JPH0836430A - 電源回路 - Google Patents
電源回路Info
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- JPH0836430A JPH0836430A JP17120594A JP17120594A JPH0836430A JP H0836430 A JPH0836430 A JP H0836430A JP 17120594 A JP17120594 A JP 17120594A JP 17120594 A JP17120594 A JP 17120594A JP H0836430 A JPH0836430 A JP H0836430A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】負荷に電源電圧を供給する基準電圧源の過熱保
護動作に伴う出力電圧のオン／オフ動作に温度ヒステリ
シス特性を持たせ、過熱保護動作温度の近傍における出
力電圧の発振現象を防止する。 【構成】電圧入力が与えられて負荷に電源電圧を供給す
る基準電圧源３と、電圧入力を分圧する抵抗分圧回路の
第１の分圧ノードにベースが接続され、基準電圧源の過
熱状態を検出するトランジスタ２５と、過熱検出用トラ
ンジスタのコレクタと基準電圧源のバイアス電流源との
間に接続されたコレクタ電流調整用抵抗２４の両端にエ
ミッタ・ベースが接続され、コレクタが抵抗分圧回路の
第２の分圧ノードに接続されたトランジスタ２２と、こ
のトランジスタにカレントミラー接続されたトランジス
タ２３のコレクタからベース電流が供給されるバイアス
電流引き抜き用のトランジスタ２０とを具備することを
特徴とする。
護動作に伴う出力電圧のオン／オフ動作に温度ヒステリ
シス特性を持たせ、過熱保護動作温度の近傍における出
力電圧の発振現象を防止する。 【構成】電圧入力が与えられて負荷に電源電圧を供給す
る基準電圧源３と、電圧入力を分圧する抵抗分圧回路の
第１の分圧ノードにベースが接続され、基準電圧源の過
熱状態を検出するトランジスタ２５と、過熱検出用トラ
ンジスタのコレクタと基準電圧源のバイアス電流源との
間に接続されたコレクタ電流調整用抵抗２４の両端にエ
ミッタ・ベースが接続され、コレクタが抵抗分圧回路の
第２の分圧ノードに接続されたトランジスタ２２と、こ
のトランジスタにカレントミラー接続されたトランジス
タ２３のコレクタからベース電流が供給されるバイアス
電流引き抜き用のトランジスタ２０とを具備することを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に形成
される電源回路、特に過熱保護機能を必要とする基準電
圧源を用いた電源回路に係り、自動車搭載用、家庭用、
産業用などの各種の電子機器で使用される。
される電源回路、特に過熱保護機能を必要とする基準電
圧源を用いた電源回路に係り、自動車搭載用、家庭用、
産業用などの各種の電子機器で使用される。
【０００２】
【従来の技術】図４は、過熱保護機能を必要とする基準
電圧源を用いた電源回路の従来例を示している。この電
源回路において、１は電圧入力Ｖinが与えられる電圧入
力端子、２は接地電位ＧＮＤが印加される接地端子、３
は基準電圧源、３ａは基準電圧源の制御入力端子、３ｂ
は基準電圧源の出力電圧端子、４０は過熱保護回路であ
る。
電圧源を用いた電源回路の従来例を示している。この電
源回路において、１は電圧入力Ｖinが与えられる電圧入
力端子、２は接地電位ＧＮＤが印加される接地端子、３
は基準電圧源、３ａは基準電圧源の制御入力端子、３ｂ
は基準電圧源の出力電圧端子、４０は過熱保護回路であ
る。
【０００３】上記基準電圧源３は、基準電圧発生回路４
と、電圧入力端子１と出力電圧端子３ｂとの間にコレク
タ・エミッタ間が接続され、ベースが制御入力端子３ａ
に接続された出力用のＮＰＮトランジスタ５と、出力電
圧端子３ｂと接地端子２との間に直列に接続された抵抗
６および７と、電圧入力端子１と制御入力端子３ａとの
間に接続されたバイアス電流源８と、制御入力端子３ａ
と接地端子２との間に接続された誤差出力用のＮＰＮト
ランジスタ９とからなる。
と、電圧入力端子１と出力電圧端子３ｂとの間にコレク
タ・エミッタ間が接続され、ベースが制御入力端子３ａ
に接続された出力用のＮＰＮトランジスタ５と、出力電
圧端子３ｂと接地端子２との間に直列に接続された抵抗
６および７と、電圧入力端子１と制御入力端子３ａとの
間に接続されたバイアス電流源８と、制御入力端子３ａ
と接地端子２との間に接続された誤差出力用のＮＰＮト
ランジスタ９とからなる。
【０００４】上記基準電圧発生回路４は、前記出力電圧
端子３ｂに接続されたバイアスノード、前記接地端子２
に接続された接地ノード、前記抵抗６および７の直列接
続ノードに接続された基準電圧ノード、前記誤差出力用
トランジスタ９のベースに接続された誤差出力ノードを
有する。
端子３ｂに接続されたバイアスノード、前記接地端子２
に接続された接地ノード、前記抵抗６および７の直列接
続ノードに接続された基準電圧ノード、前記誤差出力用
トランジスタ９のベースに接続された誤差出力ノードを
有する。
【０００５】なお、前記バイアス電流源８はトランジス
タと抵抗（共に図示せず）で構成されており、前記基準
電圧発生回路４もトランジスタと抵抗（共に図示せず）
とで構成されている。
タと抵抗（共に図示せず）で構成されており、前記基準
電圧発生回路４もトランジスタと抵抗（共に図示せず）
とで構成されている。
【０００６】一方、前記過熱保護回路４０は、前記電圧
入力端子１の電圧入力Ｖinが与えられ、バイアス電圧を
発生するバイアス電圧発生回路４１と、このバイアス電
圧発生回路４１のバイアス電圧出力ノード４１ａと接地
端子２との間に直列に接続された抵抗１２および１３
と、この抵抗１２および１３の直列接続ノードにベース
