JPH083745A - 被加工片の処理装置 - Google Patents
被加工片の処理装置Info
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- JPH083745A JPH083745A JP6286674A JP28667494A JPH083745A JP H083745 A JPH083745 A JP H083745A JP 6286674 A JP6286674 A JP 6286674A JP 28667494 A JP28667494 A JP 28667494A JP H083745 A JPH083745 A JP H083745A
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- JP
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- work piece
- opening
- lid portion
- gas
- recess
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0441—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明装置は半導体のような被加工片を第１
蓋部分１０で形成されたチェンバ１１内で処理する。 【構成】 チェンバ１１は開口を有し、これを通して被
加工片が移動路に沿って出し入れされる。開口１７は適
当なラム１９に装架された第２蓋部分１８で閉鎖される
が被加工片１２の移動路に対して傾斜した方向に開閉動
作する。 【効果】 この構成によれば開口１７が比較的小さくで
きる。
蓋部分１０で形成されたチェンバ１１内で処理する。 【構成】 チェンバ１１は開口を有し、これを通して被
加工片が移動路に沿って出し入れされる。開口１７は適
当なラム１９に装架された第２蓋部分１８で閉鎖される
が被加工片１２の移動路に対して傾斜した方向に開閉動
作する。 【効果】 この構成によれば開口１７が比較的小さくで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は被加工片を処理する処理
装置に係る。特に被加工片が半導体ウエーハーの場合に
関するがこれに限るものではない。
装置に係る。特に被加工片が半導体ウエーハーの場合に
関するがこれに限るものではない。
【０００２】
【従来の技術】本出願人になる国際出願ＷＯ９３／０８
５９１においては半導体ウエーハ及びこれに類する被加
工片を処理する処理装置について検討されここでは被加
工片が高温及び／或は高圧力を与えるように設計されて
いる。半導体ウエーハ及びこれに類する被加工片を処理
するにはウエーハ上の層内の小さなホール（ｖｉａｓ）
を埋めるための層を作ることがしばしば必要である。こ
れらのホールを埋めるためにはウエーハに高圧をかけた
り、時には高温にして上層を変形せしめてホールを埋め
得ることが知られている。
５９１においては半導体ウエーハ及びこれに類する被加
工片を処理する処理装置について検討されここでは被加
工片が高温及び／或は高圧力を与えるように設計されて
いる。半導体ウエーハ及びこれに類する被加工片を処理
するにはウエーハ上の層内の小さなホール（ｖｉａｓ）
を埋めるための層を作ることがしばしば必要である。こ
れらのホールを埋めるためにはウエーハに高圧をかけた
り、時には高温にして上層を変形せしめてホールを埋め
得ることが知られている。
【０００３】上記国際出願ＷＯ９３／０８５９１におい
ては一対の蓋部分が一体になった時に両者の対向面が閉
囲凹所を形成するようにしている。この閉囲凹所には処
理されるべき被加工片が収容され、該凹所にガスが送り
込まれ内部の圧力を上げる。一対の蓋部分を用いる理由
はこれら蓋部分が合体される前にウエーハが蓋部分間に
置き得るからである。一般に半導体ウエーハがその面に
全体的に並行に動かされ、然してこれら２つの蓋部分の
間に挿入される。それから蓋部分がウエーハ面に全体的
に垂直方向に動いて一体となされる。
ては一対の蓋部分が一体になった時に両者の対向面が閉
囲凹所を形成するようにしている。この閉囲凹所には処
理されるべき被加工片が収容され、該凹所にガスが送り
