JPH083474B2 - テープ欠陥検出装置 - Google Patents
テープ欠陥検出装置Info
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- JPH083474B2 JPH083474B2 JP63140812A JP14081288A JPH083474B2 JP H083474 B2 JPH083474 B2 JP H083474B2 JP 63140812 A JP63140812 A JP 63140812A JP 14081288 A JP14081288 A JP 14081288A JP H083474 B2 JPH083474 B2 JP H083474B2
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/89—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
- G01N21/8901—Optical details; Scanning details
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B33/00—Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
- G11B33/10—Indicating arrangements; Warning arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
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- G01N2201/064—Stray light conditioning
- G01N2201/0642—Light traps; baffles
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気テープ等のテープ表面に光ビームを照
射してテープ表面からの反射光を受光し、その受光量に
基づいてテープ表面の欠陥を自動検出するテープ欠陥検
出装置の改良に関するものである。
射してテープ表面からの反射光を受光し、その受光量に
基づいてテープ表面の欠陥を自動検出するテープ欠陥検
出装置の改良に関するものである。
（従来の技術） 磁気テープ等の製造工程においては、テープ表面の
傷、変形、付着した異物等により生じるテープ欠陥を検
出し、その検出結果に基づいてテープ品質の良否を判定
するようにしている。このようなテープ欠陥を検出する
装置として、テープ表面上に光ビームを飛点走査せし
め、その光ビームの反射光を受光し、その受光量に基づ
いてテープ欠陥を検出する装置が知られている。
傷、変形、付着した異物等により生じるテープ欠陥を検
出し、その検出結果に基づいてテープ品質の良否を判定
するようにしている。このようなテープ欠陥を検出する
装置として、テープ表面上に光ビームを飛点走査せし
め、その光ビームの反射光を受光し、その受光量に基づ
いてテープ欠陥を検出する装置が知られている。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記テープ表面上で走査された光の一
部はこのテープを透過する透過光となったり、このテー
プ幅方向端部からはみ出した光となったりしてテープ背
面側に配設されているカセット内壁部分により反射さ
れ、その反射により生じる迷光が受光器に入射してノイ
ズ成分となるため検査信号のS/Nが低下し、精度の高い
欠陥検出を行なうことができないという問題があった。
部はこのテープを透過する透過光となったり、このテー
プ幅方向端部からはみ出した光となったりしてテープ背
面側に配設されているカセット内壁部分により反射さ
れ、その反射により生じる迷光が受光器に入射してノイ
ズ成分となるため検査信号のS/Nが低下し、精度の高い
欠陥検出を行なうことができないという問題があった。
本発明は、このような問題を解決するためになされた
ものであり、テープ背面からの迷光が受光手段に入射す
るのを防止して検出信号のS/Nの向上を図り得るテープ
欠陥検出装置を提供することを目的とするものである。
ものであり、テープ背面からの迷光が受光手段に入射す
るのを防止して検出信号のS/Nの向上を図り得るテープ
欠陥検出装置を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明のテープ欠陥検出装置は、テープを挟んで光照
射手段とは反対側に光散乱吸収手段を配し、光照射手段
からテープ表面に向けて照射されテープを通過した通過
光のうち少なくとも一部を上記光散乱吸収手段に入射せ
しめ、この入射された光を該手段により散乱吸収せしめ
て該通過光が他の物体により反射されて受光手段に入射
する状態を回避し改善するようにしたものであって、前
記光散乱吸収手段が、側壁部にスリットを有する円筒形