が接続され、コレクタ・エミッタ間が前記制御入力端子
３ａと接地端子２との間に接続された過熱保護用のＮＰ
Ｎトランジスタ１０とを有する。
入力端子１の電圧入力Ｖinが与えられ、バイアス電圧を
発生するバイアス電圧発生回路４１と、このバイアス電
圧発生回路４１のバイアス電圧出力ノード４１ａと接地
端子２との間に直列に接続された抵抗１２および１３
と、この抵抗１２および１３の直列接続ノードにベース
が接続され、コレクタ・エミッタ間が前記制御入力端子
３ａと接地端子２との間に接続された過熱保護用のＮＰ
Ｎトランジスタ１０とを有する。
【０００７】上記バイアス電圧発生回路４１は、前記電
圧入力端子１と接地端子２との間に直列に接続された抵
抗１４およびツェナーダイオード１５と、この抵抗１４
およびツェナーダイオード１５の直列接続ノードにベー
スが接続され、コレクタ・エミッタ間が前記電圧入力端
子１と前記バイアス電圧出力ノード４１ａとの間に接続
されたＮＰＮトランジスタ１１とを有する。
圧入力端子１と接地端子２との間に直列に接続された抵
抗１４およびツェナーダイオード１５と、この抵抗１４
およびツェナーダイオード１５の直列接続ノードにベー
スが接続され、コレクタ・エミッタ間が前記電圧入力端
子１と前記バイアス電圧出力ノード４１ａとの間に接続
されたＮＰＮトランジスタ１１とを有する。
【０００８】上記構成の過熱保護回路４０において、過
熱保護用トランジスタ１０は、基準電圧源３の過熱時を
検出する作用と、過熱検出時に基準電圧源３の出力用ト
ランジスタ５のバイアス電流（バイアス電流源８の電
流）を引き抜く作用とを有する。
熱保護用トランジスタ１０は、基準電圧源３の過熱時を
検出する作用と、過熱検出時に基準電圧源３の出力用ト
ランジスタ５のバイアス電流（バイアス電流源８の電
流）を引き抜く作用とを有する。
【０００９】即ち、過熱保護用トランジスタ１０のベー
ス電位ＶTSD は、次式に示すように設定される。 ＶTSD ＝（Ｖz −ＶBE11）・Ｒ13／（Ｒ12＋Ｒ13） ………（１） 但し、Ｖz はツェナーダイオード１５のツェナー電圧 ＶBE11はトランジスタ１１のベース・エミッタ間順方向
電圧 Ｒ12 は抵抗１２の値 Ｒ13 は抵抗１３の値 である。
ス電位ＶTSD は、次式に示すように設定される。 ＶTSD ＝（Ｖz −ＶBE11）・Ｒ13／（Ｒ12＋Ｒ13） ………（１） 但し、Ｖz はツェナーダイオード１５のツェナー電圧 ＶBE11はトランジスタ１１のベース・エミッタ間順方向
電圧 Ｒ12 は抵抗１２の値 Ｒ13 は抵抗１３の値 である。
【００１０】基準電圧源３の正常動作中は、過熱保護用
トランジスタ１０はオフ状態であり、出力用トランジス
タ５はバイアス電流源８によりバイアスされている。温
度上昇により過熱保護用トランジスタ１０のベース・エ
ミッタ間順方向電圧ＶBE10が小さくなり、前式（１）で
示されるベース電位ＶTSD に等しくなった時、過熱保護
用トランジスタ１０がオンして出力用トランジスタ５の
バイアス電流を引き抜くようになり、出力電圧端子３ｂ
の電圧（出力電圧）Ｖout が低下する。
トランジスタ１０はオフ状態であり、出力用トランジス
タ５はバイアス電流源８によりバイアスされている。温
度上昇により過熱保護用トランジスタ１０のベース・エ
ミッタ間順方向電圧ＶBE10が小さくなり、前式（１）で
示されるベース電位ＶTSD に等しくなった時、過熱保護
用トランジスタ１０がオンして出力用トランジスタ５の
バイアス電流を引き抜くようになり、出力電圧端子３ｂ
の電圧（出力電圧）Ｖout が低下する。
【００１１】ここで、上記ベース電位ＶTSD は、常温か
ら過熱保護動作温度までの上昇分ΔＴを用いて表すと、
次式に示すようになる。 ＶTSD ＝（ЭＶBE10／ЭＴ）・ΔＴ＋ＶBE10 −（ＶTSD ／ЭＴ）・ΔＴ ………（２） 但し、（ЭＶBE10／ЭＴ）・ΔＴ＋ＶBE10 はＶBE10の
閾値電圧 （ЭＶTSD ／ЭＴ） はＶTSD の温度係数 である。
ら過熱保護動作温度までの上昇分ΔＴを用いて表すと、
次式に示すようになる。 ＶTSD ＝（ЭＶBE10／ЭＴ）・ΔＴ＋ＶBE10 −（ＶTSD ／ЭＴ）・ΔＴ ………（２） 但し、（ЭＶBE10／ЭＴ）・ΔＴ＋ＶBE10 はＶBE10の
閾値電圧 （ЭＶTSD ／ЭＴ） はＶTSD の温度係数 である。
【００１２】よって、上式（１）、（２）から、抵抗Ｒ
12、Ｒ13の値を適切に選ぶことにより、任意の温度で過
熱保護動作を行わせることが可能になる。しかし、前式
（１）、（２）によって設定されたＶTSD は過熱保護用
トランジスタ１０のオン／オフによって変化することは
ないので、過熱保護動作温度の近傍で過熱保護用トラン
ジスタ１０がオン／オフ動作を繰り返し、出力電圧Ｖou
tが発振したような現象が生じる。
12、Ｒ13の値を適切に選ぶことにより、任意の温度で過
熱保護動作を行わせることが可能になる。しかし、前式
（１）、（２）によって設定されたＶTSD は過熱保護用
トランジスタ１０のオン／オフによって変化することは
ないので、過熱保護動作温度の近傍で過熱保護用トラン
ジスタ１０がオン／オフ動作を繰り返し、出力電圧Ｖou
tが発振したような現象が生じる。
【００１３】このような場合、出力電圧Ｖout を電圧源
として用いる負荷（図示せず）が誤動作してしまうおそ
れがある。また、前記過熱保護用トランジスタ１０は徐
々にオン動作するので、出力電圧Ｖout が定格を下回っ
ても出力用トランジスタ５が完全にはオフしなくなり、
やはり、出力電圧Ｖout を電圧源として用いる負荷が誤
動作するおそれがある。
として用いる負荷（図示せず）が誤動作してしまうおそ
れがある。また、前記過熱保護用トランジスタ１０は徐
々にオン動作するので、出力電圧Ｖout が定格を下回っ
ても出力用トランジスタ５が完全にはオフしなくなり、
やはり、出力電圧Ｖout を電圧源として用いる負荷が誤
