JPH0834126B2 - 蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH0834126B2 JPH0834126B2 JP63207644A JP20764488A JPH0834126B2 JP H0834126 B2 JPH0834126 B2 JP H0834126B2 JP 63207644 A JP63207644 A JP 63207644A JP 20764488 A JP20764488 A JP 20764488A JP H0834126 B2 JPH0834126 B2 JP H0834126B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- gas
- phosphor
- phosphor thin
- containing sulfur
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、蛍光体薄膜の製造方法および薄膜EL素子に
関するものであり、発光輝度、効率が高く、広い面積に
渡り均一な特性を有する蛍光体薄膜の製造方法、および
その蛍光体薄膜を用いた優れた特性で長期間安定に動作
する薄膜EL素子に関するものである。
関するものであり、発光輝度、効率が高く、広い面積に
渡り均一な特性を有する蛍光体薄膜の製造方法、および
その蛍光体薄膜を用いた優れた特性で長期間安定に動作
する薄膜EL素子に関するものである。
従来の技術 近年、コンピュータ端末などに用いるフラットディス
プレイ装置として、薄膜ELディスプレイ装置が盛んに研
究されている。黄橙色発光のマンガン添加硫化亜鉛から
なる蛍光体薄膜を用いたモノクロ薄膜ELディスプレイ装
置は既に実用化されている。ディスプレイとしての広汎
な用途に対応するためにはカラー化が必要不可欠であ
り、現在カラーELディスプレイ装置の開発に多くの力が
注がれている。カラーELディスプレイ装置に用いる蛍光
体薄膜としては、赤色用としてはサマリウムを発光不純
物とする硫化亜鉛やユーロピウムを発光不純物とする硫
化カルシウムを用い、緑色用としてはテルビウムを発光
不純物とする硫化亜鉛やセリウムを発光不純物とする硫
化カルシウムを用い、青色用としてはセリウムを発光不
純物とする硫化ストロンチウムを用いて三原色発光がな
されている。（特開昭61−260594号公報参照） 発明が解決しようとする課題 従来の技術、たとえば赤色、緑色、および青色用とし
て、それぞれユーロピウム添加硫化カルシウム、テルビ
ウム添加硫化亜鉛、およびセリウム添加硫化ストロンチ
ウムの焼結体を用いて電子ビーム蒸着法により、３原色
の蛍光体薄膜を形成し、２重絶縁層型カラー薄膜ELディ
スプレイ装置を形成した場合、各色の発光輝度が必要と
される値の1/4から1/20であり、輝度および色再現性が
不十分であり、品位の優れたカラーELディスプレイ装置
は実現されていない。さらに長期的な発光特性の経時変
化の仕方が母体材料により異なるため長期間にわたる発
光色の安定性にも問題があった。
プレイ装置として、薄膜ELディスプレイ装置が盛んに研
究されている。黄橙色発光のマンガン添加硫化亜鉛から
なる蛍光体薄膜を用いたモノクロ薄膜ELディスプレイ装
置は既に実用化されている。ディスプレイとしての広汎
な用途に対応するためにはカラー化が必要不可欠であ
り、現在カラーELディスプレイ装置の開発に多くの力が
注がれている。カラーELディスプレイ装置に用いる蛍光
体薄膜としては、赤色用としてはサマリウムを発光不純
物とする硫化亜鉛やユーロピウムを発光不純物とする硫
化カルシウムを用い、緑色用としてはテルビウムを発光
不純物とする硫化亜鉛やセリウムを発光不純物とする硫
化カルシウムを用い、青色用としてはセリウムを発光不
純物とする硫化ストロンチウムを用いて三原色発光がな
されている。（特開昭61−260594号公報参照） 発明が解決しようとする課題 従来の技術、たとえば赤色、緑色、および青色用とし
て、それぞれユーロピウム添加硫化カルシウム、テルビ
ウム添加硫化亜鉛、およびセリウム添加硫化ストロンチ
ウムの焼結体を用いて電子ビーム蒸着法により、３原色
の蛍光体薄膜を形成し、２重絶縁層型カラー薄膜ELディ
スプレイ装置を形成した場合、各色の発光輝度が必要と
される値の1/4から1/20であり、輝度および色再現性が
不十分であり、品位の優れたカラーELディスプレイ装置
は実現されていない。さらに長期的な発光特性の経時変
化の仕方が母体材料により異なるため長期間にわたる発
光色の安定性にも問題があった。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、表示品位の優
れたカラーELディスプレイ装置を作成するための高品質
蛍光体薄膜の製造方法および薄膜EL素子提供することで
ある。
れたカラーELディスプレイ装置を作成するための高品質
蛍光体薄膜の製造方法および薄膜EL素子提供することで
ある。
