JPH0836201A - 波長可変レーザ装置およびレーザプリンタ装置 - Google Patents
波長可変レーザ装置およびレーザプリンタ装置Info
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- JPH0836201A JPH0836201A JP17395494A JP17395494A JPH0836201A JP H0836201 A JPH0836201 A JP H0836201A JP 17395494 A JP17395494 A JP 17395494A JP 17395494 A JP17395494 A JP 17395494A JP H0836201 A JPH0836201 A JP H0836201A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定な波長可変レーザ装置を実現し、その発
振波長を基本波として用いることで第二高調波発生の効
率および信頼性向上を可能とする。 【構成】 半導体レーザと共振器ミラーにより形成され
る外部共振器レーザにおいて外部共振器内に発振波長を
制御するための波長制御素子として複屈折フィルタを有
する波長可変レーザ装置である。
振波長を基本波として用いることで第二高調波発生の効
率および信頼性向上を可能とする。 【構成】 半導体レーザと共振器ミラーにより形成され
る外部共振器レーザにおいて外部共振器内に発振波長を
制御するための波長制御素子として複屈折フィルタを有
する波長可変レーザ装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光エレクトロニクス分
野、特にレーザ光源および可視レーザ光源を用いたレー
ザプリンタ装置または光ディスク装置に関する。
野、特にレーザ光源および可視レーザ光源を用いたレー
ザプリンタ装置または光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化時代の進展に伴い、光ディス
ク装置やレーザプリンタ装置などの光記録分野において
記録密度向上や高速印刷の要求を満足するため、短波長
化への要求が高まっている。しかし製品化レベルでは要
求の多い波長域である青領域を満足する光源としてはＨ
ｅ−Ｃｄ（ヘリウム−カドミウム）レーザ装置やＡｒ
（アルゴン）レーザ装置などのガスレーザ装置しかな
く、例えば光ディスク装置に搭載するには大型で消費電
力が大きく不向きであった。また、前記ガスレーザ装置
は一部のレーザプリンタ装置に光源として搭載されてい
るが、将来小型・低消費電力化を進める上で障害となる
可能性を有していた。
ク装置やレーザプリンタ装置などの光記録分野において
記録密度向上や高速印刷の要求を満足するため、短波長
化への要求が高まっている。しかし製品化レベルでは要
求の多い波長域である青領域を満足する光源としてはＨ
ｅ−Ｃｄ（ヘリウム−カドミウム）レーザ装置やＡｒ
（アルゴン）レーザ装置などのガスレーザ装置しかな
く、例えば光ディスク装置に搭載するには大型で消費電
力が大きく不向きであった。また、前記ガスレーザ装置
は一部のレーザプリンタ装置に光源として搭載されてい
るが、将来小型・低消費電力化を進める上で障害となる
可能性を有していた。
【０００３】これに対して光第２高調波発生（ＳＨＧ；
Second Harmonic Generation）を用いることで短波長化
する技術が提案された。このＳＨＧ光源の実用化技術の
検討は半導体レーザの高出力化と伴に進展した。その背
景には従来のガスレーザのような放電を必要とせず小
型、低消費電力化を実現する可能性を有していた点、
次に励起用半導体レーザの出力安定性および長寿命に依
存したＳＨＧ光源の高い信頼性（出力安定性、長寿
命）にある。前記ガスレーザと同等の出力波長を有する
ＳＨＧ光源として、例えば近赤外の半導体レーザ出力を
第１の発振波すなわち基本波とし、外部共振器で共振さ
せて、その中に非線形光学結晶（以下で取り扱う波長変
換は全てＳＨＧであるため単にＳＨＧ結晶と称す）であ
るＫＮ（KNbO3；ニオブ酸カリウム）を配置することで
第２の発振波すなわちＳＨ波である青色レーザ光を得る
方法が提案されている（W.J.Kozlovsky and W.Lenth,"G
eneration of 41mW of blue radiation by frequency d
oubling of a GaAlAsdiode laser",Appl.Phys.Lett.,vo
l.56,no.23,p2291,1990）。
Second Harmonic Generation）を用いることで短波長化