動作するおそれがある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
電源回路は、過熱保護動作温度の近傍で過熱保護用トラ
ンジスタがオン／オフ動作を繰り返し、出力電圧Ｖout
の発振現象が生じるという問題があった。
電源回路は、過熱保護動作温度の近傍で過熱保護用トラ
ンジスタがオン／オフ動作を繰り返し、出力電圧Ｖout
の発振現象が生じるという問題があった。
【００１５】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、負荷に電源電圧を供給する基準電圧源の過熱
保護動作に伴う出力電圧のオン／オフ動作に温度ヒステ
リシス特性を持たせることにより、過熱保護動作温度の
近傍における出力電圧の発振現象を防止し得る電源回路
を提供することを目的とする。
たもので、負荷に電源電圧を供給する基準電圧源の過熱
保護動作に伴う出力電圧のオン／オフ動作に温度ヒステ
リシス特性を持たせることにより、過熱保護動作温度の
近傍における出力電圧の発振現象を防止し得る電源回路
を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、電圧入力が与
えられ、負荷に電源電圧を供給する出力用トランジスタ
およびこの出力用トランジスタのベースにバイアス電流
を供給するためのバイアス電流源を有する基準電圧源
と、前記電圧入力が与えられ、上記基準電圧源の過熱状
態を検出した時に前記基準電圧源の前記バイアス電流源
から前記バイアス電流を引き抜く過熱保護回路とを具備
する電源回路において、前記過熱保護回路は、前記電圧
入力が与えられ、バイアス電圧を発生するバイアス電圧
発生回路と、このバイアス電圧発生回路のバイアス電圧
出力ノードと接地ノードとの間に接続された抵抗分圧回
路と、上記抵抗分圧回路の第１の分圧ノードにベースが
接続され、エミッタが接地ノードに接続された過熱検出
用トランジスタと、この過熱検出用トランジスタのコレ
クタと前記基準電圧源のバイアス電流源との間に接続さ
れたコレクタ電流調整用の抵抗と、上記コレクタ電流調
整用抵抗の一端にエミッタが接続され、ベースが前記過
熱検出用トランジスタのコレクタに接続され、コレクタ
が前記抵抗分圧回路の第２の分圧ノードに接続された第
１の電流供給用のトランジスタと、上記第１の電流供給
用トランジスタのエミッタにエミッタが接続され、ベー
スが前記過熱検出用トランジスタのコレクタに接続され
た第２の電流供給用のトランジスタと、上記第２の電流
供給用のＰＮＰトランジスタのコレクタからベース電流
が供給され、前記基準電圧源のバイアス電流源と接地ノ
ードとの間にコレクタ・エミッタ間が接続されたバイア
ス電流引き抜き用のトランジスタとを具備することを特
徴とする。
えられ、負荷に電源電圧を供給する出力用トランジスタ
およびこの出力用トランジスタのベースにバイアス電流
を供給するためのバイアス電流源を有する基準電圧源
と、前記電圧入力が与えられ、上記基準電圧源の過熱状
態を検出した時に前記基準電圧源の前記バイアス電流源
から前記バイアス電流を引き抜く過熱保護回路とを具備
する電源回路において、前記過熱保護回路は、前記電圧
入力が与えられ、バイアス電圧を発生するバイアス電圧
発生回路と、このバイアス電圧発生回路のバイアス電圧
出力ノードと接地ノードとの間に接続された抵抗分圧回
路と、上記抵抗分圧回路の第１の分圧ノードにベースが
接続され、エミッタが接地ノードに接続された過熱検出
用トランジスタと、この過熱検出用トランジスタのコレ
クタと前記基準電圧源のバイアス電流源との間に接続さ
れたコレクタ電流調整用の抵抗と、上記コレクタ電流調
整用抵抗の一端にエミッタが接続され、ベースが前記過
熱検出用トランジスタのコレクタに接続され、コレクタ
が前記抵抗分圧回路の第２の分圧ノードに接続された第
１の電流供給用のトランジスタと、上記第１の電流供給
用トランジスタのエミッタにエミッタが接続され、ベー
スが前記過熱検出用トランジスタのコレクタに接続され
た第２の電流供給用のトランジスタと、上記第２の電流
供給用のＰＮＰトランジスタのコレクタからベース電流
が供給され、前記基準電圧源のバイアス電流源と接地ノ
ードとの間にコレクタ・エミッタ間が接続されたバイア
ス電流引き抜き用のトランジスタとを具備することを特
徴とする。
【００１７】
【作用】過熱保護回路は、基準電圧源の過熱時を検出す
るための過熱検出用トランジスタと、過熱検出時に基準
電圧源の出力用トランジスタのバイアス電流を引き抜く
ためのトランジスタとにより、過熱保護作用を分担して
いる。そして、過熱検出用トランジスタのオン／オフ動
作に対応してそのベース電位を異ならせるように制御す
るので、過熱検出用トランジスタのオン／オフ動作は温
度ヒステリシス特性を有するようになる。
るための過熱検出用トランジスタと、過熱検出時に基準
電圧源の出力用トランジスタのバイアス電流を引き抜く
ためのトランジスタとにより、過熱保護作用を分担して
いる。そして、過熱検出用トランジスタのオン／オフ動
作に対応してそのベース電位を異ならせるように制御す
るので、過熱検出用トランジスタのオン／オフ動作は温
度ヒステリシス特性を有するようになる。
【００１８】これにより、基準電圧源の過熱保護動作に
伴う出力電圧のオン／オフ動作が温度ヒステリシス特性
を持つようになり、過熱保護動作温度の近傍における出
力電圧の発振現象を防止することが可能になる。
伴う出力電圧のオン／オフ動作が温度ヒステリシス特性
を持つようになり、過熱保護動作温度の近傍における出
力電圧の発振現象を防止することが可能になる。
【００１９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明の第１実施例に係る電源回
路を示している。この電源回路において、１は電圧入力
Ｖinが与えられる電圧入力端子、２は接地電位ＧＮＤが
