JPH0836718A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH0836718A JPH0836718A JP17462294A JP17462294A JPH0836718A JP H0836718 A JPH0836718 A JP H0836718A JP 17462294 A JP17462294 A JP 17462294A JP 17462294 A JP17462294 A JP 17462294A JP H0836718 A JPH0836718 A JP H0836718A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果素子を検出素子として用いた、
再生専用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの改善に関する。 【構成】軟磁性層上１１に、コア幅間隔を空けて形成さ
れた下地膜１２と、前記下地膜１２及び前記軟磁性層１
１上に形成され、前記下地膜１２上では硬磁性を呈し、
前記軟磁性層１１上では軟磁性を呈する磁性膜１３と、
前記下地膜１２の間隙に選択形成され、非磁性を呈する
中間層１４と、前記中間層１４及び前記磁性膜１３上に
形成された磁気抵抗効果素子と、前記中間層１４の両側
の前記磁気抵抗効果素子上に形成された引き出し電極１
５，１６とを有することを含む。
再生専用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの改善に関する。 【構成】軟磁性層上１１に、コア幅間隔を空けて形成さ
れた下地膜１２と、前記下地膜１２及び前記軟磁性層１
１上に形成され、前記下地膜１２上では硬磁性を呈し、
前記軟磁性層１１上では軟磁性を呈する磁性膜１３と、
前記下地膜１２の間隙に選択形成され、非磁性を呈する
中間層１４と、前記中間層１４及び前記磁性膜１３上に
形成された磁気抵抗効果素子と、前記中間層１４の両側
の前記磁気抵抗効果素子上に形成された引き出し電極１
５，１６とを有することを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドに関し、より詳しくは、磁気抵抗効果素子を感磁部
として用いた、再生専用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
改善に関する。近年、コンピュータの外部記憶装置であ
る磁気記録装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが
要求されている。この要求を満足するものとして、記録
媒体の速度に依存せず小径ディスクに対しても利用で
き、高い出力が得られるＭＲヘッドが注目されている。
ッドに関し、より詳しくは、磁気抵抗効果素子を感磁部
として用いた、再生専用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
改善に関する。近年、コンピュータの外部記憶装置であ
る磁気記録装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが
要求されている。この要求を満足するものとして、記録
媒体の速度に依存せず小径ディスクに対しても利用で
き、高い出力が得られるＭＲヘッドが注目されている。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型の再生磁気ヘッド
（以下ＭＲヘッドと称する）は、図３に示すように、Ni
FeCrなどからなる軟磁性層１上に非磁性導体層２、磁気
抵抗効果（以下ＭＲと称する）素子３が順次形成され、
ＭＲ素子３上に間隔をおいて検出電圧を検知する引き出
し電極５，６が形成され、さらにＭＲ素子３の上であっ
て、引き出し電極５，６の両側に磁区制御用のFeMn膜４
が形成されてなる構造を有する（例えば、特開昭６３−
１１７３１０などにその構造が示されている）。
（以下ＭＲヘッドと称する）は、図３に示すように、Ni
FeCrなどからなる軟磁性層１上に非磁性導体層２、磁気