する技術が提案された。このＳＨＧ光源の実用化技術の
検討は半導体レーザの高出力化と伴に進展した。その背
景には従来のガスレーザのような放電を必要とせず小
型、低消費電力化を実現する可能性を有していた点、
次に励起用半導体レーザの出力安定性および長寿命に依
存したＳＨＧ光源の高い信頼性（出力安定性、長寿
命）にある。前記ガスレーザと同等の出力波長を有する
ＳＨＧ光源として、例えば近赤外の半導体レーザ出力を
第１の発振波すなわち基本波とし、外部共振器で共振さ
せて、その中に非線形光学結晶（以下で取り扱う波長変
換は全てＳＨＧであるため単にＳＨＧ結晶と称す）であ
るＫＮ（KNbO3；ニオブ酸カリウム）を配置することで
第２の発振波すなわちＳＨ波である青色レーザ光を得る
方法が提案されている（W.J.Kozlovsky and W.Lenth,"G
eneration of 41mW of blue radiation by frequency d
oubling of a GaAlAsdiode laser",Appl.Phys.Lett.,vo
l.56,no.23,p2291,1990）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、ＳＨＧ光源において外乱の影響を受けやす
い半導体レーザの発振波長を非線形結晶の変換効率が最
大となる波長に安定に合わせることと、非線形結晶を含
む外部共振器の共振器長を基本波の波長オーダで波長可
変制御することである。
する課題は、ＳＨＧ光源において外乱の影響を受けやす
い半導体レーザの発振波長を非線形結晶の変換効率が最
大となる波長に安定に合わせることと、非線形結晶を含
む外部共振器の共振器長を基本波の波長オーダで波長可
変制御することである。
【０００５】ＳＨＧ光源に必要とされる基本波光源の波
長制御がＳＨＧ出力の安定、高出力化には必要不可欠の
技術である。基本波の光源であるレーザ発振器の波長を
制御する方法として、従来から分散プリズム法、グレー
ティング法等がある。以下、その特徴と問題点を述べ
る。
長制御がＳＨＧ出力の安定、高出力化には必要不可欠の
技術である。基本波の光源であるレーザ発振器の波長を
制御する方法として、従来から分散プリズム法、グレー
ティング法等がある。以下、その特徴と問題点を述べ
る。
【０００６】（１）分散プリズム法はプリズム材質にお
ける屈折率の波長分散によって波長の分離角度を変え、
任意の角度に反射ミラーを置くことで特定の波長を共振
器内で発振させる方法である。分離角度が小さいため、
ガスレーザ等のように発振線が十数ｎｍ以上離れている
場合に有効である。
ける屈折率の波長分散によって波長の分離角度を変え、
任意の角度に反射ミラーを置くことで特定の波長を共振
器内で発振させる方法である。分離角度が小さいため、
ガスレーザ等のように発振線が十数ｎｍ以上離れている
場合に有効である。
【０００７】（２）グレーティング法はガラス基板表面
に形成した周期的な溝が回折格子となり特定の波長と次
数により回折効率が異なることを利用するもので、任意
の波長における±１、２次の回折光を取り出すことがで
きる。しかし、回折効率が最大６０％程度と低く、レー
ザ共振器内に挿入することは出来ないため、複合外部共
振器として用いることで波長制御を行う。図６はグレー
ティング６１による半導体レーザ１１の発振波長の制御
を行なう構成図である。グレーティング６１に入射する
レーザビーム１７は平行ビームとする必要があり入射角
度がずれることで回折効率が低下し、発振スペクトル幅
が広がってしまう。また、グレーティング面と半導体レ
ーザ端面で構成する共振器は不安定領域に入りやすいた
めに調整が難しい等の問題点があった。
に形成した周期的な溝が回折格子となり特定の波長と次
数により回折効率が異なることを利用するもので、任意
の波長における±１、２次の回折光を取り出すことがで
きる。しかし、回折効率が最大６０％程度と低く、レー
ザ共振器内に挿入することは出来ないため、複合外部共
振器として用いることで波長制御を行う。図６はグレー
ティング６１による半導体レーザ１１の発振波長の制御
を行なう構成図である。グレーティング６１に入射する
レーザビーム１７は平行ビームとする必要があり入射角
度がずれることで回折効率が低下し、発振スペクトル幅
が広がってしまう。また、グレーティング面と半導体レ
ーザ端面で構成する共振器は不安定領域に入りやすいた
めに調整が難しい等の問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、検討を続
けた結果、半導体レーザと共振器ミラーにより形成され