印加される接地端子、３は基準電圧源、３ａは基準電圧
源の制御入力端子、３ｂは基準電圧源の出力電圧端子、
５０は過熱保護回路である。
に説明する。図１は、本発明の第１実施例に係る電源回
路を示している。この電源回路において、１は電圧入力
Ｖinが与えられる電圧入力端子、２は接地電位ＧＮＤが
印加される接地端子、３は基準電圧源、３ａは基準電圧
源の制御入力端子、３ｂは基準電圧源の出力電圧端子、
５０は過熱保護回路である。
【００２０】上記基準電圧源３は、図４中に示した基準
電圧源３と同様に、基準電圧発生回路４と、電圧入力端
子１と出力電圧端子３ｂとの間にコレクタ・エミッタ間
が接続され、ベースが制御入力端子３ａに接続された出
力用のＮＰＮトランジスタ５と、出力電圧端子３ｂと接
地端子２との間に直列に接続された抵抗６および７と、
電圧入力端子１と制御入力端子３ａとの間に接続された
バイアス電流源８と、制御入力端子３ａと接地端子２と
の間に接続された誤差出力用のＮＰＮトランジスタ９と
からなる。
電圧源３と同様に、基準電圧発生回路４と、電圧入力端
子１と出力電圧端子３ｂとの間にコレクタ・エミッタ間
が接続され、ベースが制御入力端子３ａに接続された出
力用のＮＰＮトランジスタ５と、出力電圧端子３ｂと接
地端子２との間に直列に接続された抵抗６および７と、
電圧入力端子１と制御入力端子３ａとの間に接続された
バイアス電流源８と、制御入力端子３ａと接地端子２と
の間に接続された誤差出力用のＮＰＮトランジスタ９と
からなる。
【００２１】上記基準電圧発生回路４は、前記出力電圧
端子３ｂに接続されたバイアスノード、前記接地端子２
に接続された接地ノード、前記抵抗６および７の直列接
続ノードに接続された基準電圧ノード、前記誤差出力用
トランジスタ９のベースに接続された誤差出力ノードを
有する。
端子３ｂに接続されたバイアスノード、前記接地端子２
に接続された接地ノード、前記抵抗６および７の直列接
続ノードに接続された基準電圧ノード、前記誤差出力用
トランジスタ９のベースに接続された誤差出力ノードを
有する。
【００２２】なお、前記バイアス電流源８はトランジス
タと抵抗（共に図示せず）にで構成されており、前記基
準電圧発生回路４もトランジスタと抵抗（共に図示せ
ず）とで構成されている。
タと抵抗（共に図示せず）にで構成されており、前記基
準電圧発生回路４もトランジスタと抵抗（共に図示せ
ず）とで構成されている。
【００２３】一方、前記過熱保護回路５０は、前記電圧
入力端子１の電圧入力Ｖinが与えられ、バイアス電圧を
発生するバイアス電圧発生回路４１と、このバイアス電
圧発生回路４１のバイアス電圧出力ノード４１ａと接地
端子２との間に直列に接続された第１の抵抗２６、第２
の抵抗２７および第３の抵抗２８を有する抵抗分圧回路
と、上記抵抗分圧回路の第１の分圧ノード（抵抗２６お
よび２７の直列接続ノード）にベースが接続され、エミ
ッタが接地端子２に接続された過熱検出用トランジスタ
２５と、この過熱検出用トランジスタ２５のコレクタと
前記制御入力端子３ａとの間に接続されたコレクタ電流
調整用の第４の抵抗２４と、この第４の抵抗２４の一端
（前記制御入力端子３ａとの接続ノード）にエミッタが
接続され、ベースが前記過熱検出用トランジスタ２５の
コレクタに接続され、コレクタが前記抵抗分圧回路の第
２の分圧ノード（第２の抵抗２７および第３の抵抗２８
の直列接続ノード）に接続された電流供給用の第１のＰ
ＮＰトランジスタ２２と、この第１の電流供給用トラン
ジスタ２２のエミッタにエミッタが接続され、ベースが
前記過熱検出用トランジスタ２５のコレクタに接続され
た電流供給用の第２のＰＮＰトランジスタ２３と、上記
第２のＰＮＰトランジスタ２３のコレクタと接地端子２
との間に接続されたバイアス用の第５の抵抗２１と、上
記第２のＰＮＰトランジスタ２３のコレクタからベース
電流が供給され、前記制御入力端子３ａと接地端子２と
の間にコレクタ・エミッタ間が接続されたバイアス電流
引き抜き用のＮＰＮトランジスタ２０とを有する。
入力端子１の電圧入力Ｖinが与えられ、バイアス電圧を
発生するバイアス電圧発生回路４１と、このバイアス電
圧発生回路４１のバイアス電圧出力ノード４１ａと接地
端子２との間に直列に接続された第１の抵抗２６、第２
の抵抗２７および第３の抵抗２８を有する抵抗分圧回路
と、上記抵抗分圧回路の第１の分圧ノード（抵抗２６お
よび２７の直列接続ノード）にベースが接続され、エミ
ッタが接地端子２に接続された過熱検出用トランジスタ
２５と、この過熱検出用トランジスタ２５のコレクタと
前記制御入力端子３ａとの間に接続されたコレクタ電流
調整用の第４の抵抗２４と、この第４の抵抗２４の一端
（前記制御入力端子３ａとの接続ノード）にエミッタが
接続され、ベースが前記過熱検出用トランジスタ２５の
コレクタに接続され、コレクタが前記抵抗分圧回路の第
２の分圧ノード（第２の抵抗２７および第３の抵抗２８
の直列接続ノード）に接続された電流供給用の第１のＰ
ＮＰトランジスタ２２と、この第１の電流供給用トラン
ジスタ２２のエミッタにエミッタが接続され、ベースが
前記過熱検出用トランジスタ２５のコレクタに接続され
た電流供給用の第２のＰＮＰトランジスタ２３と、上記
第２のＰＮＰトランジスタ２３のコレクタと接地端子２
との間に接続されたバイアス用の第５の抵抗２１と、上
記第２のＰＮＰトランジスタ２３のコレクタからベース
電流が供給され、前記制御入力端子３ａと接地端子２と
の間にコレクタ・エミッタ間が接続されたバイアス電流
引き抜き用のＮＰＮトランジスタ２０とを有する。
【００２４】前記バイアス電圧発生回路４１は、図４中
に示したバイアス電圧発生回路４１と同様に、前記電圧
入力端子１と接地端子２との間に直列に接続された抵抗
１４およびツェナーダイオード１５と、この抵抗１４お
よびツェナーダイオード１５の直列接続ノードにベース
が接続され、コレクタ・エミッタ間が前記電圧入力端子