込まれ内部の圧力を上げる。一対の蓋部分を用いる理由
はこれら蓋部分が合体される前にウエーハが蓋部分間に
置き得るからである。一般に半導体ウエーハがその面に
全体的に並行に動かされ、然してこれら２つの蓋部分の
間に挿入される。それから蓋部分がウエーハ面に全体的
に垂直方向に動いて一体となされる。
【０００４】
【発明の概要】本発明は上記国際出願ＷＯ９３／０８５
９１に開示された処理装置の改良ないしは変形に係るも
のである。又ＥＰ−Ａ−０５１６３４４にも関するがこ
の出願はウエーハに高圧をかけウエーハ内の小さなホー
ル等を埋めるため半導体ウエーハに処理をなす出願に係
る。
９１に開示された処理装置の改良ないしは変形に係るも
のである。又ＥＰ−Ａ−０５１６３４４にも関するがこ
の出願はウエーハに高圧をかけウエーハ内の小さなホー
ル等を埋めるため半導体ウエーハに処理をなす出願に係
る。
【０００５】
【本発明の要旨】本発明の第１の要旨はウエーハが高温
及び／或は高圧を受けるようにした閉囲体（蓋部材）に
ある。上述した様に出願ＷＯ９３／０８５９１では蓋部
分がウエーハ面に対して垂直に動かされる。
及び／或は高圧を受けるようにした閉囲体（蓋部材）に
ある。上述した様に出願ＷＯ９３／０８５９１では蓋部
分がウエーハ面に対して垂直に動かされる。
【０００６】本発明の第１の要旨によれば第１蓋部分が
被加工片を受け入れる凹所を形成しこの凹所内で被加工
片が高温及び／或は高圧をうけるようにされ且つ被加工
片が適当な装入手段を用いて開口から第１蓋部分の凹所
内へと送られる。然して、第２蓋部分が開口を密閉する
ため設けられる。この第２蓋部分は被加工片の凹所への
移動路を開けておくことができるような方向に動いて密
閉位置から或はこの位置へ向かって可動とする。
被加工片を受け入れる凹所を形成しこの凹所内で被加工
片が高温及び／或は高圧をうけるようにされ且つ被加工
片が適当な装入手段を用いて開口から第１蓋部分の凹所
内へと送られる。然して、第２蓋部分が開口を密閉する
ため設けられる。この第２蓋部分は被加工片の凹所への
移動路を開けておくことができるような方向に動いて密
閉位置から或はこの位置へ向かって可動とする。
【０００７】好ましくはこの第２蓋部分は被加工片の移
動路に対し斜めの方向に動かす。
動路に対し斜めの方向に動かす。
【０００８】このようにして、第２蓋部分を動かす作動
手段は第１蓋部分への被加工片の通路を妨げず且つ出願
ＷＯ９３／０８５９１の様な垂直移動を避ける様に動か
す。このため、第１蓋部分の開口は比較的小さく出来、
第１蓋部分と第２蓋部分との間のシール面の寸法が小さ
く出来、漏洩少なく、密閉力が小さくてすむという要望
が達成される。
手段は第１蓋部分への被加工片の通路を妨げず且つ出願
ＷＯ９３／０８５９１の様な垂直移動を避ける様に動か
す。このため、第１蓋部分の開口は比較的小さく出来、
第１蓋部分と第２蓋部分との間のシール面の寸法が小さ
く出来、漏洩少なく、密閉力が小さくてすむという要望
が達成される。
【０００９】本発明変形においては、第２蓋部分を板状
となし、これが第１蓋部分の開口の周囲に衝接されて適
当なシールにより密閉する様にされる。或は又、第２蓋
部分をプラグとし、これが第１蓋部分の開口に受け入れ
られ、シールする様にしてもよい。シール面に滑りがな
いから通常は前者が好ましいが、後者はよりコンパクト
な構成になし得よう。
となし、これが第１蓋部分の開口の周囲に衝接されて適
当なシールにより密閉する様にされる。或は又、第２蓋
部分をプラグとし、これが第１蓋部分の開口に受け入れ
られ、シールする様にしてもよい。シール面に滑りがな
いから通常は前者が好ましいが、後者はよりコンパクト
な構成になし得よう。
【００１０】第２蓋部分は適当な液圧、空圧、電気式ラ
ムで動かすことが出来、第１蓋部分は被加工片を加熱す
るヒータを入れておくことが出来る。
ムで動かすことが出来、第１蓋部分は被加工片を加熱す
るヒータを入れておくことが出来る。
【００１１】一方或は他方の蓋部分は、第１蓋部分が第
２蓋部分により密封された時に第１蓋部分内の凹所内を
加圧し、被加工片に高圧をかけるガス用の出入り口を必
要とする。
２蓋部分により密封された時に第１蓋部分内の凹所内を
加圧し、被加工片に高圧をかけるガス用の出入り口を必
要とする。
【００１２】然して、被加工片が半導体ウエーハである
場合はこれは装入手段により第１蓋部分内部に移動され
ここで適当な装架台上に受けられ、装入手段を取り去
る。第１蓋部分内部はウエーハを受けるのにそして装入
手段を受け入れるのに十分な広さを必要とするが、内部
及び第１蓋部分の開口を被加工片形状に一致する様な形
状にすれば無駄なスペースを少なくすることが出来る。
場合はこれは装入手段により第１蓋部分内部に移動され
ここで適当な装架台上に受けられ、装入手段を取り去
る。第１蓋部分内部はウエーハを受けるのにそして装入
手段を受け入れるのに十分な広さを必要とするが、内部
及び第１蓋部分の開口を被加工片形状に一致する様な形
状にすれば無駄なスペースを少なくすることが出来る。
【００１３】一旦、被加工片が第１蓋部分内におかれる
と装入手段が取り除かれ第２蓋部分が第１蓋部分の開口
をシールする様に動く、次いでウエーハが高圧、高温を
受ける。
と装入手段が取り除かれ第２蓋部分が第１蓋部分の開口
をシールする様に動く、次いでウエーハが高圧、高温を
受ける。
【００１４】本発明第２の要旨は被加工片が処理される
閉囲体に高圧ガスを供給する点にある。
閉囲体に高圧ガスを供給する点にある。
【００１５】公知の高圧処理装置にあっては、用いられ
る高圧ガスは処理装置のバルブ及びアクチュエータの作
動障害を防止するため屡々濾過される。一般にこの濾過
の目的は処理されている被加工片からか或はガス圧縮送
給系から発生して装置の故障を招く微粒子を除去するこ
とにある。このような装置に用いられているフイルタは
１μ或はそれ以上の大きさの微粒子を保持することが出
来るのが典型的である。このような公知の高圧ガス処理
システムにおいては被加工片自体の汚染を防ぐ目的では
ガス濾過は利用していない。
る高圧ガスは処理装置のバルブ及びアクチュエータの作
動障害を防止するため屡々濾過される。一般にこの濾過
の目的は処理されている被加工片からか或はガス圧縮送
給系から発生して装置の故障を招く微粒子を除去するこ
とにある。このような装置に用いられているフイルタは
１μ或はそれ以上の大きさの微粒子を保持することが出
来るのが典型的である。このような公知の高圧ガス処理
システムにおいては被加工片自体の汚染を防ぐ目的では
ガス濾過は利用していない。
【００１６】本発明第２の要旨によれば、被加工片処理
装置は被加工片を処理する閉囲体、該閉囲体内にガスを
導入してこれを加圧するガス導入手段、上記閉囲体内に
ガスを導入する前にガスを濾過する手段とよりなる。
装置は被加工片を処理する閉囲体、該閉囲体内にガスを
導入してこれを加圧するガス導入手段、上記閉囲体内に
ガスを導入する前にガスを濾過する手段とよりなる。
【００１７】このような装置を利用して高圧ガスは濾過
され、被加工片が処理される際化学的及び／或は、微粒
子汚染から防護される。これは処理される被加工片が半
導体ウエーハの場合の特定の例でありこの場合はこのよ
うな汚染に特に敏感である。従って、第２の要旨の処理
装置は半導体ウエーハ処理に好適である。更に、この装
置は上述国際出願ＷＯ９３／０８５９１号、或は本発明
第１の要旨による形式の処理装置でもよい。濾過手段は
２つのフイルタより成るのが好ましく、その第１はガス
から化学的不純物を取り除き、第２は微粒子不純物を取
り除くことを目的とする。第 1のフイルタは活性炭素フ
イルタで、ガスからオイル蒸気を除去する。第２フイル
タは理想的には処理装置に出来るだけ至近に配置し、好
ましくは粒径０．０２μ或はこれ以上の大きさから０．
０１μ程度までの微粒子を取り込める程度のものであ
る。或は又、このフイルタは処理される被加工片の特定
寸法に見合った微粒子を取り込める規模のものとしても
よい。この特定寸法とは被加工片上に形成しようとする
最小パターンに関する寸法を言う。従って、処理にもよ
るがこのフイルタは上記特定寸法と同寸法或はそれ以
上、または上記特定寸法の１／１０、さらには１／５０
以下すらの寸法の微粒子を取り込むものである。このよ
うな高性能濾過は被加工片高圧処理技術においては独特
のものである。本装置は処理閉囲体を例えば１００バー
ル或はそれ以上の圧力にすることが出来る。又本装置は
通常、処理閉囲体及び／或はこれに内包される被加工片
の加熱手段を具備する。そして本装置は所要の処理条件
にするためヒータとかその他適当な装置を更に具備させ
てもよい。
され、被加工片が処理される際化学的及び／或は、微粒
子汚染から防護される。これは処理される被加工片が半
導体ウエーハの場合の特定の例でありこの場合はこのよ
うな汚染に特に敏感である。従って、第２の要旨の処理
装置は半導体ウエーハ処理に好適である。更に、この装
置は上述国際出願ＷＯ９３／０８５９１号、或は本発明
第１の要旨による形式の処理装置でもよい。濾過手段は
２つのフイルタより成るのが好ましく、その第１はガス
から化学的不純物を取り除き、第２は微粒子不純物を取
り除くことを目的とする。第 1のフイルタは活性炭素フ
イルタで、ガスからオイル蒸気を除去する。第２フイル
タは理想的には処理装置に出来るだけ至近に配置し、好
ましくは粒径０．０２μ或はこれ以上の大きさから０．
０１μ程度までの微粒子を取り込める程度のものであ
る。或は又、このフイルタは処理される被加工片の特定
寸法に見合った微粒子を取り込める規模のものとしても
よい。この特定寸法とは被加工片上に形成しようとする
最小パターンに関する寸法を言う。従って、処理にもよ
るがこのフイルタは上記特定寸法と同寸法或はそれ以
上、または上記特定寸法の１／１０、さらには１／５０
以下すらの寸法の微粒子を取り込むものである。このよ
うな高性能濾過は被加工片高圧処理技術においては独特
のものである。本装置は処理閉囲体を例えば１００バー
ル或はそれ以上の圧力にすることが出来る。又本装置は
通常、処理閉囲体及び／或はこれに内包される被加工片
の加熱手段を具備する。そして本装置は所要の処理条件
にするためヒータとかその他適当な装置を更に具備させ
てもよい。
【００１８】本発明は被加工片、特に半導体ウエーハの
処理方法をも提起する。この方法は閉囲体内にガスを導
入して該閉囲体内の被加工片に高圧をかけるが、この導
入前にガスを濾過することを含む。又上述した様にガス
が２つのフイルタを通され、化学的不純物及び微粒子不
純物両方に対して濾過されることも含む。
処理方法をも提起する。この方法は閉囲体内にガスを導
入して該閉囲体内の被加工片に高圧をかけるが、この導
入前にガスを濾過することを含む。又上述した様にガス
が２つのフイルタを通され、化学的不純物及び微粒子不
純物両方に対して濾過されることも含む。
【００１９】
【実施例】本発明実施例を添付図面により詳細に説明す
る。
る。
【００２０】図 1に示す様に第１蓋部分１０は２つの部
分１３、１４よりなり、これらはボルト１５で保持され
るがシール１６によって密封される。チェンバ１１の１
端は閉鎖されるが他端は開口１７で開き、この開口はチ
ェンバの延長方向に傾斜した面内にある。第２蓋部分１
８は適当なラム１９の手段により開口１７から離される
ように取り付けられている。開口１７の周囲にはシール
２０が設けられ第１蓋部分１０と第２１蓋部分１８とを
密閉する。半導体ウエーハのような被加工片を第１蓋部
分１０内に挿入するには第２蓋部分１８がラム１９によ
って開口１７から引かれる。適当な装入手段３０が被加
工片１２を第１蓋部分１０の外部から開口１７を通り凹
所１１の第１図に示す位置へと装填する。この位置にお
いて被加工片１２は支持体３１で受けられ、装入手段３
０が第１蓋部分から完全に引き出される。それからラム
１９が第２蓋部分１８を動かしシール２０に衝接させ開
口１７を密閉する。第１蓋部分１０にはヒータ３２が設
けられ凹所１１をして被加工片１２を加熱する適当な電
源接続３３が設けられる。ガスの出入口３４が設けられ
凹所１１を高圧とし被加工片１２が高圧に曝される。ガ
スの出入口３４にはシール３５が設けられるのが好まし
い。
分１３、１４よりなり、これらはボルト１５で保持され
るがシール１６によって密封される。チェンバ１１の１
端は閉鎖されるが他端は開口１７で開き、この開口はチ
ェンバの延長方向に傾斜した面内にある。第２蓋部分１
８は適当なラム１９の手段により開口１７から離される
ように取り付けられている。開口１７の周囲にはシール
２０が設けられ第１蓋部分１０と第２１蓋部分１８とを
密閉する。半導体ウエーハのような被加工片を第１蓋部
分１０内に挿入するには第２蓋部分１８がラム１９によ
って開口１７から引かれる。適当な装入手段３０が被加
工片１２を第１蓋部分１０の外部から開口１７を通り凹
所１１の第１図に示す位置へと装填する。この位置にお
いて被加工片１２は支持体３１で受けられ、装入手段３
０が第１蓋部分から完全に引き出される。それからラム
１９が第２蓋部分１８を動かしシール２０に衝接させ開
口１７を密閉する。第１蓋部分１０にはヒータ３２が設
けられ凹所１１をして被加工片１２を加熱する適当な電
源接続３３が設けられる。ガスの出入口３４が設けられ
凹所１１を高圧とし被加工片１２が高圧に曝される。ガ
スの出入口３４にはシール３５が設けられるのが好まし
い。
【００２１】図１からわかるように第２蓋部分１８の動
く方向は装入手段３０の動く方向とは（矢線３６で示
す）傾斜しており被加工片１２が第１蓋部分１０に挿入
される際ラムが第２蓋部分１８を開口１７から完全に引
っ込め、第１蓋部分１０に被加工片１２を挿入出来るよ
うにする。この動きの傾斜は厳密ではない。一般に開口
の寸法が小さいほど傾斜は小さい。また一般には開口は
出来るだけ小さくしてシール面積を小さくするのが有利
である。然し、傾斜角度が小さいと装入手段３０の移動
路を邪魔しないようにするには第２蓋部分１８は大きく
動かす必要がある。従って特定の実施に従ってこれら条
件のバランスが必要である。実際にはこの角度は３０〜
６０度が適当である。
く方向は装入手段３０の動く方向とは（矢線３６で示
す）傾斜しており被加工片１２が第１蓋部分１０に挿入
される際ラムが第２蓋部分１８を開口１７から完全に引
っ込め、第１蓋部分１０に被加工片１２を挿入出来るよ
うにする。この動きの傾斜は厳密ではない。一般に開口
の寸法が小さいほど傾斜は小さい。また一般には開口は
出来るだけ小さくしてシール面積を小さくするのが有利
である。然し、傾斜角度が小さいと装入手段３０の移動
路を邪魔しないようにするには第２蓋部分１８は大きく
動かす必要がある。従って特定の実施に従ってこれら条
件のバランスが必要である。実際にはこの角度は３０〜
６０度が適当である。
【００２２】図１に示す実施例では第２蓋部分１８は幅
が開口１７より広く従ってその周囲のシールも大きい。
図３に示す第２の実施例においては第２蓋部分１８は第
１蓋部分１０の開口を形成する領域４０内に嵌着するよ
うな形状にしてあり、シール４１が該第２蓋部分１８に
設けられてこれを領域４０の壁に対しシールする。本実
施例の他の部分は図１、２と同じであり同じ数字を以て
示す。
が開口１７より広く従ってその周囲のシールも大きい。
図３に示す第２の実施例においては第２蓋部分１８は第
１蓋部分１０の開口を形成する領域４０内に嵌着するよ
うな形状にしてあり、シール４１が該第２蓋部分１８に
設けられてこれを領域４０の壁に対しシールする。本実
施例の他の部分は図１、２と同じであり同じ数字を以て
示す。
【００２３】図３の実施例では第２蓋部分１８が第１蓋
部分１０に挿入された時にシール４１が領域４０の壁に
沿って滑る欠点がありこれは常に好ましくない。特に被
加工片が半導体ウエーハである場合はこのようなシール
の滑りはウエーハを汚染する微粒子を生じることがあり
好ましくない。一方その他の条件については図３装置は
満足である。
部分１０に挿入された時にシール４１が領域４０の壁に
沿って滑る欠点がありこれは常に好ましくない。特に被
加工片が半導体ウエーハである場合はこのようなシール
の滑りはウエーハを汚染する微粒子を生じることがあり
好ましくない。一方その他の条件については図３装置は
満足である。
【００２４】図４、５は図１に示されたのと同じく処理
装置を示すが 同じ部分は同じ数字で示す。図４、５装
置は第１蓋部分１０の開口１７をシールするために他の
形式の第２蓋部分１８を有する。この場合、第２蓋部分
は凹所１１のなかにおいたシールプレートであって、こ
の閉鎖位置にあってはシール２０に重なって衝接するよ
うに開口１７の周縁に配置される。このシールプレート
はラム１９の作動回数により開口１７に対し開閉する。
開放位置にあっては、シールプレート１８は凹所１１に
設けた５０で示す空間に納まる。図４と図１との第２蓋
部材の違いの要部は図４実施例においてはラム１９が凹
部１１内ガス圧による力に抗する必要がない点にある。
凹所１１の内壁に対してシールプレート１８は凹所１１
内に入ってくる圧入ガスによる力により付勢される。
装置を示すが 同じ部分は同じ数字で示す。図４、５装
置は第１蓋部分１０の開口１７をシールするために他の
形式の第２蓋部分１８を有する。この場合、第２蓋部分
は凹所１１のなかにおいたシールプレートであって、こ
の閉鎖位置にあってはシール２０に重なって衝接するよ
うに開口１７の周縁に配置される。このシールプレート
はラム１９の作動回数により開口１７に対し開閉する。
開放位置にあっては、シールプレート１８は凹所１１に
設けた５０で示す空間に納まる。図４と図１との第２蓋
部材の違いの要部は図４実施例においてはラム１９が凹
部１１内ガス圧による力に抗する必要がない点にある。
凹所１１の内壁に対してシールプレート１８は凹所１１
内に入ってくる圧入ガスによる力により付勢される。
【００２５】一方、図４、５実施例は図１、２実施例に
比べ不利な点もある。即ち被加工片１２の凹所出入り用
の余地を取るためシールプレートが動かねばならないた
めの空間５０が凹所全体の嵩を増すことになる点であ
る。
比べ不利な点もある。即ち被加工片１２の凹所出入り用
の余地を取るためシールプレートが動かねばならないた
めの空間５０が凹所全体の嵩を増すことになる点であ
る。
【００２６】図４実施例は他に図示した実施例と同じよ
うにラム１９以外に第２蓋部分１８を動かす他の機構も
利用出来る。これが図４実施例の特殊性であり、作動機
構がガス高圧に抗する必要がないから高圧シールを通し
て凹所１１の頂部に入る電磁アクチュエータやラムのよ
うな他の形式の機構も用い得る。
うにラム１９以外に第２蓋部分１８を動かす他の機構も
利用出来る。これが図４実施例の特殊性であり、作動機
構がガス高圧に抗する必要がないから高圧シールを通し
て凹所１１の頂部に入る電磁アクチュエータやラムのよ
うな他の形式の機構も用い得る。
【００２７】図４装置の側面を示す図５には２つのラム
１９を示しシールプレート１８をその閉鎖、開放位置へ
と動かす。
１９を示しシールプレート１８をその閉鎖、開放位置へ
と動かす。
【００２８】シールプレート１８を動かす機構は被加工
片１２を開口１７を経て凹所１１へと出し入れが出来る
様な適切な形状を取らねばならないこと当然である。
片１２を開口１７を経て凹所１１へと出し入れが出来る
様な適切な形状を取らねばならないこと当然である。
【００２９】図６に示す処理装置は本発明の第１及び第
２実施例に基づくものである。殆どの実施例は図１装置
と同じであり、同じ様な部分は同じ数字で示す。然し、
図 6装置は凹所１１の入口直前のガス出入り口３４にお
いたフイルタ組立体５３が追加されている。このフイル
タ組立体５３は５３ａと５３ｂとの２つのフイルタより
なり、第 1フイルタ５３ａは凹所１１内へはいるガスか
ら化学的汚染物質を除去する目的を有し、第２フイルタ
５３ｂは粒状の汚染物質を除去する目的のものである。
然して、被加工片１２は凹所１１内に入る汚染物から防
護される。
２実施例に基づくものである。殆どの実施例は図１装置
と同じであり、同じ様な部分は同じ数字で示す。然し、
図 6装置は凹所１１の入口直前のガス出入り口３４にお
いたフイルタ組立体５３が追加されている。このフイル
タ組立体５３は５３ａと５３ｂとの２つのフイルタより
なり、第 1フイルタ５３ａは凹所１１内へはいるガスか
ら化学的汚染物質を除去する目的を有し、第２フイルタ
５３ｂは粒状の汚染物質を除去する目的のものである。
然して、被加工片１２は凹所１１内に入る汚染物から防
護される。
【００３０】フイルタ自体は従来のものであるが、問題
は本発明処理装置に用いられる凹所１１に対する位置及
び目的であり、図６装置では本質的なものである。この
特定なフイルタも特に細かく、０．０１μ又は０．０２
μ或はこれ以上の大きさの微粒子をトラップ出来る。こ
のフイルタの実際の作動特性は上述した様に被加工片の
寸法と釣り合うように選ばれる。
は本発明処理装置に用いられる凹所１１に対する位置及
び目的であり、図６装置では本質的なものである。この
特定なフイルタも特に細かく、０．０１μ又は０．０２
μ或はこれ以上の大きさの微粒子をトラップ出来る。こ
のフイルタの実際の作動特性は上述した様に被加工片の
寸法と釣り合うように選ばれる。
【図１】本発明の第１要旨の第 1実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】図１の側面図である。
【図３】本発明の第１要旨の第２実施例の１部を示す断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第１要旨の第３実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】図 4の側面図である。
【図６】本発明第 1要旨、第２要旨の実施例を示す側面
図である。
図である。
１０…第１蓋部分 １１…凹所 １２…被加工片 １７…開口 １８…第２蓋部分 １９…ラム
Claims (17)
- 【請求項１】 被加工片を入れる凹所及び上記被加工片
を挿入し移動路に沿って取り出す開口とを形成する第１
蓋部分、上記凹所の開口を密閉する第２蓋部分、上記第
２蓋部分を上記開口を密閉する第１のシール部分へ動か
し、該第１のシール部分から被加工片移動路を開ける第
２の部分へと動かす作動手段とを具備して成ることを特
徴とする被加工片の処理装置。 - 【請求項２】 作動手段が上記第２蓋部分を上記被加工
片の移動路に傾斜した方向に動かすことを特徴とする被
加工片の処理装置。 - 【請求項３】 上記第２蓋部分がプレートであり、上記
第１蓋部分が上記開口の周縁に衝接部を形成し、且つ該
開口の回りに延びるシール手段を含むことを特徴とする
前記請求項１又は２記載の被加工片の処理装置。 - 【請求項４】 上記第２蓋部分が上記開口に挿入出来て
これを密封するプラグの形態のものであることを特徴と
する前記請求項１又は２記載の被加工片の処理装置。 - 【請求項５】 上記第１蓋部分及び上記第２蓋部分が上
記凹所内にあることを特徴とする前記請求項各項の何れ
かに記載の被加工片の処理装置。 - 【請求項６】 上記作動手段がラムを含むことを特徴と
する前記請求項各項の何れかに記載の被加工片の処理装
置。 - 【請求項７】 上記被加工片を加熱する手段を更に具備
することを特徴とする前記請求項各項の何れかに記載の
被加工片の処理装置。 - 【請求項８】 上記凹所が上記第２蓋部分でシールされ
た時に該凹所を加圧するためのガス入口を具備し、然し
て上記被加工片が高圧に曝されることを特徴とする前記
請求項各項の何れかに記載の被加工片の処理装置。 - 【請求項９】 上記凹所への出入路に上記被加工片を移
動する装入手段を具備することを特徴とする前記請求項
各項の何れかに記載の被加工片の処理装置。 - 【請求項１０】 上記凹所内で上記被加工片を支持する
支持体を更に含むことを特徴とする前記請求項各項の何
れかに記載の被加工片の処理装置。 - 【請求項１１】 閉囲体を具備してなる被加工片の処理
装置において、処理され得る被加工片、該閉囲体内にガ
スを導入してこれを加圧するガス導入手段、上記閉囲体
内にガスを導入する前にガスを濾過する手段、とを具備
してなることを特徴とする被加工片の処理装置。 - 【請求項１２】 上記濾過する手段が２つのフイルタよ
りなり、その第１はガスから化学的不純物を除去し、そ
の第２は微粒子不純物を除去することを特徴とする前記
請求項１１に記載の被加工片の処理装置。 - 【請求項１３】 上記フイルタが所期の被加工片寸法に
見合った微粒子を取り込むことを特徴とする前記請求項
１２に記載の被加工片の処理装置。 - 【請求項１４】 上記第２のフイルタが０、０１μ又は
それ以上の寸法の微粒子を取り込むことが出来ることを
特徴とする前記請求項１２又は１３に記載の被加工片の
処理装置。 - 【請求項１５】 上記閉囲体内にガスを導入して該閉囲
体内の被加工片に高圧をかけるが、この導入前にガスが
濾過されることを特徴とする被加工片の処理方法。 - 【請求項１６】 化学的不純物及び微粒子不純物両方に
対してガスが濾過されることを特徴とする前記請求項１
５記載の被加工片の処理方法。 - 【請求項１７】 上記被加工片を開口を通して上記閉囲
体内へ移動路に沿って装入し、該被加工片移動路に傾斜
する行程に沿ってシール部分を動かすことにより上記開
口をシールすることを特徴とする被加工片の処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9324002.6 | 1993-11-22 | ||
| GB939324002A GB9324002D0 (en) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | Processing system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH083745A true JPH083745A (ja) | 1996-01-09 |
Family
ID=10745518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6286674A Pending JPH083745A (ja) | 1993-11-22 | 1994-11-21 | 被加工片の処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083745A (ja) |
| GB (2) | GB9324002D0 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001262375A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-26 | Shibaura Mechatronics Corp | ドライエッチング装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2009359C3 (de) * | 1970-02-27 | 1974-05-02 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Anordnung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in ein Halbleitermaterial |
| US4293249A (en) * | 1980-03-03 | 1981-10-06 | Texas Instruments Incorporated | Material handling system and method for manufacturing line |
| US4548699A (en) * | 1984-05-17 | 1985-10-22 | Varian Associates, Inc. | Transfer plate rotation system |
| JP2507302B2 (ja) * | 1984-09-19 | 1996-06-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド | 半導体ウエハをイオンインプランテ−シヨンする装置及び方法 |
| US5143103A (en) * | 1991-01-04 | 1992-09-01 | International Business Machines Corporation | Apparatus for cleaning and drying workpieces |
| GB9122676D0 (en) * | 1991-10-25 | 1991-12-11 | Electrotech Ltd | Processing system |
-
1993
- 1993-11-22 GB GB939324002A patent/GB9324002D0/en active Pending
-
1994
- 1994-10-11 GB GB9422824A patent/GB2284096A/en not_active Withdrawn
- 1994-11-21 JP JP6286674A patent/JPH083745A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001262375A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-26 | Shibaura Mechatronics Corp | ドライエッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9422824D0 (en) | 1995-01-04 |
| GB2284096A (en) | 1995-05-24 |
| GB9324002D0 (en) | 1994-01-12 |
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