JPH083794A - 電解質のチャネル化流れの局部的付着を利用する電気エッチング装置 - Google Patents
電解質のチャネル化流れの局部的付着を利用する電気エッチング装置Info
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- JPH083794A JPH083794A JP7136266A JP13626695A JPH083794A JP H083794 A JPH083794 A JP H083794A JP 7136266 A JP7136266 A JP 7136266A JP 13626695 A JP13626695 A JP 13626695A JP H083794 A JPH083794 A JP H083794A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/07—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process being removed electrolytically
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 超小型電子部品の製造用の、高密度のフィー
チャを有する大面積のマスクなどの加工品に対しての電
気エッチング装置。 【構成】 加工品３は、その両側を対応する互いに位置
合わせされたフィーチャを両面に有する鏡像様のマスク
開口でマスクし、電解質を通す各オリフィスは、ポリ塩
化ビニル材料のブロックの表面に開いた溝を有し、この
溝はタンクに対して垂直方向に延びて、溝の下端は導電
性板に隣接している。上端は、陰極アセンブリ４，５が
案内レール６，７に沿って移動する際、マスクされた板
に接して保持される。新鮮な電解質は上端から溝に導入
され、使用済みの電解質は溝の下端から出て、再循環の
ためタンク貯蔵槽に入る。
チャを有する大面積のマスクなどの加工品に対しての電
気エッチング装置。 【構成】 加工品３は、その両側を対応する互いに位置
合わせされたフィーチャを両面に有する鏡像様のマスク
開口でマスクし、電解質を通す各オリフィスは、ポリ塩
化ビニル材料のブロックの表面に開いた溝を有し、この
溝はタンクに対して垂直方向に延びて、溝の下端は導電
性板に隣接している。上端は、陰極アセンブリ４，５が
案内レール６，７に沿って移動する際、マスクされた板
に接して保持される。新鮮な電解質は上端から溝に導入
され、使用済みの電解質は溝の下端から出て、再循環の
ためタンク貯蔵槽に入る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は全般的に電気エッチング
に関し、より詳しくは、超小型電子部品製造用の高密度
のフィーチャを有する比較的広い面積のマスクの電気エ
ッチングに関する。
に関し、より詳しくは、超小型電子部品製造用の高密度
のフィーチャを有する比較的広い面積のマスクの電気エ
ッチングに関する。
【０００２】
【従来の技術】化学エッチングは、超小型電子部品製造
に用いるのに適した金属マスクを作成する技術分野で周
知である。化学エッチングには、腐食性が高く有害な薬
品がしばしば用いられる。このような方法はまた、ます
ます厳しくなる環境法規に適合するために非常に費用の
かかる処理を必要とする有毒廃棄物を産み出す。さら
に、化学エッチングは遅く、解像力に限度がある。電気
エッチング技術はこのような問題の厳しさを軽減する
が、金属マスクの製造には用いられていない。
に用いるのに適した金属マスクを作成する技術分野で周
知である。化学エッチングには、腐食性が高く有害な薬
品がしばしば用いられる。このような方法はまた、ます
ます厳しくなる環境法規に適合するために非常に費用の
かかる処理を必要とする有毒廃棄物を産み出す。さら
に、化学エッチングは遅く、解像力に限度がある。電気