る外部共振器レーザの外部共振器内に発振波長を制御す
るための波長制御素子を用いることにより、半導体レー
ザの発振波長を安定に制御した波長可変レーザ装置をえ
ることができることに想到した。また、その波長制御素
子としてブリュースタ角に傾けた複屈折結晶を用いるこ
とにより、損失の少ない広帯域な波長可変ができる。前
記複屈折結晶には水晶(SiO2)、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａ
Ｏ3の何れかを用いる。前記半導体レーザの両端面もし
くは一つの端面に反射率２％以下の反射防止膜を施した
ものを用いる。
けた結果、半導体レーザと共振器ミラーにより形成され
る外部共振器レーザの外部共振器内に発振波長を制御す
るための波長制御素子を用いることにより、半導体レー
ザの発振波長を安定に制御した波長可変レーザ装置をえ
ることができることに想到した。また、その波長制御素
子としてブリュースタ角に傾けた複屈折結晶を用いるこ
とにより、損失の少ない広帯域な波長可変ができる。前
記複屈折結晶には水晶(SiO2)、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａ
Ｏ3の何れかを用いる。前記半導体レーザの両端面もし
くは一つの端面に反射率２％以下の反射防止膜を施した
ものを用いる。
【０００９】通常複屈折フィルタ法は複数の波長板（複
屈折結晶）と偏光子を組み合わせたもので、結晶の複屈
折性により常光と異常光とがそれぞれ異なった位相速度
で伝搬することを利用したものであり、結晶の厚さによ
り波長に対する偏光特性が異なるために任意の波長のみ
が透過するバンドパスフィルタとなる。複屈折結晶を共
振器内にブリュースター角で挿入することにより、理論
上、フィルタの損失は無くなり偏光子としての機能を合
わせ持つことができることにより、偏光子が不要とな
る。
屈折結晶）と偏光子を組み合わせたもので、結晶の複屈
折性により常光と異常光とがそれぞれ異なった位相速度
で伝搬することを利用したものであり、結晶の厚さによ
り波長に対する偏光特性が異なるために任意の波長のみ
が透過するバンドパスフィルタとなる。複屈折結晶を共
振器内にブリュースター角で挿入することにより、理論
上、フィルタの損失は無くなり偏光子としての機能を合
わせ持つことができることにより、偏光子が不要とな
る。
【００１０】前記外部共振器は少なくとも２枚以上の共
振器ミラーから構成し、少なくとも１枚が反射率99.9%
以上の全反射ミラーとすることで波長可変レーザ装置を
構成する。
振器ミラーから構成し、少なくとも１枚が反射率99.9%
以上の全反射ミラーとすることで波長可変レーザ装置を
構成する。
【００１１】また、前記外部共振器内に非線形結晶を配
置し、発振波長の半分の第二高調波を発生させる。前記
非線形結晶にはＫＮ(KNbO3)、ＫＬＮ(K3Li2-XNb
5+XO15+)、ＬＢＯ(LiB3O5)を用い、共振器構造を形成す
る少なくとも１枚のミラーにおいて前記第二高調波の透
過率を６０％以上とすることで効率よくＳＨＧ光を発生
させることができる。
置し、発振波長の半分の第二高調波を発生させる。前記
非線形結晶にはＫＮ(KNbO3)、ＫＬＮ(K3Li2-XNb
5+XO15+)、ＬＢＯ(LiB3O5)を用い、共振器構造を形成す
る少なくとも１枚のミラーにおいて前記第二高調波の透
過率を６０％以上とすることで効率よくＳＨＧ光を発生
させることができる。
【００１２】これらの手段を採用することで半導体レー
ザを用いた小型で、かつ低消費電力な波長可変レーザ装
置を実現できた。この波長可変レーザ装置はレーザプリ
ンタ装置の光源として使用可能である。
ザを用いた小型で、かつ低消費電力な波長可変レーザ装
置を実現できた。この波長可変レーザ装置はレーザプリ
ンタ装置の光源として使用可能である。
【００１３】
（実施例１）図１は本発明の一実施例を説明するための
図である。半導体レーザ１１（ＬＤ）は後方端面に発振
波長に対して反射率２％以下の無反射（以下単にＡＲ；
Anti-Reflection）コーティング１２、前方端面１３は
劈開による反射面を形成しているAlGaInP系半導体レー
ザを用い、出力１５０ｍＷ、発振波長８５０ｎｍであ
る。半導体レーザから出射された発振ビーム１７はレン
ズ１４により集光され、反射率９９．９％以上の全反射
（以下単にＨＲ；High-Reflection）コーティングを施
した平面ミラー１６と前方端面１３との間で外部共振器
を形成する。レンズ１４と平面ミラー１６間に波長制御
素子１５を配置することで波長制御する。波長制御素子