１と前記バイアス電圧出力ノード４１ａとの間に接続さ
れたＮＰＮトランジスタ１１とを有する。
に示したバイアス電圧発生回路４１と同様に、前記電圧
入力端子１と接地端子２との間に直列に接続された抵抗
１４およびツェナーダイオード１５と、この抵抗１４お
よびツェナーダイオード１５の直列接続ノードにベース
が接続され、コレクタ・エミッタ間が前記電圧入力端子
１と前記バイアス電圧出力ノード４１ａとの間に接続さ
れたＮＰＮトランジスタ１１とを有する。
【００２５】上記構成の過熱保護回路５０においては、
基準電圧源３の過熱時を検出するためのトランジスタ２
５と、過熱検出時に基準電圧源３の出力用トランジスタ
５のバイアス電流（バイアス電流源８の電流）を引き抜
くためのトランジスタ２０とにより、過熱保護作用を分
担している。そして、第１のＰＮＰトランジスタ２２の
電流により、過熱検出用トランジスタ２５のオン／オフ
動作に対応してそのベース電位を異ならせるように制御
しているので、過熱検出用トランジスタ２５のオン／オ
フ動作は、図２に示すような温度ヒステリシス特性を有
するようになる。
基準電圧源３の過熱時を検出するためのトランジスタ２
５と、過熱検出時に基準電圧源３の出力用トランジスタ
５のバイアス電流（バイアス電流源８の電流）を引き抜
くためのトランジスタ２０とにより、過熱保護作用を分
担している。そして、第１のＰＮＰトランジスタ２２の
電流により、過熱検出用トランジスタ２５のオン／オフ
動作に対応してそのベース電位を異ならせるように制御
しているので、過熱検出用トランジスタ２５のオン／オ
フ動作は、図２に示すような温度ヒステリシス特性を有
するようになる。
【００２６】これにより、基準電圧源３の過熱保護動作
に伴う出力電圧のオン／オフ動作が温度ヒステリシス特
性を持つようになり、過熱保護動作温度の近傍における
出力電圧の発振現象を防止することが可能になる。
に伴う出力電圧のオン／オフ動作が温度ヒステリシス特
性を持つようになり、過熱保護動作温度の近傍における
出力電圧の発振現象を防止することが可能になる。
【００２７】即ち、過熱検出用トランジスタ２５のベー
ス電位ＶTSD2は次式（３）のように設定される。 ＶTSD2＝（Ｖz −ＶBE11）・（Ｒ27＋Ｒ28）／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ………（３） 但し、Ｖz はツェナーダイオード１５のツェナー電圧 ＶBE11はトランジスタ１１のベース・エミッタ間順方向
電圧 Ｒ26 は第１の抵抗２６の値 Ｒ27 は第２の抵抗２７の値 Ｒ28 は第３の抵抗２８の値 である。
ス電位ＶTSD2は次式（３）のように設定される。 ＶTSD2＝（Ｖz −ＶBE11）・（Ｒ27＋Ｒ28）／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ………（３） 但し、Ｖz はツェナーダイオード１５のツェナー電圧 ＶBE11はトランジスタ１１のベース・エミッタ間順方向
電圧 Ｒ26 は第１の抵抗２６の値 Ｒ27 は第２の抵抗２７の値 Ｒ28 は第３の抵抗２８の値 である。
【００２８】基準電圧源３の正常動作中は、過熱検出用
トランジスタ２５、第１のＰＮＰトランジスタ２２、第
２のＰＮＰトランジスタ２３およびバイアス電流引き抜
き用トランジスタ２０はそれぞれオフ状態であり、基準
電圧源３の出力用トランジスタ５はバイアス電流源８に
よりバイアスされている。
トランジスタ２５、第１のＰＮＰトランジスタ２２、第
２のＰＮＰトランジスタ２３およびバイアス電流引き抜
き用トランジスタ２０はそれぞれオフ状態であり、基準
電圧源３の出力用トランジスタ５はバイアス電流源８に
よりバイアスされている。
【００２９】温度上昇により過熱検出用トランジスタ２
５のベース・エミッタ間順方向電圧ＶBE25が小さくな
り、前式（３）で示されるベース電位ＶTSD2に等しくな
った時、過熱検出用トランジスタ２５がオンし、第４の
抵抗２４を介して基準電圧源３の出力用トランジスタ５
のバイアス電流を引き抜くようになる。
５のベース・エミッタ間順方向電圧ＶBE25が小さくな
り、前式（３）で示されるベース電位ＶTSD2に等しくな
った時、過熱検出用トランジスタ２５がオンし、第４の
抵抗２４を介して基準電圧源３の出力用トランジスタ５
のバイアス電流を引き抜くようになる。
【００３０】ここで、第４の抵抗２４の電圧降下が第１
のＰＮＰトランジスタ２２、第２のＰＮＰトランジスタ
２３のエミッタ・ベース間順方向電圧の閾値電圧に等し
くなった時、第１のＰＮＰトランジスタ２２、第２のＰ
ＮＰトランジスタ２３がオンし、第２のＰＮＰトランジ
スタ２３のコレクタ電流によりバイアス電流引き抜き用
トランジスタ２０がオンし、基準電圧源３の出力用トラ
ンジスタ５のバイアス電流を引き抜くようになるので、
出力電圧端子３ｂの電圧（出力電圧）Ｖout が低下す
る。
のＰＮＰトランジスタ２２、第２のＰＮＰトランジスタ
２３のエミッタ・ベース間順方向電圧の閾値電圧に等し
くなった時、第１のＰＮＰトランジスタ２２、第２のＰ
ＮＰトランジスタ２３がオンし、第２のＰＮＰトランジ
スタ２３のコレクタ電流によりバイアス電流引き抜き用
トランジスタ２０がオンし、基準電圧源３の出力用トラ
ンジスタ５のバイアス電流を引き抜くようになるので、
出力電圧端子３ｂの電圧（出力電圧）Ｖout が低下す
る。
【００３１】上記動作に際して、トランジスタ２２、２
５と抵抗２４、２７および２８は、バイアス電流引き抜
き用トランジスタ２０の動作が飽和するまで正帰還ルー
プを構成するので、急俊な過熱保護動作が得られる。
５と抵抗２４、２７および２８は、バイアス電流引き抜
き用トランジスタ２０の動作が飽和するまで正帰還ルー
プを構成するので、急俊な過熱保護動作が得られる。
【００３２】また、過熱検出用トランジスタ２５のコレ