エッチング技術はこのような問題の厳しさを軽減する
が、金属マスクの製造には用いられていない。
【０００３】そのうえ、電気エッチングは化学エッチン
グより金属除去がよく制御できる。一般に等方性である
化学エッチングに比べて、電気エッチングではある程度
の異方性が得られる。エッチングされる領域を画定する
のに用いられるフォトレジストにはシャドウ効果がある
ため、エッチング速度が局所的に減少して異方性のエッ
チング効果が生ずる位置に対する電流の直接の作用には
ある程度の制限がある。電気エッチングの他の利点に
は、金属除去速度が大きいことならびに、安全および廃
棄物処理の問題を最小限に抑えて、電解質中で、耐食性
金属を含む種々の金属および合金をエッチングできる可
能性があることがある。
グより金属除去がよく制御できる。一般に等方性である
化学エッチングに比べて、電気エッチングではある程度
の異方性が得られる。エッチングされる領域を画定する
のに用いられるフォトレジストにはシャドウ効果がある
ため、エッチング速度が局所的に減少して異方性のエッ
チング効果が生ずる位置に対する電流の直接の作用には
ある程度の制限がある。電気エッチングの他の利点に
は、金属除去速度が大きいことならびに、安全および廃
棄物処理の問題を最小限に抑えて、電解質中で、耐食性
金属を含む種々の金属および合金をエッチングできる可
能性があることがある。
【０００４】１９７６年６月８日発行のシャキルＡ．ア
ッバース（Shakir A.Abbas）の米国特許第３９６２０５
６号は、マスクした単結晶シリコン・ウェーハの垂直面
に穴を開けるための改良された電気エッチング方法を開
示している。位置合わせしたマスク開口部を通して、シ
リコン・ウェーハの両面上に不純物を導入する。次に、
ウェーハをマスク開口部を通してウェーハの片面で陽極
腐食させて、開口部の位置にウェーハを貫通する多孔質
のシリコン領域を形成させる。多孔質シリコン・エッチ
ャントをマスク開口部を通してウェーハの両側から同時
に作用させて、得られた多孔質のシリコン領域を除去す
る。
ッバース（Shakir A.Abbas）の米国特許第３９６２０５
６号は、マスクした単結晶シリコン・ウェーハの垂直面
に穴を開けるための改良された電気エッチング方法を開
示している。位置合わせしたマスク開口部を通して、シ
リコン・ウェーハの両面上に不純物を導入する。次に、
ウェーハをマスク開口部を通してウェーハの片面で陽極
腐食させて、開口部の位置にウェーハを貫通する多孔質
のシリコン領域を形成させる。多孔質シリコン・エッチ
ャントをマスク開口部を通してウェーハの両側から同時
に作用させて、得られた多孔質のシリコン領域を除去す
る。
【０００５】１９７３年５月１日発行のＷ．Ａ．ハガテ
ィ（W.A.Haggerty）の米国特許第３７３０８６１号は、
正確に形成された加工品を製造するための別の電気エッ
チング技術を開示している。この技術では、回転する陽
極加工品から所定の距離に電気化学式加工器具を配置し
て、陰極電解質の流れを加工品の方向に向ける。
ィ（W.A.Haggerty）の米国特許第３７３０８６１号は、
正確に形成された加工品を製造するための別の電気エッ
チング技術を開示している。この技術では、回転する陽
極加工品から所定の距離に電気化学式加工器具を配置し
て、陰極電解質の流れを加工品の方向に向ける。
【０００６】例として引用したどちらの特許も、電気エ
ッチングによる金属マスクの製作、および、加工品全体
における電流と電解質の分布の均一性の維持におけるそ
の問題点、特に加工品が超小型電子部品製造用の高密度
のフィーチャを有する比較的大面積のマスクである場合
の問題点には触れていない。
ッチングによる金属マスクの製作、および、加工品全体
における電流と電解質の分布の均一性の維持におけるそ
の問題点、特に加工品が超小型電子部品製造用の高密度