課題を解決するための手段 真空容器中で、硫黄を含むガスおよび希ガスのうちの
一方または双方と、発光中心材料または発光中心材料を
含む化合物材料の蒸気とを混合し、その混合物をプラズ
マ化し、前記真空容器中に保持された基板上に堆積させ
ると同時に、他の蒸発源から母体材料、あるいは母体材
料を構成する複数種の元素をプラズマ化させることなく
前記基板上に堆積させることにより発光中心材料を含む
母体材料からなる薄膜を形成する。
一方または双方と、発光中心材料または発光中心材料を
含む化合物材料の蒸気とを混合し、その混合物をプラズ
マ化し、前記真空容器中に保持された基板上に堆積させ
ると同時に、他の蒸発源から母体材料、あるいは母体材
料を構成する複数種の元素をプラズマ化させることなく
前記基板上に堆積させることにより発光中心材料を含む
母体材料からなる薄膜を形成する。
作用 硫黄を含むガスまたは希ガスと、発光中心材料あるい
は発光中心材料を含む化合物材料の蒸気とを混合し、そ
の混合物をプラズマ化することにより、発光中心材料ま
たは発光中心材料を含む化合物材料は硫化、あるいは分
解され、さらに励起、イオン化されるため、母体結晶中
に均一に分散固溶しやすい状態となり蛍光体薄膜の発光
効率や長期安定性が向上したものと考えられる。
は発光中心材料を含む化合物材料の蒸気とを混合し、そ
の混合物をプラズマ化することにより、発光中心材料ま
たは発光中心材料を含む化合物材料は硫化、あるいは分
解され、さらに励起、イオン化されるため、母体結晶中
に均一に分散固溶しやすい状態となり蛍光体薄膜の発光
効率や長期安定性が向上したものと考えられる。
実施例 第１図は本発明の蛍光体薄膜の製造方法において用い
た薄膜形成装置の１つの形態を示す。金属製容器１は、
真空排気系11により内部を真空にすることができる。金
属製容器１の内部には、基板加熱ヒーター４が埋め込ま
れた基板保持具２、基板３、シャッター８、磁界発生装
置５、電子ビーム加熱蒸発源６、抵抗加熱蒸発源７など
が設置されている。磁界発生装置５は、サマリウム、コ
バルト、鉄、銅などを主成分とすドーナツ状の希土類磁
石であり、外径200mm、内径120mm、厚さ35mmの形状を有
し、中心部の磁束密度は約900ガウスであった。この磁
界発生装置５により生ずる磁界は、基板３の表面や金属
製容器１の底面へ向かって発散する。磁界発生装置５
は、抵抗加熱蒸発源７の上方50mm、基板３の下方400mm
の位置に保持した。金属製容器１の側面にはマイクロ波
導入窓９を設置し、発振器13により発生させた2.45GHz
の電磁波を、電力計12を介して導波管14によりマイクロ
波導入窓９から金属製容器１へ導入した。マイクロ波導
入窓９の位置は特別に限定されるものではないが、マイ
クロ波導入窓９の直前に金属製の遮蔽物がない所が望ま
しい。さらに金属製容器１の側面にはガス導入口10を設
置した。
た薄膜形成装置の１つの形態を示す。金属製容器１は、
真空排気系11により内部を真空にすることができる。金
属製容器１の内部には、基板加熱ヒーター４が埋め込ま
れた基板保持具２、基板３、シャッター８、磁界発生装
置５、電子ビーム加熱蒸発源６、抵抗加熱蒸発源７など
が設置されている。磁界発生装置５は、サマリウム、コ
バルト、鉄、銅などを主成分とすドーナツ状の希土類磁
石であり、外径200mm、内径120mm、厚さ35mmの形状を有
し、中心部の磁束密度は約900ガウスであった。この磁
界発生装置５により生ずる磁界は、基板３の表面や金属
製容器１の底面へ向かって発散する。磁界発生装置５
は、抵抗加熱蒸発源７の上方50mm、基板３の下方400mm
の位置に保持した。金属製容器１の側面にはマイクロ波
導入窓９を設置し、発振器13により発生させた2.45GHz
の電磁波を、電力計12を介して導波管14によりマイクロ
波導入窓９から金属製容器１へ導入した。マイクロ波導
入窓９の位置は特別に限定されるものではないが、マイ
クロ波導入窓９の直前に金属製の遮蔽物がない所が望ま
しい。さらに金属製容器１の側面にはガス導入口10を設
置した。
この装置を用いてユーロピウム添加硫化カルシウムの
薄膜を形成する場合について説明する。電子ビーム加熱
蒸発源６には硫化カルシウムペレット、抵抗加熱蒸発源
７には３フッ化ユーロピウムペレットをセットする。金
属製容器１を10-7トールまで排気後、ガス導入口10より
硫化水素ガスを導入し、圧力を１×10-4トールとする。
電子ビーム加熱蒸発源６、および抵抗加熱蒸発源７に通
電し、硫化カルシウムと３フッ化ユーロピウムの堆積速
度の割合が1000:1となるように印加電力を制御する。さ
らに発振器13を動作させ、所望のマイクロ波電力を印加
し、磁界発生装置５の近傍に硫化水素ガス、および３フ
ッ化ユーロピウム蒸気のプラズマを発生させた後、シャ
ッター８を開き蒸着を開始する。所望の厚さのユーロピ
ウム添加硫化カルシウムの薄膜を形成した後、シャッタ
ー８を閉じ蒸着を終了する。
薄膜を形成する場合について説明する。電子ビーム加熱