１５は厚さの異なる３枚の水晶板（1、2、3mm）からなる
複屈折フィルタを用い、光軸に対してブリュースター角
に配置して光軸の回りを回転させることで波長制御す
る。波長制御されたレーザ光は前方端面１３から出射さ
れる。
図である。半導体レーザ１１（ＬＤ）は後方端面に発振
波長に対して反射率２％以下の無反射（以下単にＡＲ；
Anti-Reflection）コーティング１２、前方端面１３は
劈開による反射面を形成しているAlGaInP系半導体レー
ザを用い、出力１５０ｍＷ、発振波長８５０ｎｍであ
る。半導体レーザから出射された発振ビーム１７はレン
ズ１４により集光され、反射率９９．９％以上の全反射
（以下単にＨＲ；High-Reflection）コーティングを施
した平面ミラー１６と前方端面１３との間で外部共振器
を形成する。レンズ１４と平面ミラー１６間に波長制御
素子１５を配置することで波長制御する。波長制御素子
１５は厚さの異なる３枚の水晶板（1、2、3mm）からなる
複屈折フィルタを用い、光軸に対してブリュースター角
に配置して光軸の回りを回転させることで波長制御す
る。波長制御されたレーザ光は前方端面１３から出射さ
れる。
【００１４】図４に複屈折フィルタ１５を回転させた場
合の波長可変特性を示す。最大波長可変幅は約１１ｎｍ
から数ｎｍの小さな幅で不連続な波長可変特性を示して
いる。これはＬＤ自身の発振特性であるゲイン幅が１０
ｎｍ程度であることから複屈折フィルタの透過波長特性
の第１ピークで１０ｎｍの波長可変幅で発振し、第２ピ
ークでもＬＤの発振ゲインが高いために数ｎｍ幅で発振
特性を示している。図５にＬＤ自身の発振スペクトル
（LD mode）と複屈折フィルタにより波長制御された発
振スペクトル（Control mode）を示す。図より制御され
た発振スペクトルはＬＤ自身のモート゛から離れたところに
ピークを持ち、サイドモードが40dB以上抑圧された安定
な発振特性を示している。
合の波長可変特性を示す。最大波長可変幅は約１１ｎｍ
から数ｎｍの小さな幅で不連続な波長可変特性を示して
いる。これはＬＤ自身の発振特性であるゲイン幅が１０
ｎｍ程度であることから複屈折フィルタの透過波長特性
の第１ピークで１０ｎｍの波長可変幅で発振し、第２ピ
ークでもＬＤの発振ゲインが高いために数ｎｍ幅で発振
特性を示している。図５にＬＤ自身の発振スペクトル
（LD mode）と複屈折フィルタにより波長制御された発
振スペクトル（Control mode）を示す。図より制御され
た発振スペクトルはＬＤ自身のモート゛から離れたところに
ピークを持ち、サイドモードが40dB以上抑圧された安定
な発振特性を示している。
【００１５】（実施例２）図２は本発明の他の実施例を
説明するための図である。半導体レーザ１１の両端面を
ＡＲコート１２した場合で後方端面から反射ミラーまで
の光学系は実施例１と同様である。前方端面側の凹面ミ
ラー２１と平面ミラー１６による共振器を形成した場合
である。凹面ミラー２１は発振波長に対して反射率９５
％の反射コーティングを施すことで５％の出力を共振器
外に取り出している。
説明するための図である。半導体レーザ１１の両端面を
ＡＲコート１２した場合で後方端面から反射ミラーまで
の光学系は実施例１と同様である。前方端面側の凹面ミ
ラー２１と平面ミラー１６による共振器を形成した場合
である。凹面ミラー２１は発振波長に対して反射率９５
％の反射コーティングを施すことで５％の出力を共振器
外に取り出している。
【００１６】（実施例３）図３は本発明の他の実施例を
説明するための図である。半導体レーザ１１および共振
器光学系は実施例２と同様である。前方端面側に非線形
結晶３１を挿入し、凹面ミラー３２は基本波波長に対し
て反射率９９．９％以上のＨＲコーティング、ＳＨ波長
に対しては透過率８５％以上のＡＲコーティングを施し
ている。非線形結晶３１は３×３×５ｍｍのＫＮ結晶で
両端面には基本波波長に対して反射率０．２％以下、Ｓ
Ｈ波長に対して反射率１％以下のＡＲコーティングを施
した。非線形結晶３１の変換効率が最大となる波長に複
屈折フィルタを回転調整した。この時の出力ミラー３２
から共振器外部に１０ｍＷのＳＨ出力３３が得られた。
非線形結晶３１にはＫＬＮ(K3Li2-XNb5+XO15)、ＬＢＯ
(LiB3O5)結晶を用いても良い。
説明するための図である。半導体レーザ１１および共振
器光学系は実施例２と同様である。前方端面側に非線形
結晶３１を挿入し、凹面ミラー３２は基本波波長に対し
て反射率９９．９％以上のＨＲコーティング、ＳＨ波長
に対しては透過率８５％以上のＡＲコーティングを施し
ている。非線形結晶３１は３×３×５ｍｍのＫＮ結晶で