抵抗効果（以下ＭＲと称する）素子３が順次形成され、
ＭＲ素子３上に間隔をおいて検出電圧を検知する引き出
し電極５，６が形成され、さらにＭＲ素子３の上であっ
て、引き出し電極５，６の両側に磁区制御用のFeMn膜４
が形成されてなる構造を有する（例えば、特開昭６３−
１１７３１０などにその構造が示されている）。
【０００３】上記のＭＲヘッドを用いて記録媒体の情報
を読み出す際の動作について以下で説明する。磁気ディ
スクなどの記録媒体はＭＲヘッドの下を当該ヘッドの膜
厚方向に移動する。ＭＲ素子３の長手方向には不図示の
定電流源によるセンス電流が流れているので、ＭＲ素子
３の中央領域であるセンス領域７に不図示の記録媒体か
らの信号磁界が入ると、センス領域７でのＭＲ素子３の
電気抵抗が変化して、その両端の電圧が変化する。この
電圧変化を検出電圧として検知し、引き出し電極５，６
から取り出して、情報の読み出しを行っていた。
を読み出す際の動作について以下で説明する。磁気ディ
スクなどの記録媒体はＭＲヘッドの下を当該ヘッドの膜
厚方向に移動する。ＭＲ素子３の長手方向には不図示の
定電流源によるセンス電流が流れているので、ＭＲ素子
３の中央領域であるセンス領域７に不図示の記録媒体か
らの信号磁界が入ると、センス領域７でのＭＲ素子３の
電気抵抗が変化して、その両端の電圧が変化する。この
電圧変化を検出電圧として検知し、引き出し電極５，６
から取り出して、情報の読み出しを行っていた。
【０００４】この際、ＭＲ素子３による再生出力を線形
化して線形応答モードを得るため、非磁性導体層２を介
してＭＲ素子に軟磁性層１を近接させ、センス電流によ
る磁界で軟磁性層１の磁化をセンス電流に対して垂直に
飽和させる。そして、この飽和磁化が発生する磁界によ
りＭＲ素子３のセンス領域に、センス電流に対して垂直
方向のバイアス（以下横バイアスと称する）を印加して
いた。
化して線形応答モードを得るため、非磁性導体層２を介
してＭＲ素子に軟磁性層１を近接させ、センス電流によ
る磁界で軟磁性層１の磁化をセンス電流に対して垂直に
飽和させる。そして、この飽和磁化が発生する磁界によ
りＭＲ素子３のセンス領域に、センス電流に対して垂直
方向のバイアス（以下横バイアスと称する）を印加して
いた。
【０００５】また、ＭＲヘッドを安定動作する目的で、
磁区制御用磁性膜となる反強磁性体であるFeMn膜４膜を
ＭＲ素子３の両端に配置し、FeMn膜４とＭＲ素子３との
交換相互作用でＭＲ素子３の引き出し電極５，６間の磁
区を一方方向に制御して、上記の悪影響を抑止してい
た。
磁区制御用磁性膜となる反強磁性体であるFeMn膜４膜を
ＭＲ素子３の両端に配置し、FeMn膜４とＭＲ素子３との
交換相互作用でＭＲ素子３の引き出し電極５，６間の磁
区を一方方向に制御して、上記の悪影響を抑止してい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
磁区制御用磁性膜たるFeMn膜４は非常に腐食しやすく、
耐久性に欠けるという問題があった。本発明はこのよう
な問題に鑑みてなされたものであって、腐食しやすいFe
Mn膜を用いることなく、ＭＲ素子の両端の磁区制御が容
易にでき、耐久性が高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
磁区制御用磁性膜たるFeMn膜４は非常に腐食しやすく、
耐久性に欠けるという問題があった。本発明はこのよう
な問題に鑑みてなされたものであって、腐食しやすいFe
Mn膜を用いることなく、ＭＲ素子の両端の磁区制御が容
易にでき、耐久性が高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、軟磁性
層上に、コア幅間隔を空けて形成された下地膜と、前記
下地膜及び前記軟磁性層上に形成され、前記下地膜上で
は硬磁性を呈し、前記軟磁性層上では軟磁性を呈する磁
性膜と、前記下地膜の間隙に選択形成され、非磁性を呈
する中間層と、前記中間層及び前記磁性膜上に形成され
た磁気抵抗効果素子と、前記中間層の両側の前記磁気抵
抗効果素子上に形成された引き出し電極とを有すること