のフィーチャを有する比較的大面積のマスクである場合
の問題点には触れていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一目的は、加
工品全体において電流と電解質の分布の均一性を維持し
ながら、高密度のフィーチャを特徴とする大面積の加工
品を作成するための電気エッチング装置を提供すること
にある。
工品全体において電流と電解質の分布の均一性を維持し
ながら、高密度のフィーチャを特徴とする大面積の加工
品を作成するための電気エッチング装置を提供すること
にある。
【０００８】もう一つの目的は、超小型電子部品作成用
の大面積でフィーチャ密度の高いマスクの製作に特に適
合した、電気エッチング装置を提供することにある。
の大面積でフィーチャ密度の高いマスクの製作に特に適
合した、電気エッチング装置を提供することにある。
【０００９】もう一つの目的は、加工品全体において電
流と電解質の分布の均一性を維持しながら、高密度のフ
ィーチャを特徴とする大面積の加工品の両面を同時にエ
ッチングするための電気エッチング装置を提供すること
にある。
流と電解質の分布の均一性を維持しながら、高密度のフ
ィーチャを特徴とする大面積の加工品の両面を同時にエ
ッチングするための電気エッチング装置を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の上記その他の目
的は、以下の明細書を読めば明らかとなるように、最良
の態様の実施例においては、その中でマスクされたモリ
ブデン板を固定位置から垂直方向につり下げた、電解質
タンクを提供することによって達成される。そのタンク
は、電解質の再循環槽の役割を果たす。槽中の電解質は
濾過されて、移動する陰極アセンブリに輸送され、そこ
から、流動する電解質が帯電したオリフィスを通って加
工品の少なくとも片側に選択的に付着される。加工品
は、移動する陰極に対して正の電位に維持される。最良
の実施例においては、モリブデン板は、その両側が、互
いに位置合わせされた対応するフィーチャを有する鏡像
のマスク開口でマスクされる。一対の位置合わせされた
陰極アセンブリを、タンクをまたぐ案内レールの間を移
動させて、流動する電解質を両側がマスクされた板の、
位置合わせされた対向する位置に同時に付着させる。
的は、以下の明細書を読めば明らかとなるように、最良
の態様の実施例においては、その中でマスクされたモリ
ブデン板を固定位置から垂直方向につり下げた、電解質
タンクを提供することによって達成される。そのタンク
は、電解質の再循環槽の役割を果たす。槽中の電解質は
濾過されて、移動する陰極アセンブリに輸送され、そこ
から、流動する電解質が帯電したオリフィスを通って加
工品の少なくとも片側に選択的に付着される。加工品
は、移動する陰極に対して正の電位に維持される。最良
の実施例においては、モリブデン板は、その両側が、互
いに位置合わせされた対応するフィーチャを有する鏡像
のマスク開口でマスクされる。一対の位置合わせされた
陰極アセンブリを、タンクをまたぐ案内レールの間を移
動させて、流動する電解質を両側がマスクされた板の、
位置合わせされた対向する位置に同時に付着させる。
【００１１】
【実施例】本発明の電気エッチング装置は、加工品の面
を横断して走査される移動する陰極の帯電オリフィスか
らの流動する電解質による、マスクされた加工品の局部
溶解技法を利用している。図１を参照すると、加工品ホ
ルダまたはマスク・ホルダ１が電解質貯蔵タンク２の側
壁に固定されている。マスクされたモリブデン板３がホ
ルダ１に挿入されている。板３の両面は、所望の形状と
大きさの穴を板３中の所望の場所に配置するためにフィ
ーチャを画定するためのレジスト・マスクで覆われてい
る。二つのレジスト・マスクは互いに鏡像の関係にあっ
て、対応するフィーチャが板３の両面上で位置合わせさ
れた位置関係にある。
を横断して走査される移動する陰極の帯電オリフィスか