両端面には基本波波長に対して反射率０．２％以下、Ｓ
Ｈ波長に対して反射率１％以下のＡＲコーティングを施
した。非線形結晶３１の変換効率が最大となる波長に複
屈折フィルタを回転調整した。この時の出力ミラー３２
から共振器外部に１０ｍＷのＳＨ出力３３が得られた。
非線形結晶３１にはＫＬＮ(K3Li2-XNb5+XO15)、ＬＢＯ
(LiB3O5)結晶を用いても良い。
【００１７】（実施例４）図７は本発明を用いた一実施
例としてレーザビームプリンタの構成を説明するための
図である。実施例３で説明した波長可変レーザ装置１０
０から出射されたＳＨ出力３３は、音響光学（以下単に
ＡＯ；Acousto-Optical）変調器２０１、折り返しミラ
ー２０６、ビームエキスパンダ２０２、回転多面鏡２０
３、ｆθレンズ２０４を通過し、感光ドラム２０５に集
光される。ＡＯ変調器２０１は画像情報に応じてＳＨ出
力３３の変調を行い、回転多面鏡２０３は水平（紙面
内）方向に走査する。この組合せで２次元情報は感光ド
ラム２０５に部分的な電位差として記録される。感光ド
ラム２０５は前記電位差に応じてトナーを付着して回転
し、記録用紙に情報を再生する。
例としてレーザビームプリンタの構成を説明するための
図である。実施例３で説明した波長可変レーザ装置１０
０から出射されたＳＨ出力３３は、音響光学（以下単に
ＡＯ；Acousto-Optical）変調器２０１、折り返しミラ
ー２０６、ビームエキスパンダ２０２、回転多面鏡２０
３、ｆθレンズ２０４を通過し、感光ドラム２０５に集
光される。ＡＯ変調器２０１は画像情報に応じてＳＨ出
力３３の変調を行い、回転多面鏡２０３は水平（紙面
内）方向に走査する。この組合せで２次元情報は感光ド
ラム２０５に部分的な電位差として記録される。感光ド
ラム２０５は前記電位差に応じてトナーを付着して回転
し、記録用紙に情報を再生する。
【００１８】
【発明の効果】本発明では半導体レーザの発振波長を複
屈折フィルタにより制御することで安定化された波長可
変レーザ装置を実現した。また、その発振波長を基本波
として用いることで第二高調波発生の効率および信頼性
向上を実現した。さらに、この波長可変レーザ装置を光
源とする応用製品としてレーザプリンタなどの信頼性が
向上した。
屈折フィルタにより制御することで安定化された波長可
変レーザ装置を実現した。また、その発振波長を基本波
として用いることで第二高調波発生の効率および信頼性
向上を実現した。さらに、この波長可変レーザ装置を光
源とする応用製品としてレーザプリンタなどの信頼性が
向上した。
【図１】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図２】本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図４】半導体レーザの発振波長の波長制御素子におけ
る波長可変特性を示すための図である。
る波長可変特性を示すための図である。
【図５】半導体レーザの波長制御の有無による発振スペ
クトルを示すための図である。
クトルを示すための図である。
【図６】従来の半導体レーザの波長制御方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図７】本発明を用いた一実施例を説明するための図で
ある。
ある。
１１ 半導体レーザ １２ ＡＲコーティング １４ レンズ １５ 波長制御素子 １６ 平面ミラー １７ 発振ビーム ２１ 凹面ミラー ３１ 非線形結晶 ３２ 凹面ミラー ３３ ＳＨ波またはＳＨ出力
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体レーザと共振器ミラーにより形成
される外部共振器レーザにおいて外部共振器内に発振波
長を制御するための波長制御素子を有することを特徴と
する波長可変レーザ装置。 - 【請求項２】 前記波長制御素子としてブリュースタ角
に傾けた複屈折結晶を用いることを特徴とする請求項１
に記載の波長可変レーザ装置。 - 【請求項３】 前記複屈折結晶に水晶(SiO2)、ＬｉＮｂ
Ｏ3、ＬｉＴａＯ3の何れかを用いることを特徴とする請
求項２に記載の波長可変レーザ装置。 - 【請求項４】 前記半導体レーザの少なくとも一つの端
面に反射率２％以下の反射防止膜が形成されていること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の波長
可変レーザ装置。 - 【請求項５】 前記外部共振器が少なくとも２枚の共振
器ミラーから構成されていることを特徴とする請求項１
〜４のいずれかの項に記載の波長可変レーザ装置。 - 【請求項６】 前記共振器ミラーの少なくとも１枚が反