を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドによって解決す
る。
層上に、コア幅間隔を空けて形成された下地膜と、前記
下地膜及び前記軟磁性層上に形成され、前記下地膜上で
は硬磁性を呈し、前記軟磁性層上では軟磁性を呈する磁
性膜と、前記下地膜の間隙に選択形成され、非磁性を呈
する中間層と、前記中間層及び前記磁性膜上に形成され
た磁気抵抗効果素子と、前記中間層の両側の前記磁気抵
抗効果素子上に形成された引き出し電極とを有すること
を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドによって解決す
る。
【０００８】軟磁性層上に、コア幅間隔を空けて形成さ
れた下地膜と、前記下地膜上に選択形成され、前記下地
膜上では硬磁性を呈する磁性膜と、前記軟磁性層上の前
記下地膜と前記磁性膜との間隙に選択形成された中間層
と、前記中間層及び前記下地膜上に形成された磁気抵抗
効果素子と、前記中間層の両側の前記磁気抵抗効果素子
上に形成された引き出し電極を有することを特徴とする
磁気抵抗効果型磁気ヘッドによって解決する。
れた下地膜と、前記下地膜上に選択形成され、前記下地
膜上では硬磁性を呈する磁性膜と、前記軟磁性層上の前
記下地膜と前記磁性膜との間隙に選択形成された中間層
と、前記中間層及び前記下地膜上に形成された磁気抵抗
効果素子と、前記中間層の両側の前記磁気抵抗効果素子
上に形成された引き出し電極を有することを特徴とする
磁気抵抗効果型磁気ヘッドによって解決する。
【０００９】
【作 用】本発明によれば、軟磁性層上に、コア幅間隔
を空けて例えばタングステン又はクロム膜からなる下地
膜が形成され、下地膜及び軟磁性層上に例えばCoCrTa膜
などからなり、硬磁性膜上では硬磁性を呈し、軟磁性層
上では軟磁性を呈する磁性膜が形成され、下地膜の間隙
にタンタル又はチタンからなる中間層が選択形成され、
中間層及び磁性膜上に磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子
と称する）が形成され、中間層の両側の磁気抵抗効果素
子上に引き出し電極が形成されてなる。
を空けて例えばタングステン又はクロム膜からなる下地
膜が形成され、下地膜及び軟磁性層上に例えばCoCrTa膜
などからなり、硬磁性膜上では硬磁性を呈し、軟磁性層
上では軟磁性を呈する磁性膜が形成され、下地膜の間隙
にタンタル又はチタンからなる中間層が選択形成され、
中間層及び磁性膜上に磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子
と称する）が形成され、中間層の両側の磁気抵抗効果素
子上に引き出し電極が形成されてなる。
【００１０】ところで、タングステン又はクロム膜から
なる下地膜の上にCoCrTa膜が形成されると、結晶性の関
係からこの下地膜上のCoCrTa膜が硬磁性体となることは
周知である。このため、ＭＲ素子のコア幅領域以外の領
域であるＭＲ素子の両端の領域に形成された下地膜上の
CoCrTa膜は硬磁性膜になり、この硬磁性膜と化したCoCr
Ta膜と、その上に形成された磁気抵抗効果素子との交換
相互作用により、ＭＲ素子の両端の磁区を一方方向に制
御することができる。
なる下地膜の上にCoCrTa膜が形成されると、結晶性の関
係からこの下地膜上のCoCrTa膜が硬磁性体となることは
周知である。このため、ＭＲ素子のコア幅領域以外の領
域であるＭＲ素子の両端の領域に形成された下地膜上の
CoCrTa膜は硬磁性膜になり、この硬磁性膜と化したCoCr
Ta膜と、その上に形成された磁気抵抗効果素子との交換
相互作用により、ＭＲ素子の両端の磁区を一方方向に制
御することができる。
【００１１】これにより、バルクハウゼン雑音の悪影響
を抑止する目的で、ＭＲ素子の両端の磁区を制御するた
めに従来必要であった反強磁性体であるFeMn膜を用いる
ことなく、ＭＲ素子の両端の磁区を制御することができ
るので、従来生じていた、腐食し易いFeMn膜を磁区制御
用磁性膜として用いることによる耐久性の低下という問