らの流動する電解質による、マスクされた加工品の局部
溶解技法を利用している。図１を参照すると、加工品ホ
ルダまたはマスク・ホルダ１が電解質貯蔵タンク２の側
壁に固定されている。マスクされたモリブデン板３がホ
ルダ１に挿入されている。板３の両面は、所望の形状と
大きさの穴を板３中の所望の場所に配置するためにフィ
ーチャを画定するためのレジスト・マスクで覆われてい
る。二つのレジスト・マスクは互いに鏡像の関係にあっ
て、対応するフィーチャが板３の両面上で位置合わせさ
れた位置関係にある。
【００１２】２つの可動陰極アセンブリ４および５が、
横断する支持部材８を介して案内レール６および７に乗
っており、支持部材８、両方向矢印９で示すようにアセ
ンブリ４および５を、加工品３の対向する面をそれぞれ
横切って同期して走査するように駆動可能である。各陰
極 アセンブリは、流動する電解質が電界の存在下に両
面をマスクされた板３上の位置合わせされた対向する位
置に同時に付着されるように、タンク２に対して垂直方
向に延びる狭い帯電オリフィスを備える。このアセンブ
リを図２により詳しく示す。
横断する支持部材８を介して案内レール６および７に乗
っており、支持部材８、両方向矢印９で示すようにアセ
ンブリ４および５を、加工品３の対向する面をそれぞれ
横切って同期して走査するように駆動可能である。各陰
極 アセンブリは、流動する電解質が電界の存在下に両
面をマスクされた板３上の位置合わせされた対向する位
置に同時に付着されるように、タンク２に対して垂直方
向に延びる狭い帯電オリフィスを備える。このアセンブ
リを図２により詳しく示す。
【００１３】図２に示すように、オリフィスはポリ塩化
ビニル・ブロック１１の面に削り込んだ溝１０の形にな
っている。ブロック１１の表面に隣接して導電性板１２
が埋め込まれていて、これに電極１３を介して電位がか
けられる。流動電解質１４はダクト１５から溝１０の上
端に入り、溝１０の下端から出て図１の貯蔵タンク２に
入る。加工品３が近くにあり、そのマスクされた面を横
切って溝１０の開口が同一面にあり接近して走査される
ので、電解質１４の流れは溝１０内と図１の加工品３の
面に向かってだけに限られている。陰極を所定の速度で
加工品の上を移動させるために、精密線形移動装置（図
示せず）が使用される。
ビニル・ブロック１１の面に削り込んだ溝１０の形にな
っている。ブロック１１の表面に隣接して導電性板１２
が埋め込まれていて、これに電極１３を介して電位がか
けられる。流動電解質１４はダクト１５から溝１０の上
端に入り、溝１０の下端から出て図１の貯蔵タンク２に
入る。加工品３が近くにあり、そのマスクされた面を横
切って溝１０の開口が同一面にあり接近して走査される
ので、電解質１４の流れは溝１０内と図１の加工品３の
面に向かってだけに限られている。陰極を所定の速度で
加工品の上を移動させるために、精密線形移動装置（図
示せず）が使用される。
【００１４】図３は図１および図２の部品を含めた本発
明の装置全体のブロック・ダイアグラムである。図３は
さらに電解質再循環システムと、陽極である加工品に対
して両方の陰極に電位がかけられる方法とを示す。電解
質１４は槽２に蓄えられ、ポンプ１６でフィルタ１７を
通して送られ、それぞれ弁１８と流量計１９、および弁
２０と流量計２１を経て、二つの陰極アセンブリに分配
される。加工品３は電源２２および２３の正極に接続さ
れている。電源２２および２３の負担はそれぞれ陽極５
および４に接続されている。陰極５および４と加工品３
との間にかけられる電荷をよりよく制御するために別々
の２つの電源２２および２３が使用される。電源２２お
よび２３は、積算計を有し、エッチング中に消費する電
荷の量が予め設定できることが好ましい。
明の装置全体のブロック・ダイアグラムである。図３は
さらに電解質再循環システムと、陽極である加工品に対