クタ電流は第４の抵抗２４により小さく設定できるの
で、過熱検出用トランジスタ２５の特性による検出温度
の誤差を低減することができる。
クタ電流は第４の抵抗２４により小さく設定できるの
で、過熱検出用トランジスタ２５の特性による検出温度
の誤差を低減することができる。
【００３３】なお、第２のＰＮＰトランジスタ２３のコ
レクタ電流Ｉc23 は、第５の抵抗２１の抵抗値Ｒ21が第
３の抵抗２８の抵抗値Ｒ28よりも大きい（Ｒ21＞Ｒ28）
条件下で次式（４）のように設定することができる。
レクタ電流Ｉc23 は、第５の抵抗２１の抵抗値Ｒ21が第
３の抵抗２８の抵抗値Ｒ28よりも大きい（Ｒ21＞Ｒ28）
条件下で次式（４）のように設定することができる。
【００３４】 Ｉc23 ＝ＶBE20／Ｒ21 ………（４） 但し、ＶBE20はバイアス電流引き抜き用トランジスタ２
０のベース・エミッタ間順方向電圧である。
０のベース・エミッタ間順方向電圧である。
【００３５】第１のＰＮＰトランジスタ２２、第２のＰ
ＮＰトランジスタ２３のそれぞれのベース・エミッタ間
順方向電圧は等しいので、第１のＰＮＰトランジスタ２
２、第２のＰＮＰトランジスタ２３のそれぞれのコレク
タ電流Ｉc22 、Ｉc23 は等しい。
ＮＰトランジスタ２３のそれぞれのベース・エミッタ間
順方向電圧は等しいので、第１のＰＮＰトランジスタ２
２、第２のＰＮＰトランジスタ２３のそれぞれのコレク
タ電流Ｉc22 、Ｉc23 は等しい。
【００３６】上記コレクタ電流Ｉc22 により第３の抵抗
２８に電圧降下が生じるので、過熱検出用トランジスタ
２５のベース電位ＶTSD2は、 ＶTSD2＝（Ｖz −ＶBE11）・（Ｒ27＋Ｒ28）／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ＋Ｉc22 ・Ｒ26・Ｒ28／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ………（５） となる。
２８に電圧降下が生じるので、過熱検出用トランジスタ
２５のベース電位ＶTSD2は、 ＶTSD2＝（Ｖz −ＶBE11）・（Ｒ27＋Ｒ28）／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ＋Ｉc22 ・Ｒ26・Ｒ28／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ………（５） となる。
【００３７】よって、上式（５）から、過熱検出用トラ
ンジスタ２５のベース電位ＶTSD2はオン動作前に比べて
（５）式の第２項分高くなるので、オン動作時よりも低
い温度でオフ状態に復帰することになる。この時のヒス
テリシス幅は、（５）式の第２項をＶBE25の温度係数で
割ることにより求められるので、第１の抵抗２６、第２
の抵抗２７、第３の抵抗２８および第５の抵抗２１の抵
抗値を適切に選ぶことにより、任意の過熱保護動作温度
およびヒステリシス幅を設定することができる。
ンジスタ２５のベース電位ＶTSD2はオン動作前に比べて
（５）式の第２項分高くなるので、オン動作時よりも低
い温度でオフ状態に復帰することになる。この時のヒス
テリシス幅は、（５）式の第２項をＶBE25の温度係数で
割ることにより求められるので、第１の抵抗２６、第２
の抵抗２７、第３の抵抗２８および第５の抵抗２１の抵
抗値を適切に選ぶことにより、任意の過熱保護動作温度
およびヒステリシス幅を設定することができる。
【００３８】なお、前式（５）において、ツェナーダイ
オード１５のツェナー電圧Ｖz は正の温度係数を有し、
ＮＰＮトランジスタ１１のベース・エミッタ間電圧ＶBE
11は負の温度係数を有するので、ＮＰＮトランジスタ１
１のエミッタ電圧（Ｖz −ＶBE11）は温度依存性を持
つ。これを避けるための一例を図３に示す。
オード１５のツェナー電圧Ｖz は正の温度係数を有し、
ＮＰＮトランジスタ１１のベース・エミッタ間電圧ＶBE
11は負の温度係数を有するので、ＮＰＮトランジスタ１
１のエミッタ電圧（Ｖz −ＶBE11）は温度依存性を持
つ。これを避けるための一例を図３に示す。
【００３９】図３は、本発明の第２実施例に係る電源回
路を示している。この電源回路は、図１に示した電源回
路と比べて、抵抗１４、ツェナーダイオード１５、ＮＰ
Ｎトランジスタ１１からなるバイアス電圧発生回路４１
に代えて、温度的に安定なバンドギャップ型基準電圧源
６０を用いた点が異なり、その他は同じであるので図１
中と同一符号を付している。
路を示している。この電源回路は、図１に示した電源回
路と比べて、抵抗１４、ツェナーダイオード１５、ＮＰ
Ｎトランジスタ１１からなるバイアス電圧発生回路４１
に代えて、温度的に安定なバンドギャップ型基準電圧源
６０を用いた点が異なり、その他は同じであるので図１
中と同一符号を付している。
【００４０】上記バンドギャップ型基準電圧源６０は、
前記電圧入力端子１と基準電圧出力端子６０ａとの間に
接続された電流供給回路３６と、上記基準電圧出力端子
６０ａにそれぞれの一端が接続された抵抗３１および３
４と、上記抵抗３４の他端と接地端子２との間にコレク
タ・エミッタ間が接続され、コレクタ・ベース相互が接
続されたＮＰＮトランジスタ３５と、このＮＰＮトラン
ジスタ３５とベース相互が接続され、コレクタが前記抵
抗３１の他端に接続されたＮＰＮトランジスタ３２と、
このＮＰＮトランジスタ３２のエミッタと接地端子２と
の間に接続された抵抗３３と、ベースが前記ＮＰＮトラ
ンジスタ３２のコレクタに接続され、コレクタ・エミッ
タ間が前記基準電圧出力端子６０ａと接地端子２との間
に接続されたＰＮＰトランジスタ３０とからなる。な
お、前記電流供給回路３６は、電流源、あるいは電圧源
と抵抗とにより構成される。
前記電圧入力端子１と基準電圧出力端子６０ａとの間に
接続された電流供給回路３６と、上記基準電圧出力端子
６０ａにそれぞれの一端が接続された抵抗３１および３