題を極力抑止することが可能になる。
を抑止する目的で、ＭＲ素子の両端の磁区を制御するた
めに従来必要であった反強磁性体であるFeMn膜を用いる
ことなく、ＭＲ素子の両端の磁区を制御することができ
るので、従来生じていた、腐食し易いFeMn膜を磁区制御
用磁性膜として用いることによる耐久性の低下という問
題を極力抑止することが可能になる。
【００１２】また、下地膜以外の領域すなわちコア幅領
域でのCoCrTa膜は、その下地膜が軟磁性層になってい
て、この領域では軟磁性を示すので、これによりＭＲ素
子の中央領域であるセンス領域に横バイアスを印加する
こともできる。なお、本発明において、軟磁性層上に、
コア幅間隔を空けて例えばタングステン又はクロム膜か
らなる下地膜が形成され、下地膜上にCoCrTa膜が選択形
成され、軟磁性層上の下地膜とCoCrTa膜との間隙にタン
タル又はチタンからなる中間層が選択形成され、中間層
及びCoCrTa膜上に磁気抵抗効果素子が形成され、中間層
の両側の磁気抵抗効果素子上に引き出し電極が形成され
てなる。
域でのCoCrTa膜は、その下地膜が軟磁性層になってい
て、この領域では軟磁性を示すので、これによりＭＲ素
子の中央領域であるセンス領域に横バイアスを印加する
こともできる。なお、本発明において、軟磁性層上に、
コア幅間隔を空けて例えばタングステン又はクロム膜か
らなる下地膜が形成され、下地膜上にCoCrTa膜が選択形
成され、軟磁性層上の下地膜とCoCrTa膜との間隙にタン
タル又はチタンからなる中間層が選択形成され、中間層
及びCoCrTa膜上に磁気抵抗効果素子が形成され、中間層
の両側の磁気抵抗効果素子上に引き出し電極が形成され
てなる。
【００１３】この場合には、下地膜上のCoCrTa膜は硬磁
性を呈し、軟磁性層上に形成された中間層は軟磁性を呈
するので、上記の本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドと同様にして、腐食しやすいFeMn膜を用いることなく
ＭＲ素子の両端の磁区を容易に制御することができ、当
該磁気抵抗効果型磁気ヘッドの耐久性が向上する。
性を呈し、軟磁性層上に形成された中間層は軟磁性を呈
するので、上記の本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドと同様にして、腐食しやすいFeMn膜を用いることなく
ＭＲ素子の両端の磁区を容易に制御することができ、当
該磁気抵抗効果型磁気ヘッドの耐久性が向上する。
【００１４】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。 （第１実施例）まず、不図示の基板上に形成された膜厚
２００〜３００Å程度のNiFeCr膜などの軟磁性層１１上
に、３μｍ以下の、ほぼコア幅間隔を形成したタングス
テン（Ｗ）からなる下地膜１２を１００Å程度の厚さ
に、スパッタ法にて形成する。次にイオンミリングによ
り軟磁性層１１と下地膜１２との表面を清浄化した後、
CoCrTa膜１３をスパッタ法にて２００〜３００Å程度の
厚さに形成する。
いて説明する。 （第１実施例）まず、不図示の基板上に形成された膜厚
２００〜３００Å程度のNiFeCr膜などの軟磁性層１１上
に、３μｍ以下の、ほぼコア幅間隔を形成したタングス
テン（Ｗ）からなる下地膜１２を１００Å程度の厚さ
に、スパッタ法にて形成する。次にイオンミリングによ
り軟磁性層１１と下地膜１２との表面を清浄化した後、
CoCrTa膜１３をスパッタ法にて２００〜３００Å程度の
厚さに形成する。
【００１５】その後、CoCrTa膜１３上のセンス領域１８
となる部分に、タンタル（Ta）からなる膜厚１００Å、
幅３μｍ以下の中間層１４をリフトオフ法などによって
選択形成し、CoCrTa膜１３と中間層１４との表面をイオ
ンミリングにより清浄化した後、スパッタ法にて膜厚２
００〜３００Å程度のＭＲ素子１５を形成し、所定のパ
ターニング工程を経て、その上にセンス幅領域を挟むよ
うにして引き出し電極１６，１７を形成する。以上の製
造工程では、一様な磁界をヘッドの長手方向に印加して
いる。
となる部分に、タンタル（Ta）からなる膜厚１００Å、
幅３μｍ以下の中間層１４をリフトオフ法などによって
選択形成し、CoCrTa膜１３と中間層１４との表面をイオ
ンミリングにより清浄化した後、スパッタ法にて膜厚２
００〜３００Å程度のＭＲ素子１５を形成し、所定のパ
ターニング工程を経て、その上にセンス幅領域を挟むよ
うにして引き出し電極１６，１７を形成する。以上の製
造工程では、一様な磁界をヘッドの長手方向に印加して
いる。
【００１６】以上の製造方法により、図１に示すような
ＭＲヘッドが完成する。ところで、Ｗ膜やクロム（Cr）
膜上のCoCrTaは、成長過程においてCoCrTaの六方晶が膜
面内で横方向（以下この方向を膜面内方向と称する）に
成長する。そのため、膜面内方向では硬磁性となる。ま
た、例えばNiFe膜など、軟磁性を呈する膜上のCoCrTaで
は、成長過程においてCoCrTaの六方晶が膜面に対して垂
直に成長する。そのため、膜面内方向に垂直な方向では
硬磁性となっているが、膜面内方向では軟磁性を示すと
いう現象は周知である。
ＭＲヘッドが完成する。ところで、Ｗ膜やクロム（Cr）
膜上のCoCrTaは、成長過程においてCoCrTaの六方晶が膜
面内で横方向（以下この方向を膜面内方向と称する）に
成長する。そのため、膜面内方向では硬磁性となる。ま
た、例えばNiFe膜など、軟磁性を呈する膜上のCoCrTaで
は、成長過程においてCoCrTaの六方晶が膜面に対して垂
直に成長する。そのため、膜面内方向に垂直な方向では
硬磁性となっているが、膜面内方向では軟磁性を示すと
いう現象は周知である。
【００１７】この現象により、上記のＭＲヘッドにおい
て、ＭＲ素子１５の両端の領域の、Ｗからなる下地膜１
２上のCoCrTa膜１３は選択的に硬磁性膜１３Ａ、１３Ｃ
となっている。また、軟磁性層１１の上では、同様に結
晶性の関係から軟磁性となっている。このため、下地膜
１２上の硬磁性膜１３Ａ、１３Ｃと化したCoCrTa膜１３
と、その上に形成されたＭＲ素子１５との交換相互作用
により、ＭＲ素子１５のセンス領域の磁区を一方方向に
制御して、バルクハウゼン雑音による悪影響を抑止して
安定動作をはかることが可能になる。
て、ＭＲ素子１５の両端の領域の、Ｗからなる下地膜１
２上のCoCrTa膜１３は選択的に硬磁性膜１３Ａ、１３Ｃ
となっている。また、軟磁性層１１の上では、同様に結
晶性の関係から軟磁性となっている。このため、下地膜
１２上の硬磁性膜１３Ａ、１３Ｃと化したCoCrTa膜１３
と、その上に形成されたＭＲ素子１５との交換相互作用
により、ＭＲ素子１５のセンス領域の磁区を一方方向に
制御して、バルクハウゼン雑音による悪影響を抑止して
安定動作をはかることが可能になる。
【００１８】これにより、ＭＲ素子の両端の磁区を制御
するために従来必要であった、反強磁性体であるFeMn膜
を用いることなくその両端の磁区を制御することができ
るので、従来問題となっていた、腐食し易いFeMn膜を用
いることによる耐久性の低下という問題を極力抑止する
ことが可能になる。さらに、軟磁性層１１上のCoCrTa膜
１３は軟磁性を呈するので、これによりＭＲ素子１５の
中央領域であるセンス領域１８に横バイアスを印加する
ことも可能になる。
するために従来必要であった、反強磁性体であるFeMn膜
を用いることなくその両端の磁区を制御することができ
るので、従来問題となっていた、腐食し易いFeMn膜を用
いることによる耐久性の低下という問題を極力抑止する
ことが可能になる。さらに、軟磁性層１１上のCoCrTa膜
１３は軟磁性を呈するので、これによりＭＲ素子１５の
中央領域であるセンス領域１８に横バイアスを印加する
ことも可能になる。
【００１９】上記のＭＲヘッドを用いて記録媒体の情報
を読み出す際の動作について以下で簡単に説明する。磁
気ディスクなどの記録媒体はこのヘッドの下を当該ヘッ
ドの膜厚方向に移動する。ＭＲ素子１５の長手方向には
不図示の定電流源によるセンス電流が流れているので、
ＭＲ素子１５の中央領域であるセンス領域１８に不図示
の記録媒体からの信号磁界が入ると、センス領域１８で
のＭＲ素子１５の電気抵抗が変化して、その両端の電圧
が変化する。この電圧変化を検出電圧として検知し、引
き出し電極１６，１７から取り出して、情報の読み出し
を行う。 （第２実施例）以下で、本発明の第２実施例に係るＭＲ
ヘッドについて図２を参照しながら説明する。なお、第
１実施例のＭＲヘッドと共通する事項については、重複
を避けるため、説明を省略する。
を読み出す際の動作について以下で簡単に説明する。磁
気ディスクなどの記録媒体はこのヘッドの下を当該ヘッ
ドの膜厚方向に移動する。ＭＲ素子１５の長手方向には
不図示の定電流源によるセンス電流が流れているので、
ＭＲ素子１５の中央領域であるセンス領域１８に不図示
の記録媒体からの信号磁界が入ると、センス領域１８で
のＭＲ素子１５の電気抵抗が変化して、その両端の電圧
が変化する。この電圧変化を検出電圧として検知し、引
き出し電極１６，１７から取り出して、情報の読み出し
を行う。 （第２実施例）以下で、本発明の第２実施例に係るＭＲ
ヘッドについて図２を参照しながら説明する。なお、第
１実施例のＭＲヘッドと共通する事項については、重複
を避けるため、説明を省略する。
【００２０】まず、不図示の基板上に形成された膜厚２
００〜３００Å程度のNiFeCr膜などの軟磁性層２１上
に、３μｍ以下のコア幅間隔を形成したＷからなる下地
膜２２をスパッタ法にて１００Å程度の厚さに形成す
る。次にイオンミリングにより軟磁性層２１と下地膜２
２とを清浄化した後、スパッタ法にてCoCrTa膜２３を、
２００〜３００Å程度の厚さで、下地膜２２上に選択形
成する。
００〜３００Å程度のNiFeCr膜などの軟磁性層２１上
に、３μｍ以下のコア幅間隔を形成したＷからなる下地
膜２２をスパッタ法にて１００Å程度の厚さに形成す
る。次にイオンミリングにより軟磁性層２１と下地膜２
２とを清浄化した後、スパッタ法にてCoCrTa膜２３を、
２００〜３００Å程度の厚さで、下地膜２２上に選択形
成する。
【００２１】その後、コア幅領域に形成された下地膜２
２及びCoCrTa膜２３の間隙となる部分に、Taからなり、
膜厚１００Å程度の中間層２４をリフトオフ法などによ
って選択形成し、CoCrTa膜１３と中間層２４との表面を
イオンミリングにより清浄化した後、スパッタ法にてＭ
Ｒ素子２５を２００〜３００Å程度の厚さに形成し、所
定のパターニング工程を経た後、ＭＲ素子２５上の、セ
ンス領域２８を挟むようにして引き出し電極２６，２７
を形成する。
２及びCoCrTa膜２３の間隙となる部分に、Taからなり、
膜厚１００Å程度の中間層２４をリフトオフ法などによ
って選択形成し、CoCrTa膜１３と中間層２４との表面を
イオンミリングにより清浄化した後、スパッタ法にてＭ
Ｒ素子２５を２００〜３００Å程度の厚さに形成し、所
定のパターニング工程を経た後、ＭＲ素子２５上の、セ
ンス領域２８を挟むようにして引き出し電極２６，２７
を形成する。
【００２２】以上の製造方法により、図２に示すような
ＭＲヘッドが完成する。その読み出し時の動作について
は第１実施例と同様なので説明を省略する。本実施例が
第１実施例と異なる点は、全面にCoCrTa膜を形成せずに
下地膜２２上に選択形成し、下地膜２２及びCoCrTa膜２
３の間隙となる領域に中間層２４が充填されるように選
択形成している点である。
ＭＲヘッドが完成する。その読み出し時の動作について
は第１実施例と同様なので説明を省略する。本実施例が
第１実施例と異なる点は、全面にCoCrTa膜を形成せずに
下地膜２２上に選択形成し、下地膜２２及びCoCrTa膜２
３の間隙となる領域に中間層２４が充填されるように選
択形成している点である。
【００２３】すなわち、上記のＭＲヘッドによると、第
１実施例と同様にして、センス領域２８以外に形成され
た下地膜２２上のCoCrTa膜２３は選択的に硬磁性膜とな
っている。このため、下地膜２２上の硬磁性膜と化した
CoCrTa膜２３は、その上に形成されたＭＲ素子２５との
交換相互作用により、ＭＲ素子２５の両端の磁区を一方
方向に制御することができる。
１実施例と同様にして、センス領域２８以外に形成され
た下地膜２２上のCoCrTa膜２３は選択的に硬磁性膜とな