状に形成され、前記通過光の少なくとも一部が該スリッ
トから該手段の円筒内壁に入射して内部で複数回反射す
るように配されてなることを特徴とするものである。
射手段とは反対側に光散乱吸収手段を配し、光照射手段
からテープ表面に向けて照射されテープを通過した通過
光のうち少なくとも一部を上記光散乱吸収手段に入射せ
しめ、この入射された光を該手段により散乱吸収せしめ
て該通過光が他の物体により反射されて受光手段に入射
する状態を回避し改善するようにしたものであって、前
記光散乱吸収手段が、側壁部にスリットを有する円筒形
状に形成され、前記通過光の少なくとも一部が該スリッ
トから該手段の円筒内壁に入射して内部で複数回反射す
るように配されてなることを特徴とするものである。
ここで、「通過光」とは上記光照射手段からテープに
照射された光ビームのうち、このテープの表面により反
射されない光のことを言い、具体的には、テープを透過
した透過光およびこのテープ側縁からはみ出してテープ
後方へ進む光の双方を意味するものである。
照射された光ビームのうち、このテープの表面により反
射されない光のことを言い、具体的には、テープを透過
した透過光およびこのテープ側縁からはみ出してテープ
後方へ進む光の双方を意味するものである。
また、光散乱吸収手段とは光散乱作用と光吸収作用の
うちいずれか一方もしくは両方を有する手段をいう。
うちいずれか一方もしくは両方を有する手段をいう。
（作用） 上記構成によれば、テープを通過した光照射手段から
の光ビームのうち少なくとも一部の光をテープ背面に配
した光散乱吸収手段により散乱吸収せしめ、この通過光
（以下テープ通過光という）が反射することにより生じ
る迷光が受光手段に入射して信号ノイズを発生せしめる
状態を回避することができ、事実上テープ表面からの光
ビームの反射光のみを受光手段に入射せしめることがで
きるので検出信号のS/Nの向上を図ることができる。
の光ビームのうち少なくとも一部の光をテープ背面に配
した光散乱吸収手段により散乱吸収せしめ、この通過光
（以下テープ通過光という）が反射することにより生じ
る迷光が受光手段に入射して信号ノイズを発生せしめる
状態を回避することができ、事実上テープ表面からの光
ビームの反射光のみを受光手段に入射せしめることがで
きるので検出信号のS/Nの向上を図ることができる。
特に、上記光散乱吸収手段をスリットを有する円筒形
状のものとして、光照射手段からの光ビームを、スリッ
トを通してこの円筒形状の手段内に入射せしめてこの内
部で複数回反射せしめるようにしたので、この手段内部
に入射した光ビームはこの手段内で反射されている間に
散乱をおこすとともにこの内壁で吸収され、スリットを
通して外部に射出される光量を、この手段内に入射した
光ビームの光量に比べて微かにすることができる。な
お、このように光吸収手段をスリットを有する円筒形状
のものとした場合には、内壁面の表面が平滑に処理され
ていてもスリットからの射出光量を微かにする上記効果
は低減しない。
状のものとして、光照射手段からの光ビームを、スリッ
トを通してこの円筒形状の手段内に入射せしめてこの内
部で複数回反射せしめるようにしたので、この手段内部
に入射した光ビームはこの手段内で反射されている間に
散乱をおこすとともにこの内壁で吸収され、スリットを
通して外部に射出される光量を、この手段内に入射した
光ビームの光量に比べて微かにすることができる。な
お、このように光吸収手段をスリットを有する円筒形状
のものとした場合には、内壁面の表面が平滑に処理され
ていてもスリットからの射出光量を微かにする上記効果
は低減しない。
（実 施 例） 以下、本発明の実施例について図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す概略図である。この
装置は、カセットハーフ１内に収納されて150mm/sec程
度の速さで矢印Ａ方向に走行するテープ２に対して光ビ
ームを照射する光照射手段３、この光ビームのテープ表
面からの反射光を受光する受光手段４、およびテープ２
に対し光照射手段３とは反対側に配され、光照射手段３
からの光ビームのうちテープ通過光を、側壁高さ方向
（テープ幅方向）に延びるスリットを介して内部に入射
せしめる円筒形状のバックピン５からなっている。な
お、光照射手段３からの光ビームはテープ幅方向に一定
周期（例えば500Hz）で主走査され、また、テープ２が
一定速度で矢印Ａ方向に走行しているため、結局光ビー
ムはテープ表面上でラスタスキャンされることになる。
装置は、カセットハーフ１内に収納されて150mm/sec程
度の速さで矢印Ａ方向に走行するテープ２に対して光ビ
ームを照射する光照射手段３、この光ビームのテープ表
面からの反射光を受光する受光手段４、およびテープ２
に対し光照射手段３とは反対側に配され、光照射手段３
からの光ビームのうちテープ通過光を、側壁高さ方向
（テープ幅方向）に延びるスリットを介して内部に入射