４と、上記抵抗３４の他端と接地端子２との間にコレク
タ・エミッタ間が接続され、コレクタ・ベース相互が接
続されたＮＰＮトランジスタ３５と、このＮＰＮトラン
ジスタ３５とベース相互が接続され、コレクタが前記抵
抗３１の他端に接続されたＮＰＮトランジスタ３２と、
このＮＰＮトランジスタ３２のエミッタと接地端子２と
の間に接続された抵抗３３と、ベースが前記ＮＰＮトラ
ンジスタ３２のコレクタに接続され、コレクタ・エミッ
タ間が前記基準電圧出力端子６０ａと接地端子２との間
に接続されたＰＮＰトランジスタ３０とからなる。な
お、前記電流供給回路３６は、電流源、あるいは電圧源
と抵抗とにより構成される。
【００４１】上記構成のバンドギャップ型基準電圧源６
０において、基準電圧出力端子６０ａの電圧Ｖref は次
式（６）で示される。 Ｖref ＝（Ｒ31／Ｒ33）ＶT ｌｎ（Ａ32／Ａ35）（Ｒ31／Ｒ34）＋ＶBE365 ………（６） 但し、Ｒ31、Ｒ33、Ｒ34は抵抗３１、３３、３４の抵抗
値 Ａ32／Ａ35はトランジスタ３２、３５のエミッタ面積比 ＶBE35はトランジスタ３５のベース・エミッタ間順方向
電圧 である。
０において、基準電圧出力端子６０ａの電圧Ｖref は次
式（６）で示される。 Ｖref ＝（Ｒ31／Ｒ33）ＶT ｌｎ（Ａ32／Ａ35）（Ｒ31／Ｒ34）＋ＶBE365 ………（６） 但し、Ｒ31、Ｒ33、Ｒ34は抵抗３１、３３、３４の抵抗
値 Ａ32／Ａ35はトランジスタ３２、３５のエミッタ面積比 ＶBE35はトランジスタ３５のベース・エミッタ間順方向
電圧 である。
【００４２】ここで、ＶBE35は負の温度係数を有し、Ａ
32・Ｒ31＞Ａ35・Ｒ34の時に（６）式の第１項は正の温
度係数を有するので、抵抗３１、３３、３４の抵抗値Ｒ
31、Ｒ33、Ｒ34を適切に選ぶことによりＶref の温度係
数を零にすることができる。
32・Ｒ31＞Ａ35・Ｒ34の時に（６）式の第１項は正の温
度係数を有するので、抵抗３１、３３、３４の抵抗値Ｒ
31、Ｒ33、Ｒ34を適切に選ぶことによりＶref の温度係
数を零にすることができる。
【００４３】このように生成されたＶref を用いて過熱
検出用トランジスタ２５のベース電位ＶTSD2を設定する
と、次式（７）が得られる。 ＶTSD2＝Ｖref （Ｒ27＋Ｒ28）／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ………（７） 上式（７）において、Ｖref の温度係数は零であるの
で、常温から過熱保護動作温度までの上昇分ΔＴを用い
て表すと、上式（７）は次式（８）に示すようになる。
検出用トランジスタ２５のベース電位ＶTSD2を設定する
と、次式（７）が得られる。 ＶTSD2＝Ｖref （Ｒ27＋Ｒ28）／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ………（７） 上式（７）において、Ｖref の温度係数は零であるの
で、常温から過熱保護動作温度までの上昇分ΔＴを用い
て表すと、上式（７）は次式（８）に示すようになる。
【００４４】 ＶTSD2＝（ЭＶBE10／ЭＴ）・ΔＴ＋ＶBE25 ………（８） さらに、過熱保護動作時のＶTSD2は次式（９）で示され
る。 ＶTSD2＝Ｖref （Ｒ27＋Ｒ28）／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ＋Ｉc22 ・Ｒ26・Ｒ28／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ………（９） 以上説明したように設定することにより、前記第１実施
例と同様の特性を有する過熱保護動作が得られる。ま
た、温度的に安定な基準電圧源６０を用いるので、第１
実施例と比べて過熱保護動作温度を容易に設定できる利
点がある。
る。 ＶTSD2＝Ｖref （Ｒ27＋Ｒ28）／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ＋Ｉc22 ・Ｒ26・Ｒ28／（Ｒ26＋Ｒ27＋Ｒ28） ………（９） 以上説明したように設定することにより、前記第１実施
例と同様の特性を有する過熱保護動作が得られる。ま
た、温度的に安定な基準電圧源６０を用いるので、第１
実施例と比べて過熱保護動作温度を容易に設定できる利
点がある。
【００４５】
【発明の効果】上述したように本発明の電源回路によれ
ば、負荷に電源電圧を供給する基準電圧源の過熱保護動
作に伴う出力電圧のオン／オフ動作に温度ヒステリシス
特性を持たせることにより、過熱保護動作温度の近傍に
おける出力電圧の発振現象を防止することができる。
ば、負荷に電源電圧を供給する基準電圧源の過熱保護動
作に伴う出力電圧のオン／オフ動作に温度ヒステリシス
特性を持たせることにより、過熱保護動作温度の近傍に
おける出力電圧の発振現象を防止することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る電源回路を示す回路
図。
図。
【図２】図１中の過熱検出用トランジスタの動作の温度
ヒステリシス特性を示す図。
ヒステリシス特性を示す図。
【図３】本発明の第２実施例に係る電源回路を示す回路
図。
図。
【図４】従来の電源回路を示す回路図。
１…電圧入力端子、２…接地端子、３…基準電圧源、３
ａ…基準電圧源の制御入力端子、３ｂ…基準電圧源の出
力電圧端子、４…基準電圧発生回路、５…出力用のＮＰ
Ｎトランジスタ、６、７、１４、２１、２４、２６、２
７、２８…抵抗、８…バイアス電流源、９…誤差出力用
のＮＰＮトランジスタ、１１…ＮＰＮトランジスタ、１
５…ツェナーダイオード、２０…バイアス電流引き抜き
用のＮＰＮトランジスタ、２２…第１のＰＮＰトランジ
スタ、２３…第２のＰＮＰトランジスタ、２５…過熱検
出用のＮＰＮトランジスタ、４１…バイアス電圧発生回
路、５０…過熱保護回路。
ａ…基準電圧源の制御入力端子、３ｂ…基準電圧源の出
力電圧端子、４…基準電圧発生回路、５…出力用のＮＰ
Ｎトランジスタ、６、７、１４、２１、２４、２６、２
７、２８…抵抗、８…バイアス電流源、９…誤差出力用
のＮＰＮトランジスタ、１１…ＮＰＮトランジスタ、１
５…ツェナーダイオード、２０…バイアス電流引き抜き
用のＮＰＮトランジスタ、２２…第１のＰＮＰトランジ
スタ、２３…第２のＰＮＰトランジスタ、２５…過熱検
出用のＮＰＮトランジスタ、４１…バイアス電圧発生回
路、５０…過熱保護回路。
Claims (1)
- 【請求項１】 電圧入力が与えられ、負荷に電源電圧を
供給する出力用トランジスタおよびこの出力用トランジ
スタのベースにバイアス電流を供給するためのバイアス
電流源を有する基準電圧源と、 前記電圧入力が与えられ、上記基準電圧源の過熱状態を
検出した時に前記基準電圧源の前記バイアス電流源から
前記バイアス電流を引き抜く過熱保護回路とを具備する
電源回路において、 前記過熱保護回路は、 前記電圧入力が与えられ、バイアス電圧を発生するバイ
アス電圧発生回路と、 このバイアス電圧発生回路のバイアス電圧出力ノードと
接地ノードとの間に接続された抵抗分圧回路と、 上記抵抗分圧回路の第１の分圧ノードにベースが接続さ
れ、エミッタが接地ノードに接続された過熱検出用トラ
ンジスタと、 この過熱検出用トランジスタのコレクタと前記基準電圧
源のバイアス電流源との間に接続されたコレクタ電流調
整用の抵抗と、 上記コレクタ電流調整用抵抗の一端にエミッタが接続さ
れ、ベースが前記過熱検出用トランジスタのコレクタに
接続され、コレクタが前記抵抗分圧回路の第２の分圧ノ
ードに接続された第１の電流供給用のトランジスタと、 上記第１の電流供給用トランジスタのエミッタにエミッ
タが接続され、ベースが前記過熱検出用トランジスタの
コレクタに接続された第２の電流供給用のトランジスタ
と、 上記第２の電流供給用のトランジスタのコレクタからベ
ース電流が供給され、前記基準電圧源のバイアス電流源
と接地ノードとの間にコレクタ・エミッタ間が接続され
たバイアス電流引き抜き用のトランジスタとを具備する
ことを特徴とする電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17120594A JPH0836430A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17120594A JPH0836430A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 電源回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836430A true JPH0836430A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15918980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17120594A Withdrawn JPH0836430A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0836430A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008282118A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Ricoh Co Ltd | 過熱保護回路およびそれを具備する電子機器、ならびにその制御方法 |
| JP2016075594A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | ミツミ電機株式会社 | 温度検出回路及び半導体装置 |
| CN115357088A (zh) * | 2022-10-17 | 2022-11-18 | 苏州贝克微电子股份有限公司 | 一种具有简易结构的低温度系数供电电路 |
| US12546665B2 (en) | 2022-08-02 | 2026-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Overhead protection circuit |
-
1994
- 1994-07-22 JP JP17120594A patent/JPH0836430A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008282118A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Ricoh Co Ltd | 過熱保護回路およびそれを具備する電子機器、ならびにその制御方法 |
| JP2016075594A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | ミツミ電機株式会社 | 温度検出回路及び半導体装置 |
| US12546665B2 (en) | 2022-08-02 | 2026-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Overhead protection circuit |
| CN115357088A (zh) * | 2022-10-17 | 2022-11-18 | 苏州贝克微电子股份有限公司 | 一种具有简易结构的低温度系数供电电路 |
| CN115357088B (zh) * | 2022-10-17 | 2022-12-27 | 苏州贝克微电子股份有限公司 | 一种具有简易结构的低温度系数供电电路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |