸発源から母体材料、ある
いは母体材料を構成する複数種の元素をプラズマ化させ
ることなく前記基板上に堆積させることにより発光中心
材料を含む母体材料からなる薄膜を形成することを特徴
とする蛍光体薄膜の製造方法。1. One or both of a gas containing sulfur and a rare gas and a vapor of a luminescent center material or a compound material containing the luminescent center material are mixed in a vacuum vessel, and the mixture is plasmatized. At the same time as depositing on the substrate held in a vacuum container, the host material or a plurality of elements constituting the host material from other evaporation sources are deposited on the substrate without being made into plasma, and thereby the emission center material A method of manufacturing a phosphor thin film, which comprises forming a thin film made of a base material containing:
は２硫化炭素（CS2）であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の蛍光体薄膜の製造方法。2. The method for producing a phosphor thin film according to claim 1, wherein the gas containing sulfur is hydrogen sulfide (H 2 S) or carbon disulfide (CS 2 ).
るいは硫黄を含むガスと希ガスとの混合ガスの圧力が５
×10-6トール以上、１×10-3トール以下であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の蛍光体薄膜の製
造方法。3. The pressure of the gas containing sulfur, the pressure of the rare gas, or the pressure of the mixed gas of the gas containing sulfur and the rare gas is 5.
The method for producing a phosphor thin film according to claim 1, wherein the phosphor film has a density of not less than × 10 -6 torr and not more than 1 × 10 -3 torr.
素のうち１種あるいは２種以上からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項から第３項のいずれかに記載の
蛍光体薄膜の製造方法。4. The phosphor thin film according to any one of claims 1 to 3, wherein the emission center material is one or more of manganese and rare earth elements. Production method.
ン、および希土類元素のハロゲン化物のうち１種あるい
は２種以上からなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項、あるいは第３項に記載の蛍光体薄膜の製
造方法。5. The compound material containing an emission center material comprises one or more of manganese and a halide of a rare earth element, and claim 1. Item 4. A method for producing a phosphor thin film according to Item 3.
より形成した蛍光体薄膜に電界を印加する手段を付加し
てなることを特徴とする薄膜EL素子。6. A thin-film EL device, characterized in that means for applying an electric field is added to the phosphor thin film formed by the manufacturing method according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207644A JPH0834126B2 (en) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | Phosphor thin film manufacturing method and thin film EL device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207644A JPH0834126B2 (en) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | Phosphor thin film manufacturing method and thin film EL device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256897A JPH0256897A (en) | 1990-02-26 |
| JPH0834126B2 true JPH0834126B2 (en) | 1996-03-29 |
Family
ID=16543193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63207644A Expired - Lifetime JPH0834126B2 (en) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | Phosphor thin film manufacturing method and thin film EL device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834126B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2549319B2 (en) * | 1990-09-28 | 1996-10-30 | 株式会社小松製作所 | Method for manufacturing thin film EL element |
| JP2809235B2 (en) * | 1991-01-24 | 1998-10-08 | 富士電機株式会社 | Method for forming light-emitting film of electroluminescent display panel |
| DE4203632C2 (en) * | 1992-02-08 | 2003-01-23 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vacuum coating system |
| KR100394820B1 (en) * | 2001-05-22 | 2003-08-19 | 주식회사 엘리아테크 | organic deposition device for OELD panel fabrication |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61273893A (en) * | 1985-05-30 | 1986-12-04 | 松下電器産業株式会社 | Manufacture of phosphor thin film |
| JP2529220B2 (en) * | 1986-10-07 | 1996-08-28 | 松下電器産業株式会社 | Method for producing sulfide phosphor film |
| JPH01235189A (en) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of thin film el element |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP63207644A patent/JPH0834126B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256897A (en) | 1990-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6447908B2 (en) | Method for manufacturing phosphor-coated particles and method for forming cathodoluminescent screen using the same for field emission display | |
| US6090434A (en) | Method for fabricating electroluminescent device | |
| US5482603A (en) | Method of producing electroluminescence emitting film | |
| US6069439A (en) | Phosphor material, method of manufacturing the same and display device | |
| US4389295A (en) | Thin film phosphor sputtering process | |
| KR100392363B1 (en) | Phosphor and method for fabricating the same | |
| JPH0834126B2 (en) | Phosphor thin film manufacturing method and thin film EL device | |
| US6639353B1 (en) | Suspensions and methods for deposition of luminescent materials and articles produced thereby | |
| KR20040088035A (en) | Sputter deposition process for electroluminescent phosphors | |
| JPH03281594A (en) | Luminescent materials and display devices | |
| JP2529220B2 (en) | Method for producing sulfide phosphor film | |
| David et al. | Electroluminescent thin film phosphors | |
| JP2857624B2 (en) | Method for manufacturing electroluminescent element | |
| JPH02162685A (en) | Manufacture of thin film el element | |
| JPS58157886A (en) | Method for manufacturing phosphor thin film | |
| US7759662B2 (en) | Field electron emission element, a method of manufacturing the same and a field electron emission method using such an element as well as an emission/display device employing such a field electron emission element and a method of manufacturing the same | |
| JPH08203672A (en) | Method and apparatus for manufacturing thin film electroluminescent device | |
| JPS61213370A (en) | Production of thin sulfide film | |
| JPS63250455A (en) | Production of sulfide phosphor film | |
| JPH03179690A (en) | Thin film electroluminescence element and manufacture thereof | |
| JP3446542B2 (en) | Thin film EL element | |
| JPH0679513B2 (en) | Method for manufacturing thin film electroluminescent device | |
| JPH01235189A (en) | Manufacture of thin film el element | |
| JPH0294289A (en) | Manufacture of thin film type electroluminescence element | |
| JPH08130091A (en) | Method for manufacturing thin film electroluminescent device |