して両方の陰極に電位がかけられる方法とを示す。電解
質１４は槽２に蓄えられ、ポンプ１６でフィルタ１７を
通して送られ、それぞれ弁１８と流量計１９、および弁
２０と流量計２１を経て、二つの陰極アセンブリに分配
される。加工品３は電源２２および２３の正極に接続さ
れている。電源２２および２３の負担はそれぞれ陽極５
および４に接続されている。陰極５および４と加工品３
との間にかけられる電荷をよりよく制御するために別々
の２つの電源２２および２３が使用される。電源２２お
よび２３は、積算計を有し、エッチング中に消費する電
荷の量が予め設定できることが好ましい。
【００１５】陰極１２は、ブロック１１上に電解質１４
の溝１０への入口からある距離の所に固定される。この
距離は、入口長さと呼ばれ、電極の活性表面における速
度プロフィルを充分に発達させるために、原則として流
路の水力直径の約５０倍でなければならない。その効果
を補足する助けとして電解質の入口に何らかのバッフル
手段（図示せず）を設置することができる。
の溝１０への入口からある距離の所に固定される。この
距離は、入口長さと呼ばれ、電極の活性表面における速
度プロフィルを充分に発達させるために、原則として流
路の水力直径の約５０倍でなければならない。その効果
を補足する助けとして電解質の入口に何らかのバッフル
手段（図示せず）を設置することができる。
【００１６】陰極溝の寸法と電解質の流れとは、加工品
全体にわたって均一な電流分布を得るための重要なパラ
メータである。陰極の長さは、加工品の実長より少し長
くすべきである。電解質の流れは、溝の長さから与えら
れた場合、溝の幅および加工品３と陰極４、５との間の
間隔によって確定される溝１０の水力直径によって決ま
る。加工品の溶解を局在化し、高い電流密度を得るため
に、たとえば６．３〜１２．７ｃｍ（０．２５−０．５
インチ）程度の非常に狭い溝１０が用いられる。アセン
ブリ４および５と加工品３との間の間隔を約２−３ｍｍ
と狭くすると、高い流速と流れの方向性の改善が達成さ
れる。
全体にわたって均一な電流分布を得るための重要なパラ
メータである。陰極の長さは、加工品の実長より少し長
くすべきである。電解質の流れは、溝の長さから与えら
れた場合、溝の幅および加工品３と陰極４、５との間の
間隔によって確定される溝１０の水力直径によって決ま
る。加工品の溶解を局在化し、高い電流密度を得るため
に、たとえば６．３〜１２．７ｃｍ（０．２５−０．５
インチ）程度の非常に狭い溝１０が用いられる。アセン
ブリ４および５と加工品３との間の間隔を約２−３ｍｍ
と狭くすると、高い流速と流れの方向性の改善が達成さ
れる。
【００１７】図４に、両面電気エッチングで得られるス
ルーホールの側壁形状と、陰極４および５と加工品３と
の間にかけた電圧の関係を示す。たとえばフォトレジス
ト２７を使用することによりマスク３にエッチングする
フィーチャの性質によっては、そのような異なる側壁形
状が必要であろう。たとえば、スクリーン印刷用のモリ
ブデン・マスクは、ホールの壁が図４の２４のようにま
っすぐであることを必要とする。２５に示す細いバイア
の方が、完成したマスク３をＣ４ボンディング用の蒸着
マスクとして使用する場合にはより適切であろう。図４
に示す異なる側壁形状は、かける電圧の量を制御するな
どにより、エッチング量を制御することによって達成さ
れる。電位を少しずつ増加させると、次々に２５、２
４、２６のような形状が得られる。しかし、パターンの
大きさと密度の異なるをフィーチャの制作には、形状の
均一性を達成するために加工品全体の電流分布が非常に
均一であることが必要であることに留意されたい。その
ような均一な電流分布は、本発明の電気エッチング装置
により、記述した陰極の小さい走査用帯電オリフィスを
用い、その効果を加工品の全面にわたって積分する技術
によって提供される。
ルーホールの側壁形状と、陰極４および５と加工品３と