せしめる円筒形状のバックピン５からなっている。な
お、光照射手段３からの光ビームはテープ幅方向に一定
周期（例えば500Hz）で主走査され、また、テープ２が
一定速度で矢印Ａ方向に走行しているため、結局光ビー
ムはテープ表面上でラスタスキャンされることになる。
また、上記光照射手段３はHe−Neレーザ光源であっ
て、パワーは1mw、ビーム径はφ0.4に設定される。ま
た、光ビーム走査は振動鏡走査方式、走査幅は15mmであ
って、12.7mmのテープ幅全幅をカバーするように設定さ
れている。さらに、受光手段４は光電子増倍管であって
拡散受光方式のものが採用されている。
て、パワーは1mw、ビーム径はφ0.4に設定される。ま
た、光ビーム走査は振動鏡走査方式、走査幅は15mmであ
って、12.7mmのテープ幅全幅をカバーするように設定さ
れている。さらに、受光手段４は光電子増倍管であって
拡散受光方式のものが採用されている。
また、バックピン５はどのような材質で形成されてい
てもよいが、金属である場合にはステンレスやしんちゅ
う等、光に対して鈍感な表面を形成し得るものであるこ
とが好ましい。
てもよいが、金属である場合にはステンレスやしんちゅ
う等、光に対して鈍感な表面を形成し得るものであるこ
とが好ましい。
また、第２図に示すように、光照射手段３からテープ
２に照射された光ビームは、その一部がテープ２の表面
に照射される光8aとなり、その他はテープ２の側縁外部
を通過する光8bとなる。したがって光照射手段３からの
光ビームのうちテープ２を通過する光としてはテープ２
を透過した透過光8cおよびテープ２の側縁外部を通過す
る光8bの２種があり、本明細書においては、この両者を
合わせてテープ通過光と称している。なお、状況に応じ
てこのテープ通過光の一部をバックピン５に入射せしめ
ることも可能であり、例えば上記テープ２の側縁外部を
通過する光8bのみ、あるいはテープ２を透過した透過光
8cのみをバックピン５に入射せしめるように構成するこ
とも可能である。
２に照射された光ビームは、その一部がテープ２の表面
に照射される光8aとなり、その他はテープ２の側縁外部
を通過する光8bとなる。したがって光照射手段３からの
光ビームのうちテープ２を通過する光としてはテープ２
を透過した透過光8cおよびテープ２の側縁外部を通過す
る光8bの２種があり、本明細書においては、この両者を
合わせてテープ通過光と称している。なお、状況に応じ
てこのテープ通過光の一部をバックピン５に入射せしめ
ることも可能であり、例えば上記テープ２の側縁外部を
通過する光8bのみ、あるいはテープ２を透過した透過光
8cのみをバックピン５に入射せしめるように構成するこ
とも可能である。
以下、上記装置を用いてテープ欠陥を検出する操作に
ついて説明する。まず、検出すべきカセットハーフ１の
ガードパネルを開き、内部に収納されているテープ２を
前述した所定速度で矢印Ａ方向に走行させる。次に光照
射手段３からの光ビームを所定の入射角（例えば22.5
゜）でテープ２の表面に照射し、上述した所定速度でテ
ープ幅方向に走査せしめる。これにより光ビームはテー
プ２表面上でラスタスキャンされる。テープ２表面に照
射された光ビームの一部は反射され、この反射光を受光
手段４の受光面上に入射せしめるようにする。受光手段
４では、入射された反射光を光電変換し、その変換され
た電気信号のレベルを計測し、その計測値に基づいてテ
ープに欠陥が存在するか否かを判定する。このように受
光手段４は光電変換を行なう光電変換部と、レベル計測
およびテープ欠陥の有無を判定する判定部からなるが、
各々を異なる筺体内に配設するようにしてもよい。
ついて説明する。まず、検出すべきカセットハーフ１の
ガードパネルを開き、内部に収納されているテープ２を
前述した所定速度で矢印Ａ方向に走行させる。次に光照
射手段３からの光ビームを所定の入射角（例えば22.5
゜）でテープ２の表面に照射し、上述した所定速度でテ
ープ幅方向に走査せしめる。これにより光ビームはテー
プ２表面上でラスタスキャンされる。テープ２表面に照
射された光ビームの一部は反射され、この反射光を受光
手段４の受光面上に入射せしめるようにする。受光手段
４では、入射された反射光を光電変換し、その変換され
た電気信号のレベルを計測し、その計測値に基づいてテ
ープに欠陥が存在するか否かを判定する。このように受
光手段４は光電変換を行なう光電変換部と、レベル計測
およびテープ欠陥の有無を判定する判定部からなるが、
各々を異なる筺体内に配設するようにしてもよい。
ところで、テープ２表面上に照射された光照射手段３
からの光ビームの一部はテープ２を通過して通過光とな
る。従来技術においてはこの通過光がテープ２背面にあ
るカセット壁部に照射され、その反射光が迷光となりそ
の一部が受光手段４の受光面に入射して信号ノイズとし
て作用するため検出信号のS/Nが低下するという問題が
あった。
からの光ビームの一部はテープ２を通過して通過光とな
る。従来技術においてはこの通過光がテープ２背面にあ
るカセット壁部に照射され、その反射光が迷光となりそ
の一部が受光手段４の受光面に入射して信号ノイズとし
て作用するため検出信号のS/Nが低下するという問題が
あった。
そこで本発明の装置においては、テープ背面の、例え
ば、カセットハーフ屈曲部Ｐから1mm程度の位置にバッ
クピンを配設し、スリットから上記通過光をバックピン
内部に入射せしめ、内壁部にて複数回反射させるうちに
この内壁部により散乱吸収せしめて、上記迷光の発生を
防止している。上記実施例で使用しているバックピン５
は、第３図に示すように壁部の一部（例えば周壁の1/
4）を円筒の高さ方向全長に亘り切り欠いてスリット5a
を形成したもので、テープ幅方向に走査される光ビーム
のテープ通過光がすべてこのスリット5aからバックピン
内部に入射するようにセットされる。また、バックピン
５の高さはテープの幅および光ビームの走査幅より長く
形成されることが望ましい。本実施例においては、バッ
クピン５の高さはテープ幅および光ビームの走査幅より
長く形成されており、したがって、光ビーム走査により
テープ幅方向端部からはみ出した照射光ビームも上記テ
ープ透過光と同様にバックピン内部に入射せしめること
ができる。また、このバックピン５の内径はφ５、スリ
ット幅は3mm程度に形成されている。ただし、上述した
ラスタスキャンを必ずしもテープ幅方向全域に亘って行
なう必要はなく、テープ側縁から照射光がはみ出さない
ような場合にはバックピン５の高さはテープ幅と同等程
度に設定することも可能である。
ば、カセットハーフ屈曲部Ｐから1mm程度の位置にバッ
クピンを配設し、スリットから上記通過光をバックピン
内部に入射せしめ、内壁部にて複数回反射させるうちに
この内壁部により散乱吸収せしめて、上記迷光の発生を
防止している。上記実施例で使用しているバックピン５
は、第３図に示すように壁部の一部（例えば周壁の1/
4）を円筒の高さ方向全長に亘り切り欠いてスリット5a
を形成したもので、テープ幅方向に走査される光ビーム
のテープ通過光がすべてこのスリット5aからバックピン
内部に入射するようにセットされる。また、バックピン
５の高さはテープの幅および光ビームの走査幅より長く
形成されることが望ましい。本実施例においては、バッ
クピン５の高さはテープ幅および光ビームの走査幅より
長く形成されており、したがって、光ビーム走査により
テープ幅方向端部からはみ出した照射光ビームも上記テ
ープ透過光と同様にバックピン内部に入射せしめること
ができる。また、このバックピン５の内径はφ５、スリ
ット幅は3mm程度に形成されている。ただし、上述した
ラスタスキャンを必ずしもテープ幅方向全域に亘って行
なう必要はなく、テープ側縁から照射光がはみ出さない
ような場合にはバックピン５の高さはテープ幅と同等程
度に設定することも可能である。
また、バックピン５はテープ通過光がこのバックピン
内壁で少なくとも２回反射されるような位置に配されて
おり、またバックピン５の内壁には黒色のツヤ消し処理
が施されている。このため、バックピン内部に入射され
た通過光は反射を繰り返すうちに次々と内壁で散乱吸収
され、スリット5aからはほとんど射出されない。もっと
も、バックピン内部をつや消し処理したことにより、上
記反射の回数が１回であってもある程度の減光を期待す
ることはできるが、本実施例の装置に用いられるバック
ピンでは上記つや消し処理を行なうことと上記反射の回
数を複数回とすることで相乗的に減光効果を向上せしめ
るようにしている。したがってテープ通過光の反射によ
る、受光手段４の受光面上にとらえられる迷光の光量は
極めて小さく受光手段４の検出信号のS/Nの向上を図る
ことができる。因に、いくつかの欠陥の例によれば、バ
ックピン５を設けなかった場合の上記S/Nは２〜３（真
数）であるのに対し、バックピン５を設けた場合の上記
S/Nは５〜６（真数）である。
内壁で少なくとも２回反射されるような位置に配されて
おり、またバックピン５の内壁には黒色のツヤ消し処理
が施されている。このため、バックピン内部に入射され
た通過光は反射を繰り返すうちに次々と内壁で散乱吸収
され、スリット5aからはほとんど射出されない。もっと
も、バックピン内部をつや消し処理したことにより、上
記反射の回数が１回であってもある程度の減光を期待す
ることはできるが、本実施例の装置に用いられるバック
ピンでは上記つや消し処理を行なうことと上記反射の回
数を複数回とすることで相乗的に減光効果を向上せしめ
るようにしている。したがってテープ通過光の反射によ
る、受光手段４の受光面上にとらえられる迷光の光量は
極めて小さく受光手段４の検出信号のS/Nの向上を図る
ことができる。因に、いくつかの欠陥の例によれば、バ
ックピン５を設けなかった場合の上記S/Nは２〜３（真
数）であるのに対し、バックピン５を設けた場合の上記
S/Nは５〜６（真数）である。
第１図は、本発明の一実施例のテープ欠陥検出装置を示