射率99.9%以上の全反射することを特徴とする請求項１
〜５のいずれかの項に記載の波長可変レーザ装置。 - 【請求項７】 前記外部共振器内に非線形結晶を配置
し、前記非線形結晶により発振波長の半分の第二高調波
を発生させることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
の項に記載の波長可変レーザ装置。 - 【請求項８】 前記非線形結晶にＫＮ(KNbO3)、ＫＬＮ
(K3Li2-XNb5+XO15)、ＬＢＯ(LiB3O5)のうちの何れかを
用いたことを特徴とする請求項７に記載の波長可変レー
ザ装置。 - 【請求項９】 前記外部共振器を形成する少なくとも１
枚のミラーにおいて前記第二高調波の透過率が６０％以
上であることを特徴とする請求項７または８に記載の波
長可変レーザ装置。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかの項に記載の
波長可変レーザ装置を用いたことを特徴とするレーザプ
リンタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17395494A JPH0836201A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 波長可変レーザ装置およびレーザプリンタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17395494A JPH0836201A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 波長可変レーザ装置およびレーザプリンタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836201A true JPH0836201A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15970141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17395494A Pending JPH0836201A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 波長可変レーザ装置およびレーザプリンタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0836201A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013546022A (ja) * | 2010-11-14 | 2013-12-26 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 高損傷閾値周波数変換システム |
| CN114374137A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-19 | 武汉安扬激光技术股份有限公司 | 一种光纤紫外飞秒激光器 |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP17395494A patent/JPH0836201A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013546022A (ja) * | 2010-11-14 | 2013-12-26 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 高損傷閾値周波数変換システム |
| US9753352B1 (en) | 2010-11-14 | 2017-09-05 | Kla-Tencor Corporation | High damage threshold frequency conversion system |
| CN114374137A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-19 | 武汉安扬激光技术股份有限公司 | 一种光纤紫外飞秒激光器 |
| CN114374137B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-03-26 | 武汉安扬激光技术股份有限公司 | 一种光纤紫外飞秒激光器 |
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