の間にかけた電圧の関係を示す。たとえばフォトレジス
ト２７を使用することによりマスク３にエッチングする
フィーチャの性質によっては、そのような異なる側壁形
状が必要であろう。たとえば、スクリーン印刷用のモリ
ブデン・マスクは、ホールの壁が図４の２４のようにま
っすぐであることを必要とする。２５に示す細いバイア
の方が、完成したマスク３をＣ４ボンディング用の蒸着
マスクとして使用する場合にはより適切であろう。図４
に示す異なる側壁形状は、かける電圧の量を制御するな
どにより、エッチング量を制御することによって達成さ
れる。電位を少しずつ増加させると、次々に２５、２
４、２６のような形状が得られる。しかし、パターンの
大きさと密度の異なるをフィーチャの制作には、形状の
均一性を達成するために加工品全体の電流分布が非常に
均一であることが必要であることに留意されたい。その
ような均一な電流分布は、本発明の電気エッチング装置
により、記述した陰極の小さい走査用帯電オリフィスを
用い、その効果を加工品の全面にわたって積分する技術
によって提供される。
【００１８】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００１９】（１）マスクされた加工用の板をエッチン
グするための電気エッチング装置において、電解質貯蔵
タンクと、上記タンク中の電解質と、マスクされた加工
用の板を上記タンク内で垂直方向に固定して配置決めす
るためのホルダ手段と、上記タンク内で上記垂直方向に
延びる狭い矩形のオリフィスを有する、少なくとも一個
の陰極アセンブリと、上記板があるときにその板の上に
当たるように、上記電解質を上記タンクから上記オリフ
ィスを通って流れさせる手段と、上記板があるときにそ
の板の面を横切って上記垂直方向と直角の方向に上記オ
リフィスが移動するように、上記アセンブリを走査する
手段と、上記ホルダに対して上記アセンブリが負側にな
るように、上記ホルダおよび上記アセンブリの両端間に
電圧をかける手段とを含む装置。 （２）電解質貯蔵タンクと、上記タンク中の電解質と、
マスクされ、上記タンク内で垂直方向に固定して配置さ
れたエッチングしようとする加工用の板と、上記タンク
内で上記垂直方向に延びる狭い矩形のオリフィスを有す
る、少なくとも一個の陰極アセンブリと、上記板の上に
当たるように、上記電解質を上記タンクから上記オリフ
ィスを通って流れさせる手段と、上記板の面を横切って
上記垂直方向と直角の方向に上記オリフィスが移動する
ように、上記アセンブリを走査する手段と、上記板に対
して上記アセンブリが負側になるように、上記板および
上記アセンブリの両端間に電圧をかける手段とを含み、
上記各陰極のオリフィスを上記板の面を横切って走査す
る総合的な効果によって、上記板の全面にわたって電流
分布の均一性が達成されることを特徴とする電気エッチ
ング装置。 （３）上記オリフィスが、上記板に面する上記アセンブ
リの表面上に垂直に延びる溝を備え、上記アセンブリが
上記板の直面する表面を横切って、接近して走査され、
上記電解質が上記溝の上端からその下端へと流されるこ
とを特徴とする、上記（２）に記載の電気エッチング装
置。 （４）さらに、上記溝の下端に隣接した導電性の板を含
み、上記導電性の板が上記加工用の板に対して負側にな
るように、上記導電性の板に上記電位がかけられること
を特徴とする、上記（３）に記載の電気エッチング装
置。 （５）上記導電性の板が絶縁材ブロックの表面に隣接し
て固定されることを特徴とする、上記（４）に記載の電
気エッチング装置。 （６）一対の陰極アセンブリを含み、上記アセンブリ対
が上記板の両面を横切って同期して走査され、上記板が
鏡像様にマスクされ、対応するフィーチャが上記板の両
側で位置合わせされた位置関係になることを特徴とす
る、上記（２）に記載の電気エッチング装置。 （７）上記溝と上記板の直面する表面との間隔が約２ｍ
ｍないし３ｍｍであることを特徴とする、上記（３）に