蒸発源６には硫化カルシウムペレット、抵抗加熱蒸発源
７には３フッ化ユーロピウムペレットをセットする。金
属製容器１を10-7トールまで排気後、ガス導入口10より
硫化水素ガスを導入し、圧力を１×10-4トールとする。
電子ビーム加熱蒸発源６、および抵抗加熱蒸発源７に通
電し、硫化カルシウムと３フッ化ユーロピウムの堆積速
度の割合が1000:1となるように印加電力を制御する。さ
らに発振器13を動作させ、所望のマイクロ波電力を印加
し、磁界発生装置５の近傍に硫化水素ガス、および３フ
ッ化ユーロピウム蒸気のプラズマを発生させた後、シャ
ッター８を開き蒸着を開始する。所望の厚さのユーロピ
ウム添加硫化カルシウムの薄膜を形成した後、シャッタ
ー８を閉じ蒸着を終了する。
マイクロ波電力を150W、堆積速度を1nm/s、基板温度
を400℃として、600nmの厚さのユーロピウム添加硫化カ
ルシウムの薄膜を形成したところ、付着力が高く、ピン
ホールがほとんど無い結晶性の優れた薄膜が形成でき
た。この薄膜に1kVの電子線を照射したところ、プラズ
マを発生させずに作成した薄膜に比べて約２倍の輝度が
得られた。しかし、硫化カルシウム、硫化亜鉛などの母
体材料の蒸気も同時にプラズマ化した場合は、膜厚分布
が悪くなったり、逆に付着力が小さくなることもあっ
た。
を400℃として、600nmの厚さのユーロピウム添加硫化カ
ルシウムの薄膜を形成したところ、付着力が高く、ピン
ホールがほとんど無い結晶性の優れた薄膜が形成でき
た。この薄膜に1kVの電子線を照射したところ、プラズ
マを発生させずに作成した薄膜に比べて約２倍の輝度が
得られた。しかし、硫化カルシウム、硫化亜鉛などの母
体材料の蒸気も同時にプラズマ化した場合は、膜厚分布
が悪くなったり、逆に付着力が小さくなることもあっ
た。
透明電極16および厚さ500nmのチタン酸ストロンチウ
ム誘電体薄膜17が順次形成されたガラス基板15上に、以
上に説明した硫化物蛍光体薄膜の製造方法により、600n
mの厚さのユーロピウム添加硫化カルシウムの薄膜18を
形成し、さらにその上に厚さ200nmのタンタル酸バリウ
ム誘電体薄膜19およびAl電極20を順次形成しEL素子（第
２図参照）を作成したところ、この素子は100fL以上の
輝度で赤色に発光した。また蛍光体薄膜を形成する際、
硫化水素ガスを前記実施例と同様、１×10-4トールの圧
力に導入し、マイクロ波電力を印加せず、放電を起こす
ことなく形成した場合、その発光輝度は約50fLであり、
本発明の方法と比較して約半分であった。
ム誘電体薄膜17が順次形成されたガラス基板15上に、以
上に説明した硫化物蛍光体薄膜の製造方法により、600n
mの厚さのユーロピウム添加硫化カルシウムの薄膜18を
形成し、さらにその上に厚さ200nmのタンタル酸バリウ
ム誘電体薄膜19およびAl電極20を順次形成しEL素子（第
２図参照）を作成したところ、この素子は100fL以上の
輝度で赤色に発光した。また蛍光体薄膜を形成する際、
硫化水素ガスを前記実施例と同様、１×10-4トールの圧
力に導入し、マイクロ波電力を印加せず、放電を起こす
ことなく形成した場合、その発光輝度は約50fLであり、
本発明の方法と比較して約半分であった。
実施例では硫黄を含むガスとして硫化水素を用いた場
合について説明したが、２硫化炭素を用いても同様の効
果が得られた。これらの硫黄を含むガスの圧力として
は、１×10-3トールより高い場合、蛍光体薄膜が少し白
濁しスムーズな表面が得られにくく、５×10-6トールよ
り低い場合、マイクロ波放電が発生せず、優れた特性の
蛍光体薄膜を形成することができなかった。硫黄を含む
ガスの代わりにヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガ
スを用いてもある程度の効果は得られた。この場合は発
光中心を含む化合物材料であるフッ化ユーロピウムを硫
化することはできないが、プラズマにより適当に分解、
イオン化することができ、発光効率が向上したものと考
えられる。また硫黄を含むガスと希ガスとの混合ガスを
用いても本発明の効果を発揮することができた。これら
のガスを用いた場合においても圧力としては５×10-6ト
ール以上、１×10-3トール以下が効果的であった。
合について説明したが、２硫化炭素を用いても同様の効
果が得られた。これらの硫黄を含むガスの圧力として
は、１×10-3トールより高い場合、蛍光体薄膜が少し白
濁しスムーズな表面が得られにくく、５×10-6トールよ
り低い場合、マイクロ波放電が発生せず、優れた特性の
蛍光体薄膜を形成することができなかった。硫黄を含む
ガスの代わりにヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガ
スを用いてもある程度の効果は得られた。この場合は発
光中心を含む化合物材料であるフッ化ユーロピウムを硫
化することはできないが、プラズマにより適当に分解、
イオン化することができ、発光効率が向上したものと考
えられる。また硫黄を含むガスと希ガスとの混合ガスを
用いても本発明の効果を発揮することができた。これら
のガスを用いた場合においても圧力としては５×10-6ト
ール以上、１×10-3トール以下が効果的であった。
磁界発生装置５は、基板３に向かう方向の磁力線が生
じるように配置したが、これはプラズマ中の電子が磁力
線に添って移動し、移動した電子に引かれてイオンも移
動するという性質を利用し、基板表面にイオンが効率的
に照射されるためである。しかし基板面に平行な成分の
磁力線のみの場合でも、イオンや中性の活性種（励起原
子や励起分子など）を、拡散の効果により、基板表面へ
射突させることが可能であり、付着力や発光輝度の向上
に効果が見られた。
じるように配置したが、これはプラズマ中の電子が磁力
線に添って移動し、移動した電子に引かれてイオンも移
動するという性質を利用し、基板表面にイオンが効率的
に照射されるためである。しかし基板面に平行な成分の
磁力線のみの場合でも、イオンや中性の活性種（励起原
子や励起分子など）を、拡散の効果により、基板表面へ
射突させることが可能であり、付着力や発光輝度の向上
に効果が見られた。
磁界発生装置として希土類磁石を用いたが、電磁石を
用いても同様の効果が得られることはもちろんである。
しかし、電磁石で希土類磁石と同等の磁界強度を発生さ
せるには装置が大きくなり、構成も若干複雑になるとい
う欠点がある。磁界発生部の中心での磁束密度は150ガ
ウス以上あれば、容易に蒸発粒子や導入ガスをイオン化
あるいは活性化することができた。
用いても同様の効果が得られることはもちろんである。
しかし、電磁石で希土類磁石と同等の磁界強度を発生さ
せるには装置が大きくなり、構成も若干複雑になるとい
う欠点がある。磁界発生部の中心での磁束密度は150ガ
ウス以上あれば、容易に蒸発粒子や導入ガスをイオン化
あるいは活性化することができた。
プラズマ化の手段としては、実施例の有磁場マイクロ
波放電以外に、磁界発生装置の代わりにコイルを設置
し、高周波放電を用いても発光輝度の向上などに同様の
効果が見られた 以上の実施例では、ユーロピウム添加硫化カルシウム
からなる蛍光体膜の製造方法について説明したが、その
他の硫化亜鉛、セレン化亜鉛、硫化カルシウム、硫化ス
トロンチウム、硫化バリウムなどのうち１種以上を母体
材料とし、マンガンあるいは他の希土類元素のうち１種
以上を発光中心材料とする蛍光体薄膜についても同様の
高品質膜が得られた。発光中心材料を含む化合物材料と
してはマンガン、および希土類元素のハロゲン化物のう
ち１種あるいは２種以上を用いて本発明を実施すること
ができた。たとえば蒸発源６には硫化亜鉛焼結体、蒸発
源７にはフッ化テルビウム焼結体、プラズマ発生用ガス
としては８×10-5トールの圧力の、硫化水素とアルゴン
との１対１混合ガスを用いることにより、高効率緑色発
光を示す蛍光体薄膜を形成することができた。
波放電以外に、磁界発生装置の代わりにコイルを設置
し、高周波放電を用いても発光輝度の向上などに同様の
効果が見られた 以上の実施例では、ユーロピウム添加硫化カルシウム
からなる蛍光体膜の製造方法について説明したが、その
他の硫化亜鉛、セレン化亜鉛、硫化カルシウム、硫化ス
トロンチウム、硫化バリウムなどのうち１種以上を母体
材料とし、マンガンあるいは他の希土類元素のうち１種
以上を発光中心材料とする蛍光体薄膜についても同様の
高品質膜が得られた。発光中心材料を含む化合物材料と
してはマンガン、および希土類元素のハロゲン化物のう
ち１種あるいは２種以上を用いて本発明を実施すること
ができた。たとえば蒸発源６には硫化亜鉛焼結体、蒸発
源７にはフッ化テルビウム焼結体、プラズマ発生用ガス
としては８×10-5トールの圧力の、硫化水素とアルゴン
との１対１混合ガスを用いることにより、高効率緑色発
光を示す蛍光体薄膜を形成することができた。
薄膜EL素子の構成としては、第２図に示したような交
流駆動の２重絶縁層タイプ以外に、第３図に示すような
半導体薄膜21を介して蛍光体薄膜18に電界を印加する構
成の直流駆動薄膜EL素子においても、本発明の製造方法
で作成した蛍光体薄膜を用いることにより優れた特性を
実現できた。
流駆動の２重絶縁層タイプ以外に、第３図に示すような
半導体薄膜21を介して蛍光体薄膜18に電界を印加する構
成の直流駆動薄膜EL素子においても、本発明の製造方法
で作成した蛍光体薄膜を用いることにより優れた特性を
実現できた。
発明の効果 本発明の製造方法によれば、発光効率や長期安定性が
優れた硫化物蛍光体薄膜を、あるいはその硫化物蛍光体
薄膜を用いることにより特性の優れた薄膜EL素子を再現
性良く製造することが可能であり実用的価値は高い。
優れた硫化物蛍光体薄膜を、あるいはその硫化物蛍光体
薄膜を用いることにより特性の優れた薄膜EL素子を再現
性良く製造することが可能であり実用的価値は高い。
第１図は本発明の製造方法の一実施例において用いた薄
膜形成装置の断面図、第２図、第３図は薄膜EL素子の構
成を示す断面図である。 １……金属製容器、３……基板、４……基板加熱ヒータ
ー、５……磁界発生装置、６、７……蒸発源、９……マ
イクロ波導入窓、10……ガス導入口、13……発振器、14
……導波管、15……ガラス基板、16……透明電極、17、
19……誘電体薄膜、18……蛍光体薄膜、20……Al電極、
21……半導体薄膜。
膜形成装置の断面図、第２図、第３図は薄膜EL素子の構
成を示す断面図である。 １……金属製容器、３……基板、４……基板加熱ヒータ
ー、５……磁界発生装置、６、７……蒸発源、９……マ
イクロ波導入窓、10……ガス導入口、13……発振器、14
……導波管、15……ガラス基板、16……透明電極、17、
19……誘電体薄膜、18……蛍光体薄膜、20……Al電極、
21……半導体薄膜。
Claims (6)
- 【請求項１】真空容器中で、硫黄を含むガスおよび希ガ
スのうちの一方または双方と、発光中心材料または発光
中心材料を含む化合物材料の蒸気とを混合し、その混合
物をプラズマ化し、前記真空容器中に保持された基板上
に堆積させると同時に、他の蒸発源から母体材料、ある
いは母体材料を構成する複数種の元素をプラズマ化させ
ることなく前記基板上に堆積させることにより発光中心
材料を含む母体材料からなる薄膜を形成することを特徴
とする蛍光体薄膜の製造方法。 - 【請求項２】硫黄を含むガスが硫化水素（H2S）、また
は２硫化炭素（CS2）であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の蛍光体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】硫黄を含むガスの圧力、希ガスの圧力、あ
るいは硫黄を含むガスと希ガスとの混合ガスの圧力が５
×10-6トール以上、１×10-3トール以下であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の蛍光体薄膜の製
造方法。 - 【請求項４】発光中心材料がマンガン、および希土類元
素のうち１種あるいは２種以上からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項から第３項のいずれかに記載の
蛍光体薄膜の製造方法。 - 【請求項５】発光中心材料を含む化合物材料がマンガ
ン、および希土類元素のハロゲン化物のうち１種あるい
は２種以上からなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項、あるいは第３項に記載の蛍光体薄膜の製
造方法。 - 【請求項６】特許請求の範囲第１項に記載の製造方法に
より形成した蛍光体薄膜に電界を印加する手段を付加し
てなることを特徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207644A JPH0834126B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207644A JPH0834126B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256897A JPH0256897A (ja) | 1990-02-26 |
| JPH0834126B2 true JPH0834126B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16543193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63207644A Expired - Lifetime JPH0834126B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834126B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2549319B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1996-10-30 | 株式会社小松製作所 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2809235B2 (ja) * | 1991-01-24 | 1998-10-08 | 富士電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示パネルの発光膜の成膜方法 |
| DE4203632C2 (de) * | 1992-02-08 | 2003-01-23 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vakuumbeschichtungsanlage |
| KR100394820B1 (ko) * | 2001-05-22 | 2003-08-19 | 주식회사 엘리아테크 | Ｏｅｌｄ패널 제작용 유기막 증착장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61273893A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-04 | 松下電器産業株式会社 | 螢光体薄膜の製造法 |
| JP2529220B2 (ja) * | 1986-10-07 | 1996-08-28 | 松下電器産業株式会社 | 硫化物蛍光体膜の製造方法 |
| JPH01235189A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP63207644A patent/JPH0834126B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256897A (ja) | 1990-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6447908B2 (en) | Method for manufacturing phosphor-coated particles and method for forming cathodoluminescent screen using the same for field emission display | |
| US6090434A (en) | Method for fabricating electroluminescent device | |
| US5482603A (en) | Method of producing electroluminescence emitting film | |
| US6069439A (en) | Phosphor material, method of manufacturing the same and display device | |
| US4389295A (en) | Thin film phosphor sputtering process | |
| KR100392363B1 (ko) | 형광체 및 그 제조방법 | |
| JPH0834126B2 (ja) | 蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子 | |
| US6639353B1 (en) | Suspensions and methods for deposition of luminescent materials and articles produced thereby | |
| KR20040088035A (ko) | 전계 발광 인광체의 스퍼터 증착 방법 | |
| JPH03281594A (ja) | 発光材料及び表示装置 | |
| JP2529220B2 (ja) | 硫化物蛍光体膜の製造方法 | |
| David et al. | Electroluminescent thin film phosphors | |
| JP2857624B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JPH02162685A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS58157886A (ja) | 螢光体薄膜の製造方法 | |
| US7759662B2 (en) | Field electron emission element, a method of manufacturing the same and a field electron emission method using such an element as well as an emission/display device employing such a field electron emission element and a method of manufacturing the same | |
| JPH08203672A (ja) | 薄膜電場発光素子の製造方法および製造装置 | |
| JPS61213370A (ja) | 硫化物薄膜の製造方法 | |
| JPS63250455A (ja) | 硫化物蛍光体膜の製造方法 | |
| JPH03179690A (ja) | 薄膜ｅｌ素子及びその製造法 | |
| JP3446542B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0679513B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JPH01235189A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH0294289A (ja) | 薄膜型エレクトロルミネツセンス素子の製造法 | |
| JPH08130091A (ja) | 薄膜電場発光素子の製造方法 |