っている。このため、下地膜２２上の硬磁性膜と化した
CoCrTa膜２３は、その上に形成されたＭＲ素子２５との
交換相互作用により、ＭＲ素子２５の両端の磁区を一方
方向に制御することができる。
【００２４】これにより、第１実施例と同様にして、Ｍ
Ｒ素子の両端の磁区を制御するために従来必要であった
反強磁性体であるFeMn膜を用いることなく磁区を制御す
ることができるので、従来問題となっていた、腐食し易
いFeMn膜を用いることで耐久性に欠けていたという問題
を解決することが可能になる。また、下地膜以外の領域
すなわちコア幅領域ではCoCrTa膜２３が形成されておら
ず、そこには中間層が形成されているのみなので、この
領域では中間層２４が軟磁性になっており、これにより
ＭＲ素子２６の中央領域であるセンス領域２８に横バイ
アスを印加することが可能になる。
Ｒ素子の両端の磁区を制御するために従来必要であった
反強磁性体であるFeMn膜を用いることなく磁区を制御す
ることができるので、従来問題となっていた、腐食し易
いFeMn膜を用いることで耐久性に欠けていたという問題
を解決することが可能になる。また、下地膜以外の領域
すなわちコア幅領域ではCoCrTa膜２３が形成されておら
ず、そこには中間層が形成されているのみなので、この
領域では中間層２４が軟磁性になっており、これにより
ＭＲ素子２６の中央領域であるセンス領域２８に横バイ
アスを印加することが可能になる。
【００２５】（その他の実施例）上述の第１、第２実施
例では、下地膜の材質としてＷを用いていたが、本発明
はこれに限らず、たとえばクロム（Cr）でも、同様の効
果を奏する。また、同様にして中間層の材質としてTaを
用いていたが、本発明はこれに限らず、たとえばチタン
（Ti）でも、同様の効果を奏する。
例では、下地膜の材質としてＷを用いていたが、本発明
はこれに限らず、たとえばクロム（Cr）でも、同様の効
果を奏する。また、同様にして中間層の材質としてTaを
用いていたが、本発明はこれに限らず、たとえばチタン
（Ti）でも、同様の効果を奏する。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、軟磁
性層上に、コア幅間隔を空けて例えばタングステン又は
クロム膜からなる下地膜が形成され、下地膜及び軟磁性
層上に例えばCoCrTa膜などからなり、硬磁性膜上では硬
磁性を呈し、軟磁性層上では軟磁性を呈する磁性膜が形
成され、下地膜の間隙にタンタル又はチタンからなる中
間層が選択形成され、中間層及び磁性膜上にＭＲ素子が
形成され、中間層の両側の磁気抵抗効果素子上に引き出
し電極が形成されてなる。
性層上に、コア幅間隔を空けて例えばタングステン又は
クロム膜からなる下地膜が形成され、下地膜及び軟磁性
層上に例えばCoCrTa膜などからなり、硬磁性膜上では硬
磁性を呈し、軟磁性層上では軟磁性を呈する磁性膜が形
成され、下地膜の間隙にタンタル又はチタンからなる中
間層が選択形成され、中間層及び磁性膜上にＭＲ素子が
形成され、中間層の両側の磁気抵抗効果素子上に引き出
し電極が形成されてなる。
【００２７】これにより、バルクハウゼン雑音の悪影響
を抑止する目的で、ＭＲ素子の両端の磁区を制御するた
めに従来必要であった反強磁性体であるFeMn膜を用いる
ことなく、ＭＲ素子の両端の磁区を制御することができ
るので、従来生じていた、腐食し易いFeMn膜を磁区制御
用磁性膜として用いることによる耐久性の低下という問
題を極力抑止することが可能になる。
を抑止する目的で、ＭＲ素子の両端の磁区を制御するた
めに従来必要であった反強磁性体であるFeMn膜を用いる
ことなく、ＭＲ素子の両端の磁区を制御することができ
るので、従来生じていた、腐食し易いFeMn膜を磁区制御
用磁性膜として用いることによる耐久性の低下という問
題を極力抑止することが可能になる。
【００２８】また、下地膜以外の領域すなわちコア幅領
域でのCoCrTa膜は、その下地膜が軟磁性層になってい
て、この領域では軟磁性を示すので、これによりＭＲ素
子の中央領域であるセンス領域に横バイアスを印加する
ことも可能になる。
域でのCoCrTa膜は、その下地膜が軟磁性層になってい
て、この領域では軟磁性を示すので、これによりＭＲ素
子の中央領域であるセンス領域に横バイアスを印加する
ことも可能になる。
【図１】本発明の第１実施例に係るＭＲヘッドの構造を
説明する斜視図である。
説明する斜視図である。
【図２】本発明の第２実施例に係るＭＲヘッドの構造を
説明する斜視図である。
説明する斜視図である。
【図３】従来例に係るＭＲヘッドの構造を説明する斜視
図である。
図である。
１ 軟磁性層 ２ 非磁性導体層 ３ ＭＲ素子 ４ FeMn膜 ５ 引き出し電極 ６ 引き出し電極 ７ センス領域 １１ 軟磁性層 １２ 下地膜 １３ CoCrTa膜 １４ 中間層 １５ ＭＲ素子 １６ 引き出し電極 １７ 引き出し電極 １８ センス領域 ２１ 軟磁性層 ２２ 下地膜 ２３ CoCrTa膜 ２４ 中間層 ２５ ＭＲ素子 ２６ 引き出し電極 ２７ 引き出し電極
Claims (3)
- 【請求項１】 軟磁性層上に、コア幅間隔を空けて形成
された下地膜と、 前記下地膜及び前記軟磁性層上に形成され、前記下地膜
上では硬磁性を呈し、前記軟磁性層上では軟磁性を呈す
る磁性膜と、 前記下地膜の間隙に選択形成され、非磁性を呈する中間
層と、 前記中間層及び前記磁性膜上に形成された磁気抵抗効果
素子と、 前記中間層の両側の前記磁気抵抗効果素子上に形成され
た引き出し電極とを有することを特徴とする磁気抵抗効
果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 軟磁性層上に、コア幅間隔を空けて形成
された下地膜と、 前記下地膜上に選択形成され、前記下地膜上では硬磁性
を呈する磁性膜と、 前記軟磁性層上の前記下地膜と前記磁性膜との間隙に選
択形成された中間層と、 前記中間層及び前記下地膜上に形成された磁気抵抗効果
素子と、 前記中間層の両側の前記磁気抵抗効果素子上に形成され
た引き出し電極を有することを特徴とする磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記下地膜はタングステン又はクロム膜
からなり、前記中間層はタンタル又はチタンからなり、
かつ前記磁性膜はCoCrTa膜からなることを特徴とする請
求項１または請求項２記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17462294A JPH0836718A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17462294A JPH0836718A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836718A true JPH0836718A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15981818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17462294A Withdrawn JPH0836718A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0836718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08147638A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型読み取り変換器 |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP17462294A patent/JPH0836718A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08147638A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型読み取り変換器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |