JPH0834307B2 - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0834307B2 JPH0834307B2 JP61290889A JP29088986A JPH0834307B2 JP H0834307 B2 JPH0834307 B2 JP H0834307B2 JP 61290889 A JP61290889 A JP 61290889A JP 29088986 A JP29088986 A JP 29088986A JP H0834307 B2 JPH0834307 B2 JP H0834307B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- mask
- forming
- conductivity type
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は固体撮像素子の製造方法に関し、特にインタ
ライン型固体撮像素子においてスミアを抑制する素子構
造をセルフアラインにて形成する高精度の固体撮像素子
の製造方法を得んとするものである。
ライン型固体撮像素子においてスミアを抑制する素子構
造をセルフアラインにて形成する高精度の固体撮像素子
の製造方法を得んとするものである。
（従来の技術） 第２図は従来のCCD（電荷結合素子）等を用いた固体
撮像素子の断面図の主要部分を示す例で、同図中に於い
て１はフォトダイオード（PD）部、２は垂直シフトレジ
スタ、３はチャネルストップ、４はトランスファーゲー
ト（TG）部、５はポリシリゲート電極、６は酸化絶縁膜
を示す。同図に示すように従来はPD部と垂直シフトレジ
スタとが半導体基板の同一平面上に形成されていた。該
素子構造はセルファラインにて形成することが可能であ
った。
撮像素子の断面図の主要部分を示す例で、同図中に於い
て１はフォトダイオード（PD）部、２は垂直シフトレジ
スタ、３はチャネルストップ、４はトランスファーゲー
ト（TG）部、５はポリシリゲート電極、６は酸化絶縁膜
を示す。同図に示すように従来はPD部と垂直シフトレジ
スタとが半導体基板の同一平面上に形成されていた。該
素子構造はセルファラインにて形成することが可能であ
った。
（発明が解決しようとする問題点） 上に述べた固体撮像素子では、垂直シフトレジスタ・
ゲート電極と半導体基板表面との間隙があり、垂直シフ
トレジスタ近傍に光が漏れ込むこと、及び垂直シフトレ
ジスタ・ゲート電極５がPD部１が形成される半導体基板
平面から突出することにより、特に素子が高密度化され
たときにPD部１上の表面保護膜８が凹面形状となりPD部
への入射光が屈折し垂直シフトレジスタ近傍に光が漏れ
込むことにより、垂直シフトレジスタ２の近傍で電荷が
発生してスミアを生じ易かった。
ゲート電極と半導体基板表面との間隙があり、垂直シフ
トレジスタ近傍に光が漏れ込むこと、及び垂直シフトレ
ジスタ・ゲート電極５がPD部１が形成される半導体基板
平面から突出することにより、特に素子が高密度化され
たときにPD部１上の表面保護膜８が凹面形状となりPD部
への入射光が屈折し垂直シフトレジスタ近傍に光が漏れ
込むことにより、垂直シフトレジスタ２の近傍で電荷が
発生してスミアを生じ易かった。
本願発明の目的は、前記従来の欠点を除去しスミアを
抑制する固体撮像素子の構造を従来技術同様、セルフア
ラインにて形成する固体撮像素子の製造方法を提供する
ことにある。
抑制する固体撮像素子の構造を従来技術同様、セルフア
ラインにて形成する固体撮像素子の製造方法を提供する
ことにある。
（問題点を解決するための手段） 本願発明の固体撮像素子の製造方法は、第１導電形半
導体基板表面に第２導電形半導体領域を形成する不純物
を導入した後に、隣接するフォトダイオード間を分離す
る水平方向のチャネルストップ領域に対応する部分に、
第１導電形半導体領域を形成する不純物をイオン打ち込
みにより選択的に導入する工程と、フォトダイオードと
垂直レジスタとを分離する垂直方向のチャネルストップ
領域及びトランスファーゲート領域に対応する部分を除
いた部分に選択的に、酸化に対してもマスクとなる材質