記載の電気エッチング装置。 （８）上記溝の幅が約６．３〜１２．７ｍｍ（０．２５
〜０．５インチ）であることを特徴とする、上記（７）
に記載の電気エッチング装置。
グするための電気エッチング装置において、電解質貯蔵
タンクと、上記タンク中の電解質と、マスクされた加工
用の板を上記タンク内で垂直方向に固定して配置決めす
るためのホルダ手段と、上記タンク内で上記垂直方向に
延びる狭い矩形のオリフィスを有する、少なくとも一個
の陰極アセンブリと、上記板があるときにその板の上に
当たるように、上記電解質を上記タンクから上記オリフ
ィスを通って流れさせる手段と、上記板があるときにそ
の板の面を横切って上記垂直方向と直角の方向に上記オ
リフィスが移動するように、上記アセンブリを走査する
手段と、上記ホルダに対して上記アセンブリが負側にな
るように、上記ホルダおよび上記アセンブリの両端間に
電圧をかける手段とを含む装置。 （２）電解質貯蔵タンクと、上記タンク中の電解質と、
マスクされ、上記タンク内で垂直方向に固定して配置さ
れたエッチングしようとする加工用の板と、上記タンク
内で上記垂直方向に延びる狭い矩形のオリフィスを有す
る、少なくとも一個の陰極アセンブリと、上記板の上に
当たるように、上記電解質を上記タンクから上記オリフ
ィスを通って流れさせる手段と、上記板の面を横切って
上記垂直方向と直角の方向に上記オリフィスが移動する
ように、上記アセンブリを走査する手段と、上記板に対
して上記アセンブリが負側になるように、上記板および
上記アセンブリの両端間に電圧をかける手段とを含み、
上記各陰極のオリフィスを上記板の面を横切って走査す
る総合的な効果によって、上記板の全面にわたって電流
分布の均一性が達成されることを特徴とする電気エッチ
ング装置。 （３）上記オリフィスが、上記板に面する上記アセンブ
リの表面上に垂直に延びる溝を備え、上記アセンブリが
上記板の直面する表面を横切って、接近して走査され、
上記電解質が上記溝の上端からその下端へと流されるこ
とを特徴とする、上記（２）に記載の電気エッチング装
置。 （４）さらに、上記溝の下端に隣接した導電性の板を含
み、上記導電性の板が上記加工用の板に対して負側にな
るように、上記導電性の板に上記電位がかけられること
を特徴とする、上記（３）に記載の電気エッチング装
置。 （５）上記導電性の板が絶縁材ブロックの表面に隣接し
て固定されることを特徴とする、上記（４）に記載の電
気エッチング装置。 （６）一対の陰極アセンブリを含み、上記アセンブリ対
が上記板の両面を横切って同期して走査され、上記板が
鏡像様にマスクされ、対応するフィーチャが上記板の両
側で位置合わせされた位置関係になることを特徴とす
る、上記（２）に記載の電気エッチング装置。 （７）上記溝と上記板の直面する表面との間隔が約２ｍ
ｍないし３ｍｍであることを特徴とする、上記（３）に
記載の電気エッチング装置。 （８）上記溝の幅が約６．３〜１２．７ｍｍ（０．２５
〜０．５インチ）であることを特徴とする、上記（７）
に記載の電気エッチング装置。
【図１】本発明の最良の実施例の構造要素の簡略化した
透視図である。
透視図である。
【図２】図１の移動式陰極アセンブリの断面図である。
【図３】図１の実施例に関連する電解質循環装置および
電源を示すブロック・ダイアグラムである。
電源を示すブロック・ダイアグラムである。
【図４】図１の実施例によって作成さられた二重にマス
クされた加工品中のエッチングされたホールを、印加電
圧の関数として表した断面図である。
クされた加工品中のエッチングされたホールを、印加電
圧の関数として表した断面図である。
【符号の説明】 ３ 加工品 ４ 陰極アセンブリ ５ 陰極アセンブリ ６ 案内レール ７ 案内レール ８ 支持部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マダヴ・ダッタ アメリカ合衆国10598 ニューヨーク州ヨ ークタウン・ハイツ ワイルド・ウッド・ コート 816 (72)発明者 デレク・ブレント・ハリス アメリカ合衆国13053 ニューヨーク州ド ライデン ビーム・ヒル・ロード 107 (72)発明者 フランク・サヴィジ・ライアン アメリカ合衆国80303 コロラド州ボウル ダー シマロン・ウェイ 240 (72)発明者 フランク・アンソニー・スペラ アメリカ合衆国12603 ニューヨーク州ポ ーキュープシー バート・ドライブ 37
Claims (8)
- 【請求項１】マスクされた加工用の板をエッチングする
ための電気エッチング装置において、 電解質貯蔵タンクと、 上記タンク中の電解質と、 マスクされた加工用の板を上記タンク内で垂直方向に固
定して配置決めするためのホルダ手段と、 上記タンク内で上記垂直方向に延びる狭い矩形のオリフ
ィスを有する、少なくとも一個の陰極アセンブリと、 上記板があるときにその板の上に当たるように、上記電
解質を上記タンクから上記オリフィスを通って流れさせ
る手段と、 上記板があるときにその板の面を横切って上記垂直方向
と直角の方向に上記オリフィスが移動するように、上記
アセンブリを走査する手段と、 上記ホルダに対して上記アセンブリが負側になるよう
に、上記ホルダおよび上記アセンブリの両端間に電圧を
かける手段とを含む装置。 - 【請求項２】電解質貯蔵タンクと、 上記タンク中の電解質と、 マスクされ、上記タンク内で垂直方向に固定して配置さ
れたエッチングしようとする加工用の板と、 上記タンク内で上記垂直方向に延びる狭い矩形のオリフ
ィスを有する、少なくとも一個の陰極アセンブリと、 上記板の上に当たるように、上記電解質を上記タンクか
ら上記オリフィスを通って流れさせる手段と、 上記板の面を横切って上記垂直方向と直角の方向に上記
オリフィスが移動するように、上記アセンブリを走査す
る手段と、 上記板に対して上記アセンブリが負側になるように、上
記板および上記アセンブリの両端間に電圧をかける手段
とを含み、 上記各陰極のオリフィスを上記板の面を横切って走査す
る総合的な効果によって、上記板の全面にわたって電流
分布の均一性が達成されることを特徴とする電気エッチ
ング装置。 - 【請求項３】上記オリフィスが、上記板に面する上記ア
センブリの表面上に垂直に延びる溝を備え、 上記アセンブリが上記板の直面する表面を横切って、接
近して走査され、 上記電解質が上記溝の上端からその下端へと流されるこ
とを特徴とする、請求項２に記載の電気エッチング装
置。 - 【請求項４】さらに、上記溝の下端に隣接した導電性の
板を含み、 上記導電性の板が上記加工用の板に対して負側になるよ
うに、上記導電性の板に上記電位がかけられることを特
徴とする、請求項３に記載の電気エッチング装置。 - 【請求項５】上記導電性の板が絶縁材ブロックの表面に
隣接して固定されることを特徴とする、請求項４に記載
の電気エッチング装置。 - 【請求項６】一対の陰極アセンブリを含み、上記アセン
ブリ対が上記板の両面を横切って同期して走査され、 上記板が鏡像様にマスクされ、対応するフィーチャが上
記板の両側で位置合わせされた位置関係になることを特
徴とする、請求項２に記載の電気エッチング装置。 - 【請求項７】上記溝と上記板の直面する表面との間隔が
約２ｍｍないし３ｍｍであることを特徴とする、請求項
３に記載の電気エッチング装置。 - 【請求項８】上記溝の幅が約６．３〜１２．７ｍｍ
（０．２５〜０．５インチ）であることを特徴とする、
請求項７に記載の電気エッチング装置。
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|---|---|---|---|
| US261170 | 1994-06-17 | ||
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