す概略図、第２図はテープ表面に照射されたテープ通過
光の様子を示す概略図、第３図は第１図に示すバックピ
ンを拡大して示す斜視図、 １……カセットハーフ、２……テープ ３……光照射手段、４……受光手段 ５……バックピン、5a……スリット
す概略図、第２図はテープ表面に照射されたテープ通過
光の様子を示す概略図、第３図は第１図に示すバックピ
ンを拡大して示す斜視図、 １……カセットハーフ、２……テープ ３……光照射手段、４……受光手段 ５……バックピン、5a……スリット
Claims (1)
- 【請求項１】テープ表面に向けて光ビームを照射する光
照射手段と、この光照射手段からテープ表面に向けて照
射された光のうちテープ表面により反射された反射光を
受光し、その受光量に基づいてテープ欠陥情報を得る受
光手段と、 前記テープ表面に向けて照射された光のうちテープ表面
により反射されないでテープを通過する通過光の少なく
とも一部を散乱吸収する、該テープを挾んで前記受光手
段とは反対側に配された光散乱吸収手段を備えてなり、 前記光散乱吸収手段が、側壁部にスリットを有する円筒
形状に形成され、前記通過光の少なくとも一部が該スリ
ットから該手段の円筒内壁に入射して内部で複数回反射
するように配されてなることを特徴とするテープ欠陥検
出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140812A JPH083474B2 (ja) | 1987-07-01 | 1988-06-08 | テープ欠陥検出装置 |
| DE8888110134T DE3871252D1 (de) | 1987-07-01 | 1988-06-24 | System zur detektion der fehler eines bandes. |
| EP19880110134 EP0297462B1 (en) | 1987-07-01 | 1988-06-24 | Tape defect detecting system |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-164689 | 1987-07-01 | ||
| JP16468987 | 1987-07-01 | ||
| JP63140812A JPH083474B2 (ja) | 1987-07-01 | 1988-06-08 | テープ欠陥検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105143A JPH01105143A (ja) | 1989-04-21 |
| JPH083474B2 true JPH083474B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=26473221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63140812A Expired - Fee Related JPH083474B2 (ja) | 1987-07-01 | 1988-06-08 | テープ欠陥検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0297462B1 (ja) |
| JP (1) | JPH083474B2 (ja) |
| DE (1) | DE3871252D1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010058597A1 (ja) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | 古河電気工業株式会社 | 線条体巻取り装置および線条体巻取り方法 |
| JP2010237016A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 検査方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3255356A (en) * | 1961-05-01 | 1966-06-07 | Bethiehem Steel Corp | Light responsive non-contact shielding device |
| US3299771A (en) * | 1963-05-17 | 1967-01-24 | Gen Electric | Shutter for pinhole detectors |
| US3697758A (en) * | 1971-04-13 | 1972-10-10 | Melvin J Binks | Pinhole detector with internal light shield assembly |
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