の第１マスクを形成し、前記第１マスクをマスクとして
用いたエッチングにより前記垂直方向のチャネルストッ
プ領域及びトランスファーゲート領域に対応する部分に
溝を形成する工程と、トランスファーゲート領域に対応
する部分の溝に第１導電形半導体領域を形成するための
不純物の拡散に対する遮蔽材を形成し、第一導電形半導
体領域を形成する不純物を含む物質を前記溝を含む半導
体基板表面に塗布し該不純物を拡散させることにより、
前記垂直方向のチャネルストップ領域に対応する部分の
溝の底側面に第１導電形半導体領域を形成する不純物を
導入してチャネルストップ領域を形成する工程と、トラ
ンスファーゲート領域に対応する部分の溝の前記遮蔽材
を除去した後、溝全部に第２導電形半導体領域を形成す
る不純物を含む物質を塗布し該不純物を溝の底側面に拡
散させてチャネルストップ領域より低濃度の不純物を導
入してトランスファーゲート領域を形成する工程と、第
１導電形半導体基板表面上に、前記第１マスクの材質に
対して選択的に除去でき、半導体基板に比較してエッチ
レートが小さく、かつイオン打ち込みに対する遮蔽材と
もなる第２マスクを形成し、垂直レジスタ領域に対応す
る部分の前記第２マスクを除去した後、残留している前
記第２マスクをマスクとして用いて垂直レジスタ領域に
対応する部分を前記チャネルストップ領域及びトランス
ファーゲート領域の溝の深さ程度までエッチングして半
導体基板表面を露出させた後、エッチングによって露出
した半導体基板の底面に、残留している前記第２マスク
をマスクとして第２導電形半導体領域を形成する不純物
をイオン打ち込みにより導入し、垂直レジスタ領域を形
成する工程と、前記第１および２マスクを除去し、溝を
含む半導体基板表面を酸化し、この上に、垂直レジスタ
の転送電極を形成する工程とを含んで構成される。
導体基板表面に第２導電形半導体領域を形成する不純物
を導入した後に、隣接するフォトダイオード間を分離す
る水平方向のチャネルストップ領域に対応する部分に、
第１導電形半導体領域を形成する不純物をイオン打ち込
みにより選択的に導入する工程と、フォトダイオードと
垂直レジスタとを分離する垂直方向のチャネルストップ
領域及びトランスファーゲート領域に対応する部分を除
いた部分に選択的に、酸化に対してもマスクとなる材質
の第１マスクを形成し、前記第１マスクをマスクとして
用いたエッチングにより前記垂直方向のチャネルストッ
プ領域及びトランスファーゲート領域に対応する部分に
溝を形成する工程と、トランスファーゲート領域に対応
する部分の溝に第１導電形半導体領域を形成するための
不純物の拡散に対する遮蔽材を形成し、第一導電形半導
体領域を形成する不純物を含む物質を前記溝を含む半導
体基板表面に塗布し該不純物を拡散させることにより、
前記垂直方向のチャネルストップ領域に対応する部分の
溝の底側面に第１導電形半導体領域を形成する不純物を
導入してチャネルストップ領域を形成する工程と、トラ
ンスファーゲート領域に対応する部分の溝の前記遮蔽材
を除去した後、溝全部に第２導電形半導体領域を形成す
る不純物を含む物質を塗布し該不純物を溝の底側面に拡
散させてチャネルストップ領域より低濃度の不純物を導
入してトランスファーゲート領域を形成する工程と、第
１導電形半導体基板表面上に、前記第１マスクの材質に
対して選択的に除去でき、半導体基板に比較してエッチ
レートが小さく、かつイオン打ち込みに対する遮蔽材と
もなる第２マスクを形成し、垂直レジスタ領域に対応す
る部分の前記第２マスクを除去した後、残留している前
記第２マスクをマスクとして用いて垂直レジスタ領域に
対応する部分を前記チャネルストップ領域及びトランス
ファーゲート領域の溝の深さ程度までエッチングして半
導体基板表面を露出させた後、エッチングによって露出
した半導体基板の底面に、残留している前記第２マスク
をマスクとして第２導電形半導体領域を形成する不純物
をイオン打ち込みにより導入し、垂直レジスタ領域を形
成する工程と、前記第１および２マスクを除去し、溝を
含む半導体基板表面を酸化し、この上に、垂直レジスタ
の転送電極を形成する工程とを含んで構成される。
（作用） かかる素子の製造方法によれば、垂直シフトレジスタ
近傍に入射する光が減少し該領域で発生する電荷が抑制
されスミアが抑制される素子構造を従来技術同様、セル
フアラインにて高精度に形成することができる。
近傍に入射する光が減少し該領域で発生する電荷が抑制
されスミアが抑制される素子構造を従来技術同様、セル
フアラインにて高精度に形成することができる。
（実施例） 以下、本発明のＮチャネルCCD撮像素子における一実
施例を図面を参照して説明する。第１図は本願発明の製
造方法により製造された半導体チップの断面図で、イン
タライン型固体撮像素子の単位セル部を示している。こ
の実施例は、フォトダイオード部１、トランスファーゲ
ート領域４、垂直シフトレジスタ領域２、チャネルスト
ップ領域３及び垂直レジスタ転送ポリシリ電極５が複数
組並列に半導体基板に集積されてなるインタライン型固
体撮像素子において、フォトダイオード部１の２列間に
溝を形成し、かかる溝の底部の基板に垂直シフトレジス
タ領域２、トランスファーゲート領域４、チャネルスト
ップ領域３が形成され、該垂直シフトレジスタ領域２及
びトランスファーゲート領域４上に酸化膜６を介して垂
直レジスタ転送ポリシリコン電極５が形成され、該垂直
レジスタ転送ポリシリ電極５が前記溝に埋め込まれてい
るというものである。この実施例では、垂直レジスタ転
送ポリシリ電極５がトランスファーゲート領域４の電位
をコントロールするゲート電極を兼ねている。
施例を図面を参照して説明する。第１図は本願発明の製
造方法により製造された半導体チップの断面図で、イン
タライン型固体撮像素子の単位セル部を示している。こ
の実施例は、フォトダイオード部１、トランスファーゲ
ート領域４、垂直シフトレジスタ領域２、チャネルスト
ップ領域３及び垂直レジスタ転送ポリシリ電極５が複数
組並列に半導体基板に集積されてなるインタライン型固
体撮像素子において、フォトダイオード部１の２列間に
溝を形成し、かかる溝の底部の基板に垂直シフトレジス
タ領域２、トランスファーゲート領域４、チャネルスト
ップ領域３が形成され、該垂直シフトレジスタ領域２及
びトランスファーゲート領域４上に酸化膜６を介して垂
直レジスタ転送ポリシリコン電極５が形成され、該垂直
レジスタ転送ポリシリ電極５が前記溝に埋め込まれてい
るというものである。この実施例では、垂直レジスタ転
送ポリシリ電極５がトランスファーゲート領域４の電位
をコントロールするゲート電極を兼ねている。
次に本願発明による製造方法の一実施例を図面を参照
して説明する。第４図はＮチャネルCCD撮像素子の製法
を示す工程順の、第３図（ａ）Ａ−Ａ′に於ける断面
図、但し第４図（e2）は第３図（ａ）Ｂ−Ｂ′に於ける
断面図である。まず、Ｐ型シリコン半導体基板30の一主
面上に不純物を導入し、PDとなるＮ型半導体領域を形成
した後に、イオン注入に対してマスクとなるフォトレジ
ストや窒化シリコン（SiN）等の層31を形成し、これにP
D間を分離するチャネルストップ領域を形成するため
に、第３図（ａ）のような上面図を有するCCD撮像素子
に対して第３図（ｂ）に示すような開口を設けイオン注
入を行なってＰ型領域を形成する。第３図（ｂ）に示す
ようなマスクでは水平方向の目合わせは不必要である。
次に前記マスク材を除去し、新たにシリコン基板エッチ
ングに対してエッチレートが小さく熱処理に耐え得るSi
N等の層を被着形成し、垂直方向のチャネルストップ領
域及びTG領域に対応する第３図（ｃ）に示すような開口
を設け（第４図ａ）これを用いてチャネルストップ領域
及びTG領域に対応する部分のシリコン半導体基板をエッ
チングして溝を形成する。
して説明する。第４図はＮチャネルCCD撮像素子の製法
を示す工程順の、第３図（ａ）Ａ−Ａ′に於ける断面
図、但し第４図（e2）は第３図（ａ）Ｂ−Ｂ′に於ける
断面図である。まず、Ｐ型シリコン半導体基板30の一主
面上に不純物を導入し、PDとなるＮ型半導体領域を形成
した後に、イオン注入に対してマスクとなるフォトレジ
ストや窒化シリコン（SiN）等の層31を形成し、これにP
D間を分離するチャネルストップ領域を形成するため
に、第３図（ａ）のような上面図を有するCCD撮像素子
に対して第３図（ｂ）に示すような開口を設けイオン注
入を行なってＰ型領域を形成する。第３図（ｂ）に示す
ようなマスクでは水平方向の目合わせは不必要である。
次に前記マスク材を除去し、新たにシリコン基板エッチ
ングに対してエッチレートが小さく熱処理に耐え得るSi
N等の層を被着形成し、垂直方向のチャネルストップ領
域及びTG領域に対応する第３図（ｃ）に示すような開口
を設け（第４図ａ）これを用いてチャネルストップ領域
及びTG領域に対応する部分のシリコン半導体基板をエッ
チングして溝を形成する。
次に薄いシリコン酸化膜（SiO2膜）32をCVD等で形成
し（第４図ｂ）、その上にフォトレジスト膜33を塗布し
（第４図ｃ）、TG領域に対するマスクを用いてTG領域の
上記SiO2膜及びフォトレジスト膜を残す（第４図ｄ）。
しかる後にボロンがドープされたOCD（商品名）等の高
濃度のＰ型不純物を含む物質を被膜形成し、これを、前
記、TG領域のフォトレジスト膜及びSiN膜の上面が露出
するまでエッチ・バックしてフォトレジストが埋め込ま
れていない溝の中に残し、そしてTG領域のフォトレジス
ト膜をプラズマ剥離した後高温で前記Ｐ型不純物を含む
物質から不純物を拡散して垂直方向のチャネルストップ
領域となるＰ領域を形成する（第４図e1,e2）。この不
純物の拡散の際、TG領域に残したSiO2膜32はマスクの働
きをする。次に前記Ｐ型不純物を含む物質の残りとTG領
域に残したSiO2膜32を除去した後、TG領域のしきい値を
調節する為に適当な型の比較的低濃度の不純物を含むOC
D（本実施令ではリンドープOCDとした。）を溝全部に被
膜形成し高温で該不純物を含む物質から不純物を拡散し
てTG領域を形成する（第４図ｆ）。次にポジ型フォトレ
ジスト層36を塗布形成し（第４図ｇ）、溝内に縁を有す
る第３図（ｄ）に示すようなマスクによって、垂直シフ
トレジスタ領域のポジ型フォトレジスト層36をアンダー
露光しSiN膜31の表面が露出する程度までフォトレジス
ト層36を除去した後（第４図ｈ）、このフォトレジスト
層をマスクに垂直にシフトレジスタ領域を、チャネルス
トップ領域及びTG領域の溝の深さ程度までエッチングし
（第４図ｉ）、更にフォトレジスト層36をマスクに溝の
底面に３×1012/cm2程度のＮ型不純物をイオン注入し垂
直シフトレジスタとなるＮ型領域を形成する（第４図
ｊ）。第３図（ｄ）に示すようなマスクでは、その縁が
溝内に位置していればよく、目合わせが容易である。し
かる後に、フォトレジスト層36とSiN膜31を除去し、表
面を酸化し（第４図ｋ）、そして垂直シフトレジスタの
ポリシリゲート電極を形成する（第４図ｌ）。PDからの
信号の読み出しは従来技術と同じように、垂直シフトレ
ジスタのポリシリゲート電極をTG領域にオーバーラップ
させ、読み出し時に該電極に転送時よりも高い電圧パル
スを印加する等の方法により行われる。
し（第４図ｂ）、その上にフォトレジスト膜33を塗布し
（第４図ｃ）、TG領域に対するマスクを用いてTG領域の
上記SiO2膜及びフォトレジスト膜を残す（第４図ｄ）。
しかる後にボロンがドープされたOCD（商品名）等の高
濃度のＰ型不純物を含む物質を被膜形成し、これを、前
記、TG領域のフォトレジスト膜及びSiN膜の上面が露出
するまでエッチ・バックしてフォトレジストが埋め込ま
れていない溝の中に残し、そしてTG領域のフォトレジス
ト膜をプラズマ剥離した後高温で前記Ｐ型不純物を含む
物質から不純物を拡散して垂直方向のチャネルストップ
領域となるＰ領域を形成する（第４図e1,e2）。この不
純物の拡散の際、TG領域に残したSiO2膜32はマスクの働
きをする。次に前記Ｐ型不純物を含む物質の残りとTG領
域に残したSiO2膜32を除去した後、TG領域のしきい値を
調節する為に適当な型の比較的低濃度の不純物を含むOC
D（本実施令ではリンドープOCDとした。）を溝全部に被
膜形成し高温で該不純物を含む物質から不純物を拡散し
てTG領域を形成する（第４図ｆ）。次にポジ型フォトレ
ジスト層36を塗布形成し（第４図ｇ）、溝内に縁を有す
る第３図（ｄ）に示すようなマスクによって、垂直シフ
トレジスタ領域のポジ型フォトレジスト層36をアンダー
露光しSiN膜31の表面が露出する程度までフォトレジス
ト層36を除去した後（第４図ｈ）、このフォトレジスト
層をマスクに垂直にシフトレジスタ領域を、チャネルス
トップ領域及びTG領域の溝の深さ程度までエッチングし
（第４図ｉ）、更にフォトレジスト層36をマスクに溝の
底面に３×1012/cm2程度のＮ型不純物をイオン注入し垂
直シフトレジスタとなるＮ型領域を形成する（第４図
ｊ）。第３図（ｄ）に示すようなマスクでは、その縁が
溝内に位置していればよく、目合わせが容易である。し
かる後に、フォトレジスト層36とSiN膜31を除去し、表
面を酸化し（第４図ｋ）、そして垂直シフトレジスタの
ポリシリゲート電極を形成する（第４図ｌ）。PDからの
信号の読み出しは従来技術と同じように、垂直シフトレ
ジスタのポリシリゲート電極をTG領域にオーバーラップ
させ、読み出し時に該電極に転送時よりも高い電圧パル
スを印加する等の方法により行われる。
（発明の効果） 上述した本願説明の製造方法によれば、垂直シフトレ
ジスタ・ゲート電極５と半導体基板表面との間隔が減少
することと、垂直シフトレジスタ・ゲート電極５がPD部
１が形成される半導体基板平面から引っ込むことにより
「発明が解決しようとする問題点」で述べたPD部の凹面
形状による垂直シフトレジスタへの入射光の屈折が妨げ
ること、とにより垂直レジスタ近傍に入射する光が減少
し該領域で発生する電荷が抑制されスミアが抑制される
固体撮像素子を従来技術同様、セルフアラインにて高精
度に形成することができる。
ジスタ・ゲート電極５と半導体基板表面との間隔が減少
することと、垂直シフトレジスタ・ゲート電極５がPD部
１が形成される半導体基板平面から引っ込むことにより
「発明が解決しようとする問題点」で述べたPD部の凹面
形状による垂直シフトレジスタへの入射光の屈折が妨げ
ること、とにより垂直レジスタ近傍に入射する光が減少
し該領域で発生する電荷が抑制されスミアが抑制される
固体撮像素子を従来技術同様、セルフアラインにて高精
度に形成することができる。
第１図は本願発明の製造方法により製造された固体撮像
素子を示す断面図、第２図は従来製法の例を示す断面
図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本願発明の実施例を示す固
体撮像素子の上面図及び工程の説明に供する前記上面図
に対応するマスク図、第４図は本願発明の実施例を示す
工程順の第３図（ａ）Ａ−Ａ′に於ける断面図、但し本
図（e2）は第３図（ａ）Ｂ−Ｂ′に於ける断面図であ
る。 １はフォトダイオード部、２は垂直シフトレジスタ、３
はチャネルストップ、４はトランスファーゲート部、５
はポリシリゲート電極、７は遮光アルミ膜、８は表面保
護リンガラス層、31は窒化シリコン等の膜、33,36はフ
ォトレジスト層、6,32,37はシリコン酸化膜、34はチャ
ネルストップ拡散層、35はトランスファーゲート領域拡
散層である。
素子を示す断面図、第２図は従来製法の例を示す断面
図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本願発明の実施例を示す固
体撮像素子の上面図及び工程の説明に供する前記上面図
に対応するマスク図、第４図は本願発明の実施例を示す
工程順の第３図（ａ）Ａ−Ａ′に於ける断面図、但し本
図（e2）は第３図（ａ）Ｂ−Ｂ′に於ける断面図であ
る。 １はフォトダイオード部、２は垂直シフトレジスタ、３
はチャネルストップ、４はトランスファーゲート部、５
はポリシリゲート電極、７は遮光アルミ膜、８は表面保
護リンガラス層、31は窒化シリコン等の膜、33,36はフ
ォトレジスト層、6,32,37はシリコン酸化膜、34はチャ
ネルストップ拡散層、35はトランスファーゲート領域拡
散層である。
Claims (1)
- 【請求項１】（イ）第１導電形半導体基板表面に第２導
電形半導体領域を形成する不純物を導入した後に、隣接
するフォトダイオード間を分離する水平方向のチャネル
ストップ領域に対応する部分に、第１導電形半導体領域
を形成する不純物をイオン打ち込みにより選択的に導入
する工程、 （ロ）（イ）の後に、フォトダイオードと垂直レジスト
とを分離する垂直方向のチャネルストップ領域及びトラ
ンスファーゲート領域に対応する部分を除いた部分に選
択的に、酸化に対してもマスクとなる材質の第１マスク
を形成し、前記第１マスクをマスクとして用いたエッチ
ングにより前記垂直方向のチャネルストップ領域及びト
ランスファーゲート領域に対応する部分に溝を形成する
工程、 （ハ）（ロ）の後に、トランスファーゲート領域に対応
する部分の溝に第１導電形半導体領域を形成するための
不純物の拡散に対する遮蔽材を形成し、第一導電形半導
体領域を形成する不純物を含む物質を前記溝を含む半導
体基板表面に塗布し該不純物を拡散させることにより、
前記垂直方向のチャネルストップ領域に対応する部分の
溝の底側面に第１導電形半導体領域を形成する不純物を
導入してチャネルストップ領域を形成する工程と、トラ
ンスファーゲート領域に対応する部分の溝の前記遮蔽材
を除去した後、溝全部に第２導電形半導体領域を形成す
る不純物を含む物質を塗布し該不純物を溝の底側面に拡
散させてチャネルストップ領域より低濃度の不純物を導
入してトランスファーゲート領域を形成する工程、 （ニ）（ハ）の後に、第１導電形半導体基板表面上に、
前記第１マスクの材質に対して選択的に除去でき、半導
体基板に比較してエッチレートが小さく、かつイオン打
ち込みに対する遮蔽材ともなる第２マスクを形成し、垂
直レジスタ領域に対応する部分の前記第２マスクを除去
した後、残留している前記第２マスクをマスクとして用
いて垂直レジスタ領域に対応する部分を前記チャネルス
トップ領域及びトランスファーゲート領域の深さ程度ま
でエッチングして半導体基板表面を露出させた後、エッ
チングによって露出した半導体基板の底面に、残留して
いる前記第２マスクをマスクとして第２導電形半導体領
域を形成する不純物をイオン打ち込みにより導入し、垂
直レジスタ領域を形成する工程、 （ホ）（ニ）の後に、前記第１および２マスクを除去
し、溝を含む半導体基板表面を酸化し、この上に、垂直
レジスタの転送電極を形成する工程、 以上（イ）〜（ホ）の工程を有することを特徴とする固
体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61290889A JPH0834307B2 (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61290889A JPH0834307B2 (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142854A JPS63142854A (ja) | 1988-06-15 |
| JPH0834307B2 true JPH0834307B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17761820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61290889A Expired - Lifetime JPH0834307B2 (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834307B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172764A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-09-29 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS61263155A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-21 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP61290889A patent/JPH0834307B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63142854A (ja) | 1988-06-15 |
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